Universidad Don Bosco

Facultad de Estudios Tecnolgicos

Coordinacin de Electrnica
Tcnico Ingeniera en Electrnica

Asignatura: Electrnica Avanzada.

Catedrtico: ngel Moreno.

Integrantes: Erick Ernesto Navarrete Reyes. Jos Francisco Ramos Rosales.

Carnet NR130180 RR130975

ndice
Pag.

Introduccin3

Objetivos..3

Contenido4

Caractersticas principales5

Simbologa6

Tipos de transistores Darlington........6-17

Aplicaciones17

Ventajas...18

Desventajas.18

Conclusiones...19

Introduccin

El presente trabajo ha sido elaborado por estudiantes de la Universidad Don Bosco de la carrera Tcnico en Ingeniera Electrnica invitamos al lector a conocer de una manera concisa el manejo de los transistores, su funcionamiento, sus aplicaciones y su manera de amplificacin; Estudiaremos la configuracin Darlington, como una poderosa herramienta, en el uso electrnico. De una manera secuencial veremos con ayuda de ilustraciones la construccin interna de un arreglo Darlington. As se podr entender de una manera concisa el funcionamiento del elemento en s. Por ltimo queda nuestra expectativa hacia el lector de que mediante la lectura, reciba con agrado lo que hemos plasmado en este informe de laboratorio de Electrnica Avanzada; Y que la comprensin sea oportuna en cada lnea que cuidadosamente hemos redactado.

Objetivos
Conocer las caractersticas principales, funcionamiento, simbologa y aplicaciones que poseen los Transistores Darlington. Reconocer los diferentes tipos de Transistores Darlington que pueden existir en el mercado. Identificar las diferentes tipos de configuraciones de transistores Darlington. Aprender sobre las utilidades y ventajas que nos brindan estos tipos de Transistores. Ampliar los conocimientos sobre los Transistores Darlington de manera que puedan ser utilizados en circuitos prcticos. Identificar a los transistores Darlington de acuerdo a sus capacidades.

Contenido
En electrnica, el transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares en cascada (a veces llamado par Darlington) en un nico dispositivo. La configuracin (originalmente realizada con dos transistores separados) fue inventada por el ingeniero de los Laboratorios Bell. Sdney Darlington

Sdney Darlington (18 julio 1906 hasta 31 octubre 1997) fue un ingeniero elctrico e inventor de un transistor de configuracin en el ao 1953, el par Darlington. Avanz el estado de la teora de redes, el desarrollo del enfoque de sntesis de insercin de la prdida, e invent el radar chirrido, visores de bombardeo, y el arma de fuego y cohetes orientacin. Darlington uni a Bell Labs en 1929, donde su primer supervisor fue Hendrik Wade Bode, y permaneci all hasta su jubilacin en 1971. En 1945, fue galardonado con la Medalla Presidencial de la Libertad, el honor civil ms alto de los Estados Unidos, por su contribucin durante la Segunda Guerra Mundial. Fue elegido miembro de la Academia Nacional de Ingeniera, que cit sus contribuciones a la teora de la red elctrica, radar y sistemas de gua. En 1975, recibi IEEE 's Medalla Edison "Para las contribuciones fundamentales a la teora de redes y de las invenciones importantes en los sistemas de radar y circuitos electrnicos" y la Medalla de Honor del IEEE en 1981 "Para las contribuciones fundamentales al filtrado y procesamiento de seales de radar que lleva a chirrido. Muri en su casa de Exeter, New Hampshire, EE.UU., a la edad de 91 aos.

Hablar de Sdney Darlington es hablar de los inicios de lo que conocemos hoy como los Transistores Darlington ya que la idea de poner dos o tres transistores sobre un chip fue patentada por l, pero no la idea de poner un nmero arbitrario de transistores que originara la idea moderna de circuito integrado.

Caractersticas principales.
CONEXIN DARLINGTON Una conexin muy popular de dos transistores de unin bipolar para que operen como un transistor con superbeta es la conexin Darlington, mostrada en la figura de la izquierda; Conjunto de transistor Darlington.

La principal caracterstica de la conexin Darlington es que el transistor compuesto acta como una sola unidad, con una ganancia de corriente, que es el producto de las ganancias de corriente de los transistores individuales. Si la conexin de hace cuando se utilizan dos transistores separados que tengan ganancias de corriente 1 y 2, la conexin Darlington proporcionar una ganancia de corriente mucho mayor. Una conexin Darlington de transistores proporciona un transistor que tiene una ganancia de corriente muy grande, casi siempre da unos cuantos de miles.

