UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO SUL

INSTITUTO DE FSICA








Desenvolvimento e Otimizao de um
Fotodetector de Silcio Bidimensional
Sensvel Posio




Ricardo Cunha Gonalves da Silva






Dissertao elaborada sob orientao do prof.
Henri Ivanov Boudinov e co-orientao do
prof. Ricardo Rego Bordalo Correia,
apresentada ao Instituto de Fsica da UFRGS
como requisito final obteno do ttulo de
mestre em Fsica




Porto Alegre
2004
2
Agradecimentos
Gostaria de agradecer ao meu orientador Henri pela excelente orientao,
no apenas no trabalho, mas tambm na vida. Ao meu co-orientador Ricardo por
toda ajuda e orientao. Aos colegas do laboratrio de Microeletrnica pelo apoio.
Agradeo tambm minha famlia por tudo, em especial v Lela, minha
esposa e ao meu pai.
3
Propriedade Industrial
O Fotodetector apresentado ao longo desse trabalho tem a Patente de Inveno
PI0402196-1 depositada junto ao INPI.
4
Resumo
O conhecimento da fsica de semicondutores foi usado para desenvolver e otimizar um
sensor tico de silcio capaz de determinar com preciso a posio bidimensional de
incidncia de um feixe de luz em sua superfcie. O sensor usa o efeito de fototenso lateral
para gerar um sinal eltrico de sada que funo da posio de incidncia da luz.
Tecnologia planar do silcio foi usada na fabricao do dispositivo, incluindo implantao
inica, difuso, fotolitografia, deposio de filmes metlicos e crescimento de dieltricos. A
caracterizao eltrica do sensor inclui medidas estticas, com a distribuio de portadores
em regime estacionrio, medidas dinmicas, onde analisado o transiente do sinal eltrico e
medidas espectroscpicas para analisar a resposta do sensor em funo do comprimento de
onda da luz incidente. Simulaes dos processos de fabricao, parmetros dos passos
tecnolgicos, distribuio dos portadores e do potencial eltrico bidimensional no sensor
foram usadas para a otimizao das caractersticas do sensor.
5
Abstract
The knowledge of semiconductors physics was used to develop and to optimize an
optic silicon sensor capable to determine with precision the two-dimensional incidence
position of a light spot on its surface. The sensor uses the lateral photovoltage to generate an
output electric signal that is a function of the incidence position of the light spot. Planar
technology of silicon was used in the device manufacture, including ion implantation,
diffusion, photolithography, film deposition and dielectric film growth. The electric
characterization of the sensor includes static measurements, with the distribution of carriers
in steady-state, dynamic measures, where the transient of the electric signal is analyzed and
spectroscopic measurements to analyze the response of the sensor as a function of the
wavelength of the incident light. Simulations of the manufacturing processes, technological
steps parameters, carriers distributions and two-dimensional electric potential had been used
for the optimization of the sensor characteristics.

6
ndice

1 Introduo................................................................................................................. 9
1.1 Microeletrnica....................................................................................................... 9
1.2 Tecnologia planar de silcio.................................................................................. 10
1.3 Sensores de silcio ................................................................................................ 11
1.4 Sensores ticos Sensveis posio .................................................................... 12
1.5 Objetivo deste trabalho......................................................................................... 13

2 Fsica da juno p-n.............................................................................................. 15
2.1 Portadores de carga............................................................................................... 15
2.1.1 Bandas de energia......................................................................................... 15
2.1.2 Eltrons e lacunas ......................................................................................... 16
2.1.3 Semicondutor extrnseco .............................................................................. 17
2.2 Fenmenos de transporte...................................................................................... 21
2.2.1 Velocidade de deriva .................................................................................... 21
2.2.2 Mobilidade.................................................................................................... 22
2.2.3 Resistividade................................................................................................. 24
2.2.4 Difuso ......................................................................................................... 26
2.3 Equaes bsicas na operao de dispositivos semicondutores ........................... 27
2.3.1 Densidade de corrente .................................................................................. 27
2.3.2 Equaes de continuidade ............................................................................ 28
2.3.3 Injeo .......................................................................................................... 29
2.4 Juno p-n............................................................................................................. 32
2.4.1 Regio de carga espacial .............................................................................. 32
2.4.2 Espessura da regio de carga espacial .......................................................... 34
2.4.3 Nvel de Fermi na juno p-n ....................................................................... 38
2.5 Efeito Fotoeltrico................................................................................................ 39
2.5.1 Absoro de radiao em silcio................................................................... 39
7
2.5.2 Efeito fotoeltrico numa juno p-n............................................................. 42
2.5.3 Camada anti-refletora ................................................................................... 45
2.6 Fototenso Lateral ................................................................................................ 47
2.6.1 Iluminao no uniforme.............................................................................. 47
2.6.2 Iluminao no uniforme numa juno p-n.................................................. 48

3 Fabricao dos dispositivos................................................................................ 51
3.1 Tecnologia planar do silcio usada na fabricao do PSD.................................... 51
3.1.1 Limpeza das amostras................................................................................... 51
3.1.2 Oxidao trmica do silcio.......................................................................... 53
3.1.3 Litografia ...................................................................................................... 55
3.1.3.1 O processo de fotolitografia ..................................................................... 56
3.1.3.2 Aplicao de fotorresina........................................................................... 56
3.1.3.3 Alinhamento e exposio.......................................................................... 57
3.1.4 Implantao Inica ....................................................................................... 59
3.1.4.1 Distribuio dos dopantes......................................................................... 61
3.1.4.2 Recozimento e ativao de dopantes........................................................ 63
3.1.5 Metalizao................................................................................................... 64
3.1.5.1 Deposio do alumnio............................................................................. 65
3.1.5.2 Formao de contatos hmicos ................................................................ 66
3.1.6 Ataques qumicos ......................................................................................... 67
3.2 Fabricao do dispositivo..................................................................................... 68
3.2.1 Projeto........................................................................................................... 68
3.2.2 Processos ...................................................................................................... 69

4 Caracterizao Experimental, Simulaes e Otimizao........................ 73
4.1 Caracterizao experimental................................................................................. 73
4.1.1 Medidas estticas.......................................................................................... 73
4.1.1.1 Sistema de medidas .................................................................................. 73
4.1.1.2 Funo de transferncia............................................................................ 74
4.1.1.3 Sensibilidade............................................................................................. 77
4.1.1.4 Mximo sinal ............................................................................................ 80
8
4.1.1.5 Linearidade............................................................................................... 81
4.1.1.6 Intensidade da iluminao ........................................................................ 83
4.1.1.7 Espectroscopia.......................................................................................... 84
4.1.2 Medidas dinmicas ....................................................................................... 85
4.1.2.1 Sistema de medidas .................................................................................. 85
4.1.2.2 Tempo de recuperao.............................................................................. 85
4.1.2.3 Intensidade................................................................................................ 86
4.1.2.4 Posio da incidncia do laser .................................................................. 88
4.2 Simulaes............................................................................................................ 89
4.2.1 SUPREM-4GS.............................................................................................. 90
4.2.2 PISCES-2ET................................................................................................. 92
4.2.2.1 Regime esttico ........................................................................................ 95
4.2.2.2 Regime dinmico...................................................................................... 99
4.3 Otimizao.......................................................................................................... 102
4.3.1 Simulaes.................................................................................................. 102
4.3.2 Experimental............................................................................................... 105

5 Concluses.............................................................................................................. 111

6 Referncias............................................................................................................. 113
9
1 Introduo
1.1 Microeletrnica
Os dispositivos microeletrnicos esto presentes em praticamente todos os bens
produzidos pela indstria eletro-eletrnica, constituindo a base fsica de um dos setores
econmicos mais dinmicos do mundo e desempenhando um papel crtico no
desenvolvimento de reas estratgicas para a economia do pas. A insuficincia de
investimentos nacionais em pesquisa e desenvolvimento (P&D), entretanto, tem impedido o
pas de participar ativamente do processo de inovao tecnolgica que resultou na contnua
evoluo da microeletrnica. Desta forma, a incorporao de novas tecnologias aos produtos
brasileiros tem ocorrido pela importao massiva de componentes semicondutores
(dispositivos e circuitos integrados), contribuindo para o aumento do dficit da balana
comercial. No ano de 2001, por exemplo, os produtos eletrnicos importados custaram ao
pas 12,5 bilhes de dlares, podendo este custo subir para 40 bilhes de dlares em 2010,
devido ao aumento da demanda e ao contnuo lanamento de novos produtos (ABINEE).
Apesar da magnitude dos dados citados e da importncia tecnolgica deste setor estratgico,
o pas ainda no possui conhecimentos consolidados na rea de processamento fsico-
qumico de silcio (atividades de desenvolvimento e produo de dispositivos eletrnicos em
sala limpa), que constitui a base para a implantao da indstria de microeletrnica. O
resultado desta carncia uma falta de competitividade do setor produtivo, que sofre com a
concorrncia dos produtos estrangeiros de alto valor agregado, especialmente em reas
como eletrnica embarcada e telecomunicaes.

10
1.2 Tecnologia planar de silcio
O grande desenvolvimento da indstria da microeletrnica comeou a se dar com o
aperfeioamento das tcnicas de manipulao do material semicondutor, onde o Si, a partir
da dcada de 60 rapidamente substituiu o Germnio, semicondutor de escolha at ento,
devido principalmente a ter maiores vantagens no seu processamento. Alm disso, suas
propriedades fsicas e qumicas fazem do Silcio o semicondutor mais apropriado para o
uso em diversas aplicaes e hoje o semicondutor utilizado em mais de 80% dos
dispositivos microeletrnicos fabricados no mundo. O desenvolvimento da tecnologia
planar foi um dos maiores avanos tecnolgicos da histria, pois possibilitou a manufatura
de circuitos integrados com alta escala de integrao dos componentes.
A tecnologia planar consiste em utilizar o Silcio em forma de lminas, processando
a sua superfcie, isto , alterando suas propriedades, a fim de construir regies eletricamente
distintas sobre um mesmo substrato. Com esse processamento possvel construir
componentes ativos ou passivos, que vo de simples resistores a transistores. Os
componentes distribudos na superfcie do silcio podem ser eletricamente contatados
atravs da deposio de metais, possibilitando a construo de circuitos integrados e
microprocessadores. Mais detalhes sobre o processamento do silcio so mostrados no
captulo 3.
Apesar de a principal fora motivadora do desenvolvimento da tecnologia planar de
Si ser a obteno de dispositivos mais rpidos, mais compactos, com maior capacidade de
processamento e armazenamento, diversos trabalhos e produtos foram desenvolvidos a
partir do comeo da dcada de 80 [1] na rea de transdutores semicondutores utilizando os
mesmos processos dos anteriores. O uso dos processos padres de construo de circuitos
11
integrados permitiu tambm a construo de diversos sensores semicondutores em uma
mesma lmina de silcio, aumentando seu desempenho por menor custo, o que alavancou e
diversificou esse mercado.
1.3 Sensores de silcio
As propriedades fsicas e qumicas do silcio so exploradas para o sensoriamento
de diversas formas de estmulos, como por exemplo, sinais magnticos, eltricos,
mecnicos, trmicos e radiantes. Entre essas propriedades, a principal o fato de o silcio
ser um material semicondutor. Sua banda proibida de aproximadamente 1,1 eV a
temperatura ambiente. Essa caracterstica, para o uso em dispositivos transdutores ticos,
sem dvida a mais explorada e a que encontra aplicaes nas mais diversas reas. A
existncia de banda proibida no silcio permite a transformao de luz em sinal eltrico,
absorvendo ftons e criando pares eltron-lacuna (ver captulo 2). Esse efeito usado nos
mais diversos dispositivos fotossensveis, sendo que os principais detectores ticos podem
ser classificados em dois grupos que diferem pelo mecanismo fsico envolvido no processo
de deteco. O primeiro grupo consiste de detectores trmicos onde a radiao detectada
atravs do calor produzido no dispositivo pela radiao e o segundo grupo onde existe a
interao entre os ftons incidentes e os eltrons do material que constitui o sensor. Este
segundo grupo ainda pode ser dividido em trs categorias: os fotoemissivos, os
fotocondutivos e os dispositivos de juno. Entre esses, os ltimos so os que tero
relevncia neste trabalho, e incluem clulas fotovoltaicas, fototransistores e fotodiodos.
Diversos dispositivos foram desenvolvidos recentemente usando o princpio de
funcionamento de um fotodiodo para detectar outros tipos de estmulo, como, por exemplo,
medidas espaciais de posio ou movimento. Detectores ticos capazes de detectar algum
12
tipo de caracterstica espacial existem para diferentes aplicaes e so chamados na
literatura de detectores sensveis a posio, PSDs (sigla em ingls para Position Sensitive
Detector).
1.4 Sensores ticos Sensveis posio
Essa classe de dispositivos abrange diferentes tipos de transdutores com uma
caracterstica em comum: realizam determinada medida espacial, seja ela de que natureza
for, com o uso de detectores fotossensveis. Esses dispositivos podem ser classificados em
dois grupos, o primeiro onde se utiliza apenas a caracterstica fotossensvel do fotodiodo,
com diferentes montagens do mesmo e um segundo grupo onde usado o efeito de
fototenso lateral para detectar posio.
Entre os dispositivos do primeiro grupo, os mais simples so o tipo que usa um
nico fotodiodo, que iluminado constantemente e qualquer objeto opaco, colocado entre a
fonte de luz e o fotossensor, detectado pela diminuio da rea onde a luz incide e
conseqentemente do sinal eltrico resultante dela.
Dois fotodiodos colocados lado a lado podem formar o dispositivo
conhecido como dupla clula, onde um feixe de luz incidente sobre ele absorvido
individualmente por cada um dos elementos e o deslocamento do feixe de luz sobre o
dispositivo detectado por incidir assimetricamente nas duas clulas. Semelhante a esse
dispositivo, porm bi-dimensional, conhecido como sensor de quadrante, onde quatro
fotodiodos so arranjados simetricamente ao redor do centro, a fim de determinar em que
quadrante se encontra ou se deslocou o feixe de luz incidente.
Dispositivos mais complexos com muitos elementos fotossensveis dispostos
em forma de uma rede ou malha podem ser construdos. Como exemplo, temos os
13
dispositivos de acoplamento de carga (CCD) e a malha CMOS, utilizados atualmente para
captao digital de imagens.
J o segundo grupo, o que utiliza o efeito de fototenso lateral, constitui-se de
dispositivos com apenas um elemento fotossensvel e so capazes de determinar a posio
do centro de um feixe de luz incidindo sobre a superfcie do sensor. Isso se d pela gerao
de uma tenso que varia espacialmente ao longo do sensor, como est explicado em mais
detalhes na seo 2.6.
1.5 Objetivo deste trabalho
Utilizando a infra-estrutura e a tecnologia disponvel no laboratrio de
Microeletrnica da UFRGS, projetamos e desenvolvemos um sensor tico sensvel
posio que utiliza o efeito de fototenso lateral, construdo com tecnologia planar de
silcio. Foi feita a caracterizao eltrica e tica do sensor fabricado usando equipamentos
eltricos e ticos dos laboratrios de Microeletrnica e de ptica e Laser. Tambm foram
feitas simulaes do funcionamento do dispositivo no software PISCES-2ET e posterior
otimizao das caractersticas.
No captulo 2, apresentamos alguns aspectos bsicos dos princpios fsicos do
funcionamento de uma juno p-n, os fenmenos de transporte dos portadores de carga no
semicondutor, equaes bsicas que regem o funcionamento de dispositivos eletrnicos
construdos em silcio, estudo do efeito fotoeltrico e os princpios do efeito de fototenso
lateral.
No captulo 3 esto apresentados a tecnologia planar do silcio usada na fabricao
do fotodetector sensvel posio.
14
No captulo 4, so mostrados os resultados experimentais da caracterizao eltrica
e tica do sensor, simulaes dos processos de fabricao e do seu funcionamento e as
mudanas feitas na lista tecnolgica visando o melhoramento do fotodetector.
No captulo 5 esto apresentadas as concluses do trabalho.
15
2 Fsica da juno p-n
2.1 Portadores de carga
2.1.1 Bandas de energia
A estrutura de bandas de um slido cristalino obtida resolvendo a equao de
Schrdinger para um eltron, usando o teorema de Bloch para a periodicidade da energia
potencial [2-4]. O resultado que os nveis de energia dos eltrons so agrupados em
bandas e isto representa uma das mais importantes aplicaes da mecnica quntica. As
bandas so separadas por intervalos de energia onde os eltrons no podem permanecer por
falta de nveis disponveis. Esses intervalos de energia so chamados bandas proibidas
(figura 2.1).
Uma das bandas proibidas fica situada entre a banda de valncia (a banda completa
de maior energia), onde ficam os eltrons de valncia e a banda de conduo (parcialmente
preenchida). O fenmeno de conduo (adio de momentum aos eltrons) s possvel
Figura 2.1: Representao esquemtica das bandas de energia para eltrons em um semicondutor
ilustrando as bandas de energia e a banda proibida.
16
para eltrons na banda de conduo. temperatura 0K, para um semicondutor intrnseco,
todos os eltrons esto na banda de valncia. Se energia dada ao sistema, eltrons podem
ser promovidos banda de conduo, deixando na banda de valncia um dficit de eltrons.
Esse dficit chamado lacuna. Um eltron, na banda de valncia, vizinho a essa ligao
no completa pode se mover para ela, constituindo uma conduo na banda de valncia que
pode ser interpretada como o movimento da lacuna na direo oposta direo do
movimento do eltron. Assim, os fenmenos de transporte podem ser estudados levando
em conta dois tipos de portadores, eltrons e lacunas.
2.1.2 Eltrons e lacunas
Em semicondutores intrnsecos, eltrons de conduo e lacunas se originam apenas
pela quebra das ligaes eletrnicas. Assim, a concentrao de eltrons na banda de
conduo (n), igual a concentrao de lacunas na banda de valncia (p). Essas grandezas
so chamadas de concentraes intrnsecas de portadores
i
n do semicondutor, tal que
Para um semicondutor intrnseco, o nmero de nveis ocupados na banda de
conduo dada por
onde
C
E a energia no fundo da banda de conduo e
top
E a energia no topo da banda. A
densidade de estados N(E), pode ser aproximada pela densidade prxima ao fundo da banda
de conduo (
C
N ) e F(E) a funo de distribuio de Fermi-Dirac, dada por
i
n p n = =
2.1
( ) ( )
top
C
E
E
n N E F E dE =

