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Nanotubos de Nitruro de Boro:

Introduccin y descripcin general Los nanotubos de nitruro de boro son una estructura nanomaterial en forma de tubo muy similar a los nanotubos de carbono donde los tomos de carbono son sustituidos por tomos alternos de nitrgeno y boro. Tanto los nanotubos de carbono y los de nitruro de boro presentan unas propiedades y una sntesis qumica muy parecida debido a que sus molculas de origen (parent molecule) presentan una estructura hexagonal con unas distancias de celdilla muy parecidas como se puede observar en la siguiente figura1 1:

Los nanotubos de BN (de ahora en adelante se denotarn con BNNT) fueron predichos ya tericamente en 1994 por Rubio, Corkill y Cohen basados en que sus propiedades y su estructura molecular era muy similar a la del carbono2. Posteriormente fueron sintetizados exitosamente en 1995 mediante una descarga elctrica de plasma en una varilla de Tungsteno y BN y un electrodo de cobre3. Primeramente fueron sintetizados solamente nanotubos de una sola capa (single-walled). Ms recientemente han podido ser sintetizados nanotubos de doble y triple capa. Sus propiedades mecnicas a altas temperaturas y especialmente sus propiedades elctricas hacen de l un material con una enorme proyeccin de futuro.

Ishigami M. et al. <Properties of Boron Nitride Nanotubes>. Physics Department, University of California at Berkeley. 2003 2 Angel Rubio. et al. <Theory of graphitic boron nitride nanotubes> Department of Physics, University of California at Berkeley, Berkeley, California. 1994 3 Nasreen G. Chopra et al. <Boron Nitride Nanotubes> Publicado en la revista Science en 1995.

En la figura 2 se pueden observar BNNT observados por un microscopio electrnico de barrido:

Figura 2: Imagen de Nanotubos de BN obtenidos por un microscopio electrnico de barrido por el departamento de nanomateriales de la Universidad Nacional de Australia.

Sntesis Los BNNT se sintetizan qumicamente de forma muy parecida a la sntesis ya muy desarrollada de los nanotubos de carbono. Bsicamente se distinguen 4 maneras de producirlos: Descarga de arco Una manera de producir nanotubos (de hecho fue con la que se descubrieron experimentalmente los BNNT) de C y de BN es usando una gran descarga elctrica (formando un arco voltaico) entre dos electrodos. En el caso de los BNNT se realiza la sntesis mediante una descarga elctrica de unos 100 amperios en una atmsfera inerte utilizando un nodo de cobre y un ctodo de tungsteno o tantal lleno de BN. En el ctodo se forman entonces los BNNT. Es muy importante destacar que este proceso sucede a temperaturas muy elevadas (del orden de 3000 C) y por lo tanto no resulta viable para su produccin a gran escala.4 Ablacin Laser Este mtodo fue desarrollado por el Dr. Smalley de la universidad de Rice en 1995.5 Est mtodo de produccin consiste en hacer evaporar BN en forma de polvo aplicando un haz lser de alta intensidad en una atmsfera inerte (N2) a alta temperatura (1200 C) y alta

S. Riikonen et al. <Computational study of boron nitride nanotube synthesis> University of Helsinki (2009) 5 R.E. Smalley <Catalytic growth of single-walled nanotubes by laser vaporization> University of Rice 1995.

presin (5-15 GPa) y luego precipitndolos en una superficie fra. Normalmente se aaden catalizadores tales como nquel o cobalto para obtener BNNT ms largos y de mejor calidad.6,7 Molida con bolas y recocido (Ball milling and annealing) Est mtodo no esta aceptado totalmente en la comunidad cientfica y se basa en recocer en una atmsfera muy rica en N i N2 un fino polvo de otro nanomaterial de BN como por ejemplo h-BN (lmina de un tomo de espesor de BN) o BN puro en polvo previamente molido con una trituradora de bolas. De esta manera se forman nanotubos de entre 3 i 15 nm de longitud.8 Deposicin qumica de vapor (Chemical vapor deposition) Este mtodo consiste en calentar hasta 700C un sustrato formado por una lmina de catalizadores metlicos (Ni, Co) en la cual se inyecta un gas con altas cantidades de BN y otro gas de procesos (como por ejemplo amonaco o hidrgeno). Estos gases reaccionan y se forman BNNT en la lmina de metal. Este es el mtodo ms utilizado para producir nanotubos a da de hoy debido a su gran capacidad de producir una gran cantidad de nanotubos as como su buena relacin cantidad/precio.

