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Captulo III
Aplicao de UPS dupla converso em misso crtica Funcionamento geral e detalhamento do inversor (PWM)
Luis Tossi *

Este captulo discorrer sobre o funcionamento

SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Os SCRs possuem um recurso adicional ao diodo, pois, alm de bloquear o fluxo de corrente reversa, ele controla o fluxo de corrente no sentido correto, ao invs de permiti-lo constantemente como no diodo. Ou seja, o SCR pode ligar ou desligar o fluxo de corrente (no sentido corrente) por meio de um terceiro terminal chamado gate, conforme indicado na Figura 2.

geral de um UPS, a comear por uma introduo aos principais semicondutores utilizados na sua composio, seguida das especificaes analisadas (THD, PF, etc.) e do mtodo de modulao (PWM). Falaremos tambm sobre os trs principais blocos: retificador, inversor e chave-esttica. Os semicondutores so divididos em trs categorias distintas, de acordo com o seu nvel de controle. So elas: diodos, tiristores e chaves controlveis. No caso dos tiristores, comentaremos sobre os SCRs e, dentre os diversos tipos de semicondutores de chaves controlveis, abordaremos os MOSFETs, os transistores bipolares (BJT) e os IGBTs.

IA

A UAK

Diodos
Diodos so semicondutores que, basicamente, conduzem a corrente eltrica em um nico sentido e bloqueia o seu fluxo no sentido oposto, conforme indicado na Figura 1.
Figura 2 SCR.

IG K

ID VD

MOSFET (Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor)

Os MOSFETs so semicondutores que, devido sua caracterstica de construo, possuem alta resistncia de conduo (entre Drain e Source), impossibilitando que controle altas correntes. Entretanto, seu chaveamento

Figura 1 Diodo.

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43 BJT (Bipolar Junction Transistor)

Os transistores bipolares possuem caractersticas construtivas diferentes do MOSFET, o que lhe permite controlar correntes maiores, principalmente, devido menor resistncia de conduo (entre coletor e emissor), mas em frequncias menores, pois seu acionamento feito por corrente, ou seja, utiliza maior potncia no controle. As Figuras 5 e 6 exibem, respectivamente, seu esquema e

feito por potencial de tenso, ou seja, com a utilizao de baixa potncia, permitindo o trabalho em altas frequncias de chaveamento. As Figuras 3 e 4 mostram, respectivamente, seu esquema e comparativo com os outros semicondutores.

ID

C
G VDS

IB B

IC VCE

VGS
100 M 100 M POWER [VA] 100 M 100 M 100 M 100 M 100 M 100 M 10

VBE
100 M

SCR

GTO BJT
POWER [VA]

10 M 1M

SCR

GTO

MOTOR DRIVERS CONDITIONING HOUSEHOLD APPLIANCE IGBT

IGBT ROBOTICS MOSFET LOWTRACK

100 K 10 K 1K 100 BJT

household appliance

household appliance 500 1K 10K FREQUENCY [HZ] 100K 1M

MOSFET

10

10

500

1K 10K FREQUENCY [HZ]

100K

1M

Figuras 3 e 4 MOSFET e comparativo.

Figuras 5 e 6 BJT e comparativo.

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comparativo com os outros semicondutores.

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Atualmente, a tecnologia do IGBT mais largamente aplicada na

construo dos UPSs, no s nos inversores como tambm em algumas

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

O IGBT uma combinao do MOSFET, do transistor bipolar e do GTO. No falaremos deste ltimo neste captulo, mas conferiu ao IGBT sua caracterstica de bloqueio de tenso. Dessa maneira, o IGBT possui novas caracterstica construtivas, permitindo o controle de altas correntes em altas frequncias. Observe, nas Figuras 7 e 8, seu esquema e comparativo com
ID D

linhas de retificadores, em que o SCR tambm bastante utilizado. A Figura 9 mostra um panorama geral de todas as tecnologias:

outros semicondutores.

G VOS

VDS S
100 M 100 M 100 M POWER [VA] 100 M 100 M 100 M 100 M 100 M 10 500 1K 10K FREQUENCY [HZ] 100K 1M IGBT BJT MOSFET SCR GTO
ROBOTICS

Figura 9 Capacidade dos dispositivos de potncia.

