Fundamentos de ptica

Apuntes de ptica Curso 2008/09

TEMA 3 FUENTES DE LUZ Y EMISIN LSER

Prof.Dr. E. Gmez Gonzlez

Departamento de Fsica Aplicada III E.S.Ingenieros - Universidad de Sevilla
E.G.G. DFA III-ESI 2008/09
UNIVERSIDAD DE SEVILLA

2 Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNTICOS PTICA (TEMA 3 Fuentes de luz y emisin lser)

Tema 3: Fuentes de luz y emisin lser

Consideraciones cunticas Emisin espontnea y absorcin Emisin estimulada y amplificacin Inversin de poblacin Cavidad resonante y modos de funcionamiento Emisin lser Coherencia espacial y temporal Componentes generales y luz emitida Comparacin con fuentes de luz convencionales (filamento, gas, halgena) Tipos de lser Lser de medio slido (rub) Lser de gas (He-Ne) Lser de semiconductor (GaAS) Almacenamiento ptico de informacin Aplicaciones en comunicaciones pticas Otros tipos y aplicaciones. Holografa. Riesgos en el uso de fuentes de luz lser Clasificacin y medidas de seguridad Exposicin Mxima Permisible y Zona de Riesgo Nominal Dispositivos de proteccin ocular

Estos Fundamentos de ptica han sido especficamente adaptados como Apuntes para el Curso de ptica que imparte el autor en la asignatura Campos Electromagnticos de Ingeniera de Telecomunicacin de la E.S.Ingenieros de la Universidad de Sevilla. Se recomienda su utilizacin combinada con los dems materiales y referencias de la asignatura. Propiedad Intelectual Estos Apuntes, as como el material contenido en ellos, estn protegidos por las normas vigentes de Propiedad Intelectual y nicamente pueden destinarse al estudio personal. Para citar la informacin contenida en los mismos debe indicarse: Gmez Gonzlez, E.: Fundamentos de ptica: Fuentes de luz y emisin lser, Universidad de Sevilla 2006. as como los datos especficos de cada obra detallados en las Referencias indicadas entre corchetes. 2 Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNTICOS PTICA (TEMA 3 Fuentes de luz y emisin lser) 2
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Consideraciones cunticas
Desde el punto de vista cuntico, los electrones estn alrededor de los ncleos en determinadas rbitas o niveles de energa (definidos por los nmeros cunticos) En estos niveles, los electrones estn en un estado estable: ni absorben ni emiten energa Cuando un electrn salta de un nivel a otro se produce una radiacin energtica de valor

E = h

donde h es la constante de Planck, es la frecuencia de la radiacin emitida y E es la diferencia de energa entre los niveles

Estas radiaciones son ondas electromagnticas propagndose con la velocidad de la luz c 3108 m/s En el modelo corpuscular, la radiacin emitida est constituida por fotones.
[1]

LASER = Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation

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Emisin espontnea y absorcin

En condiciones normales, la mayora de los tomos de una poblacin se encuentran en su estado ms bajo de energa, pero el resto estn excitados, con alguno de sus electrones en un nivel superior de energa. Los tomos que se encuentran en estado excitado emiten espontneamente fotones, volviendo al nivel energtico inferior. Este proceso es aleatorio y los fotones emitidos no son coherentes, es decir, no guardan ninguna relacin de fase unos con otros, denominndose emisin espontnea. Cuando sobre un electrn incide radiacin de energa E, tiene lugar un proceso de absorcin, promocionndose el electrn a un nivel de energa superior.
Dispersin de las lneas espectrales ~ 10-11 m

Emisin estimulada y amplificacin

Si sobre un electrn en un estado excitado incide una radiacin de energa el tomo es estimulado a emitir un fotn de la misma frecuencia y fase. Este es el proceso de emisin estimulada y al sumarse ambas radiaciones (la incidente y la emitida) tiene lugar la amplificacin de la radiacin. La emisin estimulada se puede producir en condiciones normales pero es un efecto muy pequeo porque hay pocos tomos en estado excitado.

