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TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

En transistores bipolares una pequea corriente de base controla una corriente de
colector. Los transistores de efecto de campo son dispositivos de 3 terminales, llamadas
compuerta G, drenaje D y fuente S, en los que la corriente principal se controla mediante
una tensin.


Las caractersticas principales son:
La potencia (=IV) de control es nula, es decir, no se absorbe corriente por el
terminal de control.
Una seal muy dbil puede controlar el dispositivo.
La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico.


Este curso aborda dos tipos de transistores de efecto de campo: los JFET y los
MOSFET.


I. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (JFET).

Como ya sabemos la unin PN esta compuesta de un material tipo P y otro tipo N. Si la
regin P y la regin N estuvieran separada se tendra lo siguiente: (a) por cada electrn hay
un ion positivo en el material N y (b) por cada hueco un ion negativo en el material P. Por
lo tanto la carga total es neutra en cada material.
Al momento de ponerse en contacto ambos materiales los electrones de la zona N pasan
a la zona P y los huecos de la zona P pasan a la zona N como se muestra en Fig. 1 y por lo
tanto:
(a) El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una carga
negativa en la zona del material tipo P.
(b) Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en
la zona N, con lo que tambin aparece una carga negativa.


Figura 1
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La distribucin de cargas formada en la regin de la unin provoca un campo elctrico
desde la zona N a la zona P. Este campo elctrico se opone al movimiento de portadores
segn la difusin, y va creciendo conforme pasan ms cargas a la zona opuesta. Como
resultado del proceso se obtiene:
Una Zona P, semiconductora.
Zona N, semiconductora.
Zona de agotamiento (deplecin entre la zona P y la zona N): Esta zona no es
conductora, puesto que no posee portadores de carga libres.

Hay que tener en cuenta que, hasta el momento, este proceso sucede instantneamente
en el momento en el que se ponen en contacto las zonas N y P, y no necesita de ningn
aporte de energa, excepto el de la agitacin trmica.
Al polarizar en inversa la unin se retiran portadores mayoritarios prximos a la unin
como se indica en Fig. 2. Estos portadores son atrados hacia los contactos aumentando la
anchura de la zona de deplecin. Esto hace que la corriente debido a los portadores
mayoritarios sea nula.

Fig. 2

El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol transistor de efecto de campo
de unin) es un dispositivo electrnico de dos uniones. En Fig. 3 se muestra un transistor
NJFET cuyo nombre se debe a que es tipo JFET y el canal es de tipo N. En el caso que el
canal sea tipo P se llama PJFET.
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Fig. 3


El JFET normalmente se utiliza en configuracin fuente comn con la unin
compuerta-fuente polarizada en inversa cuya corriente de fuga es despreciable de manera
que la compuerta puede ser tratada como un circuito abierto; por lo tanto no se necesitan
curvas caractersticas en la entrada pero si en la salida. El smbolo y las curvas
caractersticas de salida (i
D
vs v
DS
) de un NJFET se muestran en Fig. 2. Observe que para
cada valor de v
GS
se tiene una curva de i
D
vs v
DS




Fig. 4

Para determinar el punto de polarizacin es necesario conocer la curva caracterstica
de I
D
contra v
GS
la cual es llamada curva caracterstica de transferencia y tiene una forma
tpica como se muestra en Fig. 3. En la figura aparecen los trminos V
p0
e I
DSS
lo cual
conviene de una vez definirlo. El V
p0
es el voltaje de pinchoff (de estrangulamiento del
canal) para corriente igual a cero el cual no es otra cosa que el voltaje de compuerta
necesario para cerrar el canal (i.e que la corriente en el drenaje sea cero) e I
DSS
la cual es la
corriente de drenaje cuando v
GS
=0. Lo anterior se puede resumir en trminos matemticos
como se indica en (1).
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i

= I
SS
_1 +

GS
v
p0
]
2
(1)



Fig. 5

Regresando a las curvas caractersticas del dispositivo se encuentra que la corriente
aumenta linealmente conforme se aumenta el voltaje del drenaje con respecto a la fuente
(por esta razn se tiene que la corriente tiene un comportamiento hmico o lineal resistivo),
posteriormente se curva y luego permanece invariante a los cambios en el voltaje v
DS
.