As geraes anteriores de UPS utilizavam outros semicondutores,

MOTOR DRIVERS LOWTRACK

tecnologia mais comum na poca. Muitos retificadores at hoje ainda trabalham com SCR, sendo alguns de baixa potncia e outros, mais antigos, utilizam diodos. Nos dias atuais, praticamente todos os inversores trabalham com IGBT e os mais antigos com BJT em configurao chamada Darlington, que o nome dado configurao dupla de BJT (o primeiro amplifica a corrente para o acionamento do segundo). Os mais antigos trabalhavam com SCR.

Figuras 7 e 8 IGBT e comparativo.

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Especificaes
Quando avaliamos o desempenho de diferentes topologias de construo de UPSs, algumas especificaes so mais analisadas. So elas: distoro harmnica (THD), fator de potncia (PF) e rendimento AC/AC (). As diferentes formas de onda peridicas, segundo a Srie de
Figura 12 Expresses das potncias.

Fourier (recurso matemtico que analisa estas formas de onda), so compostas pela onda de frequncia fundamental (no caso de anlises em nosso sistema eltrico ser de 60 Hz) e de outras infinitas formas de onda, chamadas harmnicas, cuja frequncia mltiplo inteiro da fundamental. Na Figura 10, podemos ver uma forma de onda distorcida (em preto), devido presena de sua 3 e 5 harmnicas, com amplitudes de, respectivamente, 30% e 20% da fundamental (pontilhado):
Figura 13 Representao vetorial das potncias.

O PF (Power Factor) um nmero adimensional, representado

pela relao entre potncia ativa (P) e potncia aparente (S), conforme indicado na Figura 14:

Figura 14 Frmula para clculo do fator de potncia.

Figura 10 Onda resultante da fundamental e das 3 e 5 harmnicas.

As reatncias geram potncias no reais, ou seja, apenas se

contrapem ao fluxo de corrente alternada, enquanto a potncia ativa real. Dessa maneira, podemos concluir que quanto mais prximo de 1,0 estiver o fator de potencia (PF), melhor o sistema est sendo aproveitado, pois a maioria ou a totalidade da potncia aparente (S) ser ativa (P). O fator de potncia tambm nomeado, quando diferente de 1,0, como capacitivo ou indutivo, de acordo com a reatncia (Q) resultante do sistema. J o rendimento AC/AC (AC/AC) traduzido na relao de potncia ativa de entrada e sada do UPS, indicando o aproveitamento do equipamento. A diferena entre esses dois valores indica a potncia

O THD (Total Harmonic Distortion) basicamente a relao

entre a soma de todas as harmnicas de um sinal (tenso ou corrente) e a sua fundamental, definido na Figura 11:

Figura 11 Frmula do THD.

que est sendo dissipada (perdida) pelo UPS. Na Figura 15 temos um exemplo:

Um nmero elevado de THD reflete em uma forma de onda

muito distorcida, refletindo em um possvel comportamento deficitrio da carga e da instalao eltrica, podendo causar queimas de cargas e condutores, desligamentos, sobreaquecimento de transformadores e disjuntores (podendo desarm-los), etc. Portanto, quanto menor este nmero, melhor a condio de operao do sistema. Referente potncia, temos duas especificaes bastante A potncia de um circuito eltrico dividida em duas
Figura 15 Exemplo de anlise de rendimento.

verificadas: o fator de potncia (PF) e o rendimento AC/AC (). partes: as potncias reativas Q (capacitivas e indutivas), cuja unidade VAR (Volt-Ampre reativo) e as potncias ativas P (resistncias), cuja unidade W (Watt). A soma de ambas chamada de potncia aparente S, cuja unidade VA (Volt-Ampre). Vetorialmente, a potncia reativa Q sempre defasada em 90 em relao potncia ativa. A Figura 12 mostra como seus valores so expressos e, na Figura 13, temos a sua representao vetorial:

Como podemos notar, apesar de o equipamento consumir 100

kW, a carga est solicitando apenas 92 kW. Portanto, a diferena de 8 kW est sendo dissipada pelo equipamento e, quanto menor for este nmero, melhor ser o seu rendimento, que neste caso de 92% (AC/AC = POUT/PIN = 92 kW/100 kW = 92%).