E = h

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Inversin de poblacin
En un lser es necesario producir (mediante un aporte energtico externo: sistema de bombeo) un estado (del medio activo) en el que el nivel superior de energa est superpoblado, con ms electrones que en el nivel inferior. En esas condiciones se dice que se ha conseguido una inversin de poblacin y la probabilidad de que tenga lugar una emisin estimulada es muy alta, y se pueden obtener muchos fotones coherentes. Es necesario un medio activo con, al menos, 3 niveles energticos disponibles

[1]

densidad de ocupacin de niveles probabilidades de transicin coeficientes de Einstein

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Emisin lser: resumen

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Cavidad resonante y modos de funcionamiento

La radiacin debe estar confinada (ir y volver) en una cavidad resonante, formada por dos espejos: uno total (r = 100%) y otro parcialmente reflectante (r ~ 95 99.9%)

d
Potencia (W)

Ondas estacionarias: d = m 2 Velocidad en el medio: frecuencias de resonancia: f

cn = f cn = c n

f =

cn

Modos de funcionamiento: haz continuo (continuous wave, CW) Tiempo pulsado (pulsed, P) gain switched: lmpara de bombeo se enciende/apaga. Pulsos de s / ms Q-switched: ganancia de la cavidad en escala temporal. Pulsos de ns Modelocked: cavidad en trayecto ida-vuelta, Pulsos de ps fs
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Energa (J)

cn m m = 1, 2, 3,... 2d

Tiempo

Coherencia Espacial y Temporal

Pulso (tren) de ondas de longitud lo, frecuencia o y amplitud constante propagndose en OX tiempo en pasar por un punto (tiempo de coherencia): o longitud de coherencia: lo

o = lo o

anchura espectral

Coherencia temporal monocromaticidad: / 10-15 Coherencia espacial En el lmite lo, 0 se tiene una onda monocromtica
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Componentes Generales y Luz Emitida (I)

Espejo 100% reflectante Componentes Generales: medio activo sistema de bombeo cavidad resonante

Espejo parcialmente reflectante

Luz emitida: monocromtica colimada coherente

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Componentes Generales y Luz Emitida (II)

[1]

[4]

[1]

Perfil de intensidad del haz modos TEM interesa gaussiano: TEM00

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Comparacin con fuentes convencionales (I): Lmparas incandescentes

[8]

1. 2. 3. 4. 5.

Monocromtica Direccional (colimada) Coherente Alta irradiancia: 103 W/m2 1015 W/m2 Verstil: sintonizable, CW / P,

1. 2. 3.

Mltiples longitudes de onda Multidireccional Incoherente

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Comparacin con fuentes convencionales (II) Tubos de gas (fluorescentes)

[8]

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Comparacin con fuentes convencionales (III) Lmparas halgenas

[12]

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Tipos de lser: los ms comunes (sin incluir los de semiconductor)

WAVELENGTHS OF MOST COMMON LASERS

Laser Type
Argon fluoride (Excimer-UV) Krypton chloride (Excimer-UV) Krypton fluoride (Excimer-UV) Xenon chloride (Excimer-UV) Xenon fluoride (Excimer-UV) Helium cadmium (UV) Nitrogen (UV) Helium cadmium (violet) Krypton (blue) Argon (blue) Copper vapor (green) Argon (green) Krypton (green) Frequency doubled Nd YAG (green) Helium neon (green) Krypton (yellow) Copper vapor (yellow)

Wavelength (m) Laser Type

0.193 0.222 0.248 0.308 0.351 0.325 0.337 0.441 0.476 0.488 0.510 0.514 0.528 0.532 0.543 0.568 0.570 Helium neon (yellow) Helium neon (orange) Gold vapor (red) Helium neon (red) Krypton (red) Rohodamine 6G dye (tunable) Ruby (CrAlO3) (red) Gallium arsenide (diode-NIR) Nd:YAG (NIR) Helium neon (NIR) Erbium (NIR) Helium neon (NIR) Hydrogen fluoride (NIR) Carbon dioxide (FIR) Carbon dioxide (FIR)

