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Haute Ecole dIngnierie et de Gestion du Canton du Vaud

Electronique de puissance

__________ Chapitre 6

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE PREMIRE PARTIE : LA DIODE

CD:\Cours_doc\Chap6

M. Correvon

CD:\ELP\Cours\Chap6.doc

T A B L E

D E S

M A T I E R E S
PAGE

6.

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE. .........................................................................1 6.1 LA DIODE.................................................................................................................................................................1 6.1.1 Introduction. ......................................................................................................................................................1 6.1.2 Les proprits lectriques du cristal de silicium..............................................................................................1 6.1.3 Le silicium pur ou intrinsque. .........................................................................................................................1 6.1.4 Le silicium dop ou extrinsque. ......................................................................................................................3 6.1.5 Les mouvements des charges dans un cristal de silicium................................................................................5 6.1.6 La jonction PN. .................................................................................................................................................6 6.1.7 Remarques gnrales......................................................................................................................................15 6.1.8 La diode utilise en commutation...................................................................................................................16 6.1.9 Caractristiques statiques...............................................................................................................................17 6.1.10 Valeurs maximales admissibles pour le courant et la tension. ................................................................19 6.1.11 Pertes l'tat passant et l'tat bloqu....................................................................................................19 6.1.12 Les caractristiques dynamiques: les commutations................................................................................20 6.1.13 Avertissement. ............................................................................................................................................25 6.1.14 Grandeurs nominales et caractristiques importantes de slection. .......................................................26 6.1.15 Limites maximales d'utilisation (Absolute maximum ratings). ................................................................27 6.1.16 Caractristiques statiques..........................................................................................................................28 6.1.17 Caractristiques dynamiques. ...................................................................................................................28 6.1.18 Notes sur les diodes spciales....................................................................................................................32

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE

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6. LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE. 6.1 LA DIODE.

6.1.1 Introduction. Si on veut valuer les sollicitations auxquelles les semiconducteurs sont soumis lors des commutations, ou si on veut tudier les moyens qui permettent de rduire ces sollicitations, il faut disposer de modles plus prcis du comportement de ces interrupteurs statiques. Le but des sections 6.1.2 6.1.7 n'est pas de traiter de la physique des semiconducteurs ni de leur technologie de fabrication. Nous nous tiendrons au minimum ncessaire pour expliquer les principales caractristiques des composants les plus utiliss. 6.1.2 Les proprits lectriques du cristal de silicium. Les atomes des matriaux semiconducteurs possdent quatre lectrons sur leur couche extrieure dite couche de valence. Ceci peut correspondre l'association par liaison de covalences d'atomes identiques possdant chacun ces quatre lectrons priphriques (carbone, germanium, silicium) ou l'association deux par deux par liaison ionique d'atomes possdant, l'un trois lectrons priphriques, l'autre cinq (arsniure de gallium). Ces atomes ou ces molcules s'accrochent les uns aux autres de faon rgulire en partageant leurs lectrons priphriques et forment des structures cristallines. Au stade actuel de la technologie, seul le silicium permet la ralisation d'interrupteurs de puissance capables de supporter des tensions de quelques milliers de volts l'tat ouvert, des courants pouvant aller jusqu' plusieurs milliers d'ampres l'tat ferm. 6.1.3 Le silicium pur ou intrinsque. Dans un cristal de silicium, les atomes sont arrangs dans un rseau ttradrique o chaque atome voit ses quatre lectrons priphriques tablir quatre liaisons de covalence avec les quatre atomes qui lui sont voisins au sein du rseau. La Figure 6-1 donne une reprsentation plane de cette structure qui est priori stable.

Figure 6-1 : Structure d'un cristal de silicium

Toutefois, l'agitation thermique au sein de ce rseau fournit certains lectrons de valence l'nergie ncessaire pour passer de la bande de valence dans la bande de conduction, devenant
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ainsi des porteurs de charge ngative mobiles pouvant servir la circulation d'un courant dans le matriau. Lorsqu'un lectron passe dans la bande de conduction, il laisse dans le rseau cristallin un ion positif (atome ayant perdu cet lectron). Une particularit essentielle du silicium est que cet ion peut aisment rtablir son quilibre lectronique en capturant un lectron de valence d'un atome voisin, lequel peut son tour rtablir son quilibre aux dpens d'un atome voisin ... On voit que le trou laiss par le passage d'un lectron de la bande de valence la bande de conduction correspond une charge positive se dplaant de proche en proche dans le rseau cristallin et participant ainsi la conduction du courant au mme titre que l'lectron pass dans la bande de conduction. C'est pourquoi, lorsque l'agitation thermique fait passer un lectron dans la bande de conduction, on dit qu'il y a cration d'une paire lectron- trou pour indiquer qu'il y a apparition de deux porteurs de charge mobiles de signes opposs. Un lectron pass dans la bande de conduction peut revenir dans la bande de valence en tant captur par un ion positif ; on dit que cet lectron se recombine avec un trou du rseau cristallin. Par la suite, quand nous parlerons d'lectrons, nous sous-entendrons qu'il s'agit d'lectrons passs dans la bande de conduction. Le nombre de paires lectron-trou libr par unit de temps par l'agitation thermique crot avec la temprature du cristal. Par ailleurs, le nombre de paires lectron-trou qui se recombine par unit de temps est sensiblement proportionnel au produit de la concentration en lectrons par la concentration en trous au sein du cristal.

