BAB II TINJAUAN PUSTAKA

2.1. Nanopartikel Nanoteknologi adalah ilmu dan rekayasa dalam menciptakan material, struktur fungsional, maupun piranti alam skala nanometer. Material berukuran nanometer memiliki sejumlah sifat kimia dan fisika yang lebih unggul dari material berukuran besar (bulk). Disamping itu material dengan ukuran nanometer memilki sifat yang kaya karena menghasilkan sifat yang tidak dimiliki oleh material ukuran besar. Sejumlah sifat tersebut dapat diubah-ubah dengan melalui pengontrolan ukuran material, pengaturan komposisi kimiawi, modifikasi permukaan, dan pengontrolan interaksi antar partikel. Material nanopartikel adalah material-material buatan manusia yang berskala nano, yaitu lebih kecil dari 100 nm, termasuk di dalamnya adalah nanodot atau quantum dot, nanowire dan carbon nanotube. Selain nanopartikel juga dikembangkan material nanostruktur, yaitu material yang tersusun oleh beberapa material nanopartikel. Untuk menghasilkan material nanostruktur maka partikel-partikel penyusunnya harus diproteksi sehingga apabila partikel-partikel tersebut digabung menjadi material yang berukuran besar maka sifat individualnya dipertahankan. Sifat material nanostruktur sangat bergantung pada (a) ukuran maupun distribusi ukuran, (b) komponen kimiawi unsur-unsur penyusun material tersebut, (c) keberadaan interface (grain boundary), dan (d) interaksi antar grain penyusun material nanostruktur. Quantum dot adalah material berukuran kurang dari 100 nanometer yang mengurung elektron secara 3-dimensi, baik arah x, y dan z. Hal ini dimungkinkan karena diameter dari quantum dot tersebut sebanding dengan panjang gelombang dari elektron. Nanowire adalah material berukuran nanometer yang dapat mengurung elektron secara 2-dimensi dan bebas bergerak di dimensi yang ketiga, yaitu ke depan atau ke belakang. Sintesis nanopartikel dapat dilakukan dalam fasa padat, cair, maupun gas. Proses sintesis pun dapat berlangsung secara fisika atau kimia. Proses sintesis

secara fisika tidak melibatkan reaksi kimia. Yang terjadi hanya pemecahan material besar menjadi material berukuran nanometer, atau penggabungan material berukuran sangat kecil, seperti kluster, menjadi partikel berukuran nanometer tanpa mengubah sifat bahan. Proses sintesis secara kimia melibatkan reaksi kimia dari sejumlah material awal (precursor) sehingga dihasilkan material lain yang berukuran nanometer. Contohnya adalah pembentukan nanopartikel garam dengan mereaksikan asam dan basa yang bersesuaian. Secara umum, sintesis nanopartikel akan masuk dalam dua kelompok besar. Cara pertama adalah memecah partikel berukuran besar menjadi partikel berukuran nanometer. Pendekatan ini kadang disebut pendekatan top-down. Pendekatan kedua adalah memulai dari atom-atom atau molekul-molekul yang membentuk partikel berukuran nanometer yang dikehendaki. Pendekatan ini disebut bottom-up. Kedua kelompok besar dalam mensintesis nanopartikel telihat pada gambar 2.1. (Abdullah, M. 2008)

Gambar 2.1. Sintesis nanopartikel top-down dan bottom-up

2.2.Material ZnO Seng Oksida (Zn0) merupakan salah satu persenyawaan dari logam Zn yang tergolong senyawa oksida. Secara umum, Zn0 dapat dibuat dengan mereaksikan logam Zn dan oksigen pada suhu tinggi. Reaksi yang terjadi adalah sebagai berikut : Zn2+ + 0 2 + Zn0 Zn0 terjadi sebagai bubuk putih umumnya dikenal sebagai seng putih atau sebagai zincite mineral. Mineral biasanya berisi sejumlah unsur mangan dan lainnya dan kuning kewarna merah. Oksida seng kristal termo-kromat, berubah dari putih ke kuning ketika dipanaskan dan di udara beralih ke putih pada pendinginan. Perubahan warna seperti ini terjadi karena perbedaan temperatur, dikenal sebagai sifat termokromik. Perubahan warna seng oksida tersebut karena pemanasan, beberapa atom oksigen hilang dari kisi kristalnya sehingga meninggalkan kisi kristal dalam keadaan kelebihan muatan negatif dan ini menghasilkan warna yang berbeda,kelebihan muatan negatif (elektron) dapat di pindahkan melalui kisi kristal dengan perbedaan potensial. Jadi, seng oksida ini bersifat sebagai semikonduktor. Pada pendinginan, atom-atom oksigen yang keluar dari kisi pada pemanasan tersebut kembali lagi ke posisi semula sehingga diperoleh warna semula. ZnO mempunyai kisi kristal dengan struktur wurtzit dan memiliki lattice hexagonal terdiri dari Zn2+ dan 0 2 + ,setiap ion seng dikelilingi oleh ion 0 2 yang berbentuk tetrahedral.Struktur sangat dipengaruhi oleh pita energi dan dinamika (lattice) kisi.Besarnya band gap semikonduktor zinc Oxide adalah 3,37 eV dan besar eksitasi energi ikat 60 meV.Sifat fisika dari material keramik semikonduktor Zinc Oxide (ZnO) adalah memiliki band gap yang bagus jika dibandingkan dengan material lainnya.sifat kimia dari marerial keramik semikonduktor Zinc Oxide (ZnO) adalah memiliki laju reaksi yang cepat. Zinc Oxide (ZnO) sebagai material keramik semikonduktor merupakan bahan dengan konduktivitas yang berada diantara isolator (penghantar listrik yang buruk) dan konduktor (penghantar listrik yang

