I

T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 1 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
i s t o m a r
Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales

1.3.1 Caractersticas de los
semiconductores.
Isaas Torres Martnez
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 2 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
1.3.1.1, 1.3.1.2 Semiconductores:
Silicio y Germanio
Semiconductores: Materiales que poseen un nivel de
conductividad sobre algn punto entre los extremos de un
aislante y un conductor.
COBRE: = 10
-6
O-cm MICA: = 10
12
O -cm
SILICIO = 50 x 10
3
O-cm GERMANIO: = 50 O -cm
Alto nivel de pureza
Existen grandes cantidades en la naturaleza.
Cambio de caractersticas de conductores a aislante por medio de procesos
de dopado o aplicacin de luz calor.
Materiales semiconductores (Germanio y Silicio):
Estructura atmica: Red cristalina
Enlaces entre tomos: Covalentes
Electrones de valencia: 4

I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 3 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
Banda de conduccin
Banda prohibida
Eg > 5 V
Banda de valencia
Banda de conduccin
Banda prohibida
Eg = 1.1, 0.67, 1.41 V
Banda de valencia
Banda de conduccin
Banda de valencia
Aislante Semiconductor Conductor
Niveles de energa
Mientras ms distante se encuentre el
electrn del ncleo mayor es el estado de
energa, y cualquier electrn que haya
dejado su tomo, tiene un estado de
energa mayor que cualquier electrn en la
estructura atmica.
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 4 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
Material Intrinseco
Materiales extrinsecos
TIPO N TIPO P
Si
Si Si
Si Si Si
Si Si Si
Si Si Si
Si 5 Si
Si Si Si
Si Si Si
Si 3 Si
Si Si Si
Antimonio
Arsnico
Fsoforo
Boro
Galio
Indio
1.3.1.3 Material intrnseco y extrnseco:
Materiales tipo N y tipo P
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 5 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
Portadores
mayoritarios
Portadores
minoritarios
Iones
donadores
Portadores
mayoritarios
Portadores
minoritarios
Iones
aceptores
Tipo N Tipo P
Regin de
agotamiento
Tipo p
Tipo n
Unin P-N
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 6 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
p
n
p
n
p
n
Sin polarizacin
Polarizacin
inversa
Polarizacin
directa
Polarizacin
I
T

M
i
n
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i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 7 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
VD
ID
Is
VT
Curva caracterstica
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 8 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
i s t o m a r
Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales

1.3.2 Dispositivos semiconductores.
Isaas Torres Martnez
I
T

M
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s
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m
a
r

1.2, 1.3 - 9 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
+ -
nodo Ctodo
2.2.1 Diodo
Elemento de dos terminales formado por una
unin P-N
I
T

M
i
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a
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l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 10 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
I
D
=I
S
(e
kV
D
/Tk
-1)
I
S
Corriente de saturacin inversa
k 11600/q (q=1 para Ge, y q=2 para Si)
T
k
= T
C
+ 273
Corriente en el diodo
Regin Zener:
Bajo polarizacin negativa existe un punto en el cual
bajo un voltaje negativo lo suficientemente alto, da como
resultado un agudo cambio en las caractersticas del
diodo.
A este voltaje se le conoce como voltaje pico inverso
(PRV PIV )

I
T

M
i
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t
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t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 11 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
Modelo Ideal:




Modelo Simplificado:





Modelo de segmentos lineales:




VD
ID
VD
ID
VT
VD
ID
VT
r
av

V
T

V
T
r
av

Modelado de diodos
I
T

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s
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m
a
r

1.2, 1.3 - 12 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
Sostiene un nivel de voltaje
Opera en la regin de polarizacin negativa
La direccin de la conduccin es opuesta a la de la flecha
sobre el smbolo.
El voltaje Zener es muchas veces menor que el VIP de un
diodo semiconductor, este control se logra con la variacin de
los niveles de dopado.
Los voltajes zener van desde 1.8 V hasta 200V, con rangos
de potencia de W hasta 50W.
Diodo Zener
I
T

M
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l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 13 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
Con fuentes de CD.
-Determine el estado del diodo
-Sustituya el equivalente adecuado
-Determine los parmetros
restantes de la red.
E
R3
E
R3
Determine V
D,
,