nI2 = C e
avec : Eg q K T C

qE g KT

6.1

: le niveau d'nergie du semiconducteur, 1.1eV pour le silicium. : charge de l'lectron : cte de Bolzmann : temprature en degr Kelvin : cte de proportionnalit

Ces deux mcanismes antagonistes font qu' une temprature donne la concentration en paires lectron-trou atteint une valeur d'quilibre pour laquelle le nombre de paires qui se recombine par unit de temps gale le nombre de paires gnres par l'agitation thermique. On caractrise la concentration en paires lectron-trou l'quilibre par le nombre nI d'lectrons par cm3 (Il est gal au nombre pI de trous par cm3; l'indice I correspond au caractre intrinsque du cristal.) A la temprature ambiante (25 C),

nI = p I 1.2 1010 [1 / cm 3 ]

6.2

Ce nombre, qui est celui des atomes ioniss par cm3 est une fraction infime des 5 10 22 / cm 3 atomes prsents dans le cristal.
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La rsistivit du silicium pur est voisine de 250k cm . Cette valeur est comparer celle du cuivre (1.7 10 6 cm ) et celle du polypropylne (1.7 1017 cm ). 6.1.4 Le silicium dop ou extrinsque. On peut modifier les caractristiques d'un cristal de silicium par dopage, c'est--dire par injection en trs faible quantit d'atomes trivalents, comme l'aluminium, ou pentavalents, comme le phosphore. La concentration en atomes trangers (ou impurets) introduits par le dopage doit tre nettement suprieure nI, pour produire un effet sensible, mais elle est infrieure n I2 et est donc ngligeable l'chelle du nombre d'atomes par cm3 cristal. 6.1.4.1 Le silicium de type N.

On ralise un dopage de type N en injectant dans le cristal de silicium des atomes possdant cinq lectrons de valence. Quatre lectrons de valence de chaque atome tranger servent tablir des liaisons covalentes avec les atomes de silicium voisins; le cinquime est rejet dans la bande de conduction et laisse derrire lui un ion positif (atome tranger ayant perdu un lectron). A chaque atome d'impuret correspond donc une charge ngative mobile, une charge positive fixe. Il faut ajouter ces charges les paires lectron-trou gnres par l'agitation thermique venant des atomes de silicium. Pour dterminer le nombre total de porteurs de charge l'quilibre thermique, on remarque: que le nombre de paires lectron-trou produit par cm3 et unit de temps par l'agitation thermique n'est pas affect par la prsence des impurets vu leur trs faible concentration, qu' l'quilibre le nombre de recombinaisons par cm3 et unit de temps reste proportionnel, comme pour le silicium pur, au produit de la concentration en lectrons nN par la concentration en trous pN. On en dduit, pour 25C

n N p N = nI p I = nI2 1.44 10 20 [1 / cm 3 ]
soit

6.3

pN =

nI pI nN

6.4

Si le nombre ND d'atomes trangers donneurs d'un lectron est nettement suprieur nI,

n N = N D + nI N D >> nI ou p I
et la relation prcdente devient

6.5

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pN =

nI p I << p I << N D ND

6.6

Par cm3 de cristal de silicium de type N il y a donc:

comme charges fixes:


ND ions positifs venant du silicium librs par agitation thermique;

comme porteurs mobiles :


pN trous venant d'atomes de silicium et dus l'agitation thermique, pN lectrons correspondant aux trous prcdents, ND, avec ND >> pN, lectrons librs par les atomes donneurs.

Les lectrons sont les porteurs de charge majoritaires. Les trous sont minoritaires. Le dopage diminue trs fortement la rsistivit du silicium. Pour ND = 1014/cm3, elle tombe 40 cm. 6.1.4.2 Le silicium de type P.

Le dopage de type P s'obtient en injectant dans le cristal de silicium des atomes trangers possdant trois lectrons de valence. Chacun de ces atomes doit capturer un lectron du rseau cristallin pour tablir des liaisons de valence avec les quatre atomes de silicium qui l'entourent. Cela transforme l'atome tranger en un ion ngatif et fait apparatre un trou dans le rseau cristallin. Si la concentration NA en atomes trangers accepteurs d'un lectron est nettement suprieure nI, la concentration en trous pP et celle en lectrons nP sont donnes approximativement par:

p P = N A + p I N A >> p I ou nI
nP = pI nI << nI << N A NA

6.7 6.8

Par cm3 dans un cristal de silicium du type P il y a donc:

comme charges fixes:


NA ions ngatifs, un par atome accepteur ayant captur un lectron;

comme porteurs mobiles :


nP lectrons venant du silicium librs par agitation thermique, nP trous correspondant aux lectrons prcdents, NA, avec NA >> nP, trous crs par les atomes accepteurs.

Les trous sont les porteurs majoritaires ; les lectrons sont minoritaires.

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LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE 6.1.5 Les mouvements des charges dans un cristal de silicium.

