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Troisime anne CSA CSA 5 C COSP

LES TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE

Jol REDOUTEY

TRANSISTOR DE PUISSANCE BIPOLAIRE

CONSTITUTION Un transistor de puissance est compos de deux parties qui correspondent deux tapes trs diffrentes de sa fabrication: La puce de silicium qui est la partie active, Le botier qui assure les connexions lectriques, la protection mcanique et l'vacuation des calories. La figure 1 montre l'anatomie d'un transistor de puissance classique.

Figure 1 - Constitution d'un transistor de puissance (TO218). A gauche composant termin, droite avant moulage. La partie active (puce de silicium) se prsente gnralement sous la forme d'un paralllpipde d'environ 500m d'paisseur dont la surface dpend du calibre du transistor. Le botier est compos d'une embase en cuivre munie d'un trou de fixation sur laquelle est brase la puce de silicium. La face arrire de la puce, qui est lectriquement relie au collecteur (drain pour un MOSFET), est mtallise et soude sur lembase. Le raccordement de la base et de l'metteur (respectivement gate et source pour un MOSFET) entre la face avant de la puce et les connexions de sortie s'effectue par des petits fils d'aluminium souds par ultrasons. Le tout est moul dans une rsine poxy qui assure la tenue mcanique des connexions et la protection de la puce contre les agressions de l'environnement.

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LA PUCE DE SILICIUM La figure 2 montre la coupe d'un transistor de puissance de type MESA.

Figure 2 - Coupe transversale d'un transistor de puissance. On reconnat la zone de collecteur N et le substrat N+ qui n'a aucun rle lectrique et n'assure que la rigidit mcanique de la puce pendant la fabrication. En effet, l'paisseur de la partie active d'un transistor de puissance est de l'ordre de quelques dizaines quelques centaines de microns. L'paisseur de la couche N+ est donc grande devant l'paisseur de la couche N de collecteur. La base de type P est diffuse dans le collecteur (ou ralise par pitaxie) et l'metteur de type N fortement dop est diffus dans la base . On remarque que la jonction metteur-base est ramene la surface et isole par de la silice SiO2 qui est un excellent isolant. Cette technologie est dite planar. La jonction collecteur - base est dgage par voie chimique et recouverte d'une protection dilectrique adapte (c'est la jonction collecteur - base que le champ lectrique est maximal). Cette technologie est appele MESA. Cette jonction peut aussi tre ramene la surface en technologie planar. L'ensemble forme donc un transistor NPN dont la structure est verticale: Le courant circule travers la puce et non latralement. La face arrire (couche N+) est mtallise par dpt sous vide de manire pouvoir tre soude sur une embase gnralement en cuivre. Sur la face avant, on a mtallis des plages en aluminium sur lesquelles on vient prendre les contacts de base et d'metteur laide de fils daluminium souds par ultrasons..

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Figure 3 - Circulation du courant dans le transistor. La plupart des transistors de puissance tant des NPN, le sens des courants est celui indiqu sur la figure 3. On sait que pour qu'il y ait effet transistor dans une structure trois couches NPN (ou PNP), il faut : que l'metteur soit plus dop que la base, elle mme tant plus dope que le collecteur, que l'paisseur de la base soit trs faible (la frquence maximale d'utilisation est directement lie l'paisseur de la base). Il en rsulte pour un transistor de puissance que la base qui est fine et peu dope est fortement rsistive. C'est dire que la rsistance entre la connexion de base et un point situ une distance x sous l'metteur est d'autant plus grande que x est grand. On peut modliser le fonctionnement de ce transistor comme celui de n transistors lmentaires relis les uns aux autres par des rsistances comme le montre la figure 4.
Collecteur

R1 Base Q1

R2 Q2

Rn Qn

Emetteur

Figure 4 - Modlisation de la rsistance d'accs la base Compte tenu de la chute de tension dans ces rsistances d'accs, il est clair que les transistors les plus loigns de la connexion de base recevront une tension base-metteur plus faible que ceux qui sont situs proximit.

