UNION P-N

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http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley _de_Shockley/Applet4.html http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet3/ DiodoConmutaApplet.html

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Diodo de unin PN polarizado

La unin p-n se polarizada cuando en la regin p se le aplica un potencial mayor que en la regin n. Para ello, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo (zona p) y el polo negativo al ctodo (zona n).

De tal forma que se observa lo siguiente:

Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son empujados hacia la unin por el campo elctrico Epol a que da lugar la polarizacin. Por lo tanto, se reduce la anchura de la zona de transicin.

El campo elctrico de la polarizacin Epol se opone al de la unin Eu. As, se reduce el campo elctrico de la unin y, consecuentemente, la barrera de potencial. Recordar que, como vimos en el Tema 4, la barrera de potencial sin polarizacin es VJ=Vo. Con la polarizacin directa de la unin p-n se reduce en la forma VJ=Vo-V, siendo V la tensin directa aplicada a dicha unin.

En la polarizacin externa directa, cuando el voltaje de la batera es mayor que el voltaje de contacto en la unin los electrones libres del cristal N, son empujados para saltar a los huecos del cristal P, atravesando la regin de agotamiento el cual se angosta.

En la polarizacin externa inversa, el polo negativo de la batera atrae a los huecos y el polo positivo atrae a los electrones libres, as los huecos y los electrones libres se alejan de la unin y la zona de agotamiento se ensancha. Debido al efecto de la temperatura se forman pares electrnhueco a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente.

La ley de Shockley

Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON

o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky.

Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor.

En la unin de un semiconductor tipo P y uno tipo N (P-N) a una cierta temperatura, la diferencia de concentracin de electrones y huecos entre las zonas N y P, ocasiona que los electrones libres de la zona N pasan a ocupar los huecos de la zona P y los huecos de la zona P pasan a la zona N, de manera que en la unin la zona P se carga negativamente y la zona N se carga positivamente.

Bajo polarizacin directa el lado P (rojo) es ms positivo que el lado N (azul) o el lado N ms negativo que el lado P. En la zona neutra hay dos procesos activos: difusin y recombinacin. Estos dos procesos conjuntamente producen una concentracin para los huecos minoritarios. En polarizacin directa constante, el nmero de huecos inyectados a travs de la unin es igual al nmero de huecos perdidos por recombinacin. La concentracin de electrones es mayor en la zona N, as como es menor la concentracin de huecos en esta zona, respecto a la zona P. Los electrones que van llegando a la zona P generan un campo elctrico que se opone cada vez

ms a que otros electrones pasen, hasta que se alcanza un estado de equilibrio en el cual no pasan ms electrones.

Conmutacin del diodo

En este applet se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la tensin aplicada en sus bornas de positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de unin.

Este esquema se situa en la parte superior derecha del applet y se puede conmutar entre tensiones haciendo "click" con el ratn en la zona entre las dos fuentes de tensin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y una flecha que seala la mencionada zona sensible.

Se puede modificar todos los parmetros del circuito presionando el botn del panel superior con el texto "Parmetros circuito". Al presionarlo aparecer una ventana con tres campos editables donde se pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF), la tensin inversa (VR) y la resistencia de polarizacin (R). Tras introducir los nuevos valores es

necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios. Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que varan en el tiempo y donde se representan los parmetros ms importantes que controlan el comportamiento del diodo. La primera grfica representa la tensin seleccionada en el circuito; la segunda la corriente que circula por el diodo; la tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo (aplicando la aproximacin de diodo asimtrico) y la ltima grfica es la tensin que cae en bornas del diodo. Esta cuatro grficas se van actualizando en el tiempo y se irn desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo.