Electrnica III Amplificador En Emisor Seguidor Darlington Pgina 1

AMPLIFICADOR EN EMISOR SEGUIDOR

DARLINGTON
.

RESUMEN: En esta prctica de
laboratorio se procedi a realizar el diseo y
montajes de un amplificador emisor seguidor
Darlington en discreto, con su respectivo
anlisis en simulacin como barrido de
resistencia de carga, Ancho de banda y forma
de onda etc .


PALABRAS CLAVE: polarizacin, beta,
Darlington.

1. OBJETIVOS

Disear, simular e implementar un
amplificador emisor seguidor con Darlington
en discreto.

determinar las caractersticas de un
amplificador emisor seguidor con un par
Darlington.

1. INTRODUCCIN

Circuito Darlington: esta configuracin se
compone de dos transistores e en cascada,
cual posee caractersticas deseables que
algunas veces lo hacen lo ms til que un solo
transistor. El circuito tiene alta impedancia de
entrada, baja impedancia de salida y alta
ganancia de corriente.


FIG 01: Configuracin Darlington.

2. MATERIALES Y EQUIPOS
Osciloscopio
Generador de Seales
Fuente de voltaje variable.
Multmetro.
Transistor BJT 3904.
Transistor BJT TIP41.
Resistencias.
Protoboard
Condensadores
Caimanes Cables 3.
PROCEDIMIENTO
Disear e implementar un amplificador de
audio en discreto que cumpla con las
siguientes caractersticas:
Ai=3209
Resistencia de carga RL=200, fuente
de voltaje 18v.
Impedancia de entrada Zin=741.7k.
3.1 Escribir el procedimiento completo del
diseo incluyendo el anlisis matemtico y
los criterios que se requieran. Hacer un
diagrama de bloques que incluya la ganancia
de voltaje, impedancia de entrada y la RL que
soporta.

Asumiendo que R 200
E L
R = = O


Hallamos por mxima transferencia de
potencia

100
ac L E
R R R = = O y 200
DC
R = O

18
60
100 200
cc
ac DC
V V
Ic mA
R R
= = =
+ O+ O

Q1
Q2N3904
Q2
TIP41
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.
RE CQ E
V I R =
(60 ).(200 )
RE
V mA = O
12
RE
V V =
CE CC RE
V V V =
18 12
CE
V V V =
6
CE
V V =

A travs de estos resultados, realizamos un
barrido en corriente de colector para hallar
nuestra corriente de base.


FIG 02: Esquema para barrido de corriente de
colector y parmetros de so transistores

Seguido de esto hallamos los parametros
hibridos de cada uno de los transistores que
conforman el amplificador tipo darlington.


FIG 03: Datos de Parmetros para transistores
Q2N3904 y Tip 41 Respectivamente,


Teniendo en cuenta que la impedancia de
entrada del Tip 41 es la impedancia de entrada
del transistor 3904, hallamos su valor
mediante al siguiente ecuacin:
41 41 41
.
Tip Tip Tip
hic r | t =
Obteniendo:
41
(109).(48.3)
Tip
hic =
3
41
5264.7 6.66 10
Tip
hic x = ~
Se realiz esta aproximacin teniendo en
cuenta la Rin, que exige como mnimo el
transistor 3904.

Con estos datos y mediante la siguiente
formula despejamos RB, calculamos la
ganancia de corriente y comprobamos nuestra
corriente de colector I
CQ
=60mA y voltaje
V
CE
=6V a la vez los valores de VBB, R1 y
R2.

1 2
( . ( ))
in B L E
R R R R | | =


1 2
.
.
B E
i
B
E L
L E
R R
A
R
R R
R R
| |
=
+
+


1 2
.
B
BB BE c E
R
V V I R
| |
| |
= + +
|
\ .

1
1
B
BB
CC
R
R
V
V
=

2
.
B CC
BB
R V
R
V
=
Obteniendo los siguientes resultados

Tabla 1: Datos obtenidos mediante despeje de
Rb de la ecuacin de Rin.

Optando por una Zin de 660k la cual nos
garantiza de forma aproximada nuestra
Zin RB Ai IC(mA) Vce VBB R1 R2
500K 716.1k 2500 60 6V 16V 6.42M 805.9K
600K 940.6K 3000 60 6V 16.8 14.18M 1M
660K 1.1M 3300 60 6V 17.4V 31.4M 1.2M
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ganancia de corriente teniendo en cuenta un
pequeo margen de error que podran darnos
los componentes.





3.2 Simular el diseo, hallando las formas de
onda resultantes y las ganancias obtenidas
usando una carga resistiva R
L
.

Incluir los
diagramas esquemticos del circuito completo
y realizar adems, un barrido de la resistencia
de carga y la frecuencia de entrada del
amplificador con condiciones nominales.
Qu ancho de banda tiene el amplificador
diseando?cul es la potencia de salida?.


FIG 05: Esquemtico Seguidor Emisor
Arlington con Ai=3300 A/A.


FIG 06: Grafica Impedancia de entrada
Zin=654.9k.


FIG 07: Grafica ganancia de corriente
Ai=3240 A/A.


FIG 08: Grafica Ganancia de voltaje
Av=0.990 v/v.


FIG 09: Grafica Ancho de banda
BW=2.7KHZ.


FIG 10: Grafica de potencia P=75.16mW.


Nota: Graficas ampliadas en Anexos.