V
R
, I
D
.
Ambos casos
E=8V, 0.5
R
3
=2.2kO, 1.2kO
Anlisis de circuitos con diodos
I
T

M
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a
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i
s
t
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m
a
r

1.2, 1.3 - 14 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
12V
Ge Si
5.6k
V
R
, I
R

12V
Si
5.6k
Si
V
D1
, V
D2
, I
D
,

V
R
.
10V
5V
2.2K
Si
4.7K
+

V
0


-
V
D
, I
D
,

V
0
.
Anlisis de circuitos con diodos
3.9k
3.9k
RA
RB
I
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n
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i
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r

1.2, 1.3 - 15 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
1
2
10V
1
2
Si
330
Si
+
V
0


-
I
D1
, I
D2
, I
RC
, V
0
.
1 2
1 2
12V Si 2.2K
Ge
V
RD

Si
Si
3.3K
5.6K
20V
I
RA
, I
RE

Anlisis de circuitos con diodos
RC
RD
RA
RE
I
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r

1.2, 1.3 - 16 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
Prctica P16
4 diodos 1N4004 o equivalente
2 diodos OA81 o equivalente
Realizar clculos de los 4 ltimos circuitos
Implementar y medir variables
El reporte debe seguir el formato de los
anteriores.
I
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r

1.2, 1.3 - 17 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
Rectificadores
Su principal uso es en sistemas electrnicos encargados de realizar
una conversin de potencia de ac, en potencia de dc.

Aplicaciones con diodos:
Rectificador de media onda
I
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1.2, 1.3 - 18 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
Rectificador de onda completa
I
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s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 19 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
Recortan una porcin de la seal de entrada sin distorsionar la parte
restante de la forma de onda alterna.
Recortadores
I
T

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l

n

i
s
t
o
m
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r

1.2, 1.3 - 20 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
Sujetador (cambiador de nivel)
I
T

M
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l

n

i
s
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1.2, 1.3 - 21 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
Regulador de voltaje con diodo zener
I
T

M
i
n
a
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i
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l

n

i
s
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m
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r

1.2, 1.3 - 22 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
In1
In2
0
Vo.
D1
D2
1k
In1
In2
0
Vo.
D1
D2
1k
5V
In1 In2 V
0

0 0
0 1
1 0
1 1
In1 In2 V
0

0 0
0 1
1 0
1 1
Prctica P17: Compuertas Lgicas con
Diodos
Vin (volt)
5.0



2.0

0.8
VIL

VIH 1
0
Vout (volt)
5.0


2.7


0.5
VOL

VOH
1
0
(Laboratorio)
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
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m
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r

1.2, 1.3 - 23 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
1.3.2.2 Transistores
I
T

M
i
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t
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l

n

i
s
t
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r

1.2, 1.3 - 24 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
I
T

M
i
n
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i
t
l

n

i
s
t
o
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a
r

1.2, 1.3 - 25 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
Transistores
I
T

M
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n
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t
l

n

i
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r

1.2, 1.3 - 26 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
I
-
-
-
e
-
-
Colector
Emisor
Base
Colector
Emisor
Base

Colector Emisor Base
P N P

Colector Emisor Base
N P N
Base poco dopada
Emisor ms dopado que colector
El transistor bipolar de unin (BJT)
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 27 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
p
r
E
p n
V
V
0

r
E
Unin no polarizada
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 28 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
similar a dos diodos con polarizacin directa

p
r
E
p
n
V
V
0
r
E
I
E
I
B
I
C
I
B
+ I
C
= I
E
El transistor polarizado (saturacin)
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 29 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
p
r
E
p
n
V
V
0

r
E
I
E
= I
C
= I
B
= 0
similar a dos diodos con polarizacin inversa

El transistor polarizado (corte)
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 30 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
p
r
E
p
n
r
E
(P) Emisor (P) Colector (N) Base
I
E
I B
I nB
I
BB
I nC
I
pB
I
C
B C
I I | =
Transistor polarizado en forma
activa
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 31 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
(P) Emisor (P) Colector (N) Base
I
E
I B
I nB
I
BB
I nC
I
pB
I
C
BC inversa puede conducir si BE directa
Los huecos que se difunden de E a B llegan a C
| factor de ganancia
B C
I I | =
Transistor polarizado en forma activa
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 32 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
(P) Emisor (P) Colector (N) Base
I
E

