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Philippe ROUX 2005

LES MONTAGES AMPLIFICATEURS FONDAMENTAUX


A TRANSISTORS BIPOLAIRES
1
AMPLIFICATEUR A TRANSISTOR NPN MONTE EN EMETTEUR COMMUN
1 PARTIE : CONCEPTION DU MONTAGE EMETTEUR COMMUN
On considre le montage donn en figure 1 qui reprsente un transistor NPN aliment sous
une tension dalimentation V
CC
de 20V. Ce transistor a t polaris en tension par les rsistances
R
1
et R
2
, de telle manire que son courant de repos de collecteur soit fix 6.5 mA. Sur le schma
est indiqu la valeur du potentiel par rapport la masse de la base, de lmetteur et du collecteur.
R
1
R
1
R
C
R
E
+ V
CC
= +20 V
22 k 2 k
1.8 k
100
I
C repos
I
B repos
B
C
E
7 V
0.65 V
1.25 V
68 A
6.5 mA
Figure 1 : transistor NPN polaris
On dsire obtenir un montage amplificateur dit en metteur commun . Pour cela il est
ncessaire dexciter le montage entre base et masse par un gnrateur sinusodal indpendant de
rsistance interne Rg tel que : e
g
= E
gm
sin (t). La tension de sortie v
s
du montage doit alimenter
une rsistance dutilisation R
u
(figure 2).
R
1
R
1
R
C
R
E
+ V
CC
= +20 V
22 k 2 k
1.8 k
100
B
C
E
0.65 V
e
g
+
-
R
g
C
L1
C
L2
R
U
C
D
0 V
7 V
0 V
1.25V
v
e
v
e
v
s
v
s
v
s
v
s
v
e
v
e
2 k
Figure 2 : Montage amplificateur en metteur commun
2
On doit dans un premier temps rsoudre un problme. En effet, le gnrateur eg dlivre une
tension sinusodale v
e
qui volue autour de zro volt. Cette tension ne peut pas tre applique
directement entre la base et la masse qui doit rester au potentiel de 1.25 V pour que le transistor
reste correctement polaris.
De mme, et pour la mme raison, on ne peut pas connecter directement la rsistance R
u
entre le collecteur et la masse. On doit donc pour rsoudre ce problme, utiliser des condensateurs
de liaisons C
L1
et C
L2
qui se comportent :
En rgime continu comme des circuits ouverts.
En rgime sinusodal comme une impdance de module |Z
CL
| = (.C
L
)
-1
qui sera ngligeable
devant les rsistances du circuit condition de choisir une valeur convenable pour C
L1
et
C
L2
.
On peut aussi mettre en parallle avec la rsistance R
E
une capacit C
D
dite de dcouplage
qui se comporte encore comme un court-circuit pour le rgime sinusodal impos par e
g
.
2 PARTIE : ANALYSE GRAPHIQUE DE LAMPLIFICATION :
DROITE DE CHARGE DYNAMIQUE
On va sintresser aux tensions sinusodales qui sont reprsentes en figure 2 et qui voluent
autour des tensions continues indiques sur cette mme figure. Sachant que la tension continue V
CC
est fixe par principe, ses variations sont nulles. La tension V
CC
se comporte donc pour les variations
comme un court-circuit.
Dessinons dans ces conditions le schma du montage aux variations (figure 3) en tenant
compte du fait que les condensateurs se comportent eux aussi comme des court-circuits.
e
g
+
-
R
g
R
1
//R
2
R
C
//R
u
v
e
v
be
v
ce
v
s
i
b
i
c
Figure 3
Le schma de la figure 3 conduit dfinir la droite de charge dynamique du transistor liant la
variation de la tension v
ce
celle de i
c
. Cette droite est diffrente de la droite de charge statique
(figure 4). En effet :
Elle passe par le point de repos (lorsque eg (t) est nul)
Son coefficient directeur est tel que : V
CE
= - (R
C
//R
u
) I
C
.
3
0,7
0,65
0,6
0,55
0,5
0,45
5
10
15
20
5 10 15 20
200 150 100 50
0
200 150 100 50
Caractristique de transfert Caractristiques de sortie
Caractristique dentre
I
C
en mA
I
B
en A
V
CE
en V
V
BE
en V I
B
en A
I
B
en A
20
40
60
80
100
120
140
160
180
V
CE
= 6.35 V
P
repos
P
repos
= 94
V
CC
0.618 V
6.35 V
6.5 mA
68 A
Droite de charge dynamique
Variations de V
be
Variations de i
c
Variations de V
ce
Saturation
Blocage
Figure 4 : illustration de leffet amplificateur
La figure 4 illustre avec les caractristiques du transistor leffet amplificateur. En effet, la
variation de la tension v
be
(gales v
e
) autour de la tension V
BE repos
de 0.618 V, entrane une
variation du courant de collecteur autour de sa valeur de repos soit 6.5 mA. Compte-tenu de la
droite de charge dynamique, on obtient des variations de la tension v
ce
(gales v
s
) de part et dautre
de sa valeur de repos 6.35 V. La tension sinusodale de sortie v
s
est donc en opposition de phase et
damplitude beaucoup plus grande que celle de v
e
.
Cependant lamplitude de la tension dentre v
e
doit tre faible sous peine de voir apparatre
une distorsion de la tension de sortie v
s
. En effet, si on augmente lamplitude de v
be
, la non-linarit
de la caractristique dentre va produire une tension de sortie non sinusodale.
En rsum, pour tre en rgime linaire, on doit se contenter dappliquer des petites
variations sinusodales lentre du montage.
Dans tous les cas, la tension de sortie v
s
ne peut pas dpasser les deux limites qui
correspondent au blocage et la saturation du transistor.
4
3 PARTIE : SCHEMA EQUIVALENT AU TRANSISTOR NPN (OU PNP) AUX
FREQUENCES MOYENNES ET AUX PETITES VARIATIONS
Si lamplitude de la tension dente v
e
est suffisamment petite (petites variations), le transistor NPN
(ou PNP) peut tre simul par le schma quivalent linaire suivant :
g
m
v
be