baik).Material semikonduktor bersifat sebagai isolator pada temperatur yang sangat rendah namun pada temperature ruangan bersifat sebagai konduktor. Semikonduktor sangat berguna karena sifat konduktifitasnya dapat dirubah dan dikontrol dengan memberi materi lain atau

menambahkan

ketidakmurnian

(doping).Doping

merupakan

pengotor

bahan semikonduktor. Dalam semikonduktor terdapat band gap(pita energi) dimana range energi dalam suatu zat padat dimana tidak ada elektron yang berada pada keadaan stabil. Struktur pita elektron dari padatan umumnya pita energy terdapat perbedaan energi dalam elektron volt diantara pita valensi dan pita konduksi dimana ditemukan isolator dan semikonduktor. Pada suhu yang rendah,electron dalam semikonduktorhanya

menempati tingkat energi pada pita valensi.Jika mendapat energy yang cukup,maka elektron yang berada pada pita valensi dapat meloncat kepita konduksi. Loncatan tersebut akan meninggalkan keadaan kosong di pita valensi yang dikenal dengan hole.Dalam bulk material semikonduktor tingkat energy sangat berdekatan satu dengan yang lainnya. Sehingga tingkat energinya digambarkan continue,yang berarti pada daerah tersebut tidak ada perbedaan energi. Daerah dimana keberadaan elektron tidak diijinkan disebut dengan bandgap (Putri,R.2011).

Gambar 2.2 Tingkat Energi Pada Semikomduktor

10

2.3. Struktur Kristal ZnO dan Parameter Kisi Pada tekanan dan temperatur lingkungan, struktur kristal ZnO adalah wurtzite seperti yang ditunjukan pada gambar 2.4. Seng Oksida (ZnO) merupakan kristal senyawa ionik terdiri atas kation-kation dan anion-anion yang tersusun secara teratur dan berulang (periodik). Pola susunan yang teratur dan berulang dari ionion yang terdapat dalam suatu kristal menghasilkan kisi kristal dengan bentuk struktur tertentu. Seng Oksida mempunyai struktur intan dengan jaringan ikatan kovalen. Kristal ZnO memiliki 3 bentuk umum, yaitu wurtzite heksagonal, zincblende kubus, dan rocksalt kubus .Struktur wurtzite merupakan struktur yang paling stabil dan paling banyak dijumpai. Berdasarkan struktur tersebut, ikatan kimia antara atom Zn dan atom O cenderung mengarah kepada ikatan ion karena kuatnya sistem polarisasi antara kedua atom tersebut. Ikatan Zn-O menyebabkan atom Zn menjadi sangat positif dan atom O menjadi sangat negatif. Tetapi pada akhirnya, kedua atom tersebut membentuk molekul yang netral.

Gambar 2.3. Struktur wurtzite heksagonal ZnO. Atom O ditampilkan sebagai bulatan hijau besar, Zn atom sebagai bulatan hitam kecil.

11

Kisi heksagonal dikarakterisasi dengan melihat hubungan subkisi (sublattice) Zn2+ dan O2-, dimana ion Zn dikelilingi oleh ion tetrahedral dan sebaliknya. Struktur kristal wurtzite yang simetrinya hexagonal, dikarenakan ada 12 ion oksigen (O2-) yang berada ditiap sudut atas dan bawah yang membentuk suatu prisma heksagonal. Setiap ion Zn2+ maupun O2- merupakan pusat tethahedral dari keempat ion tetangganya. ZnO yang memiliki struktur kristal wurtzite heksagonal dengan parameter kisi a dan c yang dapat dihitung dengan persamaan.(Nanda,2010).
a 1 3 sin

(2.1) (2.2)

sin

Ukuran kristal ZnO dapat dihitung dengan menggunakan persamaan Scherrer yaitu :

0.9 cos

(2.3)

dengan : D = Ukuran kristal = Panjang gelombang = FWHM (full width half maximum) = Sudut difraksi a, c = Parameter kisi Parameter kisi dan konstanta fisik kristal wurtzite ZnO dinyatakan pada tabel 2.1. Tabel 2.1 Parameter kisi dan konstanta fisik kristal wurtzite ZnO.