I
B

I
nB

I
BB

I
nC

I
pB

I
B
= -I
nC
+ I
BB
+I
nB
I
C
= I
pB
- I
BB
+ I
nC
I
E
= I
pB
+ I
nB

I
C

I
pB
, huecos que por difusin
pasan del emisor a la base.
I
nB
, electrones que pasan de
la base al emisor.
I
BB
, electrones procedentes del
circuito para cubrir las
recombinaciones.
I
nC
, dbil corriente de electrones del
colector a la base.
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 33 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
Hay 4 variables que dependen el tipo de conexin:
V
salida
, V
entrada
, I
salida
, I
entrada.

Base comn
Variables:
V
BE
, V
CB
, I
E
,

I
C

E
B
C
Emisor comn
Variables:
V
BE
, V
CE
, I
B
,

I
C

B
E
C B
E
C
Colector comn
Variables:
V
CB
, V
CE
, I
B
,

I
E

1.3.3 Diseo con semiconductores:
Configuraciones del transistor
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 34 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
R
C

V
CC

I
B
= 1 mA


V
BB

R
B

n
C
B
p
n
I
C
= 99 mA


I
E
= 100 mA


E
100 %
99 %
1 %
99 ~ = |
E
c
I
I
R
C

R
B

V
BE

V
CC
V
BB

V
CE

I
C

I
B

E


C


B


Configuracin en emisor comn
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 35 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
R
C

R
B

V
BE

V
BB

V
CE

I
C

V
CC

E


C


B


I
B

V
BE

I
B

0,7 V
V
BE
= V
BB
- I
B
R
B

V
BE
~ 0,7 V
Curva caracterstica de entrada
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 36 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
V
CE
(V)
I
C

I
B
= 20 A
I
B
= 40 A
I
B
= 60 A (mA)
R
C

R
B

V
BE

V
BB

V
CE

I
C

V
CC

E


C


B


I
B

V
CE
= V
CC
- I
C
R
C

Curva caracterstica de salida
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 37 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
Variables: V
BE
, V
CE
, I
B
,

I
C
R
B

R
C

+V
CC

V
salida

V
entrada

R
C

R
B

V
BE

V
CC
V
BB

V
CE

I
C

I
B
V
BE
~ 0,7 V para silicio

I
C
= |I
B
V
BE
= V
BB
- I
B
R
B

V
CE
= V
CC
- I
C
R
C

I
C

I
B

Emisor comn: variables
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 38 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
En regin activa: unin EB con polarizacin directa, BC con
polarizacin inversa. Aplicacin en amplificacin.
En regin de corte: las dos uniones polarizadas inversamente: circuito
abierto.
En regin de saturacin: las dos uniones polarizadas directamente:
cortocircuito.
I
B
= 0 A
I
B
= 40 A
I
B
= 20 A
I
C

(

m
A
)

V
CE
(V)
Regin de saturacin
Regin activa
Regin de corte



I
B
= 80 A
I
B
= 60 A
R
C

R
B

V
BE

V
CC

V
BB
V
CE


Ruptura
Curvas caractersticas del transistor CE
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 39 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
V
BB
(V) V
CE
(V) I
c
(mA) I
B
(A)
0,7 10 0 0
0,8 9,375 0,625 6,25
0,9 8,75 1,25 12,5
1 8,125 1,875 18,75
1,2 6,875 3,125 31,25
1,4 5,625 4,375 43,75
1,6 4,375 5,625 56,25
1,8 3,125 6,875 68,75
2 1,875 8,125 81,25
2,2 0,625 9,375 93,75
2,3 0 10 100
V
BE
= -I
B
R
B
+ V
BB