Propiedades
Mecnicas y Trmicas Las propiedades mecnicas de los BNNT se asemejan mucho a las de los nanotubos de carbono y en algunos casos son an mejores. Tiene una gran resistencia a la traccin (13-53 GPa dependiendo de las capas que tenga el nanotubo) y una resistencia elstica muy elevada as como un mdulo de Young elevadsimo (1,18 TPa-1,22TPa)9,10 mucho ms elevado que el de cualquier otra fibra (Kevlar=112 GPa), eso es debido a su baja proporcin de defectos cristalinos en toda su estructura. Para realizar esta medida se utilizaron diversos mtodos y el ms destacable fue la medicin de la amplitud de las vibraciones de un nanotubo excitado trmicamente. Se utiliz un proceso similar al recogido en la Norma ISO 12680-1:200511 pero
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S. Riikonen et al. <Computational study of boron nitride nanotube synthesis> University of Helsinki (2009) 7 D. Golberg et al. <Nanotubes in boron nitride laser heated at high pressure > National Institute for Research in Inorganic Materials, Japan
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S. Riikonen et al. <Computational study of boron nitride nanotube synthesis> University of Helsinki (2009) 9 Ishigami M. et al. <Properties of Boron Nitride Nanotubes>. Physics Department, University of California at Berkeley. 2003 10 N. G. Chopra, A. Zettl <Measurement of the elastic modulus of a multi-wall boron nitride nanotube> Department of Physics, University of California 1998 11 <http://www.iso.org/iso/iso_catalogue/catalogue_tc/catalogue_detail.htm?csnumber=37670 >

aplicado a nanotubos en vez de a barras. Es muy destacable tambin la resistencia qumica y la estabilidad de sus propiedades mecnicas que tienen los NNTB respecto a los nanotubos de carbono. Mientras que estos ltimos son estables hasta los 350-400 C, los BNNT resisten hasta los 800 C en el aire. Esta propiedad lo hace que sea un material idneo en las situaciones dnde se necesiten altas propiedades mecnicas a alta temperatura. Tambin es destacable una alta conductividad trmica aunque menor que la de los nanotubos de carbono (600 W/mK frente a ms de 3000 W/mK).12 Recientemente, en el 2006, se descubri que la adiccin del istopo B10 en los tomos del nanotubo o la sntesis de nanotubos utilizando BN muy enriquecido con istopos B10 aumentaban mucho sus propiedades de proteccin frente a la radiacin13. Esa modificacin le da unas propiedades muy necesarias en la industria aeronutica y sern comentadas posteriormente en el apartado correspondiente. Elctricas Si hablando de las propiedades mecnicas se ha destacado una similitud entre los nanotubos de carbono i los BNNT, en las propiedades elctricas sucede todo lo contrario. La gran diferencia radica en que mientras los nanotubos de carbono presentan un comportamiento metlico o semiconductor con un ancho de banda relativamente pequeo dependiendo de la direccin en que se analice su comportamiento, los BNNT presentan un comportamiento de semiconductor con un ancho de banda de unos 5,5 eV en todos los casos. Esta propiedad se debe al apilamiento entre capas. Las capas de h-BN (la equivalencia del grafeno en el BN) estn superpuestas de forma que los tomos de B tienen en la capa de encima y de debajo un tomo de N y viceversa. Si observamos su estructura hexagonal y la comparamos con la del carbono (VEAS figura 1) se puede observar con las capas hexagonales de BN estn apiladas exactamente una sobre la otra en forma de una columna mientras que en el carbono estn superpuestas aleatoriamente14. Tericamente se ha calculado las bandas elctricas de una capa de BN y de carbono. En la figura 315 podemos observar el ancho de banda del h-BN que es del orden de 4,5 eV as como el comportamiento conductor del grafeno debido a sus lneas que se cruzan. Posteriormente se ha investigado el ancho de banda experimental del BNNT16 y se ha descubierto que es del

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Ishigami M. et al. <Properties of Boron Nitride Nanotubes>. Physics Department, University of California at Berkeley. 2003 13 10 Y. C. Jun Yu, R. G. Elliman, M. Petravic <Isotopically Enriched BN Nanotubes> 2006 14 Ishigami M. et al. <Properties of Boron Nitride Nanotubes>. Physics Department, University of California at Berkeley. 2003 15 Kim, Yong-Hyun, Chang, K. J., and Louie, S. G., Physical Review B 63, 205408 (2001) 16 Zunger, A., Katzir, A., and Halperin, A., Physical Review B 13 5560-73 (1976).

orden de unos 5,8 eV. Un poco mayor que el calculado tericamente.

Figura 3: Comparacin de la banda elctrica terica de una nica capa de a) carbono y b) h-BN

As pues, este ancho de banda tan grande hace que se comporte como un gran aislante elctrico hasta corrientes de valor muy alto propiedad muy til en diversas industrias entre ellas la aeronutica. Finalmente adjuntamos una tabla17 que resume las propiedades de los BNNT y los comparamos con los nanotubos de carbono. Nanotubos de Carbono Propiedades elctricas Mdulo de Young Conductividad Trmica Resistencia Trmica y Qumica Metlico o semiconductor 1.33 TPa Ms de 3000 W/mK Estable hasta 400 C BNNT Semiconductor hasta 5 eV 1.18 TPa 600 W/mK Estable hasta 800 C en aire

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Ishigami M. et al. <Properties of Boron Nitride Nanotubes>. Physics Department, University of California at Berkeley. 2003