.

DEFINICIN.

El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn (Figura 2). Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), , conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

Figura 1: Smbolo del SCR.

2.

ESTRUCTURA.

Figura 2 : Estructura bsica del SCR.

3. CURVA CARACTERSTICA Y FUNCIONAMIENTO.

La curva caracterstica del SCR es la representada en el siguiente Applet:

En el Applet se muestra la curva caracterstica tpica de un tiristor SCR, representndose la corriente de nodo (Ia) en funcin de la tensin aplicada entre nodo y ctodo (Vak). Cuando la tensin Vak es nula, tambin lo es la intensidad de corriente Ia. Al aumentar dicha tensin en sentido directo, con corriente de puerta nula, si se supera la tensin Vb0, la transicin de estado OFF a ON deja de ser controlada. Si se desea que el paso al estado "ON" se realice para tensiones Vak inferiores a Vb0, ser necesario dotar al dispositivo de la corriente de puerta (Ig) adecuada para que dicha transicin se realice cuando la intensidad de nodo supere la intensidad de enganche (IL ). Por el contrario, si el dispositivo esta en conduccin, la transicin al estado "OFF" se produce cuando la corriente de nodo caiga por debajo de la intensidad de corriente de mantenimiento (Ih). Tanto para el estado de bloqueo directo, como para el estado de polarizacin inversa, existen unas pequeas corrientes de fugas. Cuando se polariza inversamente se observa una dbil corriente inversa (de fuga) hasta que alcanza el punto de tensin inversa mxima que provoca la destruccin del mismo.

El SCR es, por tanto, un dispositivo conductor solo en el primer cuadrante, en el cual el disparo se provoca por: - tensin suficientemente elevada aplicada entre nodo y ctodo, - intensidad en la puerta. Se puede controlar as la tensin necesaria entre nodo y ctodo para la transicin OFF ON, usando la corriente de puerta adecuada.

4. CARACTERSTICAS GENERALES.

Interruptor casi ideal. Soporta tensiones altas. Amplificador eficaz. Es capaz de controlar grandes potencias. Fcil controlabilidad. Relativa rapidez. Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memoria).

4.1 CARACTERSTICAS ESTTICAS.

Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y son los valores mximos que colocan al elemento en lmite de sus posibilidades: - Tensin inversa de pico de trabajo .............................................: VRWM - Tensin directa de pico repetitiva ...............................................: VDRM - Tensin directa ...........................................................................: VT - Corriente directa media ...............................................................: : ITAV - Corriente directa eficaz .................. ...............................................: ITRMS - Corriente directa de fugas ............................................................: IDRM - Corriente inversa de fugas ............................................................: IRRM

- Corriente de mantenimiento ..........................................................: IH Las caractersticas trmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores son: - Temperatura de la unin ................................................................: Tj - Temperatura de almacenamiento ...................................................: Tstg - Resistencia trmica contenedor-disipador ......................................: Rc-d - Resistencia trmica unin-contenedor ............................................: Rj-c - Resistencia trmica unin-ambiente.................................................: Rj-a - Impedancia trmica unin-contenedor.............................................: Zj-c

4.2

CARACTERSTICAS DE CONTROL.

Corresponden a la regin puerta-ctodo y determinan las propiedades del circuito de mando que responde mejor a las condiciones de disparo. Los fabricantes definen las siguientes caractersticas:

-Tensin directa mx. ....................................................................: VGFM - Tensin inversa mx. ...................................................................: VGRM - Corriente mxima..........................................................................: IGM - Potencia mxima ..........................................................................: PGM - Potencia media ............................................................................. .: PGAV - Tensin puerta-ctodo para el encendido......................................: VGT - Tensin residual mxima que no enciende ningn elemento.............: VGNT - Corriente de puerta para el encendido ...........................................: IGT - Corriente residual mxima que no enciende ningn elemento............: IGNT

Entre los anteriores destacan: - VGT e IGT , que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor.

- VGNT e IGNT, que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado.

4.2.1

rea de disparo seguro.

En esta rea (Figura 3) se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Las tensiones y corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las curvas: Curva A y B: lmite superior e inferior de la tensin puerta-ctodo en funcin de la corriente positiva de puerta, para una corriente nula de nodo. Curva C: tensin directa de pico admisible VGF.

Curva D: hiprbola de la potencia media mxima PGAV que no debemos sobrepasar.

Entre los anteriores destacan: - VGT e IGT , que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor. - VGNT e IGNT, que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado.

4.2.1

rea de disparo seguro.

En esta rea (Figura 3) se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Las tensiones y corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las curvas: Curva A y B: lmite superior e inferior de la tensin puerta-ctodo en funcin de la corriente positiva de puerta, para una corriente nula de nodo. Curva C: tensin directa de pico admisible VGF.

