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DISPOSITIVOS ELECTRNICOS II
Dispositivos Electrnicos II
CURSO 2010-11
Tema Tema 9 9
AMPLIFICADORES AMPLIFICADORES DE DE ACOPLO ACOPLO DIRECTO. DIRECTO. FUENTES FUENTES DE DE CORRIENTE CORRIENTE
Miguel ngel Domnguez Gmez Camilo Quintns Graa
UNIVERSIDAD DE VIGO
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS II
DEDE-II
INDICE INDICE
9.3.1. Generalidades. 9.3.2. Ganancias en modo diferencial y modo comn. Factor de rechazo en modo comn. Modelos de pequea seal. 9.4. Fuentes de corriente. 9.4.1. Corriente de referencia y espejo de corriente. Fuente de corriente bsica. 9.4.2. Fuentes de corriente de alta ganancia. 9.4.3. Fuente de corriente Widlar. 9.4.4. Fuente de corriente Cascodo. 9.4.5. Fuente de corriente Wilson. 9.4.6. Variaciones sobre las fuentes de corriente. 9.5. Amplificador diferencial con carga activa.
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Necesidad de amplificar seales de muy baja frecuencia o de continua (dc) para: - Circuitos para instrumentacin. - Adquisicin de datos. - Circuitos de video SOLUCIONES: 1. TRANSISTOR NICO - Elevada ganancia.
-Acoplamiento directo.
VCC VCC R3 Vi R2 Q1 Vo Q2 Vi R1 Vo
R3 R1
R2
R1 Vi Q1 R2
Q2
Vo
Q2 Q1
R4
E-C
C-E
E-E
ADAPTACIN DE IMPEDANCIAS
ELEVADA GANANCIA
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DIFICULTADES DEL ACOPLAMIENTO DIRECTO a) Interaccin entre etapas: No se puede considerar cada etapa como independiente por lo que hay una mayor dificultad de clculo de la polarizacin. b) Efectos de deriva por variacin de los parmetros de los componentes activos. Hay tres causas: Tema 9.1: Amplificadores de continua. 1. Parmetros diferentes debido al proceso de fabricacin. 2. Efectos de las condiciones ambientales. 3. Envejecimiento. c) Los errores producidos se propagan al resto de las etapas. d) Se debe asegurar la estabilidad de las condiciones de reposo.
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ESQUEMA BSICO:
VCC
RS
Ii
T1
+
h fe1 h fe 2 = h fe
I2
T2
+
VS
V1 V2
-
VT 1 h fe1 I C1
hie 2 = hie
Io
RE
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AI 2 = 1 + h fe
0
I2
hie2
hfe*I2
Ri 2 = hie 2 + (1 + h fe ) RE
Primera etapa:
hie 2 << 1+ h fe RE
(1 + h ) R
fe
RE
RS
hie1 I2
VS
Ii
hfe*Ii
1/hoe
Ri2
Ganancia de corriente:
AI 1 =
I2 I1
1 I i + h fe I i = V1 hoe + Ri 2
I i (1 + h fe ) = I 2 (1 + Ri 2 hoe )
V1 = I 2 Ri 2
hoe RE <<1
1 + h fe 1 + hoe h fe RE
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AI 1 =
1 + h fe I2 = I i 1 + hoe h fe RE
2
(1 + h fe ) I I I AI = o = AI 1 AI 2 = 2 o = Ii I i I 2 1 + hoe h fe RE
Impedancia de entrada:
Tema 9.2: El amplificador Darlington.
