No olviden los materiales: Q1 - Transistor PNP BC558 R1 - Potencimetro de 200 ohms ,1/2W R2 - 100 ohms ,1/2W R3 - Potencimetro de 1K ohm

, 2W R4 - 270 ohms, 2W C1 - 0.1 uF Esta vez no podre comprarlos, los traen ustedes ps, en pizarro los venden,entre dean Valdivia y san camilo d) Sealar y explicar los diferentes tipos de transistores que se usan para baja frecuencia, alta frecuencia, baja potencia y alta potencia, sus principales aplicaciones, etc. FRECUENCIA EL TRANSISTOR A BAJA FRECUENCIA

Para explicar el transistor a baja frecuencia tendremos que explicar lo que es Cuadripolo. Este es un circuito que se comunica con el mundo exterior solo a travs de los puertos de entrada (IN) y salida (OUT). Las ecuaciones del cuadripolo viene dada en: V1 = H11I1 + H12V2 I2 = H21I1 + H22V2

Donde V1 y I2, son variables dependientes, mientras que I2 Y V2 son variables independientes. Los valores de h11, h12, h21 y h22 se llaman parmetros hbridos (h), porque no tiene dimensiones homognicas. Modelo hibrido del transistor:

Para llegar al modelo lineal en corriente alterna pura de un transistor o de su circuito equivalente, vamos a suponer bsicamente que las variaciones alrededor del punto de trabajo son pequeas. Polarizacin de los JET y MOSFET: Considerando un amplificador en la configuracin fuente comn (FC). Los mtodos de polarizacin son similares para los MOSFET. Operacin en AC del FET: El circuito equivalente en AC del FET. Ahora puede emplearse en el anlisis de diversas configuraciones de amplificadores FET con respecto a la ganancia de voltaje y las resistencias de entradas y salidas. El voltaje de salida en AC es: Como Vi = la ganancia de voltaje del circuito es: La impedancia en AC vista hacia el amplificador es: Y la impedancia en AC vista desde la carga hacia la Terminal de salida del amplificador es: Caractersticas de transferencia: Es una curva de corriente de drenaje, como funcin del voltaje de compuerta fuerte, para un valor constante del voltaje Drenaje Fuerte. La caracterstica de transferencia puede observarse directamente sobre un trazo de curvas, obtenida de la medicin de la operacin del dispositivo, dibujada en la caracterstica de drenaje. TRANSISTOR EN ALTA FRECUENCIA.

Los transistores bipolares y los de efectos de campo, constituyentes fundamentales de los amplificadores electrnicos, contienen capacidades parsitas no lineales que limitan su velocidad de respuesta cuando las seales cambian rpidamente; esto es, cuando trabajan a alta frecuencia. Modelos en pequea seal y alta frecuencia tratan de versiones linealizadas de los modelos no lineales de gran seal del transistor. Como en aquellos, son funciones dependientes del punto de trabajo (Q) y slo son vlidos cuando las seales tienen amplitudes pequeas. Estos modelos

permiten comprender el funcionamiento en alta frecuencia de los circuitos electrnicos lineales y hacer estimaciones manuales en el anlisis y el diseo. Uno de los modelos lineales ms usados en alta frecuencia es el denominado modelo en . POTENCIA TRANSISTORES DE POTENCIA El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar. Existen bsicamente tres tipos de transistores de potencia: bipolar. unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo). IGBT. El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares: Trabaja con tensin. Tiempos de conmutacin bajos (alta frecuencia de funcionamiento) Margen de potencia en conduccin mucho mayor (como los bipolares). El transistor bipolar de potencia (BJT) A continuacin veremos las caractersticas ms importantes del BJT. Es de destacar que el inters actual del BJT es muy limitado, ya que existen dispositivos de potencia con caractersticas muy superiores. Sin embargo, le dedicamos un tema dentro de esta asignatura porque es necesario comprender sus limitaciones para poder comprender el funcionamiento y limitaciones de otros dispositivos de gran importancia en la actualidad dentro del campo de la Electrnica de Potencia. El transistor MOSFET El nombre de MOSFET, viene dado por las iniciales de los elementos que los componen; una fina pelcula metlica (Metal -M); oxido de silicio (xido - O); regin semiconductora (SemiconductorS). Las aplicaciones ms tpicas de los transistores de potencia MosFet se encuentran en la conmutacin a altas frecuencias, chopeado, sistemas inversores para controlar motores, generadores de altas frecuencias para induccin de calor, generadores de ultrasonido, amplificadores de audio y transmisores de radiofrecuencia. La principal diferencia entre los Transistores Bipolares (BJT) y los Mosfet consiste en que estos ltimos son controlados por tensin aplicada en la puerta (G) y requieren solo una pequea corriente de entrada, mientras que los transistores Bipolares (BJT), son controlados por corriente aplicada a la base. El transistor IGBT El IGBT (Insulate Gate Bipolar Transistor) combina las ventajas de los BJT y los Mosfet. Tiene una impedancia de entrada elevada, como los Mosfet y bajas perdidas en conmutacin, como los BJT,

pero sin el problema de segunda ruptura, por lo que puede trabajar a elevada frecuencia y con grandes intensidades. Los IBGT fueron inventados hace poco tiempo, pero su evolucin ha sido rpida debido a que han demostrado tener una resistencia en conduccin muy baja y una elevada velocidad de conmutacin (la transicin desde el estado de conduccin al de bloqueo se puede considerar de unos dos microsegundos, y la frecuencia puede estar en el rango de los 50KHz), adems de una elevada tensin de ruptura. Los IGBT se fabrican desde una tensin de 1400V y una corriente de 300A, a una tensin de 600V y una corriente de 50A. El control por tensin hace que el IGBT sea ms rpido que el BJT, pero ms lento que el Mosfet. La energa aplicada a la puerta que activa el dispositivo es pequea con una corriente del orden de los nanoamperios, esta pequea potencia necesaria para conmutar el dispositivo, hace que pueda ser controlado por circuitos integrados. APLICACIONES Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia, principalmente inversores, aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado. Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos,reproductores mp3, celulares, etc. Listando sus aplicaciones tenemos: Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin) Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia) Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM) Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores) Se usan generalmente en electrnica analgica y en la electrnica digital como la tecnologa TTL o BICMOS. Son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.

CONCLUSIONES PARA EL INFORME FINAL En este laboratorio pudimos ubicar donde se encontraba la base, el emisor y el colector del transistor usando el voltmetro.

Nos dimos cuenta que la comparacin de lo experimental con lo terico no tiene mucho porcentaje de error. Pudimos calcular el punto Q usando algunos conceptos de thevenin y usando algunos clculos en lo terico y en lo experimental todo se calculo con el voltmetro. Debido a que el punto de operacin estaba muy cercano a la zona de corte entonces tuvimos que cambiar la resistencia de 3.3 K a 13.3 K ya que aumentando la resistencia el punto de operacin logr subir un poco. Si la intensidad de la base aumenta entonces el punto comn sube. La pequea diferencia de los valores de las ganancias obtenidas tanto terica como experimental se debe: A que en el momento de la toma de datos no consideramos la carga del osciloscopio. Otro factor puede ser que los valores de las resistencias no son muy precisos. Si obtenemos signo negativo en la ganancia esto significara que la onda obtenida en el osciloscopio esta invertida.