ELECTRONICA INDUSTRIAL. ING. JORGE MALESIO AGUILAR RONZON. INVESTIGACION 1.

CONCEPTO DE DOPAJE EN SEMICONDUCTORES. En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. Durante el proceso de fabricacin del diodo ambas piezas se someten por separado al proceso de dopado que consistente en aadirle a cada una impurezas diferentes, procedentes de tomos de elementos semiconductores tambin diferentes. Al final del proceso se obtiene una pieza de cristal de siliciopositiva (P) con faltante de electrones en su estructura atmica (lo que produce la aparicin de huecos) y otra pieza negativa (N) con exceso de electrones. Cristal de silicio (Si) puro dopado con otro elemento. Al dopar con otro elemento semiconductor diferente como el galio (Ga), por ejemplo que se le aade como impureza. Observemos el hueco que queda en la rbita externa del galio cuando comparte sus siete electrones con los del silicio. Como se puede observar, todos los tomos de silicio comparten entre s sus electrones para completar as, formando enlaces covalentes, los ocho que requieren todos los tomos en su ltima rbita. Como se puede apreciar tambin, el galio slo puede aportar siete electrones cuando se une a la estructura molecular del silicio; por ese motivo aparece un espacio vaco o hueco a falta del octavo electrn. Ese electrn faltante lo aportar posteriormente la fuente de suministro de energa elctrica, como puede ser una batera, a la que se conecte finalmente el cristal semiconductor. As convertir al cristal de silicio en un semiconductor tipop, con polaridad positiva (P). La segunda pieza de cristal de silicio puro se somete tambin al proceso de dopado, pero esta vez aadiendo impurezas pertenecientes a tomos de otro elemento semiconductor diferente, como antimonio (Sb), por ejemplo. De esa forma se convierte en cristal de silicio tipo-n, o sea, con polaridad negativa (N), caracterizada por contener exceso de electrones en la ltima rbita de los tomos de antimonio que se han aadido como impurezas.

NICOLAS GARCIA SANCHEZ. ING. ELECTRICA. 05 DE SEPTIEMBRE DE 2013.

ELECTRONICA INDUSTRIAL. ING. JORGE MALESIO AGUILAR RONZON. INVESTIGACION 1.

Cuando el cristal de silicio (Si) se dopa con antimonio (Sb). Observemos que en la ltima rbita del antimonio aparecen nueve electrones en lugar de ocho, o sea, uno en exceso. Por tanto, en este caso se sobrepasa el nmero total de que se requieren para completar dicha rbita. Ese electrn sobrante podr moverse despus libremente dentro de la estructura atmica del cristal de silicio para conducir la corriente elctrica cuando se conecte una batera u otra fuente suministradora de energa electromotriz.

En resumen, una vez finalizado el proceso de dopado se habrn obtenido dos piezas semiconductoras de cristal de silicio diferentes entre s: una positiva, tipo-p (P) con exceso de huecos y, por tanto, con faltante de electrones, y otra negativa tipo-n (N) con exceso de estos. MATERIALES DOPANTE TIPO P PARA SILICIO (Si) Y GERMANIO (Ge). Los tomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrn. Se dopan con impurezas de elementos del grupo anterior, el Grupo III-A de elementos con 3 electrones de valencia, como el Aluminio (Al), Boro (B), el Indio (In) o el Galio (Ga). Nuevamente, el tomo introducido es neutro, por lo que no modificar la neutralidad elctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en su ltima capa de valencia, aparecer una ligadura rota, que tender a tomar electrones de los tomos prximos, generando finalmente ms huecos que electrones, por lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios. MATERIALES DOPANTE TIPO N PARA SILICIO Y GERMANIO. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsnico (Ar), Antimonio (Sb) y el Fsforo (P). De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad elctrica, ya que el tomo introducido al semiconductor es neutro, pero posee un electrn no ligado. Son del Grupo V-A de elementos con 5 electrones de valencia. Bibliografa: http://www.profisica.cl/comofuncionan/como.php?id=41

NICOLAS GARCIA SANCHEZ. ING. ELECTRICA. 05 DE SEPTIEMBRE DE 2013.