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REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

MINISTERE DE LENSEIGNEMENT SUPERIEUR


ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE


UNIVERSITE ABOU BEKR BELKAID-TLEMCEN

FACULTE DES SCIENCES

UNITE DE RECHERCHE
MATERIAUX ET ENERGIES RENOUVELABLES


THESE DE MAGISTER

EN

PHYSIQUE ENERGETIQUE ET MATERIAUX


prsente par :

M
me
BENAHMED BENABDALLAH Nadia













Soutenue en Juillet 2006 devant la commission dexamen :


M
r
N. CHABANE-SARI Professeur luniversit de Tlemcen Prsident
M
r
B. BENYOUCEF Professeur luniversit de Tlemcen Directeur de Thse
M
r
G. MERAD Professeur luniversit de Tlemcen Examinateur
M
r
K. GHAFFOUR Matre de Confrences luniv. de Tlemcen Examinateur
M
r
A. CHERMITTI Matre de Confrences luniv. de Tlemcen Examinateur


Proprits physiques des semi-conducteurs
(Si monocristallin et Ge) et Simulation des cellules
solaires base de Si et SiGe



Remerciements



Je remercie ALLAH le Tout-puissant de mavoir donner le courage, la
volont et la patience de mener terme ce prsent travail.

Ce travail a t effectu dans lUnit de Recherche des Matriaux et des
Energies Renouvelables (URMER) de la facult des sciences, sous la direction de
monsieur B. BENYOUCEF, Professeur lUniversit Abou Bekr Belkad-
Tlemcen. Je lui exprime particulirement toutes mes reconnaissances pour mavoir
fait bnficier de ces comptences scientifiques, ses qualits humaines et sa
constante disponibilit.

Jexprime mes sincres remerciements monsieur N. CHABANE SARI,
Professeur lUniversit Abou-bekr Belkad Tlemcen, davoir accepter de prsider
le Jury de cette thse.

Je remercie sincrement monsieur G. MERAD Professeur lUniversit
Abou Bekr Belkad-Tlemcen et messieurs K. GHAFFOUR et A. CHERMITTI
Matres de confrences lUniversit Abou Bekr Belkad-Tlemcen davoir accepter
de faire partie du Jury.

Enfin, jadresse mes vives reconnaissances tous les membres de
lURMER , spcialement monsieur A. BENYOUCEF sans oublier les
tudiants de Magister.
Introduction gnrale
1
INTRODUCTION

La conversion photovoltaque utilise le principe de la conversion directe de
lnergie lumineuse en une nergie lectrique, les cellules solaires sont capables deffectuer
cette transformation. La premire cellule solaire homojonction en silicium a t fabrique
en 1954 aux Laboratoires BELL avec un rendement voisin de 6%. En 1960, ce rendement a
t port une valeur suprieure 10% pour les cellules solaires base de silicium
monocristallin. De nombreux travaux de recherche sur lamlioration du rendement de
conversion ont t publis. Jusqu 1972, les applications des cellules solaires taient
rserves au seul usage cause de leurs prix de revient trs lev et leurs faibles
rendements.

Cependant, il est noter que laugmentation du rendement a t considre plus
dterminante que la rduction du cot, car toute amlioration des performances,
optimisation des paramtres, sapplique directement en pourcentage sur le prix de lnergie
produite.

Dans ce cas, lobjectif essentiel est laccroissement du rendement. Ceci explique et
justifie les recherches concernant ltude des programmes numriques de conception, de
modlisation et de simulation. Dans cet objectif, ce travail est abord selon les chapitres
suivants :

Dans un premier chapitre, nous rappelons quelques notions fondamentales
ncessaire des semi-conducteurs. Puis, nous montrons les diffrents types de
recombinaison dans la cellule localiss en surfaces et en volume.

Le deuxime chapitre est consacr ltude des diffrents types de silicium et les
tapes suivre pour obtenir du silicium de qualit lectronique. Puis, nous prsentons les
proprits physiques du silicium et du germanium que nous utilisons dans la simulation
numrique.
Dans le troisime chapitre, nous prsentons les proprits gnrales de lalliage Si
1-
x
Ge
x
. Dans lequel nous prsentons quelques notions de base du Si
1-x
Ge
x
ainsi que sa
structure de bande.

Introduction gnrale
2
Enfin, dans le dernier chapitre, nous dcrivons les diffrentes tapes du logiciel
PC1D, utilis en simulation numrique, et nous donnons quelques exemples numriques de
simulation pour diffrents matriaux. Les rsultats obtenus ainsi sont comments et
Interprts grce aux notions de la caractristique courant tension et de la rponse
spectrale. La matrise du logiciel et des techniques de simulation, nous permettra
davantage dtudier nimporte quelle rgion de la cellule solaire et tous les paramtres
physiques.
Thorie gnrale des Semi-conducteurs Chapitre I
3
I.1. INTRODUCTION
Actuellement les technologies de circuits intgrs utilisent encore le silicium
comme matriau semiconducteur de base. Le silicium tant un matriau semiconducteur
de largeur de bande interdite moyenne s'adapte bien aux contraintes imposes par les
applications des tempratures normales, soit de 0 100C. A de plus hautes tempratures,
la performance des technologies sur le silicium se dgrade progressivement.
Le silicium fut dcouvert en 1824 par J.J. Berzelius Stockholm, en Sude. C'est,
aprs le carbone, l'lment le plus abondant de la terre, la rpartition tant de 277.000 ppm.
On le trouve gnralement sous forme de silicate dans de nombreuses roches, argiles et
terres. Le silicium est obtenu en rduisant la silice (le sable, SiO
2
) par le carbone. Une
fusion en zone subsquente donne un lment plus pur pour des applications ncessitant un
silicium de haute puret (par exemple les semi-conducteurs) [1].
Les semi-conducteurs (germanium et silicium) possdent 4 lectrons sur leur
couche priphrique car ils appartiennent la 4
me
colonne de la classification priodique
des lments. Il est possible de les produire avec un haut degr de puret (moins de 1 atome
tranger pour 10
11
atomes de semi-conducteur): on parle alors de S.C. intrinsque [2].
Le germanium est dcouvert par le savant allemand Clemens Winkler le 6 fvrier
1886, il peut tre trouv beaucoup d'endroits, mais en concentrations faibles. Le
germanium a servi de substrat semi-conducteur jusqu'a ce que le silicium prenne sa place,
vers les annes 1970. Aujourd'hui il n'est plus utilis que dans le domaine des hautes
frquences, et pour la ralisation de diodes faible chute (0,3 V environ, application en
dtection) [3].
I.2. STRUCTURES CRISTALLINES
La matire condense peut prendre deux tats solides diffrents, suivant les
conditions dans lesquelles elle s'est forme : un tat dit amorphe, dans lequel la disposition
des atomes est alatoire, ou un tat cristallis, caractris par un arrangement priodique
des atomes. Les solides amorphes sont gnralement appels des verres et considrs
comme des liquides de haute viscosit. Les solides cristalliss peuvent former des
monocristaux, si la priodicit est ininterrompue dans tout le volume, ou des poly-cristaux,
s'il existe une priodicit locale et que le solide est compos d'un ensemble de grains
cristallins de taille peu prs uniforme. Dans la microphotographie de la figure I.1, prise
Thorie gnrale des Semi-conducteurs Chapitre I
4
par TEM (Transmission Electron Microscopy), une vue de coupe du rseau cristallin du
silicium permet d'observer sa priodicit.
Le rsultat est un ensemble ordonn, ou localement ordonn, des noyaux d'atomes
et d'lectrons lis entre eux par des forces principalement coulombiennes. Ces forces sont
plus ou moins importantes suivant l'lectrongativit des lments intervenant dans les
liaisons, ce qui confre aussi des proprits mcaniques et lectriques au solide cristallis
rsultant. On distingue quatre familles de solides cristallins : les cristaux ioniques, les
cristaux covalents, les mtaux et les cristaux molculaires [4].












La structure diamant
Dans la structure diamant chaque atome est entour de 4 plus proches voisins, ce
qui permet de former des liaisons covalentes. Elle peut tre dcrite comme tant forme de
2 structures f.c.c. dplaces lune par rapport `a lautre le long de la diagonale principale.
La position de lorigine de la seconde structure f.c.c. par rapport `a lorigine de la premire
est (1/4, 1/4, 1/4). Le diamant cristallise dans cette structure, mais aussi le Silicium et le
Germanium.









Figure I.1. Microphotographie du rseau cristallin du silicium
prise par TEM
Thorie gnrale des Semi-conducteurs Chapitre I
5













Cette structure est typique des lments de la colonne IV du tableau priodique,
mais aussi des composs III V dans lesquels les sites (0, 0, 0) et (1/4, 1/4, 1/4) sont
occups par diffrents types datomes. On parle dans ce cas de structure Zinc blende [5].
La structure de bande est la relation entre l'nergie de la particule et son vecteur k :
E(k). On reprsente l'volution de l'nergie de l'lectron par la courbe E(k) en forant le
vecteur d'onde k demeurer dans une direction remarquable de l'espace des k, c'est dire
une direction cristallographique du rseau rciproque.














Figure I.2. La structure diamant
Figure I.3. Structure de bande schmatique d'un
semi-conducteur direct et indirect [6]

Thorie gnrale des Semi-conducteurs Chapitre I
6

La structure de bande du Silicium a t lobjet de plusieurs tudies qui ont permit
la connatre avec une grande prcision. Le minimum de la bande de conduction du silicium
est dans la direction [010] et donc, par symtrie, aussi dans les directions
[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] 00 1 , 100 , 1 00 , 001 , 0 1 0 soit au total six minima.
Au contraire, pour le germanium, le minimum de la bande de conduction a lieu dans
les directions correspondant aux diagonales du cube, donc nous sommes en prsence de 8
minima [6].
























Figure I.4. Reprsentation des minima de la bande de
conduction du Si et du Ge

Thorie gnrale des Semi-conducteurs Chapitre I
7




























Figure I.5. Structure de bande du silicium [7]

Figure I.6. Structure de bande du germanium [7]

Thorie gnrale des Semi-conducteurs Chapitre I
8
I.3. BANDES D'ENERGIE
Bien que les lectrons d'un atome isol aient des niveaux d'nergie permis bien
dfinis, le comportement de ces lectrons dans un rseau cristallin priodique est diffrent.
Si la distance entre les atomes est suffisamment petite, comme dans le cas du rseau
cristallin du silicium, la prsence des atomes voisins gnre une sorte d'interfrence entre
les niveaux permis de chaque atome. Cela entrane une multitude quasi continue d'tats
autour de chaque niveau permis de l'atome individuel. Cet ensemble d'tats, trs
proches entre eux, est plutt considr alors comme une bande d'nergie permise, avec
une densit d'tats associe.
Les niveaux d'nergie des lectrons de valence et le niveau d'nergie d'ionisation
gnrent ainsi deux bandes dnergies permises particulirement intressantes, la bande de
valence et la bande de conduction, spares par une bande dpourvue de niveaux permis,
nomme bande interdite (Figure I.7). La particularit de ces bandes permises tient au fait
que les lectrons peuvent circuler librement dans toute la maille cristalline et ainsi gnrer
des courants de conduction lectrique (s'agissant d'lectrons partags par les atomes du
rseau cristallin).

















Figure I.7. Diagramme des bandes d'nergie des semi-conducteurs

Bande de
valence
Bande de
conduction
Energie
de Gap
E
E
v
E
c
E
g

Thorie gnrale des Semi-conducteurs Chapitre I
9


A des tempratures trs basses, la bande de conduction se trouve vide d'lectrons et
la bande de valence est compltement occupe, car l'nergie thermique n'est pas
suffisamment importante pour ioniser les atomes du rseau cristallin. A des tempratures
normales un bon nombre des atomes ioniss ont dj cd leurs lectrons la bande de
conduction, dans laquelle ils participent la conduction lectrique avec une charge
ngative.
La bande de valence, mme quasiment pleine, prsente un nombre de niveaux
inoccups (trous) gal au nombre d'lectrons dans la bande de conduction (dans le cas d'un
semiconducteur intrinsque); ces niveaux inoccups peuvent tre occups par un lectron
de valence d'un atome voisin et ainsi se dplacer dans le rseau cristallin, et participer la
conduction lectrique comme s'ils taient des particules charges positivement.
La taille E
g
de la bande interdite donne des caractristiques lectriques importantes
chaque semi-conducteur. Ces variations peuvent tre dcrites approximativement par la
fonction universelle suivante [8] :
( ) ( )
( ) b T
T a
E T E
g g
+
=
2
0 (I.1)
Au voisinage de chacune des limites E
c
et E
v
, respectivement de la bande de
conduction et de la bande de valence, la densit d'tats permis ( ) E N peut tre estime avec
l'approximation parabolique suivante [4] :
( ) ( )
2
1
c c c
E E K E N = (I.2)
( ) ( )
2
1
E E K E N
v v v
= (I.3)
K
c
et K
v
tant des constantes pratiquement indpendantes de la temprature.
I.4. SEMI-CONDUCTEUR INTRINSEQUE
Un semi-conducteur dit intrinsque est un matriau idal ne possdant ni dfaut
physique ni dfaut chimique. Un tel monocristal possde une structure de type ttradrique
c'est dire que chaque atome est entour symtriquement de 4 atomes.
I.4.1. Concentration intrinsque
A l'quilibre thermique, les densits totales d'lectrons dans la bande de conduction
et des trous dans la bande de valence sont donnes par les expressions suivantes [8] :
Thorie gnrale des Semi-conducteurs Chapitre I
10
( )
(


=
(


=
kT
E E
N
kT
E E
kT m
h
n
c F
c
c F
e
exp exp 2
2
2
3
3
(I.4)
( )
(


=
(


=
kT
E E
N
kT
E E
kT m
h
p
F v
v
F v
h
exp exp 2
2
2
3
3
(I.5)
O :
Nc et Nv sont respectivement la densit effective dtats des lectrons dans la bande de
conduction et la densit effective dtats des trous dans la bande de valence.
Un semi-conducteur intrinsque est un matriau dpourvu de toute impuret
susceptible de modifier la densit des porteurs. Les lectrons de la bande de conduction ne
pouvant rsulter que de l'excitation thermique des lectrons de la bande de valence, les
trous et les lectrons existent ncessairement par paires (
i
n p n = = ), donc on obtient les
expressions suivantes, pour la concentration intrinsque des porteurs et le niveau de Fermi
intrinsque :
[ ]
(

=
kT
E
N N n
g
v c i
2
exp
2
1
(I.6)
[ ]
e
h
c v F
m
m
kTLog E E E
4
3
2
1
+ + = (I.7)
Il en rsulte que le niveau de Fermi intrinsque E
F
est toujours trs proche du centre
de la bande interdite.














Figure I.8. Concentration intrinsque du silicium et du germanium
en fonction de la temprature
200 300 400 500
10000
100000
1000000
1E7
1E8
1E9
1E10
1E11
1E12
1E13
1E14
1E15
Si
Ge
C
o
n
c
e
n
t
r
a
t
i
o
n

i
n
t
r
i
n
s

q
u
e

(
c
m
-
3
)
T(K)

Thorie gnrale des Semi-conducteurs Chapitre I
11

Dans le cas d'un semi-conducteur non dgnr et l'quilibre thermique
(
2
0 0 0 0
. , ,
i
n n p n n p p = = = ) :
(


=
kT
E E
n n
F i
i
exp
0
(I.8)
(


=
kT
E E
n p
F i
i
exp
0
(I.9)
I.4.2. Temprature intrinsque
La transition entre le rgime d'puisement et le rgime intrinsque marque la
temprature limite pour un dispositif semi-conducteur, dite temprature intrinsque. D'o
l'importance, dans les cas d'applications en haute temprature, de repousser au maximum
cette transition.
Si on dfinit la temprature intrinsque
i
T comme la temprature o la concentration
intrinsque ( ) T n
i
devient comparable ou gale la concentration des impurets dopantes
nette
a d
N N donc [8] :
( )
a d i i
N N T n = (I.10)
I.5. DIFFERENTS TYPES DE DOPAGE
Les semi conducteurs intrinsques n'ont pas une grande utilit en tant que tels ; ils
servent de base aux semi conducteurs dops : on y rajoute des impurets pour modifier leur
comportement. Il existe deux types de semi conducteurs extrinsques [9]:
I.5.1. Semi- conducteur dop n
Matriau dop n est un semi-conducteur dont la concentration en lectrons est
largement suprieure la concentration en trous. On y a introduit gnralement du
phosphore, de lArsenic ou encore de lAntimoine. Prenons par exemple le cas du Silicium
dans lequel on introduit de lArsenic (possde 5 lectrons sur la couche extrieure).
On associe lArsenic un niveau donneur E
d
dans la bande interdite trs proche de
la bande de conduction. Lintrt est que pour les temprature suprieure 0K, les atomes
darsenic sont ioniss ce qui revient faire passer llectron du niveau donneur la bande
Thorie gnrale des Semi-conducteurs Chapitre I
12
de conduction. La concentration de donneurs sera donc suprieure la concentration
daccepteurs ( 0
a d
N N ) ce qui correspond la dfinition dun semi-conducteur dop n.
A la temprature ambiante pratiquement tous les donneurs sont ioniss et si la
concentration en atomes donneurs est
d
N , la densit de porteurs libres du semi-conducteur
sera :
d
N n n + =
0
(I.11)
O n
0
est la densit d'lectrons gnrs par le processus de rupture de liaisons de covalence
qui engendre des paires lectrons-trous.
I.5.2. Semi-conducteur dop p
Il sagit dun semi-conducteur dont la concentration en trous est largement
suprieure la concentration en lectrons. On y a introduit gnralement du Bore, de
lAluminium, du Gallium ou encore de lIndium, prenons le cas du Silicium dans lequel on
introduit du Bore. On associe au Bore un niveau accepteur
a
E dans la bande interdite trs
proche de la bande de valence [10].
De la mme faon que pour le semi-conducteur dop n , la concentration en trous du
semi-conducteur sera :
a
N p p + =
0
(I.12)
I.5.3. Densit de charges dans un semi-conducteur
Si l'on considre un Semi-conducteur possdant une densit
d
N d'atomes donneurs
et une densit
a
N d'atomes accepteurs on peut estimer qu' la temprature ordinaire toutes
les impurets sont ionises. Il en rsulte le bilan des charges suivant:
d a
N p N n + = +
(I.13)
Dans le cas de semi-conducteurs dops n ou p la relation (I .13) se simplifie
lorsque l'on tient compte des ordres de grandeur des diffrentes concentrations.
Semi-conducteur dop n:
d d a
N n p N et N >> = 0

: Les lectrons sont les porteurs majoritaires.



Thorie gnrale des Semi-conducteurs Chapitre I
13
La densit des donneurs ioniss
+
d
N s'crit:
|

\
|
+
=
+
kT
E E
N
N
d F
d
d
exp 2 1
(I.14)
E
d
tant le niveau d'nergie donneur.
Semi-conducteur dop p:
a a d
N p n N et N >> = 0 : Les trous sont les porteurs majoritaires.
La densit d'accepteurs

a
N s'crit [4] :
|

\
|
+
=

kT
E E
N
N
F a
a
a
exp
4
1
1
(I.15)
E
a
tant le niveau d'nergie accepteur.
Le matriau semiconducteur tant globalement neutre, l'quation de la neutralit
lectrique s'crit :
+
+ = +
d a
N p N n
(I.16)
I.5.4. Loi d'action de masse
La loi d'action de masse relie, une temprature T, la densit de porteurs (lectrons
et trous) la densit intrinsque du semi-conducteur. Elle s'exprime par:
2
.
i
n p n =
(I.17)
On en dduit la concentration de porteurs minoritaires de Semi-conducteurs dops n et
dops p:
Trous dans un semi-conducteur dop n:
d
i
n
N
n
p
2
=
(I.18)
Electrons dans un semi-conducteur dop p :
a
i
p
N
n
n
2
=
(I.19)
Thorie gnrale des Semi-conducteurs Chapitre I
14
I.6. COURANTS DANS LE SEMICONDUCTEUR
Les courants dans le semi-conducteur rsultent du dplacement des porteurs de
charge, lectrons et trous, sous l'action de diffrentes forces, l'origine de ces forces tant un
champ lectrique (courant de conduction) ou un gradient de concentration (courant de
diffusion) [8].
Le courant de conduction est le courant que l'on rencontre dans les mtaux et qui est
proportionnel au champ lectrique:
E n q J
n C
n
. . . =
(I.20)
E p q J
p C
p
. . . =
(I.21)
Ces relations sont valables pour des champs lectriques suffisamment faibles pour
que la vitesse des porteurs reste proportionnelle au champ. Le courant total s'crit alors [8]:
( ) E E p n q J
p n tot
= + =
(I.22)
Ainsi, la conductivit (T) et la rsistivit (T), sont donnes par :

( ) ( ) ( ) ( ) T p T n q T
p n
+ =
(I.23)
( )
( ) ( ) ( ) T p T n q
T
p n
+
=
1
(I.24)
Considrons un semi-conducteur dop dont la concentration en trous varie suivant
un axe x. La densit de courant de diffusion en un point d'abscisse x est:
q
kT
D o
dx
x dp
qD J
p p p D
p
= =
) (
(I.25)
D
p
est la constante de diffusion.
Les porteurs en excs tendent se donner une concentration uniforme. Il en est de
mme dans le cas des lectrons de concentration n(x) et on a:
( )
q
kT
D o
dx
x dn
qD J
n n n D
n
= =
(I.26)
Lorsque les deux phnomnes existent simultanment la densit totale de courant
pour les lectrons et les trous est donne, en explicitant la relation de dpendance avec la
temprature, par :
Thorie gnrale des Semi-conducteurs Chapitre I
15
dx
dn
D q E n q J
n n n
. . . . + =
(I.27)
dx
dp
D q E p q J
p p p
. . . . =
(I.28)
Ces relations sont valables pour des champs lectriques suffisamment faibles pour
que la vitesse des porteurs reste proportionnelle au champ. Le courant total s'crit alors [4]:
p n tot
J J J + =
(I.29)
Les constantes D
p
et D
n
sont lies aux mobilits
n
et
p
par la relation d'Einstein :
T
n
n
p
p
V
q
kT D
D
= = =

(I.30)
I.7. GENERATION ET RECOMBINAISON DES PORTEURS
Si on considre un semi conducteur l'quilibre thermique, il se produit en
permanence un processus de gnration de paires lectrons-trous par agitation thermique.
Cependant il existe aussi le processus inverse, un lectron se recombine avec un trou, c'est
la recombinaison. Dans un semi-conducteur l'quilibre les deux processus s'quilibrent de
faon ce que la concentration en porteurs libres reste constante.
Lorsque llectron descend de la bande de conduction vers la bande de valence, le
semi-conducteur restitue lnergie sous forme de chaleur ou met de la lumire (photon).
Ce dernier effet est utilis dans les diodes lectroluminescentes (L.E.D.) ou les lasers semi-
conducteurs. Le photon mis a une nergie gale
g
E selon :
c h E
g
. . = (I.31)
Soit :
( )
( ) eV E
m
g
24 . 1
= (I.32)
En sens inverse, un photon qui possde une nergie suprieure ou gale
g
E a le
pouvoir de gnrer une paire lectron-trou.
Quand le semi-conducteur absorbe une nergie suffisante (hE
g
), il engendre une
paire lectron-trou. En gnral, hors quilibre et en rgime transitoire, les taux nets de
recombinaison des lectrons et des trous respectivement sont donn par :
Thorie gnrale des Semi-conducteurs Chapitre I
16

=
=
p D U
n D U
p p
n n

(I.33)
Avec :

=
t
n
n
n n
U
p
n
_
_

(I.34)

Par dfinition, la recombinaison est le retour de llectron de ltat excit ltat
initial ou de le bande de conduction vers la bande de valence, car il ne peut rester dans un
tat excit que pour un temps faible (t<10
-8
s). Ce retour de llectron de ltat excit vers
ltat stable peut avoir lieu selon plusieurs faons :
I.7.1. Recombinaison en volume de type radiatives
Le processus de recombinaison radiative ou interbandes est dfinit comme linverse
du processus dabsorption. Lexcs dnergie de llectron recombin est cd sous forme
dun rayonnement optique. Ce processus est important pour les matriaux bande interdite
directe comme le GaAs et faible pour les matriaux gaps indirects comme le Si. De ce
fait, ce mcanisme ninflue pas considrablement sur la dure de vie des porteurs
minoritaires. Le taux de recombinaison est proportionnel la fois au nombre dlectron et
au nombre de trous :
( )
2
i
n n p B R =
(I.35)
Avec :
B est le coefficient de recombinaison radiative, sa valeur est gale 9,5.10
-5
cm
3
/s.

Thorie gnrale des Semi-conducteurs Chapitre I
17

I.7.2. Recombinaison en volume de type Auger
Nous avons une recombinaison de type Auger, lorsque lnergie de llectron qui se
recombine dans la bande de valence est transfre sous forme dnergie cintique un
autre lectron libre. Lnergie transfre est libre ensuite sous forme de phonons. Ce
mcanisme est prdominant pour les rgions fortement dopes. Le taux de recombinaison
est donn par la relation :
( )( )
2
i p n
n pn p C n C R + =
(I.36)
Avec C
n
et C
p
sont des coefficients dAuger. Leurs valeurs sont respectivement :
s cm C
n
/ 10 . 2 , 2
6 31
=
s cm C
p
/ 10 . 9 , 9
6 32
=


B.V
B.C
h

Figure I.9. Schma descriptif du processus de recombinaison de type radiatif

B.V
B.C
Energie cintique

Figure I.10. Schma descriptif du processus de recombinaison de type Auger
Thorie gnrale des Semi-conducteurs Chapitre I
18
I.7.3. Recombinaison par pige
Les deux mcanismes prcdents ne dpendent que du dopage et pas des dfauts et
des centres de recombinaison associs. Ils sont souvent masqus par des processus de
recombinaison plus efficaces faisant intervenir les niveaux profonds.
Pour le silicium, il y a des niveaux profonds proches du milieu de la bande interdite
associs quelques impurets courantes. Llectron tendance revenir son tat initial
dans la bande de valence, en passant par ces niveaux (sils existent).

a. Recombinaison en volume de type RSH
Le modle physique dcrivant les recombinaisons en volume est bas sur le modle de
Read-Shokley-Hall un seul niveau pige. Le taux de recombinaison par pige est donn
par la relation :
|
|

\
|
+ +
|
|

\
|
+

KT
E
ie p
KT
E
ie n
i
RSH
T T
e n n e n p
n pn
R

2
(I.37)
O :
E
T
reprsente lnergie du niveau pige proche du milieu de la bande interdite,
n
et
p
ont
une valeur gale 10
3
s.
n
ie
est la concentration intrinsque effective donne par la relation suivante :
|
|

\
| +
=
KT
Eg Eg
pn n
p n
ie
exp
2
(I.38)
Elle est due au rtrcissement de la bande interdite pour un semi-conducteur fortement
dop et
n
g
E ,
p
g
E prsentent le rtrcissement de la bande interdite.

B.V
B.C
Niveau pige

Figure I.11. Schma descriptif du processus de recombinaison par pige
Thorie gnrale des Semi-conducteurs Chapitre I
19
b. Recombinaison en surface
La surface dun semi-conducteur est un lieu o les recombinaisons sont
particulirement nombreuses, en raison des liaisons non satisfaites des atomes de surface
et autres dfauts caractristiques temprature constante (T=300K). Les recombinaisons
en surface avant et arrire inhrentes aux densits de dopages selon la relation suivante :

|
|

\
|
=
set
N
N
S S
0
(I.39)
S
0
, N
set
et dpendent du traitement de la surface et de la passivation. Pour une
oxydation thermique dune couche de silicium de type n, est de 1 et N
set
est de 10
18
cm
-3
.
La passivation est lajout dune couche de SiO
2
en surface pour limiter les
recombinaisons en surface et combler les liaisons casses (en surface) lors de la dcoupe du
semi-conducteur [11].
I .8. CONCLUSION
Dans ce chapitre nous avons donn les notions fondamentales des semi-
conducteurs, dans lequel nous avons prsent la structure de bande des deux principaux
semi-conducteurs. Puis nous avons donn les diffrents types de recombinaison en surface
et en volume dans la cellule solaire. Dans le chapitre suivant nous prsenterons les
diffrents types du silicium de qualit lectroniques ainsi les proprits physiques du
silicium st du germanium.
Proprits physiques du Silicium et du Germanium ChapitreII
20
II.1. INTRODUCTION
Les semi-conducteurs sont les matriaux utiliss pour la fabrication des dispositifs
lectroniques et optolectroniques. Parmi diffrents types de ces derniers le diamant qui se
distingue des autres semi-conducteurs, notamment le Silicium et le Germanium, par sa
capacit supporter des environnements extrmes en pression, temprature et puissance
dissipe. La plus grande partie des composants (transistors, diodes et puce en gnral) sont
raliss en Silicium.
Le silicium est le matriau de base de 90% de lindustrie micro-lectronique [12].
En effet, il est possible de raliser des plaques de Silicium monocristallin de trs grande
puret et faible cot.
II.2. DIFFERENTS TYPES DU SILICIUM
Le silicium utilis pour les cellules photovoltaques doit tre dune grande puret,
quelque soit sa forme. Comme beaucoup dautres lments, le silicium peut exister
temprature ambiante sous diffrentes structures, dont les deux extrmes sont
respectivement ltat amorphe et ltat cristallin (monocristallin ou multicristallin).
II.2.1. Le silicium monocristallin
La ralisation de nombreux dispositifs commence par la production d'une matire
monocristalline de grande puret. En particulier la fabrication de puces microlectroniques
ncessitent des substrats monocristallins semi-conducteurs, par exemple du silicium, du
germanium ou de l'arsniure de gallium. Dans le cas du Silicium, la fusion de zone et le
tirage en creuset (mthode de Czochralski) sont les deux mthodes utilises couramment
pour obtenir des lingots monocristallins de grande puret longs de plusieurs mtres et d'un
diamtre allant jusqu' 300mm [13] [14]. On a des rendements photovoltaques levs,
suprieurs 15 %.
II.2.2.Le silicium polycristallin
On peut raliser dun seul coup un lingot de grandes dimensions par refroidissement
directionnel dune masse de silicium en fusion. Le lingot obtenu est compos de plusieurs
gros cristaux, spars par des joints de grain. Ce matriau, moins homogne que le silicium
monocristallin, a de ce fait un rendement nergtique lgrement moins bon (13%) dans le
commerce, mais sa fabrication est plus facile. Ces lingots de silicium multicristallin
Proprits physiques du Silicium et du Germanium ChapitreII
21
doivent tre eux aussi coups en tranches de 200 400 mm, grce cette fois-ci une scie
fil.
II.2.3. Le silicium amorphe
Le silicium amorphe a une structure atomique dsordonne, non cristallise,
vitreuse, mais il possde un coefficient dabsorption de la lumire environ 1000 fois
suprieur au silicium cristallin. Une fine couche de 0,3 mm est donc suffisante pour
absorber lessentiel du spectre visible.
Dans cette technologie, le silicium est produit directement sur une plaque de verre
partir du gaz silane SiH
4
. En fait, les plaques de verre sont places dans une enceinte
chauffe o lon fait le vide, puis du silane est inject et dcompos par une dcharge
radiofrquence; le silicium libr se dpose alors sur les plaques. La prsence dhydrogne
est galement ncessaire pour la qualit du matriau (il limite le nombre de dfauts en
saturant les liaisons pendantes de silicium prsentes cause de la structure dsordonne).
Ladjonction des dopants est ralise par ajout de gaz
3
PH ou
6 2
H B au silane.
Avec ce type de matriau peu coteux par rapport aux autres formes de silicium, on
a de faibles rendements: 5 6 % et des problmes de stabilit apparaissent rapidement
quand on lexpose au soleil et aux intempries (quelques centaines dheures) [15].















Proprits physiques du Silicium et du Germanium ChapitreII
22

Types
de
silicium

Rendement
thorique
Rendement
en
laboratoire

Rendement
commercial

Domaine dapplication

Silicium
monocristallin

27,0%

24,7%

14,0-16,0%
Modules de grandes dimensions
pour toits et faades ; pour
appareils de faibles puissances ;
pour lespace (satellites)
Silicium
polycristallin

27,0%

19,8%

12,0-14,0%
Modules de grandes dimensions
pour toits et faades ; pour
gnrateurs de toutes tailles

Silicium
amorphe


25,0%


13,0%


6,0-8,0%
Modules de grandes dimensions
pour intgration dans les
btiments ; pour appareils de
faibles puissances (calculatrices,
montres)

II.3. OBTENTION DUN SILICIUM DE QUALITE ELECTRONIQUE
Le silicium existe essentiellement sous forme oxyde (silice, sable) et ncessite
dune part dtre rduit et dautre part, dtre purifi afin dobtenir un matriau de qualit
lectronique.
II.3.1. Rduction de la silice
On ralise une lectrolyse dans un four arc pour atteindre une temprature assez
leve pour faire fondre la silice. La silice est mlange du carbone.
Raction principale :
SiO
2
+2C Si+2CO (II.1)



Tableau II.1. Rendement et domaines dapplication de diverses cellules solaires [16]
Proprits physiques du Silicium et du Germanium ChapitreII
23
Le silicium obtenu a une puret de 98%, il faut encore le purifier pour obtenir un matriau
de qualit lectronique.
II.3.2. Purification du silicium
On va effectuer une purification chimique, une des mthodes consiste faire une
distillation partir de SiHCl
3
(trichlorosilane) liquide temprature ambiante.
Si(solide)+ 3Hcl SiHcl
3
+H
2
(gaz) (II.2)
Le rendement de la raction est gale 90%, on a effectu une premire purification
car des prcipits chlors ne se mlangent pas au trichlorosilane. Puis SiHCl
3
(qui a une
temprature dbullition faible: 31.8C) est purifi par distillation fractionne, il est plus
volatil que les chlorures des principales impurets. Ce trichlorosilane purifi est ensuite
rduit pour redonner du silicium.
SiHCl
3
(gaz) +H
2
(gaz) Si (solide) +3HCl (II.3)
Aprs la distillation, la teneur en impurets actives est infrieure 1ppm, le silicium
est alors de qualit lectronique. Le silicium pur obtenu (donc intrinsque) doit maintenant
subir un double traitement la fois denrichissement en matriau dopant afin den faire du
silicium extrinsque de type p ou n comportant une proportion dune impuret connue et
dobtenir de plus un monocristal convenablement orient. En effet, le silicium
prcdemment obtenu tait polycristallin, il y a ncessit de le transformer en
monocristallin pour amliorer sa conductivit. Cette opration est ralise dans un four
tirage selon la procdure de Czochralski.
II.3.3. Procdure de Czochralski
Dans le cas des oxydes utiliss notamment dans le cadre des applications laser, la
mthode Czochralski est l'une des seules permettant d'obtenir de gros monocristaux de
qualit optique suffisante. Le matriau laborer est d'abord port la fusion dans un
creuset. Un germe monocristallin est approch du centre de la surface du bain, avec
laquelle il est mis en contact. Le liquide remonte par capillarit le long du germe, crant
une interface triple liquide-solide-gaz. Le germe est ensuite lentement tir vers le haut,
des vitesses de l'ordre du millimtre par heure, pour former un monocristal. L'ensemble de
la croissance est effectue en maintenant le cristal en rotation, de manire homogniser
le bain et contrler la forme de l'interface solide/liquide [13] [14].


Proprits physiques du Silicium et du Germanium ChapitreII
24













La figure II.2 prsente 2 cristaux obtenus par la mthode Czochralski le premier
un diamtre de 150mm, le second un diamtre de 200mm [15].










Cependant, les simples cristaux de silicium dvelopps par la mthode de
Czochralski contiennent des impurets puisque le creuset qui contient la fonte se dissout.
Pour certains dispositifs lectroniques, en particulier ceux exigs pour des applications de
puissance leve, le silicium dvelopp par la mthode de Czochralski n'est pas assez pur.
Pour ces applications, le silicium de flotter-zone (FZ-Si) peut tre employ la place.

Figure II.2. Lingots de silicium monocristallin
Figure II.1. Mthode de Czochralski

Proprits physiques du Silicium et du Germanium ChapitreII
25
II.3.4.La fusion de zone
La fusion de zone permet de fabriquer des monocristaux de trs haute puret en
comparaison avec les autres mthodes. Elle s'est donc impose dans le domaine des semi-
conducteurs (Si, Ge, ). Elle est en cours de dveloppement pour dautres matriaux
comme le SiC.
La mthode consiste faire fondre localement un lingot polycristallin en le faisant
passer au travers dune bobine (l'inducteur). Le passage du lingot au travers de linducteur
se fait verticalement de haut en bas une vitesse trs lente. L'inducteur fait partie d'un
circuit lectrique oscillant, aliment par un gnrateur HF. Le systme inducteur-
gnrateur haute frquence fonctionne une frquence comprise entre 1 et 3 MHz. Le
courant alternatif dans le lingot cristallin, chauffant la zone du lingot situe l'intrieur de
l'inducteur au del de sa temprature de fusion, ce qui le fait fondre. Selon le lingot la
puissance du gnrateur HF est de lordre de 10 100 kW. La recristallisation en un lingot
monocristallin de mme diamtre a lieu sous la zone de fusion.
Le lingot effectue un mouvement de rotation afin que la matire fondue ne converge
pas au milieu mais qu'elle se rpartisse uniformment vers l'extrieur. Lors de la fusion, les
matires trangres diffusent vers le haut, ce qui donne sa grande puret au monocristal. La
vitesse de dplacement du lingot cristallin est de l'ordre du millimtre par minute, la
fabrication du lingot monocristallin dure plusieurs heures.
Du point de vue des rglages, la fusion de zone est un mcanisme extrmement
complexe: la vitesse d'avance, la vitesse de fusion, le volume de fusion, les forces
centrifuges et la puissance du gnrateur HF sont des paramtres dpendants les uns des
autres et qui doivent tre accords avec une extrme prcision pendant toute la dure du
processus [13] [14].









Proprits physiques du Silicium et du Germanium ChapitreII
26













II.3.5. Prparation des plaquettes
II.3.5.1. Orientation et dcoupage
Une fois on a enlev les deux bouts du lingot du four de croissance, le bout
suprieur sert constituer le germe monocristallin pour la croissance suivante. Le bout
infrieur contient une concentration dimpuret plus importante que dans le corps du
lingot. Le lingot est ensuite rectifi au bon diamtre sur un tour pour donner un lingot
parfaitement rond.
Lorientation cristalline du lingot est dtermine grce un appareil aux rayons X.
Connatre cette orientation est ncessaire pour les tapes ultrieures de fabrication. En
particulier, la sparation des circuits dune plaquette les uns des autres, doit se faire dun
plan atomique. Un monocristal se coupe ou se clive le long dun de ses plans rticulaires.
Lorientation utilise les indices de Miller, un monocristal cubique contient trois plans
atomiques: (100), (110) et (111).
II.3.5.2. Dcoupage et polissage
Pour scier des plaquettes partir dun lingot, on utilise une scie diamante
diamtre intrieur, elle a la particularit de provoquer le minimum de casse. Le lingot
scier est coll par son mplat primaire sur une barre afin de maintenir les plaquettes lors du
sciage. On utilise aussi dautres types de scies fil diamant. Quelques plaquettes sont

Figure II.3. Fusion de zone
Proprits physiques du Silicium et du Germanium ChapitreII
27
enleves du lot pour subir des testes et des mesures, savoir, le diamtre, la planit et
lpaisseur; on vrifie aussi lhomognit de la rsistance.
Aprs le sciage, les plaquettes sont nettoyes leau dsionise. On leur meule les
artes vives pour les adoucir. Elles subissent ensuite un rodage mcanique la poudre
dalumine. On les charge dans une machine action orbitale o elles tournent entre deux
surfaces lubrifies avec de la poudre dalumine. Aprs ce rodage, les irrgularits la
surface sont infrieures 3 microns.
II.3.6. Dfauts cristallins dans le Silicium
Dans un lingot monocristallin plusieurs dfauts peuvent tre prsents, la localisation
de ces dfauts sur lemplacement du circuit intgr peut entraner son rejet et baisser ainsi
le rendement de fabrication. Les dfauts les plus importants sont les dislocations, ce sont
les imperfections dans la structure locale du cristal qui sont causes par des dformations
plastiques lors dun traitement thermique ou qui sont dues la prsence de certaines
impurets.
Les dfauts intrinsques et les dopants induisent l'existence de niveaux localiss
dans la bande interdite. Les transitions lectroniques qui impliquent un de ces niveaux et
une des deux bandes donnent naissance la photoconductivit. Les ions prsents dans le
cristal, possdent galement des bandes internes trs caractristiques de leur valence et du
site qu'ils occupent [16].
II.4. PROPRIETES PHYSIQUES DU SILICIUM ET DU GERMANIUM
II.4.1. Hauteur de la bande interdite
La taille Eg de la bande interdite donne des caractristiques lectriques importantes
chaque semi-conducteur (Tableau II.3). Ces variations peuvent tre dcrites
approximativement par la fonction universelle (I.1).

Semi- conducteur E
g
(0) (eV) a (eV/K) b (K)
Si 1.170 4.73 .10
-4
636
Ge 0.7437 5.405 .10
-4
235



Tableau II.2. Paramtres de la variation de la bande interdite en fonction de la
temprature [17]
Proprits physiques du Silicium et du Germanium ChapitreII
28

E
g
(0) est la hauteur de la BI 0K, T temprature en K, a et b sont des constantes [8].

















Lvolution de la variation de la largeur de la bande interdite du silicium et du
germanium en fonction de la temprature est illustre la figure II.8. On peut remarquer
que E
g
dpend fortement de la temprature. En effet pour des tempratures plus leves, on
observe une dcroissance sensible de la largeur de la bande interdite.









Figure II.8. Variation de la bande interdite du Si et Ge en fonction
de la temprature
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
1,1
1,2
Si
Ge
B
a
n
d
e

i
n
t
e
r
d
i
t
e

(
e
V
)
Temperature (K)

Proprits physiques du Silicium et du Germanium ChapitreII
29
Proprit 300K Si Ge
Largeur de bande interdite E
g
(ev) 1,12 0,67
Concentration datomes (/cm
3
) 5. 10
22
4,42.10
22
Concentration intrinsque (/cm
3
) 1,45. 10
10
2,4. 10
13

n
1350 3900 Mobilits intrinsques
(cm
2
/V.s)

p
480 1900
Constantes dilectriques relatives

11,7 16,3
Champ de claquage V/m -30. 10
6
-8. 10
6



II.4.2. La conductivit
Une bonne conductivit thermique est ncessaire dans le substrat semiconducteur,
d'une part pour rduire la temprature du substrat par dissipation, et d'autre part pour
assurer une temprature uniforme dans tout le substrat, afin d'amliorer la similitude du
comportement des dispositifs de nature identique mais placs dans diffrentes positions
dans le substrat semiconducteur.
L'lectronique d'tat solide a pris le relais avec succs, grce sa plus haute densit
d'intgration et sa plus faible consommation d'nergie, ce qui ne rendait plus ncessaire
aucune considration d'ordre thermique. Mais les technologies des circuits intgrs sur le
silicium ont fortement volu en densit d'intgration, et densit de puissance dissipe,
tout en conservant le mme type de substrat semiconducteur.
De mme, des nouveaux matriaux semi-conducteurs de plus large bande interdite
et de plus importante conductivit thermique, tels que le SiC et le Diamant, sont tudis
pour des applications plus de 300C. En ce qui concerne la gestion de la chaleur dans les
circuits intgrs analogiques et mixtes, quelques techniques d'implmentation peuvent tre
appliques afin de minimiser les gradients et les transitoires thermiques autours des
structures les plus sensibles [18] [19].
Les semi-conducteurs y occupent un grand intervalle car leur conductivit dpend
sensiblement de la temprature, mais elle varie surtout trs fortement en fonction de la
prsence de petites quantits dimpurets bien choisies. Dans un monocristal de silicium
intrinsque, la temprature ambiante quelques lectrons (1,5 10
10
lectrons pour 5 10
22

Tableau II.3. Proprits lectriques des principaux semi-
conducteurs [8]
Proprits physiques du Silicium et du Germanium ChapitreII
30
atomes dans un cm
3
) sont excits thermiquement depuis la bande de valence vers la bande
de conduction, et les lectrons libres et les trous positifs ainsi cres contribuent ensemble
la conductivit du matriau, mais celle-ci reste assez faible.
Le courant dans un semiconducteur tant en gnral la somme de celui d au
dplacement des lectrons libres, et de celui d au dplacement des trous, la conductivit
est relie la densit des porteurs n et p, et leur mobilit par la relation :
( ) ( ) ( ) ( ) T p T n q T
p n
+ =
(II.4)
O :
q est la charge de llectron.
n et p sont les densits des lectrons et des trous, et est le coefficient qui, une
temprature donne, relie la vitesse de drive moyenne du porteur au champ lectrique
appliqu.
II.4.3. Les masses effectives
Les surfaces de lnergie sont des ellipsodes. Et on donne :
Pour le silicium [20] [21]:
m
l
=0.98m
0

m
t
=0.19m
0

m
-
=0.32m
0

Pour le germanium [22] :
m
l
=1.59m
0

m
t
=0.0815m
0

m
-
=0.22m
0

Avec :
m
-
=(9m
l
m
t
2
)
1/3
O :
m
l
: est la masse effective longitudinale.
m
t
: est la masse effective transversale.
m
-
: est la masse effective de la densit dtat (masse rduite).
m
0
: est la masse de llectron. Avec m
0
=9.1.10
-31
kg


Proprits physiques du Silicium et du Germanium ChapitreII
31
II.4.4. Tableau des proprits physiques du Si et Ge
Proprits Silicium Germanium
Structure Diamant Diamant
Densit (g /cm
3
) 2,328 5,3267
Constante dilectrique 11,9 16,0
N
c
(cm
-3
) 2,8.10
19
1,04.10
19

N
v
(cm
-3
) 1,04.10
19
6,0.10
18
Affinit dlectron 4,05 4,0
Energie de Gap 300K
(eV)
1,12 0,66
Concentration intrinsque
des porteurs (cm
-3
)
1,45.10
10
2,4.10
13
Dur de vie minoritaire (s) 2,5.10
-3
10
-3
Mobilit des lectrons
(cm
2
.V
-1
.s
-1
)
1500 3900
Mobilit des trous
(cm
2
.V
-1
.s
-1
)
450 1900
Indice de rfraction 3,44 3,97


II .5. C0NCLUSION
Dans ce chapitre, nous avons prsent en premier lieu les diffrents types du
silicium et les tapes suivre pour obtenir un silicium de qualit lectronique ainsi les
technique pour lesquelles on peut avoir des monocristaux de silicium. Enfin nous avons
donn les proprits physiques du silicium et du germanium.
Le silicium a de nombreuses applications dans diverses industries. Le silicium ultra-
pur est utilis, par exemple, dans l'industrie semi-conductrice du fait de ses caractristiques
semi-conductrices. Le silicium est galement utilis comme lment d'alliage, do nous
allons prsenter quelques proprits physiques de lalliage SiGe dans le chapitre suivant.


Tableau II.4. Proprits physiques du Si et Ge [8] [23]
Proprits gnrales de lalliage SiGe Chapitre III
32
III.1. INTRODUCTION
La technologie Silicium-Germanium (SiGe), dont les dveloppements prliminaires
datent du milieu des annes 1980 et dont larrive sur le march est rcente, rpond ce
besoin conjoint de lconomie et des performances. Des transistors bipolaires
htrojonction ou des transistors effet de champ, aux dispositifs quantiques, un nombre
important de fonctions sont alors permises. Seules certaines russissent le pari de
lintgration moindre cot, mais les fonctions fondamentales tendent dj bouleverser
les habitudes du concepteur de circuits micro-ondes qui voit une technologie nouvelle se
prsenter lui, face aux technologies III-V pour un moindre cot. De plus, de nombreuses
tudes restent galement mener pour valuer lensemble des possibilits offertes par
lalliage SiGe. Lune de ces possibilits a encore t peu tudie : il sagit de lutilisation
du transistor bipolaire SiGe comme phototransistor [24] [25].
Lindustrie lectronique mondiale a acquis de nos jours un formidable savoir-faire
dans le traitement du Silicium. Les avantages naturels: mcaniques, thermiques et
chimiques, du Silicium ont tenu une grande part dans la russite de sa matrise
technologique, dans la diminution des cots de fabrication, et ainsi dans sa gnralisation.
Cependant, le Silicium ne profite pas du mme enthousiasme quant ses proprits
lectriques, au point de pouvoir tre considr comme un semi-conducteur lent.
Lavantage, bien que le cot soit plus lev, revient alors nettement aux diffrents
composs III-V lorsquil sagit de monter des frquences suprieures quelques GHz.
Ladjonction de Germanium prsente en partie une alternative ce problme en
permettant de retravailler les bandes dnergies du Silicium en vue den amliorer les
performances. Cest en ce sens que cette ide de raliser des transistors bipolaires SiGe, qui
remonte aux annes 1960, est exploite depuis le milieu des annes 1980 [26].
Les proprits optiques du SiGe ont t tudies depuis les dbuts de ce matriau,
laissant entrevoir un potentiel important en dtection proche infrarouge (0,8m 1,55m),
en supports guides dondes, mais galement en mission au travers de modulateurs [27],
[28]. Les dispositifs exploitant ces proprits sont en phase active de recherche plus
particulirement depuis le dbut des annes 1990, bien que leur intrt ait t dcel depuis
la ralisation des premires htrostructures SiGe.
Proprits gnrales de lalliage SiGe Chapitre III
33
III.2. PROPRITS GNRALES DE LALLIAGE SI1-XGEX
En 1948, Bardeen, Brattain et Schockley inventrent le transistor bipolaire. Bien
que le matriau exploit ft le Germanium, le Silicium a prt le relais peine quelques
annes plus tard dans les dveloppements de llectronique. La priode de transition, qui en
dcoula autour de 1960, favorisa les premires tudes sur le mlange de ces deux composs
en alliage Si1-xGex.
Il est alors amusant de sapercevoir que les premires tudes concernant ce matriau
nont pas toujours t ralises dans lesprit de trouver un meilleur matriau, mais plutt
parfois dans la volont de profiter de qualits de ralisabilit de lalliage, de miscibilit des
deux constituants lun dans lautre, ou de disponibilit des deux matriaux, pour atteindre
un but diffrent qui tait dtudier des phnomnes gnraux afin den tirer des lois et des
modles applicables la classe entire des matriaux semi-conducteurs, comme les
phnomnes dabsorption optique [29].
Dans ce cadre galement, seul le substrat SiGe fut tudi. Le dsaccord de maille
qui existe entre le cristal de Silicium et le cristal de Germanium, ne permet pas, en effet, la
croissance directe du SiGe sur substrat Si ou inversement, sans provoquer rapidement des
dislocations du cristal irrmdiables pour le fonctionnement lectrique de la jonction ainsi
forme. Ce nest donc quavec la possibilit de dposer et de contrler avec prcision des
films dune dizaine de nanomtres, que les premires tudes sur lalliage SiGe contraint au
paramtre de maille du Silicium et dpourvu de dfauts, ont pu tre entames.
III.2.1. Le SiGe massif
III.2.1.1. Structure cristalline
Les structures cristallines du Si, du Ge ou de lalliage de SiGe sont les mmes :
elles consistent en deux cubes faces centres, dcals chacun selon la diagonale
principale dun quart de la longueur de celle-ci. Dans cette structure, pour le SiGe, les
atomes de Silicium et de Germanium sont rpartis de manire alatoire et homogne. Cette
rpartition alatoire dfinit labsence de plans prfrentiels au sein du cristal qui pourraient,
pour lun, contenir majoritairement des atomes de Si, pour lautre, majoritairement des
atomes de Ge [30]. Ceci dfinit labsence de phases chimiques qui produiraient une
certaine priodicit dans la rpartition du Germanium.

Proprits gnrales de lalliage SiGe Chapitre III
34
Voil la structure cristalline du SiGe. En dautres mots, il sagit de celle du Silicium
dans laquelle certains atomes ont t changs alatoirement avec des atomes de
Germanium. Cela peut galement tre dit lenvers : la structure cristalline du SiGe est
celle du Germanium dans laquelle certains atomes ont t changs alatoirement avec des
atomes de Silicium. Une reprsentation symbolique est fournie par la Figure III.1 ci-aprs.









Les atomes sont reprsents par des sphres de petite taille (14 lectrons) pour le
Silicium et de plus grande taille (32 lectrons) pour les atomes de Germanium. Les traits
matrialisent les limites des structures cubiques faces centres.
Bien que la reprsentation des atomes par des sphres de diamtre donn soit
sommaire, elle permet de comprendre aisment la notion de paramtre de maille dans un
cristal. En ce sens, si les atomes sont gros, le paramtre de maille devra slargir afin de
prserver lquilibre. A linverse, si les atomes sont petits, le paramtre de maille sera plus
faible. Le matriau est dit relaxer lorsque aucune contrainte de pression ne sexerce sur
lune ou lautre des liaisons et que le paramtre de maille est laiss libre.
Les donnes pour le cristal de Silicium et le cristal de Germanium sont prsentes
dans le Tableau III.1. Le diamtre de latome de Germanium tant plus grand que celui de
latome de Silicium, le cristal de Germanium massif prsentera un paramtre de maille
plus grand que celui du cristal de Silicium.
Dans le cas du matriau Si1-xGex, ces atomes de diamtres diffrents sont mlangs.
Le paramtre de maille du cristal va donc voluer dun extrme lautre, passant de la
valeur du cristal de Silicium, pour la fraction molaire x=0, celle du cristal de Germanium,
pour x=1.
Il sagit l du premier paramtre du SiGe variant avec la concentration de
Germanium. La loi de Vegard applique ce cas prdit une variation linaire du paramtre.

Figure III.1. Exemples de maille dans un cristal de SiGe.
Proprits gnrales de lalliage SiGe Chapitre III
35
Ceci est une extrapolation extrmement courante et utile. La mesure ne montre quune
infime dviation autour de cette loi, Figure III.2, [31].

Silicium Germanium
Diamtre de latome (A) 1,46 1,52
Paramtre de maille (A) 5,43 5,66














La courbe en pointills reprsente lapproximation par la loi de Vegard. La
rpartition des atomes de Germanium dans le cristal peut cependant tre ordonne dans le
volume. Ce phnomne est principalement engendr par des considrations de dynamique
de croissance de film plutt que par des raisons de stabilit. Il dpend donc du mode de
production du cristal. On trouve dans ces conditions les cas suivants :
- Pas dordonnement dans le SiGe massif produit partir de SiGe liqufi, ni dans
celui produit par dpt sur un substrat dorientation <111> ;
- Ordonnement prsent dans le volume et aux interfaces du SiGe massif produit par
dpt sur substrat dorientation <100> entre 300C et 800C (des techniques particulires
utilisant des tensio-actifs permettent nanmoins de lviter).
Cette existence de diffrentes phases, avec des plans de Silicium et des plans de
SiGe au sein du cristal, peut affecter les performances optiques du matriau dans les
Tableau III.1. Paramtres des atomes des cristaux de Silicium et de Germanium massifs

Figure III.2. Variation du paramtre de maille du cristal Si
1-x
Ge
x

en fonction de la composition de Germanium.
Proprits gnrales de lalliage SiGe Chapitre III
36
dispositifs o les interfaces sont nombreuses, comme au sein des super-rseaux, [30] [32]
[33].
III.2.1.2. Bandes dnergies
Lalliage SiGe massif, ou relax, prsente de manire gnrale un intermdiaire
entre le cristal de Silicium et le cristal de Germanium. Ainsi, laugmentation progressive de
la fraction de Germanium dessine une modification continue des proprits du cristal de
Silicium vers celles du Germanium.
Les bandes dnergies des deux extrmes sont reprsentes en espace rciproque sur
la Figure III.3 300K. Le Germanium et le Silicium sont tous les deux des matriaux gap
indirect. Le sommet de la bande de valence est situ en k=0 (rgion ) alors que le bas de
la bande de conduction du Germanium se situe en valle L, tandis que celui du Silicium se
situe en valle X. Ces bandes dnergies dfinissent des valeurs de bande interdite,
indirectes ou directes, qui sont donc diffrentes. Leurs valeurs temprature ambiante sont
donnes par le Tableau III.2.

Silicium Germanium
Largeur de la bande interdite directe (eV) >2,50 0,90
Largeur de la bande interdite indirecte (eV) 1,10 0,65



Les valeurs de ce tableau sont donnes volontairement 0,05eV. Cet cart est
couramment rencontr dans la littrature et est suffisant pour une prsentation gnrale. Il
traduit, outre les imprcisions, les variations impliques par les diffrences de mthodes de
mesure.








Tableau III.2. Largeurs de bande interdite, directe et indirecte, pour le cristal de
Silicium et le cristal de Germanium 300K.
Proprits gnrales de lalliage SiGe Chapitre III
37

















Les mesures ralises sur la valeur de la bande interdite indirecte, Eg, ont exploit
les spectres dabsorption optique du SiGe massif. La comparaison des modles
labsorption indirecte a permis lextraction prcise de cette largeur de bande. Les mesures
ralises en 1958 par Braunstein [29], sont prsentes sur la figure suivante :













Figure III.4. Largeur de bande interdite indirecte en fonction de la composition du Si
dans lalliage SiGe 296K [29]

Figure III.3. Schma des bandes dnergies dans lespace rciproque 300K, pour
a) le Silicium ; b) le Germanium [8]
Proprits gnrales de lalliage SiGe Chapitre III
38
La position de gauche sur laxe horizontal repre le cas du Germanium pur tandis que celle
de droite repre celui du Silicium.
Les variations en fonction de la composition de Germanium de la largeur de bande
interdite suivent une volution de la position des minima de la bande de conduction du
Silicium vers celle des minima du Germanium. Deux seules valles rentrent en jeu. Le
minimum de la bande de conduction du Si1-xGex se trouve dabord dans la valle X qui est
celle du minimum du Silicium pur, puis dans la valle L qui est celle du Germanium pur,
au-del de 85% de Ge.
Avant que ce dernier ne se positionne dans la valle L, il a fallu que lnergie de la
bande de conduction du Silicium saffaisse lgrement dans cette valle et quelle
augmente lgrement dans la valle X. Ceci se produit depuis le silicium pur jusqu
x=0,85. Au-del, le minimum de la valle L prvaut alors sur la largeur de bande interdite
indirecte [34].
Braunstein et al.[29] ont mesur les spectres dabsorption optique de lalliage SiGe
ds 1958 en fonction de la temprature et de la composition. La dpendance de lnergie de
bande interdite avec la concentration en Ge est directement lie la structure de bande de
conduction.
Ainsi, on observe une transition assez brutale du gap lorsque lon passe du matriau
de type Si au matriau de type Ge. Krishnamurly et al [35] ont dduit une expression du
gap optique 300K pour chaque rgime de variation saccordant bien avec ltude
exprimentale de Braunstein et al.[6]. Les expressions du SiGe sont :

+ =
+ =
2
2
3306 . 0 7442 . 1 1762 . 2
1691 . 0 3803 . 0 1053 . 1
x x E
x x E
L
g
X
g
(III.1)
III.2.1.3. Proprits optiques
Les matriaux Silicium, Germanium et SiGe, sont tous les trois des matriaux gap
indirect. Les transitions des lectrons de la bande de valence vers la bande de conduction
provoques par lincidence de photons sont verticales. En labsence de tout autre
mcanisme, elles ne peuvent donc se produire que pour des transitions de hauteur au moins
gale la valeur de la bande interdite directe. Sa valeur, indique prcdemment, Tableau
III.2, est suprieure 2,5eV. Celle du Germanium est plus basse avec 0,90eV.
La limite correspondante dabsorption en longueur donde vaut alors linverse de
cette limite en nergie, multipli par un facteur 1,24 eV.m, daprs les liens qui existent
Proprits gnrales de lalliage SiGe Chapitre III
39
entre lnergie et longueur donde. La limite dabsorption directe du Silicium est donc
infrieure 0,5m, dans le visible vers le bleu. Celle du Germanium est en revanche de
1,38m.
Cependant, il existe galement une absorption indirecte qui se produit entre deux
extrema des bandes de conduction et de valence, et qui prolonge labsorption en longueur
donde. Ceux-ci sont dcals dans lespace des vecteurs donde, aussi, pour expliquer ce
phnomne, il est ncessaire de faire intervenir un mcanisme permettant la conservation
de la quantit de mouvement.
Cette conservation, que ne saurait faire respecter un photon lors dune transition
indirecte, fait essentiellement appel aux proprits vibratoires du rseau, concentres dans
une particule appele phonon : ainsi, durant labsorption indirecte dun photon, un phonon,
dont la quantit de mouvement est gale celle qui spare lextremum de la bande de
valence avec le minimum de la bande de conduction, sera gnr ou absorb. Ce
mcanisme est schmatis par la Figure III.5.










La limite dabsorption indirecte est donc dtermine par la somme de la largeur de
la bande interdite indirecte et de lnergie des phonons mis en jeu. Ltude dtaille mene
par Braunstein [28], a permis disoler les termes de largeur de bande interdite et dnergie
de phonon. Ce sont ces travaux qui ont permis de mesurer avec exactitude la valeur de la
largeur de bande interdite du SiGe massif prsent au paragraphe prcdent.
Les spectres dabsorption mesurs, dune part pour des alliages riches en Silicium,
dautre part pour des alliages riches en Germanium, sont respectivement prsents sur la
Figure III.6 et la Figure III.7. Labsorption au sein de lalliage SiGe est trs similaire celle
du Silicium, jusqu des proportions de 30% de Germanium. Ceci est fondamentalement

Figure III.5. Schma du mcanisme dabsorption indirecte assist par phonon.
Proprits gnrales de lalliage SiGe Chapitre III
40
li au fait que la largeur de bande interdite nvolue que faiblement pour cette composition.
En premire approximation, le matriau se comporte comme le Silicium. Au-del, dans le
cas des alliages SiGe riches en Germanium, le spectre dabsorption volue rapidement avec
la composition pour se rapprocher du spectre du Germanium pur.








































Figure III.6. Spectres dabsorption dalliages SiGe riches en Silicium [29]

Figure III.7. Spectres dabsorption dalliages SiGe riches en Germanium [29]
Proprits gnrales de lalliage SiGe Chapitre III
41

En dfinitive lalliage SiGe massif ne prsente damliorations vis--vis du
Silicium quant labsorption optique, que si la proportion de Germanium est significative,
cest--dire suprieure 30%. Il sera vu quil peut en tre diffremment pour le SiGe-
contraint.
III.2.2. Le SiGe contraint sur Silicium
III.2.2.1. Structure, contrainte et stabilit
Le matriau Si1-xGex prsente l'intrt fondamental, pour les composants tudis, de
possder une largeur de bande interdite plus faible que celle du Silicium. La mise en
application de cette proprit ncessite nanmoins la ralisation dau moins deux couches
superposes Silicium- Germanium / Silicium alternant deux largeurs de bande interdite
diffrentes. Cet empilement constitue une htrostructure pour laquelle il existe a priori un
dsaccord de maille entre les deux matriaux. Ceci est schmatis par la Figure III.8.
Le dsaccord de maille, pour 20% de Germanium, entre le SiGe et le Silicium reste
cependant de lordre de 1%. Cette particularit rend possible la croissance de fines couches
SiGe en accord de maille avec le Silicium. Le matriau possde alors des proprits
diffrentes de celles du SiGe massif, dit relaxer. Ceci justifie que lon distingue le SiGe-
contraint et le SiGe-massif. Puisque le paramtre cristallin des alliages SiGe est suprieur
celui du Silicium, les films contraints sur Silicium sont en compression biaxiale dans le
plan de croissance, et en longation normalement linterface. Les proprits de transport
sont, de ce fait, anisotropes [36] [37].
Dans le cas de films SiGe plus pais, les couches loignes auront tendance tre
relaxes. Il y a ds lors apparition de dislocations qui se propagent depuis lhtrojonction
jusque dans le volume de SiGe.
Les dislocations de matriaux constituent une dgradation profonde des qualits du
matriau. Elles caractrisent donc un tat critique quil nest pas envisageable de tolrer
dans un dispositif actif. Elles sont notamment la cause de mcanismes de recombinaison
importants, ainsi que de fuites et court-circuits.






Proprits gnrales de lalliage SiGe Chapitre III
42









Trois cas possibles : a) pas de jonction, les deux matriaux sont relaxs et les
paramtres de maille sont distincts ; b) la jonction des deux matriaux est ralise, le film
de SiGe est suffisamment fin pour que le film de SiGe-contraint soit stable ; c) la jonction
est ralise mais le film de SiGe est instable, des dislocations prennent naissance
linterface et le matriau se relaxe.
III.2.2.2. Rduction de la bande interdite
Les atomes de Germanium, qui sont une ligne en dessous du Silicium dans la
classification priodique des lments, possdent un cortge lectronique dot dune
couche supplmentaire vis--vis du Silicium. Son occupation spatiale est ncessairement
plus volumineuse et la reprsentation des atomes en sphres permet ainsi de mieux
comprendre la notion de contrainte qui sen dgage.
La Figure III.9 donne la reprsentation en trois dimensions de lhtrojonction
SiGe/Si. La partie suprieure reprsente le Silicium-Germanium dont le paramtre de
maille est contraint celui du Silicium. Les atomes de Germanium, qui sont plus gros,
apparaissent ainsi compresss, leur cortge lectronique modifie alors celui des atomes de
Silicium voisins ce qui se traduit par une modification des bandes dnergie du SiGe-
contraint par rapport au cas du SiGe relax.









Figure III.8. Reprsentation plane de la structure cristalline dhtrostructures SiGe/Si.
a b c
Proprits gnrales de lalliage SiGe Chapitre III
43











Les flches noires traduisent de manire symbolique la contrainte sur les liaisons Si - Ge,
induite par laccord de maille forc du SiGe sur le Si.
La largeur de bande interdite et lensemble de la structure de bande du matriau se
retrouvent affects par cette mise sous contrainte, mais la quasi-totalit de linfluence de
cette compression de lalliage SiGe se rpercute intgralement dans la bande de valence
[38].
III.3. CONCLUSION
Lalliage SiGe est devenu au profil des ans lun des matriaux les plus intressants
pour lindustrie de la microlectronique. Les chercheurs utilisent maintenant une technique
de dpt de pointe dpitaxie en phase vapeur sous vide pouss (UHV-CVD) afin
dlaborer des couches minces de SiGe utilises tant par lindustrie de la
microlectronique, pour le dveloppement de nouveaux produits, que par les universits,
pour de nouvelles initiatives de recherche.







Figure III.9. Exemples de mailles prsentes linterface
SiGe(au-dessus)/Si(au-dessous).
Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
44
IV.1. INTRODUCTION

Une faon dexploiter lnergie solaire est dutiliser des cellules photovoltaques
qui convertissent lnergie vhicule par le rayonnement incident en un courant lectrique
continu. Cette conversion est base sur leffet photovoltaque engendr par labsorption de
photons. Une partie des photons absorbs gnre des paires lectron-trou dans lesquelles un
champ lectrique cr dans la zone de charge despace dune jonction p-n.
Un tel dispositif est appel diode p-n. Une autre faon damplifier ce courant est de
rduire lpaisseur de la premire zone qui absorbe une partie de la lumire incidente.[39].
IV.2. LA CONVERSION PHOTOVOLTAIQUE
IV.2.1. Principe de la conversion photovoltaque
Considrons une jonction p-n recevant un rayonnement monochromatique de
frquence , telle que h>E
g
. Si les photons incidents interagissent avec les lectrons de la
bande de valence en leurs communicant leur nergie, ceux-ci passent dans la bande de
conduction laissant des trous dans la bande de valence. Le rayonnement incident excite des
paires lectron-trou. Les lectrons crs dans la rgion P et les trous engendrs dans la
rgion N diffusent, seuls atteignent la zone de charge despace et les porteurs librs de
part et dautres de la jonction une distance infrieure leur longueur de diffusion L ; pris
et acclrs par le champ lectrique E ils traversent la zone de transition. La rgion N reoit
des lectrons et se charge ngativement ; la rgion P accepte des trous et devient positive.
Le rayonnement incident a pour effet de polariser la jonction en direct.


E
c
E
v
Zone de charge despace Rgion P Rgion N
E
F
Energie E
Figure.IV.1.a. Diagramme de bande dune cellule
Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
45












Lorsquon relie les deux cots de la jonction une charge R
c
le courant I la parcourt et une
d.d.p V apparat ses bornes : V=V
P
V
N
=RI , le courant traverse la jonction de N vers
P, il est donc ngatif.
( ) V I I I
d cc
=
(IV.1)
Avec :
I
cc
: courant de court circuit.
I
d
(V) : courant dobscurit de la diode.
Eclairer la jonction revient la polariser en direct, ce qui se traduit par une injection
de porteurs minoritaires, tandis que la concentration des porteurs majoritaires nest pas
modifie. Le courant I est d la diffusion des porteurs minoritaires par rapport
lquilibre. La jonction p-n claire est un convertisseur dnergie lectromagntique en
nergie lectrique (Figure IV.1).
IV.2.2. Paramtres essentiels caractrisant une cellule solaire
IV.2.2.1. Courant de court-circuit
Si les deus lectrodes sont en court-circuit travers un ampremtre, les lectrons
drains par un champ interne de la jonction vont donner naissance un courant de court-
circuit I
cc
qui correspond au photocourant I
ph
gnr par le rayonnement. Pour une
distribution spectrale donne, ce photocourant est proportionnel lirradiation du
rayonnement incident et la surface active de captation. Il dfinit la quantit de paire
Rayonnement
solaire incident

- +
ZCE

L
n
R
c
I

V

L
p
P

N

Figure IV.1.b. Jonction PN claire et charge dune rsistance R
c

Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
46
lectron trou gnre G qui traverse la jonction sans recombinaison entre les longueurs de
diffusion L
n
et L
p
, donn par la relation:
( )
p n ph
L L G q I + = (IV.2)
IV.2.2.2. Tension de circuit ouvert
Si la cellule est laisse en circuit ouvert, les porteurs gnrs par le rayonnement et
spars par le champ interne vont saccumuler de part et dautre de la jonction, induisant
une autopolarisation de la jonction dans le sens passant. Cette autopolarisation induit un
courant de diode dans le sens direct gal et oppos au photocourant. La tension alors
mesure aux bornes des lectrodes est appele tension de circuit ouvert V
co
. Cest la
tension quil faudrait appliquer la diode dans le sens passant pour gnrer un courant gal
au photocourant, elle est donne par la relation :
( ) ( ) [ ] 1 ln
0
+ = I I q T k V
cc co
(IV.3)
IV.2.2.3. Facteur de forme
Le facteur de forme reprsente lefficacit de la cellule ou encore, il peut nous
renseigner sur le vieillissement de la cellule. Cest le rapport entre la puissance maximale
dbite V
m
.I
m
et la puissance idale V
co
.I
cc
, on le note :
cc co
m m
I V
I V
FF = (IV.4)
IV.2.2.4. Rendement de conversion dnergie
Le rendement de conversion dnergie est le rapport de la puissance gnre et de la
puissance du rayonnement solaire incident P
0
. On appelle rendement maximal, le rapport
entre la puissance maximale et la puissance P
0
:
0 0
P
I V
FF
P
I V
cc co m m
m
= = (IV.5)
IV.3. LOGICIEL DE SIMULATION : PC1D
IV.3.1. Aperu du logiciel
Le logiciel de simulation numrique des cellules solaire PC1D a une rputation
internationale dans la recherche photovoltaque, il a t dvelopp luniversit New
South Wales de Sydney en Australie ; qui est lune des pionnires dans ce domaines.

Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
47
Son utilisation est trs pratique, il permet de simuler nimporte quelle structure
photovoltaque, selon les matriaux disponibles en fichiers data, en jouant sur les
paramtres variables (largeur, surface, dopage, etc). Les rsultats de la simulation, sont
trs proches des rsultats exprimentaux, donc cest un gain de temps et dargent.
La fentre du logiciel PC1D est prsenter sur la Figure IV.2, ce logiciel se divise en
quatre parties, les trois premires sont pour la programmation ; o il faut introduire les
paramtres du dispositif, des rgions et de lexcitation. La quatrime partie concerne les
rsultats de la simulation.













IV.3.2. Les paramtres du dispositif (Device)
Aire du dispositif (Device) : la surface du dispositif est trs importante car elle
influe sur le photocourant dune manire apprciable. Dans notre simulation, nous
avons choisi une surface de 4cm
2
.


Figure IV.2. Fentre du logiciel PC1D utilis en simulation numrique

Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
48
Surface texture : les surfaces textures utilises dans toutes les structures tudies
sont composes de micro pyramides inverses de profondeur (depth) 3m et
dangle facial 54,74. La texturisation est trs importante, car elle permet de
diminuer les pertes par rflexion du rayonnement incident. Nous avons textur
seulement la face avant, car lautre face est considre lobscurit.
Les deux faces sont considres comme neutres, du fait quil ny a pratiquement pas
de charges aux interfaces, cd quil ny a pas de barrire de potentielle aux surfaces.
Nous navons pas introduit de couches antireflets, car elle est remplace par la
texturation. Cette couche est gnralement de la silice (SiO
2
), elle peut tre
remplace par dautres matriaux qui sont transparent au spectre solaire et qui sont
donne dans le logiciel sous forme de fichiers.
Rflectance optique interne : elle est nglige dans notre simulation, nous
considrons que les surfaces sont spculaires et non diffuses cd non rugueuses.
Par dfaut, lmetteur et la base sont connects au circuit, tandis que le collecteur
est dconnect.
Quatre rsistances shunt peuvent tres introduits, chacune delle peut tre
conducteur, diode ou condensateur. Dans notre cas nous considrons quil ny a pas
dlment qui peut shunter le circuit.
IV.3.3. Les paramtres des rgions
Lpaisseur de lmetteur est relativement mince par rapport la base. Dans le cas
du silicium elle varie sur un intervalle compris entre 0,1m et 2,5m.
Le matriau utilis: les paramtres qui le dcrivent, sont stocks dans des fichiers
dextension (
*
.mat), ils sont fournit avec le logiciel dans une diskette. Les
paramtres stocks dans ce fichier sont :
-La mobilit : le modle utilis est le modle de Thuber et al 1981.
-La constante dilectrique.
-Lnergie de gap (eV).
-La concentration intrinsque (cm
-3
).
-Lindice de rfraction.



Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
49
-Coefficient dabsorption : le modle utilis est celui de Rajkanan et al
1979.
-Absorption des porteurs libres : lquation dcrivant labsorption des
porteurs libres est : ( ) ( )
2 24 3 27
. . 10 . 7 , 2 . . 10 . 6 , 2 p n

+ = .
Type et concentration de dopage : de type n ou p, la concentration maximale est de
10
19
cm
-3
.Ce logiciel prsente quatre profil de dopages : le profil uniforme, le profil
exponentiel, le profil gaussien et le profil erfc.
Les recombinaisons en volume : le modle utilis est bas sur la statistique de Read
Shockley-Hall dcrivant les recombinaisons par piges, situes dans la bande de
valence.
Les recombinaisons face avant et arrire.
IV.3.4. Les paramtres dexcitation
Deux fichiers intgrs dans le logiciel permettent de simuler la caractristique
courant-tension et autre caractristiques en utilisant le fichier One-Sun.exc , ou
la rponse spectrale en utilisant le fichier Scan-qe.exc .
Le mode dexcitation : il y a trois modes dexcitation (en quilibre, stationnaire et
transitoire). Pour une bonne simulation numrique, le mode transitoire est vivement
recommand.
Dans la plus part des cas on choisit la temprature ambiante, T=25C.
Il y a deux sources de Thevenin identiques, lune pour la base et lautre pour le
collecteur.
Seulement la face avant est claire (cot n), par un flux lumineux dune intensit
de 0,1 W/cm
2
. Pour avoir la rponse spectrale, le logiciel fait un balayage sur
lintervalle de longueurs donde compris entre [300, 1200] nm. Pour avoir la
caractristique, il utilise directement le fichier daire masse am 15g.spc .
La seconde source est dsactive, car la face arrire nest pas claire dans notre cas
[40].


Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
50
IV.3.5. Les rsultats
Les rsultats que nous pouvons visualiser en utilisant le fichier dexcitation One-
Sun.exc sont :
-La valeur du courant de court circuit.
-La valeur de la tension en circuit ouvert.
-La valeur de la puissance maximale.
Et ceux obtenus avec le fichier Scan-qe.exc sont :
-La valeur de courant de court circuit.
-La valeur de la puissance maximale.
IV.4. SIMULATION DES CELLULES SOLAIRES A BASE DE
SILICIUM
IV.4.1. Paramtres de simulation
Nous avons simul une cellule de type n
+
pp
+
de surface 4 cm
2
avec une texturation
la surface avant pour optimiser le captage du rayonnement.



