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Dans un mtal, les charges ngatives que constituent les lectrons de la bande de conduction sont libres de se dplacer au sein du matriau. Les charges positives, que constituent les atomes ioniss par passage de leurs lectrons priphriques dans la bande de conduction, sont fixes. Toute variation spatiale de la concentration en lectrons libres au sein du matriau crerait un dsquilibre entre les concentrations des charges positives et ngatives, et donc l'apparition d'un champ lectrique s'opposant ce dsquilibre. Dans un semiconducteur, il y a deux types de charges mobiles; les lectrons et les trous. On peut donc avoir une variation spatiale de la concentration en porteurs sans qu'il y ait apparition d'un champ lectrique ; il suffit que les variations de concentration des lectrons et des trous soient gales. Par consquent, dans un semiconducteur, deux mcanismes peuvent contribuer produire des mouvements de charges et donc faire circuler un courant. C'est l'existence de ces deux types de courant qui est la base des proprits particulires des dispositifs semiconducteur.

6.1.5.1

Effet des gradients de concentration: courant de diffusion.

Une variation de la concentration en lectrons suivant l'axe des x entrane un gradient de n concentration et un mouvement des lectrons dans le sens qui contribue rtablir x l'quilibre (Figure 6-2). Il en va de mme d'une variation de la concentration en trous. Il en rsulte un courant de diffusion dont la densit est donne par:

J diff , x = q ( Dn

n p Dp ) x x

6.9

o Dn, et Dp sont les constantes de diffusion des lectrons et des trous. Elles sont lies aux mobilits n et p par la relation d'Einstein :

Dn

Dp

kT = UT q

6.10

T k UT

: la temprature en degrs Kelvin [K], : la constante de Boltzmann (13.8 10 24 [J/K ] = 86.2 10 6 [eV/K] ), : le potentiel thermodynamique; il est de 26mV 25C.

6.1.5.2

Effet des gradients de potentiel: courant de conduction.

Un champ lectrique Ex, dirig suivant l'axe des x (Figure 6-2) exerce une force sur les charges mobiles et provoque par-l un mouvement global de ces charges dans le sens de Ex, pour les trous, en sens inverse pour les lectrons. Il en rsulte un courant de conduction dans le sens de Ex, et dont la densit est donne par:

J cond , x = q (n n + p p ) E x
avec
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6.11

LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE : charge de l'lectron (16 10 20 [C ] ), : les concentrations en lectrons et en trous [1/cm3], : les mobilits des lectrons et des trous.
Ex trous lectrons courant n lectrons courant x p trous courant
x

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q n et p n et p

x n(x)

p(x)

Figure 6-2 : Mouvement de charges d la conduction et la diffusion

6.1.6 La jonction PN. Pratiquement tous les dispositifs semiconducteur, et en particulier les interrupteurs de puissance, sont raliss l'aide de structures dans lesquelles certaines rgions sont du type P et d'autres de type N. La jonction PN dsigne la zone de faible paisseur (quelques microns) o la conductivit passe du type P au type N. Les phnomnes qui se produisent au niveau d'une jonction jouent un rle essentiel dans le fonctionnement de la plupart des interrupteurs de puissance semiconducteur.

6.1.6.1

La jonction PN l'quilibre.

Les porteurs majoritaires du ct P sont les trous, du ct N les lectrons. Il existe donc de part et d'autre de la jonction de fortes diffrences de concentration en trous et lectrons. Sous l'effet des gradients qui en rsultent, les trous ont tendance diffuser de la zone P vers la zone N, et les lectrons de la zone N vers la zone P, donnant ainsi naissance un courant de diffusion d aux porteurs majoritaires (Figure 6-3). Les recombinaisons entre charges mobiles de signes opposs sont trs nombreuses proximit immdiate de la jonction: il ne reste dans les rgions que les charges fixes, ions ngatifs du ct P, ions positifs du ct N, qui font disparatre localement la neutralit lectrique. Dans cette zone dite de dpltion ou de charge d'espace, apparat un champ lectrique dirig de la zone N vers la zone P. Ce champ cre un courant de conduction d aux porteurs minoritaires. A l'quilibre, aucun courant ne pouvant traverser la jonction isole, ce courant de conduction compense le courant de diffusion dirig en sens inverse. Puisque les charges mobiles disparaissent deux deux lors des recombinaisons, la charge positive localise du ct N de la jonction est gale la charge ngative localise du ct P. En
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dehors de la zone de dpltion, le champ lectrique est nul, comme le sont les gradients de concentration en porteurs.
Champ interne

Zone P

Zone N

Courant de diffusion Porteurs majoritaires (trous) Courant de conductioin Porteurs majoritaires (lectrons)

Figure 6-3 : Etat d'quilibre d'une jonction PN

Si on fait l'hypothse que les limites de la zone de dpltion sont abruptes (Figure 6-4), par centimtre carr de surface de jonction, on a:

du ct P, une charge gale qN Al P 0 S du ct N, une charge gale + qN D l N 0 S


en dsignant par NA lP0 ND lN0 S : le nombre d'atomes accepteurs par cm3 de la zone P, : la largeur en cm de la zone de dpltion dans cette zone l'quilibre, : le nombre d'atomes donneurs par cm3 de la zone N, : la largeur en cm de la zone de dpltion dans cette zone l'quilibre. : section (normale la direction du champ lectrique) du semiconducteur

L'galit des charges de part et d'autre implique que l'on ait:

N A lP0 = N D lN 0

6.12

Cette relation montre que, si les concentrations en impurets NA et ND sont diffrentes, c'est dans la zone la plus faiblement dope que la largeur de la zone de dpltion est la plus importante. L'hypothse de frontires abruptes de la zone de dpltion revient admettre que le champ lectrique volue dans cette zone suivant un triangle, comme reprsent la Figure 6-4:

q NA dE = S , dans la zone P dx

6.13

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dE q N D = S , dans la zone N dx
avec constante dilectrique du silicium (10-12F/cm).