R
C
=1 kO
R
B
=16 kO
V
BE

V
CC
=10 V
V
BB
= 2 V
V
CE

I
C

V
CE

V
CC
= 10 V
C
CC
R
V
I
B1

I
B2

I
B4

I
B3

| = 100
V
BE
~ 0,7 V
V
CE
= V
CC
- I
C
R
C
= 10 - 8,125 = 1,875 V
A 25 , 81
16000
7 , 0 2
=

=
B
BE BB
B
R
V V
I
I
c
= |I
B
= 8,125 mA
Q
Q
Q
Saturacin
Corte
I
C

I
B

R
e
g
i

n

a
c
t
i
v
a

Lnea de carga y punto de funcionamiento
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 40 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
V
BE
0,7 V
V
CE
(V) I
c
(mA)
0 12,00 5,550 6,450
1000 O 12 0,00
100 kO
| 150
12 V
5 V
43,000 I
B
43,00 A 30,1 P
EB
30,10 W
6,450 I
c
6,45 mA 35,7975 P
CE
35,80 mW
6,493 I
E
6,49 mA P
T
35,83 mW
5,550 V
CE
5,55 V
4,850 V
CB
4,85 V
V
CC
V
B
B
R
B
R
C
0
2
4
6
8
10
12
14
0 2 4 6 8 10 12 14
V
cc
(V)
I
c

(
m
A
)
43,00 A 6,45 mA
6,49 mA
5,55 V
E
C
B
Lnea de carga y punto de funcionamiento
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 41 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
V
CE
= -I
C
R
C
+ V
CC

I
C

V
CE

Q
O
V
CE
I
C
R
C
V
CC

C
CE CC
C
R
V V
I

=
C
CC
R
V
R
C

R
B

V
BE

V
CC

V
BB
V
CE

I
B1

I
B2

I
B4

I
B3

Lnea de carga y punto de funcionamiento
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 42 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
I
C

V
CE

I
B1

I
B2

I
B4

I
B3

R
C

R
B

V
BE

V
CC
V
BB

V
CE

I
C

I
B

V
CC

C
CC
R
V
Punto de funcionamiento: I
B

I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 43 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
I
C

V
CE

I
B1

I
B2

I
B4

I
B3

R
C

R
B

V
BE

V
CC
V
BB

V
CE

I
C

I
B

V
CC

1 C
CC
R
V
2 C
CC
R
V
3 C
CC
R
V
Punto de funcionamiento: R
C

I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 44 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
I
C

V
CE

I
B1

I
B2

I
B4

I
B3

R
C

R
B

V
BE

V
CC
V
BB

V
CE

I
C

I
B

V
CC3

C
CC
R
V
3
C
CC
R
V
2
C
CC
R
V
1
V
CC2
V
CC1

Punto de funcionamiento: V
CC

I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 45 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
B
E
B
C
I
C

V
CE
V
CC

Si V
BB
|, I
B
= |, I
E
~I
C
= V
CC
/R
C

zona de saturacin
cortocircuito CE V
CE
= 0
Si V
BB
= 0 o < 0,7 V, I
B
= 0,
I
E
~I
C
~ 0, V
CE
= V
CC

Zona de corte
circuito abierto V
CE
= V
CC

El transistor como conmutador
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 46 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
V
BB
(V) V
CE
(V) I
c
(mA) I
B
(A)
0,7 10 0 0
0,8 9,375 0,625 6,25
0,9 8,75 1,25 12,5
1 8,125 1,875 18,75
1,2 6,875 3,125 31,25
1,4 5,625 4,375 43,75
1,6 4,375 5,625 56,25
1,8 3,125 6,875 68,75
2 1,875 8,125 81,25
2,2 0,625 9,375 93,75
2,3 0 10 100
R
B

R
C

+V
CC

V
salida

V
entrada

V
entrada
V
salida

A Y
Y = not A
INVERSOR
Circuito inversor simple
I
T

M
i
n
a
t
i
t
l

n

i
s
t
o
m
a
r

1.2, 1.3 - 47 Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales
Prctica P18: Compuertas Lgicas con
Transistores
En el documento Laboratorio de Principios
Electronicos y Aplicaciones Digitales - 2011AD
- P18.pdf.
Distribuido por e-mail al representante de
equipo de Laboratorio.