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Plus prcisment, la diode est un diple passif non-linaire et non-symtrique. Obtenue partir dune jonction PN. Lintrt principal de la diode est de ne laisser passer le courant que dans un sens, et pas dans lautre.
Symbole de la diode :
En lectronique de puissance, la comprhension de la diode PiN est fondamentale dans le domaine de llectronique de puissance et pour la modlisation dautres dispositifs semi-conducteurs comme le transistor bipolaire, le MOSFET et lIGBT. Du point de vue technologique, la diode PiN est constitue par lempilement de trois couches : une couche P+ trs dope, une zone I trs peu dope et une couche N+ trs dope. Historiquement, ces diodes ont t appele PiN, mais dans la pratique la couche dite intrinsque est une couche faiblement dope de type N, souvent ralise par pitaxie. Les contacts de la diode sont videmment pris sur les couches P+ et N+. Plusieurs travaux ont t effectus afin de dterminer les profils exacts des zones P+ et N+. Quelques tudes ont montr que ce profil peut tre modlis sous formes de gaussiennes, et ont peu dinfluence. La figure suivante reprsente profil de dopage unidimensionnel de deux diodes PiN en technologie silicium et carbure de silicium. Dans ce modle, les couches P+ et N+ sont de type gaussien et le dopage de la rgion intrinsque est suppos uniforme.
Les principaux paramtres de conception qui caractrisent la diode PiN dans lapproche unidimensionnelle sont WB et ND qui reprsentent respectivement la largeur et le dopage de la zone faiblement dope de la diode, A est la surface effective et _ la dure de vie ambipolaire. Loptimisation de ces paramtres, qui est une tche dlicate et difficile, est cruciale afin de satisfaire au mieux le compromis entre une faible chute de tension ltat passant et une forte tenue en tension ltat bloqu. Pour les composants commercialiss ces paramtres physiques sont confidentiels et ils ne sont pas documents dans les datascheets des constructeurs. Tous les simulateurs et les modles numrique ou physiques exigent la connaissance prcise de ces paramtres afin de prvoir les comportements lectriques statique et dynamique des diodes de puissance. Comme on a dj mentionn quune diode est constitue dune rgion P et dune rgion N spares par une rgion intrinsque I, cest dire non dope. Elle est particulirement adapte une utilisation en H.F. En inverse : elle prsente une impdance leve et sa capacit de jonction est trs faible (<1pF) ; elle est quasiment quivalente un circuit ouvert. En direct : elle peut servir de rsistance variable (pour les petits signaux) : Ces diodes trouvent leurs applications dans : - les circuits de commutation H.F., - les attnuateurs et les modulateurs damplitude, les lignes retard H.F.
Un rgime haut niveau On a toujours Vd = Vp + VI + Vn mais en augmentant la densit des porteurs prsents dans WI, il y apparition d'une ZCE positive du ct P+ et d'une ZCE ngative du ct N+, il en rsulte l'apparition d'un champ lectrique qui explique la valeur de VI. On montre que dans ce cas ID K V2.
Pour des diodes de grandes paisseurs WI, les tensions de claquage peuvent tre trs grandes (plusieurs kV.).
Une diode Zener est un assemblage de deux semi-conducteurs dont les proprits lectriques ont t dcouvertes par le physicien amricain Clarence Zener. Contrairement une diode conventionnelle qui ne laisse passer le courant lectrique que dans un seul sens, le sens direct, les diodes Zener sont conues de faon laisser galement passer le courant inverse, mais ceci uniquement si la tension ses bornes est plus leve que le seuil de l'effet d'avalanche. Ce seuil en tension inverse (tension Zener) est de valeur dtermine pouvant aller de 1,2 V plusieurs centaines de volts. Certaines diodes Zener comportent une troisime broche qui permet de rgler cet effet d'avalanche.
Symbole :
Fonctionnement :
Les diodes Zener sont frquemment utilises pour rguler la tension dans un circuit. Lorsqu'on la connecte en inverse en parallle avec une source de tension variable, une diode Zener devient conductrice lorsque la tension atteint la tension d'avalanche de la diode. Elle maintient ensuite la tension cette valeur.
Dans ce circuit, la rsistance R est responsable de la chute de tension entre UIN et UOUT. La valeur de R doit satisfaire deux conditions :
R doit tre suffisamment petit pour que le courant qui passe dans D la maintienne en mode d'avalanche. Lors du calcul de R, on doit tenir compte du courant qui circule dans la charge externe connecte sur UOUT.
R doit tre assez grand pour que le courant qui traverse D ne la dtruise pas. En notant ID le courant dans D, la tension d'avalanche VZ et la puissance absorbable maximum Pmax, alors on doit avoir
Principales utilisations :
Les diodes zener sont utilises principalement pour leur proprit de maintenir une tension constante leurs bornes : Les circuits de stabilisation de tension ou "rgulateur zener" Ces circuits permettent d'obtenir une tension de sortie constante malgr une variation de la consommation ou de la tension d'entre. Les circuits gnrateurs de tension de rfrence Ces circuits permettent d'obtenir, un endroit prcis, une tension qui ne change pas et qui devient une tension de rfrence, car elle reste fixe malgr une variation de plusieurs phnomnes comme la temprature, la consommation de courant, ...