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Or le courant collecteur d'un transistor est une fonction exponentielle de la tension base metteur: VBE I C = I C 0 exp V avec VT 25 mV 25C T Les transistors lmentaires proches de la connexion de base conduiront beaucoup plus de courant que ceux qui en sont loigns. Il en rsulte que: Dans un transistor de puissance, le courant circule essentiellement la priphrie de l'metteur, le long de la jonction metteur-base. On a donc t amen dfinir une gomtrie horizontale telle que le primtre de la jonction metteur-base (que l'on appelle longueur de jonction) soit le plus grand possible. Cette localisation du courant la priphrie de l'metteur entrane galement une localisation de la puissance dissipe cet endroit. En effet, on sait que dans un transistor en fonctionnement normal, la jonction metteur-base est polarise en direct et la jonction collecteur-base est polarise en inverse. La majorit de la tension collecteur-metteur applique au transistor se retrouve donc la jonction collecteurbase. La puissance dissipe dans le transistor Pd = Vce Ic est donc en fait pratiquement entirement localise au niveau de la jonction collecteur-base, au droit de la priphrie de l'metteur (figure 5), ce qui provoque l'apparition d'une zone plus chaude. La prise en compte de ces divers phnomnes ncessite l'optimisation de la gomtrie horizontale de la jonction metteur-base, de manire : Obtenir un primtre d'metteur le plus long possible, Rpartir de manire homogne les lignes de courant, et donc la dissipation, sur toute la surface de la puce, Eviter les zones inactives (le silicium cote cher!).

Figure 6 - Localisation de la puissance dissipe dans le transistor

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On utilise souvent une gomtrie interdigite (en forme de doigts), avec des doigts d'metteur trs fins et parfois une structure multi-metteurs.

Figure 7 - Photo montrant la structure interdigite LE BOTIER Le botier remplit plusieurs fonctions. Il assure tout d'abord la protection de la puce vis a vis de son environnement (poussires, humidit, corrosion,) et il procure au composant une stabilit mcanique (maintien des connexions, tenue aux chocs et aux vibrations,). Dans le cas d'un composant de puissance, le botier assure aussi le refroidissement de la puce. Ses connexions doivent tre dimensionnes pour laisser passer un courant lev et satisfaire des normes d'isolement lectrique. La composante thermique induit des contraintes thermo-mcaniques au niveau de l'interface entre la puce de silicium et le botier dues aux diffrences de coefficient de dilatation des matriaux utiliss.

TO220

TO126

TO3

TO218

Figure 8 - Quelques botiers standard

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LE REFROIDISSEMENT La temprature maximale de fonctionnement de la puce de silicium qui constitue la partie active du transistor est spcifie par le constructeur. On l'appelle temprature maximale de jonction Tj max. Elle ne dpasse jamais 200 C pour des composants silicium. La chaleur produite au niveau de la puce s'coule travers le botier vers le radiateur puis l'air ambiant en premire approximation selon un cne 45 (fig. 9) La rsistance que chaque partie de cet empilement offre l'coulement de la chaleur dpend de sa conductivit thermique et de sa gomtrie. Elle se caractrise par un paramtre appel rsistance thermique Rth qui s'exprime en C/W.

Figure 9 - Ecoulement de la chaleur et schma quivalent lectrique Ainsi la rsistance thermique entre la puce et le botier, note Rth j-b, caractrise l'coulement de la chaleur l'intrieur du transistor. Plus elle est faible et mieux le transistor se refroidit. En premire approximation on peut linariser la loi d'coulement de la chaleur et par analogie avec la loi d'Ohm on peut crire:

T = Rth P
T reprsente la diffrence de temprature par analogie avec la diffrence de potentiel (ou tension), P reprsente la puissance dissipe par analogie avec le courant lectrique, Rth reprsente la rsistance thermique par analogie avec la rsistance lectrique.