 Curva D: hiprbola de la potencia media mxima PGAV que no debemos sobrepasar.

Figura 3. Curva caractersticas de puerta del tiristor. El diodo puerta (G) - ctodo (K) difiere de un diodo de rectificacin en los siguientes puntos:

Una cada de tensin en sentido directo ms elevada. Mayor dispersin para un mismo tipo de tiristor.

4.3

CARACTERSTICAS 4.3.1 Caractersticas

DINMICAS. dinmicas.

Tensiones transitorias: - Valores de la tensin superpuestos a la seal de la fuente de alimentacin.

Son breves y de gran amplitud. - La tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM) debe estar dentro de esos valores. Impulsos de corriente: - Para cada tiristor se publican curvas que dan la cantidad de ciclos durante los cuales puede tolerarse una corriente de pico dada (Figura 4). - A mayor valor del impuso de corriente, menor es la cantidad de ciclos. - El tiempo mximo de cada impulso est limitado por la temperatura media de la unin.

Figura 4. Curva de limitacin de impulsos de corriente. ngulos de conduccin: - La corriente y tensin media de un SCR dependen del ngulo de conduccin. - A mayor ngulo de conduccin, se obtiene a la salida mayor potencia. - Un mayor ngulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor ngulo de conduccin (Figura 5):

ngulo de conduccin = 180 - ngulo de disparo

- Conociendo la variacin de la potencia disipada en funcin de los diferentes ngulos de conduccin podremos calcular las protecciones necesarias.

Figura 5. ngulo de bloqueo y conduccin de un tiristor.

4.3.2 Caractersticas de conmutacin.

Los tiristores no son interruptores perfectos, necesitan un tiempo para pasar de corte a conduccin y viceversa. Vamos a analizar este hecho.

(
4.3.2.1 Tiempo de encendido

on

Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a conduccin. Se divide en dos partes (Figura 6): Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde que la corriente de puerta alcanza el 50 % de su valor final hasta que la corriente de nodo alcanza el 10 % de su valor mximo. Depende de la corriente de mando, de la tensin nodo - ctodo y de la temperatura (td disminuye si estas magnitudes aumentan). Tiempo de subida (tr): tiempo necesario para que la corriente de nodo pase del 10 % al 90 % de su valor mximo, o, el paso de la cada de tensin en el tiristor del 90 % al 10 % de su valor inicial.

Ton = td + tr

Figura 6. Tiempo de encendido.

(
4.3.2.2 Tiempo de apagado

off

partes

Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de conduccin a corte. Se divide en dos (Figura 7):

Tiempo de recuperacin inversa (trr): tiempo en el que las cargas acumuladas en la conduccin del SCR, por polarizacin inversa de este, se eliminan parcialmente. Tiempo de recuperacin de puerta (tgr): tiempo en el que, en un nmero suficiente bajo, las restantes cargas acumuladas se recombinan por difusin, permitiendo que la puerta recupere su capacidad de gobierno.

T
off

trr
+

tgr

Figura 7. Tiempo de apagado.

La extincin del tiristor se producir por dos motivos: reduccin de la corriente de nodo por debajo de la corriente de mantenimiento y por anulacin de la corriente de nodo.

4.4

CARACTERSTICAS

TRMICAS.

Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor, ste disipa una cantidad de energa que produce un aumento de la temperatura en las uniones del semiconductor. Este aumento de la temperatura provoca un aumento de la corriente de fugas, que a su vez provoca un aumento de la temperatura, creando un fenmeno de acumulacin de calor que debe ser evitado. Para ello se colocan disipadores de calor.

5.

MTODOS

DE

DISPARO.

Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar polarizada en directo y la seal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de nodo mayor que I L, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular una corriente mnima de valor IH, marcando el paso del estado de conduccin al estado de bloqueo directo.

Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son:

Por Por gradiente Disparo Disparo

Por mdulo de por por

de tensin

puerta. tensin. (dV/dt) radiacin. temperatura.

El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y gradiente de tensin son modos no deseados.

5.1

DISPARO POR PUERTA.

Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin en la puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y ctodo a la vez que mantenemos una tensin positiva entre nodo y ctodo.

Figura 8. Circuito de control por puerta de un SCR. - El valor requerido de VT necesario para disparar el SCR es: VT = VG + IG R - R viene dada por la pendiente de la recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia para obtener la mxima seguridad en el disparo (Figura 9). R = VFG / IFG

Figura 9. Recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia.

5.2

DISPARO POR MDULO DE TENSIN.

Es el debido al mecanismo de multiplicacin por avalancha. Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de manera intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita provocada por sobre tensiones anormales en los equipos electrnicos.

