1.- Describa con sus propias palabras el significado de la palabra ideal cuando se aplica a un dispositivo o sistema.

La palabra ideal se aplica a los sistemas o a un dispositivo cuando estos trabajan, funcionan o reaccionan de manera perfecta, su funcionamiento est basado en los principios y caractersticas que poseen. 3.- Cul es la principal diferencia entre las caractersticas de un interruptor sencillo y aquellos del diodo ideal? Tienen las mismas caractersticas los dos dejan fluir la corriente, pero la principal diferencia es que el diodo ideal solo la deja circular hacia un lado y no permite que regrese y el otro permite el flujo asi ambos lados. 7.- Con sus propias palabras, defina un material intrnseco, un coeficiente de temperatura negativo y un enlace covalente. Un material intrnseco, es un material conductor puro como lo es el silicio y el germanio. Un coeficiente de temperatura negativo es cuando el valor de una resistencia elctrica disminuye al aumentar la temperatura. Un enlace covalente es cuando hay una unin de dos tomos comparten un o dos tomos de su ltima celda. 15.- Dibuje la estructura atmica del silicio e inserte una impureza de arsnico como se demostr en el caso del silicio de la fig. 1.9.

17.- Consulte su biblioteca y encuentre otra explicacin para el flujo de huecos versus el de electrones. Empleando ambas descripciones ambas descripciones, describa con sus propias palabras el proceso de conduccin de huecos. En un semiconductor, la disposicin de los tomos en la estructura cristalina del material hace que los electrones solamente puedan adquirir ciertas energas, de forma que las energias quedan divididas en bandas de energa. La banda de energa ms baja es la banda de valencia, luego hay un hueco en el que no pueden existir electores que tengan esa energa, y luego viene la banda de

conduccin, en la que los electrones son casi libres para moverse, por encima de cierta energa. Segn sea el material, ya a temperatura ordinaria existirn electrones con energa suficiente para estar en la banda de conduccin, o por el contrario habr que calentar el material. (todo esto es parecido a los niveles de energa de los electores en un tomo, pero aqu en lugar de estar los electores sometidos al campo de ncleo atmico, estn sometidos al campo elctrico que producen los tomos en cada posicin en la red cristalina, lo que da lugar a un campo que aumenta y disminuye peridicamente en el espacio) Pues bien, los electrones que al adquirir energa suficiente saltan de la banda de valencia a la de conduccin, dejan un "hueco" en la banda de valencia, que equivale a una carga positiva, que se mueve en la banda de valencia. Por ello, al flujo elctrico contribuyen tanto los electrones en la banda de conduccin como los huecos dejados en la banda de valencia. La facilidad para que se produzca ese salto de electrones se regula aadiendo dopantes en pequea cantidad, y as, puede regularse el flujo de huecos y electores que se mueven al aplicar al material un campo elctrico, como el producido por una pila 25.- Compare las caractersticas de un diodo de silicio con las de un diodo de germanio y determine cual preferira utilizar para la mayora de las aplicaciones prcticas. Proporcione algunos detalles. Consulte un listado de especificacin del fabricante y compare las caractersticas del diodo de silicio y de germanio con valores nominales mximos similares. Para la mayora de aplicaciones el diodo de silicio es el dispositivo de eleccin debido a su capacidad de temperatura ms alta. El diodo de germanio tiene tpicamente un lmite de trabajo de alrededor de 85 grados centgrados, mientras que el de silicio puede ser utilizado en temperaturas cercanas a 200 grados centgrados. Diodos de silicio tambin tienen una capacidad de manejo de corriente ms alto. Diodos de germanio son la tensin de umbral ms pequeo puede resultar ventajoso. Yo creo que el que mejor me parece para utilizar en prcticas es el de silicio por sus caracteristicas. 35.- Determine la resistencia de ac del diodo de la fig. 1.19 a 0.75 V y compare con la resistencia de ac promedio obtenida en el problema 34

37.- Repita el problema 36 ahora para el diodo de la figura 1.34. Utilizando la mejor aproximacin a la curva ms all de VD = 0,7 V

41.- Para el diodo de la figura 1.41, determine el nivel de IR a temperatura ambiente (25C) y a la temperatura de ebullicin de ebullicin del agua (100C). El cambio es importante? Prcticamente se duplica el nivel por cada incremento de 10C en la temperatura? Escala TA = 25 C, IR = 0.5 mA TE = 100 C, IR = 60 mA El cambio es significativo 60 mA: 0.5 mA = 120:1 Si en 95 C IR aumenta a 64 mA si tomamos en cuenta que se duplicara y comenzando en 0.5 mA en 25 C y aumentando de 10 en 10 C, pero es muy cercano.

45.- (a) Utilizando como referencia la fig. 1.42, determine la capacitancia de transicin para un potencial de polarizacin inverso de -25 y -10 V. Cul es el radio del cambio en la capacitancia para el cambio en el voltaje?

(b) Repita el inicio (a) para potenciales de polarizacin inversos de -10 y -1 V. Determine la proporcin de cambio en la capacitancia al cambio de voltaje.

(c) Cmo se comparan las proporciones determinadas en los incisos (a) y (b)? Qu le indica esto sobre cual rango tendr ms reas de aplicacin prctica?

51.- A qu temperatura tendr el diodo Zener de la fig. 1.55 un voltaje nominal de 10.75 V?

55.- Compare los niveles de impedancia dinmica del diodo 24 V de la fig. 1.56 b para niveles de corriente de 0.2, 1 y 10 mA. Cmo se relacionan los resultados con la forma con la forma que poseen las caractersticas en esta regin?

Cuanto ms pronunciada es la curva (ms alto dI / dV) resistencia dinmica