UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS

DEPARTAMENTO DE ELCTRICA Y ELECTRNICA CARRERA DE INGENIERIA ELECTRNICA EN CONTROL

ASIGNATURA ELECTRNICA II PROFESOR: Ing. DANNY DE LA CRUZ INTEGRANTES: RICHARD CORDOVA CARLOS VENEGAS FECHA: 27/09/2013 PERODO: AGOSTO ENERO 2012 TEMA: Informe Proyecto Primer Parcial

Contenido
OBJETIVO GENERAL .................................................................................................................. 3 OBJETIVOS ESPECFICOS ......................................................................................................... 3 MARCO TERICO ........................................................................................................................ 4 3.1 Amplificador de Potencia ..................................................................................................... 4 3.2 Clasificacin de los amplificadores de potencia .................................................................. 4 3.3 Amplificador tipo AB ............................................................................................................ 4 3.4 El parlante ............................................................................................................................ 5 3.5 Transistores de Potencia ..................................................................................................... 7 3.6 Encapsulado de transistores de potencia ............................................................................ 8 3.7 Vmetro ............................................................................................................................... 8 El Integrado LM3914 ............................................................................................................ 9 MATERIALES USADOS. ............................................................................................................ 10 Detalles componentes usados ................................................................................................. 10 PARMETROS DE DISEO ...................................................................................................... 11 SIMULACIN DEL CIRCUITO.................................................................................................... 17 Amplificador tipo AB ................................................................................................................ 17 Vmetro ................................................................................................................................... 19 CONCLUSIONES ........................................................................................................................ 20 RECOMENDACIONES ............................................................................................................... 20

OBJETIVO GENERAL
Aplicar los conocimientos aprendidos a lo largo del primer parcial referente al tema de amplificadores de potencia, aplicndolos a la solucin de problemas en la vida real. Disear e implementar un amplificador AB con vmetro a la salida

OBJETIVOS ESPECFICOS
Identificar materiales y equipos a utilizar Analizar el funcionamiento del amplificador Compara resultados tericos, simulados y prcticos, presentar resultados en el informe.

MARCO TERICO
3.1 Amplificador de Potencia
Un amplificador de potencia convierte la potencia de una fuente de corriente continua (Polarizacin VCC de un circuito con transistores), usando el control de una seal de entrada, a potencia de salida en forma de seal. Si sobre la carga se desarrolla una gran cantidad de potencia, el dispositivo deber manejar una gran excursin en voltaje y corriente. Los puntos de operacin deben estar en un rea permitida de voltaje y corriente que asegure la mxima disipacin, (SOA, Safe Operating Area). Se deben considerar los voltajes de ruptura y efectos trmicos permitidos en los dispositivos de estado slido, considerar las caractersticas no lineales en el funcionamiento y usar los parmetros para gran seal del dispositivo. La curva muestra las caractersticas de emisor y colector de un transistor.

3.2 Clasificacin de los amplificadores de potencia

Existen cuatro clasificaciones bsicas de amplificadores de potencia: A, AB, B y C. En clase A, el amplificador est polarizado de tal forma que la corriente por el colector fluye durante el ciclo completo de la seal de entrada. Para clase AB, la polarizacin del amplificador es de tal forma que la corriente de colector solamente fluye para un lapso menor a los 360 y mayor a los 180 de la onda correspondiente. Para el funcionamiento en clase B, la corriente IC fluir solo durante 180 de la onda de entrada. Finalmente, para funcionamiento en clase C, el dispositivo conducir durante un periodo inferior a los 180correspondiente a la onda de entrada. Los amplificadores tipo AB y B usan configuraciones transistorizadas llamadas pushpull. Cada uno de estos amplificadores posee caractersticas de eficiencia y distorsin distintos, por lo cual, sus aplicacin ser a distintas reas

3.3 Amplificador tipo AB

Los amplificadores de clase AB reciben una pequea polarizacin constante en su entrada, independiente de la existencia de seal. Es la clase ms comn en audio, al tener alto rendimiento y calidad. Estos amplificadores reciben su nombre porque con seales grandes se comportan como un clase B, pero con seales pequeas no presentan la distorsin de cruce por cero de la clase B. Tienen dos transistores de salida, como los de clase B, pero a diferencia de estos, tienen una grande corriente de polarizacin fluyendo entre los terminales de base y la fuente de alimentacin, que sin embargo no es tan elevada como en los de clase A. Esta corriente libre se limita al mximo valor necesario para corregir la falta de
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linealidad asociada con la distorsin de cruce, con apenas el nivel justo para situar a los transistores al borde de la conduccin. Este recurso obliga a ubicar el punto Q en el lmite entre la zona de corte y de conduccin.