La ltima definicin bsica es el llamando voltaje de pinchoff (no confundir con el
voltaje de pinchoff para corriente cero) que es el voltaje del drenaje con respecto a la fuente
V
p
en el cual pinchoff ocurre y que se relaciona con v
GS
y V
p0
de la siguiente manera:

I
p
= I
p0
+:
uS
(2)

En Fig. 6 se pone nuevamente las curvas de Fig. 2 y se indican los trminos
mencionados en los dos prrafos anteriores. En esta figura se puede ver que el voltaje de
pinchoff para corriente igual a cero es aproximadamente v
GS
=v
p0
=-5V ya que para ese
voltaje no hay corriente. En la figura los puntos rojos (se obtienen de la ecuacin (2))
muestran los limites de la regin hmica.

Fig. 6

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I.1 RECTAS DE POLARIZACION Y RECTAS DE CARGA

En Fig. 7 (a) se muestra un transistor JFET en fuente comn con sus redes de polarizacin
de dc. En Fig. 7 (b) se muestra el circuito equivalente donde la fuente V
GG
y R
G
se obtienen
del equivalente de Thevenin.


(a) (b)
Fig. 7

Si se analiza la malla que contiene a R
G
, R
S
y V
GG
se tiene

I
uu
= :
uS
+i

R
S

De donde se tiene
i

= -

GS
R
S
+
v
GG
R
S
(3)

Si ahora, se analiza la malla que contiene a R
D
y a R
S
se tiene
I

= i

+I
S
+i

R
S
= i

(R
S
+ R

) +I
S

De donde se tiene
i

= -
v
DS
R
S
+R
D
+
v
DD
R
S
+R
D
(4)


Si se grafica la recta de i
D
contra v
GS
en la misma grafica de la curva caracterstica
de transferencia y la recta de i
D
contra v
DS
en la misma grafica de la curva caracterstica del
transistor i
D
contra v
DS
entonces se obtiene el punto de operacin como se muestra en Fig.
8.
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Fig. 8

Es importante mencionar que (3) es conocida como la ecuacin de la recta de polarizacin
y (4) la ecuacin de la recta de carga y ambas permiten obtener las variables de operacin
I
DQ
, V
GSQ
y V
DSQ
.


II. TRANSISTOR MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO

El transistor de efecto de campo MOS, tambin denominado MOSFET (iniciales inglesas
de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), es un dispositivo de tres terminales
denominados drenaje (D, del ingls Drain), compuerta (G, del ingls Gate) y fuente (S, del
ingls Source).

En la Figura 9 se muestra la estructura y el smbolo para un transistor MOSFET de
canal tipo N. El MOSFET de canal N est colocado sobre un sustrato semiconductor tipo P
con dos tiras de material tipo n altamente dopados formando una unin NP y una unin PN.
Sobre las tiras tipo N se colocan los electrodos llamados de fuente y drenaje denotados por
S y D respectivamente. Sobre el sustrato, entre la fuente y drenaje, se coloca una capa de
material aislante y sobre de esta capa un electrodo llamado compuerta. El sustrato y las
barras de drenaje y fuente pueden ser de silicio mientras que la capa aisladora puede ser de
oxido de silicio.


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Figura 9

El MOSFET trabaja por el efecto de un campo elctrico. Cuando se aplica un campo
elctrico sobre la compuerta los portadores del sustrato tipo p (huecos) sern repelidos en la
regin que est abajo de la compuerta. Adems como el voltaje de la compuerta es positivo
entonces los electrones de los terminales adyacentes son atradas hacia abajo de la
compuerta quedando dicha regin cargada negativamente i.e. formando un canal de tipo N.
El voltaje mnimo para producir conduccin se llama voltaje de umbral y se denota como v
T
(arriba de este voltaje abra conduccin). Adems, si se aplica un potencial positivo al
drenaje entonces los electrones sern atrados por el drenaje y comenzaran a fluir de la
fuente al drenaje lo cual se manifiesta como una corriente de drenaje a fuente y que se
denota como I
DS
y que se ilustra en la Figura 10. Por lo tanto la corriente I
DS
es controlada
por el voltaje aplicado a la compuerta.

Figura 10

Este transistor tiene, de hecho, un cuarto terminal (B, del ingls Bulk) conectado al
sustrato, al que suele aplicrsele una tensin fija.


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II.1 CURVAS CARACTERISTICAS DE TRANSISTORES NMOS DE
ENRIQUECIMIENTO.

Igual que para el caso del FET el MOS tiene dos tipos de graficas: I
DS
Vs V
GS
e I
DS
Vs
V
DS
. En Fig. 11 se muestra la curva I
DS
Vs V
GS
y las curvas I
DS
Vs V
DS
. Se puede ver que
las curvas es muy similar a la del JFET.


Fig. 11