6.14

Zone P

Zone N

Densit de charges

+qN D

lP0

lN0

-qNA
Champ lectrique
E ( x) = 1
lN 0

lP 0

Q( x)dx

lP0

lN0

-Emax
Diffrence de Potentiel

V 0

lP0

lN0

Figure 6-4 : Etat d'quilibre d'une jonction PN : Champ lectrique et diffrence de potentiel

On en dduit la valeur maximale Emax du champ dans la zone de dpltion et celle de la barrire de potentiel V0 qui s'installe entre la zone P et la zone N.
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Emax =

q ND

S lN 0 =
0

q NA

S lP0
lN 0

6.15

x + lP0 V0 = E ( x)dx = dx + Emax l P0 lP 0 l P 0 l +l = Emax N 0 P 0 2


lN 0

E
0

max

x + lN 0 dx lN 0

6.16

On peut valuer V0 en fonction de la concentration en impuret dans les deux zones. A l'quilibre, comme indiqu, la somme des courants de conduction et de diffusion travers la jonction est nulle. Si on prend par exemple, les composantes de ces courants dues aux lectrons, on obtient :

J n = J cond ,n + J diff ,n = q n E ( x) n + q Dn
On en tire

dn =0 dx

6.17

E ( x) = dV =

DN dn dV = n n dx dx

6.18

DN dn dn = UT n n n

6.19

D'o
V0 =
nN

n UT N N dn = U T ln( N ) = U T ln( D 2 A ) n nP nI nP

6.20

On obtiendrait le mme rsultat en prenant les composantes des courants dus aux trous. La valeur de V0 est de l'ordre du volt. On peut exprimer lP0, lN0 et Emax en fonction de V0 et des concentrations d'impurets. De
lP0 = on tire
E max = 2q

Emax
q NA

, lN 0 =

Emax
q ND

; V0 = Emax

lP0 + lN 0 2

V0 1 1 + NA ND
6.21

lP0 =

2 V0 N q NA 1+ A ND

; lN 0 =

2 V0 N q ND 1+ D NA

6.22

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A cause de la barrire de potentiel, les lectrons qui tentent de diffuser de la zone N vers la zone P se voient repousss vers la zone N. Il en va de mme des trous qui tentent de diffuser vers la zone N. Comme le champ lectrique issu de la barrire de potentiel sert produire le courant de conduction qui compense le courant de diffusion, il n'y a aucune circulation de courant dans le circuit extrieur si on relie par un court circuit les extrmits des zones P et N.
Zone de dpletion

Zone P

Zone N

i=0

Figure 6-5 : Jonction l'tat d'quilibre

6.1.6.2

La jonction PN en polarisation inverse.

Si on polarise ngativement la zone P par rapport la zone N l'aide d'une source extrieure de tension VR (R comme reverse), la zone de dpltion s'largit au fur et mesure que VR augmente (Figure 6-6) et renforce la barrire de potentiel.
Zone de dpletion

Zone P

lP VR

lN

Zone N

Figure 6-6 : Jonction en polarisation inverse

Les largeurs lN et lP de la zone de dpltion dans les zones N et P et le champ maximum s'obtiennent en remplaant V0 par V0 + VR dans les relations 6.15, 6.16, 6.21 et 6.22 qui deviennent:
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V0 + VR = Emax
E max =

lN + lP 2

6.23

2 q V0 + VR 1 + 1 N A ND NA 2 V0 + VR = N ND q ND 1+ D NA

6.24

lN = lP

6.25

6.1.6.2.1

Tenue en tension inverse.

La tension inverse maximale que peut supporter une jonction est limite par deux phnomnes : le perage et le claquage. Le perage d'une zone de la jonction intervient lorsque la largeur de la zone de dpltion dans une zone, P ou N, tend devenir suprieure l'paisseur de la zone la plus faiblement dope. Ainsi, si la zone N est nettement moins dope que la zone P et Si VR est trs suprieur V0, la relation 6.25 donne:
lN 2 VR q ND
6.26

et la tension de perage est la valeur de VR pour laquelle lN devient gale l'paisseur eN de la zone N
eN = 2 V perage q ND
6.27

on tire

V perage =

q ND 2 eN 2

6.28

Le claquage de la jonction intervient lorsque la valeur Emax du champ lectrique atteint le seuil d'avalanche EBR (BR comme breakdown); l'nergie cintique transmise aux lectrons mobiles est alors suffisante pour leur permettre d'arracher lors des collisions des lectrons captifs du rseau cristallin, d'o une multiplication en avalanche de paires lectron-trou. Si l'on conserve les hypothses ND << NA et VR >> V0, on peut exprimer la tension de claquage VBR en fonction de EBR De
E BR = E max = 2q

N D VBR

6.29

on tire

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VBR

2q ND

2 E BR

6.30

La tension de claquage est infrieure la tension de perage si eN >

q ND

E BR

6.31

On voit que pour qu'une jonction puisse supporter une tension inverse leve, il faut qu'une des deux zones soit paisse et peu dope. 6.1.6.2.2 Augmentation de la tension inverse admissible.

