UNIVERSIDAD AUTONMA

DE CIUDAD JUREZ
IIT-CU
MATERIALES PARA EL DISEO
Ing. Edgar Vladimir Franco Meza. M.I.
Edgar. Franco@uacj.mx
Unidad II: Estructuras
Cristalinas
1. Arreglo atmico.
2. Estructura cristalina.
3. Defectos.
Introduccin
La mayora de los materiales slidos no metlicos con los que uno a diario esta en
contacto, encuentra que no hay diferencia caracterstica entre su forma externa y
la de casi todos los objetos metlicos. De aqu que resulte bastante sorprendente
para la mayora de la gente saber que los materiales metlicos poseen una
estructura cristalina, mientras que materiales como la madera, plsticos, papel,
vidrio y otros no la poseen, ste tipo de materiales tienen un arreglo al azar en sus
partculas de manera que logran rigidez a la temperatura ambiente.
Los slidos se pueden clasificar teniendo en cuenta el arreglo interno de sus
partculas, en amorfos y cristalinos.
Se puede decir que un slido es un material que posee forma y volumen definidos
y que es una sustancia constituida por tomos metlicos, tomos no metlicos,
iones molculas.
Muchas de las propiedades de los metales tales como la densidad, dureza, punto
de fusin, conductividad elctrica y calorfica estn relacionadas con la estructura
cristalina y tambin con el enlace metlico. Sin embargo, ninguna depende tanto
de la estructura cristalina como las propiedades mecnicas tales como la
maleabilidad, ductilidad, resistencia a la tensin, temple y capacidad de hacer
aleaciones.
)
Introduccin
La estructura fsica de los materiales de ingeniera tiene gran importancia en
cuanto a la disposicin de los tomos que constituyen el solido y de las
fuerzas de enlaces entre ellos.
Si los tomos de un solido estn ordenados segn una disposicin que se
repite en las 3 dimensiones, forman un solido que se dice posee estructura
cristalina y es referido como solido cristalino o material cristalino.
Ejemplos de materiales cristalinos son los metales, las aleaciones y algunos
materiales cermicos.
)
Arreglo atmico
Determina la microestructura y las propiedades de un material solido. Por
ejemplo el arreglo atmico en el aluminio proporciona buena ductilidad, en el
hierro una buena resistencia.
Debido a estos arreglos atmicos, se puede deformar fcilmente el
polietileno, se puede estirar el hule.
El objetivo es estar preparados para comprender como las imperfecciones en
el arreglo atmico permiten entender la deformacin como el
endurecimiento de muchos materiales solidos.
)
Arreglo atmico
Formas en que se pueden ordenar los tomos o iones.
Sin orden:
No tienen arreglo ordenado.
Es el caso de los gases monoatmico como el argn.
)
Arreglo atmico
Orden de corto alcance: se presenta cuando el arreglo del material especial de los
tomos se extiende solo a los vecinos mas cercanos de dicho tomo.
Ejemplo, cada molcula de agua en fase de vapor tiene un orden de corto alcance
debido a los enlaces covalentes entre los tomos de hidrogeno y oxigeno, esto es cada
tomo de oxigeno esta unido a 2 tomos de hidrogeno formando un Angulo de 104.5
grados entre los enlaces.
En los vidrios cermicos pasa algo similar, dado que los
tomos de oxigeno deben formar ngulos de 109.5 grados
para satisfacer los requerimientos de direccionalidad de los
enlaces covalentes, se tiene como resultado un orden de
corto alcance.
)
Arreglo atmico
Orden de largo alcance: abarca escalas de longitud mucho mayores de 100
nanmetros, los tomos forman un patrn regular y repetitivo, semejante a
una red en 3 dimensiones.
)
Solidos amorfos
Son todos aquellos slidos en los cuales sus partculas constituyentes
presentan atracciones lo suficientemente eficaces como para impedir que la
sustancia fluya, resultando una estructura rgida y ms o menos dura.
No presentan una disposicin interna ordenada por lo tanto no tienen ningn
patrn determinado. Tambin se les denomina vidrios lquidos
sobreenfriados.
Representacin de un solido amorfo
)
Estructura cristalina
La estructura cristalina es la forma solida de cmo se ordenan y
empaquetan los tomos, molculas y iones. Estos son
empaquetados de manera ordenada y con patrones de
repeticin que se extienden en las tres dimensiones del espacio.
La cristalografa es el estudio cientfico de los cristales y su
formacin.
Modelo de red de un
sistema cristalino
cubico simple
)
Estructura cristalina
Imagen de microscopa electrnica de alta resolucin de
una nanopartcula de Hematita (Fe2O3) rodeada por
una matriz polimrica de poliestireno.
)
Red cristalina
Estructura cristalina:
Si analizamos con detenimiento es este grafico,
existe una fraccin que se repite. Asimismo,
los cristales, tomos, iones o molculas se
empaquetan y dan lugar a motivos que se
repiten del orden de 1 angstrom=10-8 cm, a
esta repetitividad en 3 dimensiones se le llama
red cristalina y se refiere al tamao, forma y
ordenamiento atmico dentro de la red.
Al conjunto que se repite, y del cual se genera
una red, se le llama celda unidad; al conjunto
se le llama red espacial.
)
Celda Unitaria
Unidad de repeticin en la red, porcin mas simple de la estructura cristalina
(menor subdivisin de una red que sigue conservando las caractersticas
generales de toda la red) . Al apilar celdas unitarias idnticas se puede
construir toda la red.
(a) representacin de la celda unidad mediante esferas rgida
(b) celda unidad representada mediante esferas reducidas
)
Principales celdas unitarias
)
Solidos Cristalinos
(Conjunto de tomos estticos que ocupan una posicin de terminada)
Estn constituidos por minsculos
cristales individuales, poseen la
caracterstica de que al romperse
producen caras y planos definidos, al
igual presentan puntos de fusin
definidos. Como ejemplos podemos
destacar: el NaCl, la sacarosa, metales
y aleaciones, y tambin algunos
cermicos.
Los tomos o iones de un slido se
ordenan en una disposicin que se
repite en tres dimensiones, forman un
slido del que se dice tiene una
estructura cristalina, se dice tambin
que es un slido cristalino o un
material cristalino.
Punto reticular: ion,
tomo o molcula que se
repite infinitamente
Lneas rectas imaginarias,
celdilla unidad
El patrn se repite en el
espacio y forma el retculo
o sistema cristalino
"
Solidos cristalinos: Parmetros de red
Describen el tamao y la forma de la celda unidad pueden describirse por tres
vectores reticulares a, b, c y por ngulos entre las caras y la longitud relativa
de las aristas, denominados parmetros de red, constantes de red o ejes
cristalogrficos.
a, b, c : longitud de las aristas de los ejes coordenados X, Y,Z.
a , b , g : ngulos entre las aristas.
Las unidades de la longitud se expresan en nanmetros (nm) en angstrom
(A), donde:
Celdilla genrica Celdilla cbica
)
Solidos Cristalinos
Se ha demostrado que slo existen 7 tipos de poliedros capaces de rellenar,
por repeticin, todo el espacio: los denominados sistemas cristalinos
)
Redes de Bravis
Son una disposicin
innita de puntos
discretos cuya
estructura es
invariante bajo cierto
grupo de traslaciones.
)
Estructuras cristalinas de elementos metlicos a
25C y a 1 atm.
Estructura cristalina Elemento
Hexagonal compacta Be, Cd, Co, Mg, Ti, Zn
Cbica compacta Ag, Al, Au, Ca, Cu, Ni, Pb, Pt
Cbica centrada en el cuerpo Ba, Cr, Fe, W, alcalinos
Cbica-primitiva Po
)
Sistema cubico
Posee 3 estructuras cristalinas:
1. Estructura cubica simple (CS)
2. Estructura cubica centrada en el cuerpo (BCC)
3. Estructura cubica centrada en la cara (FCC)
)
Propiedades de las celdas unitarias
1. Nmeros de tomos por celda.- Es un numero promedio de puntos de
red asociados a una celda unitaria.
La estructura CS tiene un tomo por celda unitaria.
La estructura BCC tiene 2 tomos por celda unitaria.
La estructura FCC tiene 4 tomos por celda unitaria.
2. Relacin entre el radio atmico y el parmetro de red.