Un problme thermique peut ainsi tre facilement trait en faisant un schma quivalent lectrique, les lois d'association tant les mmes. Exemple de calcul de radiateur Un transistor 2N3055 fonctionne en permanence avec VCE= 5V et IC= 4A Le transistor est mont directement sur un refroidisseur. Sachant que la rsistance thermique Jonction-botier du 2N3055 est de 1,5C/W, que la temprature ambiante est de 25C, calculer la rsistance thermique du radiateur utiliser pour que la temprature de jonction ne dpasse
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pas 100C. La puissance dissipe par le transistor est de 20 W (on nglige la puissance dissipe dans le circuit metteur-base Vbe. Ib). Nous pouvons crire: TJ - Tamb = (Rth j- radiateur + Rth radiateur-ambiance)Pd 100-25 = (1,5 + Rth radiateur-ambiance).20 d'o Rth radiateur-ambiance = 2,25C/W Pour caractriser d'une manire plus attractive les possibilits thermiques du transistor on a introduit la notion de puissance maximale dissipable dfinie pour une temprature de botier de 25C. Ptot = (Tjmax - 25)/Rth j-amb Cette valeur reprsente la puissance maximale que peut dissiper le transistor quand on maintient son botier 25C (refroidisseur infini). Ces conditions idalises ne sont que trs rarement rencontres dans la ralit et ce paramtre doit tre utilis avec prudence comme nous allons le voir dans lexemple suivant. Exemple de calcul de la puissance maximale que peut dissiper un transistor. On considre un transistor 2N3055 mont sur un refroidisseur de rsistance thermique gale 3C/W. Le transistor est isol lectriquement du radiateur par un isolant mica qui apporte une rsistance thermique supplmentaire de 0,5C/W. La temprature ambiante est de 40C. La puissance maximale Ptot spcifie pour le 2N3055 est de 117 W ce que lon pourra facilement vrifier partir de la temprature maximale de jonction de 200C. et de la rsistance thermique jonction botier spcifie 1,5C/W. Calculons dans ces conditions la puissance maximale que peut dissiper le transistor. En appliquant la loi dOhm thermique entre la jonction et lambiance on peut crire :
TJ - Tamb = (Rth j- radiateur + Rth radiateur-ambiance)Pd = Rth j-amb Pd

D'o

Pd max= (TJ - Tamb )/ Rth j-amb

Pd max = (200-40)/(1,5 + 0,5 + 3) = 32W En comparant cette valeur la valeur de Ptot spcifie on se rend mieux compte de limportance du refroidissement dans les applications de puissance.

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CARACTERISATION DES TRANSISTORS DE PUISSANCE UTILISES COMME INTERRUPTEURS

LE TRANSISTOR DE PUISSANCE A L'ETAT BLOQUE Ltat bloqu (interrupteur ouvert) peut tre caractris pour un transistor par deux paramtres: la tension davalanche collecteur-metteur qui dpend de ltat de polarisation de la jonction metteur-base, le courant de fuite collecteur-metteur. Tension davalanche collecteur-metteur Dans un transistor, cest la jonction collecteur base qui est charge de supporter la tension applique. Mais du fait du gain du dispositif, la tension davalanche collecteur-metteur est toujours intrieure ou gale la tension davalanche de la jonction collecteur-base (VCBO) et dpend fortement de ltat de polarisation de la jonction metteur-base. La figure 10 montre lallure des caractristiques davalanche Ic = f (VCE) dun transistor de puissance.

Figure 10 - Caractristiques davalanche collecteur-metteur dun transistor en fonction de l'tat du circuit metteur-base. On remarque, sur ce rseau que la caractristique davalanche collecteur-metteur base ouverte VCEO est toujours la plus faible en tension quel que soit le niveau de courant collecteur. Cette caractristique prsente une zone pratiquement verticale qui correspond la valeur la plus basse de la tension collecteur- metteur. Cette valeur est appele VCEOsus et est garantie par le constructeur. La tension davalanche collecteur-metteur, jonction metteur base polarise en inverse VCEX est un autre paramtre important. Ce paramtre est essentiellement spcifi pour les transistors haute tension.

