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Amplificateur de puissance classe B ("push pull").

Introduction Cet amplificateur permet de fournir au signal la puissance ncessaire pour faire fonctionner une charge telle quun haut parleur. Il peut tre ralis avec des composants discrets, mais il faut savoir quon le retrouve galement sous forme intgre dans ltage de sortie des Amplificateurs oprationnels (Cf Millmann). Bibliographie [1] Thorie du signal et composants --Manneville-EsquieuDUNOD [2] Electronique - Terminale Gnie Electronique -- Martin -- Hachette Prsentation Le schma de principe simplifi de l'amplificateur est le suivant:

Il est constitu d'un transistor NPN et d'un transistor PNP dont les caractristiques sont identiques (mme ). Nous allons voir que suivant le signe de ue, l'un des transistor fonctionne en rgime linaire pendant que l'autre est bloqu (penser un interrupteur ouvert). Quel que soit l'tat des transistors, on a : u e VBE = R L .i s et i s = i E1 i E 2 Supposons que ue proche de 0. Dans ce cas, les deux transistors sont bloqus. En effet, on a bien VCE1 qui est suprieur VCEsat pour T1 (type NPN) et VEC2 qui est suprieur VECsat pour T2 (type PNP), mais IB est nul ce qui empche le passage du courant dans les transistors. Cet tat de blocage persiste tant que - 0,7 V < ue < 0,7 V car tant qu'aucun transistor n'est passant, is = 0 et ue=VBE. Le courant iB restera proche de 0 dans les transistor tant que la tension entre base et metteur n'aura pas atteint 0,7 V (+ ou suivant le type de transistor). Supposons que ue > 0,7V. Dans ce cas ds que VBE atteint cette valeur, le transistor T1 se retrouve en rgime linaire, is augmente donc us aussi. Dans un mme temps comme VBE >0, le transistor PNP T2 est bloqu. On a alors : u s = u e 0,7

Si ue devient trop leve, alors le transistor T1 fini par saturer (Vce1 = E-us devient infrieure 0,4 V) ce qui fait que us reste bloque une valeur proche de E (gale E VCEsat). Supposons que ue < - 0,7V. Dans ce cas ds que VBE atteint cette valeur, le transistor T2 se retrouve en rgime linaire, is devient non nul donc us aussi. Dans un mme temps comme VBE <0, le transistor NPN T1 est bloqu. On a alors : u s = u e + 0,7

Quand ue devient fortement ngative, T2 finit par saturer, ce qui conduit is s'annuler. On a alors us = -E + VECsat, soit us -E Cela conduit une caractristique globale de la forme suivante :

premire amlioration Pour limiter la distorsion qui apparat pour les faibles valeurs de ue, on utilise plutt le montage suivant :

Les deux diodes sont toujours polarises en direct et passantes (Vd =0,7 V), ce qui compense le VBE des transistors, responsables de la distorsion. La caractristique dans ce cas est proche de la forme suivante :

rq : Dans le cas ou ce circuit est l'tage de sortie d'un AO, on comprend la limitation en tension en sortie de ce dernier, des valeurs comprises entre les tensions de polarisation. Ce montage est bien amplificateur de la puissance du signal. En effet, si la tension d'entre est presque gale la tension de sortie (en zone de fonctionnement linaire), le courant de sortie est quant lui beaucoup plus

important (is .ientre ). De plus, il prsente une faible rsistance de sortie (rsistance du gnrateur d'attaque sur environ). Seconde amlioration On peut utiliser un AOP pour limiter les problmes de distorsion (Cf [1]). Pour cette fiche, il serait bon de corriger la distorsion au moyen dun push pull associ un AOP

Si on considre un amplificateur oprationnel fort gain A0 dans la plage de frquence tudie, alors, si vs est la tension de sortie de lAOP, on a ve + u + = L R1 R2 v s = A 0 . v s = u L + v be on en dduit que v be = A 0 . A .R R2 .v e (1 + 0 1 ).u L R1 + R 2 R1 + R 2