3.4 El parlante
Un parlante esta compuesto de una campana metlica, un imn (generalmente cermico) y un cono de papel o de plstico. El borde exterior del cono est sujeto a la campana con un montaje elstico de goma o con un ondulado del mismo material del cono que le confiere la posibilidad de moverse hacia adelante y hacia atrs alrededor de un punto de equilibrio mecnico.

Desde el punto de vista tcnico, un parlante es un transductor electroacstico. Recibe energa elctrica y la transforma en energa mecnica que mueve el cono generando energa acstica por compresin y expansin del aire. Ahora vamos a analizar como se realiza esa transferencia energtica primaria de elctrica en mecnica. Para entenderlo debemos introducirnos en el parlante y realizar un corte a nivel del imn.

El imn cermico anular tiene el polo sur en la cara superior y el norte en la inferior o viceversa. La pieza polar inferior es en realidad un disco de hierro con un cilindro de hierro soldado en el medio que penetra en el carretel de papel de la bobina mvil, de modo que esta tenga un huelgo para que pueda deslizarse verticalmente. La pieza polar interna, es una gran arandela de hierro que sierra el camino magntico de modo que solo quede un pequeo entrehierro que atraviesa la bobina mvil. La araa es una pieza elstica que completa la suspensin del cono de modo que pueda entrar y salir del ncleo cilndrico sin rozar en el mismo.

El espacio existente entre el borde interno de la arandela que hace de pieza polar superior y el ncleo cilndrico se llama entrehierro. Es un lugar abierto donde existe un enorme campo magntico radial que va desde la arandela hasta el ncleo y por dentro este hacia abajo y luego hacia fuera hasta completar un circuito magntico cerrado alimentado por el imn. La bobina mvil esta recorrida por una corriente entregada por el amplificador de audio que genera otro campo magntico en el ncleo de hierro. Los dos campos magnticos paralelos dentro del ncleo interaccionan entre si generando una fuerza que mueve al cono en proporcin a la corriente circulante por la bobina.

El rendimiento de un parlante se calcula como la potencia elctrica entregada al mismo dividida por la potencia mecnica que sale del parlante. Y la potencia elctrica entregada al parlante es igual a la tensin aplicada a la bobina mvil multiplicada por la corriente que circula por ella. Los parlantes tiene uniformada la resistencia de su bobina mvil en dos valores clsicos de 4 y de 8 Ohms (los parlantes muy antiguos pueden ser de 3,2 Ohms). Esto implica que los amplificadores se pueden comparar de acuerdo a su resistencia de carga y a su tensin de fuente y a continuacin vamos a realizar un anlisis de ese tipo, que no permitir desenmascarar a una gran cantidad de embaucadores que tiene esta especialidad de la electrnica que es el audio de potencia.

3.5 Transistores de Potencia

El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar. Existen tres tipos de transistores de potencia: Bipolar. Unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo). IGBT. Parmetros Impedancia de entrada Ganancia en corriente Resistencia ON (saturacin) Resistencia OFF (corte) Voltaje aplicable MOS Bipolar

Alta (1010 ohmios) Media (104 ohmios) Alta (107) Media / alta Alta Alto (1000 V) Media (10-100) Baja Alta Alto (1200 V) Media (150C)

Mxima temperatura de operacin Alta (200C) Frecuencia de trabajo Coste

Alta (100-500 Khz) Baja (10-80 Khz) Alto Medio

El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares: Trabaja con tensin. Tiempos de conmutacin bajos. Disipacin mucho mayor (como los bipolares). Nos interesa que el transistor se parezca, lo ms posible, a un elemento ideal: Pequeas fugas.
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Alta potencia. Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta frecuencia de funcionamiento. Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del semiconductor. Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE mxima elevada). Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ). Una limitacin importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conduccin y viceversa no se hace instantneamente, sino que siempre hay un retardo (ton , toff). Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector base y base - emisor y los tiempos de difusin y recombinacin de los portadores.