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Terminologie Le transistor tant un composant 3 connexions, on utilise pour spcifier un paramtre une terminologie 3 indices. Les deux premiers indices prcisent les bornes entre lesquelles le paramtre est spcifi (par exemple VCE signifie Tension Collecteur - Emetteur). Le dernier indice donne l'tat de l'autre broche. Ainsi pour la tension collecteur - metteur VCE ltat du circuit metteur - base est symbolis de la manire suivante: VCEO base ouverte (Open) VCER base reli, lmetteur par une rsistance R VCES base relie lmetteur (Short circuit) VCEX jonction metteur - base bloque par une source de polarisation extrieure. Les courants de fuite Les courants de fuite collecteur-metteur ont t longtemps considrs comme les seuls paramtres reprsentatifs de la fiabilit dun dispositif semiconducteur. Aujourdhui, lvolution des technologies est telle que les courants de fuite ont pu tre ramens des valeurs trs faibles et stables. On peut donc naccorder ces paramtres quune importance secondaire. LE TRANSISTOR A LTAT PASSANT La figure 11 reprsente le rseau Ic = f (VCE, IB) fort niveau dun transistor de puissance. Il est dusage de dfinir, dans ce rseau, trois zones distinctes

Figure 11 - Rseau VCE-IC dun transistor de puissance BUX20. La zone 1 est la zone de fonctionnement linaire . La zone 2 est dite zone de quasi-saturation. La zone 3 est la zone de saturation vraie
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La zone 1, dans laquelle les caractristiques sont pratiquement horizontales, est la zone linaire ou zone damplification ainsi nomme car cest dans cette zone que se dplace le point de fonctionnement du transistor lorsquil est utilis dans des applications linaires. Dans la zone 2, correspondant des tensions collecteur metteur faibles (de quelques volts quelques dizaines de volts selon le type de transistor), les caractristiques sinclinent fortement. Pour un mme courant base, on constate que lorsque lon rduit la tension collecteur-metteur, le courant collecteur baisse, ce qui veut dire que le gain =Ic/Ib diminue. Ce phnomne est caractristique de la quasi-saturation. Il est d leffet dlargissement de la base (dplacement de la jonction effective collecteur-base dans la zone mtallurgique de collecteur). La zone 3, correspond au segment de droite commun toutes les caractristiques et reprsente la saturation vraie du transistor (Hard saturation). Le transistor dans cette zone est pratiquement quivalent une rsistance de faible valeur.

Comme nous lavons vu prcdemment, ce sont les zones de saturation et de quasi-saturation qui sont intressantes pour le fonctionnement du transistor interrupteur lorsqu'il est ferm (fort courant et faible tension). Le paramtre caractristique dans ce cas est donc la tension de saturation collecteur-metteur. Rappels sur la saturation Considrons un transistor aliment par une source de tension E par l'intermdiaire d'une rsistance de charge R place dans le collecteur (figure 12). La loi des mailles permet d'crire E = RIC + VCE que l'on peut r-crire sous la forme: IC = VCE/ R + E/R qui est l'quation de la droite de charge dans le plan VCE - IC La figure 13 reprsente le rseau de caractristiques IC = f(VCE, IB) d'un transistor sur lequel on a superpos la droite de charge (au voisinage de zro).

R IC
Ib

E
Vce

Figure 12 - Schma d'tude de la saturation Le point de fonctionnement du transistor est toujours situ l'intersection de la droite de charge et du rseau de caractristiques.