Propiedades de las celdas unitarias

Propiedades de las celdas unitarias
3. Numero de coordinacin.- Es el numero de tomos que tocan a un tomo
en particular.
4. Factor de empaquetamiento.- Es la fraccin de espacio de la celda unitaria
que es ocupada por tomos.

Propiedades de las celdas unitarias

5. Densidad terica.
6. Sitios intersticiales.- Son huecos que existen entre los tomos que forman
la estructura cristalina.

Ejemplo: Existen materiales que pueden tener mas de una estructura

cristalina.
Si son elementos puros se les llama alotrpicos.
En general se llaman polimrficos.
Cuando un pedazo de hierro se calienta, su volumen aumenta debido a la
expansin trmica del metal.
Cuando alcanza los 912C el hierro se contrae porque cambia su estructura
cristalina.

Si consideramos que cada punto de la red coincide con un tomo, cada

tipo de celda tendr un nmero de tomos que se contarn de la
siguiente forma:
tomos ubicados en las esquinas aportarn con 1/8 de tomo, ya
que ese tomo es compartido por 8 celdas que constituyen la red.
tomos ubicados en las caras de las celdas aportarn con de
tomo, ya ese tomo es compartido por 2 celdas que constituyen la
red.
tomos que estn en el interior de las celdas aportan 1 tomo.
Nmero de tomos equivalentes por celda unitaria

Nmero de tomos equivalentes por celda

Un punto de red en la esquina de una celda unitaria estar compartido por siete
celdas unitarias adyacentes; solo una octava parte de cada esquina corresponde a una
celda en particular.
Por tanto, el numero de puntos de red proveniente de todas las posiciones de esquina
en una celda unitaria es:
Las esquinas contribuyen con 1/8 de un punto, las caras con y las posiciones en el
centro contribuyen con un punto.
El numero de tomos por celda es el producto del nmero de tomos por punto red
multiplicado por el numero de puntos de red existentes por celda unitaria.
En la mayor parte de los metales, se localiza un tomo en cada punto de red, por lo
que el numero de tomos es igual al numero de puntos de red.
]
Nmero de tomos equivalentes por celda

Radio atmico Vs. Parmetro de red

Las direcciones en la celda unitaria a lo largo de las cuales los tomos estn
en contacto continuo son las direcciones compactas.
En estructuras simples, particularmente aquellas con slo un tomo por
punto de red, se utilizan esas direcciones para calcular la relacin entre el
tamao aparente del tomo y el tamao de la celda unitaria.
Al determinar geomtricamente la longitud de la direccin relativa a los
parmetros de red y a continuacin sumando los radios atmicos en esa
direccin, es posible determinar la direccin deseada.

Ejemplo
Determine la relacin entre el radio atmico y el parmetro de red en
estructuras CS, CC y CCC, cuando existe un tomo en cada punto de red.
Relacin entre el radio atmico y el parmetro de re en sistemas cbicos.

Ejemplo
En la estructura CS los tomos de las esquinas estn centrados en los vrtices
del cubo por tanto:
a0 = 2r
En la estructura CC, los tomos se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo,
que tiene una longitud igual a So
0
. Hay dos radios atmicos
correspondientes al tomo central y un radio atmico proveniente de cada
uno de los tomos en las esquinas de la diagonal del cuerpo, por lo que:
o
0
=
4r
S

Ejemplo
En las estructuras CCC, los tomos entran en contacto a lo largo de la diagonal
de la cara del cubo, que tiene una longitud de 2o
0
. Hay cuatro radios
atmicos en esta longitud: dos radios provenientes del tomo centrado en la
cara y un radio por cada esquina por lo que:
o
0
=
4r
2

Numero de coordinacin
Es el nmero de tomos que tocan a otro en particular, es decir, el numero de
vecinos ms cercanos. Indica que tan estrecha y eficazmente estn
empaquetados los tomos.
En estructuras cbicas que contengan solamente un tomo por punto de la
red, los tomos tienen un nmero de coordinacin relacionado con la
estructura de la red.