2.2
1
( )
1 exp
F
F E
E E
kT
=

+


2.3
17
onde k a constante de Boltzmann, T a temperatura absoluta e
F
E a energia de Fermi.
Resolvendo a equao (2.2), para semicondutores no degenerados, ou seja, para
energias de Fermi menores do que alguns kT, obtemos
Similarmente, podemos obter a densidade de lacunas na banda de valncia
onde
V
N a densidade dos estados no topo da banda de valncia, e
V
E a energia do topo
dessa banda.
A energia de Fermi, para um semicondutor intrnseco pode ser obtida da equao
(2.1) igualando as equaes (2.4) e (2.5):
2.1.3 Semicondutor extrnseco

Em semicondutores dopados com impurezas aceitadoras ou doadoras, nveis de
energia dessas impurezas so introduzidos na banda proibida. Essa dopagem ocorre quando
tomos com nmero de eltrons de valncia diferentes do silcio so introduzidos em stios
da rede. Se a impureza tem mais de 4 eltrons a serem compartilhados, pelo menos um
eltron fica em excesso nas ligaes covalentes com os tomos de silcio vizinhos e esse
dopante dito ser doador. Os eltrons excedentes ficam fracamente ligados impureza, e
recebendo uma pequena energia, podem ser elevados banda de conduo. O mesmo
exp
C F
C
E E
n N
kT

=


2.4
exp
F V
V
E E
p N
kT

=


2.5
ln
2 2
C V V
F i
C
E E N kT
E E
N
+
= = +


2.6
18
raciocnio pode ser usado quando a impureza tem menos de 4 eltrons na banda de
valncia. As ligaes no completas se comportam como lacunas e com uma pequena
energia caem para a banda de valncia. Um esquema bsico dessas ligaes, juntamente
com os respectivos diagramas de energia pode ser visto na figura 2.2.
As energias de ionizao de vrias impurezas no silcio so mostradas na figura 2.3.
Os principais dopantes aceitadores so boro e alumnio e doadores so fsforo e arsnio. As
energias de ionizao desses dopantes so pequenas e com temperatura ambiente, o cristal
Figura 2.2: Representao esquemtica das ligaes qumicas na rede do silcio e das bandas de energia
para um semicondutor extrnseco.
Figura 2.3: Banda proibida do silcio mostrando as energias de ionizao para vrias impurezas. Os
valores indicam a energia mnima, em eV, necessria para ionizar o nvel. Os nveis abaixo do centro da
banda proibida so medidos em relao ao topo da banda de valncia e so nveis aceitadores a menos que
indicados por D, os quais so doadores. Os nveis acima do centro da banda proibida so medidos do
fundo da banda de valncia e so impurezas doadoras menos os indicados por A que so aceitadores
3,4
.
19
de silcio produz suficiente energia vibracional (fnons) para ionizar completamente esses
nveis [5-6].
O nvel de Fermi, como visto na equao 2.6 est situado perto do centro da banda
proibida para semicondutores intrnsecos. A figura 2.4a ilustra essa situao, mostrando
esquematicamente da esquerda pra direita, o diagrama de bandas simplificado, a densidade
de estados N(E), a funo de distribuio de Fermi-Dirac e a concentrao de portadores de
carga. Com a introduo de impurezas, o nvel de Fermi deve se ajustar. As situaes para
tipo-p e tipo-n so mostradas nas figuras 2.4b e 2.4c respectivamente.
Quando impurezas so adicionadas ao cristal, por exemplo, doadores com
concentrao
D
N (cm
-3
) e aceitadores com concentrao
A
N (cm
-3
), para preservar a
neutralidade eltrica, o nmero total de cargas negativas (eltrons e aceitadores ionizados)
deve ser igual ao nmero de cargas positivas (lacunas e doadores ionizados), nesse caso
onde
D
N
+
o nmero de doadores ionizados, dado por [7]
e
A
N

o nmero de aceitadores ionizados,dado por

Para um semicondutor em equilbrio, sempre vlida a relao conhecida como lei
da ao das massas, dada por
1 4exp
A
A
A F
N
N
E E
kT

=

+


2.9
A D
n N N p
+
+ = + 2.7
1
1
1
1 exp
2
D D
D F
N N
E E
kT
+


=


+



2.8
20
que pode ser verificada em todos os trs casos mostrados na figura 2.4.
Para calcular o nvel de Fermi no caso de um semicondutor tipo-n, considerado o
sistema estando numa temperatura onde todas as impurezas esto ionizadas. Usando a
equao (2.7) e (2.10), encontramos a concentrao de eltrons em um semicondutor tipo-n,
em equilbrio:
2
i
np n = 2.10
Figura 2.4: Desenho esquemtico do diagrama de bandas, densidade de estados, distribuio de Fermi-
Dirac e concentrao de portadores para (a) semicondutor intrnseco, (b) semicondutor tipo-n e (c)
semicondutor tipo-p, todos em equilbrio trmico.
21
que
D
N se
D A i
N N n e
D A
N N . A concentrao de lacunas dada por
Similarmente, para tipo-p, a concentrao de lacunas dada por
que
A
N se
2
A D i
N N n e
A D
N N . E a concentrao de eltrons
Nas equaes acima, os ndices n e p referem-se ao tipo de semicondutor, e o ndice
0 refere-se condio de equilbrio trmico. Para semicondutores tipo-n, eltrons so
referidos como portadores majoritrios e lacunas so chamados portadores minoritrios e
para semicondutores tipo-p, lacunas so majoritrios e eltrons so minoritrios.
2.2 Fenmenos de transporte
2.2.1 Velocidade de deriva
Na ausncia de campo eltrico aplicado ao semicondutor os portadores de carga
realizam um movimento trmico aleatrio, sem nenhum deslocamento lquido sobre
perodos suficientemente longos. Se um campo eltrico aplicado, uma componente
adicional na velocidade dos portadores se superpe ao movimento trmico. Essa
componente adicional da velocidade, chamada velocidade de deriva, ter direo oposta ao
0
2 2
1
( ) ( ) 4
2
n D A D A i
n N N N N n

= + +

2.11
0
0
2 2
i i
n
n D
n n
p
n N
= 2.12
0
2 2
1
( ) ( ) 4
2
p A D A D i
p N N N N n

= + +

2.13
0
0
2 2
i i
p
p A
n n
n
p N
= 2.14
22
campo para eltrons e o contrrio para lacunas. O campo eltrico impe uma acelerao a
nos portadores que dada pela segunda lei de Newton
onde o campo eltrico aplicado,
*
m a massa efetiva e q a carga do eltron. A massa
efetiva a quantidade que toma o lugar da massa do eltron, levando em conta efeitos da
rede cristalina sobre a inrcia dos portadores. Se o tempo mdio entre colises
col
t , ento
a velocidade de deriva mdia dos eltrons ser
onde , a constante de proporcionalidade entre
d
v e o campo eltrico, definida como a
mobilidade do portador em
2
cm V s .
2.2.2 Mobilidade

O intervalo entre os espalhamentos dos portadores determinado pelos vrios
mecanismos pelos quais os portadores perdem sua velocidade. A probabilidade de coliso
tomada em unidades temporais, 1
col
t , e a soma das probabilidades de colises dos
diferentes mecanismos, isto ,
onde
( ) col i
t e
( ) col r
t , representam mecanismos de espalhamento pelas impurezas e pelas
vibraes da rede, respectivamente. Esses so os dois principais espalhadores para os
portadores [8-9]. Em termos da mobilidade, podemos escrever
*
q
a
m

= 2.15
*
2
d col
q
v t
m

= = 2.16
( ) ( )
1 1 1
col col i col r
t t t
= + 2.17
23
onde
i
a mobilidade assumindo apenas a interao com as impurezas ionizadas e
r
a
mobilidade assumindo apenas a interao com fnons da rede .
Tendo em vista a dependncia da mobilidade com o espalhamento devido s
colises entre os portadores e as impurezas no cristal, a dependncia com a concentrao de
dopantes fica explcita. Quanto maior a concentrao de dopantes menor ser a mobilidade
dos portadores, como pode ser visto na figura 2.5.
As colises devido ao espalhamento por fnons da rede implicam numa
dependncia da mobilidade com a temperatura. Com o aumento da temperatura, h um
acrscimo na energia vibracional da rede e a conseqente diminuio da mobilidade. Em
baixas temperaturas, o mecanismo dominante o de espalhamento por impurezas, que
tende a diminuir a mobilidade quando a temperatura diminui. Exemplo de um resultado
1
1 1
.
i r

= +


2.18
Figura 2.5: O efeito da concentrao total de impurezas na mobilidade dos portadores em silcio a
temperatura ambiente. Tambm mostrados esto os valores correspondentes da difusividade.
24
experimental da influncia da temperatura na mobilidade dos portadores est mostrado na
figura 2.6 [10].
2.2.3 Resistividade
Consideremos um semicondutor homogeneamente dopado tipo-n, onde uma
diferena de potencial aplicada entre dois pontos. Esse potencial causa uma curvatura nas
bandas de energia como na figura 2.7. Como resultado dessa curvatura, os eltrons da
banda de conduo so acelerados para a regio de maior potencial, caracterizando uma
corrente eltrica nessa direo.
Figura 2.6: Efeito da temperatura na mobilidade dos portadores no silcio para duas diferentes
concentraes totais de portadores (C
T
).
25
A resistividade definida como a constante de proporcionalidade entre o campo
eltrico e a densidade de corrente J :
Seu valor recproco a condutividade, 1 = , e
Para semicondutores com ambos eltrons e lacunas como portadores, obtemos:
Apesar de as mobilidades diminurem com o aumento das concentraes de
portadores, os produtos
n
n e
p
p aumentam. Dessa forma, tambm a resistividade
decresce com o aumento da concentrao de dopantes. Um exemplo da dependncia da
J = 2.19
J = 2.20
1 1
( )
n p
q n p

= =
+
2.21
Figura 2.7: Ilustrao do processo de conduo em um semicondutor tipo-n.
26
resistividade para dois materiais, tipo-n e tipo-p, como funo da concentrao de dopantes
est mostrado na figura 2.8.
2.2.4 Difuso
As discusses precedentes levavam em conta o caso de concentrao uniforme de
portadores e o movimento dos eltrons se dava pela influncia de um campo eltrico
aplicado. Se a concentrao de portadores no uniforme, eltrons difundem sob a
influncia do gradiente de concentrao. Esse movimento leva a uma contribuio para o
fluxo de eltrons do tipo
n n
J qD n =

2.22
Figura 2.8: Curvas de Irwin. Resistividade em funo da concentrao de impurezas para silcio a 300K.
27
onde
n
J

a densidade de corrente devido difuso dos eltrons, n o gradiente de

concentrao dos eltrons e
n
D o coeficiente de difuso dos eltrons, que se relaciona
com a mobilidade pela relao de Einstein:
A difusividade de eltrons a temperatura ambiente pode ser obtida da figura 2.5,
onde o eixo do lado direito rotulado em termos do coeficiente de difuso.
2.3 Equaes bsicas na operao de dispositivos
semicondutores
2.3.1 Densidade de corrente
Sob condies de gradiente de concentrao de portadores e campo eltrico
aplicado, as densidades de corrente para eltrons e lacunas so dadas por [11]
As densidades de corrente so compostas por dois termos, um termo referente
componente de deriva causado pelo campo eltrico e outro referente difuso dos
portadores devido ao gradiente de concentrao. A corrente de conduo
cond
J em um
dispositivo a soma das contribuies de eltrons e lacunas, dada por
n n n
J q n qD n = +

2.24
p p p
J q p qD p =

2.25
n n
kT
D
q
= 2.23
cond n p
J J J = +

2.26
28
Para o caso unidimensional e semicondutor no degenerado, as equaes de
densidade de corrente se reduzem a
Estas equaes so vlidas para campos relativamente fracos. Quando um campo
eltrico suficientemente forte aplicado, os portadores podem atingir uma velocidade de
deriva de saturao
s
v e esta velocidade deve substituir o termo nas equaes acima.
2.3.2 Equaes de continuidade
Levando em conta a lei de conservao de cargas eltricas, chegamos s equaes
de continuidade de carga. A variao de portadores se d pela gerao ou recombinao de
portadores ou pelo movimento desses pra dentro ou fora da regio considerada. A variao
da concentrao de eltrons e lacunas no tempo em uma determinada regio do espao
dada por
onde
n
G e
p
G so as taxas de gerao de eltrons e lacunas, respectivamente,
n
U e
p
U so
as taxas de recombinao para eltrons no semicondutor tipo-p e lacunas no semicondutor
tipo-n, respectivamente. A gerao de portadores pode ser causada por excitao tica com
ftons de alta energia como ser visto em detalhes na seo 2.5 ou por ionizao de
1
n n n
n
G U J
t q

= +

2.29
1
p p p
p
G U J
t q

2.30
n n n n
n kT n
J q n qD q n
x q x


= + = +



2.27
p p p p
p kT p
J q p qD q p
x q x


= =



2.28
29
impacto de outros portadores quando sujeitos a campos eltricos fortes. Quando a
quantidade de portadores minoritrios em excesso (relativo a condio de equilbrio)
muito menor do que a concentrao de portadores majoritrios, a taxa de recombinao de
eltrons no semicondutor tipo-p
n
U pode ser aproximada por
( )
0
p p n
n n . Da mesma
forma
p
U pode ser aproximado por
( )
0
n n p
p p .
n
e
p
representam o tempo de vida
dos portadores minoritrios. Nessas condies, para o caso unidimensional, as equaes
2.29 e 2.30 se reduzem a:

2.3.3 Injeo
A criao ou incluso de portadores no semicondutor constitui uma injeo. Nessa
situao de excesso de portadores, a condio
2
i
np n = violada. O semicondutor fica fora
do equilbrio e depois de cessados os mecanismos responsveis pela injeo, tende a
retornar situao de equilbrio. Injeo fraca ou de baixo nvel chamado o processo onde
o excesso de portadores majoritrios desprezvel frente ao nmero de portadores
majoritrios em equilbrio. Caso contrrio, a injeo dita forte. O mecanismo de injeo
relevante a este trabalho dado pela gerao de portadores fotoexcitados e ser explicado
em detalhes na seo 2.5.
0
2
2
n n
n n n
p n p p p
p
p p
p p p
G p D
t x x x

= +

2.32
0
2
2
p p p p p
n p n n n
n
n n n n n
G n D
t x x x

= + + +

2.31
30
A fim de analisar o decaimento de portadores fotoexcitados, considere uma amostra
tipo-n uniformemente iluminada e com taxa de gerao constante em qualquer
profundidade. A variao de portadores minoritrios no tempo dada por
onde
L
G e
T
G representam as taxas de gerao de portadores fotoexcitados e trmicos
respectivamente e R a taxa total de recombinao. Podemos tratar o problema em funo
de uma recombinao lquida de portadores
T
U R G . Assumindo a relao mais
simples, em que U proporcional ao excesso de portadores [12], a equao 2.33 fica
Quando o nmero de portadores fotoexcitados igual ao nmero de portadores
recombinados, temos a condio de equilbrio dinmico, onde 0
n
dp dt = e
Se em um tempo arbitrrio, digamos t=0, a iluminao subitamente desligada, a
gerao de portadores fotoexcitados cessa. Usando a condio ( )
0
0
n n p
p p G = + e
( )
0
n n
p t p = , a equao diferencial fica
e a soluo
n
L T
dp
G G R
dt
= + 2.33
0
n n
n
L
p
p p
dp
G
dt