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B A Droite de charge

Figure 13 - Rseau de caractristiques IC = f(VCE, IB) d'un transistor sur lequel on a superpos la droite de charge. Par exemple, pour un courant base de 200 mA, le point de fonctionnement se trouve au point A. Si l'on double le courant base, il se dplace en B. Par contre, si l'on augmente encore le courant de base, le point de fonctionnement ne bouge plus car le transistor est satur. La tension collecteur - metteur est alors minimale pour ce niveau de courant, on l'appelle tension de saturation collecteur - metteur VCE sat. Le courant dans le circuit ne dpend plus du transistor mais uniquement du circuit extrieur (ce qui est normal puisqu'un interrupteur ne doit pas avoir d'action sur le courant qui le traverse). Dans ces conditions, le rapport f = IC/IB est appel gain forc et il est toujours infrieur au gain rel du transistor. La tension de saturation collecteur metteur VCE sat La tension de saturation collecteur-metteur est un paramtre qui na de sens que sil est accompagn du couple de valeurs correspondant du courant collecteur ICsat et du courant base IBsat. Ces trois paramtres sont physiquement lis et indissociables. Le constructeur garantit quau niveau de courant collecteur Icsat, avec un courant base IBsat la tension de saturation collecteur-metteur est infrieure ou gale la valeur VCEsat. Le rapport f = ICsat/IBsat est appel gain forc et on peut en donner linterprtation suivante: Pour tout transistor dun type donn fonctionnant un niveau de courant collecteur IC infrieur ou gal la valeur spcifie Icsat , si lon impose un courant base IB IC/f la tension collecteur-metteur sera toujours infrieure ou gale la valeur garantie VCEsat.

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Le courant collecteur maximal Le courant collecteur maximal est une limite fixe par le constructeur. Un critre souvent utilis pour la dtermination de cette limite est limpossibilit dobtenir la saturation du transistor avec un gain forc raisonnable.

Figure 14 - Evolution du gain en courant en fonction du niveau de courant collecteur En effet, le gain en courant d'un transistor varie fortement avec le niveau de courant collecteur comme le montre la figure 14. A fort niveau, le gain chute tellement qu'il devient quasiment impossible d'atteindre la saturation. Le courant maximal est dfinit par le constructeur qui garantit que le transistor peut supporter ce courant sans dommage conditions que toutes les autres limites soient respectes (temprature maximale de jonction en particulier). Ces limites ne doivent jamais tre dpasses. LES COMMUTATIONS Contrairement la caractrisation des transistors de signaux, les temps de commutation des transistors de puissance sont relevs sur le courant collecteur et non pas sur la tension collecteur-metteur. En effet, en lectronique de puissance, la charge est toujours ractive et de ce fait, la tension collecteur-metteur dpend du circuit et nest pas reprsentative de la commutation du transistor. Cest donc le temps de commutation du courant collecteur qui est pris comme rfrence (figure 15) Le constructeur garantit les temps de commutation au courant collecteur nominal (le mme que pour le VCEsat) sur charge rsistive pour des questions de reproductibilit des mesures (ces mthodes de mesure sont normalises). Il est important de savoir que sur charge inductive (majorit des applications) les temps de commutation sont plus courts que sur charge rsistive toutes choses tant gales par ailleurs ( lexception du temps de stockage tS qui augmente lgrement). En effet, sur charge inductive en conduction continue, la commutation se fait sous la pleine tension dalimentation et lon sait que pour un transistor donn, les temps de commutation diminuent lorsque la tension dalimentation augmente.

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Figure 15 - Dfinition des temps de commutation des transistors de puissance. La mise en conduction Il est dusage de dfinir deux paramtres pour caractriser la mise en conduction dun transistor: le temps de retard la croissance du courant collecteur td le temps de croissance du courant collecteur : tr Mais, le plus souvent, le constructeur ne spcifie que le paramtre ton = td + tr (car td est souvent ngligeable devant tr). Le retard la croissance Le retard la croissance est dfini comme le temps qui spare la monte du courant base ( 10% de sa valeur maximale) de la monte du courant collecteur ( 10% de sa valeur maximale). Ce temps correspond la charge de la capacit metteur-base. En effet, ltablissement du courant dans la jonction metteur-base, on passe dune jonction bloque quivalente une capacit de transition CEB KVEB-1/2 une jonction passante prsentant une capacit de diffusion proportionnelle au courant la traversant. Le passage dun tat lautre ncessite lapport dune certaine quantit de charges qui sont fournies par le courant base et ne donnent pas lieu un effet transistor, do le retard la croissance. Le temps de croissance du courant collecteur Le temps de croissance du courant collecteur (mesur entre 10% et 90% de la valeur

