TRABAJO COLABORATIVO 2

FISICA DE SEMICONDUCTORES GRUPO 299002- 2

ESTUDIANTE DIEGO ANTONIO CARDENAS CDIGO 1019004092

TUTOR ORLANDO HARKER

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD BOGOTA JULIO 2013

INTRODUCCION En este trabajo se podr encontrar una breve historia de los transistores y los diodos, nos podremos dar cuenta como estn conformados y que aplicaciones tienen, como fueron creados y para qu sirven, y sus respectivos propsitos. Ser posible entender sus aplicaciones y sus diferentes tipos

DIODOS. Historia. En 1873 Frederick Guthrie descubri el principio de operacin de los diodos trmicos. Guhtrie descubri que un electroscopio cargado positivamente podra descargarse al acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de que este lo tocara. No suceda lo mismo con un electroscopio cargado negativamente, reflejando esto que el flujo de corriente era posible solamente en una direccin. Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison re-descubre el principio. A su vez, Edison investigaba porque los filamentos de carbn de las bombillas se quemaban al final del terminal positivo. El haba construido una bombilla con un filamento adicional y una con una lmina metlica dentro de la lmpara, elctricamente aislada del filamento. Cuando uso este dispositivo, el confirm que una corriente flua del filamento incandescente a travs del vaci a la lmina metlica, pero esto solo suceda cuando la lmina estaba conectada positivamente. Edison diseo un circuito que reemplaza la bombilla por un resistor con un voltmetro de DC. Edison obtuvo una patente para este invento en 1884. Aparentemente no tena uso prctico para esa poca. Por lo cual, la patente era probablemente para precaucin, en caso de que alguien encontrara un uso al llamado Efecto Edison. Aproximadamente 20 aos despus, John Ambrose Fleming (cientfico asesor de Marconi Company y antiguo empleado de Edison) se dio cuenta que el efecto Edison podra usarse como un radio detector de precisin. Fleming patent el primer diodo termoinico en Britain el 16 de noviembre de 1904. En 1874 el cientfico alemn Karl Ferdinand Braun descubri la naturaleza de conducir por una sola direccin de los cristales semiconductores. Braun patent el rectificador de cristal en 1899. Los rectificadores de xido de cobre y selenio fueron desarrollados para aplicaciones de alta potencia en la dcada de los 1930. El cientfico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal semiconductor para detectar ondas de radio en 1894. El detector de cristal semiconductor fue desarrollado en un dispositivo prctico para la recepcin deseales inalmbricas por Greenleaf Whittier Pickard, quin invent un detector de cristal de silicio en 1903 y recibi una patente de ello el 20 de noviembre de 2006. Otros experimentos probaron con gran variedad de sustancias, de las cuales se us ampliamente el mineral galena. Otras sustancias ofrecieron un rendimiento ligeramente mayor, pero el galena fue el que ms se us porque tena la ventaja de ser barato y fcil de obtener. Al principio de la era del radio, el detector de cristal semiconductor consista de un cable ajustable (el muy nombrado bigote de gato) el cual se poda mover manualmente a travs del cristal para as obtener una seal ptima. Este dispositivo problemtico fue rpidamente superado por los diodos termoinicos, aunque el detector de cristal semiconductor volvi a usarse frecuentemente con la llegada de los econmicos diodos de germanio en la dcada de 1950.

DEFICIONES Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un nico sentido; en el sentido contrario no lo permite. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir laparte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir unacorriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento esta basado en los experimentos de Lee De Forest.

Diodo pn o Unin pn Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p y n, por lo que tambin reciben la denominacin n deunin pn. Que destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en cada cristal, el nmero de electrones y protones es el mismo, lo que podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, sonneutros. (Su carga neta es 0).