5.3

DISPARO POR GRADIENTE DE TENSIN.

Una subida brusca del potencial de nodo en el sentido directo de conduccin provoca el disparo. Este caso ms que un mtodo, se considera un inconveniente.

Figura 10. Zona de disparo por gradiente de tensin.

5.4

DISPARO POR RADIACIN.

Est asociado a la creacin de pares electrn-hueco por la absorcin de la luz del elemento semiconductor. El SCR activado por luz se llama LASCR.

5.5 DISPARO POR TEMPERATURA.

El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn - hueco generados en las uniones del semiconductor. As, la suma (1+2) tiende rpidamente a la unidad al aumentar la temperatura. La tensin de ruptura permanece constante hasta un cierto valor de la temperatura y disminuye al aumentar sta.

6.

CONDICIONES NECESARIAS PARA EL CONTROL DE UN SCR.

Para el control en el disparo: - nodo positivo respecto al ctodo. - La puerta debe recibir un pulso positivo con respecto al ctodo. - En el momento del disparo Iak > IL.

Para el control en el corte: - Anulamos la tensin Vak. - Incrementamos RL hasta que Iak< IH.

7.

LIMITACIONES DEL TIRISTOR.

7.1

LIMITACIONES DE LA FRECUENCIA DE FUNCIONAMIENTO.

- La frecuencia de trabajo en los SCR no puede superar ciertos valores. - El lmite es atribuible a la duracin del proceso de apertura y cierre del dispositivo. - La frecuencia rara vez supera los 10 Khz.

7.2

LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE TENSIN dV/dt.

"dV/dt" es el valor mnimo de la pendiente de tensin por debajo del cual no se producen picos transitorios de tensin de corta duracin, gran amplitud y elevada velocidad de crecimiento. a) Causas: - La alimentacin principal produce transitorios difciles de prever en aparicin, duracin (inversamente proporcional a su amplitud) y amplitud. - Los contactores entre la alimentacin de tensin y el equipo: cuya apertura y cierre pueden producir transitorios de elevada relacin dV/dt (hasta 1.000 V/s) produciendo el basculamiento del dispositivo. - La conmutacin de otros tiristores cercanos que introducen en la red picos de tensin. b) Efectos: - Puede provocar el cebado del tiristor, perdiendo el control del dispositivo. - La dV/dt admisible varia con la temperatura.

7.3

LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE INTENSIDAD dI/dt.

"dI/dt" es el valor mnimo de la pendiente de la intensidad por debajo de la cual no se producen puntos calientes.

a) Causas: - Durante el cebado, la zona de conduccin se reduce a una parte del ctodo cerca de la puerta, si el circuito exterior impone un crecimiento rpido de la intensidad, en esta zona la densidad de corriente puede alcanzar un gran valor. - Como el cristal no es homogneo, existen zonas donde la densidad de Intensidad es mayor (puntos calientes). b) Efectos: - En la conmutacin de bloqueo a conduccin la potencia instantnea puede alcanzar valores muy altos. - La energa disipada producir un calentamiento que, de alcanzar el lmite trmico crtico, podra destruir el dispositivo.

7.4

PROTECCIONES CONTRA dV/dt Y dI/dt.

Solucin: colocar una red RC en paralelo con el SCR y una L en serie. Calculo: mtodo de la constante de tiempo y mtodo de la resonancia.

Figura 11. Circuito de proteccin contra dV/dt y dI/dt. 7.4.1 Mtodo de la constante de tiempo.

Clculo de R y C: 1. Se calcula el valor mnimo de la constante de tiempo de la dV/dt del dispositivo y el valor de R y C: = ( 0,63 VDRM ) / ( dV/dt )mn C = / RL Rs = VA(mx) / ( ITSM - IL ) donde: VDRM = tensin de pico repetitiva de bloqueo directo. IL = corriente en la carga.

RL = resistencia de carga. ITSM = corriente directa de pico no repetitiva. VA(mx) = tensin de nodo mxima. = coeficiente de seguridad (de 0,4 a 0,1). 2. Hallamos el valor de Rmn que asegura la no superacin de la dI/dt mxima especificada (a partir de la ecuacin de descarga de C): R mn = ( VA(mx) / ( dI /dt ) C ) Clculo de L: L = VA(mx) / ( dI / dt)

7.4.2

Mtodo de la resonancia.

- Elegimos R, L y C para entrar en resonancia. El valor de la frecuencia es: f = (dV / dt ) / 2 VA (mx) En resonancia:
f = 1 / 2 (LC)

C = 1 / ( 2f L

El valor de L es el que ms nos interese, normalmente: L= 50 H. El valor de R ser:

Rs = (L / C)

7.5

LIMITACIONES DE LA TEMPERATURA.