Lattice constants Sublimation point

a = 3.253 , c = 5.211 , a/c = 1.602(68) 1975 25C(68) 50% between 0.4 0.6 m, max. 95% at 1.2 m

Optical transparency Refractive index

(for a 2 mm thick sample)(67-68) no = 1.9985, ne = 2.0147 ( = 6328 ) (68)

12

2.008, 2.029(69) Density Static dielectric constant Intrinsic carrier concentration Exciton binding energy Electron effective mass Hole effective mass < 106 /cm3(69) 60 meV(69) 0.24(69) 0.59(69) 5676 kg/m3(67) 5606 kg/m3(69) 11.0(67) 8.656(69)

2.4.Metoda Sol-Gel Proses Sol-gel menggunakan prekursol inorganik atau logam organik. Di dalam air (aqueous) dan larutan organik, prekursor akan mengalami reaksi hidrolisis dan kondensasi. Pada umumnya prekursor yang digunakan yaitu logam alkoksida M (OR)n dimana R adalah senyawa alkyl. Alkoksida dilarutkan dalam paren alkohol dan dihidrolisis dengan penambahan air. Dari larutan prekursor tersebut akan terbentuk sol. Perubahan bentuk sol menjadi bentuk gel terjadi melalui reaksi hidrolisis dan reaksi kondensasi. Reaksi hidrolisis mengganti ligan alkoksida menjadi ligan hidroksil. Pada reaksi hidrolisis terjadi penempelan ion hidroksil pada atom logam dengan pemutusan pada salah satu ikatan logam alkoksida atau garam anorganik. Kemudian molekul yang telah terhidrolisis dapat bergabung membentuk hasil reaksi kondensasi, dimana dua logam digabungkan melalui rantai oksigen. Polimer-polimer besar terbentuk saat reaksi hidrolisis dan kondensasi berlanjut, yang akhirnya menghubungkan polimer-polimer tersebut ke dalam bentuk gel.Untuk mendapatkan produk oksida, ada satu tahap lanjutan pada proses sol-gel yaitu perubahan bentuk gel menjadi produk oksida melalui drying dan firing. Gel biasanya tersusun atas material amorf yang terdapat pori-pori berisi cairan. Cairan ini harus dihilangkan sehingga gel menjadi xerogel atau dry gel melalui proses drying. Selama firing, xerogel atau dry gel mengalami densifikasi dan perubahan bentuk struktur kristal (menjadi glass atau kristalin). Metode Sol-Gel dikenal sebagai salah satu metode sintesis nanopartikel yang cukup sederhana dan mudah. Metode ini merupakan salah satu wet

13

method karena pada prosesnya melibatkan larutan sebagai medianya. Pada metode Sol-Gel, sesuai dengan namanya larutan mengalami perubahan fase menjadi sol (koloid yang mempunyai padatan tersuspensi dalam larutannya) dan kemudian menjadi gel (koloid tetapi mempunyai fraksi solid yang lebih besar dari pada sol).Metode sintesis menggunakan sol-gel untuk material berbasis oksida berbeda-beda bergantung prekursor dan bentuk produk akhir, baik itu powder, film, aerogel, atau serat. Struktur dan sifat fisik gel sangat bergantung pada beberapa hal, diantaranya : Pemilihan bahan baku material Laju hidrolisis dan kondensasi Modifikasi kimiawi dari sistem sol-gel

Metode sol-gel cocok untuk preparasi thin film dan material berbentuk powder. Tujuan preparasi ini agar suatu material keramik dapat memiliki fungsional khusus (elektrik, opik, magnetik, dll). Metode sol-gel memiliki keuntungan antara lain: Untuk partikel halus, rentang ukuran 0,1 sampai beberapa micron Mudah dalam kontrol komposisi (kehomogenan komposisi kimia baik) Temperatur proses rendah Biaya murah

Diagram proses tersebut dapat dilihat pada gambar

katalis

Larutan awal

Larutan dan katalis

Pemisahan padatan dengan larutan

Dipanaskan pada tempeatur tertentu Selama beberapa jam kadang-kadang juga di rebus
Di rebus

Karakterisasi produk

14

2.5 .Pelapisan (coating) Coating atau pelapisan, pada dasarnya adalah proses untuk melapisi suatu bahan dasar (substrat) dengan maksud dan tujuan tertentu.Hal yang menentukan sifat-sifat suatu coating adalah komposisi dari coating itu sendiri. Umumnya coating mengandung empat bahan dasar, yaitu binder, pigmen, solven dan aditif. Sangatlah penting bagi formulator untuk memahami fungsi dari bahan-bahan dasar ini dan mengetahui bagaimana mereka saling berinteraksi. 1.Binder Binder berfungsi sebagai pengikat antara komponen coating dan juga bertanggung jawab terhadap gaya adhesi coating terhadap substrat. Terdapat banyak binder yang telah dikenal, diantaranya alkyd, vinyl, resin alam, epoxy dan urethane. Hal yang perlu diketahui tentang binder adalah bagaimana mereka mengalami curing. Pada umumnya binder dapat mengalami curing dengan dua cara. Pertama adalah melalui evaporasi solven. Binder yang mengalami curing seperti ini disebut binder thermoplastic atau non-covertible. Kedua adalah lewat reaksi kimia selama atau setelah proses pengecatan. Binder ini dikenal sebagai binder thermosetting. Selain itu, hal yang harus dipahami dari binder adalah viskositas. 2.Pigmen Pigmen merupakan pemberi warna dari coating. Selain berfungsi dalam hal estetika, pigmen juga mempengaruhi ketahanan korosi dan sifat fisika dari coating itu sendiri. Pigmen dapat dikelompokkan menjadi pigmen organik dan anorganik. Pigmen anorganik contohnya adalah titanium oksida dan besi oksida. Ti02 merupakan pigmen putih yang paling banyak digunakan, biasanya untuk coating eksterior. Ti02 mempunyai indeks refleaksi yang tinggi dan stabil terhadap sinar ultraviolet dari sinarmatahari yang dapat mendegradasi binder coating. Besi oksida merupakan pigmen merah yang digunakan untuk coating primer atau topcoat. Terdapat juga extender pigmen yang memberikan sedikit pengaruh terhadap warna dan ketahanan korosi namun banyak mempengaruhi sifat-sifat coating seperti densitas, aliran, hardness dan permeabilitas. Contohnya adalah kalsium karbonat, kaolin, talc dan brium sulfat,