Ri =
Vi Ii
Ri = hie1 + AI 1 Ri 2 = hie1 +
(1 + h ) R
2 fe
1 + h fe hoe RE
Ganancia de tensin:
AV = R R Vo Vo V2 I o RE I 2 Ri 2 = = = AI 2 AI 1 E = AI E Vi V2 Vi I 2 Ri 2 I i Ri1 Ri1 Ri
(1 + h fe ) 1 + h fe hoe RE R = 1 V AV = o E Vi 1 + hoe h fe RE (1 + h fe )2 RE
2
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VS
Ii
hfe*Ii
1/hoe
Ii
R01
Ro1 =
Vo1 I o1
Ro1 =
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I2
hfe*I2
RE
I2
V0 hfe*I2 RE
R0
Ro =
Tema 9.2. El amplificador Darlington.
Vo Io
I o + I 2 + h fe I 2 Vo RE = 0
1 + h fe 1 Vo Vo Vo ( ) ( ) Io = 1 + h fe = Vo + I 2 1 + h fe = RE RE Ro1 + hie 2 RE Ro1 + hie 2 RS + hie1 RE + hie 2 1 + h fe RE (Ro1 + hie 2 ) = = Ro1 + hie 2 + RE (1 + h fe ) RS + hie1 + h + R (1 + h ) ie 2 E fe 1 + h fe
Ro =
Vo 1 = 1 + h fe 1 Io + RE Ro1 + hie 2
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GENERALIDADES GENERALIDADES
+ Vid V1 V2 Ad + Vo
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V1
+ V2 Vid Ad
+ Vo -
V1
+ V2 Vid Ad
+ Vo -
Vid 2 Vid 2
+ + -
Vid 2 Vid 2
+ + -
V1
+ V2 Vid Ad
+ Vo -
V1
+ V2 Vid Ad
+ Vo -
Vimc
+ -
Vid 2
Vimc
+ -
El generador Vimc es la entrada en modo comn que es igual para la entrada inversora y no inversora.
+ -
Vid 2
+ -
Vid 2
+ -
Vid 2
+ -
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V1
+ V2 Vid Ad , Ac
+ Vo -
V1 =
GANANCIAS GANANCIAS
Vid 2 Vimc
+ -
V1 + V2 = 2 Vimc
+ -
Vid 2
V2 =
Vimc =
V1 + V2 2
Vimc
Vid 2 Vid 2
+ + -
+ + -
Ac es la ganancia en modo comn. Interesa que sea lo ms baja posible. La ecuacin general queda:
V1 + V2 2
Vimc
+ -
Este montaje se utiliza para evaluar la ganancia en modo comn, conectando un generador a las dos entradas cortocircuitadas
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CMRR = 20 log
Tema 9.3. El amplificador Diferencial.
Ad Ac
[dB ]
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5.0 V
R2 100k
-5.0 V
Q2 V2 Q2N2222A V3 VAMPL = 0.01V FREQ = 1k
20 mV
0V
-20 mV
1.0 ms Time
1.5 ms
2.0 ms
VCC V1 15V
0
15V
V4
Ad =
VEE
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350 mV
R1 100k Vo1 Q1 Q2N2222A Vo2 Q2 Q2N2222A R3 100k VEE R2 95k
300 mV 1.0 V
0V
-1.0 V
Vc V2 VAMPL = 1V FREQ = 1k
0s V(VC)
0.5 ms
1.0 ms Time
1.5 ms
2.0 ms
En simulacin los transistores son idnticos, al igual que las resistencias de colector. Bajo estas condiciones la Ac sera nula, por ello se ha variado la resistencia R2, para que no sea ideal el amplificador.
