Practica 1.

Dispositivos semiconductores
CARACTERISTICAS DEL DIODO
Zabdiel lesem Rivera Maldonado | Electrnica analgica | 04 de septiembre de 2013

PGINA 1

OBJETIVO GENERAL. Descripcin y funcionamiento de un diodo de silicio y de germanio e interpretacin de su curva caracterstica OBJETIVOS PARTICULARES. 1. 2. 3. Identificacin de las terminales de los diferentes tipos de diodos por medio de un multmetro Determinar el estado del diodo aplicando polarizacin directa e inversa Construccin de la curva caracterstica de los diodos semiconductores

INTRODUCCION. Las dcadas que siguieron a la introduccin del transistor en los aos cuarenta han atestiguado un cambio sumamente drstico en la industria electrnica. La miniaturizacin que ha resultado nos maravilla cuando consideramos sus lmites. En la actualidad se encuentran sistemas completos en una oblea miles de veces menor que el ms sencillo elemento de las primeras redes. Las ventajas asociadas con los sistemas semiconductores en comparacin con las redes con tubos de los aos anteriores son, en su mayor parte, obvias: ms pequeos y ligeros, no requieren calentamiento ni se producen prdidas trmicas (lo que s sucede en el caso de los tubos), una construccin ms resistente y no necesitan un periodo de calentamiento. La miniaturizacin de los ltimos aos ha producido sistemas semiconductores tan pequeos que el propsito principal de su encapsulado es proporcionar simplemente algunos medios para el manejo del dispositivo y para asegurar que las conexiones permanezcan fijas a la oblea del semiconductor. Tres factores limitan en apariencia los lmites de la miniaturizacin: la calidad del propio material semiconductor, la tcnica del diseo de la red y los lmites del equipo de manufactura y procesamiento. El primer dispositivo electrnico que se presentar se denomina diodo. Es el ms sencillo de los dispositivos semiconductores pero desempea un papel vital en los sistemas electrnicos, con sus caractersticas que se asemejan en gran medida a las de un sencillo interruptor. Se encontrar en una amplia gama de aplicaciones, que se extienden desde las simples hasta las sumamente complejas. El diodo semiconductor se forma uniendo un material tipo P con un tipo n construidos de las misma base germanio o silicio. En el momento en que son unidos los dos materias los electrones y los huecos en la regin de la unin se combinan dando por resultado una falta de portadores en la regin cercana a la unin. A esta regin de iones positivos y negativos descubiertos se les llama regin de agotamiento o de empobrecimiento o barrera de unin debido a la disminucin de portadores en ella

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En la imagen se muestra el smbolo y el aspecto fsico de un diodo rectificador, la flecha que simboliza el nodo representa la direccin del flujo de la corriente el ctodo se identifica con una banda en los diodos pequeos. Un diodo semiconductor tiene polarizacin inversa cuando se asocia el material tipo P aun potencian negativo y el material tipo N a un potencial positivo. La polarizacin directas e da cuando se aplica un voltaje positivo al material tipo P y un potencial negativo al material tipo N Mediante el empleo de la fsica del estado slido se ha llegado a encontrar que la corriente a travs del diodo semiconductor es una funcin del voltaje aplicado entre sus terminales de la siguiente manera: ( MATERIAL A UTILIZAR 1 Resitor de 1k a 1/2W Tablilla de experimentacin (protoboard) Multmetro analgico o digital Fuente de voltaje variable de 0 a 30 V Juego de alambres para conexin. )

DESARRO EXPERIMENTAL EXPERIMENTO #1. IDENTIFICACION DEL TERMINALES Y PRUEBA DE DIODOS A. Observacin y identificacin del nodo y ctodo de los distintos diodo utilizados B. Empleando un multmetro digital en funcin de diodos realice la mediciondel voltaje de conduccin en polarizacin directa y en inversa de cada elemento

PGINA 3

EXPERIMENTO#2. CURVA CARACTERISTICA DE UN DIODO SEMICONDUCTOR A. Arme el circuito que se muestra en la figura utilizando un diodo de silicio, verificando que los instrumentos se conecten en la polaridad correcta.

B. Partiendo de cero volts, aumente gradualmente la tensin de la fuente en incrementos de 0.1 volts hastaque el diodo alcance su voltaje de conduccin, anote los valores de VD e ID asi mismo determine la resistencia estatica del diodo

ID VD RF

0 0.0v 0

0 0.1v 0

0 0.2v 0

0 0.3v 0

.03 0.4v 13333

.24 0.5v 2083.3

1.45 0.6v 413.8

12.70 0.7v 55.12

Tabla con polarizacin directa del diodo de silicio 0 1v 0 2v 0 3v 0 4v 0 5v 0 6v 0 7v 0 8v

ID VD RF

Tabal con polarizacin inversa del diodo de silicio

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