A tension de claquage donne, on peut limiter l'paisseur de la zone faiblement dope ncessaire en lui accolant une zone de mme type, mais fortement dope. Par exemple (Figure 6-7), on fait suivre une zone N faiblement dope, note N , d'une zone fortement dope, note + N. Comme la pente du champ lectrique dans la zone de dpltion est proportionnelle la densit des ions prsents, cette pente augmente brutalement quand on passe de la zone N la zone + N ; le perage de la zone N ne constitue plus la limite de tenue en tension inverse de la jonction PN . Il ne reste que la tension de claquage pour laquelle Emax = EBR. La Figure 6-7 montre que, si l'paisseur eN de la zone N est grande devant les largeurs des zones de dpltion dans P et + dans N , la valeur de la tension VBR est donne approximativement par la surface du trapze hachur:

VBR = VR max

q ND eN E BR V perage ( N ) ( E BR eN ) eN 2

6.32
-

Pour que cette valeur soit suprieure la tension de perage de la zone N , il suffit que le produit eNEBR soit suprieur deux fois cette tension de perage.

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Zone de dpletion

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Zone P

Zone N-

Zone N+

lP

lN

Densit de charge

+ qND qND eN x

-qNA
Champ lectrique

0 eN x

-Emax

Figure 6-7 : Jonction en polarisation inverse

6.1.6.2.3

Capacit parasite d'une jonction P-N polarise en inverse.


-

Lorsqu'une zone de dpltion de largeur lN apparat dans la couche N de section S possdant ND ions positifs par unit de volume, la charge contenue dans cette zone est gale

Q = q N D S lN
La largeur lN est donne par la relation 6.24, soit
lN = 2 V0 + VR ND q ND 1+ NA 2 V0 V (1 + R ) , si N A >> N D qN D V0

6.33

6.34

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LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE En reportant cette expression dans celle de Q, on obtient :
Q = S 2 q N D V0 (1 + VR ) V0
6.35

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La capacit parasite de la jonction P-N polarise en inverse est donne par:


CJ = V 1 dQ = S 2 q N D V0 (1 + R ) 2 dVR 2 V0 V0 =S q ND 2 V0 1 V 1+ R V0
6.36
1

qui peut s'crire :


CJ = CJ 0 1+ VR V0 avec C J 0 = q ND 2 V0

6.37

C'est cette capacit qu'il faut charger ou dcharger chaque fois qu'on veut atteindre ou quitter l'tat bloqu de la jonction. 6.1.6.2.4 Remarques sur le courant inverse.

Lorsqu'une jonction est polarise en inverse, elle est traverse par un faible courant, appel courant de fuite, allant de la zone N la zone P Ce courant correspond l'augmentation du courant de conduction d l'action du champ lectrique sur les porteurs minoritaires (trous de la zone N, lectrons de la zone P). Ces concentrations tant peu leves, ce courant est relativement faible. Toutefois, lors des variations brusques de la tension VR, ce courant peut atteindre transitoirement des valeurs leves pour enlever ou apporter les charges ncessaires pour assurer les variations de largeur de la zone de dpltion. 6.1.6.3 La jonction PN en polarisation directe.

Lorsqu'on applique aux bornes de la jonction PN une tension directe VF (F comme forward) qui polarise positivement la zone P par rapport la zone N, la barrire de potentiel est rduite ainsi que la largeur de la zone de dpltion. Les quations 6.15, 6.16, 6.21 et 6.22 deviennent maintenant:

V0 VF = Emax
Emax =

lN + lP 2

6.38

2 q V0 VF 1 + 1 N A ND

6.39

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NA 2 V0 VF = N ND q ND 1+ D NA

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lN = lP

6.40

Le courant de conduction diminue tandis que le courant de diffusion augmente: la jonction devient passante dans le sens direct, de P vers N. A mesure que VF tend vers V0, le courant de diffusion devient de plus en plus important; ce courant peut atteindre des valeurs leves car les gradients de concentration au niveau de la jonction sont importants. La diffusion de trous de la zone P vers la zone N entrane une forte augmentation de la concentration en trous dans la zone N au droit de la jonction. Si la concentration en trous reste infrieure la concentration en atomes donneurs du ct N, on dit qu'il y a faible injection et la relation 6.12 reste applicable. Si la zone N comporte une partie N faiblement dope pour assurer une bonne tenue en tension inverse, l'injection de trous peut rendre la concentration en trous suprieure la concentration en lectrons provenant des atomes donneurs situs dans cette partie. Il y a alors forte injection. Pour rtablir la neutralit lectrique, il faut que la zone N situe de l'autre ct de la zone N injecte des lectrons dans la zone N . Le double phnomne d'injection dans la zone N de trous par la zone P, + d'lectrons par la zone N , prsente l'avantage de fortement augmenter la concentration en porteurs dans cette zone par rapport la situation d'quilibre, par consquent de rduire fortement la rsistance de cette zone et la chute de tension due au passage du courant direct. On peut montrer que, en rgime tabli, la concentration en paires lectron-trou dans la zone N est proportionnelle la densit J du courant travers la jonction et la dure de vie a (a comme ambipolaire) des paires lectron-trou dans la zone N . Si I est le courant traversant la jonction, la charge stocke QS correspondant au nombre total d'lectrons dans la zone N en forte injection est gale :
+ -

QS = I a

6.41

Mais, lors du retour la polarisation inverse, il faudra vacuer les porteurs excdentaires amens par injection dans la zone N . La quantit de charges extraire pour largir la zone de dpltion sera augmente et avec elle la pointe de courant ngatif assurant cette vacuation.
6.1.7 Remarques gnrales.