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (J). Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como zona decarga espacia l, de agotamiento, de deplexin, de vaciado, etc. A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la

unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolosEste campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio. La curva caracterstica del diodo Analizamos de la misma forma el diodo:

Se le van dando distintos valores a la pila y se miden las tensiones y corrientes por el diodo, tanto en directa como en inversa (variando la polarizacin de la pila). Y as obtenemos una tabla que al ponerla de forma grfica sale algo as

El diodo como dispositivo no lineal Esta es la curva caracterstica del diodo (un diodo se comporta de esa forma). Como no es una lnea recta, al diodo se le llama "Elemento No Lineal" "Dispositivo No Lineal", y este es el gran problema de los diodos, que es muydifcil trabajar en las mallas con ellos debido a que sus ecuaciones sonbastante complicadas. La ecuacin matemtica de esta curva es:

En directa, a partir de 0.7 V la corriente aumenta mucho, conduce mucho el diodo y las corrientes son muy grandes. Debido a estas corrientes grandes el diodo podra romperse, por eso hay que tener cuidado con eso (como mximo se tomar 0.8 V 0.9 V). En inversa tenemos corrientes negativas y pequeas. A partir de -1 V se puede despreciar la y queda aproximadamente I = -IS, que es muy pequea aunque no se ha tenido en cuenta la corriente de fugas, con ella sera I = -( IS + If ) A partir de -1 V si no hubiera If tendramos una corriente pequea y horizontal pero como hay fugas que son proporcionales a la tensin inversa, bajando poco a poco

Si sigo aumentando la tensin inversa puede ocurrir la ruptura a la tensin de ruptura, en este ejemplo a V R = -50 V aparece la avalancha y ya la ecuacin no vale, es otra distinta

Y aqu el diodo se destruye a no ser que sea uno preparado (un diodo zener). Al punto en el que se vence la barrera de potencial se le llama codo. La "Barrera de Potencial" "Tensin Umbral" es el comienzo del codo, a partir de ah conduce mucho el diodo en directa. La zona directa En la zona directa tenemos dos caractersticas importantes: Hay que vencer la barrera de potencial (superar la tensin umbral Vd) para que conduzca bien en polarizacin directa (zona directa). Aparece una resistencia interna (el diodo se comporta aproximadamente como una resistencia. Tensin Umbral Como ya se ha dicho antes es el valor de la tensin a partir del cual el diodo conduce mucho. A partir de la Tensin Umbral Barrera de Potencial la intensidad aumenta mucho variando muy poco el valor de la tensin

Resistencia Interna A partir de la tensin umbral se puede aproximar, esto es, se puede decir que se comporta como una resistencia.

La zona n tiene una resistencia y la zona p otra resistencia diferente:

EJEMPLO: 1N4001 rp= 0.13 W rn = 0.1W La resistencia interna es la suma de la resistencia en la zona n y la resistencia en la zona p.

Y la pendiente de esa recta ser el inverso de esta resistencia interna.

Como la resistencia interna es pequea, la pendiente es muy grande, con loque es casi una vertical, esto es, conduce mucho. Resumiendo hemos visto que tenemos

Mxima corriente contina en polarizacin directa Es el mayor valor de corriente permitido en la caracterstica del diodo:

EJEMPLO: 1N4001 IFmx = 1 A (F = forward (directa)) Resistencia para limitacin de corriente En circuitos como el de la figura, hay que poner una resistencia porque sino el diodo se estropeara fcilmente.

Esto se ve dndole valores a la pila, y viendo las intensidades que salen, que a partir de 0.7 V (suponiendo que el diodo es de silicio) aumentan mucho como se ve claramente en la grfica de la caracterstica del diodo.

Entonces se pone una resistencia para limitar esa corriente que pasa por el diodo, como se ve en la figura:

Se calcula la resistencia para limitar la corriente, para que no aumente a partir

de 1 A por ejemplo.