Factor de empaquetamiento
El factor de empaquetamiento es la fraccin de espacio ocupada por tomos,
suponiendo que los tomos son esferas slidas. La expresin general para el
factor de empaquetamiento es:
En los metales, el factor de empaquetamiento es de 0.74 de la celda unitaria
CCC, es el empaquetamiento ms eficiente posible.
Las celdas CC tienen un factor de 0.68 y las celdas CS un factor de 0.52.

Factor de empaquetamiento
Los metales que slo poseen un enlace de tipo metlico se empaquetan con
la mxima eficiencia que les es posible. Los de enlaces mixtos, como el hierro,
pueden tener celdas unitarias con un factor de empaquetamiento
menor al mximo.
Ningn metal de ingeniera comn tiene la estructura CS, aunque esta
estructura se encuentra en materiales cermicos.

Densidad
La densidad terica de un metal se puede calcular utilizando las
propiedades de la estructura cristalina.
La frmula general es:

La estructura hexagonal compacta. Una forma especial de la red hexagonal,

la estructura hexagonal compacta se muestra a continuacin. La celda
unitaria es el prisma sesgado que se muestra por separado.
La red hexagonal compacta (HC) (izquierda) y su celda unitaria (derecha)

La estructura HC tiene un punto de red por celda, uno proveniente de cada

una de las ocho esquinas del prisma, pero en cada punto de red estn
asociados dos tomos. Un tomo est ubicado en una esquina, en tanto que
el otro est localizado dentro de la celda unitaria.
En metales HC ideales, los ejes a0 y c0 estn relacionados entre s mediante la
relacin c/a = 1.633. Sin embargo, en la mayor parte de los metales HC tienen
relaciones c/a que difieren ligeramente del valor ideal.
Dado que la estructura HC, al igual que la estructura CCC, tienen un factor de
empaquetamiento de 0.74 y un nmero de coordinacin de 12, una buena
cantidad de metales poseen esta estructura.

Principales estructuras cristalinas metlicas La mayor parte de los metales

elementales (en torno al 90%) cristalizan al solidificar en tres estructuras
cristalinas de empaquetamiento compacto:
La estructura cbica centrada en el cuerpo, la estructura cbica centrada en
las caras y la estructura hexagonal compacta.
Por brevedad y comodidad, es comn referirse a estas estructuras mediante
las siglas BCC, FCC y HCP. Estas siglas provienen de los nombres en ingles
body centered cubic (BCC), face centered cubic (FCC) y hexagonal close
packed (HCP).

Principales estructuras cristalinas metlicas

La mayor parte de los metales cristalizan en esta estructura de denso
empaquetamiento debido a que se libera energa a medida que los tomos se
aproximan y se enlazan fuertemente entre s. As las estructuras de
empaquetamiento compacto corresponden a niveles de energa menores y
ms estables.
Las celdas unitarias de las principales estructuras cristalinas de los metales se
muestran en la siguiente figura, su tamao es extremadamente pequeo. Por
ejemplo, la arista del cubo de la celda unitaria del hierro cbico centrado en
el cuerpo es igual a 0.287x10-9 m.

Principales estructuras cristalinas metlicas

Estas estructuras tienen la caracterstica de ser muy compactas, es decir,
permiten aprovechar eficientemente el espacio dejando pocos huecos.
En las estructuras FCC y HCP, 74% del espacio est ocupado por tomos y el
resto, 26%, es espacio vaco.
En la estructura BCC esta eficiencia o factor de empaquetamiento es de 68%,
con 32% de espacio vaco.
Las estructuras FCC y HCP son ms densas o compactas que la BCC.
Naturalmente, todo lo expresado en este prrafo es vlido nicamente para
los metales puros.

Estructura cristalina cbica centrada en

el cuerpo (BCC)
La estructura cristalina BCC no es una estructura totalmente compacta ya que
los tomos podran situarse ms juntos. Muchos metales tales como hierro,
cromo wolframio, molibdeno y vanadio tienen estructura cristalina BCC a
temperatura ambiente.

Algunos metales con estructuras cristalinas BCC a temperatura

ambiente (20 C), sus constantes reticulares o parmetros de red
y sus radios atmicos.

Estructura cristalina cbica centrada en

las caras (FCC)
Tiene el mayor factor de empaquetamiento posible de tomos esfricos. Los
metales ms dctiles son de estructura FCC. Muchos metales tales como
aluminio, cobre, plomo, nquel y hierro a elevadas temperaturas (912 a 1394 C)
cristalizan a una estructura cristalina FCC.

Algunos metales con estructuras cristalinas FCC a temperatura

ambiente (20 C), sus constantes reticulares y sus radios
atmicos.

Estructura cristalina hexagonal compacta

(HCP)
Es la estructura metlica ms comn. El zinc y el titanio son ejemplos de
metales con estructura HCP. Los metales no cristalizan en la estructura
hexagonal normal por que el factor de empaquetamiento es demasiado bajo.
Los tomos pueden alcanzar un estado menor de energa y unas condiciones
mas estables formando la HCP.
Celda unitaria HCP: (a) de posiciones atmicas; (b) de esferas rgidas; (c) celda unitaria
aislada.

Algunos metales con estructuras cristalinas HCP a temperatura

ambiente (20 C), sus constantes reticulares y sus radios
atmicos.

Caractersticas de cristales metlicos comunes

Puntos en la celda unitaria cbica

Para localizar las posiciones atmicas en las celdas unitarias cbicas vamos a
usar un sistema x, y, z. En cristalografa, el eje positivo x es normalmente la
direccin hacia fuera del papel, el eje positivo y es la direccin hacia la
derecha del papel y el eje positivo z hacia arriba. Las direcciones negativas
son las opuestas a las que acaban de describirse.
Ejes rectangulares x, y, z para
localizacin de las posiciones
atmicas en las celdas unitarias
cbicas.

Puntos en la celda unitaria cbica

La distancia se mide en funcin del nmero de parmetros de
red que habr que moverse en cada una de las coordenadas x, y
y z para pasar desde el origen hasta el punto en cuestin.
Las coordenadas se expresan como tres distancias, y separando
cada nmero con comas.
Las posiciones atmicas se localizan usando distancias unitarias a
lo largo de los ejes x, y, z, como se indica en la figura anterior.