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maximale) est un paramtre reprsentatif de la rapidit ltablissement dun transistor. Il est directement li lpaisseur de la zone de base effective. Le temps de croissance du courant collecteur tr est important car il conditionne dans les applications les pertes ltablissement. Il existe un certain nombre de techniques de circuit qui permettent de diminuer le temps de croissance et de limiter les pertes ltablissement. La commutation louverture Il est bien connu que louverture dun circuit dans lequel circule de lnergie est toujours une phase critique. Les paramtres qui caractrisent la commutation sont donc dune importance capitale. On distingue deux phases dans la commutation louverture: la phase de retard la dcroissance du courant collecteur caractrise par le temps de stockage ts la phase de dcroissance du courant collecteur caractrise par le temps de dcroissance tf (fall time) On remarquera que cette distinction est purement lectrique (figure 15) et ne correspond pas vraiment une ralit physique (surtout pour les transistors haute tension). Nanmoins, cette reprsentation est commode et largement utilise. Temps de stockage On sait que le fonctionnement en saturation ou en quasi-saturation dun transistor est caractris par un phnomne dlargissement de la base. Tout se passe comme si une partie du collecteur tait transforme en base. Cette inversion du type de matriau ncessite une certaine quantit de charges, appele charge stocke, qui sont apportes par le courant base. La dcroissance du courant collecteur conscutive linversion du courant base ne peut avoir lieu que lorsquune partie suffisante de la charge stocke a t vacue. Le temps ncessaire cette vacuation peut tre assimil au temps de stockage tel quil est dfini sur la figure 15. On notera que le temps de stockage est fortement dpendant du courant inverse de base et quil existe des techniques de circuit permettant de maintenir ce temps des valeurs faibles. Temps de dcroissance du courant collecteur Bien que physiquement la dcroissance du courant collecteur rsulte du mme phnomne que la phase de dstockage, le temps de dcroissance revt une importance particulire. Dans les applications, la majorit des pertes de commutation louverture se produit pendant la fin du temps de stockage et surtout pendant le temps de dcroissance. Pour cette raison, il est important que ce dernier soit le plus court possible. Le temps de descente du courant collecteur est physiquement li la nature de la zone de collecteur. Le temps de dcroissance du courant collecteur est dautant plus long que le transistor est plus forte tension.

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LE CIRCUIT DE COMMANDE Le circuit de commande prsente dans les montages transistors une importance capitale. On ne peut utiliser un transistor au maximum de ses performances que sil est bien command. Il est donc important de connatre les paramtres qui caractrisent la commande, cest dire les paramtres metteur-base. Le courant base Nous avons dfini prcdemment les termes de courant base de saturation IBsat et de gain forc f. A la lecture de notices, on peut stonner des valeurs faibles des gains forcs des transistors de puissance. En ralit, il faut se souvenir que llectronique de puissance est la technique du contrle des transferts dnergie et qu ce titre ce qui compte, cest lnergie ou dune manire plus concrte, la puissance. Vu sous cet aspect, le transistor de puissance se rvle tre un commutateur fort gain en puissance puisquil suffit dune puissance de commande VBEsat x IBsat pour contrler une puissance VCEO x Icsat. Par exemple, un transistor BUX 24 peut contrler 12 A sous 400 V, soit 4800 W avec seulement une puissance de commande de 3,6W (2,4 A sous 1,2 V). soit un gain de puissance de plus de 1300. La tension de saturation metteur-base La tension de saturation metteur-base VBEsat est un lment important pour le calcul du circuit dattaque de base. Elle dpend essentiellement de lamplitude du courant base et de la tension collecteur-metteur. En effet, fort niveau de courant, le terme prpondrant dans le comportement de la jonction metteur-base est un terme rsistif reprsentant la rsistance daccs la base relle. Ce terme rsistif est modul, dans les zones de quasi-saturation et de saturation, par la tension collecteur-metteur du fait du phnomne dlargissement de la base. La tension davalanche metteur-base VEBO La tension davalanche de la jonction metteur-base (lorsquelle est polarise en inverse) est une limite qui doit tre prise en compte lors de la conception dun circuit. Lorsque lon utilise une source de polarisation ngative pour assurer un verrouillage nergique du transistor ltat bloqu, il faudra sassurer que la tension applique la jonction metteur-base nexcde pas la valeur garantie de la tension davalanche metteurbase. Nanmoins, dans certains circuits, la jonction metteur base peut tre amene fonctionner en avalanche pendant un temps trs court au moment de la commutation louverture (par exemple s'il y a une inductance en srie). Ceci nest pas dangereux condition que lnergie dissipe dans la jonction metteur-base reste faible.