Simbologa.

Tipos de Transistor Darlington.

Diagrama de la configuracin Darlington.

Esta configuracin sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la misma configuracin. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo tpico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. Tambin tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un nico transistor, de ah que pueda con vertirse fcilmente en inestable. La tensin base-emisor tambin es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V.La beta de un transistor o par Darlington se halla multiplicando las de los transistores individuales. La intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la beta total. Un inconveniente es la duplicacin aproximada de la base-emisor de tensin. Ya que hay dos uniones entre la base y emisor de los transistores Darlington, el voltaje base-emisor equivalente es la suma de ambas tensiones base-emisor:

Otro inconveniente del par Darlington es el aumento de su tensin de saturacin. El transistor de salida no puede saturarse (es decir, su unin base-colector debe permanecer polarizada en inversa), ya que su tensin colector-emisor es ahora igual a la suma de su propia tensin base-emisor y la tensin colector-emisor del primer transistor, ambas positivas en condiciones de funcionamiento normal.

As

Por lo tanto, la tensin de saturacin de un transistor Darlington es un VBE (alrededor de 0,65 V en silicio) ms alto que la tensin de saturacin de un solo transistor, que es normalmente 0,1 - 0,2 V en el silicio. Para corrientes de colector iguales, este inconveniente se traduce en un aumento de la potencia disipada por el transistor Darlington comparado con un nico transistor. Otro problema es la reduccin de la velocidad de conmutacin, ya que el primer transistor no puede inhibir activamente la corriente de base de la segunda, haciendo al dispositivo lento para apagarse. Para evita resto, el segundo transistor suele tener una resistencia de cientos de ohmios conectada entre su base y emisor. Esta resistencia permite una va de descarga de baja impedancia para la carga acumulada en la unin base-emisor, permitiendo un rpido apagado.

Conexin Darlington
Una conexin muy popular de dos transistores de unin bipolar para que operen como un transistor con superbeta es la conexin Darlington, mostrada en la figura de la izquierda; Conjunto de transistor Darlington.

La principal caracterstica de la conexin Darlington es que el transistor compuesto acta como una sola unidad, con una ganancia de corriente, que es el producto de las ganancias de corriente de los transistores individuales. Si la conexin de hace cuando se utilizan dos transistores separados que tengan ganancias de corriente 1 y 2, la conexin Darlington proporcionar una ganancia de corriente de:

Esto significa que la ganancia de corriente en general est dado por la ganancia del primer transistor multiplicado por la ganancia del segundo transistor como las ganancias de corriente de los dos transistores se multiplican. Si se utilizan dos transistores bipolares idnticos para hacer un solo dispositivo de Darlington entonces la ganancia de corriente global ser dado como 2. En otras palabras, un par de transistores bipolares se combinan juntos para hacer un circuito de transistor Darlington que es casi idntica a un solo

transistor, excepto que la ganancia de corriente es 2 en lugar de acta como un gran transistor, y los transistores Darlington con ganancias de corriente de ms de mil con corrientes mximas de colector de varios amperios estn disponibles.

Configuracin Emisor-Seguidor.
Configuracin Darlington NPN En la configuracin Darlington, este seguidor emisor tiene un par de transistores. En este circuito la corriente de emisor de uno de los transistores, se convierte en la corriente de base del segundo. La configuracin Darlington acta como un transistor con una beta que es el producto de las betas de los dos transistores. Se utilizan donde son necesarias elevadas corrientes de salida. La impedancia de entrada de la configuracin Darlington es bastante alta. La conmutacin del segundo transistor puede ser lenta, por lo que comnmente se conecta una resistencia entre los emisores para aumentar la velocidad de conmutacin. Los pares Darlington estn disponibles como paquetes individuales, con la resistencia incluida por lo general.

Cuando se toma la salida a partir de la terminal del emisor como se muestra en la figura.