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VCC
RC
RC
IB1
T1 T2
IE =
0 Vp IE RE
VEE VBE RE IE 2
VBE
Vp Vp IE RE IE
I E1 = I E 2 =
VEE VEE
VEE
IE =
Como T1 no es idntico a T2 las corrientes de polarizacin de base tampoco lo son. Se llama corriente de asimetra o de offset a:
I B1 I B 2 = I io ( Input Offset )
Se toma como corriente de polarizacin de entrada la media de las dos entradas:
I B1 + I B 2 = IB 2
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Vod 2
Vod 2
Vo1 V1
Si se considera la corriente por cada emisor igual a la mitad de la de la resistencia RE, entonces en condiciones ideales se puede dividir el circuito de dos ramas de la siguiente forma:
Vd 2
+ +
i1
Vd 2
VCC
VCC
Vc
Vc
0
Rc1
Vod 2
Rc2 + Vo2
T1
T2
Para analizar las ganancia del circuito, bien sea en modo comn bien en modo diferencial, se debe toma el modo de la salida de la misma forma, por ejemplo en modo diferencial:
2*RE
2*RE
VEE
VEE
Vo = Vod = Vo 2 Vo1
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Vc
hie
hfe*Ib
Rc
Voc =
Vod 2
Vc
2*RE 0
VEE
AV =
h fe Rc Voc = Vc hie + 2 RE (1 + h fe )
Ac =
Vod 2 Voc R = c Vc Vc RE
Conclusiones: Como interesa una ganancia en modo comn lo ms baja posible, entonces RE debe ser lo ms alta posible. Pero con este circuito si se aumenta la resistencia de emisor se disminuye la corriente de polarizacin y no interesa disminuir el punto de trabajo de los transistores. Es sustituir la resistencia RE por una fuente de corriente que se configure para la corriente de polarizacin deseada y, al mismo tiempo, tiene una resistencia idealmente infinita.
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Vod 2
Vod 2
Rc2 + T2
Vd 2
hie +
hfe*Ib
Rc -
Vod 2
Vo1
Vod
0 0
V1
Vd 2
Vd 2
AV =
h fe Rc hie
2 = h fe I b Rc V hie I b d 2
Vod
Ad CMRR = 20 log A c
h fe RE = 20 log h ie
20
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VCC
Rc2
Rc1 V1
Rc2
Vod
Vod
T1
T2 IE +
T1
T2
Vd 2
+
Vd 2
0
Vd 2
Vd 2
0
T3
VB
+
R1
IE 0 VEE
VBE
R3 R2
Z eq
;
1 hoe
R1 VB = VEE R1 + R2
VB = VBE + I E R3 VEE
VEE
VEE IE =
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Las fuentes de corriente se utilizan en los circuitos integrados: 1. 2. Para proporcionar las corrientes de polarizacin en zona activa de los transistores. Como cargas activas para aumentar la ganancia de los amplificadores.
Los subcircuitos principales de la fuentes de corriente son: 1. Tema 9.4. Fuentes de corriente. La corriente de referencia IREF que debe ser independiente de: 2. La temperatura. De la variacin de los parmetros de los dispositivos. Copia IREF hacia otra rama del circuito. El elemento esencial es el transistor conectado como diodo.
Espejo de corriente.
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Caracterstica de salida
Las corrientes de base se pueden despreciar para transistores con hfe grande. VBE idntica en ambas expresiones (las dos uniones BE estn en paralelo). Tensin equivalente de temperatura VT=k*T/q . Idntica si los transistores estn prximos en el integrado. Corrientes de saturacin. Pueden ser idnticas, dando lugar a Io=IREF, o las reas de la unin pueden estar escaladas para introducir un factor de escala. Para que los transistores estn en zona activa:
I REF = I C1 = I SatQ1 e
VBE VT
I o = I C 2 = I SatQ 2 e
VBE VT
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Io
+1
I E = I B + I C = I B (1 + ) I E = I B + IC = IC
IB = IC =
IE
T1 T2
IE 1+
+ IC =
+1 IC
+1
IE
IE
IE +1
IE +1
IE
T1 y T2 son muy parecidos y estn a la misma temperatura, entonces: VBE (T1 ) VBE (T2 ) Ganancia de corriente:
AI = Io I REF
I REF =
+1
IE + 2
1 +2 IE = IE +1 1+
+1 E = 1 = +2 + 2 I +1 E
I o = I C (T 2 ) = I B =
IE = IE 1+ 1+
I o = I REF
+2
Tambin se pueden disear los transistores para que la relacin de las corrientes no sea unitaria, si no cualquier otra que se desee.