= 2.34
0
n n p L
p p G = + 2.35
0
n n
n
p
p p
dp
dt

=
2.36
0
( ) .
p
t
n n p L
p t p G e

= + 2.37
31
A figura 2.9 mostra um desenho esquemtico da situao apresentada acima e a
variao de
n
p no tempo.
Figura 2.9: Decaimento de portadores fotoexcitados. (a) amostra tipo-n sob iluminao constante. (b)
Decaimento de portadores minoritrios (lacunas) com o tempo. (c) Diagrama esquemtico da
configurao experimental para medida do tempo de vida de portadores minoritrios
32
2.4 Juno p-n
At aqui foram tratados semicondutores homogneos tipo-p ou tipo-n, entretanto a
maioria dos dispositivos faz uso de regies de ambos os tipos no mesmo substrato. A
juno entre as duas regies faz o semicondutor ter propriedades eltricas muito
importantes e teis para o funcionamento de dispositivos eletrnicos.
2.4.1 Regio de carga espacial
Tambm chamada de zona de depleo, esta regio formada quando
semicondutores tipo-p e tipo-n se encontram. Essa regio se estende dos dois lados da
juno e para investigar a sua formao, vamos considerar um semicondutor tipo-p
fortemente dopado, que encostado a outro semicondutor tipo-n como na figura 2.10.
Como existe uma grande diferena de concentrao entre eltrons e lacunas de um
lado para o outro, existe uma difuso de portadores majoritrios de um lado para o outro
como na figura 2.11 e posterior recombinao. Para cada eltron que deixa a regio tipo-n
pela difuso, um doador positivamente ionizado fica no compensado e para cada lacuna
que deixa o semicondutor tipo-p, existe um aceitador negativamente ionizado no
compensado.
Figura 2.10: Esquema de um diodo de juno e seu smbolo.
33
Os ons no compensados situam-se prximo juno formando um campo eltrico
que serve de barreira difuso dos portadores. Como resultado, uma regio neutra tipo-p e
uma regio neutra tipo-n so separadas por essa regio de ons no compensados, a zona de
depleo. O campo eltrico formado fora lacunas da regio tipo-n a se moverem para a
regio tipo-p e eltrons da regio tipo-p para a tipo-n. A difuso de portadores ainda
continua, mas quando o campo eltrico formado suficiente para que a corrente de
portadores no sentido contrrio se iguale a corrente devido difuso, o sistema atinge a
situao de equilbrio. O potencial para que isso ocorra chamado de tenso built-in. Pela
existncia desse potencial, as bandas de energia sofrem uma curvatura. A figura 2.12
mostra essa situao de equilbrio e o potencial formado. A figura 2.13 mostra a
conseqente curvatura das bandas de energia.
Figura 2.11: (a) Densidade de portadores e dopantes antes do contato entre o semicondutor tipo-p e o
semicondutor tipo-n. (b) Densidade de portadores aps o contato mostrando a difuso de portadores.
34
2.4.2 Espessura da regio de carga espacial
Uma vez em equilbrio trmico, o campo eltrico nas regies neutras, longe da zona
de depleo, deve ser zero. A carga total negativa na regio de carga espacial tipo-p deve
ser igual carga total na regio de carga espacial tipo-n:
A p D n
N x N x = 2.38
Figura 2.12: Regio de carga espacial, direo do campo eltrico e tenso built-in em equilbrio trmico.
35
onde
A
N e
D
N so as concentraes de aceitadores e doadores nas regies tipo-p e tipo-n
respectivamente.
p
x e
n
x so as distncias das zonas neutras at a juno nas regies tipo-p
e tipo-n respectivamente. A figura 2.14 mostra a distribuio de carga espacial, campo
eltrico, potencial e bandas de energia para o caso de uma juno abrupta como a descrita
na seo 2.4.1.
O potencial devido s cargas eltricas na zona de depleo dado pela equao de
Poisson:
onde o potencial escalar e a densidade de cargas. Uma vez que a dopagem
uniforme, temos um campo eltrico mximo
m
em x=0 que dado por
Figura 2.13: Curvatura das bandas de energia.
2
2
Si
x

2.39
36

Integrando o campo eltrico, obtemos novamente o valor da tenso built-in:
Figura 2.14: Juno abrupta em equilbrio trmico. (a) distribuio de carga espacial. As linhas
pontilhadas indicam o fim da distribuio de portadores majoritrios. (b) Distribuio de campo eltrico.
(c) Variao do potencial com a distncia onde V
bi
a tenso build-in. (d) Diagrama das bandas de
energia
m D n A p
si si
q q
N x N x

= = 2.40
37
onde W a espessura da regio de carga espacial
( )
n p
x x + . Substituindo 2.40 em 2.41,
obtemos
e isolando e substituindo
n
x da equao 2.38, obtemos
lembrando que ( )
p n
W x x = + , obtemos a relao para a espessura da zona de depleo:
Podemos notar a dependncia da espessura da zona de depleo com a concentrao
de portadores. Para uma concentrao muito maior em uma regio em relao a outra, por
exemplo
A D
N N , a equao 2.44 se reduz a
onde podemos notar explicitamente a dependncia inversa com a concentrao.
Semicondutores fracamente dopados tero regies de carga espacial mais extensas que
semicondutores fortemente dopados.
2 ( )
si A D
bi
A D
N N
W V
q N N
+
=


2.44
( )
2
A p
bi p n
si
qN x
V x x

= + 2.42
1
2
2
( )
si bi D
p
A A D
V N
x
qN N N

=

+

2.43
2
si bi
D
V
W
q N

= 2.45
1
2 2 2
m p
m n
bi m
x
x
V W

= + = 2.41
38

2.4.3 Nvel de Fermi na juno p-n
A fora em um eltron exercida pelo campo eltrico q . A fora o negativo do
gradiente do potencial. Do ponto de vista das bandas de energia, o campo eltrico
proporcional curvatura das bandas de energia, dado em uma dimenso por
onde
i
E representa o nvel intrnseco ou o meio da banda proibida cuja curvatura idntica
s curvaturas do topo da banda de valncia e do fundo da banda de conduo. Uma vez que
a densidade de corrente, por exemplo, de lacunas (dada pela equao 2.28) igual a zero
(em equilbrio), onde
e
substituindo 2.46, 2.47 e 2.48 em 2.25 e usando 0
p
J = , obtemos
A equao 2.49 pode ser simplificada tal que
exp exp
i i F i F i F
i i
dE E E E E dE dE
n n
dx kT kT dx dx

=


2.49
1
i
dE
q dx
= 2.46
exp
i F
i
E E
p n
kT

=


2.47
exp
i i F i F
n E E dE dE dp
dx kT kT dx dx

=


2.48
0
F
dE
dx
=
2.50
39
Esse resultado indica que o nvel de Fermi constante quando nos movemos da
regio tipo-p para a regio tipo-n. Em concluso, em equilbrio, o nvel de Fermi deve ser
constante ao longo do semicondutor, como pode ser visto na figura 2.14d.
2.5 Efeito Fotoeltrico
2.5.1 Absoro de radiao em silcio

Basicamente, a operao de um dispositivo fotossensvel depende da absoro da
radiao incidente associada gerao de portadores livres no interior do dispositivo [13].
O processo mais importante que ocorre na maioria dos dispositivos semicondutores
fotossensveis o da absoro de energia pelos eltrons de valncia do semicondutor
1
,
processo conhecido como efeito fotoeltrico. Se os ftons incidentes so suficientemente
energticos, sua absoro proporcionar a transio de eltrons da banda de valncia para a
banda de conduo como ilustrado na figura 2.15.

1
Ambroziak, A. Semiconductor Photoelectric Devices, ed. O.H. Hughes, London, 1968.
Figura 2.15: Diagrama de bandas de energia de uma juno p-n em circuito aberto e com luz incidente. O
nvel de Fermi no est definido na regio de carga espacial, pois o semicondutor est fora do equilbrio.
40
Essas transies deixam lacunas na banda de valncia, gerando pares eltron-lacuna
livres. Para excitar um eltron da banda de valncia para a banda de conduo, a energia
mnima necessria igual diferena de energia entre essas bandas. A energia da banda
proibida determina, para cada semicondutor, o comprimento de onda limite (mximo)
l

dos ftons incidentes para que a transio ocorra. O comprimento de onda limite pode ser
calculado pela seguinte expresso:
onde h a constante de Planck, c a velocidade da luz no vcuo e
g
E a energia da banda
proibida do semicondutor.
Substituindo a equao 2.51 por seus valores numricos, obtemos:
Para o silcio a 300K, 1,12
g
E eV . De acordo com 2.52, o comprimento de onda
limite para a absoro intrnseca no silcio a esta temperatura ( ) 1,1
l
Si m = .
Existem outros processos de absoro da radiao incidente. Para comprimentos de
onda maiores do que
l
, no h energia suficiente a ser transferida para que eltrons se
elevem da banda de valncia para a banda de conduo. Esses outros processos de absoro
se do principalmente por portadores livres na banda de conduo ou por impurezas e
defeitos na rede cristalina, que causam o aparecimento de nveis de energia dentro da banda
proibida.
l
g
hc
E
= 2.51
1, 24
( )
( )
l
g
m
E eV
= 2.52
41
Um fluxo de ftons incidentes diminui medida que penetra no interior do
semicondutor, independente do processo de absoro envolvido. Esse fluxo cai
exponencialmente como mostrado na figura 2.16, e determinado por:
onde
0
F o fluxo de ftons transmitidos ao semicondutor, na superfcie, ( , ) F x o fluxo
de ftons no interior do semicondutor a uma distncia x da superfcie para um determinado
comprimento de onda e ( ) o coeficiente de absoro do semicondutor.
O coeficiente de absoro definido como o inverso da distncia necessria para
que o fluxo diminua a
1
0
F e

. Uma dependncia do comprimento de onda incidente

verificada pela existncia de diferentes estados disponveis para ftons incidentes com
diferentes energias. A relao entre a profundidade atingida pelos ftons incidentes e o seu
comprimento de onda mostrada na figura 2.17. A profundidade atingida aquela para o
qual o nmero de ftons cai a 1 e do seu valor na superfcie para cada comprimento de
onda, ou seja, 1 x = .
( )
0
( , )
x
F x F e

=
2.53
Figura 2.16: Atenuao do fluxo de ftons em um semicondutor homogneo.
42
2.5.2 Efeito fotoeltrico numa juno p-n
A absoro de ftons em um material onde existe uma juno p-n pode levar a um
fluxo adicional de portadores atravs da zona de depleo. O semicondutor sai do equilbrio
e a mudana na concentrao de portadores nas regies neutras prximas a juno, resulta
em uma variao do potencial da regio de depleo. Esse processo conhecido como
efeito fotovoltaico.
Todos os portadores gerados na zona de depleo so separados pelo campo eltrico
e inseridos como majoritrios nas regies anteriormente neutras. Portadores minoritrios
gerados nas regies prximas a regio de carga espacial, podem difundir e alcanar a regio
de campo eltrico antes de se recombinar e tambm so captados. Assim, definimos trs
regies onde pares eltron-lacuna podem ser separados e contribuir para a corrente na
juno como mostra a figura 2.18.
Figura 2.17: Profundidade de penetrao da luz em silcio a 300K para vrios comprimentos de onda.
43
Na regio 1, tipo-p prxima a superfcie, os eltrons criados a uma distncia x da
superfcie tero uma frao proporcional a
( )
exp
p n
d x x L



que difundem para a
juno [14]. O nmero total de portadores minoritrios alcanando a borda da zona de
depleo na regio tipo-p dado por
onde d a profundidade da juno metalrgica e
n
L o comprimento de difuso para
eltrons minoritrios, dado por
n n n
L D = .
Figura 2.18: Desenho esquemtico da juno p-n iluminada, dividida em trs regies. (1) regio tipo-p,
(2) regio de carga espacial e (3) regio tipo-n.
0
0
( ) exp( ( ) ) exp
p
d x
p
I
n
d x x
N F x dx
L

2.54
44
Na regio 3, tipo-n, As lacunas criadas uma distncia x da superfcie tero uma
frao proporcional a ( ) exp
n p
x d x L

que difundir at a borda da zona de
depleo. O nmero total de lacunas alcanando a zona de depleo dado por
onde
p
L o comprimento de difuso para lacunas em um semicondutor tipo-n, dado por
p p p
L D = .
Na regio 2, a zona de depleo, todos os portadores gerados so separados e o
nmero de portadores dado por
O nmero total de portadores que cruzam a zona de depleo dado por
I II III
N N N N = + + , ou seja,
O excesso de portadores majoritrios em ambos os lados da juno implica numa
reduo da barreira, o que tem o mesmo efeito de uma polarizao direta do diodo. Com a
reduo da barreira aumenta a corrente direta devido difuso desses portadores,
mencionada na seo 2.4.1. Assumindo que os eltrons injetados na regio tipo-n, se
[ ]
0
( ) exp ( ) exp
n
n
III
p d x
x d x
N F x dx
L

+


=

2.55
0
( ) exp[ ( ) ]
n
p
d x
II
d x
N F x dx
+

2.56
[ ]
0
( )
exp ( )( )
1
( )
n
p
F
N d x
L



= + +
+
0
( )
exp exp ( )( )
1
( )
p
p
n
n
d x
F
d x
L
L







+

[ ]
{ }
0
exp ( )( ) exp ( )( )
p n
F d x d x + +

2.57
45
espalham rapidamente pelo substrato, podemos calcular a variao do potencial entre as
regies tipo-p e tipo-n devido somente ao excesso de portadores majoritrios na regio tipo-
p prximos borda da zona de depleo. Em condies de estado estacionrio, a fototenso
bi
V V que representa a reduo no potencial da barreira, relacionada N e
corrente direta no diodo devido a essa reduo da barreira e dada por
onde
T
J a densidade de corrente atravs do diodo e
S
J a densidade de corrente de
saturao [15].
2.5.3 Camada anti-refletora
Uma forma de aumentar a eficincia de dispositivos fotossensveis maximizar o
nmero de ftons que atravessam a superfcie do semicondutor. Para isso, procura-se
diminuir a reflexo da onda incidente, ou seja, dos ftons incidentes pela colocao de uma
camada anti-refletora. Essa camada pode ser construda de maneira muito simples e eficaz
com SiO
2
. O dixido de silcio transparente luz visvel, portanto pode ser colocado na
superfcie de um dispositivo fotodetector sem que essa camada absorva ftons.
Consideremos um substrato de silcio de ndice de refrao
si
n coberto por uma
camada de xido de ndice de refrao
ox
n e de espessura
ox
t sob a incidncia de ftons de
comprimento de onda , como mostra a figura 2.19.
ln 1
T
S
J qN kT
q J

= +


2.58
46

Na situao acima, os ftons podem ser refletidos em qualquer uma das duas
interfaces (ar-SiO
2
e SiO
2
-Si), sendo que
2
ar SiO Si
n n n < < . As refletividades associadas s
ondas
1
R e
2
R nas interfaces 1 e 2 so dadas pelas expresses
2
:
Se a camada de xido tiver espessura adequada, as ondas refletidas na segunda interface
estaro em antifase com as ondas refletidas na primeira, dessa forma a reflexo ser
substancialmente reduzida devido interferncia destrutiva entre as duas ondas. Em
conseqncia, por conservao de energia, mais ftons atingem o silcio. A espessura da
camada para que isso ocorra deve ser:
Para 0 m = obtemos:

2
HOVEL, H.J. Semiconductors and semimetals, vol. 11, Academic Press, 1975.
Figura 2.19: Silcio coberto com xido de silcio sob a incidncia de luz. Essas ondas so refletidas na
interface 1 (ar-SiO
2
) ou na interface 2 (SiO
2
-Si).
2.59
0
1
0
ox
ox
n n
R
n n

=
+
2
ox Si
ox Si
n n
R
n n

=
+
2.60
2.61
1
2
2
ox
ox
t m
n

= +


4
ox
ox
t
n

=
2.62
47
Para uma otimizao da camada anti-refletora, deve-se levar em conta no projeto, a
eficincia e a profundidade de absoro dos ftons no silcio em funo do comprimento de
onda e tambm a profundidade da juno no dispositivo, bem como a espessura da regio
de carga espacial. Analisando esses parmetros, estima-se um valor timo para a espessura
do xido onde o nmero de ftons que atravessa a superfcie do silcio seja o maior
possvel. A figura 2.20 mostra a resposta espectral de um fotodiodo de silcio [16].
2.6 Fototenso Lateral
2.6.1 Iluminao no uniforme
Quando a injeo no uniforme, como no caso de iluminao da superfcie do
semicondutor, um gradiente de concentrao dos portadores gerados verificado e ocorre a
difuso desses portadores para dentro do semicondutor. Se a regio da superfcie que recebe
a luz restringida, portadores difundem lateralmente invadindo regies no iluminadas.
Figura 2.20: Resposta espectral de um fotodiodo (Amperes/Watt) sem tenso aplicada.
48
Se um pulso de luz localizado gera excesso de portadores no semicondutor, como na
figura 2.21a, a equao de transporte aps o pulso dada pela equao 2.32, com 0 G = e
0 d dx = :
Se nenhum campo eltrico aplicado ao longo do semicondutor ( ) 0 = , a soluo
de 2.63 dada por
onde N o nmero de pares eltron-lacunas gerados por unidade de rea. A figura 2.21b
mostra essa soluo para diferentes tempos onde podemos ver a difuso dos portadores.
2.6.2 Iluminao no uniforme numa juno p-n

Em uma juno p-n iluminada no uniformemente, a fototenso gerada ir variar
com a posio, resultando em uma fototenso adicional paralela ao plano da juno. Esse
fenmeno pode ser usado para construir uma fotoclula sensvel a posio [17], como o
sensor apresentado neste trabalho.
Se luz focalizada sobre um ponto na superfcie de um dispositivo fotossensvel, os
portadores separados pela juno que ficaro em excesso se movero para as regies no
iluminadas por difuso e tambm por deriva devido a diferena de potencial resultante da
diminuio da barreira na regio iluminada. Esses portadores em excesso nas regies no
0
2
2
.
n n
n n n
p p
p
p p
p p p
D
t x x