Disipacin mxima de potencia La mxima corriente y la mxima potencia estn relacionadas. Como ocurre con una resistencia, un diodo tiene una limitacin de potencia que indica cuanta potencia puede disipar el diodo sin peligro de acortar su vida ni degradar sus propiedades. Con corriente continua, el producto de la tensin en el diodo y la corriente en el diodo es igual a la potencia disipada por ste. Normalmente en diodos rectificadores no se suele emplear la limitacin mxima de potencia, ya que toda la informacin acerca de la destruccin del diodo (por calor) ya est contenida en el lmite mximo de corriente. EJEMPLO: 1N4001 En la hoja de caractersticas indica una corriente mxima con polarizacin directa Io de 1 A. Siempre que la corriente mxima con polarizacin directa sea menor que 1 A, el diodo no se quemar

La potencia que se disipa en el diodo en forma de calor. Como ya se ha dicho no se debe pasar de ese valor de potencia.

La zona inversa En polarizacin inversa tenamos un corriente que estaba formada por la suma de los valores de la corriente IS y la corriente de fugas If:

Hay que tener cuidado, no hay que llegar a V R porque el diodo se rompe por avalancha (excepto si es un Zener).

Polarizacin directa Si el terminal positivo de la fuente est conectado al material tipo p y el terminal negativo de la fuente est conectado al material tipo n, diremos que estamos en "Polarizacin Directa". La conexin en polarizacin directa tendra esta forma:

En este caso tenemos una corriente que circula con facilidad, debido a que la fuente obliga a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unin. Al moverse los electrones libres hacia la unin, se crean iones positivos en el extremo derecho de la unin que atraern a los electrones hacia el cristal desde el circuito externo. As los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir hacia el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo tomaremos siempre contrario al del electrn.

Lo que le sucede al electrn: Tras abandonar el terminal negativo de la fuente entra por el extremo derecho del cristal. Se desplaza a travs de la zona n como electrn libre. En la unin se recombina con un hueco y se convierte en electrn de valencia. Se desplaza a travs de la zona p como electrn de valencia. Tras abandonar el extremo izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la fuente.

TIPOS DE DIODOS El diodo es el dispositivo electrnico ms simple. Es un semiconductor de dos terminales (nodo y Ctodo) que ofrece una baja resistencia del orden de los m3 en una polarizacin y del orden de los G3 en la otra. Esto lo convierte en un componente adecuado como rectificador. El diodo exhibe una relacin no lineal entre la tensin entre sus terminales y lacorriente que circula por l. En el anlisis de circuitos con diodos, se puedenrealizar algunas aproximaciones que faciliten la resolucin del sistema. Se estudian tambin algunos diodos de uso especial, como son los zener, LED, fotodiodos y Schottky. Los diodos permiten desarrollar circuitos con distintas aplicaciones, destacando la rectificacin, en cualquiera de sus variantes. El diodo es un dispositivo de dos terminales que, en una situacin ideal, se comporta como un interruptor comn con la condicin especial de que solo puede conducir en una direccin. Tiene un estado encendido, el que en teora parece ser simplemente un circuito cerrado entre sus terminales, y un estado apagado, en el que sus caractersticas terminales son similares a las de un circuito abierto. Cuando el voltaje tiene valores positivos de VD (VD > 0 V) el diodo se encuentra en el estado de circuito cerrado (R= 0 ) y la corriente que circula a travs de este, est limitada por la red en la que este instalado el dispositivo. Para la polaridad opuesta (VD < 0 V), el diodo se encuentra en el estado de circuito abierto (R= ) e ID = 0 mA. La siguiente figura nos muestra los dos estados del diodo y su smbolo con el que se representa. El diodo ideal presenta la propiedad de ser unidireccional, esto es, si se aplica un voltaje con polaridad determinada, el diodo permite el flujo de corriente con resistencia despreciable y con un voltaje de polaridad opuesta no permitir el paso de corriente. En la construccin del diodo semiconductor. Se colocan dos materiales semiconductores con contenido de carga opuesta uno al lado del otro. Un material es semiconductor como silicio o germanio excesivamente cargado de partculas negativas (electrones). El otro material es del mismo tipo semiconductor con la diferencia de que este tiene la ausencia de cargas negativas. Cuando se aplica un voltaje de paralizacin directa (voltaje de corriente directa) la regin inica en la unin se reduce y los portadores negativos en el material tipo n pueden superar la barrera negativa restante iones positivos y continuar su camino hasta el potencial aplicado. Las caractersticas reales del dispositivo no son ideales, y la grafica nos muestra cmo se comporta el diodo con el tipo y cantidad de voltaje suministrado al mismo El hecho de que la grafica sea una curva nos dice que la resistencia del diodo cambia en cada punto diferente de la curva, esto es, mientras ms inclinada sea la curva la resistencia cera menor y tendera a aproximarse al valor ideal de 0 Para analizar mas afondo este cambio de la resistencia veamos lasiguiente figura. Como podemos notar en la grafica se encuentranrepresentados unos deltas de