15

3. Solven Kebanyakan coating memerlukan solven untuk melarutkan binder dan memodifikasi viskositas. Hal terpenting yang harus diperhatikan dalam penentuan solven adalah kemampuannya dalam melarutkan binder dan komponen coating yang lain. Prinsip kelarutan sangatlah sederhana, yaitu like dissolves like. Artinya solven polar akan melarutkan senyawa yang polar juga. Selain itu laju penguapan solven juga perlu diperhatikan. Solven yang mempunyai tekanan uap tinggi sehingga menguap dengan cepat disebut fast atau hot solvent, sedangkan yang lambat disebut slow solvent. Laju penguapan mempengaruhi sifat-sifat coating dan beberapa cacat dapat disebabkan karena ketidakcocokan dalam pemilihan solven. Jika solven menguap terlalu cepat, coating tidak cukup waktu untuk membentuk lapisan halus dan kontinu 4. Aditif Aditif adalah senyawa-senyawa kimia yang biasanya ditambahkan dalam jumlah sedikit, namun sangat mempengaruhi sifat-sifat coating. Contoh bahan additive antara lain drters untuk mempercepat pengeringan di udara, anti oxidant untuk mencegah proses oksidasi coating selama disimpan ditempatnya, dispersant untuk mendispersikan pigmen dalam coating agar homogen, thickeners untuk menambah viskositas coating, filter untuk meningkatkan volume coating.Dari campuran bahan-bahan tersebut coating memiliki beberapa sifat tertentu, antara lain : 1. Adhesion, yaitu daya ikat antara permukaan coating dengan substrat. 2. Flexibility, yaitu kelenturan caoting atau kemampuan lapisan coating untuk tidak merobek ketika diberi rengangan. 3. Hardness, yaitu kekerasan pada permukaan coating. 4. Abration resistance, yaitu ketahanan terhadap abrasi.

5. Permeability, yaitu sifat untuk melewatkan molekul atau ion pada lapisan coating. 6. Ristance to microorganism, yaitu ketahanan terhadap pertumbuhan mikroorganisme seperti jamur dan bakteri pada permukaan coating. 7.Ageing of faint fcCm, yaitu umur coating pada lingkungan

16

2.5.1. Spin coating (Pelapisan Putaran) Spin coating berasal dari dua kata yaitu spin dan coating. Bila diterjemahkan dalam bahasa Indonesia, spin berarti putaran, dan coating berarti pelapisan. Maka secara singkat spin coating diartikan sebagai suatu metode pelapisan dengan menggunakan putaran. Spin coating merupakan prosedur yang digunakan untuk menerapkan film tipis seragam untuk substrat datar. Sejumlah bahan pelapis ditempatkan pada subtrat, yang kemudian diputar dengan kecepatan tinggi dalam untuk menyebarkan cairan dengan gaya sentrifugal. Sejumlah mesin yang digunakan untuk coating spin disebut coater spin atau spinner. Metode spin coating adalah suatu proses yang mudah dan umum dilakukan untuk pelapisan polimer atau photoresist pada wafer silicon. Setelah penetesan pelapisan pada wafer, tingkat pelapisan dikendalikan oleh gaya sentrifugal dari putaran yang tegak lurus dengan wafer. Pada kecepatan putaran yang randah, bahan pelapis menyebar pada wafer, pada kecepatan putaran yang tinggi (2.0004000 rpm) akan membentuk film tipis. Metode spin coating adalah suatu cara yang sederhana dan efektif untuk membuat film tipis dengan variasi ketebalan dikendalikan parameter waktu dan kecepatan putaran juga kekentalan dan

kerapatan dari bahan pelapis yang digunakan. Semakin tinggi kecepatan sudut putar, lapisan yang diperoleh akan semakin tipis. Ketebalan film ini juga tergantung pada konsentrasi larutan. Spin coating secara luas digunakan dalam microfabrication, dimana dapat digunakan untuk membuat film tipis dengan ketebalan dibawah 10 nm. Hal ini digunakan secara intensif dalam photolithography, untuk lapisan photorisest dengan tebal sekitar 1 micromete.

Gambar 2.4.Spincoater

17

2.5.2.Proses Spincoating. Secara umum proses spin coating terdiri dari tiga tahap, yaitu : a. Tahap penetesan cairan (dispense) Pada bagian ini cairan dideposisikan di atas permukaan substrat, kemudian diputar dengan kecepatan tinggi. Kemudian lapisan yang telah dibuat akan dikeringkan sampai pelarut pada lapisan tersebut benar-benar sudah menguap. Proses ini dibagi menjadi dua macam, yaitu: Static dispense merupakam proses disposisi sederhana yang dilakukan pada larutan di atas pusat substrat dan dynamic dispense merupakan proses deposisi dengan kecepatan putar yang kecil kira-kira 500 rpm.