Para el ancho de banda hallamos el valor
inicial y final de la parte ms conste del
diagrama de boode de nuestra ganancia de
corriente en su valor mximo:
56.23
inicio
f Hz
2.81
final
f KHz

Ancho de banda

final inicio
BW f f =
2.81 56.23 BW KHz Hz =
2.7 BW KHz =


3.3 Hallar la potencia de salida del
amplificador y al ancho de banda. Anexar los
datos obtenidos para esta medicin y las
formas de onda. qu tan cercanos son los
Q1
TIP41
Q2
Q2N3904
R1
1.2MEG
R2
200
R3
200
C1
100u
C2
100u
V1
18Vdc
0
V2
1Vac
0Vdc
Frequency
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz
V(C2:1) / I(C2)
0
0.5M
1.0M
Frequency
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz
I(R3) / I(C2)
0
1.0K
2.0K
3.0K
4.0K
Frequency
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz
V(R3:2) / V(C2:1)
0
0.5
1.0
Frequency
1.0Hz 3.0Hz 10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz 300KHz 1.0MHz 3.0MHz 10MHz
I(R3) / I(C2)
0
1.0K
2.0K
3.0K
4.0K
Time
0s 0.1ms 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms
W(R3) RMS(W(R3))
0W
50mW
100mW
150mW
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resultados a los obtenidos mediante
simulacin?.

Para la potencia de salida hallamos la
corriente de salida rns y el voltaje de salida
rms por lo tanto
P=V
rms
*I
rms.



FIG 11: Grafica corriente de salida del
amplificador i
out
=17.4mA




FIG 12: Grafica voltaje de salida del
amplificador V
out
=3.4Vrms.




FIG 13: Grafica de potencia de salida del
amplificador P
out
=60.66mW.



Datos Simulacin Practica
Ic
Q
56.89mA 60mA
Vce 6.5v 58V
BW 2.7KHz 2.5KHz
V
out (rms)
3.46Vrms 3.31Vrms
I
out (rms)
17.44mArms 16.55mArms
Tabla 2: Tabla comparativa de resultados


Foto 01: Seales de entra Vs Salida del
amplificador.



Foto 02: Voltaje colector emisor en Prctica.




Foto 03: Corriente de colector en Prctica.
Time
0s 0.1ms 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms
-I(R3) RMS(I(R3))
-40mA
-20mA
0A
20mA
40mA
Time
0s 0.1ms 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms
V(R3:2) RMS(V(R3:2))
-5.0V
0V
5.0V
Time
0s 0.1ms 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms
RMS(I(R3)) * RMS(V(C1:2))
0W
20mW
40mW
60mW
80mW
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Foto 04: Seal de salida y valor Vrms de
salida.
4. ANALISIS DE RESULTADOS
1. Dado que la resistencia R1 que se ubica
entre base emisor del transistor de pequea
seal Q2N3904 es muy grande R1= 31.4M,
se retira del diseo.

2. Se realiza un cambio en la frecuencia de
corte fi=20Hz a 10KHZ ya que con l
frecuencia se presenta una impedancia muy
grande, la cual no permitira que se
polarizaran los transistores.

3. Dada la magnitud de la corriente de entrada
5.6uA y la caracterstica de la ecuacin de la
ganancia de corriente Ai=i
in
/i
out
se hace
imposible obtener este dato en la prctica ya
que no se cuenta con instrumentos de medida
con este rango de medida.

5. CONCLUSIONES
1. La configuracin de este amplificador
exige un procedimiento de diseo en el
que los betas sean los ms idneos en
cuanto a temperaturas y dominios de
corrientes.
2. Se observ que al trabajar en una
frecuencia muy baja (10Hz) se
obtuvieron valores de capacitores muy
grandes.
3. Durante los clculos realizados se vio
necesario de omitir la resistencia que
va de la base del amplificador a la
tierra, ya que esta es superior a 20
M, y se asimila como si fuera un
circuito abierto.
4. La corriente de entrada no se logra
medir de forma prctica debido a que
estas son en el orden de los
microamperios y no se cuenta con los
instrumentos adecuados para eso.
5. CUESTIONARIO
1. Cmo se calcula la potencia de salida a
partir del voltaje pico a pico visto en el
osciloscopio?
R. /: Para calcular la potencia se aplica a la
entrada del amplificador una seal de unos
1000 Hz y luego se conmuta el osciloscopio a
medidas de corriente alterna (AC).
Una vez alimentado el amplificador, se
aumenta lentamente el volumen de la seal
sinodal que procede del generador hasta ver
que los extremos de la onda se corten o
aplanen.
Entonces en el osciloscopio se cuentan
los cuadritos de divisin, que son los que
indican el voltaje pico/pico de la tensin de
salida, y con este valor podemos averiguar
cul es la potencia real del amplificador.
2. cmo se calcula la potencia disipada por
los transistores?

R./: Esta potencia se calcula hallando el
voltaje colector emisor del transistor por la
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corriente de colector teniendo en cuenta que
I
C
I
E
.

3. Investigar sobre las posibles aplicaciones
del emisor seguidor con Darlington:

R./. Esta configuracin es utilizada tanto en
amplificadores de audio discreto o en todo
aquello que requiera una ganancia de corriente
grande con impedancia de entrada alta.

4. Cules son las limitaciones (desventajas)
de un par Darlington?

R./. Una de las desventajas del par de
transistores Darlington es que la corriente d
fuga del primer transistor se amplifica por
medio del segundo transistor.

5. Investigar sobre otras posibles topologas
de emisor seguidor con par Darlington.

R./. El par de transistores Darlington se usa
ya sea en una configuracin de amplificador
SE o en una EC.


6. BIBLIOGRAFIA
-SAVANT Jr, CJ., Roden, Martin y Carpenter,
Gordon. Diseo Electrnico - Circuitos y
Sistemas. Tercera Edicin. Editorial Pearson
Education. 2000.
-GUTIERREZ Humberto. Electrnica
Anloga: Teora y Laboratorios.