En los semiconductores de potencia, se producen prdidas durante el funcionamiento que se traducen en un calentamiento del dispositivo. Si los perodos de bloqueo y de conduccin en un tiristor son repetitivos, la potencia media disipada en un tiristor ser:

La potencia disipada en los tiristores durante la conduccin, es mucho mayor que la disipada durante el bloqueo y que la potencia disipada en la unin puerta - ctodo. Podemos decir que las prdidas con una tensin de alimentacin dada y una carga fija, aumentan con el ngulo de conduccin (). Si la conduccin se inicia en t1 y termina en t2, la potencia media de perdidas ser:

Si representamos la VAK en funcin de la IA, tendremos la siguiente relacin: VAK = V0 + IA R V0 y R son valores aproximadamente constantes para una determinada familia de tiristores y para una determinada temperatura de la unin. En ste caso nos encontraremos dentro de la zona directa de la curva caracterstica (Figura 12).

Figura 12. Operando con las ecuaciones anteriores: PAV = V0 IA(AV) + R ( IA(RMS))2

Esta ecuacin se encuentra representada mediante curvas para distintas formas de onda (sinusoidal, rectangular,...) y para distintos ngulos de conduccin en la figura siguiente. La potencia que se disipa, depende del valor medio de la corriente y del valor eficaz, entonces depender del factor de forma:

a=f = IA(RMS) / IA(AV)

Figura 13.

Una vez elegido el tiristor y teniendo en cuenta los parmetros ms importantes como son la potencia total disipada y temperatura, y calculada tambin la potencia media que disipa el elemento en el caso ms desfavorable, procederemos a calcular el disipador o radiador ms apropiado para poder evacuar el calor generado por el elemento semiconductor al medio ambiente.

8. EXTINCIN DEL TIRISTOR. TIPOS DE CONMUTACIN.

Entenderemos por extincin, el proceso mediante el cual, obligaremos al tiristor que estaba en conduccin a pasar a corte. En el momento en que un tiristor empieza a conducir, perdemos completamente el control sobre el mismo.

El tiristor debe presentar en el tiempo ciertas condiciones para pasar de nuevo a corte. Este estado implica simultneamente dos cosas: 1. La corriente que circula por el dispositivo debe quedar completamente bloqueada. 2. La aplicacin de una tensin positiva entre nodo y ctodo no debe provocar un disparo indeseado del tiristor. Existen diversas formas de conmutar un tiristor, sin embargo podemos agruparlos en dos grandes grupos:

8.1

CONMUTACIN NATURAL.

a) Libre. b) Asistida. 8.2 CONMUTACIN FORZADA.

a) Por contacto mecnico. b) Por circuito resonante. -Serie -Paralelo c) Por carga de condensador. d) Por tiristor auxiliar.

9. APLICACIONES DEL SCR.

Las aplicaciones de los tiristores se extiende desde la rectificacin de corrientes alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la realizacin de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos, pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en alterna.

La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada en conduccin estar controlada por la seal de puerta. De esta forma se podr variar la tensin continua de salida si se hace variar el momento del disparo ya que se obtendrn diferentes ngulos de conduccin del ciclo de la tensin o corriente alterna de entrada. Adems el tiristor se bloquear automticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya que en este momento empezar a recibir tensin inversa.

Por lo anteriormente sealado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones, entre ellas estn las siguientes:

Controles de relevador. Circuitos de retardo de tiempo. Fuentes de alimentacin reguladas. Interruptores estticos. Controles de motores. Recortadores. Inversores. Ciclo conversores. Cargadores de bateras. Circuitos de proteccin. Controles de calefaccin. Controles de fase.
OBJETIVOS Verificar el funcionamiento del SCR Experimentar un circuito equivalente al SCR

II.- FUNDAMENTO TEORICO

Es un interruptor de estado slido unidireccional que puede funcionar tanto con corriente continua como con corriente alterna. Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador de silicio, el cual tiene un tercer terminal llamado GATE (puerta o compuerta) para propsito de control. Si no se le aplica corriente a la compuerta, el SCR se comporta como un interruptor abierto en cualquier direccin. Para que el SCR conduzca, entre nodo y ctodo, se precisa de un cierto nivel de corriente mnimo (pulso positivo), aplicado entre la compuerta y ctodo. Dicho nivel depende de la sensibilidad de la compuerta del SCR. El SCR seguir conduciendo, incluso con la corriente de compuerta suprimida, hasta que la corriente de nodo se reduzca a un valor inferior al crtico o se invierta la polarizacin entre nodo y ctodo del SCR. En este punto, el SCR se habre o bloquea nuevamente. Cuando el SCR esta activado, el voltaje entre nodo y ctodo es de aproximadamente 1 voltio.