ou i
b
B
C
E
i
b
r
ce
r
be
v
be
i
c
Figure 5 : schma quivalent au transistor NPN (ou PNP)
La jonction BE passante, est reprsente par sa rsistance dynamique r
be
Entre collecteur et metteur, leffet transistor est reprsent par un gnrateur de courant
dpendant de v
be
ou de i
b
savoir : [g
m
.v
be
] ou [ .i
b
].
La rsistance r
ce
reprsente la rsistance interne du gnrateur de courant dpendant.
1) Mesure des paramtres sur les caractristiques du transistor.
Les paramtres r
be
, et r
ce
se dterminent graphiquement autour du point de repos :
r
be
(
dV
BE
dI
B
)
P r e p o s
(
dI
C
dI
B
)
VCE
c o n s t a n t
r
ce
(
dV
CE
dI
C
)
IC
c o n s t a n t
2) Calcul des paramtres
Il est plus commode de calculer les paramtres r
be
, g
m
(transconductance) et r
ce
du transistor partir
de la connaissance :
Son courant de repos I
C

repos
(6.5 mA)
Du gain en courant (94)
De sa tension de Early V
A
(- 247 V) :
r
be
U
T
I
C repos
361
g
m
I
C r e p o s
U
T
260mS r
ce
V
A
V
C E r e p o s
I
C r e p o s
39k
5
4 PARTIE : DETERMINATION DES PERFORMANCES DU MONTAGE
AMPLIFICATEUR EMETTEUR COMMUN
Le calcul des performances du montage amplificateur seffectue sur le schma de la figure 6.
Ce schma est obtenu en remplaant dans la figure 3, le transistor par son schma quivalent en
[gm.vbe].
+
R
g
R
1
//R
2
R
C
//R
u
v
e
v
be
v
ce
v
s
i
b
i
c
r
be
r
ce
g
m
v
be
B
E
C
Schma quivalent au transistor
i
g
e
g
-
Figure 6 : schma quivalent aux petites variations du montage complet.
Les rsultats du calcul des performances du montage sont rsums dans le tableau suivant :
Gain en tension en charge: A
V
v
s
v
e
A
V
g
m
.(R
ce
// R
C
// R
u
) 253
Gain en tension vide: A
V0
v
s
v
e
A
V
g
m
.(R
ce
// R
C
) 494
Rsistance dentre vue par (e
g
, R
g
) :
R
e
v
e
i
g
R
1
// R
2
// r
be
296
Rsistance de sortie vue par R
u
* R
s
R
ce
// R
C
1.9k
Gain en puissance A
p
A
P
10l og(A
v
2
R
e
R
u
) 40dB
(*)Mthode de lohmmtre permettant de calculer R
s
:
Court-circuiter e
g
(et non v
e
).
Enlever R
u
et mettre sa place un gnrateur sinusodal u qui dbite un courant i.
Dans ces conditions R
s
est l'expression du rapport u / i.
Compte-tenu des rsultats du tableau, ltage amplificateur prend la forme de synthse suivante :
+
R
g
R
u v
e v
s
B
E
C
Rprsentation synthtique de ltage amplificateur
e
g
-
R
e
A
v0
v
e
+
-
R
s
296
-494 v
e
1.9k
6
5 PARTIE : PERFORMANCES DU MONTAGE AMPLIFICATEUR EN EMETTEUR
COMMUN SANS CAPACITE DE DECOUPLAGE DE LA RESISTANCE DEMETTEUR
Le montage tudi prcdemment est caractris par un gain en tension important.
Cependant, il faut pour cela dcoupler la rsistance dmetteur R
E
par un condensateur de
dcouplage C
d
de forte valeur.
On se propose dtudier maintenant les performances du montage sans la capacit C
d
sachant
que la polarisation est inchange. Le nouveau schma quivalent au montage complet aux petites
variations en ib (plus pratique pour ce montage) est indiqu en figure 7. La rsistance interne r
ce
