Dispositivos Semiconductores

TEMA 4.
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

1
1. Introduccin.
2. El diodo semiconductor: unin p-n no polarizada, potencial de contacto.
3. Unin p-n polarizada, ecuacin de Schockley.
4. El transistor bipolar (BJT): configuracin en base comn y configuracin en emisor
comn;
5. El transistor como amplificador y conmutador.
6. Transistores de efecto de campo (FET).

1. INTRODUCCIN
La difusin de portadores es un fenmeno tpico de los semiconductores. Mediante
la adicin de impurezas aceptoras o donadoras se crean fcilmente gradientes de concen-
tracin de electrones, o de huecos, que originan flujos de difusin de portadores mayorita-
rios con densidades de corriente.
J
p
= - qD
p
dp/dx J
n
= qD
n
dn/dx
Estos flujos son el fundamento de los procesos que ocurren en los diodos de unin.
Tambin es el fundamento de los transistores de unin bipolar, BJT. Por ltimo se estudia-
ra el transistor de efecto de campo, FET, que es un dispositivo controlado por una tensin,
a diferencia del BJT que est controlado por una corriente. En todos ellos existen uniones
PN (o NP).

2. UNION P-N NO POLARIZADA
2.1. Generalidades
Se obtiene una unin cuando un monocristal semiconductor (Si, Ge, AsGa,...) se
dopa sucesivamente con impurezas aceptoras y donadoras, de forma que se tengan dos
zonas yuxtapuestas, P y N, de semiconductores extrnsecos tipo-p y tipo-n respectivamen-
te. Entre ellas, en la interfase, aparece una tercera zona llamada de transicin, de de-
plexin, de carga espacial o de vaciamiento, que es de pequesimo espesor, del orden del
m. Es en la zona de transicin donde tienen lugar los procesos fundamentales, de rectifi-
cacin, absorcin y emisin de luz, etc., que ocurren en las diversas clases de dispositivos
de unin.
Las zonas P y N son neutras, el nmero de huecos (o de electrones) mviles mayo-
ritarios en la BV (o en la BC) es igual al nmero de aniones de impureza aceptora (o dona-
TEMA 4. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

2
dora) fijas en la red. Despreciando los minoritarios, a T = 300 K, las concentraciones de
portadores mayoritarios, huecos en la zona P de valor p
p
y electrones en la zona N de valor
n
n
son:
p
p
N
a
n
n
N
d

En la zona de transicin confluye el flujo de electrones, mayoritarios en la zona N,
que por difusin se inyectan en la zona P y anlogamente, los huecos de la zona P se inyec-
tan en la zona N.
La zona de transicin prcticamente no contiene portadores, est vaca de electro-
nes y huecos de conduccin, las cargas de los iones de impurezas no se compensan con la
carga opuesta de sus correspondientes portadores. Se forma una distribucin dipolar de
carga: negativa, de aniones aceptores, junto a la zona P y otra de carga positiva, de catio-
nes donadores, junto a la zona N.
Por tanto, la zona de transicin queda subdividida en dos subzonas con cargas nega-
tiva y positiva respectivamente.
Como consecuencia de esta distribucin dipolar aparece un campo electrosttico
interno, E
i
, dirigido de la zona N a la zona P, que genera tres efectos interrelacionados:

1) E
i
en la zona de transicin crea una diferencia de potencial, V
o
, de contacto entre las
zonas neutras, zona P y zona N, y con ello se establece una barrera energtica equiva-
lente al producto de la carga del portador por la diferencia de potencial, esto es, eV
o
,
que se opone a los dos flujos de difusin de electrones y de huecos.

2) Los electrones y huecos minoritarios en las zonas P y N respectivamente, de concentra-
ciones n
p
y p
n
, que no tienen posibilidad de difundirse y estn en las cercanas, o dentro
de la zona de transicin, son arrastrados por E
i
originando sendas corrientes de arrastre,
I
sn
e I
sp
, de sentido opuesto a las corrientes de difusin I
dn
e I
dp
. Las corrientes inversas
de saturacin I
sn
e I
sp
, tienen una magnitud del A, son cuasi independientes de V
o
y de-
penden de la temperatura que regula las concentraciones de minoritarios p
n
y n
p
.


3
3) En el equilibrio trmico ambas corrientes, de difusin y arrastre, se compensan y dan
lugar a un equilibrio dinmico en el cual los niveles de Fermi, E
Fp
y E
Fn
, de una y otra
zonas neutras, P y N, se igualan.

I
dn
+ I
sn
= 0 E
Fp
= E
Fn

I
dp
+ I
sp
= 0

Por simplicidad se ha supuesto un semiconductor en forma de barra, cuya rea de seccin
recta es A y con su eje segn X O . Esta restriccin no resta generalidad a los resultados,
que coinciden con los obtenidos experimentalmente con otras geometras.
Insistamos que en la zona de transicin V(x) vara y existe un campo E(x), mientras que
las zonas P y N del semiconductor, fuera de la zona de transicin, son equipotenciales. Las
zonas P y N se comportan como conductores hmicos, cuyas conductividades dependen de
la concentracin de impurezas, N
a
y N
d
. En la zona de transicin, tiene lugar el salto de
potencial, V
o
, entre una y otra zona. En sta se forma una doble capa de cargas opuestas
normales a X O . Por todo ello, en esta zona de transicin residen las propiedades:

a) de conduccin no lineal, (rectificacin de corriente, condensador de capacidad varia-
ble, regulador de tensin y como puerta lgica en un circuito digital), y
b) de interaccin fotnica, (fundamento para la construccin del diodo lser, el diodo
emisor de luz o LED, el fotodetector y la clula solar).

En la Figura 1 se muestra el paso del electrn de la zona p a la zona n. A continua-
cin se forma la zona de transicin ZT donde ya estn los iones positivos en el lado n y
negativos en el lado p. Las zonas P y N son neutras, la zona de transicin, ZT, cuya anchu-
ra W se ha amplificado, est cuasi vaca de portadores y contiene una carga dipolar debida
a las cargas de los iones de impurezas aceptoras o donadoras. Estos iones estn fijos en la
estructura reticular del semiconductor cuya red no se deforma en el dopado. Esta carga
dipolar origina el campo elctrico E dirigido de n a p, mostrado en la figura inferior


4

Figura 1
Hay que destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya
que en cada cristal, el nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos
decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0). Al unir
ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p indicada por la
corriente Je. A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin
embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p,
crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una
determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y ter-
minar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las
zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V
o
) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si
los cristales son de germanio.

E
W
E
W
e
-
E
W
E
W
e
-

5
Por otra parte la densidad (x) de carga se indica en la Figura 2. De acuerdo con el princi-
pio de conservacin de la carga es:

= +
+

n
p
0
0
0
x
x
dx dx

Figura 2
La Figura 2 muestra:
a) La densidad (x) de carga de la distribucin dipolar en la zona de transicin,
ZT.
b) El salto de potencial en la zona de transicin entre P y N.

0
V V V Edx
p n
x
x
n
p
= =

La Figura 3 muestra la variacin de energa de los electrones:
E(x) = -qV(x), q = e = 1610
-19
C
Hay que tener en cuenta que el dopado no altera la anchura de la banda prohibida, E
g
, por
tanto se verifica que:
E
gp
= E
cp
E
vp
= E
cn
E
vn
= E
gn

En el equilibrio los niveles de Fermi E
Fp
y E
Fn
se igualan, E
Fp
= E
Fn

Figura 3
E
cp
E
vp
E
Fp
E
Fn
eV
o
E
gp
E
gn
E
cp
E
vp
E
Fp
E
Fn
eV
o
E
gp
E
gn

6
La figura 4 muestra el sentido y la magnitud de los flujos de portadores y sus co-
rrientes de difusin () y de arrastre ()

Flujo de partculas Corriente
Difusin
Arrastre
Difusin
Arrastre
h
+

h
+

e
-

e
-

h
+

h
+

e
-

e
-

Figura 4

2.2. Potencial de contacto, V
o
El potencial de contacto V
o
genera una barrera energtica que han de saltar los por-
tadores que se difunden y limita este proceso. El campo E
i
, crea un flujo de arrastre, co-
rriente inversa de saturacin, en sentido inverso al flujo de difusin.
En el equilibrio isotrmico ambos flujos se compensan y la corriente neta de la
unin PN es nula: J
p
(x) = J
n
(x) = 0.
Refirindonos a los huecos se sigue:
La suma de las densidades de corriente de difusin, de los mayoritarios, y de arras-
tre, de los minoritarios, se anula.
J
p
(x) = q[
p
p(x)E(x) - D
p
dx
) x ( dp
] = 0
P
N
Ei
h+ h+ h+
h+
h+
h+
h+
h+
h+
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
J
sn
J
dn
J
dp
J
sp
P
N
Ei
h+ h+ h+
h+
h+
h+
h+
h+
h+
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
Ei
h+ h+ h+
h+
h+
h+
h+
h+
h+
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
e-
J
sn
J
dn
J
dp
J
sp
J
sn
, densidad de corriente de arrastre de e de P a N (minoritarios)
J
dn
, densidad de corriente de difusin de e de N a P (mayoritarios)
J
sp
, densidad de corriente de arrastre de h de N a P (minoritarios)
J
dp
, densidad de corriente de difusin de h de P a N (mayoritarios)
J
sn
, densidad de corriente de arrastre de e de P a N (minoritarios)
J
dn
, densidad de corriente de difusin de e de N a P (mayoritarios)
J
sp
, densidad de corriente de arrastre de h de N a P (minoritarios)
J
dp
, densidad de corriente de difusin de h de P a N (mayoritarios)

7

dx
) x ( dp
) x ( p
1
) x ( E
D
p
p
=

Recordando que:

q
kT D
=
y
dx
) x ( dV
) x ( E =

) x ( p
) x ( dp
) x ( dV
kT
q
=
Las zonas P y N son prcticamente equipotenciales, el salto de potencial se realiza a
lo largo de ZT. En uno y otro lado de esta zona las concentraciones y los potenciales son:
N
a
p
p
y N
d
n
n
, V
p
y V
n

Integrando:

=
n
p
n
p
V
V
P
P
p
dp
) x ( dV
kT
q
: V
o
= V
n
V
p
=
n
p
p
p
ln
q
kT
(1)
Como p
p
n
p
= p
n
n
n
= n
2
i
o bien, N
a
n
p
p
n
N
d
n
2
i
, el potencial de contacto, V
o
, es:
V
0
= : ln ln
2
d
i
a
n
p
N
n
N
q
kT
p
p
q
kT
= ) 2 (
n
N N
ln
q
kT
V
2
i
d a
0
=
V
o
, a T = 300 K es del orden de dcimas de voltio.
Igual resultado se obtendra anulando J
n
(x).
La expresin (1) puede escribirse como:
p
n
= p
p
kT
qV
0
e

Que est de acuerdo con la ley maxweliana de equilibrio entre las poblaciones p
p
y p
n
de
dos niveles energticos de separacin E
2
- E
1
= qV
0
. Fig. 5.

Fig. 5
La ltima expresin puede formularse como:
kT
qV
p
n
n
p
0
e
n
n
p
p
= =
y se denomina LEY DE EQUILIBRIO
qV
0
Pp
P
n
2
E
1

8
2.3. La unin abrupta*
El modelo de unin abrupta idealiza la funcin (x) de cambio gradual (Figura 2) y
difcil de modelar por una funcin matemtica, por dos escalones a x
p
< x < 0: (x) = -eN
a

y 0 < x < x
n
: (x) = eN
d,
Fig. 6a. Este modelo es muy til para el clculo y sus resultados
concuerdan con las medidas obtenidas experimentalmente.

=
a
eN
dx
dE

=
d
eN
dx
dE

Fig. 6 a y b
De acuerdo con las leyes de la Electrosttica se verifica:
1) La conservacin de la carga:
Q
+
+ Q
-
= 0: ex
p
AN
a
= ex
n
AN
d
: x
p
N
a
= x
n
N
d

x
p
+ x
n
= W
De donde resulta:
,
N N
WN
x
d a
d
p
+
=
d a
a
n
N N
WN
x
+
= (3)
Las igualdades (3) nos miden la penetracin de la zona de carga en las semizonas p
y n de la zona de transicin del semiconductor.
2) La determinacin del campo electrosttico a partir del Teorema de Gauss en forma di-
ferencial:
-x
p
x
n
x
eN
d
-eN
a
(x)
-x
p
x
n
E(x)
x
E
m
a)
b)
-x
p
x
n
x
eN
d
-eN
a
(x)
-x
p
x
n
E(x)
x
E
m
a)
b)

9
Tomemos un cilindro infinitesimal en el semiconductor, con seccin recta de rea A y
longitud, dx. La carga en su interior es dq = Adx, y el flujo neto del campo electrosttico
es segn fig. 7 el flujo saliente menos el flujo entrante y por el teorema de Gauss tenemos:

Fig. 7
( )
= = =
|
|
\
|
|
\
|
+ = + = = =
dx
x dE Adx
dxA
dx
x dE
A x E dx
dx
x dE
x E A x E dx x E dS x E
dq
d
x x
) ( ) (
) (
) (
) ( ) ( ) ( ) (
:
La densidad de carga vale: ) (
a d
N N n p q + = donde q = e.
Teniendo en cuenta que para:

a p
eN x x = , 0
d n
eN x x = , 0
Resulta:

) (
a d
N N n p q
dx
dE +
= =
En la Zona de Transicin, p = n = 0

El cambio de pendiente indica que E (0) = E
m
es un valor extremo, mnimo de la fun-
cin E(x), fig 6b.
0 < x < x
n

=
0
E
x
0
d
m
n
, dx
eN
dE E
m
=
n
d
x
N
e
(4)
-x
p
< x < 0

=
m
p
E
0
0
x
a
, dx
eN
dE E
m
=
p
a
x
N
e
(5)

0
0
> =
< =
d
a
N
e
dx
dE
eN
dx
dE

E(x + dx)
E(x)
A
dx

10
E(x) = :
dx
) x ( dV
V
0
= V (x
n
) V (-x
p
) =
n
p
x
x
dx ) x ( E
3) Clculo de la anchura, W, de la ZT.
V
o
es la diferencia de potencial que se establece entre las dos zonas neutras a travs de
la zona de carga, y vale:

+ =
n
p
x
0
0
x
0
dx ) x ( E dx ) x ( E V
El valor de V
o
es igual al rea del tringulo rayado Fig., 6.b de base W y altura el valor
mximo del mdulo del campo, E
m
:
V
o
=
d a
a
d n
d
N N
WN
N
e
2
W
x
eN
2
W
2
WE
+
=
=
Despejando W de la igualdad anterior, resulta:
W =
2
1
d a
0
N
1
N
1
e
V 2
(
|
|
\
|
+
(6)
La anchura W de la ZT disminuye al aumentar las magnitudes del dopado N
a
y N
d
.