= +

2.63
0
2
( , ) exp
4 4
n n
p p p
N x t
p x t p
D t D t

= +



2.64
49
iluminadas tambm resultaro na diminuio da barreira, resultando na variao do
potencial radialmente ao feixe de luz. Essa variao da tenso pode tambm ser interpretada
como resultante de uma corrente lateral de portadores em um material resistivo atravs da
lei de Ohm:
Figura 2.21: Transiente da difuso de portadores minoritrios. (a) arranjo experimental, (b) sem tenso
aplicada na amostra, (c) com tenso aplicada.
50
onde ( )
L
J r

a densidade de corrente lateral e
p
a resistividade do material tipo-p. Em
condio de estado estacionrio, as duas correntes existentes na regio tipo-p se relacionam
por
onde
p
d a espessura da regio neutra tipo-p. A equao 2.66 mostra que a variao da
corrente lateral ao longo de r

devida aos portadores que atravessam a zona de depleo

(
T
J

). A densidade de corrente transversal nas regies que no esto sendo iluminadas

dada por
Calculando o divergente de 2.65 e usando 2.66, obtemos a equao diferencial para a
fototenso lateral:
ou usando 2.67:
( ) ( )
p L
r J r =


2.65
( )
T
L
p
J
div J
d
=

2.66
( ) 1
q
kT
T S
J r J e

2.67
2
( )
( )
p T
p
J r
r
d

2.68
2
1
q
p S
kT
p
J
e
d

=


2.69
51
3 Fabricao dos dispositivos
3.1 Tecnologia planar do silcio usada na fabricao do PSD
Nesta seo, apresentamos uma introduo aos aspectos bsicos relacionados ao
processamento do silcio e que so comuns construo de circuitos integrados e de outros
dispositivos como o sensor desenvolvido ao longo desse trabalho. Processos como
litografia, implantao inica, oxidao e deposio de metal sero abordados de forma
mais detalhada, mas tambm sero mostrados aspectos referentes limpeza das amostras,
ataques qumicos e rotinas usuais. Um enfoque maior ser dado aos processos e materiais
que foram usados na fabricao do sensor. Para dispositivos com muito alta escala de
integrao, os processos apresentados aqui recebem certo refinamento ou so substitudos
por outros mais apropriados.
3.1.1 Limpeza das amostras
Antes da maioria dos processos, necessrio realizar uma limpeza nas lminas de
silcio para eliminar partculas, tomos e molculas contaminantes depositados na sua
superfcie. Esses contaminantes podem penetrar na superfcie do silcio em etapas trmicas
prejudicando as caractersticas eltricas da lmina ou prejudicando a adeso de fotorresina e
camadas depositadas.
Existem diferentes tipos de contaminantes e diferentes processos de limpeza so
necessrios para eliminar cada tipo. Assim, um conjunto de etapas necessrio para limpar
completamente a superfcie. A tcnica mais usada de limpeza da superfcie do silcio
consiste em um conjunto procedimentos de limpezas conhecido como RCA [18-19]. Essa
52
tcnica elimina os principais e mais perigosos contaminantes usando limpeza qumica
mida. Est dividida nas seguintes etapas:
A. Limpeza preliminar: Se fotorresina est presente na superfcie da amostra, deve ser
removida em uma soluo inorgnica apropriada. A mistura mais comum usada
composta por 4 partes de cido sulfrico (98%H
2
SO
4
) e 1 parte de 30%H
2
O
2
. As
lminas so imersas nessa mistura a 100-130C por cerca de 10 minutos e depois
enxaguadas com gua deionizada por alguns minutos para remover a mistura.
B. Remoo de resduos orgnicos, metais dos grupos I e II e partculas slidas: Uma
mistura de H
2
O : H
2
O
2
: NH
4
OH (4:1:1 em volume) preparada e aquecida 80C.
As lminas so mergulhadas por 10 minutos nessa soluo e depois enxaguadas em
gua deionizada. Nessa etapa, um xido fino nativo cresce na superfcie do Si, caso
no haja anteriormente um xido trmico.
C. Remoo do xido nativo: Esse um passo opcional, s usado quando existe o
xido formado na etapa B. Os substratos so submersos por 15s em uma mistura
diluda (1:10) de HF (49%) e H
2
O. Depois, enxaguadas por um curto tempo (20-
30s) para diminuir o recrescimento do xido.
D. Remoo de metais pesados: Uma mistura de H
2
O : HCl : H
2
O
2
(4:1:1 em volume)
preparada e aquecida 80C onde so mergulhadas as lminas por 10 minutos e
depois lavadas com gua deionizada.
Aps a limpeza, as lminas devem ser secas com N
2
e levadas ao prximo processo
o mais rpido possvel. Armazenamento das amostras limpas deve ser evitado, mas caso
necessrio deve-se coloc-las em uma caixa de vidro fechada em ambiente de nitrognio.
Diversos produtos qumicos so usados durante a fabricao de dispositivos e um
controle de pureza desses produtos essencial para evitar contaminaes por transferncia
53
das impurezas desses produtos para a superfcie das amostras. Produtos especiais so
fornecidos indstria de microeletrnica, rotulados de ultra-puros, o que significa ter
concentraes de impurezas da ordem de partes por bilho (ppb). O cuidado com a gua
tambm essencial, sendo necessrio o uso de gua deionizada, que possui muito baixos
nveis de ons e de materiais orgnicos, inorgnicos, partculas e gases dissolvidos. Essa
gua deve ter resistividade em torno de 18Mohm-cm, que muito prximo da resistividade
terica da gua pura 25C (18,3Mohm-cm).
3.1.2 Oxidao trmica do silcio

Quando exposto ao oxignio, a superfcie do silcio oxida formando dixido de
silcio (SiO
2
). O filme formado um material isolante de alta qualidade eltrica e
quimicamente estvel. Neste trabalho, o xido foi usado como material de barreira
implantao de dopantes e como camada anti-refletora. O processo usado para crescer a
camada de SiO
2
no sensor conhecido como oxidao trmica do silcio, e gera xido de
alta qualidade com bom controle de espessura e composio qumica.
A oxidao trmica do silcio obtida aquecendo a lmina a altas temperaturas
(tipicamente entre 900C e 1200C [20]) em uma atmosfera contendo ou oxignio puro
(oxidao seca), vapor de gua (oxidao mida) ou ambos. Nessas temperaturas, o
oxignio se move facilmente atravs da j formada camada de SiO
2
e ao chegar interface
Si/SiO
2
, faz ligao qumica com os tomos de silcio presentes, formando o dixido de
silcio. medida que o oxignio reage na interface, a camada dieltrica aumenta e parte do
substrato de silcio consumido. A camada final de xido fica aproximadamente 56%
acima da superfcie original e 44% abaixo, como mostrado na figura 3.1.
54
As reaes qumicas que ocorrem na formao do xido so as seguintes:
2 2
Si O SiO +
para oxignio seco e
2 2 2
2 2 Si H O SiO H + +
para vapor de gua.
Diversos parmetros do processo influenciam a taxa de crescimento do xido. A
temperatura do processo o principal fator determinante para a taxa de crescimento, pois
dela dependem fortemente os coeficientes de difuso do oxignio e do vapor de gua no
SiO
2
. Os coeficientes de difuso no so iguais para os dois casos e, portanto, a taxa de
crescimento depende tambm da espcie oxidante utilizada. O coeficiente de difuso do
vapor de gua maior, resultando em uma maior taxa de crescimento em ambiente mido.
Em contrapartida, o crescimento em ambiente seco resulta em melhor qualidade eltrica do
material formado. A presso parcial das espcies oxidantes tambm um fator
determinante, onde em maiores presses, a oxidao mais rpida. Um outro fator que
contribui para a taxa de crescimento do xido a orientao cristalina do substrato de
silcio. Entre os dois tipos de substratos mais usados, o (111) oxida mais rapidamente do
que (100) devido ao maior nmero de tomos de silcio disponveis na superfcie. Ainda em
Figura 3.1: xido de silcio formado na superfcie de um substrato do silcio. A oxidao consome silcio
da lmina em uma profundidade de aproximadamente 44% da espessura do xido.
substrato de silcio
0,44x
0
x
0
Superfcie original do
substrato
SiO
2
55
relao ao substrato, a presena de dopantes tambm altera a oxidao, seja pela espcie,
seja pela concentrao.
Um modelo para a oxidao trmica do silcio, muito preciso para xidos
relativamente espessos, foi desenvolvido por Deal e Grove [21]. Esse modelo assume que o
processo de oxidao ocorre como resultado de dois fluxos que seqencialmente
transportam as espcies dopantes da atmosfera at a interface, onde um terceiro fluxo
envolvido no consumo do oxidante por reao com o silcio. Em condies de estado
estacionrio, os trs fluxos devem ser iguais. No primeiro momento, o fator limitante do
processo o consumo do oxignio, resultando numa taxa de crescimento linear. Como o
oxignio tem que difundir atravs do xido at chegar interface (onde ocorre a reao), a
medida que o xido cresce o fator limitante do crescimento passa a ser a quantidade de
oxignio que chega interface SiO
2
-Si e o crescimento se d numa taxa parablica. O
resultado uma curva linear-parablica para a taxa de crescimento. Uma descrio mais
detalhada do modelo pode ser vista no artigo original de Deal e Grove.
3.1.3 Litografia
A fabricao de dispositivos microeletrnicos requer que quantidades de impurezas
precisamente controladas sejam introduzidas em determinadas regies do substrato de
silcio. Subseqentemente, essas regies devem ser interconectadas ou acessadas
eletricamente por equipamentos externos por meio de contatos metlicos. Os padres de
janelas que definem tais regies so transferidos superfcie da lmina de silcio por um
processo de litografia. O processo grava os padres de janelas em algum filme previamente
depositado na superfcie do silcio e esse filme serve de barreira implantao de dopantes
no substrato ou contra a corroso de outros materiais abaixo dele. Durante a construo de
56
um dispositivo pode haver diversas etapas de litografia. Na grande maioria dos dispositivos
microeletrnicos e circuitos integrados, os padres de janelas so colocados em mscaras e
depois transferidos para um filme pr-depositado de resina fotossensvel na superfcie da
lmina de silcio. Luz ultravioleta incide sobre a resina nas regies definidas pelos padres
de janelas da mscara. Esse processo conhecido como fotolitografia. Em alguns casos, a
prpria resina pode ser usada como camada de barreira.
3.1.3.1 O processo de fotolitografia
O processo de fotolitografia engloba todos os passos envolvidos na transferncia
dos padres de janelas para o substrato, desde a limpeza de pr-deposio da fotorresina at
a sua remoo aps os padres terem sido transferidos e as lminas processadas. Um
ambiente muito limpo deve ser mantido durante esse processo. Partculas presentes na
superfcie da lmina podem resultar em defeitos na fotolitografia e prejudicar o
funcionamento do dispositivo a ser construdo. O processo deve ocorrer no interior de uma
sala limpa, iniciando com a limpeza da amostra e formao da camada de barreira, quando
necessrio. Alguns processos exclusivamente relacionados fotolitografia sero mostrados
a seguir.
3.1.3.2 Aplicao de fotorresina
Depois da formao da camada de barreira, a superfcie da amostra coberta com a
fotorresina. A superfcie deve ser seca e limpa para garantir a adeso. A resina geralmente
depositada na forma lquida sobre a lmina de silcio fixa por vcuo numa base rotatria.
Essa base gira entre 1000 e 5000 RPM e espalha uniformemente a fotorresina sobre a
57
lmina. A velocidade de rotao determina a espessura do filme de resina, tipicamente entre
0.5 e 2.5m.
Um processo trmico antecede a exposio. A amostra colocada em uma chapa
quente a uma temperatura entre 80 e 90C por 10-30 minutos. Essa etapa chamada soft
baking e serve para aumentar a adeso da resina e causar o seu endurecimento pela
evaporao do solvente. Aps o soft baking, a lmina com fotorresina est pronta para o
alinhamento e exposio.
3.1.3.3 Alinhamento e exposio
Uma placa de vidro contendo os padres de janelas feitos com deposio de cromo
o tipo mais comum de mscara usada para a fotolitografia. Em todo o processo de
fabricao de um dispositivo, diversas etapas de litografia so necessrias e para isso vrias
mscaras so usadas. Cada mscara deve ser cuidadosamente alinhada com o substrato para
os padres recarem nas posies determinadas no projeto. Para um perfeito alinhamento,
cada mscara deixa impresso na superfcie da amostra uma marca qual a seguinte deve
se alinhar. Um exemplo de marca de alinhamento pode ser visto na figura 3.2. O ajuste da
posio entre a mscara e a lmina feito com um equipamento chamado alinhador. Esse
equipamento pode mover a mscara ou a lmina e possui microscpios para verificar a
concordncia das marcas. Ajustado o alinhamento, feita a exposio.
58
A exposio consiste em iluminar a lmina, passando atravs da mscara, com luz
ultravioleta. Nesse processo, apenas nas janelas (regies da mscara sem cromo) a luz
atravessa a mscara, atingindo a fotorresina. O tempo de exposio, que depende da resina
usada, da sua espessura e da potncia da lmpada, sensibiliza as regies atingidas. Essa
sensibilizao se d por uma alterao qumica nas molculas da resina, como o exemplo
mostrado na figura 3.3. Essa alterao faz com que a regio sensibilizada, dependendo se a
fotorresina positiva ou negativa, fique imune ou suscetvel corroso por um determinado
produto, chamado revelador.
Figura 3.2: Exemplo de uma marca de alinhamento usando uma caixa e uma cruz. Os padres so superpostos
com a ajuda de uma alinhadora.
Figura 3.3: Um exemplo da sensibilizao da fotorresina. No canto superior esquerdo, mostrada uma
molcula que constitui a base de uma fotorresina. Aps ser iluminada pela luz ultravioleta, um radical N
2
da molcula se desprende e um rearranjo atmico na molcula se sucede. Com a presena de H
2
O, a base
fica solvel ao revelador.
59
Sucedendo a exposio, a fotorresina sensibilizada removida (se positiva) com o
revelador, enquanto as regies no expostas da resina permanecem na lmina. Com a
remoo da resina sensibilizada, a camada de barreira sob ela fica exposta e pode ser
removida com um ataque qumico seletivo, enquanto a resina restante protege as outras
regies.
Antes da revelao, outro processo trmico deve ser feito, aquecendo as lminas de
20-30 minutos a temperaturas entre 120 e 180C, dependendo da fotorresina usada. Essa
etapa, chamada de hard baking ou post-exposure bake, melhora a adeso e deixa a
fotorresina mais resistente corroso pelos agentes que removero a camada de barreira. A
remoo da camada de barreira feita geralmente por ataque qumico mido. A fotorresina
restante (no sensibilizada) removida com acetona e lcool, concluindo o processo de
fotolitografia. Um esquema de todo o processo mostrado na figura 3.4.
3.1.4 Implantao Inica
A dopagem do silcio um dos processos mais importantes na tecnologia planar. A
incluso de tomos dopantes em diferentes regies do substrato permite a construo de
componentes ativos ou passivos no substrato. Diversas formas de adicionar impurezas
rede cristalina foram desenvolvidas, entretanto, a implantao inica atualmente predomina
na construo de quase todas as estruturas dopadas em tecnologia planar. Implantao
inica o processo em que ons (de tomos ou molculas) carregados so acelerados contra
o substrato e a superfcie da amostra bombardeada por esses ons energticos. Os ons
atravessam a superfcie e sofrem colises com as partculas presentes na amostra, ncleos e
eltrons. Essas colises retiram energia dos ons at que estes fiquem em repouso em
relao rede cristalina.
60

Figura 3.4: Os diferentes passos do processo do fotolitografia em corte na regio pontilhada marcada na
mscara. (a) Substrato coberto com uma camada de barreira, neste exemplo SiO
2
; (b) fotorresina positiva
aplicada superfcie da amostra; (c) mscara em proximidade com a superfcie da amostra coberta com
resina, sendo exposta luz ultraviloeta; (d) revelao da fotorresina; (e) corroso do dixido de silcio; (f)
remoo da fotorresina no exposta. (g) Vista do substrato aps a fotoligrafia, com os padres transferidos da
mscara camada de SiO
2
.
61
3.1.4.1 Distribuio dos dopantes
A distribuio de dopantes pela implantao inica pode ser prevista com bastante
preciso, pois os principais mecanismos de perda de energia dos ons nas colises so bem
entendidos. A interao com as partculas da amostra um processo estatstico, e no pode
ser garantida a posio final exata de cada on. Define-se ento, um alcance projetado R
P
,
como sendo a profundidade mdia final das impurezas. Esse alcance uma funo da
energia dos ons, de sua massa e nmero atmico e da massa e nmero atmico dos tomos
do alvo. O perfil de dopantes implantados pode ser aproximado por uma distribuio
gaussiana centrada em R
P
, como a mostrada na figura 3.5, assumindo o alvo como sendo
um material amorfo. Essa distribuio descrita matematicamente por:
onde ( ) N x a concentrao de portadores em funo da profundidade x, partir da
superfcie e
p
R o alcance projetado. A concentrao de pico
p
N ocorre a
p
x R = . O
espalhamento da distribuio caracterizado pelo desvio padro
p
R .
A rea sobre a distribuio de impurezas a dose de implantao, definida por:
onde Q a dose total. Essa dose controlada pela integrao da corrente eltrica de
neutralizao dos ons pelo tempo, dada por
3.1
2
2
( )
( ) exp
2
P
P
P
x R
N x N
R