du transistor est nglige car elle complique inutilement les calculs.
+
R
g
R
1
//R
2
R
C
//R
u
v
e
v
s
i
b
r
be
i
b
B E C
Schma quivalent au transistor
i
g
e
g
-
R
E
(+1) ib
Figure 7
Lanalyse du schma permet de dterminer les expressions des performances du montage :
Rsistance dentre Gain en tension Rsistance de sortie
R
e
v
e
i
g
R
1
// R
2
// r
be
( 1)R
E
1.4 k
A
v
(R
C
// R
u
)
r
be
( 1)R
E
9.6
R
s
= R
C
= 2 k
Ce montage amplificateur en metteur commun avec R
E
prsente des avantages par rapport au
montage o la rsistance R
E
est dcouple par C
d
:
Sa rsistance dentre est plus grande
Dans certaines conditions, son gain en tension ne dpend plus du gain en courant du
transistor. En effet, pour r
be
<< (+1) R
E
), on obtient alors : A
v
R
C
// R
u
R
E
= -10.
7
6 PARTIE : REPONSE EN FREQUENCE DU MONTAGE EMETTEUR COMMUN
Le schma quivalent de la figure 7 a permis de calculer le gain du montage A
v
aux
frquences moyennes (-9.6). Le signe ngatif du gain indique que la tension de sortie v
s
est en
opposition de phase avec la tension dentre v
e
.
Si on fait varier la frquence du gnrateur dexcitation e
g
dans un large domaine de
frquences, le module du gain Av ne sera pas constant. La figure 8 montre alors la courbe de
rponse du montage : A
v
F (f ) . On distingue sur le graphe :
La zone des frquences moyennes o le module du gain est constant (9.6)
Le domaine des basses frquences o le gain est plus faible. Les condensateurs de
liaisons et de dcouplage sont responsables de cette chute du gain.
Le domaine des hautes frquences o le gain chute nouveau. En H.F., le schma
quivalent du transistor prsent en figure 5 doit tre modifi pour tenir compte des
capacits des jonctions.
On dfini alors les deux frquences de coupure du montage f
b
et f
h
qui correspondent aux
frquences pour lesquelles le module du gain aux frquences moyennes est divis par 2.La bande
passante du montage amplificateur f est donn par leur diffrence.
MAG(V(VS)) *REAL(B.P.)*
Frequency (Hz) Rponse en frquence
+0e+000
+2
+4
+6
+8
+10
+1 +10 +100 +1k +10k +100k +1Meg +10Meg
Bande passante F
f
b
= 6 Hz f
h
= 1.6MHz
module de | A
v
| aux frquences moyennes
A
V
2
Figure 8 : courbe de rponse en frquence
8
Dans tout le domaine de frquences, par la prsence de condensateurs, le gain du montage
est un nombre complexe. Aussi le dphasage de la sortie par rapport lentre est fonction de la
frquence comme indiqu en figure 9.
Aux frquences moyennes ce dphasage est gal 180. Il tend vers zro en basses et hautes
frquences.
PH_DEG(V(VS))
Frequency (Hz) Dphasage de vs/ve
-200
-100
+0e+000
+100
+200
+1 +10 +100 +1k +10k +100k +1Meg +10Meg
Figure 9 : dphasage de vs/ve en fonction de la frquence.
+VCC = + 20V
C
L1
C
L2
R
E
R
U
R
g
R
1
R
2
7,10 V
R
C
6.5 mA
68 A
0 V
e
g
+
-
1,25 V
0,65 V
0 V
v
e
v
s
+VCC = + 20V
C
L1
C
L2
R
E
R
U
R
g
R
1
R
2
R
C
6.5 mA
68 A
e
g
+
-
13 V
19.35 V
0 V
0 V
18.75 V
v
e
v
s
g
m
v
be
ou i
b
v
be
B
C
E
i
b
r
ce
r
be
e
g
+
-
R
g
R
1//
R
2
R
E
R
C//
R
u
v
e
v
s
A
v