2.4. Capacidad de la unin*
En la ZT la carga espacial Q = Q
n
= |Q
p
| vale:
Q = eN
d
x
n
= eN
d
W
2
1
d a
d a
o
d a
a
N N
N N
V e 2
N N
N
(
+
=
+
(7)
Como hemos indicado, de estas relaciones se establece una analoga con un con-
densador, formado por una doble capa. An cuando son constantes N
a
y N
d
y por consi-
guiente lo es V
o
, se puede variar el salto de potencial polarizando el semiconductor me-
diante una diferencia de potencial V aplicada entre las zonas P y N, de forma que el nuevo
salto de potencial V
0
sea V
0
+ V y en este caso la carga espacial tiene por expresin: Q =
2 / 1
d a
d a
0
N N
N N
e 2 V
|
|
\
|
+
. Se define la capacidad dinmica C como el cociente
dV
dQ
o
, de don-
de resulta:
dV
0
= d (V
0
+ V) = dV, C =
2 / 1
0
0
V
2
1
dV
dQ
dV
dQ

= =
2 / 1
d a
d a
N N
N N
e 2
|
|
\
|
+
(8)

11
Ej.1 Se considera la unin PN en una barra de un monocristal de Ge con: N
d
= 10
22
m
-3
y
N
a
= 310
24
m
-3
, n
i
= 2,510
19
m
-3
. Determinar a 300 K: a) La diferencia de potencial de
barrera V
0
, y b) la diferencia entre E
i
y E
F
en una y otra regin, fig. 8.

Fig. 8

La unin no modifica E
G
= E
C
- E
V
ni tampoco
2
E E
E
V C
i
+
= en una y otra regin neutra.
La energa de la zona de tipo n disminuye en qV
0
.

V
T
=
q
kT

A 300 K

b) p
p
= n
i
kT / ) E E (
Fp ip
e

n
n
= n
i
kT / ) E E (
in Fn
e

E
ip
- E
Fp
= eV
n
N p
V
i
a p
T
304 , 0
10 5 , 2
10 3
ln 026 , 0 ln
19
24
=

E
Fn
- E
in
= eV
n
N n
V
i
d n
T
155 , 0
10 5 , 2
10
ln 026 , 0 ln
19
22
=

E
Fn
= E
Fp
: qV
0
= E
ip
- E
in
= (0,304 + 0,155) eV = 0,459 eV

V
T
= 0,026 eV
qV0
cp
E
vp
ip
cn
E
in
E
vn
E
Fn
Fn
a) V
0
= V
T
=
2
i
d a
n
N N
ln 0026
( )
=

2
19
24 22
10 5 , 2
10 3 10
ln 0,459 V

12
Ej. 2*. Suponiendo que era una unin abrupta la unin PN del cristal del ejemplo anterior
y sabiendo que = (Ge) = 16 y que el rea de la seccin recta de la barra es A =
0,3 mm
2
. Calcular:
a) La anchura W de la ZT
b) Las penetraciones x
p
y x
n
de la ZT en las zonas P y N respectivamente
c) Las cargas Q
+
= -Q
-
contenidas en la ZT
d) Campo elctrico mximo en la unin, E
0

a)
2
1
22 24 19
12 2
1
0
10
1
10 3
1
10 6 , 1
459 , 0 ) 10 849 , 8 16 ( 2 1 1 2
(
\
|
+

=
(
|
|
\
|
+ =

d a
N N q
V
W

=
= 2,8210
-7
m = 0,282 m
b) m
N N
N
W x
d a
a
n
282 , 0
10 10 3
10 3
282 , 0
22 24
24
=
+

=
+
=
m
N N
N
W x
d a
d
p
001 , 0
10 10 3
10
282 , 0
22 24
22
=
+
=
+
=
c) Q
+
= -Q
-
= qN
d
x
n
A = 1,610
-19
10
22
0,28210
-6
310
-6
= 1,3410
-11
C
d) m V
x N
q E
n d
/ 10 187 , 3
10 849 , 8 16
10 282 , 0 10 10 6 , 1
6
12
6 22 19
0
=

= =

Ej. 3. En un semiconductor (n
i
= 10
19
m
-3
, = 10) se forma una unin PN. Las conducti-
vidades y movilidades de las regiones P y N respectivamente son:

p
= 810
2
(m)
-1

p
= 0,2
S V
m
2

n
= 410
3
(m)
-1

n
= 0,4
S V
m
2

Calcular:
a) El potencial de contacto.
b)* La capacidad de transicin si el rea de la seccin recta del diodo es A
= 1,5 mm
2
.

n
= q
n
n
n
q
n
N
d
:
n
n
d
q
N
= , anlogamente:
p
p
a
q
N
=

13
V
n q
V
n
N N
V V
i p n
p n
T
i
d a
T
43 , 0
) 10 ( 2 , 0 4 , 0 ) 10 6 , 1 (
10 8 10 4
ln 026 , 0 ln ln
2 19 2 19
2 3
2 2 2
0
=

= = =

|
|
\
|

=
|
|
\
|
+
=
p
p
n
n 0
d a
0
e
e
e
V 2
N
1
N
1
q
V 2
W =
m
5
2 3
12
10 63 , 1
10 8
2 , 0
10 4
4 , 0
43 , 0 10 85 , 8 10 2

= |
\
|
=
pF F
W
A
C 13 , 8 10 13 , 8
10 63 , 1
10 5 , 1
10 36
10
12
5
6
9
= =

= =

Ej. 4: La forma geomtrica de un esquema de bandas de una unin PN, no polarizada, en
unidades kT, son unas lneas quebradas. A la temperatura de 27 C se conocen los
valores: E
VP
= 0, E
CP
= 60 kT eV, E
FN
E
iN
= 15 kT eV, E
iP
E
FP
= 10 kT y
W = 5 m.
a) Dibujar el diagrama de bandas.
b) Calcular V
0
, E
i
y (x)

a) Cuando se produce la unin isoterma ocurre:
- La anchura de la banda prohibida, 60 kT, permanece constante en P y N.
- Los niveles de Fermi se igualan.
- Se determinan los valores de E
i
en la zona P y N, con origen en el nivel nico de
Fermi como sigue:
E
FN
E
iN
= 15 kT : E
CN
E
FN
= 15 kT
E
iP
- E
FP
= 15 kT : E
CP
E
FP
= 40 kT

Fig. 9
E
CP
E
CN
= 40 kT 15 kT = 25 kT

CP = 60 kT
EVP = 0
iP
CN
E
VN
E
FN
FP
W = 5
m
15 kT
E = 25 kT eV = eV0
15 kT
10 kT
40 kT
P
N
EiN

14
b) V 026 ' 0
e
) C 27 ( kT
= ; V
e
kT
e
E
V 65 , 0 026 , 0 25
25
0
= = =
=
m
V
m
V
W
V
dx
dV
E
6
6
0
10 13 , 0
10 5
65 , 0
=
= = =

Supuesto rectilneo el salto de potencial V
0
, la 0
dx
V d
2
2
= , en la ZT. Por consiguiente
la carga de esta zona se encuentra en forma pelicular en las interfaces de la zona P con ZT
y de ZT con N.

Fig. 10
Ej. 5: Con un semiconductor de n
i
= 10
16
m
-3
, E
G
= 60 kT, se realiz una unin p
+
-n no
polarizada (N
a
= 210
22
m
-3
, N
d
= 510
20
m
-3
) a 27C. Dibujar el diagrama de ban-
das (en unidades kT).
KT(27C) = 0,026 eV; V
e
kT
026 , 0 = ; V V V 65 , 0
10
10
ln 026 , 0
32
43
0
= =
kT kT
eV
kT
V
kT
kT
eV
eV E
o
25
026 , 0
65 , 0
026 , 0
0
0
= = = = =
kT
) E E (
i n d
FN iN
e n n N

= : E
FN
E
iN
= kT
n
N
kT
i
d
6 , 24 ln =
kT
) E E (
i p a
iP FiP
e n p N

= = : E
iP
- E
FP
= kT
n
N
kT
i
d
3 , 28 ln =
Desde la recta E
FP
= E
FN
se sitan E
iP
y E
iN
y desde estas E
CP
y E
VN
. A partir de la
prolongacin de E
CP
se sita E
CN
bajando de 25 kT eV.

Fig. 11
V(x)
(x)
x)
x)
0'65 V
CP
EVP
iP
CN
EVN
EFN
FP
30 kT 25 kT eV
28'3 kT
EiN
24'6 kT
P
N

15
3. UNION POLARIZADA
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, V, por medio de una batera
se dice que el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.
En los circuitos el diodo se representa por el smbolo dado por la Fig. 12

Figura 12
donde al extremo p se le denomina nodo, A, y al n ctodo, C.
3.1. Polarizacin directa.
En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,
permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo
polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo de
la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo, como se observa en la Figura 13.

Figura 13

En estas condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que
estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
A (p)
C (n)
A (p)
C (n)

16
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la di-
ferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n,
adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales pre-
viamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de
carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en
electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positi-
vo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p,
desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones
de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta
el final.

3.2. Polarizacin inversa.
En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la
zona n, como se muestra en la Figura 14, lo que hace aumentar la zona de transicin, W, y
la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como
se explica a continuacin:

Figura 14
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales sa-
len del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta

17
llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los to-
mos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el
orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia) y
una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la
zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo
que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tie-
nen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado
hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en
la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren
estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1,
convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto
de la temperatura se formarn, por roturas de enlaces, pares electrn huecos a ambos lados
de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente
inversa de saturacin. Adems, existe tambin una llamada corriente superficial de fugas
la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del
diodo, ya que en la superficie los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos
para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace
que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos
en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos.
No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fugas
es despreciable.


18
Desde un punto de vista energtico, dependiendo de que la polarizacin sea directa o in-
versa, la diferencia de potencial, V, se resta o se adiciona a V
o
, de forma que la barrera de
potencial disminuye, e (V
o
-V), o aumenta e (V
o
+V), facilitndose o dificultndose, los flu-
jos de difusin de huecos o de electrones sin que se altere el valor de las corrientes de
arrastre de minoritarios, como se muestra en la Figura 16 b) y c).