Gambar 2.5.Tahap penetesan sol b. Tahap percepatan spin coating Setelah tahap penetesan cairan, larutan dipercepat dengan kecepatan yang relatif tinggi. Kecepatan yang digunakan pada substrat ini akan mengakibatkan adanya gaya sentrifugal dan turbulensi cairan. Kecepatan yang digunakan antara 1500-6000 rpm dan tergantung pada sifat cairan terhadap substrat yang digunakan. Waktu yang digunakan kira-kira 10 -20 detik bahkan sampai 10 menit. c. Tahap pengeringan Tahap ini merupakan tahap yang sangat penting untuk menghasilkan film tipis. Proses ini akan menghilangkan sisa-sisa pelarut dan bahan tambahan lain yang ada pada bahan pelapis.Pada tahap ini terbentuk lapisan tipis murni dengan suatu ketebalan tetentu. Tingkat ketebalan lapisan yang terbentuk bergantung pada

18

tingkat kelembaban dasar substrat. Adanya kelembaban yang kecil menyebabkan ketebalan lapisan murni yang terbentuk akan menjadi semakin besar.

2.5.3. Substrat Pada penumbuhan film tipis diperlukan substrat sebagai tempat untuk tumbuhnya film tipis. Substrat yang digunakan adalah yang memiliki parameter kisi dan koefisien termal yang hampir sama dengan film tipis. Fungsi substrat dalam pembuatan film tipis adalah a. Sebagai penunjang interkoneksi dan perakitan devais b. Sebagai isolator dan tempat pelapisan serta pembentukan pola jalur konduktor dan komponen pasif c. Media panas penyalur rangkaian d. Sebagai lapisan dielektrik untuk rangkaian-rangkaian frekuensi tinggi Kaca adalah bahan yang tidak padat, karena molekul-molekunya disusun secara acak seperti zat cair, namun kohesinya membuat bentuknya menjadi stabil. Karena susunannya acak seperti zat cair itulah maka kaca terlihat transparan.

2.6.Film Tipis Deposisi film tipis telah menjadi subjek studi intensif selama hampir satu abad, banyak metode yang telah dikembangkan dan ditingkatkan. Teknik seperti yang telah dikembangkan dan banyak digunakan dalam industri, yang selanjutnya memberikan kekuatan besar untuk pendorong pengembangan lebih lanjut dan perbaikan teknik deposisi. Metode pertumbuhan film secara umum dapat dibagi menjadi dua kelompok: fase uap deposisi dan pertumbuhan berbasis cairan. Misalnya, penguapan, molekul epitaksi balok (MBE), sputtering, deposisi uap kimia (CVD), dan deposisi lapisan atom (ALD). Contoh yang terakhir elektrokimia deposisi, kimia deposisi solusi (CSD), Langmuir-Blodgett film dan rakitan monolayers (SAM). Deposisi film melibatkan proses dominan yang heterogen termasuk reaksi kimia yang heterogen, penguapan, absorbsi dan desorbsi pada pertumbuhan permukaan , dan heterogen pertumbuhan permukaan nukleasi. Selain itu, sebagian deposisi dan karakterisasi film yang proses. Apabila

19

lapisan tipis yang ditumbuhkan memiliki kesamaan sifat-sifat kimia, parameter kisi dan struktur kristal, dan struktur kristal dengan substrat maka proses penumbuhannya disebut proses homoepitaksi, contoh: Si di atas Si. Sehingga tidak memiliki ketidaksesuaian kisi dan regangan kisi. Sedangkan apabila lapisan tipis yang ditumbuhkan tidak memiliki kesamaan dalam sifat-sifat kimia, parameter kisi, dan struktur kristal dengan substrat maka proses penumbuhannya disebut Heteroepitaksi, contoh: Si di atas substrat Al2O3 sehingga memiliki ketidaksesuaian kisi, regangan kisi dan akan muncul cacat kristal. Ada beberapa teknik yang digunakan dalam penumbuhan film tipis, yaitu: 1. reaksi fisika yaitu: Sputtering (DC atau RF) dan Pulsed Laser Deposition (PLD). 2. Metoda Chenical Vapor Deposition (CVD) merupakan deposisi uap dengan reaksi kimia, yaitu: Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) dan Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD)

2.7. Sifat Optik Film Tipis ZnO Karakterisasi sifat optik film tipis bertujuan untuk melihat spektrum absorbansi dan reflektansi film tipis sehingga dapat ditentukan sumber cahaya yang akan digunakan saat film tipis ZnO dijadikan sensor. Bahan transparan dengan tingkat keionikan yang tinggi, polarisasi yang terjadi akan semakin besar karena adanya ion-ion terdapat dalam bahan transparan yang turut andil dalam mempengaruhi besarnya polarisasi, sedangkan untuk bahan dengan tingkat keelektrolitan rendah dan nonelektrolit, polarisasi yang terjadi hanya dipengaruhi oleh sifat-sifat optik dari bahan.Sifat optik film tipis sangat dipengaruhi oleh struktur pita energi. Sifat optik film tipis ZnO terletak diantara 1,9 eV sampai 3,44 eV dan dikenal sebagai band gap. Sifat optik film tipis ZnO dikaji berdasarkan transmisi optik dan koefiensi spektrum dari film tipis. Koefiesien obsorbsi ZnO diperoleh dengan mengkaji karakteristik spektrum transmisi film tipis ZnO, dengan mengukur transmisi sebagai punsi gelombang yang persamaannya sebagai berikut : (Ilican,dkk.2008)