=

0
( ) Q N x dx

3.2
0
Idt
Q
nqA

3.3
62
onde I a corrente do feixe, em ampres, A rea da amostra, q a carga do eltron.
Para ons simplesmente ionizados 1 n = e 2 n = para espcies duplamente ionizadas.
Implantaes a baixas energias ou doses fracas podem ser de difcil controle na
maioria dos implantadores. Quando uma dopagem muito fraca ou muito rasa necessria,
um artifcio comumente usado a implantao de ons, com energia e dose maior, em uma
amostra contendo uma camada de barreira na superfcie, como na figura 3.6. Nessa
estrutura, a distribuio dos dopantes fica parte na camada de barreira e parte no substrato
de silcio, simulando a dopagem em baixa energia e fraca dose.
Figura 3.5: Distribuio Gaussiana dos dopantes resultante da implantao inica
63
3.1.4.2 Recozimento e ativao de dopantes
Um dos poucos pontos negativos do uso de implantao inica so os defeitos
causados na estrutura cristalina do material. Durante as colises com tomos do substrato,
os ons energticos podem deslocar esses tomos de suas posies na rede, danificando a
regio implantada do cristal. Esses danos devem ser restaurados para o bom funcionamento
dos dispositivos fabricados. Alm disso, as espcies dopantes devem ser eletricamente
ativadas, ou seja, devem ser colocadas substitucionalmente em stios da rede do silcio. Para
isso, um processo trmico, chamado recozimento, deve suceder uma implantao inica.
Figura 3.6: Perfil de impurezas implantadas com o pico da distribuio no xido, a camada de barreira
neste exemplo. A concentrao na superfcie do silcio, N(X
0
), muito menor que N
P
, simulando uma
implantao com dose menor.
64
Na etapa de recozimento, o cristal recuperado e ao mesmo tempo os dopantes so
ativados.
No recozimento, a lmina de silcio aquecida a temperaturas entre 800 e 1000C
por aproximadamente 30 minutos. Nessas temperaturas, os tomos de silcio podem se
mover de volta para stios na rede e os tomos impuros podem entrar substitucionalmente
em um stio no lugar do silcio. Nesse processo, aproximadamente toda a dose implantada
torna-se eletricamente ativa (para os tomos usualmente usados como dopantes), a no ser
para doses extremamente altas excedendo 1x10
19
/cm
3
.
Em altas temperaturas como as usadas no recozimento, os coeficientes de difuso
dos dopantes so relativamente altos e se o sistema permanecer a tais temperaturas por
tempos suficientemente longos, as impurezas penetram em regies do substrato mais
fundas. Quando a penetrao indesejada, esse problema pode ser solucionado
modificando o processo descrito anteriormente, diminuindo a temperatura de recozimento
para valores to baixos quanto 600C. Um tempo muito maior at a recristalizao do
material requerido e os dopantes tambm so ativados. Outra maneira de diminuir essa
difuso baixar drasticamente o tempo de recozimento, usando temperaturas mais
elevadas. Esse processo conhecido como recozimento trmico rpido e tem durao de
poucos segundos.
3.1.5 Metalizao
Metalizao necessria para interconectar eletricamente diferentes regies do
dispositivo e para fazer contatos eltricos que permitem o acesso externo por outros
dispositivos. Para tais conexes, so requeridos materiais de baixa resistividade para
diminuir a perda de potncia e o aquecimento. Diversos materiais podem ser usados com
65
essa finalidade e diferentes formas de coloc-los nas regies desejadas tambm foram
desenvolvidas. Metais so naturalmente apropriados e usados, mas outros materiais como
silcio policristalino tambm podem ser empregados.
Um dos metais mais usados para contatos eltricos em dispositivos construdos em
silcio o alumnio. Suas vantagens incluem baixa resistividade (
Al
= 2,7 -cm), baixo
preo, boa aderncia ao silcio e a sua fcil manipulao. O alumnio pode ser facilmente
depositado e corrodo [22-24].
3.1.5.1 Deposio do alumnio
Existem diferentes maneiras de depositar alumnio em substratos de silcio. tomos
desse material devem ser liberados de alguma fonte e direcionados contra a superfcie da
lmina. Evaporao e sputtering (desbastamento) so os mtodos mais utilizados.
A evaporao consiste em aquecer o alumnio at o seu ponto de ebulio. As
lminas de silcio so posicionadas acima da fonte de alumnio. Todo o sistema deve estar
em alto vcuo, para no haver contaminao do filme metlico nem colises no caminho
dos tomos. Os tomos do metal evaporado vo de encontro superfcie da amostra, onde
um filme desse material formado. Existem diferentes maneiras de evaporar o alumnio:
evaporao por filamento, evaporao por feixe de eltrons e evaporao flash.
Desbastamento consiste em bombardear um alvo com ons energticos, tipicamente
argnio, liberando os tomos atingidos desse slido. Os tomos de alumino retirados do
alvo so ento depositados no silcio.
Formado o filme, processos de fotolitografia e corroso retiram o metal das regies
no desejadas e no metal remanescente, uma etapa trmica deve ser feita. As amostras so
colocadas em um forno com temperatura entre 450 e 500C e atmosfera inerte. Nesse
66
processo, o contato entre alumnio e silcio melhorado e as conexes so densificadas,
garantindo a baixa resistividade.
3.1.5.2 Formao de contatos hmicos
A juno alumnio-silcio merece um cuidado adicional no que diz respeito a sua
caracterstica eltrica. Desejamos obter um bom contato hmico entre esses materiais e
prevenir a formao de barreira Schottky, que forma um contato retificador como o
mostrado na figura 3.7(b). Um bom contato hmico exibe uma relao entre corrente e
tenso perfeitamente linear como a da figura 3.7(a). Para evitar a formao de barreira
Shottky, necessrio ajustar o nvel de Fermi do silcio nas regies logo abaixo do metal. O
controle da dopagem usado para ajustar esse nvel. Para silcio tipo-p tendo uma
concentrao de 10
16
/cm
3
ou mais, o alumnio forma bom contato hmico, entretanto para
tipo-n, necessria uma dopagem muito mais forte, n
+
, entre o alumnio e qualquer regio
fracamente dopada.
Existe uma pequena resistncia associada ao contato hmico. Em uma primeira
aproximao, a resistncia do contato, R
C
, inversamente proporcional rea do contato,
dada por
Figura 3.7: Caracterstica I-V dos contatos. (a) Contato hmico ideal; (b) contato retificador; (c) contato
hmico no-linear.
67
onde
C
, a resistividade especfica do metal em Ohm-cm
2
e A a rea do contato.
3.1.6 Ataques qumicos
Corroses, tambm chamadas de ataques qumicos, so usadas em tecnologia planar
para remover camadas isolantes, metlicas e a fotorresina usada na litografia. Essas
corroses so usadas para definir camadas de barreira em locais especficos definidos pelas
mscaras, para definir camadas metlicas de interconexes, rebaixamento do xido e para a
remoo de filmes, como a fotorresina aps a litografia e xido nativo.
Para cada material, temos um agente corrosivo correspondente. Esse agente deve ser
seletivo, no sentido de no corroer outros materiais seno aquele a que se prope, e tambm
deve ser limpo, para no contaminar a amostra com impurezas. A tabela 3.1 apresenta os
materiais e os agentes corrosivos correspondentes usados nesse trabalho:

Material Agente corrosivo
SiO
2
HF
Al H
3
PO
4
Fotorresina sensibilizada Revelador
Fotorresina no sensibilizada Acetona

Tabela 3.1: Os materiais e seus respectivos agentes corrosivos.
(3.4)
C
C
R
A

=
68
3.2 Fabricao do dispositivo
3.2.1 Projeto.
Na fase de projeto do fotodetector, foram definidas as caractersticas de
funcionamento, a lista tecnolgica e o desenho das mscaras fotolitogrficas necessrias. O
sensor foi projetado para determinar com preciso o centro de um feixe de luz incidente em
sua superfcie, utilizando o fotoefeito lateral. O material usado como substrato foi silcio
cristalino (100) tipo-n (=10-25cm) e a rea total projetada para o sensor foi de 1cm
2
e
geometria quadrada. Para toda a fabricao so necessrias apenas duas mscaras, que so
desenhadas a fim de obter sensores de quatro tamanhos diferentes em cada lmina (figura
3.8). As mscaras foram feitas com emulso em fotolito e coladas em suportes de vidro.
Figura 3.8: Mscaras usadas na fotolitografia.
1cm
69
3.2.2 Processos
O processamento do silcio comea pela preparao e limpeza das amostras usando
RCA (seo 3.1.1). A seguir um processo conhecido como zona desnuda remove oxignio
das regies prximas superfcie do silcio.
A lista tecnolgica especfica do sensor comea com a oxidao da superfcie.
Dixido de silcio crescido termicamente e usado como camada de barreira para a
implantao de dopantes e camada anti-refletora. Um xido com espessura de
aproximadamente 4000 inicialmente crescido (figura 3.9). Abaixo o regime de
oxidao:
Aquecimento do forno 900C em ambiente de N
2
;
Carregamento das amostras, 900C, atmosfera de O
2
ss (super seco);
Aumento da temperatura de 900C a 1200C em O
2
ss e TCA (0,2%);
180 minutos a 1200C, O
2
SS e TCA (0,2%);
Reduo da temperatura de 1200 para 1000C em O
2
ss;
Reduo da temperatura de 1000 para 900C em ambiente de argnio;
Descarregamento das amostras.
O primeiro processo fotolitogrfico, utilizando a mscara I, define as regies do
silcio que sero expostas implantao de dopantes, ao mesmo tempo definindo a camada
Figura 3.9: Silcio com a superfcie oxidada. A espessura do xido de aproximadamente 4000
70
de barreira para as outras regies. O resultado mostrado na figura 3.10 e os detalhes do
processo so descritos abaixo:
Deposio da fotorresina;
Espalhamento na base giratria, 4000RPM por 45 segundos;
Soft Baking: 5-10 minutos 80C;
Exposio luz ultravioleta, 40 segundos;
Hard Baking: 10 minutos 110C;
Revelao da fotorresina, 50 segundos;
Corroso qumica do SiO
2
com HF, 4-5 minutos;
Remoo da fotorresina com acetona e lcool.
Com o silcio exposto nas regies desejadas, duas implantaes de ons de Boro se
sucedem. A primeira com uma dose maior e energia menor, dopa a regio exposta
fortemente enquanto nas regies com xido pr-existente os dopantes no atingem o silcio,
conforme simulao no software SUPREM-4GS. A segunda implantao, que dopa a
regio ativa, se d com uma energia maior do que a primeira, suficiente para os tomos
atravessarem a camada de barreira e com dose menor para uma dopagem fraca. A formao
das regies tipo-p conseqente das implantaes so mostradas na figura 3.11 e o regime
do processo descrito abaixo:
Figura 3.10: Corroso qumica do xido. As janelas so abertas para implantao inica e formao de
contatos.
71
Primeira implantao: BF
2

, 200 keV, 1x10

15
cm
-2
;
Segunda implantao: B, 150 keV, 1x10
13
cm
-2
;
Recozimento: 1050C em Ar por 10 minutos, O
2
ss por 120 minutos e 20
minutos em Ar.
A seguir, um rebaixamento do xido necessrio para o uso como camada anti-
refletora. O xido corrodo quimicamente at sua espessura se reduzir aproximadamente
1500 (figura 3.12). Este processo de corroso qumica feito em banho trmico e as
propores dos compostos na mistura so rigorosamente controladas a fim de obter uma
taxa de corroso controlada.

A energia efetiva com que os tomos de boro so implantados a frao em peso da molcula de BF
2
, ou
seja, em torno de 40 keV.
Figura 3.11: Duas implantaes sucessivas de Boro determinam as regies tipo-p do sensor.
Figura 3.12: Rebaixamento do xido 1500.
72
A etapa seguinte a deposio do metal (Al) por evaporao. Em uma cmara de
vcuo, alumnio aquecido at evaporar e se deposita sobre toda a superfcie da amostra
(fig. 3.13).
O segundo processo fotolitogrfico define as regies da superfcie onde o alumnio
deve ser removido e as regies onde sero os contatos metlicos do sensor. O processo
idntico primeira fotolitografia com exceo da corroso do material. O alumnio
removido com cido ortofosfrico (H
3
PO
4
) e o xido abaixo dele no atacado. O
resultado, mostrado na figura 3.14, a viso em corte do sensor em seu estado final.

Figura 3.13: Alumnio depositado na superfcie do sensor
Figura 3.14: Viso em corte do sensor pronto.
73
4 Caracterizao Experimental, Simulaes e Otimizao
4.1 Caracterizao experimental
As principais medidas realizadas para a caracterizao do sensor podem ser
compreendidas em dois regimes distintos. O primeiro no qual um feixe de luz com
intensidade constante e de forma contnua incide sobre o sensor, chamado regime esttico e
o outro onde um feixe de laser pulsado usado como fonte de luz. As medidas no primeiro
regime foram realizadas no laboratrio de microeletrnica enquanto as medidas no segundo
regime foram feitas no laboratrio de ptica e laser. Diversos outros equipamentos tambm
foram usados para auxiliar na caracterizao, como um medidor de espessura de filmes
dieltricos, equipamento gerador de curvas I-V, espectrmetro e luxmetro.
Sensores foram construdos em quatro tamanhos diferentes no que se refere
distncia entre dois eletrodos opostos, 4, 5, 6 e 7 mm. Como uma notao, ao se falar no
decorrer deste captulo em tamanho do sensor, estamos nos referindo distncia entre seus
eletrodos.
4.1.1 Medidas estticas
4.1.1.1 Sistema de medidas
Um aparato contendo lmpada, lente, fibra tica e base mvel X-Y foi montado
conforme o diagrama da figura 4.1. O sensor posicionado abaixo da mesa X-Y, que
capaz de fazer a varredura em duas dimenses com preciso de 5m. A luz gerada pela
lmpada acoplada pela lente na fibra tica, que a conduz at a superfcie do sensor onde
forma um feixe de luz de aproximadamente 1mm de dimetro e cuja intensidade luminosa
74
pode variar de 0 a 2
2
mW cm . A fibra presa base mvel e o feixe de luz pode varrer
toda a superfcie do sensor. O sinal eltrico obtido com um voltmetro conectado a dois
eletrodos paralelos para cada dimenso.
4.1.1.2 Funo de transferncia
A principal curva representativa do funcionamento de um sensor a sua chamada
funo de transferncia. Essa funo relaciona o sinal eltrico obtido do sensor com o
estmulo ao qual ele foi projetado para ser sensvel. No fotodetector de posicionamento
apresentado neste trabalho, a funo de transferncia a curva que relaciona o valor da
diferena de potencial entre dois eletrodos distintos e paralelos ente si e a posio espacial
sobre a superfcie em que o centro do feixe de luz incide. Essa curva medida no regime
esttico, com vedao entrada de luz do ambiente.
Uma funo de transferncia obtida para um sensor de tamanho 6mm mostrada na
figura 4.2a. A medida foi feita com um feixe de luz com intensidade de 0,1
2
mW cm e
varrido em apenas uma dimenso com passos de 0.24 milmetros. O sinal eltrico foi
medido diretamente dos eletrodos (sem o uso de circuitos de amplificao e
Figura 4.1: Diagrama do equipamento de medidas. A luz emitida pela lmpada direcionada para a fibra
tica por uma lente convergente. A fibra presa na base X-Y que pode mov-la em duas dimenses.
base
X-Y
V
sensor
fibra ptica
lente lmpada
75
condicionamento de sinal) usando voltmetro com preciso de centsimo de miliVolt
(0,01 mV ). Um ajuste linear da regio ativa mostrado na figura 4.2b.
-6 -4 -2 0 2 4 6
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3


T
e
n
s

o

(
m
V
)
Posio (mm)
a)
b)
Figura 4.2: a) Funo de transferncia do sensor. b) Ampliao da regio ativa do sensor e ajuste linear
da curva.
-0,20 -0,15 -0,10 -0,05 0,00 0,05 0,10 0,15
-2,5
-2,0
-1,5
-1,0
-0,5
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5


T
e
n
s

o

(
m
V
)
Posio (mm)
Pontos medidos
Ajuste linear
rea linear =3,8mm
sensibilidade =1,41mV/mm
resoluo =8m
76
Podemos verificar na curva acima uma boa linearidade da funo de transferncia
na regio central do dispositivo. O ajuste linear da curva nos mostra a sensibilidade do
sensor de 1,41 mV/mm com desvio mximo da reta de 0.01 mV, o que corresponde um
erro menor do que 0,5% na sensibilidade. A anlise indica uma resoluo espacial menor
do que 10m para esse sensor. O intervalo linear de aproximadamente 3,8mm que
constitui a regio de funcionamento do dispositivo. Quando o feixe de luz incide
parcialmente sobre um eletrodo, a luz refletida e ou absorvida pelo metal faz com que o
sinal diminua, resultado de uma efetiva reduo da intensidade luminosa. Dessa forma,
podemos considerar como zona ativa do sensor apenas as regies afastadas por no mnimo
metade do dimetro do feixe de luz dos eletrodos.
A figura 4.3 mostra uma comparao entre quatro sensores construdos no mesmo
lote e sob condies idnticas.
Figura 4.3: Funes de transferncia comparadas de sensores de diferentes tamanhos
-0,4 -0,3 -0,2 -0,1 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4
-3
-2
-1
0
1
2
3


T
e
n
s

o

(
m
V
)
Posio (mm)
7mm
6mm
5mm
4mm
77
A anlise das curvas da figura 4.3 mostra um comportamento bastante semelhante
entre as funes de transferncia dos sensores de tamanhos diferentes, entretanto podemos
perceber diferenas importantes que ajudaram a elucidar a compreenso do funcionamento
do dispositivo. Primeiramente, faamos uma comparao entre as sensibilidades,
linearidades das curvas e os mximos sinais alcanados nas regies ativas do sensor. Os
dados so mostrados na tabela 4.1.