Les diffrents phnomnes dont nous venons de donner une description succincte et essentiellement qualitative permettent d'expliquer l'allure des caractristiques, tant statiques que dynamiques, des principaux types d'interrupteurs semiconducteur utiliss en Electronique de Puissance, qu'il s'agisse de dispositifs ne comportant qu'une jonction, comme les diodes, ou plusieurs jonctions, comme les transistors.
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-

Page 16

Tous ces dispositifs ont en commun une zone N faiblement dope dont l'paisseur est proportionnelle la tension maximale que peut supporter l'interrupteur l'tat bloqu. Au repos, cette zone N est lectriquement neutre, les charges positives fixes quilibrant les charges ngatives mobiles; l'tat bloqu de l'interrupteur s'obtient par extraction des charges mobiles ce qui fait apparatre une zone de dpltion plus ou moins tendue dans N ; le passage de l'tat bloqu l'tat passant ncessite au minimum la rinjection de charges ngatives dans N pour retrouver l'tat au repos, qui correspond l'tat passant pour les composants unipolaires (i.e. dont le courant est d au dplacement d'un seul type de charges). Pour les composants bipolaires (i.e. dont le courant est d au dplacement de charges positives et ngatives), les plus nombreux, l'tat de repos n'est qu'une transition entre les tats passant et bloqu. L'tat passant est obtenu par une forte injection de charges positives et ngatives, en nombre gal pour maintenir la neutralit lectrique de la zone N dont la rsistivit devient trs faible. Ce sont les diffrentes mthodes utilises pour injecter ou extraire les charges mobiles dans la zone N qui diffrencient les interrupteurs de puissance semiconducteurs.
6.1.8 La diode utilise en commutation.
-

6.1.8.1

Fonction interrupteur.

La diode est un interrupteur ouverture et fermeture spontane.. Il s'agit donc d'un interrupteur non command

iQ
ouverture et fermeture spontane

uQ

Figure 6-8 : Reprsentation de la diode sous forme d'un interrupteur

6.1.8.2

Structure.
+

Les diodes jonction ont une structure PN ou PN0N (encore appele PIN) suivant qu'il s'agit de composants destins supporter l'tat bloqu une tension inverse de faible ou forte valeur. Comme dans tous les interrupteurs de puissance, cette structure est ralise dans l'paisseur de la pastille de silicium afin que le courant dispose de toute la section de la pastille pour circuler
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Page 17
+

(Figure 6-9 (a)). Le contact reli la zone P constitue l'anode (A), celui reli la zone N la cathode (C). La Figure 6-9-(b) indique le symbole utilis pour reprsenter la diode et les conventions de signe adoptes pour le courant iF et la tension vF. Le comportement statique et dynamique des diodes jonction se dduit directement de l'tude de la jonction PN.

Anode

A
P+

iF vF C

NN+

Cathode
(a) (b)
Figure 6-9 : (a) Structure d'une diode jonction et (b) symbole lectrique

6.1.9 Caractristiques statiques.

6.1.9.1

tat passant (ou ON).

Lorsque la tension VF est positive, le courant IF crot rapidement avec la tension, thoriquement suivant la relation :

i F = I s (e
avec Is UT

V F / UT

1)

6.42

: courant de saturation, : potentiel thermodynamique

En ralit, cause de la chute ohmique dans la zone N0, le courant s'carte de cette valeur thorique quand VF augmente, mais le dbut de la caractristique a bien une allure exponentielle. Si la temprature augmente, l'agitation thermique fait apparatre plus de porteurs et le courant de saturation Is augmente, mais le potentiel thermodynamique UT est plus lev. La Figure 6-10 (a) donne l'allure du dbut de IF = f (VF) pour deux valeurs de la temprature T. Pour les valeurs normales du courant direct, on peut assimiler la caractristique statique une demi-droite caractrise par une tension de seuil VT0 et une rsistance rd (La Figure 6-10.(b)) :

VF = VT 0 + rd I F

6.43

La chute de tension des diodes de puissance pour le courant direct nominal est d'ordinaire comprise entre 1.3 et 1.5 V.
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IF [A]

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IF [A]

TJ1
U =
V F T >0
IF

TJ2>TJ1

rd

U =

VF T

<0
IF

VF [V]

VT0

VF [V]

(a)

(b)

Figure 6-10 : Allure de IF = f(VF) dans le sens passant

A partir d'un certain courant le coefficient en temprature U devient positif. Cette caractristique permet la mis en parallle des diodes. 6.1.9.2 tat bloqu (ou OFF).