0,15m (n
+
Si)
0,3m (p
+
Si)
Xm (p Si)

Figure IV.3. Schma de la cellule solaire base de silicium
Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
51
Un metteur classique dop 10
17
cm
-3
pour la ralisation des cellules solaires,
ncessite une paisseur importante pour une bonne collecte de porteurs. Par contre, les
nouveaux metteurs utiliss actuellement sont dops 10
19
cm
-3
et ncessite une faible
paisseur. Ce type dmetteur est appel Emetteur Transparent et dispose dun phnomne
de diffusion trs important.
IV.4.2. Rsultats de la simulation
IV.4.2.1. Caractristique I-V
La cellule solaire simule est base de silicium dpaisseur 100m dope
10
16
cm
-3
, de face avant (face claire) texture en pyramides inverses, cette texturation
permet une rduction importante du coefficient de rflexion et ainsi des pertes optiques
dans la cellule. Le substrat est dpaisseur 0,3m dop 10
19
cm
-3
. Les rsultats obtenus
sont :

=
=
=
mW 80,8 P
mV 692,4 V
mA 138.5 I
max
co
cc
Et par consquence :

% , =
=
20 20
% 84,25 F.F
m



















Figure IV.4. La caractristique I-V de la cellule solaire base de silicium
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8
-0,14
-0,12
-0,10
-0,08
-0,06
-0,04
-0,02
0,00
0,02
I (A) P (W)
C
o
u
r
a
n
t

(
A
)
,

P
u
i
s
s
a
n
c
e

(
W
)
Tension (V)

Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
52

IV.4.2.2. Rponse spectrale
La zone pp
+
engendre un champ lectrique interne et joue un rle important dans le
fonctionnement des cellules solaires. En effet, elle a quatre effets sur les performances des
cellules solaires :
Repousser les lectrons vers la jonction np et amliorer le rendement de collecte
des porteurs.
Motiver le pigeage des porteurs minoritaires.
Diminuer les recombinaisons en surfaces arrire des porteurs minoritaires.
Augmenter labsorption optique dune partie du spectre solaire incident.

La figure IV.5 reprsente le rendement quantique interne, la rponse spectrale est
obtenue en utilisant lexpression suivante :
( )
RQI h
R q
RS
. .
1 .

= (IV.6)
Avec RQI le rendement quantique interne et R le coefficient de rflexion.

















400 600 800 1000 1200
0
20
40
60
80
100
R
e
n
d
e
d
m
e
n
t

q
u
a
n
t
i
q
u
e

i
n
t
e
r
n
e

(
%
)
Longueur d'onde (nm)

Figure IV.5. Variation du rendement quantique pour une cellule solaire base de silicium
Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
53
IV.4.2.3. Influence de lpaisseur de lmetteur n
+
sur le rendement
Pour tudier linfluence de lpaisseur de lmetteur, nous avons pris une cellule
dpaisseur fixe (100m) et nous avons vari celle de lmetteur. Daprs le rsultat obtenu
(Figure.IV.6), nous avons choisi un metteur de 0.15m pour toutes les autres simulations
qui suivent, cela est du au rendement lev obtenu par rapport aux autres paisseur plus
grandes.
















IV.4.2.4. Influence de lpaisseur de la cellule solaire sur le rendement
Pour tudier linfluence de lpaisseur de la cellule sur le rendement nous avons
vari cette dernire et fix les autres paramtres. Daprs les rsultats obtenus, nous
pouvons conclure que lpaisseur de la cellule est un facteur important pour labsorption
des photons. Il nest pas ncessaire de fabriquer des cellules solaires monocristallines avec
des paisseurs trop grandes pour cela nous choisissons lpaisseur 100m avec lequel nous
avons un rendement de 20.2%.
Pour une cellule solaire base de silicium monocristallin, une paisseur de 250m
peut donner un rendement de 21%. En comparant une cellule de 250m et une cellule de
100m, nous pouvons dire quune diffrence de 150m peut augmenter le rendement que
de 0,8%.
0,5 1,0 1,5 2,0 2,5
17,0
17,5
18,0
18,5
19,0
19,5
20,0
20,5
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
Epaisseur de l'metteur (m)

Figure IV.6. Variation du rendement de la cellule solaire en fonction de lpaisseur
de lmetteur
Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
54















IV.4.2.5. Influence de la longueur de diffusion sur le rendement, I
cc
et V
co

La longueur de diffusion est un paramtre extrmement influent sur le rendement
des cellules solaires, pour cela nous avons fix lpaisseur de la cellule solaire 100m et
nous avons vari la longueur de diffusion. Laugmentation de la longueur de diffusion a un
effet direct sur lamlioration du photocourant et par consquent sur le rendement de
conversion de la cellule solaire.












Figure IV.8. Influence de la longueur de diffusion sur la variation du rendement
quantique interne de la cellule solaire base de silicium
400 600 800 1000 1200
0
20
40
60
80
100
250m 125m
70m 20m
R
Q
I

(
%
)
Longueur d'onde (nm)

50 100 150 200 250
19,5
20,0
20,5
21,0
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
Epaisseur de la cellule solaire (m)

Figure.IV.7. Variation du rendement en fonction de lpaisseur de la cellule solaire
Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
55


















Daprs les rsultats obtenus, on peut dduire que le rendement de la cellule dpend
fortement de la longueur de diffusion ce qui est confirm par la relation entre le
photocourant I
ph
et les longueurs de diffusion L
n
et L
p
. les cellules solaires base de
silicium monocristallin ont des rendements maxima pour des paisseurs de 100 150m
pour diffrentes longueurs de diffusion (Figure IV.9). Pour le silicium industriellement
appropri de la qualit matrielle Czockralski, la longueur de diffusion est toujours le
facteur limiteur. Cest un paramtre extrmement influe sur le rendement des cellules
solaires. Les trois paramtres de la cellule (le rendement, le courant de court-circuit et la
tension de circuit ouvert) dpendent fortement de la longueur de diffusion.
Des simulations ont t faites avec deux paisseurs du substrats en faisant varier la
longueur de diffusion, les autres paramtres sont fixs. Nous pouvons remarquer quil nest
pas ncessaire de fabriquer des cellules solaires avec des grandes paisseurs du substrat car
le rendement commence diminuer en augmentant cette paisseur (Figure IV.10).
La rduction de lpaisseur des cellules et laugmentation des longueurs de
diffusion des porteurs minoritaires rendent loptimisation prpondrante.

50 100 150 200 250
16,0
16,5
17,0
17,5
18,0
18,5
19,0
19,5
20,0
20,5
21,0
100 m 150 m 200 m
250 m 1200 m
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
Epaisseur (m)

Figure IV.9. Influence de la longueur de diffusion sur le rendement de la cellule
solaire base de silicium
Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
56





























200 400 600 800 1000 1200
14
15
16
17
18
19
20
21
0.3m 10m
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
Longueur de diffusion (m)


















Figure IV.10. Variation du rendement de la cellule solaire en fonction de la longueur de
diffusion pour deux diffrentes paisseurs du substrat
Figure IV.11. Variation du courant du court-circuit de la cellule solaire en fonction de la
longueur de diffusion pour deux diffrentes paisseurs du substrat
200 400 600 800 1000 1200
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
0.3m 10m
I
c
c

(
m
A
)
Longueur de diffusion (m)
Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
57
















IV.4.2.6. Influence du dopage du substrat p
+
sur le rendement, I
cc
et V
co

Nous pouvons constater quil y a une valeur optimale du dopage du substrat qui
correspond au maximum de rendement de la cellule. Pour une cellule de rfrence sur un
substrat de type p avec une longueur de diffusion de 600m, le dopage optimal est gal
10
19
cm
-3
. Si le substrat est faiblement dop, la hauteur de barrire de potentiel de la
jonction p-n est rduite. Dans ce cas, le champ lectrique de la jonction p-n est moins fort
et les conditions de collecte des porteurs sont mauvaises.
En crant un gradient daccepteurs en face arrire de la cellule solaire, nous
obtenons:
- une augmentation du courant de court circuit due aux porteurs gnrs.
- une augmentation. de la tension du circuit ouvert due aux gradient de
dopage donc un champ cre empche les porteurs de se recombiner.

Figure IV.12. Variation de la tension du circuit ouvert de la cellule solaire en fonction de la
longueur de diffusion pour deux diffrentes paisseurs du substrat
200 400 600 800 1000 1200
560
580
600
620
640
660
680
700
0.3m 10m
V
c
o

(
m
V
)
Longueur de diffusion (m)
Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
58
























1E15 1E16 1E17 1E18 1E19 1E20
17
18
19
20
600m
400m
200m
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
Dopage du substrat (cm
-3
)

Figure IV.13. Variation du rendement de la cellule solaire en fonction du dopage du substrat
1E15 1E16 1E17 1E18 1E19 1E20
132
134
136
138
600m
400m
200m
I
c
c

(
m
A
)
Dopage du substrat (cm
-3
)

Figure IV.14. Variation du courant du court-circuit de la cellule solaire en fonction du
dopage du substrat
Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
59

















IV.4.2.7. Influence du dopage de lmetteur n
+
sur le rendement, I
cc
et V
co
Maintenant, nous fixons tous les paramtres de la cellule et nous faisons varier que
le dopage de lmetteur pour diffrentes valeurs de longueurs de diffusion. Nous
remarquons que le courant de court circuit varie trs peu en fonction du dopage de
lmetteur, par contre la variation du rendement et de la tension du circuit ouvert est
remarquable.
Dans lintervalle [10
18
, 10
19
] cm
-3
, le rendement a une valeur presque constante. Au
del de 10
19
cm
-3
llvation du niveau de dopage de lmetteur diminue la hauteur de la
barrire de potentiel. Une croissance du dopage de lmetteur conduit une dgradation
des performances.


1E15 1E16 1E17 1E18 1E19 1E20
600
610
620
630
640
650
660
670
680
600m
400m
200m
V
c
o

(
m
V
)
Dopage du substrat (cm
-3
)

Figure IV.15. Variation de la tension du circuit ouvert de la cellule solaire en fonction du
dopage du substrat
Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
60

























1E18 1E19 1E20
16,0
16,5
17,0
17,5
18,0
18,5
19,0
19,5
20,0
600m
400m
200m
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
Dopage de l'metteur (cm
-3
)

Figure.IV.16. Variation du rendement de la cellule en fonction du dopage de lmetteur
1E18 1E19 1E20
128
130
132
134
136
138
600m
400m
200m
I
c
c

(
m
A
)
Dopage de l'metteur (cm
-3
)

Figure.IV.17. Variation du courant de court-circuit de la cellule en fonction
du dopage de lmetteur
Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
61

















IV.4.2.8. Influence de la recombinaison en surface sur le rendement, I
cc
et V
co

Pour examiner linfluence de la recombinaison sur les faces avant et arrire de la
base nous avons fait varier ces deux paramtres sparment. Les rsultats de la simulation
sont prsents sur les figures ci dessous.
On constate que la vitesse de recombinaison en surface est lun des paramtres qui
influence sur le rendement des cellules solaires. La grande vitesse de recombinaison peut
dgrader le rendement, par contre si la vitesse de recombinaison en surface est infrieure
100 cm/s elle na pas dinfluence importante sur les caractristiques de la cellule. On
remarque aussi que le courant de court-circuit reste constant quelque soit la recombinaison
en surface.





Figure.IV.18. Variation de la tension du circuit ouvert de la cellule en fonction
du dopage de lmetteur
1E18 1E19 1E20
600
610
620
630
640
650
660
670
680
600m 400m 200m
V
c
o

(
m
V
)
Dopage de l'metteur (cm
-3
)

Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
62





























1 10 100 1000 10000
18,8
19,0
19,2
19,4
19,6
19,8
20,0
20,2
20,4
face avant
face arrire
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
Recombinaison en surface (cm/s)

Figure.IV.19. Variation du rendement en fonction de la recombinaison en surface
10 100 1000 10000
125
130
135
140
145
face avant
face arrire
I
c
c
(
m
A
)
Recombinaison en surface (cm/s)

Figure.IV.20. Variation du courant de court-circuit en fonction de la recombinaison en
surface
Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
63











Le tableau suivant rsume les paramtres tudis de la cellule qui peuvent donner
un bon rendement :

Epaisseur de lmetteur 0,15m
Epaisseur de la base 100 m
Epaisseur du substrat 0, 3 m
Dopage de lmetteur 10
19
cm
-3
Dopage de la base 10
16
cm
-3

Dopage du substrat 10
19
cm
-3

Vitesse de recombinaison 1000 cm/s


IV.5. SIMULATION DES CELLULES SOLAIRES A BASE DE SIGE
Pour pouvoir rcuprer les photons dnergie plus basse que le gap du silicium, il
faut trouver un autre matriau semi-conducteur, qui a une nergie de gap plus basse et par
consquent un plus grand coefficient dabsorption dans la partie infrarouge. Le matriau
qui rpond le mieux ces exigences est le germanium, mais le plus important, est non
10 100 1000 10000
650
660
670
680
690
700
face avant
face arrire
V
c
o

(
m
V
)
Recombinaison en surface (cm/s)
Figure.IV.21. Variation de la tension du circuit ouvert en fonction de la recombinaison
en surface
Tableau IV.1. Paramtres de la cellule solaire base de silicium
Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
64
seulement le photocourant mais aussi la tension de circuit ouvert, et il se trouve que,
malheureusement, le germanium lui seul ne couvre pas cette exigence de tension leve.
En effet une cellule solaire au germanium a un courant de saturation plus grand
quune cellule au silicium, ce qui influe directement sur la tension de circuit ouvert qui est
plus basse. Alors, il savre plus judicieux de faire un compromis entre la tension et le
courant. Ce compromis ncessite un alliage entre le silicium (a un faible courant de
saturation donc une bonne tension V
co
), et le germanium (qui a une bonne rponse
spectrale donc un bon photocourant I
cc
) [40].
IV.5.1. Influence de lpaisseur sur le RQI
Nous avons analys une cellule solaire base de SiGe de type
n
+
(Si)/p(Si) /p(SiGe)/p
+
(Si), prsente sur la figure IV.22, avec un taux de germanium gal
25% pour diffrentes paisseurs de la base Si
1-x
Ge
x
en utilisant le PC1D.




















0,3m (n
+
Si)
2,0m (p Si)
2,0m (p
+
Si)
Xm (p Si
1-x
Ge
x
)
Figure IV.22. Schma de la cellule solaire base de lalliage Si
1-x
Ge
x

Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
65
Les valeurs des diffrentes couches utilises dans la simulation sont donnes par le
tableau suivant :
Si (n
+
) Si (p) Si
1-x
Ge
x
(p) Si (p
+
)
Epaisseurs (m) 0,3 2,0 100,0 2,0
Concentration
du dopage (cm
-3
)

10
19

10
16


2.10
16


10
19




Les rsultats obtenus montre que lpaisseur de la cellule solaire est un paramtre
important pour labsorption des photons. Ainsi, quil est pas ncessaire de fabriquer des
cellules solaires avec des paisseurs trop grandes car les rponses spectrales commencent
sentasser.


















Figure IV.23. Influence de lpaisseur de la couche alliage Si
0.75
Ge
0.25
sur le rendement
quantique interne dune cellule photovoltaque
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1m 5m 10m 20m
50m 100m 200m 400m
R
e
n
d
e
m
e
n
t

q
u
a
n
t
i
q
u
e

i
n
t
e
r
n
e

(
%
)
Longueur d'onde (nm)

Tableau.IV.2. Epaisseurs et concentration du dopage des couches de la cellule solaire
Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
66
Pour tudier linfluence de lpaisseur de lmetteur sur la rponse spectrale, nous
avons fix lpaisseur de la base 100m. Lpaisseur de lmetteur a une influence sur le
rendement quantique interne en fonction de la longueur donde dans la partie du visible
comme le montre la figure IV.24.
















IV.5.2. Influence du taux de germanium sur le rendement
Maintenant nous faisons varier lpaisseur de la cellule solaire pour tudier
linfluence du taux du germanium sur le rendement (Figure IV.16), et ceci est bien d la
grande valeur du coefficient dabsorption du germanium par rapport au silicium. Donc
nous pouvons conclure que le coefficient dabsorption augmente avec le taux du
germanium dans lalliage SiGe. Le rendement de la cellule solaire base de Si
1-x
Ge
x

augmente avec le taux de germanium dans lalliage, mais il reste toujours infrieur celui
dune cellule solaire base de silicium tudie dans la premire partie du chapitre, car il
ny a pas de dsaccord de maille aux interfaces pour cette dernire.

