Apuntes de Semiconductores.

APUNTES DE PROCESOSO DE DISPOSITIVOS ELECTRICOS Y ELECTRONICOS. Academia de Qumica. Profesor: LUISA REYNA MUIZ LOZANO.
DISPOSITIVOS ELECTRICOS Y ELECTRONICOS. El termino de CONDUCTOR se aplica a cualquier material que soporte un flujo generoso de carga cuando se aplica una fuente de voltaje de magnitud limitada a travs de sus terminales. Un AISLANTE es un material que ofrece un nivel muy pobre de conduccin bajo la tensin de una fuente de voltaje aplicada. Un SEMICONDUCTOR es un material que tiene un nivel de conductividad situado entre los casos extremos de un aislante y un conductor.
La facilidad con la que un tomo emite sus electrones valencia depende de la estabilidad qumica que tenga. UN TOMO ES ESTABLE CUANDO SE RESISTE A CEDER LOS ELECTRONES. UN TOMO ES INESTABLE CUANDO TIENDE A CEDER LOS ELECTRONES.
de
La estabilidad est determinada por el nmero de valencia. Los elementos con 5 o ms electrones de valencia son buenos AISLANTES, puesto que tienden a capturar los electrones y no a cederlos. Los tomos con menos de 4 electrones tienden a liberarlos, a fin de vaciar su capa de valencia y utilizar como tal la capa que ya esta llena. Estos tomos constituyen los mejores CONDUCTORES.
Cuando se aplica energa a un tomo por medio de calor, voltaje o por cualquier otro medio, la capa que capta la energa primeramente es la de valencia.
Programa Actualizado de Qumica II
Si se hace resulta:
un
anlisis
de
los
requerimientos
de
energa
En un CONDUCTOR la energa electrones es MUY POCA.
requerida
para
liberar
sus
En un AISLANTE es difcil liberar un electrn por lo que se requiere MAYOR ENERGA. Y en el caso de los SEMICONDUCTORES se requiere menos energa que un aislante pero mayor energa que un conductor.
La energa requerida para estos materiales determinan sus BANDAS DE CONDUCCION que se representan por BANDAS DE ENERGIA., como se muestra en el siguiente esquema:
CONDUCTOR
SEMICONDUCTOR
AISLANTE
Es la BANDA DE CONDUCCION. Es el traslape de BANDAS de VALENCIA y de CONDUCCION.
Es la BANDA de VALENCIA. Es la BANDA o ZONA PROHIBIDA.

