EXPERIMENTO No 1 ANALISIS DE LA CURVA DE RESPUESTA Y ESTUDIO DEL DIODO SEMICONDUCTOR

1. OBJETIVO: Obtener la curva de respuesta del diodo con polarizacin directa e inversa Realizar un anlisis para conocer su comportamiento no lineal con la corriente y la tensin

2. MARCO TEORICO: Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo. Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas termoinicas constituidos por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El invento fue desarrollado en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basndose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison. Aunque el diodo semiconductor de estado slido se populariz antes del diodo termoinico, ambos se desarrollaron al mismo tiempo. En 1873 Frederick Guthrie descubri el principio de operacin de los diodos trmicos. Guhtrie descubri que un electroscopio cargado positivamente podra descargarse al acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de que ste lo tocara. No suceda lo mismo con un electroscopio cargado negativamente, reflejando esto que el flujo de corriente era posible solamente en una direccin. Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison re-descubre el principio. A su vez, Edison investigaba por qu los filamentos de carbn de las bombillas se quemaban al final del terminal positivo. l haba construido una bombilla con un filamento adicional y una con una lmina metlica dentro de la lmpara, elctricamente aislada del filamento. Cuando us este dispositivo, l confirm que una

corriente fluia del filamento incandescente a travs del vaci a la lmina metlica, pero esto slo suceda cuando la lmina estaba conectada positivamente. Edison dise un circuito que reemplaza la bombilla por un resistor con un voltmetro de DC. Edison obtuvo una patente para este invento en 1884. Aparentemente no tena uso prctico para esa poca. Por lo cual, la patente era probablemente para precaucin, en caso de que alguien encontrara un uso al llamado Efecto Edison. 3. DESCRIPCION BASICA. DIODO SEMICONDUCTOR. Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en l para crear una regin que contiene portadores de carga negativa (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una regin en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al flujo de los electrones). Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse una corriente de difusin, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe el nombre de regin de agotamiento. A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.

Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio. La anchura de la regin de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor. Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa. a) POLARIZACION DIRECTA EN UN DIODO Polarizacin directa del diodo PN En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de

tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera. De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final. b) POLARIZACION INVERSA EN UN DIODO Polarizacin inversa del diodo PN

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable. c) CURVA CARACTERIZTICA EN UN DIODO

DONDE: Tensin umbral, de codo o de partida (V ). La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

 Corriente mxima (Imax ). Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo. Corriente inversa de saturacin (Is ). Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura. Corriente superficial de fugas. Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas. Tensin de ruptura (Vr ). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. 4. PARTE EXPERIMENTAL: MATERIALES Fuente de alimentacin regulada. Multimetro digital. Placa de proyectos (Protoboard). Diodo 1N4007. Resistencia de 1 K ohmios watts. Resistencia de 120 ohmios 4 watts. Un potencimetro (resistencia variable) de 50 K ohmios. Cautin o soldador. PROCEDIMIENTO: Identificar el diodo y sus correspondientes terminales (nodo y ctodo). Montar el circuito de la figura.

a. b. c. d. e. f. g. h.

i. j.

k. Ajustar la salida de la fuente en 0 [v] y activar el interruptor. Anotar la lectura del miliampermetro en la tabla 1. l. Variar las tensin de la fuente para conseguir los valores indicados en la tabla 1.1 y anotar los valores correspondientes de IF (corriente directa). m. Abrir el interruptor y ajustar la fuente a 0 [v]. n. Invertir las conexiones del diodo IR (corriente inversa). o. Repetir los puntos 3 y 4 anteriores, anotando los resultados en la tabla 1.2. p. Aumentar por algn medio la temperatura (por ejemplo colocando prximo un soldador sin tocar). q. Repetir los puntos 3 y 7. 5. REGISTRO DE DATOS OBTENIDOS DURANTE LA EXPERIENCIA: POLARIZACION DIRECTA (TABLA 1.1) VOLTAJE DE LA FUENTE [V] 1.72 1.75 1.85 1.92 1.986 2.02 2.15 2.28 2.5 3.13 5.19 8.19 12.0 15.02 VOLTAJE EN EL DIODO [V] 0.603 0.605 0.612 0.616 0.619 0.621 0.628 0.635 0.645 0.670 0.730 0.787 0.838 0.866 CORRIENTE EN EL DIODO [A] 5.23 5.32 5.86 6.16 6.44 6.59 7.17 7.76 8.72 11.62 21.04 34.90 52.6 66.8 RESISTENCIA EN EL DIODO M 1.032 1.032 1.032 1.032 1.032 1.032 1.032 1.032 1.032 1.032 1.032 1.032 1.032 1.032