Figure IV.24. Influence de lpaisseur de lmetteur sur le rendement quantique interne
dune cellule photovoltaque

400 600 800 1000 1200
0
20
40
60
80
100
0.1m
0.5m
1.0m
2.5m
R
e
n
d
e
m
e
n
t

q
u
a
n
t
i
q
u
e

i
n
t
e
r
n
e

(
%
)
Longueur d'onde (nm)



Simulation des cellules solaires base de Si et SiGe Chapitre IV
67














IV.6. CONCLUSION
Quelque soit la structure dune cellule solaire, une optimisation de ses paramtres
est ncessaire pour avoir un bon rendement. Habituellement, les paramtres optimiser
sont lpaisseur de la cellule, les niveaux et les profils de dopage, la configuration des
contacts et le confinement optique. Les valeurs des paramtres optimaux dpendent, bien
sr, de la structure de la cellule solaire, de la qualit du matriau, de la vitesse de
recombinaison en surface (faces avant et arrire), etc Loptimisation de la cellule solaire
comprend donc ltude de linfluence de ces paramtres sur le rendement afin dobtenir une
structure conduisant au rendement maximum.
Le taux de germanium a un effet apprciable sur le rendement de la cellule solaire
base de lalliage Si
1-x
Ge
x
, qui est d la grande valeur du coefficient dabsorption du
germanium par rapport au silicium donc plus lalliage contient du germanium plus il a un
grand coefficient dabsorption.



0 50 100 150 200 250 300
8
10
12
14
16
18
20
22
x=0 x=0.25
x=0.135 x=0.04
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)
Epaisseur de la base SiGe (m)

Figure IV.25. Influence du taux de germanium sur le rendement en fonction de
lpaisseur de la cellule solaire
Conclusion gnrale
68
CONCLUSION
En pratique, la conversion dnergie lumineuse en nergie lectrique nest pas
totale. Diffrentes pertes viennent influencer le rendement dune cellule. Elles sont dans la
plus part des cas dues la nature du matriau et la technologie utilise. Tous les photons
possdant une longueur donde suprieure celle associe au gap du semi-conducteur ne
peuvent gnrer de paire lectron-trou, et sont donc perdus. Le rendement dune cellule
dpend aussi la base du nombre de photons y pntrant.

Lindustrie photovoltaque est constitue plus de 90% sur lutilisation du silicium
comme matriau de base. Le silicium reste cependant le matriau le plus utilis dans le
photovoltaque, il bnficie dune implantation importante et durable dans lindustrie de la
microlectronique. Celle-ci utilise du silicium monocristallin de trs haute puret, obtenu
par des mthodes telles que le tirage CZ (Czockralski). Ce type de matriau, qui prsente
dexcellentes qualits lectroniques, est trs coteux. La part de silicium monocristallin y
est plus importante, puisque les modules produits selon cette technologie ont un rendement
plus lev que ceux en silicium multicristallin.

La simulation a t largement utilise dans le cadre de ce travail afin dtudier les
paramtres les plus importants pour le fonctionnement des cellules solaires base de
silicium, dans le but de diminuer les pertes et doptimiser les paramtres physiques et
gomtriques de la cellule en vue dobtenir un rendement maximum.
En point de vu technologique, une cellule solaire base de silicium a un rendement
plus lev et cote moins cher car il faut uniquement du silane (SiH
4
) comme gaz source
pour lpitaxie. Par contre pour le SiGe, il faut du silane et du germane (GeH
4
) qui est plus
cher, pour lpitaxie.

Lutilisation des alliages SiGe dans les cellules solaires prend une nouvelle
dimensions lorsquils sont utiliss en couches minces, car le rapport performance / cot
atteint avec de telles cellules est suprieur celui dune cellule au silicium pour la mme
paisseur, mais les rendements atteints sont encore faibles par rapport ce que lon attend
dune cellule solaire, cause de la faible paisseur de la couche.

Conclusion gnrale
69
Les alliages semi-conducteurs, avec la richesse de leurs structures lectroniques et
autre proprits, ont trouv une large application dans les dispositifs optiques et
lectroniques. La littrature sur les proprits fondamentales de ces matriaux a
rapidement augment. Ces dernires dcennies, beaucoup de progrs et de dcouvertes
majeurs ont t raliss. Cependant, tant devant une difficults majeure pour traiter le
dsordre dans ces matriaux, la thorie des alliages semi-conducteurs prendra
probablement une autre dcennie pour tre au mme niveau de maturit que la thorie
actuelle des cristaux semi-conducteurs.







A. Perspective
70
A.1. INTRODUCTION
Un monochromateur est un dispositif utilis en optique pour slectionner une
gamme la plus troite possible de longueurs d'onde partir d'un faisceau lumineux de
gamme de longueurs d'onde plus large. Le nom monochromateur est issu du grec mono
(seul) et chroma (couleur) [41].
Cest un dispositif permettant dobtenir un faisceau lumineux monochromatique a
beaucoup dintrt en sciences, que ce soit en chimie, en physique ou en optique, car de
nombreux phnomnes dpendent de la longueur donde de la lumire. Parmi les diffrents
appareils utilisant des monochromateurs, on peut notamment citer les spectromtres utiliss
pour des dosages ou de lanalyse chimique ou structurale. Alors quil existe de nombreuses
manires de produire de la lumire monochromatique (par exemple les sources laser), il
nest pas si facile de slectionner une gamme de longueurs donde dans un faisceau
polychromatique.
A.2. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT DUN MONOCHROMATEUR
Pour sparer les diffrentes longueurs d'onde d'un faisceau lumineux, un
monochromateur peut utiliser soit le phnomne de dispersion de la lumire par un prisme,
soit le phnomne de diffraction par un rseau ou par un cristal. Il comprend gnralement
un systme mcanique permettant de diriger le faisceau de longueur d'onde choisie vers une
fente de sortie.
La dispersion ou la diffraction du faisceau lumineux n'est utilisable que si la
lumire est collimate, c'est dire si tous les rayons lumineux sont parallles (ou
pratiquement parallles). Dans la pratique, les faisceaux lumineux sont presque toujours
divergents, et il est ncessaire d'utiliser un collimateur pour rendre les rayons parallles.
Gnralement, les monochromateurs utilisent des collimateurs travaillant en rflexion (et
non en transmission) pour ne pas introduire de dispersion parasite de la lumire.
La figure au dessous montre le schma de principe d'un monochromateur de type
"Czerny-turner". Le faisceau lumineux polychromatique issu de la source (A) traverse une
fente d'entre (B). La fente est situe au point focal d'un miroir incurv (le collimateur (C),
gnralement un miroir sphrique), si bien que tous les rayons rflchis par le miroir sont
parallles. La quantit d'nergie lumineuse disponible pour l'utilisation dpend d'une part
A. Perspective
71
de l'nergie du faisceau issue de la source lumineuse traversant la fente, et d'autre part de la
largeur du faisceau divergent qui se rflchie sur le miroir.
Le faisceau parallle polychromatique est alors dispers par le prisme ou diffract
par le rseau ou le cristal (D), puis est collect par un autre miroir (E) qui le focalise sur la
fente de sortie (F). Dans le cas du prisme ou du rseau, les diffrentes longueurs d'onde
sont spares au niveau de la fente de sortie (si le faisceau est dans le visible, les diffrents
couleurs sont spares), chacune arrivant un point diffrent de la fente. Dans le cas d'un
cristal, une seule longueur d'onde diffracte, suivant la valeur de l'angle incident.
Le faisceau lumineux issu de la fente (G) n'est donc plus constitu que d'une seule
longueur d'onde (et d'une faible proportion des longueurs d'onde voisines). Une rotation de
D (prisme, rseau ou cristal) entrane un dplacement du faisceau au niveau du miroir E et
de la fente de sortie F, ce qui permet de slectionner la longueur d'onde dsire en la
centrant sur la fente [42].









A.3. DESCRIPTION DU MONTAGE
Les configurations alternatives d'entre et de sortie assurent la flexibilit maximum
de la position en intgrant les systmes spectroscopiques. L'utilisation d'un rpage de
1800 l/mm dans la rgion vidente a comme consquence une rsolution et une lumire
plus leves recueillant la puissance qu'est normalement associ un instrument de cette
taille [43].
D
E
C
D
B
A
G
Figure A.1. Monochromateur de Czerny- turner
A. Perspective
72
A.3.1. Montage gnral
Le M300 est un monochromateur rseau, la slection de la longueur d'onde est
effetue par un systme de moteur pas pas qui nous permet d'orienter le rseau plac
l'intrieur du monochromateur. Il a deux fentes :
1- fente dentre (lumire blanche polychromatique ex : lampe Xe ou Tungstne).
2- fente de sortie lumire monochromatique selon lorientation du rseau et lambda
dsire.
- Le M300 peut tre pilot par un PC li au monochromateur par le IEEE (voir Figure
A.1).
- Laffichage des longueurs donde est en nm.
- Le rseau peut tre remplac par un autre selon la gamme spectrale choisie (300, 600,
1200, 1800, .) lignes/mm.
Les monochromateurs sont utiliss dans les banc de mesure spectral, la ou fait des
mesures en fonction de la longueur d'onde.














Figure A.2. Montage gnral de lexprience
A. Perspective
73

A.3.2. Configuration optique du monochromateur
Le monochromateur de Czerny-Turner comporte une fente d'entre (S
1
), des miroirs
M
1
, M'
1
, M
2
, M'
2
, un rseau holographique G et une fente de sortie (S
2
). Les fentes S
1
et S
2

sont rglables en largeur.







Le faisceau incident, issu de la fente d'entre S
1
, rflchi par les miroirs M
1
et M'
1

est dirig vers le rseau holographique sous forme de rayons parallles. Le rseau
transforme ce faisceau en une srie de faisceaux monochromatiques de lumire parallle
envoys tour de rle, par rotation du rseau et aprs rflexion sur les miroirs M'
2
et M
2
,
sur la fente de sortie o ils sont focaliss.
La rotation du rseau est ralise par un moteur asservi par un microprocesseur, ce
qui permet d'obtenir un dfilement linaire en longueur d'onde. Les longueurs d'onde sont
affiches directement en nanomtres sur un compteur numrique.
Lchantillon est fix sur la fentre de sortie du monochromateur. Les tensions
correspondant aux diffrentes radiations sont utilises pour fournir sur l'cran de
l'ordinateur le spectre de la lampe tudie (analyse spectrale).
A.3.3. Source lumineuse
Cest une source d'halogne du quartz 100W avec l'objectif sphrique. L'IL1 est
une source lumineuse universelle utilise dans les rgions spectrales UV, visible et
infrarouges de 350nm au de 2,5 m.

G S
1
S
2
M
1
M
1
M
2

M
2

Figure A.3. Schma optique du monochromateur
A. Perspective
74
Une lampe d'halogne du quartz 100W commande par une alimentation d'nergie
stabilise, courante utilise. Un condensateur simple de quartz est utilis pour remplir la
taille et la largeur de la fente et pour s'assortir au systme optique f/4.2 du
monochromateur.









Pour le systme de Bentham, la stabilit optique est assure par la source IL1
lumineuse, qui utilise une lampe d'halogne du quartz 100W command par une
alimentation d'nergie fortement stabilise de courant constant [44].
A.3.4. Alimentation d'nergie 605
Lalimentation 605 est une alimentation d'nergie de courant constant
spcifiquement conue pour l'usage avec les sources lumineuses stabilises et les sources
standard de calibrage (par exemple halogne de quartz, xnon, lment de Nernst, etc.)
[45].







Figure A.4. La source lumineuse IL1


Figure A.5. Alimentation dnergie 605
A. Perspective
75
A.3.5. Position de lchantillon
Les spectromtres classiques comprennent les mmes lments, quils soient
utiliss dans le domaine UV-VIS que dans le domaine IR: une source, un porte
chantillons, un monochromateur, un dtecteur, un appareil de lecture.
Toutefois, la disposition de ces lments diffre selon les deux domaines spectraux.
En UV-VIS, lchantillon est plac la sortie du monochromateur, et non pas juste aprs la
source. En IR, on place lchantillon entre la source et le monochromateur.
A.4. APPAREILLAGE
La lampe halogne, est aliment par la source stabilise, gnre une lumire blanche
flux constant. Cette lumire est dcompose par un monochromateur rseau, le spectre
obtenu stale de 400 800nm. La rsolution spectrale est dtermine par les fentes places
lentre et la sortie du monochromateur.
La lumire monochromatique est obtenue en faisant passer de la lumire blanche
travers un monochromateur rseau, ce rseau limine les ordres suprieurs de la
diffraction. Le rayon de la lumire de longueur donde donne traverse ensuite lchantillon
et la partie transmise sera dtecte.
Le monochromateur est utilis pour la dispersion de la lumire en longueurs
dondes spectrales spcifiques que lon peut slectionner pour lanalyse avec les fentes de
largeurs rglables.
Le monochromateur doit tre pourvu de fentes pouvant tre slectionnes ou rgles
de manires choisir la largeur de bande voulue pour la longueur donde de llment
dterminer.
A.5. C0NCLUSION
Dans notre Laboratoire URMER nous avons un monochromateur de type Bentham
M300 que nous pouvons lutiliser dans des travaux de recherche pour caractriser les
cellules photovoltaques. Cette exprience est extrmement importante dans ltude et
lanalyse des cellules solaires.