( R
C
// R
u
)
r
be
+ R
E
( +1)
R
e
R
1
// R
2
// r
be
+ R
E
( +1) [ ] R
e
R
1
// R
2
// r
be
+ R
E
( +1) [ ]
R
s
R
C
Amplificateur E.C transistor NPN
Amplificateur E.C transistor PNP
Schma aux petites variations des deux
montages

TRANSISTOR NPN : AMPLIFICATEUR COLLECTEUR COMMUN
+ V
CC
= + 15 V
R
B
Rg
C1
C
2
E
C
I
C repos
I
B repos
+
9 V
9,6 V
0,6 V
R
E
B
v
e
v
s
+
V
CC

15 V
9 V
0 V
0 V
1
k

5
0

e
g
+
-
R
U
Figure 1
Le schma d'un tage amplificateur transistor mont en collecteur commun, aliment sous une
tension d'alimentation V
CC
de 15 V, est donn en figure 1.Il utilise, T = 25 C, un transistor NPN
au silicium tel que : = 300, V
BE
= 0,6 V, Tension de Early : V
A
= - 200 V
1) On choisit le point de repos du transistor tel que : I
C repos
= 3 mA et V
CE repos
= 6 V.
Calculer la valeur de la rsistance d'metteur R
E
et de polarisation R
B

Sous quelle tension continue sont

charges les capacits C
1
et C
2
?
2) Dessiner le schma quivalent du montage complet pour les petites variations imposes par le
gn-
rateur d'attaque sinusodal (e
g
, R
g
). Les capacits de liaisons C
1
et C
2
ont une impdance
ngligeable la frquence de travail. Choisir le schma en i
b
pour simuler le transistor.
3) Calculer la valeur des paramtres du transistor autour de son point de repos : r
be
, g
m
et r
ce
.
4) Dterminer la rsistance d'entre R
e
du montage vue par le gnrateur d'attaque (e
g
, R
g
).
On rappelle que R
e
= v
e
/ i
g
o i
g
reprsente le courant variable impos par e
g
.
5) Chercher l'expression et calculer le gain en tension en charge : A
v
= v
s
/v
e
.
6) Calculer le gain en puissance A
p
de l'tage en dciBels et son gain en courant A
i
.
7) Chercher l'expression et calculer la rsistance de sortie R
s
du montage vue par la rsistance R
u
.
On rappelle la mthode gnrale permettant de construire le schma permettant le calcul de R
s
:
Court-circuiter e
g
(et non v
e
).
Enlever R
u
et mettre sa place un gnrateur sinusodal u qui dbite un courant i.
Dans ces conditions R
s
est l'expression du rapport u / i.
SOLUTION
1) On se place en rgime continu avec le gnrateur e
g
annul. Les capacits charges sous une
tension continue se comportent alors comme des circuits ouverts.
V
EM
= - V
CE repos
+V
CC
= 9V
V
EM
= R
E
I
Crepos
( avec un de 300, le courant de base est ngligeable ). R
E
= 3 K
V
BM
= V
BE repos
+ V
EM
= 9,6 V I
B repos
= I
C repos
/ = 3 A R
B
= 540 k
Les tensions continues aux bornes des capacits sont indiques sur la figure 1.