VALORES COMERCIALES DEL SCR Voltaje(V) Corriente(A) 25,30,50,60,100,150,200,250,300,400,500,600,800 0.8,4,5,6,8,10,16,20,25,35

Forma de comprar un SCR

Se solicita indicando el cdigo o el voltaje y la corriente del dispositivo.

Prueba del SCR

Se prueba del siguiente modo: Entre nodo y ctodo deber marcar una resistencia superior a los 100K en ambos sentidos. Entre compuerta y ctodo debe marcar como un diodo convencional. Alta resistencia en un sentido y baja resistencia en el otro. Entre compuerta y nodo deber marcar una resistencia mayor de 1 M en ambos sentidos.

III.- EQUIPO Y MATERIALES

V: Voltmetro A: Ampermetro Fuente de poder ajustable de 0 a 10 V Lmpara de Incandescencia (Foco) Transistores : 2N3904 y 2N3906 SCR : 2N3228 1 Diodo LED Resistores de W 470, 1K, 10K Resistencia de 3W de 22 Potencimetro de 1K Interruptor

IV.- PROCEDIMIENTO

Circuito Experimental :

El circuito de la Fig. 2 simula un SCR. Arme el circuito de la Fig. 2 y con el interruptor abierto encienda la fuente de alimentacin de 10V. Observe el estado del LED, el cual debe estar apagado de lo contrario reduzca la tensin de la fuente a 0V y luego vuelva a los 10V. Con el LED apagado mida los voltajes de los puntos A y B del circuito y regstrelos en la Tabla N1 . Pulse el interruptor y observe lo que pasa con el LED. Mida nuevamente los voltajes en los puntos A y B (Tabla N1). Abra el circuito y el LED debe quedar encendido, reduzca la tensin de la fuente para apagarlo. Conecte un ampermetro en el lugar que corresponda y mida la corriente en el LED.

TABLA N 1 LED APAGADO ENCENDIDO VA 8.4V 0.8V VB 0V 0.8V ILED 0V 14mA

Arme el circuito de la Fig. N 3. Colocando el potencimetro de 1K a su nivel mnimo, encienda la fuente y vare el potencimetro suavemente hasta que el foquito encienda. Repita el procedimiento colocando el ampermetro para medir IG, anote en la Tabla N2, el valor de la corriente para la cual el SCR se dispara. Realice las dems medidas que se indican en la tabla.

TABLA N2

FOCO APAGADO ENCENDIDO

VAK 10V 1.15V

IAK 0A 0.2A

IG 0A 12.5mA

VG 0V 0.85V

V.- CUESTIONARIO

1.- Describa el funcionamiento del conjunto de transistores y diga por que simula un SCR.

El conjunto de transistores simula un SCR porque se pueden obtener los mismos resultados. As por ejemplo, un pulso positivo en el terminal G polarizar directamente el terminal Base-Emisor del transistor Q1, ponindolo a conducir. La corriente de colector resultante pondr a conducir el transistor Q2, produciendo un efecto regenerativo y el estado de conduccin en el dispositivo.

2.- Cuando el LED esta encendido el voltaje en el punto A referido a tierra es cercano a......Por qu? Es cercano a 0.7V, debido a que se tiene lo siguiente : V = Voltaje de Base-Emisor de Q2 + Voltaje de Colector-Emisor de Q1. V = 0.7V + aproximadamente 0 V V = 0.7V

3.- Cuando el foco esta encendido cual es el voltaje VAK. Por qu? Cuando el foco esta encendido el voltaje es 1.15 V porque este dispositivo no es un interruptor ideal, generando un pequeo voltaje entre sus terminales, tal como el conjunto de transistores.

4.- Despus de que el foco ha encendido, explique que formas pueden haber para apagarlo Se puede apagar de dos maneras: Quitndole la tensin de la fuente de alimentacin Colocndole un pulso negativo en la compuerta.

5.- Para que se usa un SCR (proponga el esquema de un circuito de aplicacin).