20

(hv)2 =CD(hv-Eopt) dan

(2.4)

=(1/T)ln(1/T)

(2.5)

dengan:

= koefisien absorsi optik t = ketebalan T = transmisi H=konstanta Plank V=frekuensi poton inside CD=Konstanta

2.8.. Karakterisasi Nanopartikel ZnO 2.8.1. XRD (X-Ray Diffraction Penentuan struktur kristal suatu padatan dapat ditentukan dengan menggunakan difraksi sinar- X sehingga diperoleh derajat kespesifikan dan ketelitian yang tinggi. Difraksi sinar- X akan terjadi jika sinar tersebut dijatuhkan pada sejumlah kisi,dimana jarak kisi hampir sama dengan panjang gelombang sinar tersebut.Pada atom-atom kristal jarak antar atom beraturan dan mendekati panjang gelombang sinar-X,maka Von Laue mengemukakan bahan atom-atom tersebut menbentuk sebuah kisi difraksi. Untuk memperoleh interferensi kontruktif di dalam sinar yang didifraksikan dari keseluruhan bidang dalam arah maka sinar dari bidang-bidang terpisah haruslah saling memperkuat,seperti dilukiskan pada gambar

21

Gambar 2.6. Peristiwa Difraksi Sinar- X Hal ini berarti perbedaan jalan untuk sinar-sinar dari bidang-bidang yang berdekatan haruslah kelipatan bulat dari panjang gelombangnya dan mengikuti aturan Bragg yaitu persamaan :

2 d d a
hkl

hkl

sin a s

4 sin

.s
2

dengan :

d = jarak antar kristal = sudut pengukuran (sudut difraksi) = panjang gelombang sinar X n = 1 (bilangan bulat positif) a = nilai rata-rata parmeter kisi dhkl = jarak antar atom dalam kisi kristal

XRD (X- Ray Diffraction) juga merupakan teknik analisis yang cepat yang digunakan untuk identifikasi maretial berupa srtuktur kristal ,pengaturan jarak antar atom dan mengetahui informasi tentang dimensi sel satuan.Kelebihan mengunakan XRD yaitu dapat mengidentifikasikan kandungan material yang belum diketahui,penafsiran data secara luas,tidak menimbulkan kerusakan pada

22

sampel yang diuji,digunakan untuk mengidentifikasikan fasa-fasa kristal yang terdapat dalam suatu material,dan dapat digunakan untuk analisa kuantitatif dari suatu fraksi campuran. Aplikasi umumnya identifikasi suatu senyawa asing berdasarkan puncak kristal, studi variable temperatur, pengukuran tepat dari konstanta-konstanta kisi dan pemurnian dari koordinat atomic.Sampel biasanya berupa bubuk, padatan, film,atau pita dengan minimum bahan yang diperlihatkan hanya mg namun sampel dengan jumlah gram yang besar didapatkan juga keakuratan yang lebih baik. Pengukuran data difraksi menghasilkan keluaran,posisi sudut 2 dan intensitas pada sudut yang bersesuaian. Tinggi intensitas difraksi dipengaruhi oleh faktor-faktor berikut: 1.Faktor polarisasi- Lorentz Polarisasi Lorentz berisi faktor koreksi polarisasi dan faktor koreksi serbuk. Untuk difraksi sinar- x, sinar datang dapat dipolarisasikan atau tidak dapat dipolarisasikan.Apabila sinar datang tidak terpolarisasi maka intensitas difraksi dinyatakan: I 2.Faktor Struktur Pengaruh pola atau susunan atom pada intensitas difraksi dinamakan faktor struktur F(hkl) dan nilai koreksi intensitas dinyatakan F2. Faktor struktur didefenisikan sebagai rasio amplitudo terhambur oleh bidang hkl relatif terhadap amplitude terhambur oleh sebuah electron.Faktor struktur dinyatakan dengan persamaan berikut: F(hkl)=

dengan fN adalah faktor hamburan atomik,f untuk atom jenis N dan faktor fase.dengan kata lain persamaan faktor struktur dinyatakan:

adalah

F(hkl) =

23

dengan hkl adalah indeks miller dan xyz adalah koordinat fraksional suatu atom.

3.Faktor Multiplisitas Pada beberapa pengukuran difraksi, berkas difraksi dari beberapa bidang kristal bersuperposisi dan menghasilkan satu puncak saja, sehingga puncak tersebut memiliki intensitas yang lebih tinggi apabila hanya dihasilkan dari bidang tunggalnya. Kenaikan intensitas ini disebut faktor pelipatan (j). Pada difraksi serbuk,nilai j hanya bergantung pada simetri kristal.