Wavelength (m)
0.594 0.610 0.627 0.633 0.647 0.570-0.650 0.694 0.840 1.064 1.15 1.504 3.39 2.70 9.6 10.6

Key:

UV = ultraviolet (0.200-0.400 m) VIS = visible (0.400-0.700 m) NIR = near infrared (0.700-1.400 m)

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Lser de medio slido (rub, T.Mainman, 1960)

Rub: Al2O3 + Cr ~10-3 = 694.3 nm bombeo ptico: Xe Pulsos ~ 5 J ( ~ 1012 W)
[1]

Dimetro ~ 0.5 cm Longitud ~ 5 cm

[1]

Nd:YAG Nd:YLF Ti:Sapphire

~ 1064 nm (doubled) ~ 527 nm

Rojo

Aplicaciones: I+D (fusin, ) materiales,

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Lser de Gas (He-Ne)

He:Ne = 7:1 (Presin = 1 torr) = 632.8 nm, P~mW colisiones inelsticas / excitacin electores cdigos barras,

e Ar+: ~ 515 nm, P~10 W aplicaciones mdicas He-Cd: ~ 442 nm, P~10 mW anlisis ambiental (polucin, ) CO2: ~ 10.2 m, P~ kW cortes, taladros,
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[1]

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Lser de semiconductor (GaAs)

densidad de corriente Pulsado / Continua modulable hasta 1012 Hz ancho de pulso ~ 100 ns Energa: 30 mJ per pulse @ 1 kHz Potencia media < 50 W @ 3 kHz Divergencia angular ~ 20 urad

ILD = Injected Laser Diode

(r = 100%)

(r = 99.9%)

[1]

GaAs: ~ 690 / 870 nm comunicaciones / imagen alta velocidad GaN (ILD): ~405-410 nm, P~30 mW DVD blu-ray disc AlGaInP (ILD) ~635670 nm, P~220 mW LED = Ligth Emitting Diode CD-ROM AlGaAs (ILD) Otros semiconductores: ~780830 nm, P~220 mW CD-R/RW IR UVA
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Almacenamiento ptico de informacin (I)

Fundamentos

Reflexin especular

Reflexin difusa

1950 discos magnticos 1970 videodiscos: audio A 1980 CD: audio D - CD-ROM: audio + datos 2000 DVD blu-ray disc no tocar !

normal

araazo

polvo

polvo grasa de transparente huella

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Almacenamiento ptico de informacin (II)

Tipos

Disco WORM (write once, read many) - pelcula (aleacin) de Te, Sn y Pb sobre disco de Al o cristal + capa protectora ablacin lser cambio de reflectividad (R) Almacenamiento Regrabable por cambio de fase - mismo disco Te: cambio de fase a T ambiente: policristalino (R) amorfo (R)
calentamiento + enfriamiento

CAPACIDAD: CD convencional = 5.25 con ~800 nm 17 MB/cm2 650 MB con ~410 nm 387 MB/cm2 4.7 GB !!! blu-ray disc
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Almacenamiento ptico de informacin (III)

Lectura de las seales

Seales dbiles profundidad de las marcas elegida tal que sea d = (1/4) diferencia marca / no marca tiene = /2 interferencia destructiva en detector !