Lorsque la tension VF devient ngative, la jonction est polarise en inverse, la faible valeur du courant iF, maintenant ngatif, est encore donne par la relation 6.42. Ds que VF s'carte notablement de zro, le terme exponentiel devient ngligeable et le courant inverse devient gal au courant de saturation d aux porteurs minoritaires. En ralit, il augmente un peu avec la tension inverse (Figure 6-11).
IF [A] -VBR2 -VBR1 VF [V]

TJ2>TJ1

TJ1

Figure 6-11 : Allure de IF = f(VF) dans le sens bloqu

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Ce n'est que lorsque la tension inverse atteint la tension de claquage par avalanche VBR que le courant inverse atteint des valeurs importantes, car le courant de saturation Is est alors multipli par un facteur M tel que
M= 1 VF 1 V BR
n

6.44

o n est un coefficient compris entre 3 et 6, dpendant du dopage et de la temprature. Lorsque la temprature crot, le courant inverse augmente car le nombre de porteurs minoritaires librs par agitation thermique est accru. Par contre, la dure de vie moyenne des porteurs diminue et le phnomne d'avalanche se produit pour une tension inverse VBR plus leve, comme indiqu sur la Figure 6-11.
6.1.10 Valeurs maximales admissibles pour le courant et la tension.

6.1.10.1

tat passant.

En ce qui concerne le courant, on caractrise une diode par la valeur moyenne du courant direct qu'elle peut couler. Cette valeur est note I0 ou IF ou IFAV (average forward current). On indique aussi: - la valeur maximale admissible pour une pointe de courant rptitive IFM ou IFPM (peak forward current), - la valeur maximale admissible pour une pointe de courant non rptitive IFSM (surge non repetitive forward current). Ces caractristiques, et toutes les autres, sont dfinies pour une temprature de la jonction TJ et une temprature du botier TC dtermines. En ce qui concerne la tension, on indique la valeur maximale de la chute de tension directe VFM pour une ou plusieurs valeurs du courant direct. 6.1.10.2 tat bloqu.

En ce qui concerne la tension, on caractrise une diode par la valeur instantane maximale rptitive VRRM (maximum repetitive reverse peak voltage) qu'elle peut supporter. En ce qui concerne le courant inverse ou courant de fuite, on indique gnralement sa valeur maximale pour VF gale VRRM. Cette valeur, note IR, est de l'ordre de 1004 1006 fois IFAV, ce qui explique que dans la plupart des cas on puisse ngliger ce courant.
6.1.11 Pertes l'tat passant et l'tat bloqu.

6.1.11.1

Pertes par conduction.

Pour les valeurs normales du courant direct, on a vu qu'on pouvait assimiler la caractristique statique une demi-droite d'quation En un point de fonctionnement donn, la puissance instantane p dissipe dans la diode est donc:

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2 p = u F iF = (VT 0 + rd iF ) iF = VT 0 iF + rd iF

Page 20

6.45

En prenant la moyenne sur une priode, on obtient les pertes par conduction
Pcond
1 2 = p dt =VT 0 I F + rd I FRMS T 0
T

6.46

avec :

IF : courant moyen I FRMS : courant efficace

Lorsque la temprature augmente, VF0 diminue mais rd augmente. On peut en tenir compte en mettant vF sous la forme

v F = VT' 0 a T j + (r0 + b T j ) iF
o a et b sont des paramtres dtermins partir des caractristiques. 6.1.11.2 Pertes l'tat bloqu.

6.47

Comme on l'a indiqu, le courant de fuite l'tat bloqu est trs faible. Ainsi, les pertes l'tat bloqu, gales au produit de ce courant par la tension inverse applique la diode, sont gnralement ngligeables devant les pertes l'tat passant.
6.1.12 Les caractristiques dynamiques: les commutations.

La commutation la fermeture (commutation ON) correspond au passage de l'tat bloqu l'tat passant la commutation l'ouverture (commutation OFF) au passage inverse. Contrairement aux caractristiques statiques, ces changements d'tat dpendent la fois du composant semiconducteur et du circuit dans lequel il est insr. En effet, le circuit extrieur impose la valeur du courant I dans la diode l'tat passant et la tension -U ses bornes l'tat bloqu; en outre, le plus souvent il impose aussi la vitesse di/dt laquelle le courant iF s'tablit ou disparat. 6.1.12.1 Commutation la fermeture.

Pour tudier la commutation la fermeture, on peut utiliser le schma quivalent de la Figure 6-12.(a), o C reprsente la capacit parasite de la boucle incluant la capacit de jonction de la diode. Quand l'interrupteur Q est ferm, le courant de la source de courant I passe dans la source de tension U ; celle-ci impose une tension vF= -U aux bornes de la diode. Quand on ouvre l'interrupteur Q, le condensateur C se charge courant I constant jusqu' ce que, l'instant t = 0, la tension vF ngative devienne positive. A partir de t = 0, le courant direct commence circuler. La zone N0 est encore trs rsistive et, si le courant augmente trs vite, la tension directe peut atteindre une valeur leve car l'paisseur de la zone de dpltion de la couche N0 ne diminue que progressivement. Au fur et + mesure que les zones P et N injectent des porteurs dans la zone N0, la chute de tension diminue et tend vers sa valeur d'quilibre VF.