Estos diagramas nos indican que tan fcil o difcil es liberar un electrn para iniciar su conduccin. Desde el punto de vista de la qumica se tiene que: El enlace entre el electrn y el ncleo es inversamente proporcional a la distancia entre ellos; esto es que, entre ms cerca se encuentran mayor es la energa requerida para liberar el electrn de la banda de valencia (que se manifiesta cuando determinamos las energas de ionizacin).
Los electrones de valencia en niveles de excitacin se denominan ELECTRONES LIBRES, estos estn dbilmente atados al ncleo y se mueven por el semiconductor con relativa facilidad en presencia del campo elctrico o de otras fuerzas.
Para lo anterior, considere un cristal de semiconductor: La proximidad de tomos vecinos produce modificaciones en las energas de los tomos de valencia, y estas energas se distribuyen en una BANDA DE ENERGIA que representa el RANGO de energas de los electrones de valencia del cristal.
Cualquier material compuesto nicamente de estructuras cristalinas repetitivas del mismo tipo se llama: ESTRUCTURA MONOCRISTALINA.
El potencial de ionizacin que se requiere para mover cualquiera de estos 4 electrones es menor, que el requerido para cualquier otro electrn en la estructura. Un enlace de tomos, reforzado por los electrones compartidos, recibe el nombre de ENLACE COVALENTE
Si en un cristal todas las bandas de valencia estn llenas, la conduccin slo puede ocurrir, si los electrones se trasladan primeramente a la banda de conduccin. Los lugares vacantes que dejan los electrones de valencia que abandonan el enrejado cristalino se denominan HUECOS. A la temperatura del cero absoluto la banda de valencia est llena y no hay electrones disponibles para la conduccin, en ese caso, se dice que el semiconductor tiene resistividad infinita
Las uniones rotas mueven electrones dentro de la banda de conduccin dejando HUECOS en las bandas de valencia, esto hace que, ambas bandas conduzcan. En la banda de conduccin los electrones libres que se mueven respondiendo a la presencia de un campo elctrico, mientras que en la banda de valencia los electrones se mueven desplazndose desde un hueco al siguiente. Los huecos se consideran como partculas positivas.
Un punto ms a analizar es la temperatura que influye sobre los semiconductores: Cuando la temperatura aumenta en un semiconductor, tambin aumenta el nmero de pares electrn-hueco que se generan por la agitacin trmica.
Los electrones y huecos liberados son portadores de corriente y por lo tanto implican un aumento en la conductividad, pero a temperaturas muy altas, cuando, ya se han generado un nmero suficiente de electrones-huecos libres entonces tiende aumentar la COLISION, lo que hace aumentar la resistencia, al reducirse la velocidad de los portadores de corriente.
Qu es lo que sucede? Al aumentar la temperatura el nmero de electrones de valencia absorben suficiente energa trmica para romper el enlace covalente, y contribuyen al nmero de portadores libres, al incrementarse ste aumentar el ndice de conductividad y como resultado se producir un nivel menor de resistencia. A temperatura ambiente se encuentran aproximadamente 10 1.5 x 10 portadores libres en un centmetro cuadrado, este valor es para el SILICIO, y existen 2.5 x 1013 portadores libres por centmetro cuadrado para el GERMANIO.
Los materiales semiconductores, silicio y Germanio, se muestran una reduccin de la resistencia con el aumento de la temperatura, se dice que tiene un COEFICIENTE NEGATIVO DE TEMPERATURA. Pero, sin embargo para el conductor elctrico se INCREMENTA con la temperatura, esto se debe a que el nmero de portadores en un conductor no aumentar en forma considerable con la temperatura, pero el patrn de vibracin por encima de un punto fijo har cada vez ms difcil el paso de electrones, esto que un aumento en la temperatura produce un nivel incrementado de la resistencia y un COEFICIENTE POSITIVO DE TEMPERATURA.
CIRCUITOS IMPRESOS. Un circuito impreso es una configuracin de cintas de cobre adheridas a una placa de material aislante y resistente al calor., que tiene una doble funcin: 1.Ser el soporte de componentes. 2.Como conexin para formar el circuito.
alambrado
de
la
placa
del
Se utilizan resinas sintticas como la fenolita, fibra vidrio con resina epoxica y para elevadas temperaturas emplean tejidos sintticos de flor o sustrato cermicos.
de se
Los circuitos impresos se obtienen a partir de un material base, que se denomina laminado que se encuentra formado por una resina plstica con estructura interna de fibra de vidrio o papel impregnado, que le confiere la resistencia mecnica adecuada. Sobre esta base plstica y por una o las dos caras se encuentran una o dos laminas de cobre adheridas mediante un proceso de presin y alta temperatura., obtenindose un producto final en forma de lamina de espesor que oscila entre 0.025 y 0.070 mm.
El pegado de la placa aislante y de la lmina de cobre, suele hacerse mediante prensa (procesos de imprenta) y a elevada temperatura, utilizando un pegamento con caractersticas dielctricas semejante a la placa aislante
Este laminado es el elemento que permitir, mediante el tratamiento adecuado obtener la interconexin que se precise., los circuitos impresos se realizan habitualmente utilizando una o dos caras del laminado obtenindose circuitos monocara o circuitos de doble cara, y en casos especiales tambin se utilizan circuitos multicapa.