Figura 16
Como trmino de comparacin se ha incluido en la Figura 16 a) la unin no polarizada. Es
importante observar que:
Haciendo
e
kT
V
T
= , V K V
T
026 , 0 ) 300 ( se tiene que si es n el nmero de electrones
capaces de saltar la barrera energtica, se tiene:

P N
W
V = 0
-
-
+
+
P
V > 0
I(mA)
P N
V < 0
I
s
(mA)
E
i
(O)
E
i
(V)
E
i
(-V)
a)
b) c)
W
V
o
V(x)
x)
V
o
-V
V(x)
x)
V
o
+V
V(x)
x)
P N
W
V = 0
-
-
+
+
P
V > 0
I(mA)
P N
V < 0
I
s
(mA)
E
i
(O)
E
i
(V)
E
i
(-V)
a)
b) c)
W
V
o
V(x)
x)
V
o
-V
V(x)
x)
V
o
-V
V(x)
x)
V
o
+V
V(x)
x)
V
o
+V
V(x)
x)
eV
o
E
Fp
e (V
o
-V)
e (V
o
+V)
eV
eV
E
Fp E
Fn
E
Fn
E
Fp
E
Fn
E
CP
E
VP
E
CN
E
VN
eV
o
E
Fp
e (V
o
-V)
e (V
o
+V)
eV
eV
E
Fp E
Fn
E
Fn
E
Fp
E
Fn
E
CP
E
VP
E
CN
E
VN

19
T o
V / V
no
e n n

=

T o
V / ) V V (
no
e n n

=

T o
V / ) V V (
no
e n n
+
=
J
sn
J
sn
J
sn

J
dn
J
dn
J
dn

|J
sn
| = J
dn
|J
sn
| < J
dn
|J
sn
| > J
dn

a) En conformidad con la experiencia las zonas neutras, P y N, con equipotenciales, salvo
una pequea cada hmica. La diferencia de potencial de polarizacin V se produce en
la zona de transicin.
b) La anchura W y el campo interno E
i
disminuyen con la polarizacin directa y aumen-
tan con la polarizacin inversa. Esto se explica fcilmente porque si se aplica un poten-
cial externo positivo al lado n, como se hace en la polarizacin inversa, se est aumen-
tando el campo total a travs de la unin. Las cargas libres originadas se movern por
accin del campo. El resultado es la aparicin de ms iones positivos y negativos a am-
bos lados. La zona se ensancha y no contiene cargas libres. Si el potencial externo es
positivo en el lado p, ocurre lo contrario y la zona de transicin se estrecha.
c) Dado que E = qV (y para los electrones, q = -e) entre las bandas E
cp
y E
cn
, E
vp
y E
vn
,
y los niveles de Fermi se produce un salto energtico E(x) = -eV(x).
Al subir el potencial en la zona P el colectivo n
n
disminuye su energa potencial.
Cuanto mayor es el crecimiento del potencial V en la zona de transicin: V
0
V < V
0
<
V
0
+ V, tanto mayor es la magnitud del salto energtico E = -e(V
0
+ V), E
o
= -eV
o
,
E = -e(V
o
V) de energa potencial de los electrones.
d) Para V = 0 y en estado de equilibrio isotrmico estn igualados los niveles de Fermi
E
Fp
= E
Fn
. Cuando se polariza la unin, los niveles de Fermi se diferencian: si V > 0
E
Fn
sube, eV; si V < 0, E
Fn
baja.
En el caso V = 0 la corriente neta es nula, se compensan los flujos de difusin y de
arrastre:
|J
sn
| = J
dn
; |J
sp
| = J
dp

J = J
dn
J
sn
+ J
dp
J
sn
= 0

20
e) El nmero de electrones, n, capaz de saltar la barrera energtica es proporcional a la
potencia de base e y exponente (V
0
V)/V
T
potencial de polarizacin de la zona de
transicin:
n(V
0
) : n(V
0
- V) : n(V
0
- V) ::
T
0
V
V
e
:
T
0
V
V V
e

:
T
0
V
V V
e
+

f) La corriente inversa de saturacin, de smbolo , no depende de la barrera energti-
ca:
J
sn
(V
o
) = J
sn
(V
0
-V) = J
sn
(V
0
+V) = J
sn

La corriente de difusin, de smbolo, es proporcional a n, y se verifica que:
J
dn
(V
0
-V) > J
dn
(V
o
) = |J
sn
| > J
dn
(V
0
+V)
La densidad de corriente neta, J, en cada caso es:
Con polarizacin nula J = J
d
+ J
s
= 0.... J
d
= |J
s
| A
Con polarizacin directa J (mA) J
d
+ J
s
>0
Con polarizacin inversa J (-A) J
d
+ J
s

Si en lugar de referirnos a electrones lo hacemos con huecos, el razonamiento y los
resultados son anlogos cambiando los signos de los saltos energticos.

3.3. Caractersticas de un diodo ideal. Ecuacin de Shockley
En una unin idealizada se suponen las siguientes hiptesis:
1) La unin es abrupta y monodimensional.
2) La zona de transicin est vaca de portadores.
3) El salto de potencial, V
0
V, est localizado en la zona de transicin.
4) El nmero n de portadores capaces de saltar la barrera de potencial es:
T
o
V
V V
Ce n

=
5) Las uniones del diodo con el circuito son hmicas y estn relativamente alejadas
de la zona de transicin. Esta ltima condicin se introduce, porque en los ca-
sos usuales, la corriente de difusin de minoritarios se atena exponencialmen-
te al alejarse de los bordes de la zona de transicin y debe ser prcticamente
nula en las uniones del diodo.
Si es
e
kT
V
T
= y de acuerdo con la ley del equilibrio:

21
V = 0 : J
n
= J
dn
+ J
sn
= 0 J e C
sn
V
V
n
T
0
= +
: J
sn
=
T
0
V
V
n
e C

Donde se ha supuesto que la corriente de difusin es proporcional al nmero n de
electrones que pueden saltar la barrera de potencial.
V 0 : J
n
= -J
sn
+ =
T
0
V
) V V (
n
e C -J
sn
+ =
T T
0
V
V
V
V
n
e e C |J
sn
| ) 1 e (
T
V
V

Anlogamente para los huecos, J
p
= |J
sp
| ) 1 e (
T
V
V

La densidad de corriente inversa de saturacin total es, J
s
:
J
s
= J
sn
+ J
sp

La densidad de corriente total, J, es la suma de las densidades de corriente de elec-
trones y de huecos:
J = J
n
+ J
p

La intensidad, I, total se obtiene multiplicando por el rea A de la seccin recta del
diodo:
) 1 e ( | I | I
T
V
V
S
= Ecuacin de Schockley.

Para polarizaciones directas, V > 0, la corriente crece exponencialmente. La unin
PN es conductora. Para polarizacin inversa, V < 0, la corriente es muy pequea, cuasi la
de saturacin, y la unin PN no es conductora. Todo ello hace que un diodo PN sea rectifi-
cador, solo deja pasar la corriente en un sentido.
La curva caracterstica del diodo se representa en la Figura 17.

Fig. 17


22
Donde los parmetros representados son:
Tensin umbral, de codo o de partida (V
).
La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coin-
cide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al po-
larizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incremen-
tando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la
tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma
que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la inten-
sidad.
Corriente mxima (I
max
).
Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto
Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende
sobre todo del diseo del mismo.
Corriente inversa de saturacin (I
s
).
Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la forma-
cin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada
incremento de 10 en la temperatura.
Corriente superficial de fugas.
Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa),
esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin,
aumenta la corriente superficial de fugas.
Tensin de ruptura (V
r
).
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalan-
cha.

Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de
saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo nor-
mal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de
diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares
electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es
elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al cho-
car con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos
electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms elec-
trones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que
provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin supe-
riores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la
anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como co-
ciente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d
sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 310
5
V/cm. En estas condicio-

23
nes, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose
la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener,
se puede producir por ambos efectos.

Ej.6: Para determinar la corriente inversa de saturacin, I
S
, de un diodo de unin se mon-
t el circuito que se adjunta. Calcular I
S
y la resistencia del diodo si se invierte su
polarizacin.

Fig. 18

Se tiene:
mA I 92 , 0
10 5
6 , 4
3
=
=
La tensin de polarizacin directa del diodo es V = 5 4,6 = 0,4 V
A
e e
I
I
T
V
V
S
10
026 , 0
4 , 0
4
10 9 , 1
10 2 , 9
1

=
Al invertir la polarizacin es : I = I
S
= 1,910
-10

V
R
= 510
3
1,910
-10
= 9,510
-7
V 0
La tensin aplicada al diodo es: V = 5 V
La resistencia del diodo en esas condiciones es =
= =

9
10
10 3 , 26
10 9 , 1
5
A
V
I
V
R
D
D

V
V = 5 V
5
V
R
= 4,6 V
V
V = 5 V
5
V
R
= 4,6 V

24
3.4. Anlisis del circuito de un diodo
La batera (o dispositivo equivalente) que polariza al diodo conecta su polo positivo
a la unin hmica, M
p
, metal-semiconductor, tipo P. La batera suministra una corriente I y
el diodo es recorrido por los flujos de huecos y electrones que originan cuatro corrientes,
fig. 19a y b

Fig. 19a
En todo instante y en cualquier seccin del diodo semiconductor se verifica:
I
pp
+ I
np
= I
pn
+ I
nn
= I
En el contacto M
p
, metal-semiconductor tipo P, Fig. 19b, por la batera se extraen
electrones y por consiguiente se generan huecos. Estos compensan la prdida de huecos
debido a la corriente I
pp
, que se dirige hacia la zona de transicin, de forma que la concen-
tracin de huecos en P, p
p
, es prcticamente constante, p
p
N
a.

Fig. 19b

I > 0 V > 0
+ -
M
p
M
n
h
+
e
-
e
-
e
-
Inyeccin
Uniones metal-semiconductor
P
N
P ZT N
I
pp
I
np
I
nn
I
pn
Smbolo de huecos
Smbolo de electrones
I
pp
corriente de huecos en la zona P
I
pn
corriente de huecos en la zona N
I
nn
corriente de electrones en la zona N
I
np
corriente de electrones en la zona P
I corriente total que circula por el diodo
I I

25
Simultneamente, la corriente de electrones, I
np
inyectados en la frontera de la zona
P, se van difundiendo y recombinando con parte de los huecos de P, y esto hace que la co-
rriente I
np
no sea constante, sino que vaya disminuyendo conforme nos acercamos a la zona
de transicin, Fig. 19a.
Los huecos no recombinados alcanzan la zona de transicin y saltan la barrera de
potencial energtica e (V
0
V) y se inyectan en la zona N.
Estos huecos inyectados, minoritarios en la zona N, originan una corriente de difu-
sin, I
pn
, que avanza por esta zona. La corriente I
pn
se va atenuando exponencialmente al
recombinarse con los electrones mayoritarios de la zona N, Fig. 19.
Anlogamente, por el contacto M
n
, metal-semiconductor tipo N, conectada al polo
negativo, introduce electrones en la zona N, que compensan la prdida de stos electrones
debida a la corriente I
nn
, de forma que permanece prcticamente constante la concentracin
de electrones en N, n
n
, de sta zona.
Cuando los electrones no recombinados alcanzan la zona de transicin saltan la
barrera energtica e (V
0
V) y se inyectan en la zona P, originando una corriente de difu-
sin de minoritarios, I
np
, que se va atenuando exponencialmente por recombinacin al ale-
jarse de la zona de transicin con los huecos, mayoritarios en P.
A distancias suficientemente grandes de la zona de transicin, se verifica que am-
bas corrientes de minoritarios I
pn
= I
np
= 0, y consecuentemente I
pp
= I
nn
= I.

3.5. DIODO REAL
Un diodo real difiere en algunos aspectos del diodo ideal tan exitosamente modeli-
zado por Schockley. En la Fig. 20 se indican las caractersticas I = f(V) para dopados de
magnitud media de los semiconductores Ge, Si y AsGe.

Fig. 20

I(mA)
Ge
V
D
(V)
Si AsGa
0'3 V 0'7 V 0'9 V
200
50
100
150

26
Fundamentalmente hay dos clases de diferencias entre los diodos ideal y real:

3.5.1. Polarizacin directa
En los diodos reales existe un voltaje umbral, V
, tal que si no se alcanza no se inicia el

paso de corriente. La Fig. 20 indica algunas tensiones umbrales, V
(Ge) = 03 V, V
(Si) =
0,7 V y V
(AsGe) = 0,9 V.
En aproximacin prctica, cuando el diodo forma parte de un circuito se sustituye el
diodo ideal por un generador de fuerza electromotriz = - V
y una pequea resistencia R

d

0, Fig. 21
.

Fig. 21

Ej.7: Calcular la intensidad que recorre el circuito en los casos de que el diodo sea de Si o
de Ge.

Fig. 22

mA
k
V
Si I 65 , 4
2
) 7 ' 0 10 (
) ( =
= mA
k
V
Ge I 85 , 4
2
) 3 , 0 10 (
) ( =
=
I
Vab
I
Vab
a
b
a
b
R
D
V

tg
= 1/R
D
/2
R
D
= 0
+ 10 V
R = 2 K

27
Ej. 8: Sabiendo que la tensin umbral del silicio es V
(Si) = 0,7 V determinar la intensi-

dad I
D
que recorre el diodo y la diferencia de potencial en la resistencia de 3 k.,
fig.22

Fig. 22

Calculando el circuito equivalente de Thvenin entre los nudos a y b:
V 6 4
4 8
18
V
TH
=
+
= y =
+
= K
3
8
8 4
4 8
R
TH

Como el orden de las tensiones es del voltio y de las resistencias del K se puede
sustituir la caracterstica del diodo por su tensin umbral; V
= 0,7 V. En este caso,

mA I
D
93 , 0
3
3
8
7 , 0 6
=
+
= y la cada de tensin en la R = 3 K es V = 0,933 = 2,79 V.

Ej.9: Determinar la intensidad, I
D
, y las diferencias de potencial aplicadas a la resisten-
cia y al diodo (de caracterstica indicada) en el circuito esquematizado en la fig. 23.

Fig. 23

La relacin entre las variables del diodo, intensidad, I
D
y tensin, V
D
, verifican:
18 V
8 K
a
b
4 K
3 K
R = 200
I
D V
D
V
CC
= 50 V
VD
ID(mA)
10 20 30 40 50

300
200
100

28
V
CC
= I
D
R + V
D
: 1 =
R / V
I
V
V
CC
D
CC
D
+ : 1 =
25 , 0 50
D D
I V
+
I
D
y V
D
estn en el plano V, I sobre una recta, recta de carga, que pasa por los pun-
tos O
1
(V
CC
,0) y O
2
(0,V
CC
/R). La recta de carga intercepta con la caracterstica, I
D
= f(V
D
),
en Q el punto de trabajo del diodo, Fig. 24.
En este caso O
1
= (50 V, 0) y O
2
= (0,250 mA) interceptando a la caracterstica en
el punto Q = (20 V, 150 mA).
Sabiendo que I
D
= 150 mA, la cada de potencial en R = 200, es V = 2000,15 =
30 V y en el diodo V
D
= 20 V.