voltaje y de corriente y esto es porque con la definicin de la pendiente de clculo diferencial podemos encontrar la resistencia en un cierto punto de la curva Resistencia= VD / ID Podemos analizar ms de fondo las caractersticas reales del diodo con la siguiente figura pero hay que notar el cambio de estaca en el eje y que representa la corriente Para ver el grfico seleccione la opcin "Descargar" del men superior La pequea cantidad de corriente que pasa en la polarizacin inversa estn insignificante que no tiene ningn efecto en el circuito adems de ser desentido contrario Existen varios tipos de diodos y veremos los ms importantes, cada uno tiene aplicaciones especficas pero solo nos enfocaremos en su funcionamiento respecto a un voltaje o corriente que tenga paso a travs de ellos. DIODO SCHOTTKY Los diodos schottky estn normalmente formados por metales como el platino y silicio, es decir un diodo schottky surge de la unin de un platino, con silicio de tipo n. Por lo general se utilizan en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad. En estos diodos el platino acta como material aceptador para los electronescuando esta unido al silicio n y as los electrones del silicio se difunden inicialmente en el metal, esta difusin hace que el material tipo n (silicio) se empobrezca de electrones cerca de la unin y por consiguiente que adquiera un potencial positivo que se caracteriza por la falta de electrones. Cuando esta tensin llega a ser suficientemente alta, impide que los electrones se fluyan, y por otra parte cuando se aplica una tensin positiva suficientemente grande entre las terminales, los electrones de la regin n estn sometidos a un potencial positivo en el lado del metal de la unin y surge una circulacin de electrones. Cuando el diodo schottky funciona de modo directo, la corriente es debida a los electrones que se mueven desde el silicio de tipo n a travs del metal, el tiempo de recombinacin es muy pequeo, normalmente del orden de 10 ps. Esto es carios rdenes de magnitud menor que los correspondientes a la utilizacin de diodos de silicio pn es por esto que generalmente se utilizan en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad.

DIODOS ZENER Los diodos zener o tambin llamado diodos de avalancha, son diodos semiconductores de unin pn cuyas propiedades estn controladas en las zonas de polarizacin inversa y por esto son muy tiles en numerosas aplicaciones. La siguiente figura nos muestra el comportamiento de un diodo zener En la parte positiva de la grafica las caractersticas son muy similares a las diodos semiconductores normales, en la parte negativa no se da tal comparacin, en esta parte se presenta una regin en la cual la tensin es casi independiente de la corriente que pasa por el diodo. La tensin zener de cualquier diodo est controlada por la cantidad de dopado aplicada en la fabricacin. El dopado es la suministracin de electrones a un cierto material, estos electrones suministrados alteran las caractersticas qumicas y fsicas del material logran que se comporte de distinta manera. En la mayora de las aplicaciones, los diodos zener trabajan en la regin de polarizacin inversa DIODO EMISOR DE LUZ (LED) Un foto diodo es un dispositivo de dos terminales cuyas caractersticas de corriente en funcin de la iluminacin se parece mucho a las de corriente en funcin de voltaje de un diodo de unin pn. La conversin de energa de un fotodiodo se invierte en los diodos emisores de luz o LED por sus siglas en ingles "Light-emitting diodes" que se emplean por lo general en pantallas de visualizacin de algunos aparatos. En el proceso de electroluminiscencia, se emite una luz radiante a una intensidad que depende de la corriente que circula por el dispositivo, en la siguiente figura se muestra esa relacin o dependencia de la corriente con la intensidad luminosa. Como he expuesto en esta investigacin los diodos son dispositivos con ciertas caractersticas que lo son ajenas a todos los dems dispositivos electrnicos. Sabiendo aprovechar estas caractersticas se puede llegar a resultados muy satisfactorios y provechosos. TRANSISTORES. El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. En diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o trodo. El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero no se encontr una aplicacin til ni se dispona de la tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente. Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los ltimos, la corriente entre el surtidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo elctrico establecido en el canal. Por ltimo, apareci el MOSFET