PWM (Pulse Width Modulation)

O PWM consiste em uma tcnica de modulao por largura de pulso, que amplamente utilizada como modo de controle de chaveamento de conversores.

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Para obteno do sinal PWM, os circuitos eletrnicos comparam

A anlise espectral (mapa de harmnicos, fundamental e

um sinal dente de serra nf0 (portadora), com frequncia igual ao do chaveamento desejado (tal parmetro escolhido de acordo com as impedncias dos filtros dimensionados para o sistema), com a forma de onda f0 (sinal modulante), a qual se deseja obter no caso uma senoide. As Figuras 16 e 17 ilustram um circuito comparador e o sinal PWM resultante:

componente DC que compem o sinal) do PWM gerado possui o aspecto indicado na Figura 18:

Figura 18 Espectro de frequncias do PWM.

Figura 16 Circuito comparador para gerao de PWM.

Portanto, possvel perceber claramente neste espectro de sinal

PWM que, se ele for submetido a um FPB (Filtro Passa Baixa, como circuitos indutivos srie e/ou capacitivos paralelo), o sinal modulante f0 recuperado, obtendo a senoide desejada no final do processo.

Detalhamento do sistema UPS

Como j mostrado anteriormente, o diagrama bsico de um sistema UPS dupla-converso o indicado na Figura 19:

Figura 17 Sinal PWM resultante do circuito comparador.

Figura 19 UPS dupla-converso.

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Nesta etapa, detalharemos os trs principais blocos da

eletrnica de um UPS dupla-converso. Curiosamente, iniciaremos com o bloco Inversor, aproveitando os conceitos ainda dentro deste captulo sobre PWM, passando no captulo seguinte para o detalhamento do retificador e da chave-esttica.

Inversor
O bloco do inversor se resume a um conversor AC/DC. Ele recebe uma alimentao DC varivel e a converte em energia AC condicionada, ou seja, com limites restritos em relao s distores harmnicas de tenso (THDv), s variaes de tenso e de frequncia. Tais limites variam de acordo com a tecnologia, com o tempo de resposta do controle e com o dimensionamento e as protees da potncia (semicondutores, filtros, etc.). Podemos ver na Figura 20 a disposio do circuito principal de Percebe-se que utilizam processadores DSP, os quais possuem caractersticas de processamentos matemticos de alta velocidade, passando a determinar o chaveamento de acordo com clculos vetoriais avanados (herdado dos controles de inversores para motores) e outros recursos matemticos, permitindo ao controle se adaptar aos diferentes fatores externos, mantendo o alto nvel de desenpenho. Analisando cada fase do inversor separadamente, podemos verificar que a tenso mdia obtida nas sadas U, V e W variam de acordo com o tempo de conduo do par de IGBTs, imposto por cada etapa do sinal PWM, conforme apresentado na Figura 21: potncia de um inversor trifsico com IGBTs:
Figura 20 Inversor trifsico.

entre os IGBTs e o controle de PWM geralmente existe um circuito chamado Drive, responsvel por isolar galvanicamente (ou seja, sem contato eltrico direto) os pulsos eletrnicos dos semicondutores de potncia, podendo ser por transformadores de sinal (isolamento magntico), acopladores opticos (isolamento por luz), etc. Os controles PWM mais modernos otimizam o desempenho dos inversores em condies adversas como sobrecarga, curto-circuito, desbalanceamento, etc. e, quase sempre,

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Figura 23 Filtro de sada do inversor e forma de onda resultante. Figura 21 Tenso DC mdia por tempo de chaveamento.