Una placa de circuito impreso est compuesta por una lamina de material no conductor a la que se le ha pegado componentes electrnicos. En las placas se graban vas conductoras o lo que es ms comn, se cubre una lmina conductora completa con una plantilla no corrosiva y se le graba con cido.
En este tipo de circuitos existen algunos conceptos a conocer: El CABLEADO IMPRESO que comprende galvnicas entre los componentes. las uniones conductora
El CIRCUITO IMPRESO comprende en cambio el trazado de conductores y todos los componentes de la conexin. En este caso es indiferente que los componentes estn impresos en el trazado de conductores o se aadan a l posteriormente por medios manuales o mecnicos. El circuito impreso es definido en la norma DIN 40.801 como la placa de conductores.
Los procedimientos mas comunes en la fabricacin de circuitos impresos son: a).- Diseo directo. b).- Fotogrfico. c).- Serigrfico.
FABRICACION DEL CIRCUITO IMPRESO. 1).- Diagrama de distribucin. Antes de procesar a una placa de circuito impreso, debe dibujarse un diagrama de distribucin, dicho diagrama es un modelo de los conductores que estn en la placa; adems de indicar
cuales superficies del cobre se protegern de la solucin corrosiva (pistas o conexiones de cobre). 2).- Transferencia del modelo. La manera ms sencilla de transferir el diagrama a la lamina recubierta con cobre consiste en colocar la cinta directamente sobre la superficie de la lamina segn el modelo.
Para comenzar el diseo se necesita una hoja de papel milimetrico o cuadriculado, se dibuja sobre ella con lpiz los componentes en su tamao real, marcando cuidadosamente los puntos correspondientes a donde va ser agujerado; por donde vayan a penetrar las terminales de los componentes.
Recuerda que la disposicin colocacin) pueden ser:
de
los
componentes
(mtodos
de
1).- HORIZONTALES. Con el cuerpo apoyado sobre el circuito. Este mtodo se recomienda si no existe problema de espacio en la placa y de esta manera el circuito ser ms claro, y todos sus puntos sern ms accesibles para realizar medidas sobre sus componentes. Por otra parte se conseguir mejor fijacin mecnica.
2).- VERTICALES. Sujetos nicamente sobre los puntos de soldadura. Este mtodo se recomienda siempre que el circuito impreso terminado deba quedar lo ms pequeo posible, no importando la altura de los componentes sobre la placa.
Estos dos mtodos pueden mezclarse en un mismo diseo.
Despus se unirn con trazos hechos con el lpiz todos aquellos puntos en los que deba existir una conexin elctrica, mediante trazos de 1.5 mm de ancho (en el caso de que vayan a circular intensidades de corriente elevadas deber aumentarse la anchura de estos trazos, lo que sucede para corrientes superiores de 0.5 amperios). Los trazos se dibujan siguiendo lneas rectas y formando unos con otros ngulos de 45 y 90 (se recomienda hacer ngulos de 135 en lugar de 90). Una vez que se tiene la placa de tamao adecuado se situar sobre la cara del cobre el dibujo del papel milimetrico o cuadriculado (mtodo directo). Es importante destacar que el dibujo se ha realizado por la cara de los componentes por lo que ser necesario invertirle, es decir, situar la cara dibujada en contacto con el cobre.
Antes de esto se deben de marcar todos los puntos que han de ser perforados en la hoja de papel, teniendo cuidado de que no falte ninguno. La siguiente operacin consiste en marcar todos los puntos que han de ser perforados sobre el cobre de la placa., para ello se emplea un punzn, apoyando la punta sobre cada una de las marcas del papel ejerciendo cierta presin, pero evitando que el papel se rasgue, se debe observar s quedan grabados los puntos sobre el cobre.
Se dibuja sobre el cobre los trazos los mismos trazos que se han dibujado anteriormente sobre el papel milimetrico, empleando un plumn negro., conviene repasar cada lnea dos o tres veces con el fin de que la tinta cubra perfectamente el cobre y no quede ningn poro. En cada punto a perforar se traza un circulo con el plumn.
Una vez finalizado el dibujo se utilizara una disolucin de cloruro frrico (FeCl3), el cual se verter dentro de un recipiente de plstico en cantidad suficiente para cubrir la placa de manera total. Se introduce la placa en la solucin agitando lentamente para favorecer las reas de contacto de corrosin.
El circuito debe estar el tiempo suficiente para que el cloruro frrico realice su objetivo al dejar zonas descubiertas y zonas cubiertas con el color negro del plumn. Hay que recordar que la zona cubierta por el color negro del plumn puede ser atacada tambin por el cido de Lewis., por lo que es conveniente realizar retoques a la lneas y donas trazadas anteriormente (previamente hay que lavar y secar). Cuando el proceso de incisin del cobre ha terminado, se procede a lavar la placa con abundante agua., cuando ya esta seca se eliminara la tinta que cubre el cobre; para ello se puede utilizar disolvente o un estropajo. Se procede a perforar con un taladro los puntos marcados sobre el cobre con el punzn.
Para asegurarnos que las pistas de conexin tienen continuidad en el circuito impreso es conveniente realizar una prueba con el multmetro, el objetivo de esta prueba es verificar que todas las pistas puedan conducir la corriente elctrica y no exista problemas a la hora de montar los componentes. De esta manera se da por terminado el circuito impreso.
Solo resta soldar los componentes a la placa, estos se insertaran por el lado del aislante para que las pastillas del componente sobresalgan por la cara de pistas de cobre y as poder soldarlas.