3.6 Encapsulado de transistores de potencia

Cpsula TO-3. Se utiliza para transistores de gran potencia, que siempre suelen llevar un radiador de aluminio que ayuda a disipar la potencia que se genera en l. Arriba a la izquierda vemos su distribucin de terminales, observando que el colector es el chasis del transistor. A la derecha vemos la forma de colocarlo sobre un radiador, con sus tornillos y la mica aislante. La funcin de la mica es la de aislante elctrico y a la vez conductor trmico. De esta forma, el colector del transistor no est en contacto elctrico con el radiador.

3.7 Vmetro
Un vmetro se incluye a menudo en equipos de audio para mostrar un nivel de seal en unidades de volumen, el dispositivo es a veces tambin llamado indicador de volumen. Consta de un instrumento de bobina mvil de un tipo determinado, alimentado por medio de un rectificador de onda completa que se alimenta a su vez de la lnea mediante una resistencia en serie. No necesita ms fuente de energa para su funcionamiento que la seal de entrada.

El Integrado LM3914
El LM3914 es un circuito integrado monoltico que censa el nivel de voltaje presente en su entrada, y controla 10 LEDs, proveyendo una escala lineal de 10 pasos. Dispone de un pin para cambiar el modo de funcionamiento, permitiendo elegir si la representacin va a ser una barra de luz, o solo un punto. La corriente que circula por los LEDs es regulada y programable, de manera que no se necesitan resistencias individuales para cada uno de ellos. Esta caracterstica, entre otras, le permite trabajar con menos de 3 voltios de alimentacin. La entrada est protegida contra sobre tensiones, por lo que no es necesario dotarlo de protecciones adicionales si no se esperan entradas que superen los 35 voltios. Es posible encadenar varios LM3914 para obtener escalas de 20, 30 o hasta 100 leds. Ambos extremos del divisor de voltaje son disponibles desde el exterior del chip. El LM3914 dispone de 18 pines, dispuestos en dos filas de 9, como es habitual en chips de este tamao. Dos de ellos estn destinados a la alimentacin del integrado, por lo que el pin numero 2 deber conectarse al negativo de la fuente de alimentacin, y el pin 3 al positivo. Recordemos que la fuente debe entregar una tensin de corriente continua de entre 3 y 15 voltios. El pin 1 es el que controla el primer LED de la escala. Los dems LEDs debern conectarse a los pines 18 al 10 (LEDs 2 al 10 respectivamente). Esta numeracin, que a primera vista puede parecer extraa, tiene una importante razn de ser. Al estar distribuidos de esta manera, los LEDs se conectan a todos los pines de un mismo lado del integrado, con la excepcin del LED 1 que se conecta al pin 1, lo que facilita mucho el trazado de pistas al construir un circuito impreso. El pin nmero 9 es el encargado de seleccionar el modo de funcionamiento del chip. En efecto, si conectamos este pin directamente a 0V, el display formado por los LEDs funcionara en modo punto, mientras que si lo conectamos a +V funcionara en modo barra. La corriente que circula por el pin 7 es la que determina el brillo de los LEDs. Un brillo
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adecuado se obtiene conectando una resistencia de unos 1200 ohms entre este pin y 0V. El pin 8 es que se encarga de tomar la referencia de la escala. Mediante una resistencia conectada entre este pin y 0V se puede correr la escala. Los pines 4 y 6 son los extremos (bajo y alto respectivamente) del divisor. Por ltimo, el pin nmero 5 es la entrada de la tensin a medir, la que ser tratada internamente para decidir que LEDs se encienden y cuales deben permanecer apagados.

MATERIALES USADOS.
Transistores Resistencias Capacitores Cables, puntas prueba para generador de ondas y osciloscopio Material fungible

Detalles componentes usados

R1=2.2k R2=10k R3=150 R4=560 R5=2.2k R6=22k R7=2k R8=2.2k R9=0.47 R11=0.47 C1=C2=C3=C5=C6=C7=1000uF C4=470uF 3 transistores 2n2222A 1 transistor 2n3906 2 transistores 2n3055 Disipador de potencia
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PARMETROS DE DISEO
Este tipo de amplificadores funcionan bsicamente como los amplificadores en clase B, excepto en el que se inyecta una pequea corriente de polarizacin para que ya estn conduciendo previamente a la llegada de la seal. No se disean en clase A. Se disean casi en corte, pero sin llegar a estar en ese estado. De esta forma se consigue eliminar la distorsin de cruce.