4.Faktor absorbsi Radiasi mengalami absorbsi selama interaksi dengan kristal. Berkas difraksi dari kristal tidak lebih kuat dibanding dengan berkas terdifraksi oleh material yang bersifat tidak menyerap (non-absorbing). Dalam perhitungan intensitas difraksi dari kristal, faktor absorbsi dinyatakan dengan hubungan

dengan

adalah koefisien absorpsi massa.(Putri. 2011 )

5.Faktor Suhu Beberapa teori dan eksperimen dilakukan untuk mengetahui pengaruh suhu terhadap hasil pengukuran difraksi.Gerakan atom atau molekul karena pengaruh suhu terjadi dalam kristal,atom bergetar terhadap posisi seimbang pada kisi ruangnya.Menurut teori zat padat diketahui bahwa intensitas difraksi dipengaruhi suhu sesuai hubungan adalah: B= [ ] ,dengan M = B( ),sedangkan nilai B

24

Dengan m adalah massa atom, h tetapan Planck, k tetapan Boltzman, X = (suhu karakteristik dalam kelvin) dan ) adalah fungsi Debye.

Prinsip-prinsip diatas merupakan masukan ketika sebuah sampel diukur dengan Difraktometer Sinar X,yang salah satu tipenya adalah Phillips Xpert MPD (Multi Purpose Diffracvtometer)sytem.Skema peralatan ditunjukkan pada (gambar 2.7).

Gambar 2.7 Skema Difraktometer Selain sebagai alat identifikasi, alat ini telah dilengkapi dengan perangkat lunak yang sangat membantu dalam proses analisis lebih lanjut. Artinya dari setiap sampel yang diukur selain diperoleh spectrum sinar X terdifraksi pada sudut 2 tertentu, akan bisa langsung dicocokkan (search match) dengam data standartnya.Setelah diperoleh kesesuaian dengan data standartnya analisis dapat dilanjutkan hingga diperoleh 3 karakter utama yang memberi gambaran tentang kondisi pengukuran,sifat-sifat kristal yaitu posisi,tinggi serta lebar dan bentuk puncak difraksi,yang akan memberikan informasi penting yang terangkum dalam Tabel (Pratapa,2004) Pola difraksi suatu bahan adalah khas dari setiap bahan dan membentuk semacam fingerprint yang dapat digunakan untuk mengidentifikasi bahan. Jika terdapat suatu pola difraksi dari yang tidak diketahui dapat digunakan metode Hanawait (1936) telah membuat kartu yang berkaitan dengan pengklasifikasian dari fase yang teramati. Ia menggambarkan setiap pola dengan daftar harga jarak atom (d) dan intensitas (I).Kartu tersebut kemudian dikenal dengan sebutan

Powder Diffraction File (PDF) yang sejak 1969 publikasikan oleh The Joint Committee On Powder Diffraction Standart (JCPDS).

25

Gambar 2.8.XRD (X-Ray Difraction) Tabel 2.2. Informasi yang terkandung dalam karakter tinggi,posisi serta lebar dan bentuk puncak difraksi No 1 Karakter Posisi puncak Informasi dari sampel 1. Fasekristal/Identifikasi 2. Struktur kristal 3. Parameter kisi 4. Regangan seragam 2 Tinggi puncak 1. Identifikasi 2. Komposisi 3. Hamburan tak koheren 4. Fasa anti 5. Extinction 6. Preferred orientation 3 Lebar dan bentuk puncak 1. Ukuran kristal 2. Distribusi ukuran kristal 3. Rengangan taak seragam 4. Dislokasi,cacat kristal 1. Duplet radiasi 2. Divergensi aksial 3. Kedataran permukaan sampel. Informasi dari instrumen 1. Kesalahan 2 2. Ketidaktepatan penempatan sampel

26

2.8.2. Spektrofotometer Ultra Violet-Visibel (UV-Vis) Spektrofotometer UV-Vis mempunyai rentang pengukuran pada panjang gelombang 190-1100 nm. Gugusan atom yang mengabsorpsi radiasi UV-Vis adalah gugus kromofor. Ketika suatu molekul sederhana dikenakan radiasi elektromagnetik, molekul tersebut akan mengabsorbsi radiasi elektromagnetik yang energinya sesuai. Pada molekul terjadi transisi elektronik dan absorbsi tersebut menghasilkan garis spektrum. Spektrofotometer Ultraviolet-Visible (UV-Vis) digunakan untuk

menentukan lebar celah pita energi dalam semikonduktor. Lebar celah pita energi semikonduktor menentukan sejumlah sifat fisis semikonduktor tersebut. Beberapa besaran yang bergantung pada lebar celah pita energi adalah mobilitas pembawa muatan dalam semikonduktor, kerapatan pembawa muatan, spektrum absorpsi, dan spektrum luminisensi. Ketika digunakan untuk membuat divais

mikroelektronik, lebar celah pita energi menentukan tegangan cut off persambungan semikonduktor, arus yang mengalir dalam devais, kebergantungan arus pada suhu, dan sebagainya. Dasar pemikiran metode penggunaan UV-Vis sederhana. Jika material disinari dengan gelombang elektromagnetik maka foton akan diserap oleh elektron dalam material. Setelah menyerap foton, elektron akan berusaha meloncat ke tingkat energi yang lebih tinggi. Jika elektron yang menyerap foton mula-mula berada pada puncak pita valensi maka tingkat energi terdekat yang dapat diloncati electron adalah dasar pita konduksi. Jarak ke dua tingkat energi tersebut sama dengan lebar celah pita energi

Gambar 2.9. Eksitasi elektron saat di sinari dengan gelombang.