El SCR se utiliza como un interruptor unidireccional semiconductor, el cual se controla por un pulso de voltaje en la compuerta. Tiene mltiples aplicaciones y una de ellas se muestra en el siguiente esquema. Es un sistema de iluminacin de emergencia de una sola fuente que mantendr la carga en una batera de 6 V, para asegurar su disponibilidad y brindar tambin energa CD a una lmpara elctrica si hay una interrupcin elctrica. Una seal rectificada de onda completa aparecer a travs de la lmpara de 6 V debido a los diodos D2 y D1. El capacitor C1 se cargar hasta un voltaje ligeramente menor que la diferencia entre el valor pico de la seal rectificada de onda completa y el voltaje CD en R2 establecido por la batera de 6 V. En todo caso, el ctodo del SCR1 es mayor que el nodo y el voltaje de la compuerta al ctodo es negativo, asegurando que el SCR no conduzca. La batera se esta cargando a travs de R1 y D1 a una razn determinada por R1. La carga de la batera solo ocurre cuando el nodo de D1 es ms positivo que su ctodo. El nivel CD de la seal rectificada de onda completa asegurar que la lmpara este encendida cuando haya potencia. Si la alimentacin elctrica falla, el capacitor C1 se descargar a travs de D1, R1 y R3 hasta que el ctodo del SCR1 sea menos positivo que el nodo, Al mismo tiempo, la unin de R2 y R3 se volver positiva y establecer suficiente voltaje de compuerta a ctodo para dispara el SCR. Una vez disparado, la batera de 6 Voltios se descargara a travs del SCR1 y energizara la lmpara y mantendra su iluminacin. Despus de que se restablece la energa, el capacitor C1 se recargar y restablecer el estado no conductor de SCR1, como se describi antes.

6.- Haga un clculo de los valores de voltaje y corrientes en ambos circuitos y comprelos con los voltajes medidos, sustente sus concordancias y discrepancias en los valores.

CIRCUITO DE LA FIGURA N 2

A) LED APAGADO : Cuando el interruptor esta abierto no existe ningn voltaje en el punto B por lo tanto: VB = 0 (1K)IB1- VB = 0 , entonces IB1 = 0 Como no existe corriente de base tampoco habr corriente de colector en el transistor Q1. Al no existir corriente de colector en Q1, no se tendr corriente de base en Q2 y al no haber corriente de base en Q2 no se tendr corriente de emisor en Q2. Por lo tanto la corriente en el LED ser cero (ILED=0). Tenemos: 10V 470(ILED)- VLED VA = 0 10V - 0 0 VA = 0 entonces, VA = 10V

B) LED ENCENDIDO Cuando el LED esta encendido el voltaje VB se determina mediante el divisor de voltaje siguiente : VB = (10V x 1K)/(10K + 1K) VB = 0.9 Voltios Luego, el Transistor Q1 esta conduciendo y el voltaje VA = 0.7V por las razones que se explican en la respuesta de la pregunta 2, por lo tanto tenemos la siguiente malla: 10V (470)ILED VLED VA = 0 ILED = (10V VLED VA)/470 ILED = (10V 2V 0.7V)/470 ILED = (7.3V)/470 ILED = 15.53 mA

CIRCUITO DE LA FIGURA N 3

A) FOCO APAGADO : En la malla de compuerta tenemos : que al reducir el voltaje en el punto medio del potencimetro a 0V no tendremos corriente de compuerta (IG = 0), por lo tanto el SCR esta como un interruptor abierto entre nodo y ctodo (IAK = 0), se presenta la siguiente malla: 10V (Rfoco)IAK (22)IAK VAK = 0 10V 0 0 VAK = 0 VAK = 10 V A) FOCO ENCENDIDO : Cuando el punto medio del potencimetro esta a 10 V, se tiene la siguiente malla: 10 V (470)IG VGK = 0 IG = (10V VGK) / 470 IG = (10V 0.7V) / 470 IG = 19.78 mA Luego, la corriente de compuerta es suficiente para poner a conduccin al SCR, por lo tanto se tiene la siguiente malla: 10V (Rfoco)IAK (22)IAK VAK = 0 10V (20)IAK (22)IAK 1V = 0 10V (42)IAK 1V = 0 IAK = (10V 1V)/42 IAK = 0.22 Amperios Considerando un foco con una resistencia de 20

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7.

Rectificador controlado de silicio SCR (silicon controlled rectifier) Funcionamiento bsico del SCR Operacin controlada del rectificador controlado de silicio Caractersticas de control del SCR Caractersticas de la compuerta de los SCR Aplicaciones del SCR

8. Efectos con cargas inductivas 9. Conclusin 10. Bibliografa

Introduccin
Los rectificadores controlados de silicio SCR se emplea como dispositivo de control. El rectificador controlado de silicio SCR, es un semiconductor que presenta dos estados estables: en uno conduce, y en otro est en corte (bloqueo directo, bloqueo inverso y conduccin directa). El objetivo del rectificador controlado de silicio SCR es retardar la entrada en conduccin del mismo, ya que como se sabe, un rectificador controlado de silicio SCR se hace conductor no slo cuando la tensin en sus bornes se hace positiva (tensin de nodo mayor que tensin de ctodo), sino cuando siendo esta tensin positiva, se enva un impulso de cebado a puerta.