La principal dificultad es conseguir la estabilidad del punto de funcionamiento. Se debe garantizar que los transistores no entrar en corte. La mejor solucin es recurrir al espejo de corriente. El espejo de corriente se basa en la conexin en paralelo de dos diodos iguales. Si son iguales y tienen la misma curva caracterstica, por los dos diodos circula la misma corriente puesto que los puntos de funcionamiento son idnticos. Para una misma tensin en los dos diodos se tiene una misma corriente en cada uno de ellos. Si el diodo y el transistor son de silicio se pueden considerar iguales la tensin en extremos del diodo y la tensin entre base y emisor. En el siguiente esquema, la corriente que circula por el diodo es la misma que circula por la unin base emisor.

Para evitar problemas trmicos se coloca en serie con el emisor una resistencia de potencia de 0.47 W

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El transistor Q1 polarizado por R1 y R2 se comporta como una fuente de corriente: La corriente Ic en rgimen esttico es constante. La corriente por los diodos D1 y D2 tambin lo es. La polarizacin de los transistores queda garantizada al estar los diodos en paralelo con las uniones base emisor. Para alterna, los diodos se comportan como una resistencia dinmica por estar polarizados en el primer cuadrante. Las bases para alterna estn unidas. Para minimizar las diferencias puede conectarse entre ambas un condensador. En reposo, la tensin continua en extremos de la carga debe ser 0 voltios. Si se introduce una seal variable en la entrada, Q1 la amplifica. A la salida de Q1, Q2 amplifica el semiperiodo positivo y Q3 el negativo. En el altavoz, RL, se tiene la seal reconstruida. Para conseguir que los transistores de potencia puedan ser del mismo tipo, se recurre a la configuracin con simetra complementaria y Darlington. Se aade otro diodo, para compensar otra unin base emisor en la configuracin del espejo de corriente. Los transistores finales son de potencia. La ganancia de corriente de estos transistores suele ser de 20. La del resto de los transistores suele ser de 100.

Aproximando estos valores

La corriente mxima que debe proporcionar cada fuente

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Caractersticas de los transistores Los transistores Q5 y Q6 tienen las siguientes caractersticas:

Las resistencias R9 y R11 se eligen de 0.47W. Al ser de potencia, es necesario calcular la potencia disipada:

Clculo para R8: Para calcular R8 se necesita saber la corriente y la diferencia de potencial en extremos. En reposo, la tensin en RL es 0V. Despreciando la cada de tensin en la resistencia de 0.47W, la tensin en la base de Q4 es 1.4V El valor mximo de la corriente por la base es:

Para garantizar que los transistores siempre estn conduciendo tomamos a la corriente de la base ligeramente superior por lo tanto para clculos asumiremos un

Clculo de C4:

Aproximando a valores comerciales

Clculo de R7:
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R7 debe calcularse de forma que permita el correcto funcionamiento del transistor Q2 para cualquier variacin de la seal de entrada. Se elige una cada de tensin

Aproximando a valores comerciales

Se elige una corriente por R5 y R6 superior a la de la base. La corriente por la base de Q2 es:

Aproximando a valores comerciales Clculo de R6

Aproximando a valores comerciales

Se elige una corriente de colector de 10 mA, un punto de funcionamiento en clase A y una tensin de emisor de 1.3 V. A partir de estos datos se disean las resistencias:

Aproximando a valores comerciales

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Calcular R4:

La ganancia de la etapa es:

Ze2=1778.83 A=9dB Siendo la ganancia

Clculo de C3:

Clculo de R1 y R2:

Aproximando a valores comerciales

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Aproximando a valores comerciales

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SIMULACIN DEL CIRCUITO

Amplificador tipo AB

Seal de entrada

Seal de Salida

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Relacin de las dos seales

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Potencia en la carga

Vmetro

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CONCLUSIONES
Un amplificador clase AB, se utiliza para manejar potencias altas
Este tipo de amplificador presenta menor distorsin en su funcionamiento,

por ese motivo al enviar una seal de sonido la salida es amplificada y con muy poco ruido.

RECOMENDACIONES
Para a generacin de la placa en baquelita es necesario tener cuidado con la potencia con la que estamos trabajando, ya que al tener una intensidad de corriente muy alta nuestros elementos corren riesgo de dao permanente. Tomar en cuenta la energa calrica emitida por los elementos del amplificador Al generar el circuito impreso tomar en cuenta la simulacin del mismo, mas no generar el circuito en ares sin una previa revisin

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