Bibliographie
70
[1] http://www.goodfellow.com/csp/active/static/F/Silicium.html
[2] http://membres.lycos.fr/procession/electronique/smcd06.pdf
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Paris, 1996.ISBN: 2-225-85124-7.
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[6] http://www.unine.ch/phys/Enseignement/Cours2003-
2004/PhysSemi/Cours/Sem/node2.html
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Method for Automatic Czochralski Crystal Growth of Semiconductors, Journal of Crystal
Growth 132, 1 (1993)
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2004/PhysSemi/Cours/Sem/node2.html
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bipolaires htrojonction l'aide d'outils de Simulation numrique : Application au
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[26] J. D. Cressler, SIGE HBT TECHNOLOGY: A NEW CONTENDER FOR SI-
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IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 40, N11, pp. 1990-1996, November 1993.
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[40] A. Benyoucef. Contribution ltude des performances de matriaux photovoltaques
base de couches dalliages Si
1-x
Ge
x
et Si
1-x-y
Ge
x
C
y
. Mmoire de magister en physique,
Universit de Tlemcen, 2004.
[41] httpwww.ioffe.rssi.ruSVANSMSemicond\NSM Archive - Silicon Germanium (SiGe)
- Basic Electrical parameters.htm
[42] httpwww.ioffe.rssi.ruSVANSMSemicond\NSM Archive - Silicon Germanium (SiGe)
- Optical properties.htm
[43] http://www.techno-science.net/?onglet=glossaire&definition=2991
[44] http://fr.wikipedia.org/wiki/Monochromateur
[45] http://www.bentham.co.uk/m300.htm
[46] http://www.bentham.co.uk/pdf/IL1.pdf
[45] http://www.bentham.co.uk/pdf/605.pdf

Annexe. A
73
Nous prsentons quelques proprits de lalliage Si
1-x
Ge
x
300K, utilises dans la
simulation des cellule solaire base de Si
1-x
Ge
x
, sur le tableau suivant:

Proprits physiques du Si
1-x
Ge
x
Si
1-x
Ge
x

Mobilit des lectrons 300K (cm
2
/V.s) 1396-4315.x pour 0x0,3
Mobilit des trous 300K (cm
2
/V.s) 450-865.x pour 0x0,3
Constante dilectrique 11,7+4,5.x
Energie de Gap (e.V) 1,12-0,14.x+0,008.x
2
pour x<0,85
1,86-1,2.x pour x>0,85
Indice de rfraction 3.42 + 0.37x + 0.22 x
2

Nombre datomes par cm
3
(5,00-0,58.x).10
22

Energie optique de photon (meV) 50
Masse effective longitudinale m
l
0,92.m
0
pour x<0,85
0,159.m
0
pour x>0,85
Masse effective transversale m
t
0,19.m
0
pour x<0,85
0,08.m
0
pour x>0,85
Coefficient de diffusion des lectrons (cm
2
/s) 36-112.x pour 0x0,3
Coefficient de diffusion des trous (cm
2
/s) 12-22.x pour 0x0,3
Vitesse thermique des lectrons (m/s) 2,4.10
5
pour x<0,85
1.10
5
pour x>0,85

Tableau A. Proprits physiques du Si
1-x
Ge
x
[41] [42]
Annexe. B
74
B.1. INTRODUCTION
Un monochromateur est un dispositif utilis en optique pour slectionner une
gamme la plus troite possible de longueurs d'onde partir d'un faisceau lumineux de
gamme de longueurs d'onde plus large. Le nom monochromateur est issu du grec mono
(seul) et chroma (couleur) [43].
Cest un dispositif permettant dobtenir un faisceau lumineux monochromatique a
beaucoup dintrt en sciences, que ce soit en chimie, en physique ou en optique, car de
nombreux phnomnes dpendent de la longueur donde de la lumire. Parmi les diffrents
appareils utilisant des monochromateurs, on peut notamment citer les spectromtres utiliss
pour des dosages ou de lanalyse chimique ou structurale. Alors quil existe de nombreuses
manires de produire de la lumire monochromatique (par exemple les sources laser), il
nest pas si facile de slectionner une gamme de longueurs donde dans un faisceau
polychromatique.
B.2. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT DUN MONOCHROMATEUR
Pour sparer les diffrentes longueurs d'onde d'un faisceau lumineux, un
monochromateur peut utiliser soit le phnomne de dispersion de la lumire par un prisme,
soit le phnomne de diffraction par un rseau ou par un cristal. Il comprend gnralement
un systme mcanique permettant de diriger le faisceau de longueur d'onde choisie vers une
fente de sortie.
La dispersion ou la diffraction du faisceau lumineux n'est utilisable que si la
lumire est collimate, c'est dire si tous les rayons lumineux sont parallles (ou
pratiquement parallles). Dans la pratique, les faisceaux lumineux sont presque toujours
divergents, et il est ncessaire d'utiliser un collimateur pour rendre les rayons parallles.
Gnralement, les monochromateurs utilisent des collimateurs travaillant en rflexion (et
non en transmission) pour ne pas introduire de dispersion parasite de la lumire.
La figure au dessous montre le schma de principe d'un monochromateur de type
"Czerny-turner". Le faisceau lumineux polychromatique issu de la source (A) traverse une
fente d'entre (B). La fente est situe au point focal d'un miroir incurv (le collimateur (C),
gnralement un miroir sphrique), si bien que tous les rayons rflchis par le miroir sont
parallles. La quantit d'nergie lumineuse disponible pour l'utilisation dpend d'une part
Annexe. B
75
de l'nergie du faisceau issue de la source lumineuse traversant la fente, et d'autre part de la
largeur du faisceau divergent qui se rflchie sur le miroir.
Le faisceau parallle polychromatique est alors dispers par le prisme ou diffract
par le rseau ou le cristal (D), puis est collect par un autre miroir (E) qui le focalise sur la
fente de sortie (F). Dans le cas du prisme ou du rseau, les diffrentes longueurs d'onde
sont spares au niveau de la fente de sortie (si le faisceau est dans le visible, les diffrents
couleurs sont spares), chacune arrivant un point diffrent de la fente. Dans le cas d'un
cristal, une seule longueur d'onde diffracte, suivant la valeur de l'angle incident.
Le faisceau lumineux issu de la fente (G) n'est donc plus constitu que d'une seule
longueur d'onde (et d'une faible proportion des longueurs d'onde voisines). Une rotation de
D (prisme, rseau ou cristal) entrane un dplacement du faisceau au niveau du miroir E et
de la fente de sortie F, ce qui permet de slectionner la longueur d'onde dsire en la
centrant sur la fente [44].










B.3. DESCRIPTION DU MONTAGE
Les configurations alternatives d'entre et de sortie assurent la flexibilit maximum
de la position en intgrant les systmes spectroscopiques. L'utilisation d'un rpage de
1800 l/mm dans la rgion vidente a comme consquence une rsolution et une lumire
plus leves recueillant la puissance qu'est normalement associ un instrument de cette
taille [45].
D
E
C
D
B
A
G
Figure B.1. Monochromateur de Czerny- turner
Annexe. B
76
B.3.1. Montage gnral
Le M300 est un monochromateur rseau, la slection de la longueur d'onde est
effetue par un systme de moteur pas pas qui nous permet d'orienter le rseau plac
l'intrieur du monochromateur. Il a deux fentes :
1- fente dentre (lumire blanche polychromatique ex : lampe Xe ou Tungstne).
2- fente de sortie lumire monochromatique selon lorientation du rseau et lambda
dsire.
- Le M300 peut tre pilot par un PC li au monochromateur par le IEEE (voir Figure B.2).
- Laffichage des longueurs donde est en nm.
- Le rseau peut tre remplac par un autre selon la gamme spectrale choisie (300, 600,
1200, 1800, .) lignes/mm.
Les monochromateurs sont utiliss dans les banc de mesure spectral, la ou fait des
mesures en fonction de la longueur d'onde.














Figure B.2. Montage gnral de lexprience
Annexe. B
77

B.3.2. Configuration optique du monochromateur
Le monochromateur de Czerny-Turner comporte une fente d'entre (S
1
), des miroirs
M
1
, M'
1
, M
2
, M'
2
, un rseau holographique G et une fente de sortie (S
2
). Les fentes S
1
et S
2

sont rglables en largeur.







Le faisceau incident, issu de la fente d'entre S
1
, rflchi par les miroirs M
1
et M'
1

est dirig vers le rseau holographique sous forme de rayons parallles. Le rseau
transforme ce faisceau en une srie de faisceaux monochromatiques de lumire parallle
envoys tour de rle, par rotation du rseau et aprs rflexion sur les miroirs M'
2
et M
2
,
sur la fente de sortie o ils sont focaliss.
La rotation du rseau est ralise par un moteur asservi par un microprocesseur, ce
qui permet d'obtenir un dfilement linaire en longueur d'onde. Les longueurs d'onde sont
affiches directement en nanomtres sur un compteur numrique.
Lchantillon est fix sur la fentre de sortie du monochromateur. Les tensions
correspondant aux diffrentes radiations sont utilises pour fournir sur l'cran de
l'ordinateur le spectre de la lampe tudie (analyse spectrale).
B.3.3. Source lumineuse
Cest une source d'halogne du quartz 100W avec l'objectif sphrique. L'IL1 est
une source lumineuse universelle utilise dans les rgions spectrales UV, visible et
infrarouges de 350nm au de 2,5 m.

G S
1
S
2
M
1
M
1
M
2

M
2

Figure B.3. Schma optique du monochromateur
Annexe. B
78
Une lampe d'halogne du quartz 100W commande par une alimentation d'nergie
stabilise, courante utilise. Un condensateur simple de quartz est utilis pour remplir la
taille et la largeur de la fente et pour s'assortir au systme optique f/4.2 du
monochromateur.









Pour le systme de Bentham, la stabilit optique est assure par la source IL1
lumineuse, qui utilise une lampe d'halogne du quartz 100W command par une
alimentation d'nergie fortement stabilise de courant constant [46].
B.3.4. Alimentation d'nergie 605
Lalimentation 605 est une alimentation d'nergie de courant constant
spcifiquement conue pour l'usage avec les sources lumineuses stabilises et les sources
standard de calibrage (par exemple halogne de quartz, xnon, etc.) [47].







Figure B.4. La source lumineuse IL1


Figure B.5. Alimentation dnergie 605
Annexe. B
79
B.3.5. Position de lchantillon
Les spectromtres classiques comprennent les mmes lments, quils soient
utiliss dans le domaine UV-VIS que dans le domaine IR: une source, un porte
chantillons, un monochromateur, un dtecteur, un appareil de lecture.
Toutefois, la disposition de ces lments diffre selon les deux domaines spectraux.
En UV-VIS, lchantillon est plac la sortie du monochromateur, et non pas juste aprs la
source. En IR, on place lchantillon entre la source et le monochromateur.
B.4. APPAREILLAGE
La lampe halogne, est aliment par la source stabilise, gnre une lumire blanche
flux constant. Cette lumire est dcompose par un monochromateur rseau, le spectre
obtenu stale de 400 800nm. La rsolution spectrale est dtermine par les fentes places
lentre et la sortie du monochromateur.
La lumire monochromatique est obtenue en faisant passer de la lumire blanche
travers un monochromateur rseau, ce rseau limine les ordres suprieurs de la
diffraction. Le rayon de la lumire de longueur donde donne traverse ensuite lchantillon
et la partie transmise sera dtecte.
Le monochromateur est utilis pour la dispersion de la lumire en longueurs
dondes spectrales spcifiques que lon peut slectionner pour lanalyse avec les fentes de
largeurs rglables.
Le monochromateur doit tre pourvu de fentes pouvant tre slectionnes ou rgles
de manires choisir la largeur de bande voulue pour la longueur donde de llment
dterminer.
B.5. C0NCLUSION
Dans notre Laboratoire URMER nous avons un monochromateur de type
Bentham M300 que nous utiliserons dans des prochains travaux de recherche pour
caractriser les cellules photovoltaques. Cette exprience est extrmement importante dans
ltude et lanalyse des cellules solaires.



Liste des Symboles
80


Symbole Dfinition
D
n
Coefficient de diffusion des lectrons (cm
2
.s
-1
)
D
p
Coefficient de diffusion des trous (cm
2
.s
-1
)
E Champ lectrique
E
c
Niveau infrieur de la bande de conduction (eV)
E
D
Niveau nergtique des impurets donneurs (eV)
E
F
Niveau de Fermi (eV)
E
g
Largeur de la bande interdite (eV)
E
V
Niveau suprieur de la bande interdite (eV)
FF Facteur de forme
h Constante de Planck
I Courant lectrique (A)
I
0
Courant de saturation de la jonction (A)
I
cc
Courant de court circuit (A)
I
m
Valeur maximale du courant (A)
k Constante de Boltzmann
L
n
Longueur de diffusion des lectrons (cm)
L
p
Longueur de diffusion des trous (cm)
n
i
Concentration intrinsque lquilibre thermique (cm
-3
)
n
ie
Concentration intrinsque effective (cm
-3
)
N
A
Concentration des atomes accepteurs (cm
-3
)
N
D
Concentration des atomes donneurs (cm
-3
)
P
m
Puissance maximale dlivre par une cellule solaire (mW.cm
-2
)
q Charge de llectron (cb)
R Coefficient de rflexion (%)
T Temprature (K)
U Taux de recombinaison (cm
-3
.s
-1
)
V
m
Valeur maximale de la tension (V)
X

Epaisseur de la cellule solaire (m)
Coefficient dabsorption (cm
-1
)
Longueur donde du photon incident (m)
Rendement de conversion (%)
Frquence du rayonnement incident (s
-1
)
Dure de vie (s)

n
Mobilit des lectrons (cm
2
.V
-1
.s
-1
)

p
Mobilit des trous (cm
2
.V
-1
.s
-1
)

Sommaire


Introduction Gnrale.1
Chapitre I : Thorie Gnrale des Semi-conducteurs
I.1. Introduction3
I.2. Structures Cristallines...3
I.3. Bandes dEnergie...8
I.4. Semi-conducteur intrinsque9
I.4.1. Concentration intrinsque...9
I.4.2. Temprature intrinsque11
I.5. Diffrents Types de Dopage11
I.5.1. Semi-conducteur dop 11
I.5.2. Semi-conducteur dop 12
I.5.3. Densit de charges dans un Semi-conducteur...12
I.5.4. Loi daction de masse13
I.6. Courant dans les Semi-conducteurs...14
I.7. Gnration et Recombinaison des Porteurs..15
I.7.1. Recombinaison en volume de type Radiatives.16
I.7.2. Recombinaison en volume de type Auger17
I.7.3. Recombinaison par Pige..18
I.8. Conclusion19
Chapitre II : Proprits physiques du Silicium et du
Germanium
II.1. Introduction20
II.2. Diffrents types du Silicium..20
II.2.1. Le silicium monocristallin...20
II.2.2. Le silicium polycristallin.20
II.2.3. Le Silicium amorphe....21
II.3. Obtention dun Silicium de qualit lectronique...22
II.3.1. Rduction de la Silice..22
II.3.2. Purification du Silicium...23
II.3.3. Procdure de Czochralski23
Sommaire

II.3.4. La fusion de zone.25
II.3.5. Prparation des plaquettes...26
II.3.6. Dfauts cristallins dans le Silicium.27
II.4. Proprits Physiques du Silicium et du Germanium..27
II.4.1. Hauteur de la bande interdite...27
II.4.2. La conductivit29
II.4.3. Les masses effectives...30
II.4.4. Tableau des proprits physiques du Si et Ge 31
II.5. Conclusion...31
Chapitre III : Proprits gnrales de lalliage Si
1-x
Ge
x

III.1. Introduction..32
III.2. Proprits Gnrales de lAlliage Si
1-
e
x
...................................................................33
III.2.1. Le SiGe massif...3
III.2.1.1. Structure ristalline.33
III.2.1.2.Bande dnergie.....36
III.2.1.3. Proprits optiques.38
III.2.2. Le SiGe contraint sur Silicium...41
III.2.2.1. Structure, contrainte et tabilit.41
III.2.2.2. Rduction de la bande nterdite.42
III.3. Conclusion.43
Chapitre IV : Simulation des Cellules Solaires base de
Si et SiGe
IV.1. Introduction...44
IV.2. La conversion photovoltaque..44
IV.2.1. Principe de la conversion photovoltaque..44
IV.2.2. Paramtres essentiels caractrisant une cellule solaire ....45
IV.3. Logiciel de Simulation : PC1D.46
IV.3.1. Aperu du Logiciel.46
IV.3.2. Les paramtres du dispositif (Device)...47
IV.3.3. Les paramtres des rgions....48
IV.3.4. Les paramtres dexcitation...49
IV.3.5. Les rsultats50
Sommaire

IV.4. Simulation des Cellules Solaires base de Silicium...50
IV.4.1. Paramtres de simulation...50
IV.4.2. Rsultats de la simulation..51
IV.4.2.1. Caractristique I-V...51
IV.4.2.2. Rponse pectrale52
IV.4.2.3. Influence de lpaisseur de lmetteur n
+
sur le rendement....53
IV.4.2.4. Influence de lpaisseur de la cellule solaire sur le rendement...53
IV.4.2.5. Influence de la longueur de diffusion sur le rendement, I
cc
et V
co
..........54
IV.4.2.6. Influence du dopage du substrat p
+
sur le rendement, I
cc
et V
co
......57
IV.4.2.7. Influence du dopage de lmetteur n+ sur le rendement, Icc et V
co
.59
IV.4.2.8. Influence de la recombinaison en surface sur le rendement, I
cc
et V
co
61
IV.5. Simulation des Cellules solaires base de SiGe.63
IV.5.1. Influence de lpaisseur sur le RQI...64
IV.5.2. Influence du taux de germanium sur le rendement66
IV.6. Conclusion.67
Conclusion Gnrale..68
Bibliographie70
Annexe. A..73
Annexe. B..74
Liste de symboles...80