El parmetro principal de los rectificadores controlados es el ngulo de retardo, a. Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente slo durante los semiciclos positivos de la fuente de ca. El semiciclo positivo es el semiciclo en que el nodo del SCR es mas positivo que el ctodo. Esto significa que el SCR no puede estar encendido ms de la mitad del tiempo. Durante la otra mitad del ciclo, la polaridad de la fuente es negativa, y esta polaridad negativa hace que el SCR tenga polarizaci6n inversa, evitando el paso de cualquier corriente a la carga.

Rectificador controlado de silicio SCR (silicon controlled rectifier)

Es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

El SCR se asemeja a un diodo rectificador pero si el nodo es positivo en relacin al ctodo no circular la corriente hasta que una corriente positiva se inyecte en la puerta. Luego el

diodo se enciende y no se apagar hasta que no se remueva la tensin en el nodo-ctodo, de all el nombre rectificador controlado.

Funcionamiento bsico del SCR

El siguiente grfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su funcionamiento. Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1. IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1. Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.

Operacin controlada del rectificador controlado de silicio

Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material de silicio con una tercera terminal para efecto de control. Se escogi el silicio debido a sus capacidades de alta temperatura y potencia. La operacin bsica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor de dos capas fundamental, en que una tercera terminal, llamada compuerta, determina cundo el rectificador conmuta del estado de circuito abierto al de circuito cerrado. No es suficiente slo la polarizacin directa del nodo al ctodo del dispositivo. En la regin de conduccin la resistencia dinmica el SCR es tpicamente de 0.01 a 0.1 La resistencia inversa es tpicamente de 100 k o ms. Un SCR acta a semejanza de un interruptor. Cuando esta encendido (ON), hay una trayectoria de flujo de corriente de baja resistencia del nodo al ctodo. Acta entonces como un interruptor cerrado. Cuando esta apagado (OFF), no puede haber flujo de corriente del nodo al ctodo. Por tanto, acta

como un interruptor abierto. Dado que es un dispositivo de estado s1ido, la accin de conmutacin de un SCR es muy rpida. TEORIA Y OPERACIN DE LOS SCR Un rectificador controlado de silicio (SCR, rectificador controlado de silicio) es un dispositivo de tres terminales usado para controlar corrientes mas bien altas para una carga. El smbolo esquemtico del SCR se presenta en la figura 1.

Figura1. Smbolo esquemtico y nombres de las terminales de un SCR.

Un SCR acta a semejanza de un interruptor. Cuando esta encendido (ON), hay una trayectoria de flujo de corriente de baja resistencia del nodo al ctodo. Acta entonces como un interruptor cerrado. Cuando esta apagado (OFF), no puede haber flujo de corriente del nodo al ctodo. Por tanto, acta como un interruptor abierto. Dado que es un dispositivo de estado s1ido, la accin de conmutacin de un SCR es muy rpida. El flujo de corriente promedio para una carga puede ser controlado colocando un SCR en serie con la carga. Este arreglo es presentado en la figura 2. La alimentaci6n de voltaje es comnmente una fuente de 60-Hz de ca, pero puede ser de cd en circuitos especiales. Si la alimentacin de voltaje es de ca, el SCR pasa una cierta parte del tiempo del ciclo de ca en el estado ON, y el resto del tiempo en el estado OFF. Para una fuente de 60-Hz de ca, el tiempo del ciclo es de 16.67 ms. Son estos 16.67 ms los que se dividen entre el tiempo que esta en ON y el tiempo que esta en OFF. La cantidad de tiempo que esta en cada estado es controlado por el disparador. Si una porcin pequea del tiempo esta en el estado ON, la corriente promedio que pasa a la carga es pequea. Esto es porque la corriente puede fluir de la fuente, a travs del SCR, y a la carga, s1o por una porcin relativamente pequea del tiempo. Si la seal de la compuerta es cambiada para hacer que el SCR este en ON por un periodo mas largo del tiempo, entonces la corriente de carga promedio ser mayor. Esto es porque la corriente ahora puede fluir de la fuente, a travs del SCR, y a la carga, por un tiempo relativamente mayor. De esta manera, la corriente para la carga puede variarse ajustando la porci6n del tiempo del ciclo que el SCR permanece encendido.