(transistor FET de tipo Metal-xido-Semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseo extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (CI). Hoy la mayora de los circuitos se construyen con tecnologa CMOS. La tecnologa CMOS (Complementary MOS MOS Complementario) es un diseo con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga. El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta o reja de control (graduador) y grada la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, porefecto de la tensin aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo elctrico presente en el canal el responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) ser funcin amplificada de la Tensin presente entre la Compuerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es anlogo al del trodo, con la salvedad que en el trodo los equivalentes a Compuerta, Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa y Ctodo. Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integracin a gran escala disponible hoy en da, para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por centmetro cuadrado y en varias capas superpuestas.

TIPOS DE TRANSISTORES Transistor de contacto puntual. Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido. Transistor de unin bipolar. El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P). La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector). El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin. Transistor de unin unipolar o de efecto de campo. El transistor de unin unipolar, tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin

positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal. El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada. Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa MetalxidoSemiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separadadel canal semiconductor por una capa de xido. Fototransistor Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn).Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (Modo de iluminacin).

Transistor de aleacin El transistor de aleacin es uno de los primeros transistores de unin, fabricado a partir de germanio fundido. El CK722 de Raytheon es un transistor de aleacin. Posteriormente, tambin se fabricaron transistores de aleacin de silicio. El procedimiento de fabricacin se deriva directamente del mtodo de Czochralski para obtencin de monocristales. Se diferencia en que, a medida que el monocristal va creciendo se introducen impurezas donantes en el crisol para convertir el germanio tipo p en tipo n para la base. Cuando se tiene el grosor de base necesario, se aaden ms impurezas aceptoras para volver nuevamente a germanio tipo p. El monocristal as obtenido se corta, primero en rodajas perpendiculares al plano de la base, y despus cada una de estas rodajas para formar los transistores individuales. La ventaja de este mtodo es que permita crear regiones de base muy delgadas. Como es la concentracin de impurezas la que define le regin de base, la eleccin del dopante es vital y no debe difundirse en el germanio, ya que este efecto cortocircuita la base inutilizando el transistor. Por ello los primeros modelos tenan una base gruesa.

Transistor de unin bipolar. El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones: Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor. La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad. Tipos de Transistor de Unin Bipolar NPN NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.

La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. PNP El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias. Regiones operativas del transistor Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados: Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal. Regin inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo. Regin de corte: Un transistor est en corte cuando: Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, este caso se presenta normalmente cuando la corriente es base cero

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: Corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = Ie = Imaxima) En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (Recordar que Ic = * Ib).

CONCLUSION. Se logro entender la funcin de los diodos y los transistores, sus aplicaciones y tipos, adems se logro tener conocimiento de cmo fue hecho los diodos y los transistores, y con qu motivo se crearon, se tiene mejor entendimiento en sus respectivas aplicaciones.

REFERENCIAS. http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/default.htm http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor http://es.scribd.com/doc/2521898/transistor?ref=nf