Ej.: CD con = 780 nm. Disco recubierto con una capa de ndice de refraccin 1.50. cul debe ser la profundidad de las marcas? Sol.: 130 nm

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Almacenamiento ptico de informacin (IV)

Realimentacin para alineamiento

El lser debe seguir con precisin las pistas en espiral, separadas ~ 1.25m mecanismo de realimentacin para saber si se desva: RED DE DIFRACCIN: - lectura: mximo central fuerte - 2 mximos de primer orden en las superficies planas inter-pistas cte Ej.: CD con =780 nm y red de difraccin situada a 6.90 m del disco. Si los haces de primer orden deben incidir a 0.400 m de la pista la red debe tener 74.2 lneas/mm
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[7]

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Almacenamiento ptico de informacin (V): disco magneto-ptico

Escritura

Almacenamiento Regrabable magneto-ptico enfriamiento - pelcula (aleacin) de metales/tierras raras: TbFeCo inicial: dominios orientados desmagnetizacin reorientacin (0/1) dominios reorientados Campo dbil: B~300 G Calentamiento (temperatura de Curie, T )
C

estado ferromagntico estado no ferromagntico

Campo alto: B ~ kG

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Almacenamiento ptico de informacin (VI): disco magneto-ptico

Lectura

Lectura: efecto Kerr (magneto-ptico): conversin de luz polarizada linealmente en luz polarizada elpticamente por reflexin en material ferromagntico Luz polarizada incidente (~2 mW) sobre material ferromagntico (M): el plano de polarizacin gira un cierto ngulo = (M) ~ 0.5o -1o SNR << deteccin diferencial: +/- IA/ IB Ej.: La superficie del disco se mueve con velocidad ~ 1 m/s respecto al haz lser y cada marca es un cilidro de L ~ 1 m y R ~ 1 m. El material ferromagntico tiene temperatura de Curie TC = 600 K, calor especfico ce = 300 J/(K oC) y densidad = 2103 kg/m3 el haz lser debe producir una irradiancia I ~ 108 W/m2
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Aplicacin en comunicaciones pticas

0,6

0,5

0,4

1550 window 1310 window

0,3

0,2

0,1 1100 1300 1500 1700

1900

Wavelength

Prdidas en fibra ptica: ventanas en el IR

Inters para comunicaciones pticas: lseres pulsados: alta velocidad de transmisin sintonizables: aprovechar las ventanas
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Otros tipos y aplicaciones

Lquidos: colorante (dye) sintonizable: = 540640 nm P ~ 100 mW Lser de electrones libres Alta potencia Resonadores EM ~ 13 nm Energy Source

Otros tipos gel qumicos nucleares

Aplicaciones industriales: corte, soldadura, anlisis qumico / ambiental: LIDAR medicina: ciruga bio-ptica: induccin / marcado de fluorescencia

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Holografa: registro y visualizacin de imgenes verdaderamente 3D

Registro: Se graba un patrn de interferencia:

haz de referencia + haz procedente del objeto

Visualizacin: Se reconstruyen los frentes de onda en amplitud, frecuencia y fase (tal y como procedan del objeto)
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Riesgos en el uso de fuentes de luz lser

1. Ocular: La exposicin aguda (puntual) a algunas longitudes de onda (290-400nm) y/o potencias puede causar quemaduras en la crnea, la retina o ambas. La exposicin crnica (prolongada) a niveles excesivos puede causar opacidad en la crnea o en el cristalino (cataratas) o dao retinal. La franja de dao retinal es de 400-1400 nm. Los efectos visuales pueden no ser evidentes hasta que el nivel de dao trmico sea muy alto. La exposicin al lser Nd:YAG Q-switched (1064 nm) es particularmente peligrosa. Drmico: La exposicin aguda a altos niveles de radiacin ptica puede causar quemaduras en la piel. Para potencias 1 W - 5 W el dao inicial es superficial. Para potencias superiores el dao profundo es inmediato. La carcinognesis puede ocurrir para longitudes de onda ultravioleta (290-320 nm). Qumico: Algunos lseres necesitan sustancias peligrosas o txicas para su funcionamiento (p.ej.: lseres de colorante o lseres de excmero). Los lseres pueden inducir reacciones qumicas con liberacin de productos peligrosos gaseosos (p.ej. flor). Elctrico: La mayora de los lseres utilizan fuentes de alto voltaje que pueden ser letales. Fuentes defectuosas de >15 kV pueden emitir rayos-X. Incendio: Los disolventes utilizados en los lseres de colorante son inflamables. Las lmparas de flash o de alto voltaje puede ocasionar ignicin. Los materiales inflamables pueden entrar en ignicin debido a incidencia directa o reflexiones especulares de lseres infrarrojos continuos de alta potencia.
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2.