2)
+
-
e
g
R
g
R
B
r
be
r
ce
R
E
R
u
R
qui
i
b
i
b
i
g
B E
C
v
e
v
s
(+1) i
b
3) r
be

U
T
I
C repos
2,5 K g
m

I
C repos
U
T
0,12 mS r
ce

V
CE repos
+ V
A
I
C repos
68,7 K
4) On crit lquation au noeud B :
i
g

v
e
R
B
+i
b

i
g
v
e

1
R
B
+
1
v
e
i
b
R
e
R
e
R
B
//
v
e
i
b
On recherche ensuite une relation liant v
e
et i
b
: v
e
r
be
i
b
+ ( + 1) i
b
R
qui

On obtient alors : R
e
R
B
// r
be
+ ( + 1) R
qui
R
e
= 16,7 K
5) La tension de sortie est telle que : v
s
( + 1) i
b
R
qui
. Compte-tenu de lexpression de v
e
prcdente :
A
v

( + 1) R
qui
r
be
+ ( + 1) R
qui
0,855
6) A
P
10 log A
v
2
R
e
R
u
23,9 dB A
i

A
P
A
v
285,6
7)
R
g
R
B
r
be
r
ce
R
E
i
b
i
b
B E
C
+
-
u
i
i
u
En sinspirant de la mthode indique en Q4, applique en amont du noeud E, on obtient :
i
u
R
E
// r
ce
+i' R
s
R
E
// r
ce
//
u
i'
On recherche ensuite une relation entre u et i.
u i
b
(r
be
+ R
g
// R
B
avec i' ( + 1) i
b
entrane :
R
s
R
E
// r
ce
//
R
g
// R
B
+ r
be
+ 1
11,6
ETAGE AMPLIFICATEUR : TRANSISTOR NPN EN BASE COMMUNE
+ V
CC
= + 15 V
M
R
1

R
2
R
E
Rg
C
1
C
2
B
E
C
R
U
C
d
R
C
E
v
e
v
s
1,2 K
1 K
6 K
e
g
+
-
5
0

Le schma d'un tage amplificateur transistor NPN mont en base commune est donn ci-dessus.
Il utilise un transistor NPN au silicium tel que, T = 25C :
= 100, V
BE
0,6 V tension de Early : V
A
= - 100 V
1) Quelle valeur doit-on donner aux rsistances R
1
et R
2
pour polariser correctement le transistor
avec un courant de repos de collecteur I
C
= 4 mA ?
2) Dessiner le schma quivalent au montage complet aux petites variations et aux frquences
moyennes sachant que toutes les capacits ont alors une impdance ngligeable.
On utilisera le schma quivalent en " g
m
v
be
" pour simuler le transistor.
3) Dterminer les paramtres r
be
, g
m
et r
ce
du transistor autour de son point de fonctionnement.
4) Chercher l'expression et calculer les caractristiques essentielles de cet tage amplificateur :
a) Le gain en tension en charge A
v
= v
s
/v
e
et vide A
v0
b) La rsistance d'entre R
e
vue par le gnrateur d'attaque (e
g
, R
g
)
c) La rsistance de sortie R
s
vue par la rsistance d'utilisation R
u
(montrer que R
s
peut se mettre
sous la forme : R
C
//k r
ce
o k est une constante dont on donnera lexpression).
SOLUTION
Question 1 :
+ V
CC
= + 15 V
M
R
1

R
2
R
E
B
E
C
R
C
E
1,2 K
1 K
4V
4,6V
10,2V
10 I
B
= 400 A
4mA
I
B
= 40 A
11.5 k
23.6 k
R
2n
: 10 k
R
1n
: 22 k
Question 2 : schma quivalent au montage complet aux petites variations et aux frquences moyennes
sachant que toutes les capacits ont alors une impdance ngligeable.
RG
RE RC
g
m
vbe
rbe
B
C
E
eg
+
-
// R
u
rce
v
e
v
s

v
be

Question 3 :paramtres du transistor :

r
be

U
T
I
C repos
625 g
m
40 I
C repos
160 mS r
ce

V
A
+V
CE repos
I
C repos
26.5 k
Question 4a :
Equation au noeud C :
v
e
v
s
r
ce
g
m
v
be

v
s
R
c
// R
u
0
sachant que v
be
= -v
e
, on obtient :
A
v
( g
m
+
1
r
ce
) (R
c
// R
u
// r
ce
) soit A
v
= +154
Gain en tension vide (R
u
infinie) : A
v0
= 183.7
Question 4b : Rsistance dentre R
e
vue par le gnrateur dattaque (e
g
,R
g
) :
R
e