Tamanho do sensor 4 mm 5 mm 6 mm 7 mm
Sensibilidade (mV/mm) 1,24 1,14 1,00 0,86
Preciso (m) 106 74 83 193
Mximo sinal (mV) 2,00 2,41 2,71 2,73
4.1.1.3 Sensibilidade
A partir dos dados da tabela acima, podemos verificar um aumento da sensibilidade
do sensor com a diminuio da distncia entre os eletrodos. Assumindo que para todos os
sensores, a gerao e distribuio dos portadores de carga so idnticas nas regies ativas
de todos os sensores, podemos justificar essa variao de sensibilidade pela posio
espacial dos eletrodos em relao distribuio do potencial gerado pelas cargas no estado
estacionrio. A figura 4.4 mostra uma curva com os valores de sensibilidade em funo do
tamanho do sensor, extrados das curvas da figura 4.3.
Tabela 4.1: Sensibilidade, mximo sinal e preciso dos sensores de diferentes tamanhos.
78
A curva indica um crescimento da sensibilidade para sensores menores. Se esse
crescimento monotnico ou se atinge um mximo, no podemos afirmar a partir da figura
4.4. Entretanto podemos ter uma idia do comportamento de sensores menores analisando o
potencial gerado pelas cargas injetadas. A figura 4.5 mostra um potencial simulado (a
metodologia do clculo ser explicada posteriormente; ver figura 4.18) em condies
parecidas com as medidas. Colocando artificialmente eletrodos sobre a curva (5mm de
distncia na figura de cima e 3mm de distncia na figura de baixo), podemos observar que a
sensibilidade est crescendo para sensores menores. O mximo da sensibilidade se dar
para sensores em que a distncia entre seus eletrodos coincide com a distncia entre os
pontos de maior derivada da curva de potencial. Os pontos de maior variao no potencial
esto prximos borda do feixe de luz, portanto vemos que a sensibilidade aumenta
inversamente proporcional ao tamanho dos sensores at que estes alcancem o tamanho do
feixe de luz.

Figura 4.4: Sensibilidade do sensor em funo da distncia entre os eletrodos.
4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
8,5
9,0
9,5
10,0
10,5
11,0
11,5
12,0
12,5


S
e
n
s
i
b
i
l
i
d
a
d
e

(
m
V
/
m
m
)
tamanho do sensor (mm)
79

Analisando os valores de diferena de potencial ente os eletrodos na figura 4.5,
vemos que o sensor de 3mm varia 93mV entre a situao 1 e 3 (que representa o
movimento dos eletrodos em 1mm) enquanto no sensor de 5mm essa variao de 39mV.
A derivada do potencial nos mostra como a sensibilidade aumenta para sensores menores.

-0,16
-0,14
-0,12
-0,10
-0,08
-0,06
-0,04
-0,02

5mm
5mm
Potencial
......... Derivada
T
e
n
s

o

(
V
)
5mm
eletrodos
V1 = 8mV
V2 = 24mV
V3 = 47mV
1
2
3
-0,10
-0,05
0,00
0,05
0,10



d
v
/
d
x
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
-0,16
-0,14
-0,12
-0,10
-0,08
-0,06
-0,04
-0,02
3mm
3mm
Potencial
......... Derivada
T
e
n
s

o

(
V
)
Posio (mm)
3mm
eletrodos V1 = 85mV
V2 =29mV
V3 =-8mV
1
2
3
-0,10
-0,05
0,00
0,05
0,10



d
v
/
d
x
Figura 4.5: Potencial gerado pelas cargas em excesso na situao esttica junto com sua derivada.
Eletrodos so artificialmente colocados em 3 diferentes posies em relao s curvas do potencial
simulando a medida em diferentes pontos. Na figura de cima, os eletrodos distam 5mm e na de baixo
3mm. A diferena de potencial entre os eletrodos tambm est mostrada na figura.
80
4.1.1.4 Mximo sinal
Apesar da diminuio da sensibilidade com o aumento da distncia entre os
eletrodos, o sinal mximo foi medido para sensores maiores. Isso determinado pela maior
amplitude de varredura nos sensores maiores, compensando a diferena no valor da
sensibilidade. A figura 4.6 mostra o mximo sinal medido para os sensores da figura 4.3 em
funo do tamanho do sensor.
A partir da figura acima, podemos sugerir que o mximo valor medido pode estar
saturando ou atingindo um valor mximo para sensores maiores do que 6mm. Para elucidar
essa questo, a figura 4.7 mostra um potencial simulado e os eletrodos so colocados de
forma artificial ao longo da curva. Um eletrodo de referncia colocado num ponto de
potencial mais alto (quando o feixe de luz incide na borda da regio ativa) e outros
eletrodos so colocados em distncias de 7, 8 e 9mm do primeiro eletrodo, simulando
sensores com tamanhos de 7, 8 e 9mm, respectivamente. Podemos ver que a diferena
Figura 4.6: Mximo sinal medido em funo do tamanho do sensor.
4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
1,9
2,0
2,1
2,2
2,3
2,4
2,5
2,6
2,7
2,8


T
e
n
s

o

m

x
i
m
a

(
m
V
)
Tamanho do sensor (mm)
81
mxima de potencial tende a saturar no valor correspondente a diferena de potencial entre
um eletrodo no potencial mais alto e outro posicionado no infinito.
4.1.1.5 Linearidade
Nas curvas da figura 4.3, foi feito uma analise da linearidade dos dispositivos,
baseada no desvio do ajuste linear das funes de transferncia. A figura 4.8 mostra o
mximo desvio dos pontos experimentais para os 4 sensores.
Com o desvio da linearidade e a sensibilidade de cada sensor, determinamos a
preciso espacial da medida. Definimos a preciso da medida como o produto entre o
mximo desvio dos pontos em relao ao ajuste linear e o valor da sensibilidade e obtemos
106, 74, 83 e 193m para os sensores de tamanhos 4,5,6 e 7mm, respectivamente.
Analisando esses valores da preciso dos sensores podemos notar que deve existir um
tamanho timo da distncia entre os contatos no qual o sensor mais preciso. A preciso
est diretamente relacionada com a linearidade da funo de transferncia do sensor.
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
-0,20
-0,18
-0,16
-0,14
-0,12
-0,10
-0,08
-0,06
-0,04
-0,02


P
o
t
e
n
c
i
a
l

(
V
)
Posio (mm)
Potencial
7mm
8mm
9mm
eletrodo de
referncia
Figura 4.7: Potencial simulado com eletrodos colocados artificialmente representando sensores de
tamanhos 7, 8 e 9 mm.
82
Quanto menos linear a curva, menos precisa a medida, se pretendemos calibrar o sensor
como tendo uma resposta direta entre tenso e posio do centro de luz. Pode-se
alternativamente ajustar uma funo de transferncia polinomial que percorra os pontos da
curva, mas na prtica torna o sensor menos vivel, pois isso requer um tratamento adicional
do sinal fazendo o dispositivo muito mais lento ou muito mais caro.
Diferentes regimes no processo de fabricao do sensor, implicam em diferentes
curvas de potencial para o estado estacionrio. Analisando a curva de potencial, junto com
suas derivadas, podemos determinar o tamanho apropriado do sensor para obter uma funo
de transferncia mais linear e, por conseqncia, uma melhor resoluo na medida. A maior
linearidade se d para sensores com tamanho apropriado para operar na regio de varredura
onde a variao do potencial mais linear, ou seja, nos intervalos em que a segunda
derivada do potencial mais se aproxima de uma constante. Dessa forma, para cada regime
de fabricao existe um tamanho especfico no qual o sensor mais preciso.
4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
80
100
120
140
160
180


D
e
s
v
i
o

d
o

a
j
u
s
t
e

l
i
n
e
a
r

(

V
)
Tamanho do sensor (mm)
Figura 4.8: Mximo desvio dos pontos medidos em relao ao ajuste linear das curvas da figura 4.3 em
funo do tamanho do sensor.
83
4.1.1.6 Intensidade da iluminao
Foi medida a resposta do sensor diferentes nveis de intensidade luminosa
incidente. Variando a tenso na alimentao da lmpada e monitorando a intensidade de luz
na sada da fibra tica com a ajuda de um luxmetro, realizamos diversas medidas com a
posio do feixe de luz fixa em algum ponto da regio ativa. No exemplo da figura 4.9, a
intensidade foi variada entre 3 e 300 W/cm
2
.
Podemos ver uma boa linearidade na curva que relaciona a tenso medida e a
intensidade da iluminao do dispositivo na figura 4.9. Esse dado importante, pois sugere
que o sensor pode ser usado com diferentes iluminaes sem perder suas caractersticas.
Assim, o sensor pode operar sem a necessidade de iluminao constante, usando uma das
dimenses para normalizao. Enquanto feita a medida da posio, usamos os outros dois
eletrodos, que devem estar paralelos ao eixo de varredura, para monitorar a intensidade da
luz. Como a varredura da luz paralela a esses eletrodos (e a tenso medida entre eles deve
Figura 4.9: Sinal medido em funo da intensidade da iluminao.
0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5


T
e
n
s

o

(
m
V
)
Intensidade (mW/cm
2
)
84
ser constante ao longo da regio ativa), qualquer variao na tenso medida devido
variao na intensidade da luz incidente. Assim, medindo a intensidade da luz incidente,
usando o eixo Y, podemos calcular a posio real, no eixo X, mesmo com a intensidade da
luz varivel.
4.1.1.7 Espectroscopia
A resposta do sensor a diferentes comprimentos de onda incidentes pode ser
verificada usando um equipamento monocromador acoplado a uma lmpada potente. O
comprimento de onda foi variado de 270 a 1100nm. A luz incidiu em um dos extremos da
regio ativa e o sinal de tenso do sensor foi medido para cada comprimento de onda. O
resultado, para um sensor sem a camada de xido na superfcie mostrado na figura 4.10 e
mostra uma curva tpica de resposta para detectores de silcio, como mostra a figura 2.20,
normalizada pelo mximo valor da tenso.

Figura 4.10: Resposta espectral do sensor
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2


T
e
n
s

o

/

T
e
n
s

o

m

x
i
m
a
Comprimento de onda (nm)
85
4.1.2 Medidas dinmicas
4.1.2.1 Sistema de medidas
As medidas dinmicas foram feitas usando laser pulsado. Com a ajuda de espelhos,
atenuadores e uma ris, projetamos um feixe de luz com dimetro de 1mm na amostra. Foi
utilizado um laser de estado slido Nd:YAG operando em regime pulsado a 20Hz, com
pulsos de 8ns de durao, emitindo no segundo harmnico ao comprimento de onda de
532nm. A energia por pulso do laser de at 350mJ. Para a medida foram usados
atenuadores reduzindo a densidade de potncia para um valor na ordem de 2000W/cm
2
. Um
osciloscpio rpido usado na extrao do sinal eltrico. O intervalo entre dois pulsos
suficiente para que o sistema retorne situao inicial aps cada pulso e a evoluo
temporal do sinal eltrico gerado medida.
4.1.2.2 Tempo de recuperao
Com o feixe de luz posicionado em um dos extremos da regio ativa do sensor
(prximo a um dos contatos), foi medido o potencial gerado pelas cargas em excesso. A
evoluo temporal do sinal mostrada na figura 4.11.
A injeo de portadores feita durante o tempo em que o laser est ligado, ou seja,
8ns. Entretanto, podemos ver na evoluo do sinal da figura 4.11 que a tenso medida
comea a crescer aps a incidncia da luz e continua a aumentar por algumas dezenas de
nanossegudos. Isso se deve ao atraso dos portadores, que como so gerados na regio logo
abaixo do feixe de luz, continuam a difundir aps a iluminao. O sinal eltrico s ser
medido no momento em que os portadores alcanam os contatos. A corrente
86
lquida de portadores que alcana os contatos tem um aumento at aproximadamente 100
ns. Como a densidade de portadores em excesso diminui com o tempo quando no h mais
injeo, a densidade de corrente entrando nos eletrodos (e por conseqncia o sinal do
sensor) comea a diminuir. Os portadores em excesso em toda a regio tipo-p do sensor
tendem a se recombinar e o sensor restabelece a sua condio de equilbrio anterior
injeo.
4.1.2.3 Intensidade
A resposta dinmica do sensor a diferentes intensidades da luz incidente foi
verificada usando o laser pulsado combinado com diferentes filtros atenuadores. A
intensidade foi variada em 3 ordens de grandeza e o resultado mostrado na figura 4.12.
Figura 4.11: Tempo de recuperao do sinal depois de cessada a iluminao.
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
-1
0
1
2
3
4
5
tempo de subida =85 ns
tempo de descida =980 ns


T
e
n
s

o

(
m
V
)
Tempo (s)
87

Na figura 4.12, podemos observar as dependncias do sinal mximo e do tempo de
recuperao com a intensidade da luz incidente. A tenso mxima e o tempo de
recuperao variam em torno de 5 vezes para uma variao da intensidade de luz de 1000
vezes. Esse fato pode ser explicado pela saturao do efeito fotoeltrico devido alta
potncia do pulso do laser. Com essa intensidade de iluminao, o nmero de ftons
incidentes no semicondutor maior do que a capacidade do semicondutor de absorv-los, o
que configura o regime de saturao do efeito fotoeltrico. O aumento da intensidade no
representa um aumento na mesma proporo nos portadores gerados e, por conseqncia, a
tenso mxima no acompanha o aumento da intensidade da fonte de luz.
O tempo de descida do sinal em funo da intensidade da luz incidente
apresentado na figura 4.13. Mesmo aplicando intensidades to altas quanto 2000W/cm
2
, o
tempo de descida fica inferior a 10 s , mostrando uma resposta muito rpida do sensor
mesmo com alto nvel de injeo.
Figura 4.12: Evoluo temporal do sinal do sensor para diferentes intensidades de luz incidente
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2


Log (I
0
/I)
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
T
e
n
s

o

(
m
V
)
Tempo [s]
88
O tempo de descida mostra uma saturao para potencias menores. Em nveis
suficientemente baixos de injeo, o tempo de vida dos portadores minoritrios
determinado principalmente pela densidade de centros de recombinao na amostra e o
tempo de descida deveria ser constante.
4.1.2.4 Posio da incidncia do laser
A evoluo temporal da tenso ao incidir o laser sobre diferentes regies do sensor
foi medida usando o laser pulsado nas mesmas condies das medidas dinmicas
anteriores. O resultado apresentado na figura 4.14.
Podemos perceber, a partir da figura 4.14, que o tempo de restabelecimento da
condio de equilbrio depende da posio em que a luz incide no dispositivo. O tempo de
subida do sinal menor quando o feixe de luz posicionado mais prximo a um contato
devido ao tempo necessrio aos portadores difundirem por um caminho menor nesse caso.
A amplitude do sinal medido tambm diminui para posies mais centrais do sensor,
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
0
2
4
6
8
10


T
e
m
p
o

d
e

r
e
c
u
p
e
r
a

o

(

s
)
Log I
0
/ I
Figura 4.13: Tempo de descida do sinal em funo da intensidade da luz incidente.
89
devido maior recombinao (incluindo os que atravessam a juno) de portadores antes
de alcanar o eletrodo. O sensor apresentado como exemplo na figura 4.14 tem distncia
entre os contatos de 5mm e as curvas afastadas de 3mm do centro, representam a luz
incidindo parcialmente sobre os eletrodos. Essa incidncia representa uma reduo efetiva
da intensidade da luz incidente e por isso o sinal medido no muito maior do que o sinal
das curvas para luz afastadas 2mm do centro como esperado. O tempo de decaimento do
sinal aumenta para posies centrais do dispositivo. O rpido espalhamento dos portadores
na regio p
+
e a coleta de portadores pelos eletrodos fazem o nmero de portadores cair
rapidamente quando estes so gerados prximos um dos contatos.
4.2 Simulaes
Foram feitas simulaes de alguns regimes no processo de fabricao e da
funcionalidade do sensor usando dois softwares disponveis. Os perfis dos dopantes aps as
implantaes inicas e difuses foram simulados para a otimizao do dispositivo. O sensor
0 1 2 3 4
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6