Se reconoce a la red como emisor-seguidor. El voltaje de salida siempre es ligeramente menor que la seal de entrada, debido a la cada de la base al emisor, pero la aproximacin por lo general es buena. A diferencia del voltaje del colector, el voltaje est en fase con la seal. Esto es, tanto como mantendrn sus valores pico positivo y negativo al mismo

tiempo. El hecho de que siga la magnitud de con una relacin dentro de fase acredita la terminologa emisor-seguidor. De hecho, debido a que el colector est conectado a tierra para el anlisis en ac en realidad es una configuracin de colector-comn. En la que tienen de salida. La configuracin emisor-seguidor se utiliza con frecuencia para propsitos de acoplamiento de impedancia. Presenta una alta impedancia en la entrada y una impedancia baja en la salida, la cul es diferentemente opuesta a la configuracin de polarizacin fija estndar. El efecto que se obtiene es muy similar al que se logra con un transformador, donde se acopla una carga con la impedancia de la fuente para obtener una mxima transferencia de potencia a travs del sistema. Al sustituir el circuito equivalente en la red de la figura mostrada anteriormente, se obtiene la red de la figura a continuacin de la sustitucin del circuito equivalente en la red ac equivalente de ac de la figura anterior. El efecto de se examinar ms adelante A menudo es necesario para conducir una corriente de carga de un par de amplificadores y nuestra seal de comando no puede proporcionar ms de una decena de miliamperios a la base. La relacin entre I colector e I base es hFE entonces necesitaramos una hFE.

Como hFE tiende a ser menor en la saturacin, un valor de 200 es difcil de lograr con los transistores normales. Que se puede resolver utilizando dos transistores que se muestra a la derecha.

El primero recibe una corriente pequea en la base, y lo multiplica por hfe. Esta corriente amplificada se inyecta en la base del segundo transistor, que se multiplica por hfe de nuevo. De esta manera se obtiene una corriente dos veces-amplificado de la carga por lo que puede manejar una corriente significativa con un relativamente corriente muy baja en la base. Tipos de Darlington * Transistores Darlington PNP SMD * Transistores Darlington PNP THT * Transistores Darlington NPN SMD * Transistores Darlington NPN THT Ejemplo: El TIP120 es un ejemplo de par Darlington, tiene un encapsulado del tipo TO220.

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Polarizacin en DC de un circuito Darlington

Haciendo LVK a la malla Colector-Base, obtengo el valor de IB

Puesto que el valor D y VBE es bastante grande como se indic en la hoja de datos, se obtiene el valor de IE como sigue:

Los voltajes en DC seran:

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Circuito equivalente en AC.

Circuito emisor-seguidor Darlington. La seal de ac de entrada se aplica a la base del transistor Darlington mediante el capacitor C1, mientras que la salida de ac, Vo, se obtiene del emisor a travs del capacitor C2.

El transistor Darlington se sustituye por un circuito equivalente compuesto por una resistencia de entrada, ri, y por una fuente de corriente de salida, DIb

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Impedancia de entrada AC.

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Ganancia de corriente AC.

Impedancia de salida AC.

Se puede determinar la impedancia de salida para el circuito de ac que se muestra en la siguiente figura:

La impedancia de salida vista por la carga RL se determina al aplicar un voltaje Vo y al medir la corriente Io (con la entrada Vs en cero).

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Al poner Vs en 0V se tiene el siguiente circuito:

Ganancia de voltaje AC.

La ganancia de voltaje ac del circuito, se puede determinar mediante el siguiente circuito equivalente de ac.

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Caractersticas principales.
1. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales, es decir la multiplicacin de los transistores individualmente es su ganancia total como Darlington. 2. Esta configuracin sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente

3. Es un dispositivo tpico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. 4. Tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un nico transistor, de ah que pueda convertirse fcilmente en inestable. 5. La tensin base-emisor tambin es mayor, siendo la suma de ambas tensiones baseemisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V.

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6. La beta de un transistor o par Darlington se halla multiplicando las de los transistores individuales. 7. El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de corriente. Est compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada.

8. La cada de tensin entre la base y el emisor del transistor Darlington es 1.4 voltios que resulta de la suma de las cadas de tensin de base a emisor del primer transistor B1 a E1 (0.7 voltios) y base a emisor del segundo transistor B2 y E2 (0.7 voltios).Es necesario controlar cargas grandes con corrientes muy pequeas.