v
e
i
g
R
E
// r
be
//
v
e
i

v
e
r
ce
(i+g
m
v
be
)+(R
c
// R
u
) i
RG
RE RC
g
m
vbe
rbe
B
C
E
eg
+
-
// R
u
rce
v
e
v
s

v
be

i
g i i
Sachant que : ve = -vbe, il vient :
v
e
i

r
ce
+(R
c
// R
u
)
1 +g
m
r
ce
soit :
R
e

R
E
// r
be
//
r
ce
+(R
c
// R
u
)
1 +g
m
r
ce
A.N. la rsistance dentre est sensiblement gale (g
m
)
-1
= 6.25 .
Question 4c : Rsistance de sortie vue par R
u
.
Schma du montage selon la mthode de lohmmtre :
R
C
g
m
vbe
r
be
// R
E
//R
G
B
C
E
vbe
u
rce
i
i
u
+
-
i
R
eq
R
s
R
c
//
u
i'
avec : u r
ce
(i' g
m
v
be
)+R
eq
i' et v
be
R
eq
i'
il vient :
R
s
R
c
// k.r
ce
avec : k 1 +g
m
R
eq
+
R
eq
r
ce
A.N. R
s
=1 k // 220 k = 995 .
MONTAGES FONDAMENTAUX TRANSISTOR BIPOLAIRE NPN
R
C
R
E
R
1
R
2
+ V
CC
B
C
eg
+
-
R
G
R
U
Montage metteur commun
R
E
R
1
R
2
+ V
CC
B
eg
+
-
R
G
R
U
E
Montage collecteur commun
R
C
R
E
R
1
R
2
+ V
CC
E
C
R
G
R
U
eg
+
-
Montage base commune
R
e
R
p
// r
be
+ ( +1) R
E
[ ] R
e
R
p
// r
be
+ ( +1)(R
E
// R
U
) [ ]
R
e

1
g
m

r
be
A
v

(r
ce
// R
C
// R
U
)
r
be
+ ( +1)R
E
A
v

( + 1) (r
ce
// R
E
// R
U
)
r
be
+ ( + 1) (r
ce
// R
E
// R
U
)
1 A
v
(g
m
+
1
r
ce
) (r
ce
// R
C
// R
u
)
R
s
R
C
// k' r
ce
avec : k' > 1 R
s
R
E
//
(R
G
// R
p
) + r
be
+1
R
s
R
C
// k r
ce
avec : k >1
La rsistance R
p
reprsente R
1
//R
2
.
Le formulaire est utilisable pour les montages transistors PNP.
Les paramtres du transistor sont tels que : g
m

I
Crepos
U
T
r
be

U
T
I
Crepos
r
ce

V
A
+ V
CE
I
Crepos
La rsistance R
G
peut tre la rsistance de sortie de ltage amont et R
U
la rsistance dentre de ltage aval.
+
-
+ V
CC
R
G
R
C1
R
C2
R
E1
R
E2
C
1
C
d
T
1
T
2
R
U
C
2
v
s
v
e
Schma quivalent
petites variations et frquences moyennes
0
dB
f
f
1
At. (dB)
frquences moyennes
v
s
e
g
f . moy.
dB
+
-
R
G
C
1
v
e
R
U
C
2
v
s A
v0
v
e
+
-
R
e
R
s
f
ce

1
2 (R
G
+ R
e
) C
1
f
cs

1
2 ( R
s
+ R
u
) C
2
CALCUL DES CAPACITES DE LIAISONS
e
g
e
g
Courbe de rponse en frquence du montage complet :
choix de lattnuation par rapport aux frquences moyennes
At(dB) 10.log1+
f
ce
f
1



_
,

2




1
]
1
1
10. log1+
f
cs
f
1



_
,

2




1
]
1
1
e
g
+
-
+ V
CC
R
G
R
C1
R
C2
R
E1
R
E2
C
1
C
d
T
1
T
2
R
U
C
2
v
s
v
e
Schma quivalent
petites variations et frquences moyennes
C
d e
th
+
-
R
th
v
CALCUL DUNE CAPACITE DE DECOUPLAGE
F
dcouplage

e
th
v
e
th
dB
10. log1+
1
.R
th
.C
d
( )
2




_
,


1
.C
d
R
th
10
0.1F
dc
1
+ V
CC
e
g
+
-
R
g
R
1
R
2
C
L1
R
3
R
4
C
D1
R
C2
T
1
T
2
R
u
C
L2
v
e
v
s1 v
s2
emetteur com.
base com.
R
e1
R
1
// R
2
// r
be1
A
V1
g
m1
R
e2
R
e2