-3mm
-2mm
-1mm
~0
+1mm
+2mm
+3mm
T
e
n
s

o

(
m
V
)
Tempo (s)
Figura 4.14: Dependncia da posio da evoluo temporal do sinal.
90
em funcionamento tambm pde ser simulado, resultando na obteno das curvas e
parmetros similares aos extrados das medidas experimentais.
4.2.1 SUPREM-4GS [25]
O SUPREM-4GS um avanado simulador 2D de processos, originalmente
desenvolvido para estudar estruturas submicromtricas em semicondutores. Ele fornece
como resultado, sees transversais de qualquer estrutura ou dispositivo baseado em
modelos fsicos para implantao inica, difuso, oxidao e recozimento [26-27].
Tambm possui modelos bsicos para simular corroses qumicas e deposio de filmes na
superfcie do silcio.
Com o SUPREM-4GS, a distribuio de dopantes aps as implantaes inicas e a
sua reorganizao aps processos trmicos como oxidao, difuso e recozimento podem
ser simulados. Uma curva exemplificando o que o software pode calcular mostrado na
figura 4.15 onde o perfil de concentrao de Boro foi simulado para uma implantao em
silcio e o novo perfil aps o recozimento dos dopantes.
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22


L
o
g

d
a

C
o
n
c
e
n
t
r
a

o

d
e

d
o
p
a
n
t
e
s

(
c
m
-
3
)
Profundidade (um)
aps implantao
aps recozimento
Figura 4.15: Exemplo de simulao feito com o SUPREM-4GS. Um perfil de concentrao de Boro aps
implantao e aps o recozimento.
91
Para o sensor, pudemos simular as doses de implantao necessrias para que aps a
etapa de recozimento, obtenhamos em cada regio do silcio as concentraes de dopantes
projetadas. Esse software tambm foi importante na otimizao do dispositivo para o teste
de diferentes regimes de processos. Um arquivo de sada que serve de entrada para o
segundo software PISCES-2ET (clculo de distribuio de densidade dos portadores e
potencial) gerado com os perfis simulados.
A maneira como os dados dos regimes tecnolgicos so fornecidos ao simulador
via um arquivo de texto de entrada com as instrues reconhecidas pelo software.
Simulamos em uma dimenso os perfis das duas implantaes de Boro. Uma com dose de
1x10
13
cm
-2
e energia de 150KeV e outra com dose de 1x10
15
cm
-2
e energia de 40KeV. As
simulaes foram feitas em duas estruturas, uma no silcio exposto representando as regies
abaixo dos contatos e outra no silcio recoberto com um xido de 4000 representando a
regio central do dispositivo. A parte principal do arquivo usado mostrada a seguir.
mode one. di m
unset echo
l i ne x l oc = 0 spaci ng = 0. 1 t ag= t op
l i ne x l oc = 2. 0 spaci ng = 0. 1
l i ne x l oc = 3. 0 spaci ng = 0. 1 t ag=bot t om
r egi on si l i con xl o = t op xhi = bot t om
bound exposed xl o = t op xhi = t op
i ni t phos conc=5. 0e14
deposi t oxi de t hi ck=0. 4 di vi si ons=10 $par a si l ci o comxi do$
i mpl ant bor on dose=1e15 ener gy=50 pear son
i mpl ant bor on dose=1e13 ener gy=150 pear son
di f f use t i me=10 t emp=1050
di f f use t i me=120 t emp=1050 dr y
di f f use t i me =30 t emp=1050
92
Executando esse arquivo com o SUPREM-4GS, obtemos o perfil de concentrao
de Boro implantado no sensor aps a etapa de recozimento (figura 4.16).
A simulao mostra o perfil resultante das duas implantaes aps o recozimento na
regio ativa do sensor. A implantao de Boro com energia de 40keV, como se pode ver na
figura, no alcana o silcio. A segunda implantao forma uma regio tipo-p com uma
juno 0.9m de profundidade. A linha pontilhada em 5x10
14
no eixo da concentrao
indica o nvel de concentrao de fsforo no substrato.
4.2.2 PISCES-2ET [25]
Esse software simula caractersticas eltricas no semicondutor usando modelos de
transporte de portadores
3
[28-29]. Ele permite simular um dispositivo em funcionamento a
partir da sua descrio (incluindo dimenses, condies de dopagem, etc.) e tenses e

3
M. R. Pinto, C. S. Rafferty and R. W. Dutton, PISCES-II Poisson and Continuity
Equation Solver, Stanford Electronics Laboratory Technical Report, Stanford University,
September 1984.

Figura 4.16: Perfil de concentrao de dopantes na regio ativa do sensor.
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0
1E12
1E13
1E14
5E14
1E15
1E16
1E17
1E18
1E19
1E20


Concentrao do
substrato (p)
Interface Si-SiO
2
Silcio SiO
2
C
o
n
c
e
n
t
r
a

o

d
e

d
o
p
a
n
t
e
s

(
c
m
-
3
)
Profundidade (um)
93
correntes aplicadas nos terminais. O modelo utilizado para os clculos o da aproximao
de momento na distribuio de Boltzmann para resolver a Equao de Transporte de
Boltzmann. O estado do dispositivo descrito atravs de seis variveis, que so o potencial
eletrosttico, concentrao e temperatura de portadores (n e p), e temperatura da rede. A
partir dessas variveis, todas as outras caractersticas do dispositivo podem ser extradas,
como por exemplo, as caractersticas I-V entre dois eletrodos.
As distribuies dessas variveis so obtidas pelo software atravs de seis equaes
independentes (Poisson, continuidade, balano de energia e difuso trmica), mais as
condies de contorno adequadas. Como resultado, obtemos mapas tridimensionais da
distribuio da concentrao de portadores, nveis quasi-Fermi e potencial eltrico.
Alm dessas equaes, que resolvem os casos mais gerais, vrios modelos fsicos
adicionais esto embutidos no software e podem ser utilizados para resolver problemas
mais especficos e ou incluir fenmenos relevantes em cada caso em particular. Entre eles
podemos encontrar modelos mais refinados para mobilidade e modelos para gerao e
recombinao de portadores.
Usando esse software, simulamos o sensor em funcionamento tanto no regime
esttico como no dinmico. Construmos uma estrutura muito similar ao dispositivo real e
usando um dos modelos especiais do PISCES-2ET, chamado PHOTOGEN, simulamos a
injeo de portadores pela incidncia de ftons. O modelo PHOTOGEN fora uma criao
constante de pares com perfil exponencial com mximo na superfcie. Os portadores
gerados obedecem s equaes de transporte e se distribuem at alcanar o estado de
equilbrio. O potencial gerado no espao pelos portadores em excesso calculado. A partir
desse potencial, podemos extrair vrias curvas necessrias caracterizao do dispositivo
no regime esttico. Tambm existe a possibilidade de fazer a evoluo temporal do sistema,
94
o PHOTOGEN pode ser ligado e desligado, simulando a incidncia de um pulso de luz.
Aps o desligamento do PHOTOGEN, os portadores em excesso passam a se recombinar e
toda a evoluo do sistema at o restabelecimento da condio inicial pode ser mapeada.
No software PISCES-2ET tambm usamos arquivos de entrada especificando a
estrutura bidimensional do dispositivo em forma de uma malha, as condies de dopagem
do substrato, as caractersticas de injeo de portadores e parmetros referentes ao modelo
usado. Um exemplo est mostrado abaixo.
t i t l e PSD

mesh r ect nx=45 ny=34 out f =psd. msh

x. mn=1 l =0 r =1
x. mn=3 l =1000 r =1
x. mn=8 l =2000 r =1
x. mn=38 l =8000 r =1
x. mn=43 l =9000 r =1
x. mn=45 l =10000 r =1

y. mn=1 l =0 r =1
y. mn=4 l =2 r =1
y. mn=23 l =5 r =1
y. mn=31 l =8 r =1
y. mn=34 l =13 r =1

$cent r o de i nci dnci a da l uz=2. 9$
r egi on num=1 i x. l =1 i x. h=45 i y. l =4 i y. h=34 si l i con
r egi on num=2 i x. l =1 i x. h=10 i y. l =1 i y. h=4 oxi de
r egi on num=2 i x. l =15 i x. h=45 i y. l =1 i y. h=4 oxi de
r egi on num=3 i x. l =10 i x. h=15 i y. l =1 i y. h=4 si l i con
r egi on num=4 i x. l =3 i x. h=8 i y. l =4 i y. h=34 si l i con
r egi on num=4 i x. l =38 i x. h=43 i y. l =4 i y. h=34 si l i con

el ec num=1 i x. l =3 i x. h=10 i y. l =4 i y. h=4
el ec num=2 i x. l =40 i x. h=47 i y. l =4 i y. h=4
el ec num=3 i x. l =1 i x. h=45 i y. l =34 i y. h=34

dop uni f or mn. t ype con=5e12 r eg=14
dop asci i i nf i l e=a113150 st ar t =2 r eg=14
dop uni f or mp. t ype con=2. 04595E17 r eg=3
dop asci i i nf i l e=a11540 st ar t =2 r eg=4
95

cont act al l al u

symb newt on car r =2
met hod i t =1000 t r c. t ol =1e- 6 p. t ol =1e- 6

l og i vf i l e=psd. i v

model s phot ogen f l ux=1e16 abs. coef =1e5

sol ve i ni t out f =psd. i

$model s phot ogen f l ux=1e15 abs. coef =1e5

$sol ve t i =1e- 10 t f i nal =1e- 8 out f =psdsupr em. ca

$model s phot ogen f l ux=0 abs. coef =0

$sol ve t i =1e- 10 t f i nal =4e- 6 out f =psdsupr em. sa

end
O arquivo acima possui instrues para diferentes tipos de simulaes, tanto no
regime esttico quanto no regime dinmico. A simulao escolhida modificando alguns
parmetros e habilitando/desabilitando certas linhas de comando.
4.2.2.1 Regime esttico
Como um dos resultados das simulaes, obtemos a distribuio tridimensional de
potencial gerado pela juno p-n (fig. 4.17a). Para uma injeo constante de portadores pela
incidncia de luz, o potencial modificado pelas cargas em excesso. O perfil tridimensional
do potencial durante a injeo est mostrado na figura 4.17b. Na figura 4.17a est mostrada
a distribuio bidimensional do potencial, onde a variao de potencial com a profundidade
devida tenso built-in, como ilustrado na figura 2.12. Na figura 4.17b, um feixe de luz
com largura de 1mm e intensidade equivalente aproximadamente
2
40mW cm est
incidido sobre o sensor numa distncia de 2,1 mm do centro.
96


a)
b)
Figura 4.17: Distribuio espacial do potencial no sensor. a) potencial gerado pela juno p-n sem
injeo de portadores. b) Potencial gerado pela juno p-n com a deformao causada pelos portadores
em excesso gerados pela incidncia de luz.
97
O potencial em funo da posio na superfcie do sensor mostrado na figura 4.18.
Na distribuio de potencial na superfcie do sensor, podemos ver uma diferena de
mais de 240mV entre o potencial logo abaixo do feixe de luz e a borda do sensor. Essa
curva mostra o perfil de potencial para a simulao de uma injeo equivalente a duas
ordens de grandeza maior do que as usadas nas medidas estticas.
A partir do potencial simulado, pudemos extrair a funo de transferncia do sensor.
Usando uma iluminao equivalente 0,
2
1mW cm em um sensor de 6mm, a curva obtida
mostrada na figura 4.19.
Figura 4.18: Distribuio de potencial na superfcie do sensor
98
Com a incidncia da luz, um gradiente de concentrao de portadores gerado.
Esses portadores podem recombinar-se ou atravessar a juno (corrente direta), enquanto
isso, eles difundem isotropicamente em direo contrria ao gradiente. Para ver se os
portadores realmente difundem at os contatos, simulamos a difuso dos portadores gerados
para diferentes intensidades de luz incidente.
A figura 4.20 mostra perfis de concentrao dos eltrons gerados na regio tipo-p.
Os perfis foram simulados para intensidades de luz variando em 3 ordens de grandeza. So
apresentadas as concentraes de eltrons por se tratar de uma injeo fraca, o que no
altera significativamente o nmero de lacunas na regio tipo-p. A grande maioria dos
eltrons recombina-se rapidamente, mas uma poro significativa alcana as regies dos
contatos. Entretanto, podemos notar um aumento no proporcional entre os eltrons
gerados e os que difundem at os contatos.
-3 -2 -1 0 1 2 3
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8


T
e
n
s

o

(
m
V
)
Posio (mm)
Figura 4.19: Funo de transferncia simulada para um sensor de 6mm.
99
4.2.2.2 Regime dinmico
O regime dinmico tambm foi simulado usando PISCES-2ET. O modelo
PHOTOGEN ligado durante 10ns e depois desligado e o comportamento dos portadores e
do potencial so analisados durante todo o transiente. A evoluo temporal do potencial na
superfcie do sensor est mostrada na figura 4.21. O potencial na superfcie est mostrado
em diferentes tempos durante o transiente. Nos 10 primeiros nanosegundos, a injeo est
ocorrendo e o potencial na regio sob o feixe de luz cresce at atingir um mximo. Com a
difuso dos portadores, o potencial comea a aumentar nas regies exteriores da
incidncia de luz. Passado 1s, a diferena de potencial entre qualquer ponto da superfcie
do sensor praticamente zero, embora ainda exista um excesso de portadores.
Figura 4.20: Perfil de concentrao dos portadores no estado estacionrio para 4 diferentes intensidades
de iluminao.
0 2 4 6 8 10
1E9
1E10
1E11
1E12
1E13 Log (I/I
0
) =3
Log (I/I
0
) =2
Log (I/I
0
) =1
Log (I/I
0
) =0


C
o
n
c
e
n
t
r
a

o

d
e

e
l

t
r
o
n
s

(
c
m
-
3
)
Posio (mm)
100
Se observarmos a diferena de potencial entre os pontos nas posies 2,2mm e
8,2mm, por exemplo, vemos que mesmo depois de cessada a injeo, o seu valor continua
aumentando at pelo menos 25ns. Esse resultado explica porque nas curvas das figuras
4.11, 4.12 e 4.14, o sinal de tenso medido aumenta mesmo depois de desligado o laser. A
partir da evoluo do potencial, podemos extrair as curvas da evoluo da tenso medida
entre os eletrodos do sensor para o regime dinmico. Um exemplo para um sensor de 6mm
est mostrado na figura 4.22.
Comparando a figura 4.22 com a curva da figura 4.11, podemos notar caractersticas
muito semelhantes no comportamento das curvas. O sinal mximo simulado um pouco
maior do que o sinal medido em 4.11, mas o tempo de descida menor. Com a ajuda da
figura 4.14, podemos sugerir que a simulao foi feita em um ponto mais prximo a um dos
Figura 4.21: Evoluo do potencial na superfcie do sensor em vrios momentos do transiente.
101
contatos do que a medida em 4.11. Os tempos de subida e de descida das duas curvas,
entretanto, so da mesma ordem de grandeza.
Tambm nesse regime foram feitas simulaes variando a posio do centro do
feixe de luz. Na figura 4.23 vemos as curvas para trs posies afastadas 2,1mm, 1,4mm e
0,7mm do centro de um sensor de 6mm. As simulaes comprovam as medidas da figura
4.14 que mostram a dependncia da amplitude do sinal e do tempo de recuperao com a
posio do feixe de luz.





Figura 4.23: Evoluo do potencial para trs diferentes posies no mesmo sensor.
-0.1 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
0
2
4
6
8
10
12


T
e
n
s

o

(
m
V
)
Tempo (s)
2,3mm
1,4mm
0,7mm
Figura 4.22: Simulao do tempo de recuperao do sinal no regime dinmico.
-0,1 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1
0
2
4
6
8
10
12


T
e
n
s

o

(
m
V
)
Tempo (s)
102

4.3 Otimizao
Conhecendo as equaes e os parmetros que regem o funcionamento do sensor
buscamos o melhoramento do mesmo no sentido de aumentar a sua sensibilidade. A
otimizao partiu das simulaes da variao de alguns parmetros que poderiam alterar a
resposta do dispositivo. Entre os parmetros analisados nas simulaes se encontram a dose
e a energia das implantaes dos dopantes e concentrao do substrato. As condies de
implantao dos dopantes e os perfis de concentrao aps o recozimento foram simulados
no SUPREM-4GS e o funcionamento do dispositivo, com os novos parmetros, no
PISCES-2ET. Durante a fabricao, tambm foram feitas outras melhorias, como
otimizao do xido da camada anti-refletora e reduo de centros de recombinao dos
portadores minoritrios via gettering.
4.3.1 Simulaes
A implantao de Boro da regio ativa foi simulada para doses de 3x10
12
, 1x10
13
e
5x10
13
cm
-2
. O potencial gerado pelos portadores nos trs casos para igual condio de
iluminao est mostrado na figura 4.24.
Devido diferena nas tenses built-in entre os trs casos, as curvas foram
colocadas com potencial mnimo em zero, para melhor visualizao das suas diferenas. Os
resultados mostram um maior sinal de resposta do sensor para implantaes com dose
menores. Dois fenmenos contribuem para o aumento do sinal medido. A menor dopagem
aumenta a resistncia da regio tipo-p resultando numa maior queda de potencial
103
pela passagem dos portadores. Alm disso, a zona de depleo se estende at muito
prximo da superfcie, resultando em um maior nmero de pares de portadores separados
pela juno.
Outro parmetro simulado foi a energia dessa implantao. Energias de 130keV,
150keV e 200keV foram simuladas e os potenciais gerados nessas condies esto
mostrados na figura 4.25.