Fig. 24
Ej.10: Calcular la capacidad que es necesario conectar al circuito de la Fig. 25 para que
se obtenga en V
out
una seal de salida rectificada con rizado inferior al 2 % respecto
a una seal contina ideal. Datos: V
int
= A sen wt, f = 10 KHz, R = 100 K.

Fig. 25

a) Si no se considera el condensador, puede ocurrir que (1) la tensin de entrada V
int
sea
positiva, polariza directamente el diodo, entonces equivale a un corto, por tanto la ten-
sin de salida, V
out
= V
int
, (2) la tensin de salida sea negativa, polariza inversamente el
diodo, entonces equivale a un abierto, V
out
=0. En la Figura 26 se muestra la tensin de
salida y la de entrada si no hay C.
VD
ID(mA)
Q
ID=f (VD)
O2
O1
10 20 30 40 50

300
200
100
V
int
+
_
V
out
R C ?
V
int
+
_
V
out
R C ?

29

Fig. 26

b) Con condensador. En ese caso al alcanzarse la tensin mxima de entrada dado por A,
el condensador comienza a descargarse a travs de la R. Si el valor de la constante de
tiempo del circuito RC es del orden del periodo T de la seal, entonces no es til el cir-
cuito para rectificar la seal de alterna y convertirla a continua, Fig. 27

Fig. 27
La tensin de descarga del condensador viene dada por la expresin:
RC
t
C
Ae t V

= ) (

Si por el contrario, T << RC, el condensador se descarga lentamente y se puede controlar
el rizado.
La relacin entre el valor de la pequea amplitud del rizado a y el valor de la amplitud de
la seal de entrada A, vale:

RC
T
RC T Taylor por
A
e A
A
a
RC
T
= +

) / 1 ( 1 ) (
) 1 (

Para obtener un rizado del 2 %, resulta:
0,02 = 1 / fRC, siendo f la frecuencia. Por tanto la capacidad C = 50 / fR = 50 /(10
4
10
5
) =
510
-8
= 50 nF.
Si se calcula el valor de RC resulta 510
-3
que equivale a 50 T, ya que el periodo T , inver-
so de la frecuencia, vale 10
-4
s.

V
int
t
V
out
t
V
int
t
V
out
t
V
out
t
V
out
t
A
t
descarga
a
Si RC T no vale aproximacin
T
V
out
t
V
out
t
A
t
descarga
a
Si RC T no vale aproximacin
T

30
4. EL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT): CONFIGURACIN EN BASE COMN Y
EMISOR COMN.

4.1 Introduccin
Los transistores constituyen el componente bsico universalmente utilizado en la
electrnica, tanto analgica como digital. Son el fundamento de la microelectrnica y con
ella del hardware. Los transistores son dispositivos de estado slido que realizan funda-
mentalmente funciones de amplificacin y de conmutacin.
Los transistores se introducen en la ciencia y en la tcnica a mediados del siglo XX. En
1948 aparece el transistor bipolar. En 1956 se concedi el premio Nobel a Shockley, Bar-
deen y Brattain por sus contribuciones en este campo. En la dcada de los 60 empezaron a
construirse los dispositivos de efecto de campo, FET, aunque el concepto bsico ya se co-
noca en 1930.
Existen dos clases de transistores:
1. Bipolares que conducen por electrones y huecos. Se les conoce con las iniciales ingle-
sas BJT -bipolar junction transistor, transistor de unin bipolar-. Se utilizan general-
mente en electrnica analgica y en algunas aplicaciones de electrnica digital como
la tecnologa TTL transistor transistor logic, lgica transistor a transistor.
2. Monopolares, conducen por portadores mayoritarios, electrones o huecos. Se les co-
noce con las iniciales inglesas FET -field effect transistor, transistor de efecto campo,
porque son controlados por tensin. A su vez la familia de los FET engloban varios ti-
pos, como los JFET - junction field effect transistor-, transistor de unin de efecto
campo, los MOSFET -metal-oxide-semiconductor field effect transistor, transistor de
efecto campo metal-oxido-semiconductor-, los MISFET, metal insulator semiconduc-
tor, que utilizan un aislante en lugar de un xido, etc. El transistor MOS es usado ex-
tensamente en toda la electrnica digital y es el componente fundamental de los cir-
cuitos integrados.
Trataremos de describir de forma casi cualitativa el fundamento fsico de los transisto-
res bipolares y de los de efecto de campo.


31
4.2. TRANSISTORES BIPOLARES, BJT
4.2.1 Estructura
El transistor de unin bipolar es un dispositivo obtenido dopando un monocristal
semiconductor, de forma que se tengan tres regiones yuxtapuestas PN P N P N. Las tres
zonas semiconductoras se denominan Emisor, E, que emite portadores y est fuertemente
dopada, Base, B que est intercalada entre las dos zonas y que sirve para modular el paso
de portadores y colector, C, que recibe o colecta los portadores. Entre ellas hay dos unio-
nes, emisor-base y base-colector, anlogas a las de un diodo de unin. En la fig. 28, se sim-
boliza los dos tipos de transistores NPN y PNP.

Fig. 28
Para que estas dos uniones puedan funcionar como transistor se necesitan, al me-
nos, dos condiciones:
1. Que la anchura de la base, W
B
, del orden del micrmetro, sea muy pequea
comparada con la longitud de difusin, L, de los portadores que inyecta el emi-
sor en la base.
2. Que la base est ligeramente dopada con relacin al emisor.
Si no se cumple la primera condicin, el dispositivo se comporta ms bien como
dos diodos de unin en serie y no como transistor. Con la segunda condicin se favorece la
inyeccin y se dificulta la recombinacin de electrones y huecos en la base durante su difu-
sin desde el emisor hacia el colector.
Por simplicidad el estudio se va a limitar a un transistor monodimensional de forma
cilndrica y rea de su seccin recta A. Su eje, tomado como OX, es normal a las zonas de
transicin que separan emisor-base y base-colector.

N
N
C
B
E
P
B
C
E
N
N
C
B
E
P
N
N
C
B
E
P
B
C
E
B
C
E
P
N
P
C
B
E
C
B
E
P
N
P
C
B
E
P
N
P
C
B
E
C
B
E

32
4.2.2 Potenciales y distribucin de portadores en un transistor sin polarizar
Veamos como son los potenciales electrostticos en las distintas zonas de un transistor y
como se distribuyen los portadores de cargas cuando funciona en modo activo, esto es,
cuando las polarizaciones de las uniones son las indicadas en la fig.29 para un PNP.
Potenciales:

Fig. 29
Sean V
D
y V
I
las polarizaciones directa o inversa de las dos uniones contenidas en
el transistor. An cuando las uniones no estn polarizadas, en cada una de ellas se crea su
correspondiente barrera de potencial, entre emisor-base, V
o
, y entre colector-base V
o
. En
cada una de las zonas de transicin aparece un campo electrosttico, E
0
y E
0
, ambos de
sentidos opuestos, fig. 30a. Puesto que la magnitud del dopado en el emisor y en el colec-
tor pueden ser distintas, los valores de las diferencias de potenciales V
o
y V
o
tambin
pueden serlo. Recurdese que V
o
= V
T
ln (N
a
N
d
/n
i
2
) y que V
o
= V
T
ln (N
a
N
d
/n
i
2
) por lo
que al ser la concentracin de aceptores del emisor N
a
mucho mayor que la del colector N
a

ser V
o
>V
o
en valor absoluto, fig. 30b.
Si se polariza directamente la unin emisor-base con una tensin V
D
> 0, e inver-
samente la unin base-colector con una tensin V
I
< 0 disminuye la altura de la barrera de
potencial en la primera unin en V
D
y aumenta en la segunda en V
I
. Consecuentemente hay
una disminucin del campo electrosttico en la unin emisor-base E
O
,

y un fuerte aumento
del campo en la unin colector-base E
O
, fig. 30c, ya que |V
o
+V
I
|> |V
o
-V
D
|. La dis-
minucin del campo electrosttico entre el emisor y base facilita el flujo de huecos por
inyeccin entre uno y otra.

P N P
V
o
V
o
E
B
C
V
D
P N P
V
o
V
o
E
B
C
V
D
V
I
P N P
V
o
V
o
E
B
C
V
D
P N P
V
o
V
o
E
B
C
V
D
V
I

33
La fig. 30c est necesariamente deformada en escala segn la direccin horizontal
ya que las anchuras de las uniones y de la base estn muy aumentadas.

Fig. 30
El mayor porcentaje, , de los huecos inyectados por el emisor en la base se difun-
de por sta hacia la unin base-colector. Los huecos que han penetrado en esta unin son
acelerados por su intenso campo electrosttico y se inyectan en el colector originando casi
la totalidad de la corriente de colector. Como la longitud de difusin de los portadores de-
ntro de la base es muy grande, se cumple que L
p
> W
B
, y por tanto solo una pequea pro-
porcin, 1-, de los huecos inyectados en la base se recombinan con los electrones de la
misma. Este pequeo porcentaje de huecos constituye en gran medida la corriente de base.

E
B C
P P N
- +
- +
+ -
+ -
E
0
E
0
a)
V
V
0
V
0
V = 0
b)
V
V
0
V
0 c)
V
0
-V
D
V
D
V
I
V
0
+ V
I
E
0
E
0

34
4.2.3. Flujos de portadores y corrientes en un transistor
Por convenio se ha tomado el sentido de las intensidades de corrientes que se indi-
can en la fig. 31.

Fig. 31
En un transistor PNP, en modo activo (la zona donde amplifica el transistor), las
uniones EB y BC estn polarizadas en forma V
D
> 0, V
I
< 0. Los flujos de los portadores
se indican en la Fig. 32.

Fig. 32
(1) Flujo de huecos h
+
inyectados por el emisor en la base. El sentido de su corriente, I
pE
,
coincide con la corriente de emisor, I
E
.
(2) Flujo de electrones e
-
inyectados por la base en el emisor. El sentido de su corriente,
I
nE
, es opuesta al de su flujo de stos electrones y coincide con el sentido de I
E
.
I
E
= I
pE
+ I
nE

Ambos flujos estn generados por inyeccin de la unin PN directamente polariza-
da emisor-base.
E
B
C
I
C
I
B
I
E
E
B
C
I
E
I
C
I
B
P P
E C
N
B
N N
E C
P
B
E
B
C
I
C
I
B
I
E
E
B
C
I
C
I
B
I
E
E
B
C
I
E
I
C
I
B
E
B
C
I
E
I
C
I
B
P P
E C
N
B
P P
E C
N
B
N N
E C
P
B
N N
E C
P
B
E B C
I
E
I
B
I
C
E
C
B
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
I
pE
I
pE
-I
BB
h
+
h
+
I
nE
I
nC
e
-
e
-
e
-
e
-
E B C
I
E
I
B
I
C
E
C
B
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
I
pE
I
pE
-I
BB
h
+
h
+
I
nE
I
nC
e
-
e
-
e
-
e
-
I
BB
E B C
I
E
I
B
I
C
E
C
B
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
I
pE
I
pE
-I
BB
h
+
h
+
I
nE
I
nC
e
-
e
-
e
-
e
-
E B C
I
E
I
B
I
C
E
C
B
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
I
pE
I
pE
-I
BB
h
+
h
+
I
nE
I
nC
e
-
e
-
e
-
e
-
I
BB

35
(3) Fraccin del flujo de huecos que se recombinan con los electrones de la base. El senti-
do de esta corriente, I
BB
, coincide con la corriente de base, I
B
.
(4) Flujo de electrones de colector a base. El sentido de su corriente, I
nC
es opuesto al de la
base. I
nC
es una corriente inversa de saturacin en la unin inversamente polarizada
colector-base.
I
B
= I
BB
+ I
nE
- I
nC

(5) Fraccin del flujo de huecos difundidos en la base, y que no se han recombinado, que
alcanzan el colector. El sentido de su corriente, I
pE
-I
BB
coincide con el sentido de la
corriente de colector, I
C
.
I
C
= I
pE
- I
BB
+ I
nC

De acuerdo con la ley de Kirchhoff, se verifica que I
E
= I
B
+ I
C
.
El orden de magnitud de las corrientes son: del mA, para I
E
I
pE
y I
C
= I
pE
- I
BB
.
El resto de las intensidades son del orden del A.
Aplicando las leyes de Kirchhoff a los terminales de un transistor y teniendo en
cuenta el sentido de las corrientes, Fig. 32, podemos escribir: V
EB
+ V
BC
+ V
CE
= 0, I
E
=
I
B
+ I
C

Fig. 32
El transistor PNP es complementario del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes
son opuestos a los del transistor NPN. As para encontrar el circuito complementario de un
NPN se sustituye el transistor NPN por el PNP y despus se invierten todas las tensiones y
corrientes.
En el anlisis realizado, no se han considerado las corrientes de recombinacin en
las zonas de transicin emisor-base y base colector, por ser despreciables frente al resto.
N P N P
N
P
+ -
B
E
-
C
+
V
EB
C E
B B
E
C
I
E I
C
I
E
I
C
E
+
C
-
B
V
EB V
BC
V
BC
I
B
-
+
I
B

36
En principio, para cada transistor, terica y experimentalmente, se establecen dos
parmetros, y. En el caso ms simple:
I
C
= I
E
,
I
C
= I
B

que relacionan las intensidades de emisor, base y colector en corriente contina.
Teniendo en cuenta que I
E
= I
B
+ I
C
podemos establecer una relacin entre los parmetros
y :

= +
= + = + =
1 I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
1
E
C
E
C
C
B
E
C
E
B

Los valores de y son especficos de cada transistor y varan en corriente alterna.
Ej. 12. En el esquema indicado en la fig. 33, se representa un transistor en configuracin
emisor comn. Su parmetro es 80 y la resistencia emisor-base, es de 100 .. De-
terminar las intensidades de base, colector, emisor y el parmetro.