Aplicaciones
En la mayora de las aplicaciones de la electrnica es suficiente para el circuito de control para cambiar la tensin de salida de corriente continua o corriente "ON" o "OFF" directamente como algunos dispositivos de salida, tales como LED o pantallas slo requieren unos pocos miliamperios que operan a bajos voltajes de corriente continua y por lo tanto puede ser accionado directamente por la salida de una puerta lgica estndar. Sin embargo, generalmente se requiere ms energa para operar el dispositivo de salida tal como un motor de corriente continua que puede ser suministrada por una puerta lgica ordinaria. Si el dispositivo de lgica digital no puede suministrar corriente suficiente, entonces se requiere circuitera adicional para accionar el dispositivo y el transistor Darlington es muy adecuado para este tipo de aplicacin. Entre algunos ejemplos de aplicaciones tenemos: 1. Control de motor o rel: Cuando el circuito necesita ms corriente que la que puede suministrar un simple transistor, como cuando se quiere controlar un motor o un rel, necesitas emplear un dispositivo que sea capaz de suministrar esta corriente. 2. Un ejemplo sencillo de aplicacin es el siguiente: Cuando el pulsador permanece sin accionar la tensin en la base del Darlington es cero y por lo tanto est en corte, no circulan corrientes y el motor permanece parado. Si se acciona el pulsador, la tensin en la base aumenta y se pasa a saturacin, en este momento, el Darlington permite el paso de corriente y el motor se pone en marcha.

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Ventajas
La ventaja de usar una disposicin como esta, es que el transistor de conmutacin es mucho ms sensible que slo se requiere una pequea corriente de base para cambiar a carga mucho mayor que la ganancia tpica de una configuracin Darlington es de alrededor de 1,000 mientras que normalmente una sola etapa de transistor produce una ganancia de alrededor de 100. Luego, con una ganancia de 1.000:1 una corriente de 1 mA de entrada producir una corriente de 1 ampere en el circuito colector-emisor lo que es ideal para la interfaz con rels, lmparas y motores al microcontrolador de baja potencia, la computadora o los controladores lgicos de salida. Otras ventajas tenemos: * Todos estos transistores se pueden cargar hasta un 20% de la nominal Ic sin usar disipador de calor. * As, por ejemplo, el TIP142 puede administrar 2 amperios sin disipador de calor, y 7,5 amperios con un 5 C / W disipador de calor. * Todos estos transistores se pueden cargar hasta un 75% de la nominal Ic utilizando un 5 C / W disipador de calor.

Desventajas
Sin embargo, la desventaja de un par de transistores Darlington es la tensin mnima entre la base y el emisor cuando est completamente saturado. A diferencia de un solo transistor que tiene una cada de tensin saturada de entre 0,3 V y 0,7 V cuando est completamenteON, un dispositivo de Darlington ha dos veces la cada de tensin de base-emisor (1,2 V en lugar de 0,6 V) como la cada de tensin de base-emisor es el suma del diodo base-emisor de gotas de los dos transistores individuales que pueden ser 0,6 V a 1,5 V en funcin de la corriente a travs del transistor. Esto significa que la cada de tensin mayor que el transistor se calentar ms y por lo tanto requiere una buena disipacin de calor. Adems, los transistores Darlington tienen tiempos de respuesta ms lentos, ya que toma ms tiempo para que el transistor esclavo TR1 para convertir el maestro transistor TR1 "ON" o "OFF". Otras desventajas tenemos: * Se pueden daar debido a la electricidad esttica. * Presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada. * Presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.

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Conclusiones.
Al terminar este reporte hemos comprendido que son los Transistores Darlington, sus configuraciones, los tipos de Transistores Darlington que existen, sus ventajas y desventajas que como Transistores pueden tener, as como sus caractersticas principales como que su ganancia es el producto de los transistores individuales, es decir la multiplicacin de los transistores individualmente es su ganancia total como Darlington. Tambin podemos mencionar que una conexin Darlington de transistores proporciona un transistor que tiene una ganancia de corriente muy elevada, reconocida como la red emisorseguidor. El voltaje de salida siempre es ligeramente menor que la seal de entrada, debido a la cada de la base al emisor, pero la aproximacin por lo general es buena. A diferencia del voltaje del colector, el voltaje est en fase con la seal. Esto es, tanto como mantendrn sus valores pico positivo y negativo al mismo tiempo. El transistor bipolar como amplificador y el circuito amplificador en emisor comn. Podemos fijar el punto de trabajo del transistor, dejando accesible el terminal de base para poder introducir la seal de entrada, y el del colector para poder extraer la de salida, y trabajar as, en pequea seal, en la configuracin de emisor comn.

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