Por ejemplo, la posicin en coordenadas para los tomos en la celda unitaria BCC
se muestra en la siguiente figura.
Posiciones atmicas en
celdas unitarias BCC.
Las posiciones atmicas para los ocho tomos situados en los vrtices de las
celda unitarias BCC son:
(0, 0, 0) (1, 0 ,1) (0, 1, 0) (0, 0, 1)
(1, 1, 1) (1, 1 , 0) (1, 0, 1) (0, 1, 1)
El tomo central de la celda unitaria BCC tiene de coordenadas ( , , ).

Direcciones en la celda unitaria cbica

Frecuentemente es necesario referirnos a direcciones especificas en las redes
cristalinas. Esto es especialmente importante para metales y aleaciones
que tienen propiedades que varan con la orientacin cristalogrfica.
Para cristales cbicos los ndices de direcciones cristalogrficas son los
componentes vectoriales de las direcciones resueltas a lo largo de cada eje de
coordenadas a los enteros ms pequeos.
Los ndices de Miller para las direcciones son la notacin abreviada para estas
direcciones.
)
Direcciones en la celda unitaria cbica
El procedimiento que determina los ndices de Miller para las direcciones es
el siguiente:
1. Utilizando un sistema de coordenadas, determine las coordenadas de dos
puntos que estn en esa direccin.
2. 2. Reste las coordenadas del punto inicial de las coordenadas a las del
punto final para obtener el nmero de parmetros de red recorridos en
la direccin de cada eje del sistema de coordenadas.
3. 3. Reduzca las fracciones y/o los resultados obtenidos de la resta a los
mnimos enteros.
4. 4. Encierre los nmeros en corchetes [ ]. Si se obtiene un signo negativo,
represntelo con una barra sobre el nmero.

Direcciones en la celda unitaria cbica

Para indicar en un diagrama una direccin en una celda unitaria
cbica dibujaremos un vector de direccin desde el origen hasta
que salga de la superficie del cubo.
Las coordenadas de posicin de la celda unitaria donde el vector
de direccin sale a la superficie del cubo despus de ser
convertidas a enteros son los ndices de direccin.

Direcciones en la celda unitaria cbica

Por ejemplo, las coordenadas de posicin del vector de direccin OR en la
siguiente figura donde sale a la superficie del cubo son (1, 0, 0) y as, los
ndices de direccin para el vector OR son [100]. Los coordenadas de posicin
del vector OS son (1,1, 0) siendo los ndices de direccin para el vector OS
[110].

Direcciones en la celda unitaria cbica

Debern observarse varios puntos en el uso acerca del uso de los ndices de Miller
para las direcciones:
1. Dado que las direcciones son vectores, una direccin y su negativo no son
idnticas; no es igual a . Representan la misma lnea pero con
direcciones opuestas.
2. 2. Una direccin y su mltiplo son idnticos; [100] es la misma direccin que
[200]. Simplemente se omiti hacer la reduccin a mnimos enteros.
3. Ciertos grupos de direcciones son equivalentes; sus ndices particulares
dependen de cmo se construyen las coordenadas.
4. Todos los vectores de direccin paralelos tienen los mismos ndices de
direccin.

Direcciones en la celda unitaria cbica

Por ejemplo, en un sistema cbico, una direccin [100] es equivalente a la
direccin [010] si se redefine el sistema de coordenadas segn se muestra en la
siguiente figura.
Equivalencia de direcciones cristalogrficas de una familia en sistemas cbicos.
Es posible referirse a grupos de direcciones equivalentes como familias de
direcciones. Se utilizan los parntesis angulares < > para indicar este conjunto.
Es de esperarse que un material tenga las mismas propiedades en cada una de
estas familias de direcciones.

Direcciones en la celda unitaria cbica

Otra manera de caracterizar direcciones equivalentes es mediante la
distancia de repeticin, es decir, la distancia entre puntos de la red a
lo largo de la direccin.
Por ejemplo, se podr analizar la direccin [110] en una celda unitaria
FCC; si se parte del punto 0,0,0, el siguiente punto de la red estar en
el centro de una cara, o en un sitio , , 0.
La distancia entre los puntos de red, es por tanto la mitad de la
diagonal de la cara, es decir, .
En el cobre que tiene una parmetro de red de 0.36151nm, la distancia
de repeticin es 0.2556nm.

Direcciones en la celda unitaria cbica

La densidad lineal es el nmero de puntos de red por unidad de
longitud a lo largo de una direccin. En el cobre existen dos
distancias de repeticin a lo largo de la direccin [110] es cada
celda unitaria; dado que esta distancia es
Entonces:
Observe que la densidad lineal es el reciproco de la distancia de
repeticin.

Planos en la celda unitaria cbica

Planos en la celda unitaria
Ciertos planos de tomos en un cristal tambin son significativos,
por ejemplo, los metales se deforman a lo largo de aquellos
planos de tomos que estn empaquetados ms estrechamente.
Se utiliza el sistema de notacin de Miller. Los ndices de Miller
de un plano cristalino se definen como los recprocos de las
intersecciones fraccionales de los planos hechos con los tres ejes
cristalogrficos x, y y z y las tres aristas no paralelas de la celda
unitaria cbica.

Planos en la celda unitaria cbica

El procedimiento se describe a continuacin:
1. Se elige un plano que no pase por el origen.
2. Identifique los puntos en los cuales el plano interseca los ejes
de coordenadas x, y y z en funcin del nmero de
parmetros de red. Estas intersecciones pueden ser
fracciones.
3. Se obtienen los recprocos de estas intersecciones.
4. Elimine las fracciones pero no reduzca a los mnimos enteros.
5. Encierre los nmeros resultantes entre parntesis ( ) sin usar
comas.

Planos en la celda unitaria cbica

En la siguiente figura se muestra uno de los tres planos ms importantes de
las estructuras cristalinas cbicas.
Consideremos el plano sombreado, el cual tiene las intersecciones 1,
, para los ejes x, y y z respectivamente. Tomamos los recprocos de estas
intersecciones para obtener los ndices de Miller que son entonces 1,0,0.
Como estos nmeros no son fraccionarios, entonces los ndices de Miller para
este plano son (100).