TEMPERATURE LIMITE ET CARACTERISTIQUES THERMIQUES

Il est impossible de dissocier les paramtres lectriques dun composant semi-conducteur de la temprature. Ceci, est particulirement vrai dans le cas des transistors de puissance.

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Evolution des caractristiques dun transistor en fonction de la temprature La variation des principaux paramtres du transistor en fonction de la temprature est donne dans la notice du constructeur. Ainsi, dans les feuilles de spcifications des transistors on trouve gnralement: une valeur garantie dun courant de fuite chaud des courbes dvolution de VCEsat et VBEsat en fonction du courant collecteur IC Tcase=250C et Tcase=125 0C des courbes de variation des temps de commutation en fonction de la temprature.

Aucune indication nest donne concernant les tensions davalanche collecteur-metteur, car ces paramtres sont peu sensibles la temprature. Le coefficient de temprature du VCEOsus est en gnral lgrement positif ou voisin de zro. Temprature maximale de jonction La temprature maximale de jonction Tjmax est la temprature limite que peut supporter la pastille de silicium constituant le transistor. Si la temprature maximale de jonction spcifie par le constructeur est dpasse, le transistor risque dtre dgrad (modification des caractristiques pouvant entraner une destruction ultrieure) ou dtruit. Pour les transistors de commutation (au silicium), la temprature maximale de jonction est infrieure ou gale 200C LIMITES DE FONCTIONNEMENT - AIRE DE SECURITE En lectronique de puissance, un transistor est utilis en tant qu'interrupteur dans un convertisseur pour contrler le transfert dnergie d'une source vers une charge. Ce transfert ne peut avoir lieu dans de bonnes conditions et en toute scurit que si les limites des composant sont respectes. Pour le transistor de puissance bipolaire ces limites sont regroupes sur un diagramme courant-tension appel aire de scurit Dfinition de laire de scurit Laire de scurit reprsente dans le plan tension collecteur-metteur, courant collecteur le domaine dutilisation du transistor, cest dire la zone dans laquelle 1e point de fonctionnement peut se dplacer en respectant les limites. La fig. 16 reprsente l'aire de scurit en rgime permanent dun transistor de puissance. On remarque que le domaine dutilisation est dlimit par un certain contour, dont chaque partie correspond une limitation physique du transistor.

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Figure 16 - Aire de scurit d'un transistor de puissance BUV47. Ces limitations sont au nombre de quatre: limitation de la tension collecteur-metteur limitation du courant collecteur maximal limitation de la puissance maximale dissipe limitation par le second claquage. Nous allons examiner successivement ces diverses limitations. Tension collecteur-metteur maximale Nous avons vu que selon ltat de polarisation de la jonction metteur base la tenue en tension collecteur-metteur est trs diffrente et que la caractristique davalanche collecteur- metteur base ouverte VCEO est toujours la plus faible en tension quel que soit le niveau de courant collecteur. C'est donc ce paramtre qui est pris comme tension collecteurmetteur maximale. Limitation en courant Le courant collecteur maximal admissible par un transistor rsulte de plusieurs considrations. La premire est la chute du gain en courant avec 1e niveau de courant collecteur. Une autre considration prise en compte peut tre la chute de tension dans les connexions. La limitation du courant n'est alors plus due la puce mais au botier (cas des transistors trs basse tension) La limite de courant collecteur est fixe par le constructeur suivant des critres technologiques dpendant essentiellement des conditions de fabrication. Limite thermique - Puissance maximale dissipable Les limites de courant et de tension tant tablies on pourrait dlimiter un contour ferm dans