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I REF
R A T1 T2
VBE 0.7 V
I REF = I o =
Nota: La fuente de corriente presentada se comporta, en realidad, como un consumidor de corriente, no como una fuente. Utilizando transistores PNP se puede obtener una fuente de corriente equivalente a este consumidor:
0
Ro
A
Io
+
Ro
+
Vth = V A = I o Ro
R
Io 1 hoe
VEE
Ro =
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Ejemplo ms realista: Disear una fuente de Io=5 A. Datos: VCC=30 V, VCE1=VBE1=VBE2= 0.7 V, Ro=30 M, media=100, VCE2=20 V.
VCC Vo
I REF
Io
R A T1 T2
R=
30 0.7 = 5.75 M 5 A
Vth = 5 A 30 M = 150 V
Si se tiene en cuente la resistencia de salida del transistor la corriente esperada de salida se ve aumentada en :
VCE 2 20 V = = 0.66 A Ro 2 30 M
Conclusiones: (1) El resistor R necesario es demasiado elevado y ocupara demasiado espacio en circuito integrado. Por tanto, esta fuente se utiliza para valores de corrientes del orden del mA. (2) Si la salida de la fuente est en circuito abierto, la tensin de salida no es -150 V como indica la deduccin terica, ms bien sera la VCEsat, esto es, unos 0.2 V.
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VCC
I REF
R T3
Vo
+1
IE
T1
2 IE ( + 1)2
2 IE +1 IE +1
Io
T2
IE
IE +1
IE
2 +1 I + I 2 ( + 1) o o
Io = IC 2 =
+1
IE
2 = Io 1 + ( + 1)
2 + I o = I REF 2 + +2
I REF = VCC VBE 3 VBE1 cte R
Ejemplo: Si =10, entonces: Con el circuito bsico: Ai=10/12= 0.833 Con el circuito de alta ganancia: Ai=110/112= 0.982
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VBE1 VBE 2 (I C 2 + I B 2 ) RE = 0
Vo
I REF
IC = I S e
Io
VBE VT
VBE
T1 +
T2 RE
VBE 2
VBE1
-
I C1 = I C 2 e
I C 2 RE VT
I REF =
VCC VBE1 R
1 IC 2 1 I REF = I C1 + I B1 + I B 2 = I C1 + +
I REF = I C1 + I B1 + I B 2
+1 = IC 2 e
I C 2 RE VT
IC 2
No lineal
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Ro =
R Vo
1 (1 + ) hoe
I REF
Io
T1 T2
T3
T4
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I REF = I C1 + I B 2 =
+1
IE +
+2 ( + 1) + + 2 I = I E E ( + 1)2 ( + 1)2
I REF
R T2
Io = IC 2 = I E 2
+1
= IE
( + 2) ( + 1)2
+1
IE2 = IE
IE
2 IE +1
+2 +1
IE
IC 3 =
T3
+1
T1
IE
IE +1
0
IE +1
IE
Si =10: I o = I REF 0.984 Con el circuito bsico era Ai=0.833 y con el de alta ganancia: Ai=0.982
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La tensin VDS es igual a la VGS por lo que el transistor M1 est en saturacin, entonces funciona como fuente de corriente. Como M2 tiene la misma VGS su corriente de drenador ser la misma que la de M1. Tema 9.4. Fuentes de corriente. Por consiguiente funciona como espejo de corriente para Vo>VGS.
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Q1 Q2N2907A Q3 Q2N2907A
Q2 Q2N2907A VO R1 100k
Q4 Q2N2222A
VEE Q5 Q2N2222A
0
V1 0.00218 VIN V2 VAMPL = 0.0005 Q7 FREQ = 100 Q2N2222A Q6 Q2N2222A
R2 10k
Q8 Q2N2222A
400 mV
0V
VEE
0V
Time