Fig. 33
Admitimos que V
CC
es tal que el transistor est en modo activo. Entonces,
mA
R R
V
I
EB
BB
B
314 , 0
100 5000
6 , 1
=
+
=
+
=
I
C
= I
B
= 800,314 mA = 25,12 mA
I
E
= I
B
+ I
C
= 0,314 + 25,12 = 25,424 mA 987 , 0
81
80
1
= =
+
=

B
E
C
IC
IB
IE
VCC
R=5 K

V
BB
= 1'6 V

37
Ej. 13. En el circuito, fig.34, suponiendo que V
CE
= -6 V, que el parmetro =100 y que
la tensin emisor-base V
EB
es de 0,7 V, calcular la resistencia R
B
de polarizacin de
la base.

Fig. 34
1) Por el camino T (tierra) E(emisor) C(colector), resulta:
Dado que V
EC
= 6 V (mayor que 0,2 V, tensin normal de saturacin se su-
pone que el transistor est en modo activo).
V
EC
+ R
C
I
C
+ V
CC
= 0
A
R
V V
I
C
EC CC
C
08 , 0
50
6 10
=
=

=
A
I
I
C
B
4
10 8
100
08 , 0

= = =

2) Por el camino TEB, resulta:

I
B
R
B
+ V
EB
+ V
CC
= 0
= =
=

=

625 . 11 10
8
3 , 9
10 8
7 , 0 10
4
4
B
EB CC
B
I
V V
R

R
C
I
C
V
EC
V
CC
V
EC
+ R
C
I
C
= -V
CC
I
B
R
B
V
EB
V
CC
V
EB
+ R
B
I
B
= -V
CC

B
E
C
IC
IB
IE
50 = R C
-10 V= V
CC
RB ?

38
Ej. 14. Sabiendo que el transistor de la fig. 35 tiene los parmetros = 40 y V
EB
= 0,7 V.
Determinar las intensidades de base, colector y emisor. Calcular tambin V
CE

Fig. 35
(1) Por el camino TEBR
B
V
CC
resulta:
V
EB
+ I
B
R
B
-V
CC
= 0, de donde I
B
R
B
= V
CC
V
EB
de aqu:
mA
K R
V
I
B
EB
B
54 , 0
8
7 , 0 5 5
=
=
mA I I
B C
6 , 21 54 , 0 40 = = =
(2) Por el camino: TECR
C
V
CC
resulta: V
EC
+ I
C
R
C
-V
CC
+ = 0
(3) I
E
= I
C
+ I
B

Luego:
I
E
= I
C
+ I
B
= 22,14 mA
V
EC
= V
CC
- I
C
R
C

V
EC
= 5 - I
C
R
C
= 5 21,6 mA0,1 K = 2,84 V

Ej. 15 En el circuito de la fig. 36, sabiendo que la tensin de la batera es de 9 V, = 100,
R
B
=100 K y R
c
=0.5 K, determinar las intensidades I
B
, I
C
e I
E
, as como la V
CE
.
La tensin umbral base-emisor, V
BE
0.6 V (NPN) para un transistor de Si.

Fig. 36
B +
E
C
I
C
I
B
-
I
E
R
C
R
B
V
C
= 9 v
V
B +
E
C
I
C
I
B
-
I
E
R
C
R
B
V
C
= 9 v
V
B
E
C
I
C
IB
I
E
R
B
=8 k
R
C
= 100
V
CC
= -5 V
B
E
C
I
C
IB
I
E
R
B
=8 k
R
C
= 100
V
CC
= -5 V
R
B
= 8 k
Tierra
V
CC
= 5 V
E
B
C
I
E
I
B
I
C R
B
= 8 k
Tierra
V
CC
= 5 V
E
B
C
I
E
I
B
I
C
Tierra Tierra
V
CC
= 5 V
E
B
C
I
E
I
B
I
C R
C
= 100 R
B
= 8 k
Tierra
V
CC
= 5 V
E
B
C
I
E
I
B
I
C R
B
= 8 k
Tierra
V
CC
= 5 V
E
B
C
I
E
I
B
I
C
Tierra Tierra
V
CC
= 5 V
E
B
C
I
E
I
B
I
C R
C
= 100

39
(a) En la primera malla resulta: -9 V + I
B
R
B
+ V
BE
= 0,
mA
K
V
R
V V
I
B
BE C
B
084 , 0
100
6 , 0 9
=
=
(b) I
C
= I
B
= 1000,084 = 8,4 mA
(c) I
E
= I
C
+ I
B
= 8,4 mA + 0,08 mA 8,48 mA
(d) En la segunda malla : -9 V + I
C
R
C
+ V
CE
= 0;
Luego V
CE
= 9 I
C
R
C
= 9 8,4 mA x 0,5 k = 4,8 V
Como V
CE
+ V
EB
+ V
BC
= 0 : V
CB
= V
CE
+ V
EB
= 4,8 0,6 = 4,2 V; luego V
CB
est
inversamente polarizado. Como V
BE
est directamente polarizado, el transistor est en mo-
do activo, tal y como se ha supuesto en la resolucin.
4.2.4. Modos de funcionamiento de un transistor
Hasta ahora hemos tratado el transistor en "modo activo":
unin E-B directamente polarizada, V
EB
> 0
unin C-B inversamente polarizada, V
CB
< 0
Este modo es el general y exclusivamente utilizado en procesos electrnicos anal-
gicos. En stos procesos se relacionan en forma continua las magnitudes V
EB
, I
E
, I
B
e I
C
.
Estas magnitudes estn ligadas por funciones continuas que se corresponden con un con-
junto continuo de estados de trabajo del transistor como amplificador.
En procesos electrnicos digitales las variables solo pueden tomar dos valores que
corresponden a dos estados discretos (on y off, 0 y 1). A los de transistores se les obliga a
funcionar como conmutadores y a operar en otros modos distintos del activo. El cuadro de
la figura indica el signo de las polarizaciones D (directa, +), o I (inversa, -) en los cuatro
modos posibles.
PNP NPN
MODO
V
EB
V
CB
V
BE
V
BC
Activo +,D -,I +,D -,I
Inverso -,I +,D -,I +,D
Saturacin +,D +,D +,D +,D
Corte -,I -,I -,I -,I

V
CB
V
EB
Inverso Saturacin
Corte Activo
V
BC
V
BE
Inverso Saturacin
Corte Activo

40

En la Figura 37 se recogen todos los modos de operacin del transistor.
1. En el modo activo las diferencias de potenciales de las uniones E-B y C-B tienen pola-
rizacin directa e inversa respectivamente. Es el modo usual cuando se utiliza el tran-
sistor como amplificador analgico. Se comporta como una fuente de corriente constante
controlada por la intensidad de base (ganancia en corriente). Este parmetro lo suele pro-
porcionar el fabricante dndonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector
dada (I
C
).
4. El modo inverso es antisimtrico del anterior, sin cambiar la estructura fsica y
geomtrica del transistor se permutan las funciones del emisor y el colector. Este mo-
do suele carecer de inters.
5. En el modo saturacin las dos uniones estn polarizadas directamente. El
transistor se comporta como dos diodos en oposicin que suman sus intensidades de
salida en la intensidad de la base. En este modo el transistor es utilizado para aplica-
ciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.) y lo podemos considerar
como un cortocircuito entre el colector y el emisor.
6. En el modo de corte ambas polarizaciones son inversas. Si se desprecia las corrientes
inversas de saturacin (del orden del A) son I
E
I
c
I
B
0. Se utiliza para aplicaciones
de conmutacin.


41
Figura 37
4.2.5. Configuraciones de un transistor
Independientemente de que un transistor sea un PNP o un NPN, es un dispositivo
de tres terminales E, B y C que se conectan a dos circuitos: de entrada por el que entra en
el transistor la seal que le excita y de salida por el que sale la seal que ha sido procesada
por el transistor.
Los dos circuitos, de entrada y de salida, tienen necesariamente un terminal comn
(normalmente puesto a tierra), fig. 38.

Fig.38
El terminal comn puede ser la base, el emisor o el colector. La figura 39 esquematiza las
tres configuraciones para un transistor PNP.

Fig. 39
De estas tres configuraciones la ms utilizada es la de emisor comn y por brevedad nos
limitaremos a ella estudiando un transistor como amplificador y como conmutador.

1 2

3
E
E
S
S
Entrada
Salida
Seal de
entrada
R
L
B
E
C
B
E
C
B
E
C
Base comn Emisor comn Colector comn

42

Ej.16. Realizar un esquema de tensiones e intensidades en la configuracin emisor comn
de un transistor NPN en el modo activo:
Cuando el transistor funcione en modo directo son:
V
BE
> 0 polarizacin directa
V
CB
> 0 polarizacin inversa
V
BE
+ V
EC
+ V
CB
= 0
V
EC
= - (V
BE
+ V
CB
) < 0
I
C
+ I
B
= I
E

Fig. 40
Para un PNP se debe cambiar el sentido de tensiones e intensidades.

4.2.6. El transistor como amplificador
Como es sabido el transistor es un dispositivo capaz de transferir una intensidad
prcticamente constante, I
C
= I
E
I
E
desde un circuito de pequea resistencia emisor-
base, R
EB
, resistencia de entrada, correspondiente a una unin PN directamente polarizada,
hacia otro circuito de gran resistencia base-colector, R
BC
, debida a una unin inversamente
polarizada. El valor de R
BC
disminuye al crecer I
E
de forma que I
E
lo regula independien-
temente del valor de R
C
. Como se verifica que es I
C
= I
E
, la fuente energtica V
CC
entrega
una potencia I
2
C
R
C
=
2
I
2
E
R
C
, de forma que la corriente del emisor o de la base, controla la
salida de energa de la fuente V
CC
.
De aqu se sigue que el nombre de transistor proviene de las palabras inglesas trans-
fer resistor, es decir, transferencia de resistencia, fig. 42.

B
C
E E
V
BE
V
CE
I
E
+
-
+
-
I
B
I
C
R
EB
Transistor
R
BC
R
C
V
CC
I
E
I
C
R
BC
>> R
EB

R
BC
>> R
C

R
BC
= f(I
E
)

43
Fig. 42
La mayor parte de los equipos electrnicos necesitan de circuitos que recibiendo
pequeas seales elctricas en su entrada resultan reproducidos a mayor escala a la salida.
A estos circuitos se les llama amplificadores. La figura 43.a representa un esquema de un
amplificador ideal, sin distorsin, en l se incrementa la amplitud de la seal sin alterar su
frecuencia.
.

a) b)
Fig. 43
Un elemento bsico de los amplificadores es el transistor. El anlisis de un amplifi-
cador mediante su asimilacin a un cuadripolo (red de dos puertas), resulta de inters ya
que permite caracterizarlo mediante una serie de parmetros relativamente simples que nos
proporciona informacin sobre su comportamiento, Fig. 44.

Figura 44

De esta forma podemos definir los siguientes parmetros:

1. Ganancia de tensin (normalmente en decibelios): A
v
= V
o
/ V
i

2. Impedancia de entrada (ohmios): Z
i
= V
i
/ I
i

3. Impedancia de salida (ohmios): Z
o
= V
o
/ I
o
(para V
g
= 0)
4. Ganancia de corriente (normalmente en decibelios): A
i
= I
o
/ I
i

5. Ganancia de potencia (normalmente en decibelios): A
p
= P
o
/ P
i

Un amplificador ser tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia de tensin y menor
sea su impedancia de entrada y salida.
Amplificador
Entrada
Salida
VCC
-VCC
V2
V1
-VCC
-V2
-V1
t
t

44
En cuanto a la frecuencia, los amplificadores dependen de sta, de forma que lo que es
vlido para un margen de frecuencias no tiene porqu serlo necesariamente para otro. De
todas formas, en todo amplificador existe un margen de frecuencias en el que la ganancia
permanece prcticamente constante (banda de paso del amplificador), Fig. 45
El margen dinmico de un amplificador es la mayor variacin simtrica de la seal
que es capaz de presentar sin distorsin a la salida; normalmente expresado en voltios
de pico (V
p
) o voltios pico-pico (V
pp
).