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le plan VCE - IC et dfinir une zone de fonctionnement. Cependant des limitations thermiques viennent rduire cette zone. On sait quau-del dune certaine temprature critique, une jonction perd son pouvoir de blocage. Tout dispositif semi-conducteur ne pourra donc fonctionner correctement que si sa temprature reste infrieure une certaine limite. Cette limite est de 200C pour la plupart des transistors bipolaires silicium. Un transistor de puissance travers par courant collecteur IC et supportant une tension collecteur-metteur VCE dissipe une puissance P=VCE.IC (en ngligeant la puissance de commande Vbe.Ib) et devient un gnrateur thermique. Les calories ainsi gnres doivent tre vacues de manire viter un chauffement exagr de la pastille de silicium. Dans la gamme de temprature considre, on admet que lcart de temprature entre la pastille de silicium et le botier est proportionnel la puissance dissipe par le transistor. On dfinit ainsi la rsistance thermique jonction-botier et lon : TJ - TB = Rth J-B x P En utilisant lanalogie lectrique avec la loi dOhm on peut calculer facilement la temprature de jonction et dimensionner des refroidisseurs, comme indiqu prcdemment. On peut dfinir la puissance maximale dissipable comme la puissance qui provoque l'lvation de la temprature de jonction jusqu' sa valeur maximale lorsqu'on maintien la temprature du botier 25 C. On a alors l'expression: Pmax =VCE.IC = (Tjmax -25) / Rth J-B que l'on peut reprsenter dans le plan VCE - IC par une hyperbole dite hyperbole de dissipation maximale. Dans une reprsentation en coordonnes logarithmique cette hyperbole devient une droite. Cependant un autre phnomne vient encore rduire la zone de fonctionnement comme nous allons le voir. Le second claquage Nous avons vu que la diffrence de polarisation de la jonction metteur - base entre la priphrie et le centre de lmetteur se traduit par une importante inhomognit de la densit de courant dans lmetteur, le courant circulant prfrentiellement la priphrie. D'autre part, certaines zones de la puce sont plus sollicites, notamment celles qui sont situes proximit des connexions. Ceci a pour consquence de crer des zones plus chaudes appels points chauds qui peuvent atteindre une temprature critique bien avant le reste de la pastille. Au-del dune certaine limite il se produit un phnomne demballement thermique localis au niveau des points chauds, ce phnomne est appel second claquage. Il se manifeste par un effondrement brutal de la rsistance interne du transistor. La tension collecteur-metteur stablit une valeur faible et si le courant nest pas limit le transistor est dtruit. La limite dapparition du second claquage est fortement dpendante de la tension collecteurmetteur applique, ceci conduit limiter vers les VCE forts la zone de fonctionnement dans le plan VCE - IC.

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On aboutit alors au diagramme dfinitif que lon appelle aire de scurit (fig.16). Ce diagramme est donn 25C pour un rgime de fonctionnement continu.

Figure 17 - Carte thermique releve sur un transistor fonctionnant la limite du second claquage. La formation dun point chaud la priphrie de lmetteur entre les connexions base et metteur est trs visible. Equidistance des isothermes : 5C. En fait laire de scurit donne dans les notices des constructeurs comprend outre la courbe du fonctionnement continu, un rseau de courbes valables pour une impulsion unique de largeur spcifie. En plus de cette aire de scurit complte le constructeur donne des courbes de variations avec la temprature.

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