Etant donn les ordres de grandeur des diffrents paramtres (A0105), si on prend R1=R2, on obtient A A A v be = 0 .v e 0 .u L = 0 .( v e + u L ) 2 2 2 En supposant, pour simplifier que les transistors commutent partir dune tension vbe limite proche de 0,7V, on constate que cette valeur sera atteinte pour de trs faibles valeurs de ve (2.0,7V/A0 soit quelques dizaines de V). On constate alors que la distorsion pour les faibles valeur de tension dentre a pratiquement t limine. En supposant lAOP comme presque parfait (=0V), le thorme de Millman appliqu lentre conduit la relation R u L = 2 .v e R1 La tension nest pas amplifie (si R1=R2), en revanche, on a amplification de puissance car le courant circulant dans la charge est beaucoup plus important que ce qui est fourni par ve. Calcul des puissances mises en jeux(cas du montage de dpart) Dans la charge : On rcupre la puissance utile Pu 1 u2 1 2 2 L Pu = .dt = .U 2 Leff or uL max est infrieur E donc U L eff <E /2 T RL RL
T

v e ( t ) = Ve . 2 . sin(.t ) , alors le courant dans la charge est apport par lalimentation relie au NPN de 0 T/2 et par lautre source de T/2 T. La puissance totale apporte est donc donne par : 1 PE = ( T Sachant que veuL et que i L ( t ) =
T/2

Puissance fournie par les sources de polarisation : On nglige les problmes de distorsion. Chaque source continue fournit de lnergie sur une demi priod. Si

E.i
0

L ( t ).dt

T/2

2 E.i L ( t ).dt ) = T

T/2

E.i
0

L ( t ).dt

u L (t) , on a RL

PE =

2 T

T/2

E.U Leff . 2 RL

. sin(.t ).dt = 2.

E.U L.eff . 2 .R L

Puissance totale dissipe dans les transistors en conduction : Si on suppose que la puissance apporte par le signal dentre est ngligeable, cette puissance est PT=PE-Pu. Si on suppose que la tension sur la charge est la valeur maximale autorise par le montage (+E), alors, on a PT = 2. E 2 E2 .R L 2.R L

ce qui nous conduit un rendement thorique maximum de /4 soit 78,5% environ. Ce sont les puissances mises en jeux qui vont permettre le dimensionnement du dispositif (choix des composants). Mesures intressantes que lon peut faire sur ce type de montage On peut dj sintresser quelques paramtres caractristiques : - Limpdance dentre. - Limpdance de sortie. - La bande passante. - La distorsion en fonction des montages et des conditions dutilisation. On peut galement sintresser a laspect puissance du montage (et notamment au rendement qui dpend de la tension dentre). On peut en effet dduire de la mesure de uLmax la puissance fournie par chacune des alimentations continue ainsi que la puissance finalement dissipe dans la charge (faire une mesure de la rsistance de charge). Si limpdance dentre est suffisamment grande, on peut dire que la puissance apporte par le signal dentre est ngligeable devant ce quapportent les alimentations. On a alors facilement le rendement de lensemble. On peut alors le comparer la valeur thorique attendue, daprs les calculs faits au paragraphe prcdent. La diffrence peut sexpliquer par la puissance dissipe dans les deux rsistances de stabilisation en temprature, et par lapparition de la distorsion due la saturation des transistors (la saturation napparat pas brutalement comme on la suppos dans le modle). On peut alors regarder en parallle lvolution de la distorsion (analyse FFT avec rapport des harmoniques 3 et 5 sur le fondamental) et du rendement lorsque lon augmente le tension dentre Pour conclure, on peut essayer denvoyer un signal de microphone sur haut parleur via un ampli de tension et un amplificateur de puissance Remarques pratiques - Il faut noter que la rsistance de sortie doit tre dimensionne pour supporter le courant correspondant la puissance transfrer. Il sagit de rsistances diffrentes de ce que lon utilise habituellement en lectroniqueDemandez lenseignant. - Pour viter les problmes doscillations, frquents sur ce type de montage, il est souhaitable de placer des capacits de dcouplage sur les sorties dalimentationDemandez lenseignant. - Pour raliser ce montage, vous pouvez travailler partir de la maquette ENSC339 (amplification de forte puissance) ou avec les maquettes Phytex ENSC330 (qui disposent dun amplificateur oprationnel intgr). - Pour pouvoir observer le rendement en fonction du rapport entre la tension signal et la tension de polarisation, on prendra une alimentation Fontaine deux sorties flottantes afin de pouvoir polariser entre 0, 10V, et 10 V ce qui correspond la tension maximale de sortie du GBF dlivrant le signal.

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