Fig. 45
Existe una gran variedad de clases de amplificadores, dependiendo del tipo de seal a am-
plificar. As podemos encontrar amplificadores de corriente o de tensin, de baja o alta
potencia, de baja o alta frecuencia, etc., pero todos tienen en comn una funcin de ganan-
cia, A, ya sea de tensin, corriente, potencia, etc., definida como:
entrada de seal amplitud
salida de seal amplitud
A =
Hay que decir que la ganancia en potencia de un amplificador es compatible con el prin-
cipio de conservacin de la energa, porque no es el transistor el dispositivo que aporta
energa, sino la fuente de alimentacin -batera- que lo polariza. Como mximo la poten-
cia de la seal de salida estar limitada por la potencia de alimentacin; como se muestra
en el esquema de la figura 43.
La amplificacin cuando se cuantifica en decibelios, por ejemplo para la potencia, viene
dada por la expresin:

entrada de potencia
salida de potencia
log 10 db =
El circuito ms simple de un amplificador con un transistor, se muestra en la figura 46:
Como se observa, una pequea seal de tensin v
e
(t) se adiciona a la tensin de ba-
tera V
BB
que alimenta el circuito de polarizacin en la base. La corriente que recorre R
B
es
la superposicin de la corriente I
B
de la batera, V
BB
ms la corriente variable i
b
que genera

45
la pequea seal a amplificar v
e
(t). El haz de curvas de un transistor, I
C
= f (V
C
), tomando
como parmetro I
B
se denomina caracterstica de salida del transistor.
Ya que v
e
(t) puede ser positiva o negativa, al superponerse a V
BB
, debemos estar
seguros de que V
BB
sea suficientemente grande como para que el transistor funcione en
modo activo, esto es, que est polarizada directamente la unin emisor-base. Para ello, se
determina el punto de operacin del circuito sin seal externa (NPN), figura 46:

Fig. 46
Determinar el punto de operacin Q es elegir los valores de R
B
y R
C
para que el
transistor funcione en este punto en modo activo. Se verifica que: V
CC
= I
C
R
C
+V
CE
. Por
tanto Q es la interseccin de la caracterstica de salida I
B
y la recta de carga de R
C
:
1
/
= +
CC
CE
C CC
C
V
V
R V
I
.Usualmente Q se toma en el punto medio de la regin lineal de la ca-
racterstica.
La seal v
e
(t) genera cambios en las corrientes de base y consiguientemente varia-
ciones i
c
(t) y v
CE
(t) en I
C
y V
CE
. El punto de trabajo en cada instante Q(t) =(I
B
+ i
B
, I
C
+
i
C
, V
CE
+ v
CE
) oscila alrededor del punto de operacin (I
B
, I
C
,V
CE
). En el ejemplo de la fig.
18.b son: R
C
= 0,2 M, I
B
= 6 A, V
CE
= 5 V, I
C
= 31 mA, y la amplitud oscilaciones de i
B

del orden de 2 A que generan vibraciones de amplitud 10 mA en la corriente de colector.

R
B
R
C
= 0,2 M
C
E
B
V
BB
V
e
(t)
10 V = V
CC
> 0
V
S
(t)
I
B
2
4
6
I
B
= 10 A
I
C
(mA)
V
CE
(V) 10
50
Q
10
20
30
40
8
5
a)
b)

46
4.2.7. Clculo de la ganancia en tensin del amplificador
Consideramos un transistor PNP conectado en emisor comn, polarizado en modo
activo, V
EB
> 0 y V
CB
< 0, fig. 47.

Fig. 47
Sean:
r
BE
la resistencia de la unin emisor-base
R
L
, la resistencia de carga.
V
cc
, la tensin de alimentacin
V
BB
la batera de polarizacin de emisor-base
v
e
y v
s
las tensiones de entrada y salida respectivamente.
Sean i
B
e i
c
los incrementos de las corrientes de base I
B
y de colector I
C
. Estas co-
rrientes aunque son constantes elegidas para que funcione el transistor en su regin lineal,
no intervienen en el clculo de la ganancia en tensin.
Se verifica:
BE B
e
B
R R
v
i
+
=
e
BE B
B C
v
R R
i i
+
= =
e
BE B
C
C C S
v
R R
R
R i V
+
= =
La ganancia en tensin,
BE B
C
e
S
V
R R
R
v
v
A
+
= =
As, si son = 100, R
BE
= 0,5 K, R
C
= 10 K y R
B
= 5 K, es:
R
B
C
E
B
V
BB
V
CC
R
C
v
e
v
S
R
B
C
E
B
V
BB
V
CC
R
C
v
e
v
S

47
181
5 , 0 5
10
100 =
+

=
K
K
A
V

Prcticamente como r=r
BE
y no son totalmente constantes, ni bien determinadas,
es ms conveniente recurrir a mtodos grficos.

Ej. 17: El circuito de la figura 48 esquematiza un transistor NPN de = 20 y R
EB
= 15
(que suponemos constante). Una seal v
s
= v
e
= 3sent se aplica al circuito de en-
trada. Calcular la tensin v
s
de salida y la ganancia A
v
.

Fig. 48
R = 485 R
C
= 20 K

952 , 0
21
20
1
= =
+
=

mA 6
) 15 485 (
V 3
R R
v
i
EB
e
E
=
+
=
+
=
mA mA i i
E C
712 , 5 952 , 0 6 = = =
2 , 114 10 20 712 , 5
3
= = = mA R i v
C C S
V
v
S
= 114sent 38
3
114
v
v
A
e
S
v
= = =

R
I
B
V
BB
V
CC
R
C
v
e
(t)
I
E
I
C
v
S
(t)

48
Ej. 18: Hallar el punto de funcionamiento Q y el factor de amplificacin de tensin en el
circuito de la figura 49:

Fig. 49
V
BB
= 2 V, V
BE
= 0,6 V, V
CC
= 15 V, R
B
= 20 K, R
C
= 2,5 K, R
BE
~ 0, = 60
A I
B
70
10 20
6 , 0 2
3
=
= mA A I I
B C
2 , 4 70 60 = = =
V
CE
=V
CC
I
C
R
C
= 15 2,510
3
4210
-3
A = 4,5 V
Q = (V
CE
, I
C
) = (4,5 V , 4,2 mA)
5 , 7 60
10 20
10 5 , 2
3
3
=
=
+
=
B
C
V
R R
R
A
Ej. 19: Las figuras 50 a, b y c representan un esquema de un circuito, las caractersticas
de entrada I
B
= f(V
BE),
parmetro V
CE
y de salida I
C
=f(V
CE
), parmetro I
B
del tran-
sistor tipo NPN conectado en forma de emisor comn.

a) b) c)
Fig. 50
Determinar:
1) La intensidad del colector, si son V
BE
= 0.8 V y V
CC
= 15 V.
2) Las regiones de saturacin, activa y de corte
R. ACTIVA
Regin de
saturacin
Regin de corte
R
B
V
BB
V
CC
R
C
I
E
I
C
I
B
E
B
C
E B
C
R
C
= 3 K
V
CC
= 15 V
v
S

49
1) En la caracterstica de entrada se observa que si es, V
BE
= 0,8 V para V
CE
= 10
V es I
B
= 17,5 A
De la caracterstica de salida se obtiene: I
C
= f(V
CE
, I
B
) = f(5 V, 17,5 A) = 2,7
mA.
Tambin podramos haber hecho:
15 V = I
C
R
C
+ V
CE
1
15
V
R / 15
I
CE
C
C
= + ; R
C
= 3 K : 1
V 15
V
mA 5
I
CE C
= +

que representa la recta de carga dibujada, de coordenadas (15 V, 5 mA). Esta
recta, para V
CE
= 5 V, tiene como I
C
= 2,7 mA, en las caractersticas de salida.
2) Las regiones rayadas:
de corte entre I
b
= 0 y el eje V
CE
; V
EB
< 05 : I
B
0, I
C
= 0, v
s
= V
CC

de saturacin entre el eje I
c
y la envolvente al haz de caractersticas de
salida.
V
EB
1 V; I
B
> 40 A, I
C
> I
B
; V
CC
I
C
R
C
; V
CE
0, v
s
0

Ej. 20: En la figura 51 a se esquematiza un BJT, (NPN) conectado como emisor comn.
Sus curvas caractersticas (I
C
= f(V
CE
), parmetro I
b
) se indican en la figura 23 b.

Fig. 51
R
C
= 50 , R
B
= 9.5K y R
EB
= 500.
Determinar: El punto de reposo, las variaciones de V
BE
y las ganancias de tensin
y de intensidad para una seal de entrada oscilante de V
pp
= 2 V.
RB RC
C
E
B
VS
Ve
VCC= 30 V
IB
IC
IE
6
5
4
3
2
1 mA = I B
a)
b)

50

v
e
= 0: mA 3
) 500 9500 (
V 30
R R
V
I
EB B
CC
b
=
+
=
+
=
V
CC
= I
C
R
C
+ V
CE
V
V
A
I
V
V
R V
I
CE C
CC
CE
C CC
C
30 6 , 0 /
1 + = + =

Las variables I
C
y V
CE
verifican una relacin lineal, "recta de carga" que pasa por
los puntos:
O
1
= (30 V, 0) y O
2
=(0 V, 6 A)
La interseccin del haz de caractersticas: I
C
= f(V
CE
, I
B
= 3 mA) y la recta de carga
es el punto, Q = (15 V , 03 A), de reposo o de operacin.
Calculemos los lmites entre los que vara V
EB
durante la excitacin de entrada V
s
.
En Q: V
EB
= I
B
R
BE
= 310
-3
500 = 1,5 V; V
pp
/2 = 1 V
Durante la excitacin:
V
EB
=1,5 + 1 = 2,5: I
b
=
500
5 , 2
= 5 mA
V
EB
=15 - 1 = 05: I
b
=
500
5 , 0
= 1 mA
El punto Q oscila entre los puntos Q
1
y Q
2
:
Q
1
= (0,42 A ,8 V), Q
2
= (0,17 A , 22 V)
7
) 1 ( 1
8 22
v
v
A
e
S
v
=

=
=
62
10 ) 1 5 (
17 , 0 42 , 0
3
=
= =

B
C
i
I
I
A


51
4.2.8. El transistor como conmutador
La lgica algebraica de Boole utiliza variables, proposiciones o conjuntos, que solo
pueden tomar dos valores: verdadero o falso, o sus equivalentes (on-off, 1-0).
La electrnica digital descompone, o compone, la magnitud de una seal en impul-
sos de tensin de niveles 1 0 que se enlazan mediante un cdigo, anlogamente a como
se hace en el sistema de numeracin digital.
Entre las variables se establecen tres operaciones bsicas:
Operacin Significado Smbolo del operador (puertas)
Unin, Disyuncin
Interseccin, Conjuncin
Negacin
p q p o q p OR q
p q p y q p AND q
p nop NOT p

Con un transistor se puede realizar la operacin NOT. En este caso se dice que el
transistor trabaja como un conmutador o un inversor, Fig. 52.

Fig. 52
Vimos que un transistor trabajando como amplificador puede adoptar un conjunto
continuo de estados de polarizacin, en rgimen lineal y modo activo, cada uno de ellos
situado sobre la lnea de carga para cada I
B
.

Como conmutador el transistor solo adopta dos estados correspondientes a los mo-
dos de "saturacin" y de "bloqueo o corte". Para lograr esto debemos proceder as:
(a) Modo de corte: el transistor opera como un interruptor abierto, esto es, no conduce o
est en estado de OFF. Para ello se polarizan inversamente las dos uniones, Fig. 53a. En
ese caso solo circulan las corrientes inversas de polarizacin. Por tanto I
B
= 0, de donde I
C

0. As V
C
> 0 y V
E
0.
(b) Modo de saturacin: Si las dos uniones se conectan en polarizacin directa. En este
caso las corrientes a travs de las uniones son, I
B
> 0 y por tanto I
C
puede ser muy alta. Se
Inversor
1 0 0 1
ve vs
0 1 1 0
p
q
p
q
p
p + q
p x q
p

52
dice que est saturada. El transistor funciona como interruptor cerrado, conduce la corrien-
te o est en estado de ON, Fig. 53b.

(a) (b)
Figura 53
Al tomar I
B
valores extremos, 0 o un valor muy alto, el punto de funcionamiento conmuta
entre Q
1
y Q
2
, como se muestra en Fig. 54.

Al oscilar I
B
en este caso entre 0 y 45 A, I
C
vara
entre 0,1 y 18 mA. V
CE
a su vez oscila entre 15 y
0,2.

Fig. 54
En trminos de tensiones un 1 lgico significa un valor de tensin a la entrada suficien-
temente alta como para poner el transistor en saturacin, y por tanto, su salida ser un 0
lgico, cuya tensin suele variar en torno a 0,2 V: v
s
0,2 V. El valor de tensin para el 1
lgico depender del circuito. As, en un circuito, ser suficiente 0,5 V para poner el tran-
sistor en saturacin y en otro caso ser necesario ms de 1 V.
Por otra parte, el 0 lgico se corresponde con un valor de tensin tal que pone el
transistor en zona de corte. Por lo tanto, como el transistor no conduce, a la salida existir
un 1 lgico cuya tensin real se corresponde con la tensin de alimentacin con lo que
estamos polarizando.