27

Jika energi foton yang diberikan kurang dari lebar celah pita energi maka elektron tidak sanggup meloncat ke pita valensi. Elektron tetap berada pada pita valensi. Dalam keadaan ini dikatakan elektron tidak menyerap foton. Radiasi yang diberikan pada material diteruskan melewati material (transmisi). Elektron baru akan meloncat ke pita konduksi hanya jika energi foton yang diberikan lebih besar daripada lebar celah pita energi. Elektron menyerap energi foton tersebut. Dalam hal ini dikatakan terjadi absorpsi gelombang oleh material. Ketika kita mengubahubah frekuensi gelombang elektromagnetik yang dijatuhkan ke material maka energi gelombang dimana mulai terjadi penyerapan oleh material bersesuaian dengan lebar celah pita energi material. Lebar celah pita energi semikonduktor umumnya lebih dari 1 eV. Energi sebesar ini bersesuaian dengan panjang gelombang dari cahaya tampak ke ultraviolet. (Mikrajuddin, 2008) Spektrometer UV-Vis memungkinkan kita menentukan intensitas absorpsi sebagai fungsi frekuensi atau panjang gelombang. Gambar 4.22 adalah contoh spektrum absorpsi UV-Vis partikel ZnO yang diambil dengan spektroskop UVVis. Dari kurva tersebut kita dapat menentukan koefisien absorbsi yang bergantung pada frekuensi dari daerah tampak hingga ultraviolet.

Gambar 2.10. Kurva spektrum absorbsi UV-Vis)

28

Dari kurva spektrum absorbsi ZnO yang dikarakterisasi dengan menggunakan UV-VIS diperoleh puncak tertinggi dengan panjang gelombang sebesar 298 nm dengan absorbsi 0,9 dan puncak dengan panjang gelombang 301 nm memilki absorbs sebesar 0,5. Spektrum UV-Vis secara ideal diambil dari larutan encer. Apabila radiasi atau cahaya putih dilewatkan melalui larutan berwarna maka radiasi dengan panjang gelombang tertentu akan diserap (absorpsi) secara selektif sedangkan radiasi lainnya akan diteruskan (transmisi). Instrumentasi UV-Vis seperti pada Gambar 2.11.

Gambar 2.11. Instrumentasi UV-Vis Pengukuran larutan dengan UV-Vis spektrofotometer dilakukan pada nilai absorbansi. Absorbansi dengan simbol A dari larutan merupakan logaritma dari (1/T atau logaritma lo/l). Absorbansi yang diukur sesuai dengan hukum LambertBerr : A=.b.C Dengan : A = Absorbansi = Absorpivias molar (M-1cm-1) b = Tebal larutan (cm) C = Konsentrasi larutan (M)

29

Spektrofotometer UV-Vis terdiri dari lima komponen pokok, yaitu : a. Sumber radiasi : lampu hidrogen, deuterium atau wolfram. b. Tempat sampel/kuvet : kuarsa, kaca atau plastik dengan panjang lintasan c. Monokromator d. Detektor e. Rekorder (Sumio, 2010) Secara eksperimen celah pita energi dapat ditentukan dari kurva koefisien absorbsi terhadap frekuensi cahaya yang digunakan untuk mengeksitasi material . Untuk semikonduktor yang memiliki direct band gap, hubungan antara koefisien absorbsi dengan frekuensi cahaya dapat didekati dengan persamaan : 2 = A ( h-Eg )

Dimana :

2 = koefisien absorbsi h = frekuensi cahaya Eg = energi gap

Untuk semikonduktor direct band gap dapat dibuat kurva dengan sumbu vertikal 2 dan sumbu horizontal adalah h. Jika titik-titik pengamatan dihubungkan dengan garis lurus, maka perpotongan garis tersebut dengan sumbu horizontal menyatakan celah pita energi (Eg). Tabel 2.3 adalah lebar celah pita energi dalam ukuran besar (bulk) dan massa effektif elektron dan hole dalam beberapa material semikonduktor.

30

Tabel 2.3. Lebar celah pita energi dalam ukuran besar (bulk) serta massa effektif elektron dan hole dalam beberapa material. Data massa efektif ditampilkan dalam satuan massa elektron (9,1 10-31 kg)

Material

Eg Ev

dalam Massa electron 0,07 0,12 0,20 0,03 0,07 0,01 0,21 0,13 0,14 0,40 0,10 0,10 0,24 0,25 0,33 0,22

efektif Massa efektif hole 0,09 0,50 0,39 0,02 0,69 0,18 0,80 0,45 0,37 5,41 0,60 0,60 0,45 0,25 0,34 0,29

GaAs GaP GaSb InAs InP InSb CdS CdSe CdTe ZnS ZnSe ZnTe ZnO PbS PbSe PbTe

1,4 2,3 0,7 0,4 1,3 0,2 2,6 1,7 1,5 3,6 2,7 2,3 3,44 0,4 0,3 0,3

(Abdullah,2008) Ada beberapa istilah transisi serapan elektronik pada pengukuran dengan Spektrofotometer UV-Vis, diantaranya adalah pergeseran batokromik dan pergeseran hipsokromik. Pergeseran batokromik yaitu pergeseran serapan ke arah panjang gelombang yang lebih tinggi. Sedangkan pergeseran hipsokromik merupakan pergeseran serapan ke arah panjang gelombang yang lebih pendek. Baik pergeseran batokromik, maupun hipsokromik dapat disebabkan oleh subtitusi atau pengaruh pelarut.