Figura2. Relacin de circuito entre la fuente de voltaje ,un SCR y la carga

Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente slo durante los semiciclos positivos de la fuente de ca. El semiciclo positivo es el semiciclo en que el nodo del SCR es mas positivo que el ctodo. Esto significa que el SCR de la figura 2 no puede estar encendido ms de la mitad del tiempo. Durante la otra mitad del ciclo, la polaridad de la fuente es negativa, y esta polaridad negativa hace que el SCR tenga polarizaci6n inversa, evitando el paso de cualquier corriente a la carga. FORMAS DE ONDA DE LOS SCR Los trminos populares para describir la operacin de un SCR son ngulo de conduccin y ngulo de retardo de disparo. El ngulo de conduccin es el numero de grados de un ciclo de ca durante los cuales el SCR esta encendido. El ngulo de retardo de disparo es el numero de grados de un ciclo de ca que transcurren antes de que el SCR sea encendido. Por supuesto, estos trminos estn basados en la nocin de que el tiempo total del ciclo es igual a 360 grados. En la figura 3 se muestran las formas de onda de un circuito de control con SCR para un ngulo de retardo de disparo. Al momento que el ciclo de ca inicia su parte positiva, el SCR esta apagado. Por tanto tiene un voltaje instantneo a travs de sus terminales de nodo y ctodo igual al voltaje de la fuente. Esto es exactamente lo que se vera si se colocara un interruptor abierto en un circuito en lugar del SCR. Dado que el SCR interrumpe en su totalidad el suministro de voltaje, el voltaje a travs de la carga (VLD) es cero durante este lapso. La extrema derecha de las ondas ilustran estos hechos. Mas a la derecha en los ejes horizontales, se muestra el voltaje de nodo a ctodo (VAK) cayendo a cero despus de aproximadamente un tercio del semiciclo positivo. Esto es el punto de 60. Cuando VAK cae a cero, el SCR se ha "disparado", o encendido. Por tanto, el ngulo de retardo de disparo es de 60. Durante los siguientes 120 el SCR se comporta como un interruptor cerrado sin voltaje aplicado a sus terminales. El ngulo de conducci6n es de 120. El ngulo de retardo de disparo y el ngulo de conducci6n siempre suman 180.

Figura3. Formas de ondas ideales del voltaje de la terminal principal (V AK) y el voltaje de carga de un SCR. Para un ngulo de retardo de disparo de unos 60o, un ngulo de conduccin de 120o.

En la figura 3, la forma de onda del voltaje de carga muestra que, al dispararse el SCR, el voltaje de la fuente es aplicado a la carga. El voltaje de carga entonces sigue al voltaje de la fuente por el resto del semiciclo positivo, hasta que el SCR nuevamente se apaga. El estado OFF ocurre cuando el voltaje de la fuente pasa por cero. En general, estas formas de onda muestran que antes de que el SCR se dispare, el voltaje es retirado de entre las terminales del SCR, y la carga ve un voltaje cero. Despus de haberse disparado el SCR, la totalidad del suministro de voltaje es retirado a travs de la carga, y el SCR presenta voltaje cero. El SCR se comporta como un interruptor de accin rpida.

~ Caractersticas DE LA COMPUERTA DE LOS SCR Un SCR es disparado por un pulso corto de corriente aplicado a la compuerta. Esta corriente de compuerta (IG) fluye por la unin entre la compuerta y el ctodo, y sale del SCR por la terminal del ctodo. La cantidad de corriente de compuerta necesaria para disparar un SCR en particular se simboliza por IGT. Para dispararse, la mayora de los SCR requieren una corriente de compuerta entre 0.1 y 50 mA (IGT = 0.1 - 50 mA). Dado que hay una unin pn estndar entre la compuerta y el ctodo, el voltaje entre estas terminales (VGK) debe ser ligeramente mayor a 0.6 V. En la figura 4 se muestran las condiciones que deben existir en la compuerta para que un SCR se dispare.

Figura4.Voltaje de compuerta a ctodo (VGK) y corriente de compuerta (IG) necesarios para disparar un SCR.

Una vez que un SCR ha sido disparado, no es necesario continuar el flujo de corriente de compuerta. Mientras la corriente continu fluyendo a travs de las terminales principales, de nodo a ctodo, el SCR perrnanecer en ON. Cuando la corriente de nodo a ctodo (IAK) caiga por debajo de un valor mnimo, llamado corriente de retencin, simbolizada IHO el SCR se apagara. Esto normalmente ocurre cuando la fuente de voltaje de ca pasa por cero a su regin negativa. Para la mayora de los SCR de tamao mediano, la IHO es alrededor de 10 mA.

SCR - Smbolo, estructura y funcionamiento bsico.

El SCR (Rectificador controlado de silicio) es un dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi ideal. El smbolo y estructura del SCR se muestran en la figura. Analizando los diagramas: A = nodo, G = compuerta o Gate y C = K = ctodo

Funcionamiento bsico del SCR

El siguiente grfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su funcionamiento.

Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1. IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1, y...... Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.

Los parmetros del SCR son:

- VRDM: Mximo voljaje inverso de cebado (VG = 0) - VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0) - IF: Mxima corriente directa permitida. - PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo. - VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado - IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR - dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado. - di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR. Nota: dv/dt, di/dt: Ver parmetros del SCR en SCR en corriente continua