I
B
= 0
10
20
I
B
= 50 A
I
C
(mA)
V
CE
(V) 15
20
Q
2
0,2
40
30
Q
1
0,1
I
B
= 0
10
20
I
B
= 50 A
I
C
(mA)
V
CE
(V) 15
20
Q
2
0,2
40
30
Q
1
0,1
V
C
P N P
V
o
V
o
E
B
C
P N P
V
o
V
o
E
B
C
V
E
salida
entrada
V
C
P N P
V
o
V
o
E
B
C
P N P
V
o
V
o
E
B
C
V
E
salida
entrada
P N P
V
o
V
o
E
B
C
P N P
V
o
V
o
E
B
C
V
E
salida
entrada V
C
P N P
V
o
V
o
E
B
C
P N P
V
o
V
o
E
B
C
V
E
salida
entrada
V
C
P N P
V
o
V
o
E
B
C
P N P
V
o
V
o
E
B
C
V
E
salida
entrada
P N P
V
o
V
o
E
B
C
P N P
V
o
V
o
E
B
C
V
E
salida
entrada

53
El ejemplo 21, muestra un ejemplo de clculo de estos niveles de tensiones.
Ej.21: En el esquema del circuito de la figura 55, el parmetro = 50.
Se aplica una tensin de V
BE
de 1V.
Determinar:
a) La tensin de salida si I
C
= 2 mA
b) Si se aade a V
BE
una seal procedente de una fuente de alterna, cul deber
ser la amplitud mnima de sta para sacar al transistor del modo activo?
c) Como debera ser una seal para que el transistor fuera alternativamente de
corte a saturacin. Cmo sera la seal de salida en este caso?
Suponer que la unin base-emisor es ideal con tensin umbral, V
= 06 V (V
=
V
BE
|
activa
= V
BE
|
sat

Fig. 55
V
CC
= I
C
R
C
+ V
CE
= I
C
R
C
+ V
S

a) 20 V = 5 K 2 mA + V
S
=> V
S
= V
CE
= 20 10 = 10 V
b) Transistor en corte: V
BE
no est directamente polarizada, la tensin base-emisor
no es suficiente para polarizarlo. Admitimos que por simplicidad que la tensin umbral es
igual a V = 0,6 V = V
BE
.
En este caso, la amplitud del generador, V
g
debe ser tal que se verificar Fig. 56:

Fig. 56
R
B
= 10 K
R
C
= 5 K
C
E
B
V
BB
= 1 V
I
E
I
B
= 0
I
C
= 0
V
S
20 V
v
B
(t)
v
s
(t) = 20 V
R
B
= 10 K
R
C
= 5 K
C
E
B
V
BB
= 1 V
I
E
I
B
I
C
V
S
20 V
v
B
(t)
v
s
(t)
R
B
= 10 K
R
C
= 5 K
C
E
B
V
BB
= 1 V
I
E
I
B
I
C
V
S
20 V
v
B
(t)
v
s
(t)

54
-V
BB
+ V
g
+ V
BE
= 0 Condicin lmite
V
g
= V
BB
V
BE
= 1 0,6 = 0,4 V
Si V
g
0,4 V, V
BE
< 0,6 V corte
Habra que aplicar una tensin opuesta a V
BB
de 0,4 V en adelante.
Transistor en saturacin: condicin nica de saturacin V
CE
0,2 V.
Cerramos el bucle, Fig. 57 a

Fig. 57 a Fig. 57 b

-V
CC
+ I
C
R
C
+ 0,2 = 0
mA
R
V
I
C
CC
C
96 , 3
2 , 0
=
=
En el lmite de activa-saturacin, L, Fig. 57 b se sigue cumpliendo que I
C
= I
B
,
luego mA
mA
I
I
C
sat
B
0792 , 0
50
96 , 3
. lim
= = =

-V
BB
+ V
g
+ I
B
|
lim. sat
R
B
+ V
BE
|
sat
= 0
-1 + V
g
+ 0,0792 mA10 K + 0,6 = 0
V
g
= -0,39 V

Habra pues que aplicar una tensin opuesta a la sealada, mayor o igual de 0,39 V.
La seal V
g
debera ser cuadrada, segn se esquematiza en la Fig. 58 a.

I
C
V
CE
L
I
B
0'2 V
R
B
= 10 K
R
C
= 5 K
C
E
B
V
BB
= 1 V
I
E
I
B
>>>
I
C
= 0
V
S
20 V
v
B
(t)
v
s
(t) = 0 V

55

a) b)
Fig. 58
La seal de salida se esquematiza en la Fig. 58 b. Se observa que cuando V
g
= -0,4 V, el
transistor no conduce y V
S
= V
CC
= 20 V.
Cuando el transistor est en saturacin, V
g
= 0,39 V, en ese caso V
S
= V
CE
= 0,2 V.
Por otra parte, el punto de trabajo, oscila en la recta de carga, de forma casi instan-
tnea, dependiendo de la velocidad de conmutacin del generador, entre los puntos L y C,
Fig. 59

Fig. 59

I
C
V
CE
L
C
V
g
0'39
-0'4
corte
saturacin
T
2T
t
Entrada
V
S
0'2
20
T
2T
t
Salida

56
4.2.9. Modelo de Ebers-Moll (*)
Las igualdades:
I
C
= I
E
I
E
=
C
I
1

I
C
= I
B
I
B
= I
E
- I
C

no son ms que expresiones de muy buena aproximacin en el modo directo V
EB
> 0 y
V
CB
< 0 para un PNP. Como I
E
y I
C
son del orden del mA en ellas se han despreciado las
corrientes inversas de saturacin de orden del A. Tenindolas en cuenta se tiene:
) 1 e ( I I I
T CB
V / V
CO E F C
+ =
) 1 e ( I I I
T EB
V / V
EO C R E
+ =
Los nuevos coeficientes
F
y
R
, directo e inverso, en el modo directo son prxi-
mos a y 1/ respectivamente.
Ebers-Moll probaron experimental y tericamente que en un transistor estn aco-
plados en mayor o menor medida los diodos emisor-base y base-colector en todos los mo-
dos. Por consiguiente, las corrientes I
E
e I
C
dependen linealmente de exponenciales en las
variables de V
EB
y V
CB
.
Tanto para los modos directo como inverso, se formulan las ecuaciones para I
E
e I
C

en funcin de las variables V
EB
y V
BC
en el caso de un transistor bipolar tipo PNP:
) 1 e ( a ) 1 e ( a I
T CB T EB
V / V
12
V / V
11 E
+ =
) 1 e ( a ) 1 e ( a I
T CB T EB
V / V
22
V / V
21 C
+ =
Este modelo representa el transistor en los diferentes modos de operacin. As por
ejemplo, cuando trabaja en modo de corte, V
EB
< 0 y V
CB
< 0, el modelo se reduce a dos
corrientes inversas de saturacin de las dos uniones, y I
E
e I
C
tienden a cero.
Los coeficientes de acoplo a
11
, a
12
y a
12
= a
21
son parmetros fsicos especficas del
transistor dado.
Estas ecuaciones son utilizadas:
a) En los programas de clculo de simulacin de circuitos como el programa
SPICE (Simulation Program with Integrate Circuit Emphasis).
b) En la formulacin de distintos circuitos equivalentes a transistores aptos para
distintas circunstancias (de frecuencia, de alto o bajo nivel de seal, etc.).


57
5. TRANSISTORES MONOPOLARES
Los transistores bipolares tienen una impedancia de entrada baja, lo que representa
en muchos casos una gran dificultad. En los monopolares esto no ocurre, su impedancia de
entrada es alta, en especial en el MOS.
Anteriormente hemos visto que en los transistores bipolares una pequea corriente de
base controla una corriente de colector muy superior. Los transistores de efecto de campo
son dispositivos de tres terminales en los que la corriente principal se controla mediante
una tensin. Las caractersticas principales son:
1. La potencia de control es nula, es decir, no se absorbe corriente por el terminal de
control.
2. Una seal muy dbil puede controlar el dispositivo.
3. La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico.

5.1. TRANSISTOR DE UNIN DE EFECTO DE CAMPO, JFET

En los transistores monopolares circula una sola clase de portadores mayoritarios a
lo largo de un canal n o p entre la fuente, S, y el drenador, D. Estos portadores mviles son
arrastrados por el campo elctrico generado por la diferencia de potencial establecida entre
el drenador y la fuente V
D
= V
DS
. Un campo transversal electrosttico a este flujo, creado
por la diferencia de potencial V
GS
, entre la puerta G y la fuente S, controla la magnitud de
este flujo y con ella la corriente de drenador, I
D
.

Un JFET de canal N se fabrica difundiendo una regin de tipo P en un canal de tipo
N, tal y como se muestra en la Figura 1. A ambos lados del canal se conectan los termina-
les de fuente (S, Source) y drenador (D, Drain). El tercer terminal se denomina puerta (G,
Gate).


58

Figura 1. Esquema del transistor JFET de canal N
Los smbolos de este tipo de dispositivos son:

Figura 2: Smbolos de los transistores JFET
Las explicaciones incluidas en este apartado se refieren fundamentalmente al transistor
NJFET, teniendo en cuenta que el principio de operacin del PJFET es anlogo.
PRINCIPIO DE OPERACION DEL NJFET
A continuacin se explica cmo se controla la corriente en un JFET. Al igual que sucede
con los transistores BJT el JFET tiene tres regiones de operacin:
Regin de corte
Regin lineal
Regin de saturacin
Canal N Canal N

59
Es preciso hacer notar que en este caso, la saturacin alude a un fenmeno completamente
distinto al de los transistores BJT.
Regin de corte
Centremos nuestra atencin en la Figura 1. La zona de tipo P conectada a la puerta forma
un diodo con el canal, que es de tipo N. Como se recordar, cuando se forma una unin PN
aparecen en los bordes de la misma una zona de depleccin en la que no hay portadores de
carga libres. La anchura de dicha zona depende de la polarizacin aplicada. Si esta es in-
versa, la zona se hace ms ancha, proporcionalmente a la tensin aplicada. Aplicando una
tensin V
GS
negativa aumentamos la anchura de la zona de depleccin, con lo que
disminuye la anchura del canal N de conduccin.
Si el valor de V
GS
se hace lo suficientemente negativo, la regin de agotamiento se exten-
der completamente a travs del canal, con lo que la resistencia del mismo se har infinita
y se estabiliza el valor de I
D
(Figura 3). El potencial al que sucede este fenmeno se deno-
mina potencial de bloqueo (Pinch Voltage, V
P
). En este caso por mucho que se aumente
V
DS
, la corriente I
D
permanece constante.

Figura 3: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con la tensin de bloqueo
Por lo tanto, para valores ms negativos que V
P
el transistor NJFET se encuentra polariza-
do en la regin de corte, y la corriente de drenador resulta ser nula.
Regin lineal
Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensin V
DS
mayor que cero, aparecer una
corriente circulando en el sentido del drenador a la fuente, corriente que llamaremos I
D
. El

60
valor de dicha corriente estar limitado por la resistencia del canal N de conduccin. En
este caso pueden distinguirse dos situaciones segn sea V
DS
grande o pequea en compara-
cin con V
GS
.
Valores pequeos del voltaje drenador-fuente
La Figura 4 presenta la situacin que se obtiene cuando se polariza la unin GS con una
tensin negativa, mientras que se aplica una tensin entre D y S menor.

Figura 4: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con V
GS
< 0
Por el terminal de puerta (G) no circula ms que la corriente de fuga del diodo GS, que en
una primera aproximacin podemos considerar despreciable. La corriente I
D
presenta una
doble dependencia:
La corriente I
D
es directamente proporcional al valor de V
DS

La anchura del canal es proporcional a la diferencia entre V
GS
y V
P
. Como I
D
est
limitada por la resistencia del canal, cuanto mayor sea V
GS
- V
P
, mayor ser la an-
chura del canal, y mayor la corriente obtenida.
Los dos puntos anteriores se recogen en la siguiente expresin:

Por lo tanto, en la regin lineal obtenemos una corriente directamente proporcional a V
GS
y
a V
DS
.

61
Valores altos del voltaje drenador-fuente
Para valores de V
DS
comparables y superiores a V
GS
la situacin cambia con respecto al
caso anterior: la resistencia del canal se convierte en no lineal, y el JFET pierde su compor-
tamiento hmico. Veamos por qu sucede esto.
Cuando se aplica un voltaje V
DS
al canal de 5 voltios, por ejemplo, este se distribuye a lo
largo del canal, es decir, en las proximidades del terminal D la tensin ser de 5 V, pero a
medio camino la corriente circulante habr reducido su potencial a la mitad (2,5 V), y en el
terminal S el potencial ser nulo. Por otra parte, si V
GS
es negativa (- 2 V, por ejemplo), la
tensin se distribuir uniformemente a lo largo de la zona P, al no existir ninguna corriente
(Figura 5). (NOTA: se desprecia la cada de tensin en las zonas situadas por debajo de los
contactos). Si V(x) es el potencial debido a la cada de tensin entre D y S resulta si S est
unido a tierra que: 0 = V(0) < V(x) < V(L) = V
DS
siendo L la longitud del canal.

Figura 5: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con V
GS
= -2 V y V
DS
= 5 V
En las proximidades del terminal S la tensin inversa aplicada es de 2 V, que se correspon-
de con la V
GS
= -2 V. Sin embargo, conforme nos acercamos a D esta tensin aumenta: en
la mitad del canal es de 4,5 V, y en D alcanza 7 V. La polarizacin inversa aplicada al
canal no es constante, con lo que la anchura de la zona de depleccin tampoco lo ser
(Figura 6). Cuando V
DS
es pequea, esta diferencia de anchuras no afecta a la conduccin
en el canal, pero cuando aumenta, la variacin de la seccin de conduccin hace que la

62
corriente de drenador sea una funcin no lineal de V
DS
, y que disminuya con respecto a la
obtenida sin tener en cuenta este efecto.