Figura 4.24: Simulao do potencial para 3 doses de implantao da regio ativa do sensor.
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34


T
e
n
s

o

(
m
V
)
Posio (mm)
3e12
1e13
5e13
Figura 4.25: Simulao de 3 energias diferentes na implantao da regio ativa.
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10


T
e
n
s

o

(
m
V
)
Posio (mm)
130keV
150keV
200keV
104
As curvas mostram maior amplitude de variao do potencial para uma implantao
com energia menor. Quanto maior a energia de implantao, mais profunda se situa a
juno e como a maior parte dos ftons absorvida em profundidades menores do que
1m, uma parte significativa dos pares criados se recombina antes de alcanar a juno.
Vemos que a diferena entre 150keV e 200keV no varia significativamente a resposta
porque outro efeito se torna importante para implantaes mais profundas. A concentrao
de dopantes se torna menor na superfcie do sensor, a medida que o pico de concentrao se
desloca para dentro do substrato. Os dois efeitos so pequenos, visto que o processo de
recozimento e difuso mais importante para a definio do perfil final de concentrao
dos dopantes do que a energia de implantao. Comparando as figuras 4.24 e 4.25, fica
evidente que variao da dose de implantao causa um efeito maior do que a variao da
energia nas caractersticas do sensor.
Outro parmetro analisado nas simulaes foi a dopagem inicial do substrato do
sensor. Foram simuladas concentraes de fsforo de 5x10
13
, 5x10
14
e 5x10
15
cm
-3
para o
substrato e os potenciais gerados pela injeo nessas condies so mostrados na figura
4.26.








Figura 4.26: Simulao dos potenciais para diferentes concentraes iniciais do substrato.
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
0
2
4
6
8
10
12
14


T
e
n
s

o

(
m
V
)
Posio (mm)
5e13 cm
-3
5e14 cm
-3
5e15 cm
-3
105
As curvas acima mostram que a variao da concentrao do substrato no causa
efeito significativo no potencial gerado. Dois efeitos podem ser mencionados referentes
variao da concentrao do substrato. O primeiro a variao do tamanho da zona de
depleo na regio tipo-n. O segundo a reduo da dopagem liquida na regio tipo-p. O
primeiro efeito causa pouca variao no sinal do sensor, pois a quantidade de pares criados
a grandes profundidades muito pequena em relao aos portadores gerados prximo
superfcie. A variao lquida da concentrao de dopantes na regio tipo-p de menos de
1%, o que tambm no causa efeito significativo no sinal do sensor.
4.3.2 Experimental
Diferentes regimes foram usados na fabricao de sensores visando a otimizao do
mesmo. Os regimes testados incluem variaes nas doses e energias de implantao da
regio ativa, variao na espessura do xido da camada anti-refletiva e implantao de
Argnio para gettering.
Para analisar o efeito da dose de implantao na resposta do sensor, foram
construdos sensores com doses de implantao de 1x10
13
cm
-2
e 3x10
12
cm
-2
, ambas com
energia de 150keV.
As funes de transferncia medidas para esses sensores esto mostradas na figura
4.27. As curvas mostram a grande influncia da concentrao de dopantes na regio tipo-p
no sinal medido, como j havamos mostrado na simulao. A curva para uma dose de
implantao mais baixa mostrou um sinal mais alto. Isso se deve principalmente maior
resistncia da regio-p onde os portadores difundem. Quanto menor a concentrao de
dopantes no semicondutor, maior a resistncia (ver figura 2.8) e segundo a lei de Ohm,
106
uma densidade de corrente passando em um material mais resistivo causa uma queda maior
de potencial.

O efeito da energia de implantao foi analisado em sensores implantados com
energias de 150keV e 200keV. As funes de transferncia desses sensores foram medidas
e o resultado est apresentado na figura 4.28.








-2 -1 0 1 2
-20
0
20


T
e
n
s

o

(
m
V
)
Posio (mm)
3x10
12
cm
-2
1x10
13
cm
-2
Figura 4.27: Funes de transferncia medidas para sensores com duas doses de implantaes diferentes
na regio ativa.
-2,0 -1,5 -1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8


T
e
n
s

o

(
m
V
)
Posio (mm)
energia 150keV
energia 200keV
Figura 4.28: Funes de transferncia para sensores implantados com duas energias diferentes na regio
ativa.
107
As curvas da figura 4.28 mostram um sinal maior para o sensor em que a energia de
implantao foi menor. medida que a juno se afasta da superfcie, e por conseqncia a
zona de depleo, menos pares de portadores so separados. Como mostrado nas
simulaes, essa variao pequena em relao variao que se v variando a dose da
implantao.
Outro parmetro analisado foi a espessura do xido usado como camada anti-
refletiva. O xido foi projetado e construdo inicialmente para se ter a maior reduo da
reflexo possvel. Como j havia sido otimizado na escolha inicial, construmos sensores
com o xido duas vezes mais espesso para ter o efeito contrrio e refletir o mximo
possvel. As medidas desses sensores esto mostradas na figura 4.29.
Como espervamos, a cobertura de xido com espessura de 150nm melhor do
que a camada de 300nm quando usada como camada anti-refletiva para um fotodetector de
silcio. Como a reflexo depende do comprimento de onda, uma medida com
-2 -1 0 1 2
-10
-5
0
5
10
15


T
e
n
s

o

(
m
V
)
Posio (mm)
xido 150nm
xido 300nm
Figura 4.29: Funes de transferncia para sensores com diferentes espessuras de oxido na superfcie.
108
monocromador nos mostra a resposta espectral do sensor com diferentes espessuras de
xido. Os espectros para xidos de 150 e 300nm juntamente com um espectro de uma
amostra sem xido so mostrados na figura 4.30. As medidas foram feitas com o feixe de
luz ajustado na mesma posio para todos os sensores.
Quando comparadas um sensor sem a camada de xido, vemos que o sinal tanto
pode aumentar quanto diminuir dependendo da espessura da camada dieltrica. A medida
mostra que a escolha inicial da espessura de xido foi acertadamente projetada para reduzir
a reflexo e, por conseqncia, aumentar o sinal. Analisando a rea das curvas da figura
4.30, vemos que na curva medida para a amostra com xido de 150nm a rea 16% maior
do que amostra sem xido e 38% maior do que a curva da amostra com xido de 300nm.
Como a resposta do sensor a soma das respostas de todos os comprimentos de onda,
temos uma relao direta entre a rea das curvas e o sinal eltrico medido naquele ponto
para cada amostra.
Figura 4.30: Resposta espectral do sensor para camadas anti-refletivas de espessura 0, 150 e 300 nm.
400 600 800 1000 1200
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0


T
e
n
s

o

(
u
.
a
.
)
comprimento de onda (nm)
xido 150 nm
xido 300 nm
sem xido
109
Um outro passo tecnolgico usado para melhorar a resposta do dispositivo foi a
implantao de Argnio na parte de baixo da lmina de silcio. Esse mtodo, conhecido
como gettering, forma uma regio defeituosa que funciona como um aprisionador dos
metais presentes no substrato e, por conseqncia, deixa regio ativa do sensor mais
limpa de impurezas no desejadas. A reduo desses metais na regio ativa provoca um
aumento no tempo de vida dos portadores por serem estes centros de recombinao. Foi
implantado Argnio com energia de 200keV e dose de 1x10
16
. A funo de transferncia de
uma amostra com gettering comparada a uma amostra nas mesmas condies sem a
implantao de Argnio mostrada na figura 4.31.
O aumento do tempo de vida dos portadores resultou em um aumento da resposta
do sensor, devido a diminuio da recombinao dos portadores minoritrios.
-2 -1 0 1 2
-10
-9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10


T
e
n
s

o

(
m
V
)
Posio (mm)
sem gettering
com gettering
Figura 4.31: Funes de transferncia para sensores com e sem gettering.
110
Diversas medidas e simulaes comparando diferentes regimes dos processos da
lista tecnolgica foram feitas. A tabela 4.2 mostra uma sntese dos resultados das
simulaes.

Pior Intermedirio Melhor
Dose da implantao (cm
-2
) 5x10
13
1x10
13
* 3x10
12
Energia da implantao 200keV 150keV * 130keV
Dopagem do substrato (cm
-3
) No houve diferena significativa

A comparao entre os sensores construdos com diferentes regimes mostrada na
tabela 4.3. As funes de transferncia medidas foram comparadas e so apresentadas as
razes entre as sensibilidades dos sensores com regimes modificados e a sensibilidade do
sensor construdo segundo a lista tecnolgica inicial, mostrada na seo 3.2.2.


Mudana em relao condio inicial Sensibilidade / Sensibilidade inicial
Dose de implantao menor (3x10
12
cm
-2
) 4-10
Energia de implantao maior (200keV) 0,74-0,85
xido de 300nm 0,62-0,98
Amostra com gettering 1,08-1,28
Tabela 4.2: Comparao qualitativa entre as simulaes. *parmetros do lote inicial.
Tabela 4.3: Comparao entre as sensibilidades dos sensores construdos com diferentes regimes.
111
5 Concluses
Um Fotossensor de Posicionamento Bidimensional foi projetado, desenvolvido e
otimizado usando a infra-estrutura e a tecnologia disponvel no laboratrio de
microeletrnica do Instituto de Fsica.
O princpio de funcionamento do sensor est relacionado com o efeito de fototenso
lateral que a gerao de um campo potencial ao longo da superfcie do dispositivo,
resultado da injeo localizada de portadores atravs de um feixe de luz. Os pares eltron-
lacuna so separados por uma juno p-n construda a cerca de 1m de profundidade. Os
portadores em excesso se difundem e geram uma queda de potencial lateral (paralela
juno) que pode ser medida atravs de eletrodos colocados na superfcie do sensor.
O sensor foi construdo em quatro tamanhos diferentes (4,5,6 e 7mm de distncia
entre os eletrodos) e medido em regime esttico e regime dinmico. O sinal eltrico
obtido de forma direta, sem a necessidade de circuitos de condicionamento ou
amplificao. Como resultados, obtivemos a funo de transferncia do sensor com
sensibilidades da ordem de 1mV/mm para uma iluminao em torno de 0,05mW/cm
2
. A
funo de transferncia , em primeira aproximao, uma funo linear da posio. Anlise
da linearidade das curvas e simulaes indica um valor timo para a distncia entre os
contatos em que a linearidade e, por conseqncia, a preciso do sensor mxima para
cada regime utilizado na construo do sensor.
No regime dinmico, as respostas temporais dos sensores apresentaram tempos de
recuperao de poucos s, indicando que o sensor poderia ser usado em freqncias de
centenas de kHz. Em mais baixas potncias de iluminao, pode-se chegar a alguns MHz.
112
Programas especiais (SUPREM-4GS e PISCES-2ET) foram usados para simulaes
dos processos e do funcionamento do sensor, o que possibilitou a otimizao do
dispositivo, permitindo obter maior sensibilidade. Estudando os parmetros relevantes para
o melhoramento do sinal eltrico, modificamos os regimes dos processos tecnolgicos e
novos grupos de sensores foram fabricados. Os dispositivos construdos com uma dose de
implantao menor do que a inicial tiveram sensibilidade entre 4 e 10 vezes maior. Usando
gettering, conseguimos uma melhoria entre 8% e 28% na sensibilidade. Diferentes
espessuras de camadas de xido na superfcie do sensor foram testadas como camada anti-
refletora. A sensibilidade variou em at 61%. A espessura escolhida na verso final foi de
150nm ( 4
ox
n de 900nm). Variando a energia de implantao, alcanamos sensitividades
entre 17% e 35% superiores para energias menores de implantao.
O trabalho desenvolvido mostra as possibilidades de pesquisa numa rea aplicada,
pouco desenvolvida no pas como a da fabricao de sensores de semicondutores. Como foi
mostrado, a tecnologia planar de silcio pode ser empregada na fabricao de dispositivos
discretos e integrados simples, usados em sensoriamento remoto. Vrios outros dispositivos
poderiam ser construdos com a mesma infra-estrutura e tecnologia com custos baixos, tais
como, sensores de pH, sensores de presso, sensores de fluxo de gs, sensores de
temperatura, sensores de presena de substncias nocivas no ar, sensores de campo
magntico, etc.


113
6 Referncias
[1] SZE, S. M. Semiconductor sensors. New York: John Wiley, 1994.
[2] ZIMAN, J. M. Principles of theory of solids. Cambridge: Cambridge University Press,
1964.

[3] KITTEL, C. Quantum theory of solids. New York: John Wiley, 1967.
[4] BRENNAN, K. F. The physics of semiconductors. Cambridge: Cambridge University
Press, 1999.

[5] CONWELL, E. M. Properties of silicon and germanium. II. Proc. IRE, New York, v. 46,
n. 6, p. 1281-1300, June 1958.

[6] SZE, S. M.; IRVIN, J. C. Resistivity, mobility, and impurity levels in GaAs, Ge and Si at
300K. Solid State Electronics, Oxford, v. 11, n. 6, p. 599-602, June 1968.

[7] SHOCLEY, W. Electrons and holes in semiconductors. New York: Van Nostrand, 1950.

[8] CONWELL, E.; WEISSKOPF, V.F. Theory of impurity scattering in semiconductors.
Phys. Rev., New York, v. 77, n. 3, p. 388-390, Feb. 1950.

[9] BARDEEN, J.; SHOCKLEY, W. Deformation potentials and mobilities in non-polar
crystals. Phys. Rev., v. 80, n.1, p. 72-80, Oct. 1950.

[10] PEARSON, G. L.; BARDEEN J. Electrical properties of pure silicon and silicon alloys
containing boron and phosphorous. Phys. Rev., New York, v. 75, n. 5, 865-883, Mar. 1949.

[11] ORTON, J. W.; BLOOD, P. The electrical characterization of semiconductors:
measurement of minority carrier properties. Oxford: Academic Press, 1990.

[12] SZE, S. M. Physics of semiconductor devices. 2. ed. New York: John Wiley, 1981.

[13] PEREIRA, J. A. de A. M. Construo e caracterizao de um fotodiodo de silcio. 1979.
Paginao irregular. Dissertao (Mestrado em Engenharia Eltrica) Escola Politcnica,
Universidade de So Paulo, So Paulo, 1979.

[14] MESTANZA, S. N. M.; MANERA, L. T.; SOUZA, A. C. T. de; SILVA, I. F.; DOI, I.;
SWART, J. W. Three-color detectors for APS-CMOS image sensors employing a triple
junctions. In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON MICROELECTRONICS
TECHNOLOGY AND DEVICES, 18., 2003, So Paulo. Proceedings of the
Pennington: Electrochemical Society, 2003. p. 428-436.

114
[15] LUCOWSKY, G. Photoeffects in nonuniformly irradiated p-n junctions. J. Appl. Phys.,
New York, v. 31, n. 6, p. 1088-1095, June 1960.

[16] UDT Sensors, Inc. Disponvel em: <http://www.udt.com>. Acesso em: 10 abr. 2004.
[17] WALLMARK, J. T. A new semiconductor photocell using lateral photoeffect. Proc. IRE,
New York, v. 45, n. 4, p. 474-483, Apr. 1957.

[18] KERN, W.; PUOTINEM, D. A. Cleaning solutions based on hydrogen peroxide for use in
silicon semiconductor technology. RCA Rev., Princeton, v. 31, n. 2, p. 187-206, June 1970.

[19] WOLF, S.; TAUBER, R. N. Silicon processing for the VLSI era. 2. ed. Los
Angeles: Lattice Press, 2000.

[20] JAEGER, R. C. Introduction to microelectronic fabrication. Reading: Addison-Wesley,
1998. (Modular series on solid state devices, v. 5).

[21] DEAL, B. E.; GROVE, A. S. General relationship for the thermal oxidation of silicon. J.
Appl. Phys., New York, v.36, n.12, p. 3770-3778, Dec. 1965.

[22] VOSSEN, J. L.; KERN, W. Thin film processes. New York: Academic Press, 1978.

[23] PRAMANIK, D.; SAXENA, A. N. VLSI metallization using aluminum and its alloys, I.
Solid State Technology, Washington, v. 26, n. 1, p. 127-133, Mar. 1983.

[24] KANO, K. Semiconductor devices. Upper Saddle River: Prentice Hall, 1998.
[25] STANFORD TCAD, computer programs. Disponvel em: <http://www-tcad.stanford.edu>.
Acesso em: 10 abr. 2004.

[26] MATHIOT, D.; PFISTER, J. C. Dopant diffusion in silicon: a consistent view involving
nonequilibrium defects. J.Appl.Phys, Woodbury, v. 55, n. 10, p. 3518-3530, May 1984.

[27] PACKMAN, P. A.; PLUMMER, J. D. Temperature and time dependence of B and P
diffusion in Si during surface oxidation. J. Appl. Phys., Woodbury, v. 68, n. 8, p. 4327-
4329, Oct. 1990.

[28] ARORA, N. D.; HAUSER, J. R.; ROULSTON, D. J. Electron and hole mobilities in
silicon as a function of concentration and temperature. IEEE Trans. Electron Devices, New
York, v. 29, n. 2, p. 292-295, Feb. 1982.

[29] BANK, R. E.; COUGHRAN, W. M.; FICHTNER, W.; GROSSE, E. H.; ROSE, D. J.;
SMITH, R. K. Transient simulation of silicon devices and circuits. IEEE Trans. Electron
Devices, New York, v. 32, n. 10, p. 1992-2007, Oct. 1985.