Planos en la celda unitaria cbica

Consideremos el plano mostrado en la siguiente
figura. Las intersecciones de este plano son 1,1, .
Puesto que los recprocos de estos nmeros son
1,1,0 , que no involucran fracciones, los ndices de
Miller de este plano son (110).
Finalmente el plano de la siguiente figura,
tiene las intersecciones 1,1,1 que nos da los
ndices de Miller (111) de este plano.

Planos en la celda unitaria cbica

Consideremos ahora el plano cristalino de la siguiente figura que tiene las
intersecciones 1/3, 2/3,1. Sus recprocos son 3, 3/2, 1.
Puesto que no estn permitidas intersecciones fraccionarias, estas
intersecciones tienen que ser multiplicadas por 2 para convertir la fraccin
3/2 en un nmero entero. As, la interseccin reciproca se convierte en 6, 3, 2
y los ndices de Miller son (632).

Planos en la celda unitaria cbica

Si se considera que el plano cristalino pasa por el origen de manera que una o
ms intersecciones son cero, el plano ha de ser desplazado hasta una posicin
equivalente en la misma celda unidad de modo que el plano permanezca
paralelo al plano origen. Esto es posible porque todos los planos paralelos
equidistantes se denotan mediante los mismos ndices de Miller.
i grupos de planos equivalentes estn relacionados por la simetra del sistema
cristalino, se llaman planos de una familia o forma. Los ndices de un plano de
la familia son encerrados entre llaves, como { } para representar los ndices de
una familia de planos simtricos.
Por ejemplo, los ndices de Miller de los planos de la superficie del cubo
(100), (010) y (001) se designan como una familia o forma por la notacin
{100}.

Planos en la celda unitaria cbica

Una importante relacin para el sistema cbico, y slo para el
sistema cbico, es que los ndices de direccin de una direccin
perpendicular a un plano cristalino son iguales a los ndices de
Miller de ese plano.
Por ejemplo, la direccin [100] es perpendicular al plano
cristalino (100).

Planos en la celda unitaria

Debern anotarse varios aspectos de importancia en
los ndices de Miller para los planos:
1. Los planos y sus negativos son idnticos (que esto no era
cierto para el caso de las direcciones).
2. Los planos y sus mltiplos no son idnticos. Es posible
demostrar esto definiendo densidades planares y fracciones
de empaquetamiento planar. La densidad planar es el
nmero de tomos por unidad de superficie cuyo centro est
sobre el plano; la fraccin de empaquetamiento es el rea
sobre dicho plano cubierta por dichos tomos.

Construccin de direcciones y de
planos
Para construir una direccin o un plano en la celda unitaria, simplemente se
trabaja de forma inversa.
Ejemplo dibuje a) la direccin y el [121] plano ( 2 1 0 ) Esciiba aqui la
ecuacion.

Planos cristalogrficos y direcciones en

celdas unitarias hexagonales
Los planos cristalinos en celdas unitarias HCP se identifican
generalmente utilizando cuatro ndices de Miller en vez de tres.
Los ndices para los planos cristalinos HCP, llamados ndices
Miller-Bravais, se designan por las letras h, k, i y l y se encierran
entre parntesis: (hkil).
Estos ndices hexagonales de cuatro dgitos se basan en un
sistema coordenado de cuatro ejes como se muestra en la
siguiente figura en una celda unitaria HCP.

Planos cristalogrficos y direcciones en

celdas unitarias hexagonales
Hay tres ejes fundamentales a1, a2 y a3, que forman ngulos de 120 entre s. El
cuarto eje c es el eje vertical localizado en el centro de la celda unitaria. La unidad de
medida a a lo largo de los ejes a1, a2 y a3, es la distancie entre los tomos a lo largo
de estos ejes como se indica la figura. La unidad de medida a lo largo del eje c es la
altura de la celda unitaria.
Los recprocos de las intersecciones que un plano determina con los ejes a1, a2 y a3,
dan los ndices h, k e i mientras que el reciproco de la interseccin con el
eje c da el ndice l.
Los cuatro ejes coordenados
(a1, a2 y a3 y c) de la celda
unitaria de la estructura
cristalina HCP.

Planos basales
Los planos basales de la celda unitaria HCP son planos muy importantes para esta
celda unitaria y se muestra en la siguiente figura.
Puesto que el plano basal de la parte superior es paralelo a los ejes a1, a2 y a3, las
intersecciones de este plano con estos ejes sern todas de valor infinito. As,
o
1
= , o
2
= , o
3
= +. El eje c, sin embargo, es unitaria ya que es interceptado
por el plano basal superior a la distancia de la unidad.
Tomando los recprocos de estas intersecciones tenemos los ndices de Miller-Bravais
para el plano basal HCP. As, h = 0, k = 0, i = 0 y l = 1. El plano basal HCP es (0001).

ndices de direccin en las celda unitarias

HCP
Las direcciones en las celdas unitarias HCP se indican tambin generalmente
por cuatro ndices u, v t y w encerrados entre corchetes como [uvtw]. Los
ndices u, v, t son vectores reticulares en las direcciones a1, a2 y a3,
respectivamente y el ndice w es un vector reticular e la direccin c. Algunas
de las direcciones ms importantes de las celdas unitarias HCP se indican en
la siguiente figura.
Algunas direcciones
importantes en
celdas unitarias HCP.

Transformaciones alotrpicas o
polimrficas
Muchos elementos y compuesto existen en ms de una
estructura cristalina bajo diferentes condiciones de temperatura
y presin. Este fenmeno se denomina polimorfismo o
alotropa.
Muchos metales de importancia industrial como el hierro, titanio
y cobalto sufren transformaciones alotrpicas a elevadas
temperatura a presin atmosfrica.
La siguiente tabla presenta una seleccin de metales que
experimentan transformaciones alotrpicas, as como los
cambios de estructura que sufren.