POLARIZACION INVERSA (TABLA 1.2)

VOLTAJE DE LA FUENTE [V] 1.71 4.10 10.08 15.97 16.19

VOLTAJE EN EL DIODO [V] 1.717 4.09 10.06 15.95 16.16

CORRIENTE EN EL DIODO [A] 0.1 0.3 0.9 1.5 1.6

RESISTENCIA EN EL DIODO M

 POLARIZACION INVERSA CON VARIACION DE TEMPERATURA (TABLA 1.3) VOLTAJE DE LA FUENTE [V] 1.71 4.08 10.08 15.96 16.19 VOLTAJE EN EL DIODO [V] 1.69 4.06 10.28 15.94 16.16 CORRIENTE EN EL DIODO [A] 0.1 0.3 1 1.5 1.6 RESISTENCIA EN EL DIODO M Infinito Infinito Infinito Infinito infinito

6. TRATAMIENTO DE DATOS: Grafica polarizacin directa. I-V del Diodo Polarizacion directa
80 70 Corrinte [mA] 60 50 40 30 20 10 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 Voltaje [v]

Grafica polarizacin inversa.

I-V del Diodo Polarizacion inversa

1.2 1 Corrinte [uA] 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 Voltaje [v] es afectado por temperatura Grafica polarizacin inversa cuando el diodo

 Grafica polarizacin inversa afectada con variacin de temperatura

I-V del Diodo Polarizacion inversa

1.2 1 Corrinte [uA] 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 0.5 1 Voltaje [v] 1.5 2 2.5

7. INTERPRETACION DE RESULTADOS: Grafica 1. Relacin I (corriente) V (voltaje) del diodo con polarizacin directa. En la grafica se muestra el intervalo en el cual el diodo polarizado directamente vence el voltaje de ruptura 0.6 [v] y deja de comportarse como un circuito abierto para comenzar a conducir corriente. Grafica 1. Relacin I (corriente) V (voltaje) del diodo con polarizacin directa. En esta grafica se observa el comportamiento del diodo mientras aumenta internamente la zona de deplexion lo que hace que el diodo no conduzca electricidad y por ende se observa directamente como una constante en el tiempo de cero 8. CONCLUSIONES: De acuerdo a la experiencia realizada se coloco en funcionamiento el diodo como elemento fundamental de la electrnica. Se observo el fenmeno de polarizacin directa e inversa y la respuesta del diodo a esa operacin se comprob que el diodo en polarizacin directa una vez superado el valor de ruptura de funcionamiento, este deja circular corriente. Lo cual demuestra el comportamiento del diodo como un switched.

Y se rectifica cuando un diodo normal genera una ampliacin de la regin de agotamiento lo cual produce un flujo nulo de portadores mayoritarios lo cual se visualiza en la no conduccin de corriente con polarizacin inversa. A pesar que se utilizo variacin de temperatura usando un Cautin el cual no pudimos saber a qu temperatura se encontraba pero era relativamente alta ya que no podamos acercarnos demasiado con las manos. Aun as el diodo no respondi variacin alguna mostrando que pudiera permitir el paso de corriente como lo muestra la grafica 3 este permaneci de igual manera antes y despus de el uso de temperatura el diodo respondi bastante bien ya que a pesar que subimos el voltaje al nivel mximo se nuestra fuente este tampoco se quemo siempre nos entregaba los valores previstos por la teora. Un detalle a considerar en el experimento fue que a pesar que nosotros intentamos regular la fuente de voltaje esta no se pona en cero por eso que en todas nuestras mediciones empezamos de un valor distinto cercano al cero pero no cero de todas manera como se demostr en la grafica 1 los datos representaron la curva esperada. 9. TEMA DE INVESTIGACION: 1. Cul es la finalidad de dopar un semiconductor puro? R.- En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado, que acta ms como un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado. 2. Porque es perjudicial el aumento de la temperatura en los semiconductores? R.- Los mecanismos fsicos relacionados con la accin bsica del transistor son sensibles a la temperatura. Si la polarizacin no se compensa con funcin de la temperatura, el transistor puede desarrollar una condicin regenerativa, conocida como embalamiento trmico, en la cual la concentracin de portadores generados trmicamente se aproxima a la concentracin de portadores de impureza. Datos experimentales correspondientes al silicio muestran que, a temperaturas de hasta 700K, la concentracin de portadores generados trmicamente, ni, se Determinan con la siguiente forma: ni=3,87 x 1016 x T x (3/2) exp (-1,21/2kT).