Figura 6: Esquema del transistor JFET de canal N en la regin de conduccin no lineal
Regin de saturacin
Si V
DS
se incrementa ms, se llegar a un punto donde el espesor del canal en el extremo
del drenador se acerque a cero. A partir de ese momento, la corriente se mantiene indepen-
diente de V
DS
, puesto que los incrementos de tensin provocan un mayor estrechamiento
del canal, con lo que la resistencia global aumenta (Figura 7).

Figura 7: Esquema del transistor JFET de canal N en la regin de corriente constante
La regin de saturacin se da cuando se estrangula el canal en el drenador, lo que sucede
cuando la tensin puerta-drenador es ms negativa que V
P
, es decir:

63
V
GD
< V
P
=> V
GS
- V
DS
< V
P
=> V
DS
> V
GS
- V
P
Antes de seguir adelante, comparemos las figuras Figura 3 y Figura 7. En el caso del blo-
queo, todo el canal resulta afectado por la zona de depleccin, que es constante porque la
tensin V
GS
se aplica uniformemente a lo largo de la unin. En cambio, en la regin de co-
rriente constante slo parte del canal ha llegado al bloqueo (provocado por V
DS
, que vara a
lo largo del mismo), y es lo que permite la circulacin de la corriente. Se demuestra que
cuando el canal est estrangulado en el extremo cercano al drenador pero no en el extremo
cercano a la fuente, la corriente I
D
ya no depende de V
DS
y la expresin de I
D
viene dada
por:
2
1
|
|
\
|
=
P
GS
DSS D
V
V
I I .

CURVAS CARACTERISTICAS
Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los transistores JFET.
En primer lugar, en la representacin de I
D
frente a V
GS
, para una V
DS
dada, se aprecia cla-
ramente el paso de la regin de corte a la de saturacin (Figura 8). En la prctica slo se
opera en el segundo cuadrante de la grfica, puesto que el primero la V
GS
positiva hace
crecer rpidamente I
G
.

Figura 8: Caracterstica V
GS
- I
D
del transistor NJFET
En la caracterstica V
DS
- I
D
del transistor NJFET se observa la diferencia entre las regiones
lineal y de saturacin (Figura 9). En la regin lineal, para una determinada V
GS
, la corriente

64
crece proporcionalmente a la tensin V
DS
. Sin embargo, este crecimiento se atena hasta
llegar a ser nulo: se alcanza el valor de saturacin, en donde I
D
slo depende de V
GS
.

DS
- I
D
del transistor NJFET
Ntese que, segn esta grfica, la regin de saturacin del JFET se identifica con la regin
activa normal de los transistores bipolares. Mientras que en los BJT la corriente de colector
slo depende de la de base, aqu la magnitud de control es la tensin V
GS
. Por el contrario,
si la resistencia del JFET en la regin lineal es muy pequea puede encontrarse un cierto
paralelismo entre las regiones lineal de JFET y de saturacin del BJT.
PARAMETROS DEL JFET
Se presenta a continuacin algunas de las caractersticas de los transistores JFET que ofre-
cen los fabricantes en las hojas de datos:
I
DSS
: Es la corriente de drenador cuando el transistor JFET se encuentra en configura-
cin de fuente comn y se cortocircuita la puerta y la fuente (V
GS
=0). En la prctica
marca la mxima intensidad que puede circular por el transistor. Conviene tener en
cuenta que los transistores JFET presentan amplias dispersiones en este valor.
V
P
(Pinch-Off Voltage): es la tensin de estrangulamiento del canal. Al igual que I
DSS
,
presenta fuertes dispersiones en su valor. Cuando se aplica V
P
, se estabiliza I
D
.
R
DS(ON)
: Es el inverso de la pendiente de la curva I
D
/V
DS
en la zona lineal. Este valor se
mantiene constante hasta valores de V
GD
cercanos a la tensin de estrangulamiento.
B
VDS
(Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensin de ruptura entre fuente y dre-
nador. Tensiones ms altas que B
VDS
provocan un fuerte incremento de I
D
.
3 V
Pinch-off
3 V 3 V
Pinch-off

65
B
VGS
(Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensin de ruptura de la unin entre la
puerta y la fuente, que se encuentra polarizada en inversa. Valores mayores de B
VGS

provocan una conduccin por avalancha de la unin.
______________________________________________________________________
Ej. 22 El JFET del circuito esquematizado tiene por potencial de estrangulamiento V
p

= -5 V y la corriente de saturacin para V
G
= 0, es I
DSS
= 5 mA. Calcular la corriente
de drenador y la diferencia de potencial entre drenador y puerta.

______________________________________________________________________
mA
V
V
I I
P
GS
DSS DSat
8 , 1
5
2
1 5 1
2
2
= |
\
|
=
|
|
\
|
=
V R I V V
C DS CC DS
9 , 3 5 , 4 8 , 1 12 = = =
_________________________________________________________________________
Ej. 23 En el JFET canal-p del circuito esquematizado, determinar la
corriente de drenador y la tensin de puerta para que la tensin V
DS

sea 12 V, sabiendo que la corriente I
DSS
= -8 mA y V
p
= 4 V.
-4 mA; 1,2 V.

________________________________________________________________________
mA I K I
R I V V
D D
D D CC DS
4 2 20 12 = =
=

2
1
|
|
\
|
=
P
GS
DSS D
V
V
I I De aqu que sustituyendo resulte:
4
1
8
4
GS
V
=

Luego V V
GS
2 , 1 =
R
C
= 4,5 K
V
CC
= 12 V
I
D
-2 V
G
D
S
V
CC
= -20 V
R
D
= 2 K
I
D
D
G
S

66
5.2 TRANSISTOR MOSFET
Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a las del JFET, aunque su principio
de operacin y su estructura interna son diferentes. Existen cuatro tipos de transistores
MOS:
Enriquecimiento de canal N
Enriquecimiento de canal P
Empobrecimiento de canal N
Empobrecimiento de canal P
Los smbolos son:

Figura 10: Transistores MOSFET

67
La caracterstica constructiva comn a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal
de puerta (G) est formado por una estructura de tipo Metal/xido/Semiconductor. El xi-
do es aislante, con lo que la corriente de puerta es prcticamente nula, mucho menor que en
los JFET. Por esa razn en el smbolo de la Figura 10 la puerta est aislada de los otros
electrodos y los MOS al ser la corriente de puerta casi nula se emplean para tratar seales
de muy baja potencia.
PRINCIPIO DE OPERACION
De entre todos los tipos de transistores MOS existentes se va a analizar el principio de fun-
cionamiento de dos de ellos: los NMOS de enriquecimiento y empobrecimiento.
5.2.1 NMOS de enriquecimiento
En la Figura 11 se presenta el esquema de un MOS de canal N de enriquecimiento. Las dos
regiones N estn fuertemente dopadas.

Figura 11: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento
Supongamos que se aplica una tensin V
DS
mayor que cero mientras que V
GS
se mantiene
en cero. Al aplicar una tensin positiva a la zona N del drenador, el diodo que forma ste
con el sustrato P se polarizar en inversa, con lo que no se permitir el paso de corriente: el
MOS estar en corte.
Supongamos que aplicamos un potencial V
GS
positivo pero pequeo, mientras mantenemos
la V
DS
positiva tambin. La capa de aislante de la puerta es muy delgada, tanto que permite
al potencial positivo aplicado repeler a los huecos y se produce en una primera fase una
zona de vaciamiento y si se sigue aumentando el potencial se atraen a los electrones (mino-

68
ritarios del sustrato de tipo P presentes en todo el semiconductor debido a la rotura espon-
tnea de enlaces). A mayor potencial aplicado, mayor nmero de electrones ser atrado, y
mayor nmero de huecos repelido. La consecuencia de este movimiento de cargas es que
debajo del terminal G se crea un canal negativo, de tipo N, que pone en contacto el drena-
dor con la fuente. La fuente constituye una isla de donde fluyen los portadores que forman
el canal cuando se establece la corriente y es el terminal negativo en los NMOS. Recapitu-
lando, por encima de un valor positivo V
GS
= V
TH
(Tensin umbral, Threshold Voltage) se
posibilita la circulacin de corriente I
D
(Figura 12). Nos encontramos ante una regin de
conduccin lineal.

Figura 12: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento en conduccin
Si el valor de V
DS
aumenta, la tensin efectiva sobre el canal en las proximidades del dre-
nador (V
GS
- V
DS
) va disminuyendo, con lo que el canal se estrecha en dicha zona, y se
pierde la linealidad en la relacin I
D
- V
DS
. Finalmente se llega a una situacin de satura-
cin similar a la que se obtiene en el caso del JFET.
Proceso de acumulacin: si la polarizacin que se aplica a la puerta G fuese negativa res-
pecto al sustrato tipo p, se produce una acumulacin de carga positiva (huecos, mayorita-
rios en el sustrato p) debida a la creacin de un campo elctrico entre ambas partes del ais-
lante que tiende a aproximar los huecos hacia la zona inmediatamente debajo del aislante.

69

5.2.2 NMOS de empobrecimiento
En la Figura 13 se presenta el esquema de un MOS de canal N de empobrecimiento.

Figura 13: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento
En este caso el canal ya est creado. Por lo tanto, si con V
GS
= 0 aplicamos una tensin V
DS

aparecer una corriente de drenador I
D
. Para que el transistor pase al estado de corte ser
necesario aplicar una tensin V
GS
menor que cero, que expulse a los electrones del canal.

Figura 14: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento en corte
Tambin en este caso, la aplicacin de una V
DS
mucho mayor que V
GS
provoca una situa-
cin de corriente independiente de V
DS
.

70
CURVAS CARACTERISTICAS
Con los transistores MOS se manejan dos tipos de grficas: la caracterstica V
GS
- I
D
, con
V
DS
constante, y la V
DS
- I
D
con V
GS
constante.
5.2.3 Transistor NMOS de enriquecimiento

GS
- I
D
del transistor NMOS de enriquecimiento
En la Figura 16 se pone de manifiesto cmo la intensidad I
D
aumenta bruscamente cuando
se supera la tensin umbral V
TH
(Threshold Voltage) y se crea el canal. Es un componente
idneo para conmutacin, puesto que pasa de un estado de corte a uno de conduccin a
partir de un valor de la seal de control. En los dispositivos con el terminal de puerta de
aluminio y el aislante de xido de silicio, la tensin umbral est en torno a los cinco vol-
tios.


71
DS
- I
D
La caracterstica V
DS
- I
D
del transistor NMOS de enriquecimiento es muy similar a la del
JFET, pero los valores de V
GS
cambian: en este caso la conduccin se da para voltajes posi-
tivos por encima del umbral.
5.2.4 Transistor NMOS de empobrecimiento

GS
- I
D
El NMOS de empobrecimiento puede funcionar tambin como transistor de enriquecimien-
to. Si la tensin V
GS
se hace positiva se atraern electrones al canal. Adems, a diferencia
de los JFET, la impedancia de entrada continua siendo muy elevada.

DS
- I
D
del transistor NMOS de empobrecimiento

72

PARAMETROS
Los parmetros comerciales ms importantes del transistor MOS son anlogos a los de los
JFET.

APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Las aplicaciones generales de todos los FET son:
ELECTRONICA ANALOGICA
Para estas aplicaciones de emplean transistores preparados para conducir grandes corrien-
tes y soportar elevadas tensiones en estado de corte.
Resistencias variables de valor gobernable por tensin (variando la anchura del ca-
nal).
Amplificadores de tensin, especialmente en la amplificacin inicial de seales de
muy baja potencia.
Control de potencia elctrica entregada a una carga.
En el caso de la amplificacin los circuitos se disean para que el punto de operacin DC
del MOS se encuentre en la regin de saturacin. De este modo se logra una corriente de
drenador dependiente slo de la tensin V
GS
.
ELECTRONICA DIGITAL
Los MOS se emplean a menudo en electrnica digital, debido a la capacidad de trabajar
entre dos estados diferenciados (corte y conduccin) y a su bajo consumo de potencia de
control. Para esta aplicacin se emplean dispositivos de muy baja resistencia, de modo que
idealmente pueda considerarse que:
La cada de tensin en conduccin es muy pequea.
La transicin entre el estado de corte y el de conduccin es instantnea.


73
______________________________________________________________________
Ej.24 Las constantes especficas de un MOS de canal-n son: V
inv
= -4 V y la corriente
de saturacin a V
G
= 0 es I
DSS
= 6 mA. Con buena
aproximacin la corriente de drenador viene dada por
la expresin I
Dsat
=
2
inv
GS
DSS
V
V
1 I
|
|
\
|
. Calclese en el
esquema indicado las tensiones drenador-fuente, V
DS
, y
puerta-fuente, V
GS
, para que la corriente de saturacin
sea I
Dsat
= 4 mA.
_________________________________________________________________________
V V V K mA V R I V
DS DS DS D DSat CC
7 2 4 15 = + = + =
V V
V
GS
GS
73 , 0
4
1 6 4
2
= |
\
|
=

V
CC
= 15 V
R
D
= 2 K
I
Dsat
= 4 mA
+
-
V
DS
V
GS
+
-

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TEMA 4.

, tal que si no se alcanza no se inicia el

y una pequea resistencia R

(Si) = 0,7 V determinar la intensi-

= 0,7 V. En este caso,

= y la cada de tensin en la R = 3 K es V = 0,933 = 2,79 V.

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