Cuando se haya terminado las soldaduras, con un alicate de corte se cortarn los trozos sobrantes de las pastillas. Y con esto habremos terminado el diseo, realizacin, corrosin y montaje de una placa de circuito impreso. La ventaja de realizar circuitos impresos consiste en el ahorro de espacio, organizacin y ubicacin de los componentes. Adems de facilitar las tareas de montaje y reparacin.
El siguiente esquema muestra la distribucin de un esquema elctrico (que consiste en una representacin de smbolos normalizados unidos por unas lneas que representan las conexiones, al lado de cada componente se debe reflejar la denominacin de referencia, y optativamente el valor del componente.
DIAGRAMA DE DISTRIBUCION ELECTRICO.
CAPACITOR
CAPACITOR
Las lneas obscuras son las conexiones de cobre llamadas PISTAS y los crculos obscuros son las llamadas DONAS.
CIRCUITOS INTEGRADOS. El circuito integrado es un pequeo circuito electrnico utilizado para realizar una funcin electrnica especifica, y se fabrica mediante la difusin de impurezas en silicio monocristalino, que sirve como material semiconductor o mediante la soldadura del silicio con un haz de flujo de electrones.
DIFUSION TERMICA: Consiste bsicamente en calentar el semiconductor a altas temperaturas en un tubo saturado con los tomos de la impureza que se desea introducir en el mismo. Al calentarse el material se dilata y las impurezas se introducen por un fenmeno de difusin. La profundidad a la que penetran depende de la temperatura, del tiempo de permanencia dentro del tubo y del tipo de impurezas., la temperatura a la que se realiza este proceso es de 1200C.
SERIGRAFIA: Los motivos geomtricos a imprimir sobre el semiconductor se definen en una malla de nylon o acero inoxidable, previamente tensada y se sujeta a un marco; los motivos a imprimir quedan como reas abiertas mientras que el rea restante se cubre con resinas orgnicas.
La impresin en s, se realiza poniendo una pasta sobre la malla que esta en contacto con la superficie del semiconductor, y la pasta se fuerza a pasar por las reas abiertas.
FOTOLITOGRAFIA: Un ataque selectivo de la capa de SiO2. El mtodo que se emplea se denomina: Impresin por proyeccin, esto se vale de procedimientos pticos para exponer las diferentes regiones.
La ventaja, que la mascarilla no puede introducir contaminantes. El producto se somete a la accin qumica que elimina a la resina fotosensible no expuesta a la luz ultravioleta. Una segunda solucin deber atacar al SiO2 de cualquier regin que no se encuentre cubierta por el material fotosensible. El paso final antes del proceso de difusin, es eliminar por solucin, el material fotosensible remanente.
DIFUSION DE AISLAMIENTO: Se realiza a una temperatura cercana a 1200C, el sistema es controlado por un microprocesador desde la introduccin hasta la extraccin, se supervisa la temperatura y el nivel de impurificacin.
La alternativa al proceso de difusin temperatura es la: Implantacin inica.
en
alta
En la implantacin ionica se dirige un haz de iones impurificantes hacia la oblea a una velocidad sumamente alta, mediante un can acelerador de iones. La temperatura del proceso es baja.
Las siguientes figuras muestran las zonas de contaminacin de diodos, transistores y resistencias. 20 m
12m
TRANSISTOR
10 m
15 m
DIODO
RESISTOR
Continuando con los procesos semiconductores electrnicos: METALIZACION:
de
contaminacin
en
los
Un patrn de mascarillas final expone aquellas regiones de cada elemento para las cuales se requiere hacer un contacto metlico. La oblea completa se recubre entonces con una delgada capa de aluminio, oro, molibdeno o tantalio (todos metales de alta conductividad y bajo punto de ebullicin), que despus se ataca en forma apropiada y producirn el patrn de conduccin interconectado que se desea.
Los dos mtodos que ms se aplican para establecer la capa uniforme de material conductor son: a).- La evaporacin. b).- La difusin.
EVAPORACION AL VACIO. Es el mtodo estndar para depositar metal en un chip. En esta tcnica se funde el metal que se va a depositar, pequeas cantidades calentndolo elctricamente. El recipiente est fabricado de tungsteno o molibdeno en un vaco de 10-6 torr o mm de Hg.
Cuando el metal se encuentra fundido, se abre la ventanilla (obturador) y se inicia la deposicin. La velocidad de evaporacin es proporcional a la diferencia entre la presin de vapor en el equilibrio del material lquido y la presin del vaco por encima de l.
DIFUSION. La corrosin de un slido es un proceso en dos etapas, la formacin de una capa de xido sobre un metal se debe a la reaccin qumica entre el metal y el oxgeno en presencia de la molcula de agua (en ocasiones). Para que contine la reaccin qumica es necesario que los tomos del metal o de la atmsfera migren a travs de la capa de xido y se encuentren. El proceso de migracin se denomina difusin, y como ocurre debido al movimiento atmico de tipo trmico, depende de la temperatura.
Para que un tomo de impureza sea elctricamente activo, en el sentido de proporcionar un hueco o un electrn, debe sustituir a un tomo de silicio en un sitio normal de la red cristalina. Por lo tanto, es necesario que el tomo que se difunde a la red cristalina ocupe un sitio vaco.
El proceso de difusin consiste en que el tomo de impureza pase de un sitio vaco a otro como se ilustra en la siguiente figura.
tomo de
impurezas
vacancia
POSICION INICIAL CON VACANCIA.
tomo de impurezas vacancia
PASO ACTIVADO.
Vacancia
Atomo de impurezas
INTERCAMBIO DE LA NUEVA POSICION CON VACANCIA.
En la siguiente grfica se muestra las energas correspondientes a cada uno de los pasos en el proceso de difusin.
ENERGIA POTENCIAL DEL ATOMO.
(a)
(b)
(c)
POSICION DE LA IMPUREZA.