Cuando esta condicin se hace extrema, cesa le accin del transistor, la tensin colecto remisor V CE cae a un valor bajo, mientras que la corriente aumenta y es limitada solamente por el circuito externo. Si no hay limitacin de corriente, su aumento puede fundir el silicio y producir un cortocircuito entre colector y emisor. Esta condicin puede ocurrir como resultado del efecto de la temperatura promedio en una regin grande o en una regin pequea que produce puntos calientes o embalamiento trmico localizado. En cualquiera de los casos, si la temperatura intrnseca de un semiconductor se define como la temperatura a la cual la concentracin de portadores generados trmicamente es igual a la concentracin de impurezas contaminantes, puede establecerse la temperatura mxima absoluta para la accin del transistor. 3. Qu otro nombre recibe la corriente inversa de saturacin? R.- Se le conoce tambin como corriente de fuga. 4. Qu significa las siglas If e Ir? R.- Intensidad directa (If) corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conduccin. Corriente inversa de saturacin (Ir). 5. Por qu debe limitar la If que atraviesa por un diodo? R.- Porque el lmite mximo que este puede soportar debe estar regulado por la corriente que atravesara el mismos as este logre conducir la corriente sin saturarse y evitar su destruccin. 6. Un diodo es un elemento bidireccional? R.- EL diodo ideal se considera unidireccional pero este no es en la vida real del todo as adems. Existen distintos tipos de diodos segn sea el objetivo que vayan a cumplir el diodo DIAC para corriente alterna si en un elemento bidireccional que conduce corriente cuando se a superado la tensin de disparo. 7. Cul es la diferencia entre un diodo y una resistencia variable? R.- Las resistencias impiden el paso de los electrones o varan la cantidad de estos que pueden atravesar a travs de las mismas El diodo solo permite la circulacin d electrones en un solo sentido idealmente.

8. Disear el grafico de las caractersticas tensin-corriente con los valores obtenidos en la tabla 1.1 y 1.2. Tanto para la polarizacin directa como para la polarizacin inversa. R.- Esto esta descrito en el apartado 6 tratamiento de datos. 9. Compare las graficas obtenidas en el laboratorio con las graficas caractersticas del diodo obtenidas de un manual de electrnica. R.- Esto esta descrito en el apartado 7 interpretacion y comparacin de resultados. 10. Cmo podra determinar las terminales de un diodo que no tenga una marca caracterstica? R.- Se puede utilizar un hmetro que al poner en contacto las terminales de manera correcta permitira la continuidad dndonos su valor de resistividad al colocar las terminales de manera opuesta no registrara algn valor. 11. Cmo podra determinar que un diodo est daado? R.- Cuando se quema un diodo se produce una cristalizacin interna de estos componentes provocando q se pierda la juntura y entonces te queda como un conductor. En la prctica con el Tester se verifica en la posicin de continuidad. Un diodo sano te muestra conduccin en un sentido. Es decir con cada punta en cada extremo de una manera te marca algo de continuidad (en digitales es un valor de entre 400 a 800) en analgico se mueve la aguja. De la otra manera no tiene q marcar nada. En un diodo daado son tres las posibilidades. 1. Te marca continuidad pura 2. No te marca nada de ninguna forma. 3. En una posicin te marca correcto el diodo, pero en la otra posicin te marca algo de resistencia. En este ltimo caso se lo denomina diodo con fugas (Producido por el recalentamiento del mismo, en donde se debilito la juntura). 10. BIBLIOGRAFIA: http://electronica.yoreparo.com/electronica/ http://es.wikipedia.org