3.

4. 5.

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Clasificacin de los lseres y sus medidas de seguridad

Los lseres se clasifican por su potencial de riesgo basado en su emisin ptica Las medidas de seguridad necesarias vienen determinadas por esta clasificacin De esta manera, no se imponen restricciones innecesarias en el uso de dispositivos fabricados para uso seguro En EE.UU la clasificacin de los lseres se basa en American National Standards Institutes (ANSI) Z136.1 Safe Use of Lasers En Europa / Espaa se siguen normas anlogas: EN 60825 (2001) y otras CONSULTARLAS SIEMPRE!! Reflexin especular Reflexin difusa Importancia de la reflexin especular o difusa Una superficie puede ser rugosa reflexin difusa para luz visible pero especular ! para la luz IR (10.6 m) de un lser de CO2

Los criterios de clasificacin de los lseres son los siguientes: 1. 2. Longitud de Onda. Si el lser se ha diseado para emitir en mltiples longitudes de onda, la clasificacin se basa en aquella ms peligrosa Para clasificar los lseres de onda continua (continuous wave, CW) o los lseres pulsados repetitivos se consideran la potencia promedio de salida (average power output) (en Watts) y el tiempo de exposicin lmite (limiting exposure time) inherentes al diseo. Para clasificar los lseres pulsados se consideran la energa total por pulso (total energy per pulse) (en Julios), la duracin del pulso (pulse duration), la frecuencia de repeticin de pulsos (pulse repetition frequency) y la exposicin radiante del haz emergente (emergent beam radiant exposure).
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Clasificacin ANSI:
Clase 1 denota lseres o sistemas lser que, en condiciones normales de operacin, no suponen ningn riesgo. Clase 2 denota lseres visibles de baja potencia o sistemas lser que, debido a la respuesta normal del sistema visual humano (parpadeo, movimiento ocular, ) normalmente no representan riesgo pero que pueden presentar potencial de riesgo si inciden en el ojo directamente durante periodos prolongados de tiempo (como muchas fuentes de luz convencionales). Clase 3a denota algunos lseres o sistemas lser con una etiqueta de PRECAUCIN (CAUTION) que normalmente no causaran dao ocular si se ven nicamente con el ojo desnudo durante perodos momentneos de tiempo (dentro del perodo de respuesta aversin- ocular) pero que pueden presentar un riesgo mayor si se ven utilizando elementos pticos concentradores (p.ej. lentes). Los lseres de la Clase 3a tienen etiquetas de PELIGRO (DANGER) si pueden exceder los niveles permisibles de exposicin. Si se utilizan con precaucin, los lseres de la Clase 3a poseen un riesgo bajo de dao. Clase 3b denota lseres o sistemas lser que pueden producir dao si se ven directamente. Esto incluye la visin directa de reflexiones especulares. Normalmente, los lseres de Clase 3b no producen reflexin difusa peligrosa. Clase 4 denota lseres y sistemas lser que producen dao no solamente por las reflexiones directas o especulares, sino que tambin pueden producir riesgo significativo en la piel as como riesgo de incendio.
Ej. 4 Un puntero lser consta de un lser de semiconductor de P = 3 mW que forma un punto de 2 mm de dimetro sobre la pantalla

I=

P P = = ... = 9.6 102 W m 2 103 W m 2 2 A R

irradiancia del sol a nivel del mar !! lmite mximo del reflejo de parpadeo !!