Apuntes de Semiconductores.

Transféré par

Informations du document

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Apuntes de Semiconductores.

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

APUNTES DE PROCESOSO DE DISPOSITIVOS ELECTRICOS Y ELECTRONICOS. Academia de Qumica. Profesor: LUISA REYNA MUIZ LOZANO.

Programa Actualizado de Qumica II

En un CONDUCTOR la energa electrones es MUY POCA.

Es la BANDA DE CONDUCCION. Es el traslape de BANDAS de VALENCIA y de CONDUCCION.

Es la BANDA de VALENCIA. Es la BANDA o ZONA PROHIBIDA.

Programa Actualizado de Qumica II

Programa Actualizado de Qumica II

Programa Actualizado de Qumica II

Recuerda que la disposicin colocacin) pueden ser:

Programa Actualizado de Qumica II

Estos dos mtodos pueden mezclarse en un mismo diseo.

Programa Actualizado de Qumica II

Programa Actualizado de Qumica II

DIAGRAMA DE DISTRIBUCION ELECTRICO.

Programa Actualizado de Qumica II

Programa Actualizado de Qumica II

La alternativa al proceso de difusin temperatura es la: Implantacin inica.

Programa Actualizado de Qumica II

Programa Actualizado de Qumica II

Continuando con los procesos semiconductores electrnicos: METALIZACION:

POSICION INICIAL CON VACANCIA.

tomo de impurezas vacancia

INTERCAMBIO DE LA NUEVA POSICION CON VACANCIA.

Programa Actualizado de Qumica II

ENERGIA POTENCIAL DEL ATOMO.

Programa Actualizado de Qumica II

Programa Actualizado de Qumica II

Vous aimerez peut-être aussi