1
g
m2
R
s2
R
C2
ASSOCIATION EMETTEUR COMMUN-BASE COMMUNE
(CASCODE)
A
V2
g
m2
R
C2
// R
u
( )
CE = 56 nF CE = 25 nF Sans CE *REAL(BP)*
Frequency (Hz) Large bande-Small Signal AC-8
-5
+0e+000
+5
+10
+15
+20
+25
+30
+1k +3k +10k +32k +100k +316k +1Meg
f
h
= 364 kHz f
h
= 40 kHz f
h
= 512 kHz
AMPLIFICATEUR CASCODE COMPENSE
+ V
CC
= +20 V
e
g
+
-
R
g
C
L1
T
2
T
1
C
E
C
p
10 F
56 nF
25 nF
0 nF
V
Z
6 v
v
e
v
s
1.2 nF
R
1
R
2
R
3
R
E
R
C
Emetteur com.
Base com.
v
s
v
e

g
m
R
C
1 + g
m
R
E



1
]
1

1 + j
E
(1+ j
C
)(1+ j
1
)
C
R
C
C
p

E
R
E
C
E

1

E
1+ g
m
R
E
Courbe de rponse optimale lorsque :
R
C
.C
p
= R
E
C
E
ASSOCIATION EMETTEUR COMMUN - COLLECTEUR COMMUN
On dsire avoir :
Une tension de repos en sortie nulle : V
S
= 0 V
Une rsistance de sortie R
s
fixe
Une rsistance d entre de l tage T
2
k fois plus grande que la rsistance de sortie de T
1
- VEE = -15 V
+ VCC = +15 V
R
C1
R
E1
R
E2
?
I
B2
I
C1
+I
B2
I
C2
0 V
T
1
T
2
R
s
impose
M (0 V)
v
s
R
C1
= R
e2
/ k
0, 6 V
R
s
= R
E2
/ /
R
c1
+ r
be2

R
c1

1
k
r
be2
+ R
E2
r
be2

U
T
I
C2
avec I
C2

V
EE
R
E2
r
be2

U
T
V
EE
R
E2
R
s
R
E2
/ /
R
E2
k
1 + ( k + 1)
U
T
V
EE
ngligeable devant 1
R
E2
( k + 1 ) R
s
Transistor en metteur commun charge active
Dtermination de la rsistance de sortie vue par R
1
+ V
CC
= +15 V
I
ref
T
1
T
2
I
C1
R
1
R
2
C
1
g
m1
v
be1 g
m2
v
be2
r
ce2
//r
be2
//r
be1
//R
2
r
ce1 v
be1
= v
be2
C
1
C
2
B
2
B
1
E
2
E
1
Miroir de courant transistors PNP
u
+
-
i
+ V
CC
= +15 V
I
ref
T
1
T
2
I
C1
R
2
T
3
v
s
v
e
R
B
Schema du montage complet en rgime des petites variations :
la rsistance r
ce1
de T
1
constitue la charge de T
3
R
B
r
ce1
v
e
v
s
R
E
g
m
v
be
ou i
b
v
be
B
C
E
i
b
r
ce
r
be
R
E
i
AMPLIFICATEUR SELECTIF EN EMETTEUR COMMUN
COURBE DE REPONSE EN FREQUENCE
e
g
+
-
R
1
//R
2
r
be
R
g
v
e
v
be
g
m
v
be
R
qui L
C
accord
v
s
R
qui
r
ce
// Q
L
2
. r
Q
L

L
0
r
LC
0
2
1
SCHEMA EN REGIME SINUSOIDAL PETITES VARIATIONS
f
0
v
s
v
e
g
m
R
qui
g
m
R
qui
2
f
f
0
Q
avec: Q
R
qui
L
0
+ V
CC
R
C
+ r
R
1
R
2
R
E
SCHEMA EN REGIME CONTINU
+ V
CC
e
g
+
-
C
L1
C
L2
C
D1
L
r
R
C
R
1
R
2
R
E
C
accord
R
g
v
e
v
s
C
D2
SCHEMA DU MONTAGE