Transformaciones alotrpicas o
polimrficas
El hierro puro puede adoptar dos estructuras diferentes, dependiendo
de la temperatura a que est sometido.
A temperatura ambiente y hasta una temperatura de 910 C posee
estructura BCC, arriba de 910 C y hasta 1394 C adopta estructura
FCC, entre 1394 C y 1538 C vuelve a tomar estructura BCC.
Por encima de 1538 C, la temperatura de fusin, el hierro pierde su
estructura cristalina al pasar al estado lquido. Se dice que el hierro es
polimrfico o alotrpico, por poder adoptar diferentes estructuras
cristalinas. Otros metales y materiales en general presentan esta
propiedad. En la siguiente figura se ilustra este comportamiento del
hierro en una curva de enfriamiento.

Al hierro BCC de baja temperatura se le llama hierro (alfa) o ferrita, a

temperatura ambiente es magntico. Al hierro FCC se le llama hierro (gamma) o
austenita y al hierro BCC de alta por temperatura se le llama hierro (delta). Cada
una de estas formas es llamada una fase.

Defectos de la estructura cristalina

En realidad no existen cristales perfectos sino que los cristales
contienen varios tipos de defectos e imperfecciones que afectan
a muchas de sus propiedades fsicas y mecnicas.
A su vez, afectan a diversas propiedades de los materiales, de
importancia en ingeniera, tales como la capacidad de aleaciones
en fro, la conductividad elctrica de semiconductores, la
velocidad de migracin de tomos en aleaciones, y la corrosin
de metales.
Las imperfecciones de la red cristalina se clasifican conforme a su
geometra y forma.

Defectos de la estructura cristalina

Mediante el control de las imperfecciones reticulares, creamos
metales y aleaciones ms resistentes, imanes ms poderosos,
transistores y celdas solares de mejor desempeo, vidrios y
cristales de colores extraordinarios y muchos otros materiales de
importancia prctica.
Las principales clasificaciones son : (1) defectos de lnea o de una
dimensin (dislocaciones), (2) defectos puntuales de dimensin
cero, (3) defectos de dos dimensiones que incluyen superficies
externas y lmites de grano internos. Los defectos macroscpicos
tridimensionales tambin debieran ser incluidos.
Ejemplos de estos defectos son: poros, fisuras e inclusiones
extraas.

Grano
Se denomina como grano o (cristallite) al estado
slido de la materia que tiene las mismas
caractersticas de una celda unitaria. El tamao
de un cristal puede variar desde algunos
nanmetros hasta varios milmetros.
Recordemos que un slido est internamente
ordenado en celdas cristalinas como por
ejemplo la celda cbica simple.

Limites de grano (defectos

interfaciales)
La forma de los lmites de grano viene determinada por las restricciones
impuestas por el crecimiento de los granos ms prximos. Las superficies de
los lmites de grano de una estructura de grano aproximadamente equiaxial
se muestra esquemticamente en la figura y la de granos reales.

Limites de grano (defectos

interfaciales)
A temperaturas ordinarias los lmites de grano tambin limitan el
flujo plstico al presentar dificultades el movimiento de
dislocaciones en la regin del lmite de grano.

Imperfecciones
Las clases de defectos que existen son:
a Defectos puntuales
a Defectos lineales
a Defectos planares

Efectos lineales
Dislocaciones: son imperfecciones lineales en una red que de otra forma sera
perfecta. Generalmente se introducen en la red durante el proceso de
solidificacin del material o al deformarlo. Aunque en todos los materiales
hay dislocaciones presentes, incluyendo los materiales cermicos y polmeros,
son de particular utilidad para explicar la deformacin y el endurecimiento de
los metales. Podemos identificar dos tipos de dislocaciones:
Dislocacin de borde
Dislocacin de tornillo

Defectos Lineales

Disposicin de tornillo: se puede

ilustrar haciendo un corte parcial a
travs de un cristal perfecto,
torcindolo y desplazando un lado del
corte sobre el otro la distancia
de un tomo.
Si en un plano cristalogrfico
describimos una revolucin completa
alrededor del eje sobre el cual el cristal
fue torcido, partiendo del punto x y
recorriendo
espaciamientos atmicos iguales en
cada direccin, terminaremos en un
espacio atmico por debajo de nuestro
punto de partida (punto y). El vector
que se requiere parta cerrar la
trayectoria y volver a nuestro punto
inicial se conoce como el vector de
Burgers b.

Dislocacin de tornillo
Si continuramos nuestra rotacin, trazaramos una trayectoria en espiral. El
eje, es decir la lnea alrededor de la cual trazamos esta trayectoria, es la
dislocacin de tornillo. El vector de Burgers es paralelo a la dislocacin
de tornillo.
El cristal perfecto es (a) cortado y deformado una distancia igual a un
espaciamiento atmico, (b) y (c) La lnea a lo largo de la cual ocurre este corte
es una dislocacin de tornillo. Se requiere un vector de Burgers para cerrar la
trayectoria de espaciamientos atmicos alrededor de la dislocacin tornillo.

Dislocaciones de borde
Una dislocacin de borde se puede ilustrar haciendo un corte parcial a travs
de un cristal perfecto, separndolo y rellenando parcialmente el corte con un
plano de tomos adicional. El borde inferior de este plano adicional
representa la dislocacin de borde.
Si seguimos una trayectoria en crculo a favor de las manecillas del reloj
alrededor de la dislocacin de borde, partiendo del punto x y recorriendo un
nmero igual de espaciamientos atmicos en cada direccin, terminaramos
alejados un espaciamiento atmico del punto de partida y. El vector que se
requiere para completar el circuito es, de nuevo, el vector de Burgers. En este
caso el vector de Burgers es perpendicular a la dislocacin.

Dislocaciones de borde
Al introducir la dislocacin, los tomos por encima de la lnea de dislocacin
se comprimen acercndose los unos a los otros, en tanto que los que quedan
por debajo se estiran alejndose de sus posiciones de equilibrio. La red que
los rodea ha sido distorsionada debido a la presencia de la dislocacin.
El cristal perfecto es (a) cortado y un plano adicional de tomos es insertado,
(b) el borde inferior del plano adicional es la dislocacin de borde y (c) se
requiere un vector de Burgers para cerrar la un circulo de igual cantidad de
espaciamientos atmicos alrededor de la lnea de dislocacin.