Atencin al desmontar carcasas! puede cambiar la CLASE !!

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Precauciones y Medidas de Seguridad

El Etiquetado debe indicar
punto / direccin de salida del haz tipo (gas / diodo / iones / ) modo (continuo / pulsado) energa y frecuencia de pulsos / potencia longitud de onda (y si es invisible) Clase advertencias (para piel y ojos) segn Clase [norma legal de referencia] advertencias segn sustancias (txicas, inflamables, ) y mecanismo de excitacin (riesgo elctrico, )

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Exposicin Mxima Permisible (Maximum Permissible Exposure, MPE)

La MPE se define en ANSI Z-136.1 como El nivel de radiacin lser al que una persona puede estar expuesta sin sufrir efectos peligrosos o cambios biolgicos adversos en el ojo o en la piel. La MPE no es una lnea de diferenciacin entre una exposicin segura y una peligrosa, sino que representa los niveles mximos que, segn el acuerdo de los expertos, pueden ser ocupacionalmente seguros para exposiciones repetidas. La MPE, expresada en [J/cm2] or [W/cm2], depende de los parmetros del lser: longitud de onda duracin de la exposicin / Frecuencia de Repeticin de Pulsos (Pulse Repetition Frequency, PRF), naturaleza de la exposicin: directa, reflexin especular o difusa

Zona de Riesgo Nominal (Nominal Hazard Zone, NHZ)

En algunas aplicaciones se requiere disponer de haces expuestos o al aire (open beams), siendo necesario definir el rea de radiacin lser potencialmente peligrosa. Este rea se llama ZONA DE RIESGO NOMINAL (nominal hazard zone, NHZ) y se define como el espacio dentro del cual el nivel de radiacin lser directa, dispersada o reflejada excede la MPE. El objetivo de la NHZ es definir el rea en la cual se requieren medidas de control y seguridad. Debe estar adecuadamente sealizada.

Dispositivos de proteccin ocular para lser (laser safety eyewear)

1. Los dispositivos de proteccin ocular deben estar disponibles y ser utilizados por todo el personal dentro de la NHZ de los lseres de Clase 3b y Clase 4 donde puedan ocurrir exposiciones que superen la MPE. 2.El factor de atenuacin (densidad ptica) de los dispositivos de proteccin visual debe ser especificado, para cada longitud de onda, por el Funcionario de Seguridad Lser (Laser Safety Officer LSO). 3.Todos los dispositivos de proteccin visual lser deben estar claramente etiquetados con la densidad ptica y la longitud de onda para la que ofrecen proteccin. Esto es especialmente importante en las reas donde existan mltiples sistemas lser. 4. Los dispositivos de proteccin visual lser deben inspeccionarse, por si presentan daos, previamente a su uso.
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Factores a considerar al seleccionar los dispositivos de proteccin ocular

Los protectores oculares se fabrican en polmeros o cristales con un absorbente: 1. Los protectores especficos para una longitud de onda no sirven para otra (aunque sean prximas). 2. El fabricante debe sealar el tiempo mximo de resistencia (del protector) a la exposicin indicando: - modo continuo: potencia y nmero mximo de segundos - modo pulsado: nmero mximo de pulsos / frecuencia y energa/pulso 3. El material absorbente se degrada con el tiempo: caducidad !! 4. Deben permitir el mximo de visin (mnima atenuacin) en el resto del espectro visible. Para la mayora de las aplicaciones, no deben atenuar por completo el lser para permitir ver la localizacin del haz. 5. Otros: ngulo de visin y visin perifrica, atenuacin en otras longitudes de onda, posibilidad de llevar gafas de correccin oftlmica simultneas, resistencia a impactos y salpicaduras, peso y comodidad.

Tipos (comunes) de protectores oculares

Goggles (gafas submarinas) Full-view spectacles (gafas de campo completo)

Lightweight spectacles (gafas ligeras)

wrap-around spectacles (gafas envolventes)

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