ESCALAMIENTO CARACTERISTICAS Y TECNOLOGIAS CARACTERISTICAS: La tecnologa de escalamiento tiene un triple objetivo: Reducir el retardo de puerta en un 30% (incrementando en 43%

3% la frecuencia) Duplicar la densidad del transistor. Ahorro del 50% en potencia (al incrementar la frecuencia en 43%). El escalamiento puede realizarse de la siguiente manera: Todas las dimensiones del dispositivo (lateral y vertical) se reducen en 1/. La concentracin de densidades se incrementa en . Los voltajes del dispositivo se reducen en 1/ (no por los mtodos de escalamiento) Tpicamente hay una reduccin de 1/ = 0.7 (30% en la reduccin de las dimensiones). Las variables escaladas son: VOLTAJE DE ALIMENTACION: Vdd Vdd / LARGO DE PUERTA: L L/ ANCHO DE PUERTA: W W/ ESPESOR DE OXIDO DE PUERTA: tox tox / PROFUNDIDAD DE JUNTURA: Xj Xj / DOPAJE DE SUSTRATO: NA NA x A esto se denomina: ESCALAMIENTO A CAMPO CONSTANTE, porque el campo elctrico a travs del oxido de puerta no cambia cuando la tecnologa es escalada. Si la fuente de voltaje se mantiene constante el escalamiento es llamado de VOLTAJE CONSTANTE. En este caso, el campo elctrico a travs del oxido de puerta se incrementa cuando la tecnologa es escalada hacia abajo. DEBIDO A LA RUPTURA DEL OXIDO DE PUERTA, POR DEBAJO DE 0.8 m SOLO SE USA EL ESCALAMIENTO A CAMPO CONSTANTE. CONSECUENCIAS: Algunas consecuencias del escalamiento al 30% en un rgimen de campo constante ( = 1.43, 1/ = 0.7): DISPOSITIVO / AREA NO USADA: W x L (1/)2 = 0.49 En la prctica, el rea no usada del microprocesador CRECE alrededor de 25% por generacin de tecnologa. Este es un resultado de aadir funcionalidad. DENSIDAD DEL TRANSISTOR: (rea unitaria) / (W x L) 2 = 2.04 En la prctica, la densidad de la memoria ha sido escalada como se esperaba. (lo que no es verdad en los microprocesadores).

CAPACITANCIA DE LA PUERTA: W x L / tOX 1 / = 0.7 CORRIENTE DE DRAIN: (W / L) x (V2 / tOX) 1 / = 0.7 RETARDO DE PUERTA: (C x V) / I 1 / = 0.7 FRECUENCIA = 1.43 En la prctica, la frecuencia del microprocesador se duplica con cada nueva generacin tecnolgica (2 o 3 aos). Esta rpida tasa de incremento se debe a dos factores: El numero de retardos de puerta en un ciclo de reloj disminuye con el tiempo (los diseos son cada vez ms precisos). Las tcnicas avanzadas de circuitos reducen el porcentaje de retardo de puerta en un 30% en cada generacin. POTENCIA: C x V2 x f (1/)2 = 0.49 DENSIDAD DE POTENCIA: 1 / tOX x V2 x f 1 CAPACIDAD ACTIVA / UNIDAD DE AREA: La disipacin de potencia es una funcin de la frecuencia de operacin, el voltaje proporcionado y el tamao del circuito (numero de dispositivos). Si normalizamos la densidad de potencia a V2 x f, obtendremos la CAPACITANCIA ACTIVA POR UNIDAD DE AREA para dicho circuito. Este parmetro puede ser comparado con la capacitancia del oxido por unidad de rea: 1 / tOX = 1.43 En la prctica, para microprocesadores, la (capacitancia activa/unidad de rea) solo se incrementa entre 30% y 35%. Por lo tanto, no es posible duplicar la densidad lgica entre tecnologas. INTERCONEXIONES DE ESCALAMIENTO Solo son posibles altas densidades si las interconexiones tambin son escaladas. Reduccin del ancho implica incremento de resistencia. Densidad de interconexiones implica alta capacitancia. Al tomar en cuenta los incrementos parsitos y complejidad de integracin se aaden mas capas de interconexin: Capas ms delgadas y precisas para interconexiones locales. Menos capas y ms gruesas para interconexiones globales y de potencia.

LITOGRAFIA

LITOGRAFIA DE HAZ ELECTRONICO (EBL) LOS PATRONES SE DERIVAN DIRECTAMENTE DEL DATO DIGITAL. LOS PROCESOS PUEDEN SER DIRECTOS: SIN MASCARAS. LOS CAMBIOS DE PATRONES PUEDEN SER IMPLEMENTADOS RAPIDAMENTE. SIN EMBARGO: EL COSTO DEL EQUIPAMIENTO ES ALTO SE REQUIERE UN GRAN AUMENTO DE TIEMPO PARA ACCESAR A TODOS LOS PUNTOS DE LA OBLEA.