Dislocaciones mixtas
Las dislocaciones mixtas tienen componentes tanto de borde
como de tornillo, con una regin de transicin entre ambas. El
vector de Burgers, sin embargo, se conserva igual para todas las
porciones de la dislocacin mixta.
Dislocacin mixta

Deslizamiento
Podramos trasladar el vector de
Burgers del circuito a la dislocacin
de borde, segn se muestra en la
figura. Despus de ese traslado,
encontramos que el vector de
Burgers y la dislocacin forman un
plano en la red. El vector de Burgers
y el plano resultan tiles para
explicar como se deforman los
materiales.

Deslizamiento
Cuando se aplica una fuerza cortante en la direccin del vector de
Burgers a un cristal que contenga una dislocacin, sta se puede
mover al romper los enlaces entre los tomos de un plano. El plano
cortado se desplaza ligeramente para establecer enlaces con el plano
parcial original de tomos. Este desplazamiento hace que la
dislocacin se mueva un espacio de un tomo hacia el lado, segn se
muestra en la siguiente figura.
Si este proceso contina, la dislocacin se recorre a travs del cristal
hasta que se produce un escaln en el exterior del mismo; el cristal ha
sido deformado.
Si se pudieran introducir continuamente dislocaciones en el mismo
plano del cristal y se movieran s lo largo de la misma trayectoria, el
cristal quedara cortado en dos.

Deslizamiento
(a) Los tomos de desplazan haciendo que la dislocacin se mueva un
vector de Burgers en la direccin de deslizamiento.
(b) Un movimiento continuo de la dislocacin finalmente causar un
escaln.
(c) Deformacin permanente del cristal.

Deslizamiento
El proceso mediante el cual se mueve una dislocacin causando que se
deforme un material se conoce como deslizamiento. La direccin en la cual se
mueve la dislocacin, la direccin de deslizamiento, es la direccin del vector
de Burgers para las dislocaciones de borde.
Durante el deslizamiento, la dislocacin de borde barre el plano formado por
el vector de Burgers y la dislocacin; este plano se conoce como plano de
deslizamiento.
La combinacin de direccin de deslizamiento y plano de deslizamiento se
denomina sistema de deslizamiento.
Una dislocacin de tornillo se mueve perpendicularmente al vector de
Burgers, aunque el cristal se deforma en una direccin paralela a
dicho vector.
)
Deslizamiento
Durante el deslizamiento, una dislocacin recorre estados, o entornos, de
equilibrio idnticos. El esfuerzo Peierls-Nabarro es el esfuerzo requerido para
mover la dislocacin de una localizacin de equilibrio a otra:
es el esfuerzo cortante requerido para mover la dislocacin; d es la
distancia interplanar entre planos de deslizamiento adyacentes; b es el vector
de Burgers y tanto c como k son constante del material.
La dislocacin se mueve en aquel sistema de deslizamiento que requiera el
mnimo consumo de energa.

Significado de las dislocaciones

Aunque en algunos materiales cermicos y polmeros puede
ocurrir el proceso de deslizamiento es de particular utilidad el
comportamiento mecnico de los metales.
En primer trmino, el deslizamiento explica por qu la resistencia
de los metales es mucho menor que el valor predecible a partir
del enlace metlico. Si ocurre el deslizamiento, slo es necesario
que se rompa una fraccin de todas las uniones metlicas a
travs de la interface, por lo que la fuerza requerida para
deformar el metal resulta pequea.

Significado de las dislocaciones

Segundo, el deslizamiento le da ductilidad a los metales. Si no
hay dislocaciones presentes una barra de hierro sera frgil; los
metales no podran ser conformados utilizando los diversos
procesos, que involucran la deformacin para obtener formas
tiles, como la forja.
En tercer lugar, controlamos las propiedades mecnicas o
aleacin al interferir el movimiento de las dislocaciones. Un
obstculo introducido en el cristal impedir que una dislocacin
se deslice, a menos que apliquemos mayor fuerza. SI es
necesario aplicar una fuerza superior, entonces el metal resulta
ser ms resistente.
)
Significado de las dislocaciones
En los materiales se encuentran enormes cantidades de dislocaciones. La
densidad de dislocaciones, o la longitud total de dislocaciones por unidad de
volumen, generalmente se utiliza para representar la cantidad de dislocaciones
presentes. Densidades de dislocacin de 106 cm/cm3 son tpicas en los metales
ms suaves, en tanto que se pueden conseguir densidades de hasta 1012 cm/cm3
deformando el material.
El microscopio electrnico de transmisin (MET) se utiliza para observar las
dislocaciones. En el MET, se enfoca un rayo de electrones sobre una hoja
extremadamente delgada del material; el haz de electrones interacta con las
imperfecciones en el material, causando diferencias en la fraccin de
electrones transmitidos.
En consecuencia, se observan distintos contrastes al ver el haz transmitido sobre
una pantalla fluorescente o sobre una placa fija. La siguiente figura muestra las
dislocaciones, las cuales aparecen como lneas oscuras al observarse a muy altas
amplificaciones.

Defectos puntuales
El defecto puntual ms simple es la vacante, hueco creado por
la prdida de un tomo que se encontraba en esa posicin.
Las vacantes pueden producirse durante la solidificacin como
resultado de perturbaciones locales durante el crecimiento de
los cristales, o pueden ser debidas a reordenaciones atmicas
en un cristal ya formado como consecuencia de la movilidad
de los tomos.
En metales, la concentracin de huecos en el equilibrio
raramente excede de un tomo en 10,000 tomos. Las
vacantes en los metales son defectos en equilibrio y su
energa de formacin es del orden de 1 eV.