elevador, apenas os filtros LC convencionais de sada. Isso possvel pela elevao da tenso DC que alimenta o inversor, que pode vir de circuitos booster ou de retificadores com IGBT, assuntos estes que sero discutidos mais adiante. O dimensionamento dos semicondutores do inversor e de seus filtros determina tambm o fator de potncia mximo (indutivo e capacitivo) permitido na sada do equipamento. Tais caractersticas variaram no decorrer dos anos, de acordo com as caractersticas das cargas para o casamento perfeito de impedncias na sada do UPS. Atualmente, o fator de potncia das cargas est muito prximo de 1,0, diferentemente de dcadas atrs, cujo fator de potncia, sem correo, girava de torno de 0,8 indutivo. Dessa maneira, os inversores dos UPSs tiveram que ser redimensionados, adaptando-se a esta nova realidade das cargas, podendo, assim, trabalhar com fatores de potncia

Dessa maneira, considerando o chaveamento em alta frequncia

e a possvel inverso de polaridade pela existncia de uma carga em delta na sada das fases, teremos os sinais da Figura 22:

Figura 22 Sinais PWM de sada do inversor trifsico.

at 1,0 e sem limitao de acordo com o tipo de reatncia (capacitiva ou indutiva), como indicado na Figura 24.

O inversor faz o chaveamento da tenso DC fornecida pelo

retificador em um sinal pulsante (trs fases defasadas 120 entre si) de alta frequncia. Este sinal tem sua largura de pulsos varivel em funo da tenso e frequncia de sada, que devem ser regulados. Este sinal s ser puramente senoidal aps a passagem pelo filtro de sada, em que o valor mdio dos diferentes perodos verificados anteriormente determinam os diferentes valores instantneos da senoide que se pretende obter, e cuja presena j foi provada pela anlise espectral. O filtro de sada tem o papel de filtrar os pulsos de alta frequncia, deixando Nessa etapa ns temos uma abertura de duas categorias de inversores
Figura 24 Diagrama de potncia mxima por fator de potncia.

passar apenas a frequncia fundamental, como indicado na Figura 23. e, consequentemente, de UPSs: os que possuem transformadores na sada do inversor e os que no possuem (chamados transformerless). Os inversores mais antigos, e muitos ainda hoje, utilizam, aps a filtragem do PWM, um transformador isolador. Dependendo da frequncia de chaveamento do PWM, a indutncia do filtro substituda pelo prprio transformador. Tal recurso indispensvel para UPSs trifsicos acima de 380 V, pois a tenso DC obtida pela retificao convencional (ponte tiristorizada com retificao trifsica ou em relao ao neutro) desta energia, cujo mximo est prximo de 600 V, no suficiente para se obter novamente 380 V, por exemplo, na sada do filtro. Portanto, o transformador possui a funo principal de elevador de tenso (em outros casos tambm, como j comentado, de filtro) e este sinal monitorado pelo controle do PWM. No caso dos UPSs transformerless, no necessrio o transformador

Ned Mohan, Tore M. Undeland, William P. Robbins, Power Electronics, 3rd Edition, John Wiley and Sons Inc. http://en.wikipedia.org Paolo Raffaele Ghigi, Appunti del corso di Fondamenti di Elettrotecnica L. Luciano Simoni, Caratteristiche e tecnologie dei condensatori, 1970, CLUEB. www.limat.ing.unibo.it/didattica/qual_energia_disp.htm Vito Carrescia, Fondamenti di Sicurezza Elettrica TNE. Gianni Pattini, University of Bologna, Dispense e appunti del corso di Impianti Elettrici L. Carlo Quiriconi, K-Factor, Transformers and non Linear Loads, Chloride UPS. The Essential Guide to Power Protection Design, Chloride Power Protection, 18 April 2001. Universidade Estadual de Campinas UNICAMP (Tese de Mestrado de Wilson da Silva Jnior); ASIC para Gerao de Senoide com Frequncia Varivel Baseada em PWM. S Series MASTERGUARD Presentation.

Referncias

*Luis Tossi engenheiro eletricista e diretor-geral da Chloride Brasil. Atua na rea de condicionamento de energia e aplicaes de misso crtica h 23 anos, com larga experincia em produtos, aplicaes e tecnologias de ponta.
Continua na prxima edio Confira todos os artigos deste fascculo em www.osetoreletrico.com.br Dvidas, sugestes e comentrios podem ser encaminhados para o e-mail redacao@atitudeeditorial.com.br