2013

LABORATORIO DE
ELECTRONICA II

09/08/2013

UNIVERSIDAD ISRAEL
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET
NOMBRE: SANTIAGO IPIALES
FECHA DEL LABORATORIO: 22 / 07/2013
1. TTULO
Prctica 1: Curva caracterstica del Transistor JFET y niveles de Operacin.

2. OBJETIVOS
2.1. GENERAL
Entender el comportamiento del Transistor JFET.
2.2. ESPECFICOS
Comprobar el mecanismo de conduccin de corriente de acuerdo al voltaje
de puerta (VGS).
Identificar la regin lineal en la curva caracterstica de drenaje.
Graficar la familia de curvas caractersticas de drenaje (VDS contra ID) para
la configuracin drenaje-fuente.

3. MARCO TERICO

Desarrollar marco terico correspondiente:

Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos. Boylestad Nashelsky.
Octava Edicin.
Captulo 5:5.1 Introduccin.
5.2 Construccin y Caractersticas (JFET).
4. LISTADO DE MATERIALES Y EQUIPOS

Fuente de alimentacin variable DC (1V-24V).

Multmetro, con el ampermetro operativo.

Resistencias: tres (3) de 1M, tres (3) de 2k y tres (3) de 100.

Tres (3) Transistores FET canal N: 2N5951. Reemplazo el NTE312. Tambin es

vlido el 2N5951 o el 2N5953.

Protoboard.

Cables 24AWG.

Papel milimetrado, al menos unas 10 hojas.

Hojas cuadriculadas A4, un paquete de 50 hojas.

5. PROCEDIMIENTO
Preparatorio:
1. Simule el circuito que se ilustra en la Figura 1, en el software de simulacin
Qucs. Para la simulacin cambie las caractersticas del transistor como se
muestra en la ltima hoja de Anexos.
2. Establezca VGG de modo que VGS est en 0V.

3. Poco a poco ajuste VDD por cada valor de VDS que incluye en la Tabla 1. Con la
sonda de corriente mida el valor de ID para cada valor de VDS y antelo en la
Tabla 1.

4. Ajuste VGG para que VGS = -0,5V. Repita el paso 3 manteniendo VGG constante.

5. Repita los pasos 3 y 4 para todos los valores de VGS en la Tabla 1.

6. Con los datos de la Tabla 1, grafique las curvas caractersticas de drenaje para
la configuracin en fuente comn del transistor; utilice papel milimtrico.
Recuerde: VDS es el eje horizontal e ID, el eje vertical.
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CORRIENTE EN MILIAMPERIOS

8
7
6
VGS= 0 V

VGS= -0.5V
4

VGS= -1V
VGS= -1.5V

VGS=-2V

2
1
0
0

VDS EN VOLTIOS

Prctica:

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1. Monte el circuito en el Protoboard como se ilustra en la Figura 1.

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2. Establezca VGG de modo que VGS est en 0V. El ampermetro M1 debe estar en
el intervalo de miliamperios a fin de proteger el medidor.

3. Poco a poco ajuste VDD por cada valor de VDS que incluye en la Tabla 1. Observe
el valor de ID para cada valor de VDS y antelo en la Tabla 1.
4. Ajuste VGG para que VGS = -0,5V. Repita el paso 3 manteniendo VGG constante.
5. Repita los pasos 3 y 4 para todos los valores de VGS en la Tabla 1.
6. Con los datos de la Tabla 1, grafique las curvas caractersticas de drenaje para
la configuracin en fuente comn del transistor; utilice papel milimtrico.
Recuerde: VDS es el eje horizontal e ID, el eje vertical.
7. Responda las preguntas que se encuentran en el punto de Anexos del informe.

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6. DIAGRAMAS Y FIGURAS

Figura 1: Diagrama circuital para la obtencin de la curva caracterstica del FET.

7. TABULACIONES Y RESULTADOS

ID(mA)
VDS (V)
VGS

0.5

1.5

2.5

4.5

4.99

7.73

-0.5

0.9

3.9

4.98

5.81

-1

0.9

2.9

3.77

3.8

3.87

-1.5

0.9

1.84

1.86

1.88

1.89

1.92

-2

9.54E-11

1.19E-10

1.46E-10

1.77E-10

2.11E-10

3.92E-10

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Tabla 1 Simulacin: Tabla correspondiente a los valores medidos de la Figura 1.

Tabla 1 Prctica: Tabla correspondiente a los valores medidos de la Figura 1.

8. SIMULACIONES
Adjuntar el grfico de la simulacin correspondiente a la Figura 1 que se detalla en
el informe, debe observarse la lectura en los dos Multmetro.

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15

16

17

18

19

20

21

22

23

9. CLCULOS
No se necesitan para la presente prctica.

10. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

1. Exponga sus conclusiones respecto a la presente prctica.

En los transistores bipolares, una pequea corriente de entrada (corriente de base)

controla la corriente de salida (corriente de colector); en los casos de los FET, es un
pequeo voltaje de entrada que controla la corriente de salida.

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La corriente que circula en la entrada es generalmente despreciable (menos de un pico

amperio). Esto es una gran ventaja, cuando la seal proviene de un dispositivo tal
como un micrfono de condensador o un transductor piezo elctrico, los cuales
proporcionan corrientes insignificantes.
Los FETs, bsicamente son de dos tipos:
- El transistor de efecto de campo de Juntura o JFET.
- El transistor de efecto de campo con compuerta aislada o IGFET, tambin conocido
como semiconductor de xido de metal, MOS, o simplemente MOSFET.
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2. Exponga sus recomendaciones respecto a la presente prctica.

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11. BIBLIOGRAFA
Desarrollar bibliografa correspondiente al Marco Terico respectivo.

12. ANEXOS

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PREGUNTAS (Acabada la prctica en el Laboratorio)

1. Mediante la grfica obtenida. Cul es el valor de IDSS?
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2. Establezca VGS = -2,5V. Qu sucede con la corriente ID? Deduzca Vp.

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3. Determine ID y VDS, si VGS = -1V. Qu puede concluir con el punto de

operacin?
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4. Identifique los niveles de operacin del transistor en la grfica.

PARA LAS SIMULACIONES

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Para la simulacin realice lo siguiente:

Escoja del men del margen derecho Componentes componentes no

lineales JFET-n.

A este componente ideal realcele los siguientes cambios para que

convertirlo en el modelo del 2N5951:

Haga doble click sobre el elemento para acceder a Editar Propiedades del
Componente o click derecho Editar Propiedades.

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