Defectos puntuales
Las vacantes adicionales en los metales pueden ser producidas por
deformacin plstica del metal, por enfriamiento rpido de mayores a
menores temperaturas y por bombardeo de partculas energticas
tales como neutrones.
Las vacantes de no equilibrio tienen tendencia a agruparse formando
clusters, formndose divacantes o trivacantes.
Las vacantes pueden trasladarse cambiando su posicin con las de sus
vecinas. Este proceso es importante en la migracin o la difusin de los
tomos en el estado slido, particularmente a elevadas temperaturas
donde la movilidad de los tomos es mayor.
)
Defectos puntuales
Defectos intersticiales. Se forma un defecto intersticial cuando se
inserta un tomo adiciona en una posicin normalmente desocupada
dentro de la estructura cristalina.
Los tomos intersticiales, aunque muchos ms pequeos que los
tomos localizados en los puntos de red, an as son mayores que los
sitios intersticiales que ocupan; en consecuencia, la red circundante
aparece comprimida y distorsionada.
Los tomos intersticiales como el hidrogeno a menudo estn presentes
en forma de impurezas; los tomos de carbono se agregan al hierro
pera producir acero. Una vez dentro del material, el nmero de
tomos intersticiales en la estructura de mantiene casi constante,
incluso al cambiar la temperatura.

Defectos puntuales
Defectos sustitucionales. Se crea un defecto sustitucional cuando se
reemplaza un tomo por otro de un tipo distinto. El tomo
sustitucional permanece en la posicin original.
Cuando estos tomos son mayores que los normales de la red, los
tomos circundantes se comprimen; si son ms pequeos, los tomos
circundantes quedan en tensin.
En cualquier caso, el defecto sustitucional distorsiona la red
circundante. Igualmente, se puede encontrar el defecto sustitucional
como impureza o como un elemento aleante agregado
deliberadamente y, una vez introducido, el nmero de defectos es
relativamente independiente de la temperatura.

Defectos puntuales
Otros defectos puntuales. Se crea un intersticio cuando un tomo a los de los
puntos normales de la red se coloca en un lugar intersticial. Estos defectos
aparecen con mayor frecuencia en redes con un factor de empaquetamiento
bajo.
El defecto Frenkel es un par de defectos, intersicio-vacante formado cuando
un ion salta de un punto normal de la red a un sitio intersticial dejando detrs
una vacante.
Un defecto Schottky es un par de
vacantes en material de enlace inico;
deben faltar un anin o un catin de la
red si se ha de preservar la neutralidad
elctrica de del cristal. Este defecto es
comn en materiales cermicos de
enlace inico.
)
Defectos puntuales: (a) vacante, (b) pequeo tomo intersticial, (c) tomo
sustitucional, (d) tomo sustitucional grande, (e) defecto Frenkel, (f) defecto
Schottky. Todos estos defecto alteran el arreglo perfecto de los tomos
circundantes.

Importancia de los defectos

puntuales
Los defectos puntuales alteran el arreglo perfecto de los tomos
circundantes, distorsionando la red a lo largo de quizs cientos
de espaciamientos atmicos, a partir del defecto.
Una dislocacin que se mueva a travs de las cercanas de un
defecto puntual encuentra una red en la cual los tomos no
estn en sus posiciones de equilibrio. Esta alteracin requiere
que se aplique un esfuerzo ms alto para obligar a que la
dislocacin venza al defecto, incrementndose as la resistencia
del material.

Defectos de superficie
Los defectos de superficie son las fronteras o planos que separan
un material en regiones de la misma estructura cristalina pero
con orientaciones cristalogrficas diferentes.
Superficie del material. En las superficies externas del material
la red termina de manera abrupta. Cada tomo de la superficie
ya no tiene el mismo numero de coordinacin y se altera el
enlace atmico. As mismo, la superficie puede ser muy spera,
contener pequeas muescas y quiz ser mucho ms reactiva que
el interior del material.
)
Defectos de superficie
Fronteras de grano. La microestructura de la mayor parte de los materiales est
formada por muchos granos. Un grano es una porcin del material dentro del cual el
arreglo atmico es idntico. Sin embargo, la orientacin del arreglo atmico, o de la
estructura cristalina, es distinta para cada grano.
La siguiente figura se muestran de manera esquemtica tres granos; la red de cada
uno de ellos es idntica pero estn orientados de manera distinta. La frontera de
grano, que es la superficie que separa los granos, es una zona estrecha en la cual os
tomos no estn correctamente espaciados. Esto quiere decir que, en algunos sitios,
los tomos estn tan cerca unos de otros en la frontera de grano que crean una regin
de compresin y en otras reas estn tan alejados que crean una regin de tensin.
Los tomos cerca de las
fronteras de los tres granos no
tienen un espaciamiento o
arreglo de equilibrio.
)
Defectos de superficie
Un mtodo para controlas las propiedades de un material es controlando el
tamao de los granos. Reduciendo el tamao de stos se incrementa su
nmero y, por tanto, aumenta de cantidad de fronteras de grano.
Cualquier dislocacin se mover solamente una distancia corta antes de
encontrar una frontera de grano, incrementado as la resistencia del metal.
La ecuacin de Hall-Pich relaciona el tamao de grano con el esfuerzo de
cedencia del material.
o

es el esfuerzo de cedencia, es decir el esfuerzo bajo el cual el material se

deforma de manera permanente; d es el dimetro promedio de los granos y o
0
y
K son constantes del metal.

Defectos de superficie
La siguiente figura muestra esta relacin para el acero.

Actividad unidad II
1. Determine el nmero de puntos de red por celda en los sistemas cristalinos cbicos.
2. Calcule el factor de empaquetamiento para la celda CCC.
3. Determine la densidad del hierro CC, que tiene un parmetro de red de 0.2866 nm.
4. El hierro a 20 C es BCC con tomos de radio atmico de 0.124 nm. Calcular la constante de
red o parmetro de red a para el lado del cubo de la celda unitaria del hierro.
5. Determine los ndices de Miller de las direcciones A, B y C de la siguiente figura.
6. Calcule el cambio terico de volumen que acompaa a una transformacin polimrfica desde
la estructura cristalina FCC a la BCC en un metal puro. Considere el modelo atmico de
esferas rgidas y que no cambia el volumen atmico antes ni despus de la transformacin.
)
7. Identifique dibuje la estructura
cristalina que se indica.
8. Determne el nmero de tomos
de una celda unitaria para las
siguientes estructuras.
9. Grafque las siguientes
direcciones, puntos y planos.
10. Identifique los planos de
empaquetamiento para la siguiente
estructura.