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Page 21

La pointe de tension VFM au dbut de la conduction de la diode, importante quand la vitesse d'tablissement diF/dt du courant est leve (Figure 6-12 (b)), diminue quand cette vitesse diminue elle-mme (Figure 6-12 (c)).

VFp

vF
iF C I
IF

vF

U
Q
VF iF tfr
(a)
IF

0.1VF

(b)

VFM VF tfr vF
(c)

iF

0.1VF

Figure 6-12 : Allure du courant et de la tension lors d'une commutation la fermeture

Pour la commutation la fermeture, le comportement d'une diode peut tre caractris par : - la pointe de tension directe VFP ou VFM (peak forward voltage), valeur maximale de vF pendant la commutation, - le temps d'tablissement (ou de recouvrement) direct tfr, (forward recovery time), temps ncessaire la disparition de la surtension de fermeture). Ces paramtres dpendent du courant appliqu, de sa vitesse d'tablissement et de la temprature. Malgr la pointe de tension directe, les pertes de commutation la fermeture sont d'ordinaire ngligeables devant celles l'ouverture. 6.1.12.2 Commutation l'ouverture.

Pour tudier la commutation de la diode l'ouverture, on peut utiliser un montage dont la Figure 6-13 (a) donne le schma quivalent. La source de courant I donne le courant couper, la source de tension U donne la tension inverse aprs ouverture. Sur la Figure 6-13 (b), on a trac les formes d'ondes thoriques du courant iF et de la tension vF.

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iF, vF I iF trr ta tb

Page 22

vF
iF I

diF dt VF t1 Q1 Qr = Q1+Q2 IRM -U

t2

t3

25% IRM

Q2

diRECM dt

vF -VRM

(a)

(b)

Figure 6-13 : Allure du courant et de la tension lors d'une commutation l'ouverture

6.1.12.2.1 Phases successives de la commutation. Pour t = 0, alors que le courant iF gale I, on ferme l'interrupteur Q: la tension U est applique en inverse aux bornes de la diode en srie avec l'inductance l. Celle-ci, qui reprsente l'ensemble des inductances parasites de la boucle impose la pente U/l avec laquelle le courant iF diminue progressivement iF = I di t, dt avec di U = dt l
6.48

La diminution du courant permet l'vacuation progressive de la charge Qs stocke dans la zone N , selon l'quation
iF = Qs

dQs di =I t dt dt

6.49

avec Q s / a reprsentant le courant de recombinaison proportionnel la charge Qs en transit et dQs/dt le courant servant modifier la charge Qs en transit. L'quation 6.49 admet pour solution,
Qs

= I + a

di dt

t 1 e t / a a

6.50

Le courant iF passe par zro pour t = t1 tel que


t1 = I . di dt
6.51

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Page 23

Mais, en t = t1, toute la charge stocke n'a pas encore t vacue. Il reste la charge "recouvre" QR (reverse recovery charge) donne par :
I di a Q R Q s (t1 ) di I = = I + a 1 e dt di a a dt a dt
1 a di 2 di QR = a 1 e I dt dt

6.52

6.53

La relation 6.53 montre que la charge recouvre QR dpend d'une part de la technologie et de la temprature par la dure moyenne de recombinaison des porteurs (a) mais aussi de la dcroissance du courant circulant dans le sens passant (di/dt) et de la valeur initiale de ce courant (I). 6.1.12.3 Mesure de la douceur d'une diode de commutation.

La dure de l'intervalle t2, t3 et la surtension VRM correspondante dpendent du type de diode. Cet intervalle est trs court et la surtension plus importante dans les diodes du type 'snap-off ' (tracs en traits interrompus sur la Figure 6-14). L'intervalle est plus long, et donc la surtension plus faible, dans les diodes du type 'soft-recovery' (tracs en traits continus sur la Figure 6-14).
iF [A] IF
VF -U vF [V]

-IRM

soft recovery snap-off

-VRM -VRM

soft recovery snap-off

Figure 6-14 : Caractristique de blocage

Le courant de recouvrement inverse trr est gal la somme de ta et tb. Ces temps correspondent au temps d'vacuation des charges accumules ainsi qu'au temps de remonte du courant de recouvrement. Le quotient tb/ta est dsign comme la constante s, et correspond un facteur de remonte relatif s=
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tb ta

6.54

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Page 24

Le courant de recouvrement inverse peut tre exprim par

I RM =

t d d iF (t ) t a = iF (t ) rr dt dt s +1

6.55

En admettant un comportement linaire de la diode en commutation (voir Figure 6-14), on peut crire

Qrr =

1 I RM t rr 2

6.56

Et finalement
Qrr = t2 d iF (t ) rr dt 2( s + 1)
6.57

6.1.12.4

Pertes de commutation.

Dans la mesure o les pertes la fermeture sont trs faibles par rapport aux pertes l'ouverture, seules ces dernires sont gnralement prises en compte pour le calcul des pertes de commutation.
iF, vF I iF ta VF t1 t2 t3 t trr tb

IRM -U vF -VRM

Figure 6-15 : Caractristique de recouvrement

On effectue d'ordinaire ce calcul partir des formes d'ondes approches de la Figure 6-15, c'est--dire avec une dcroissance linaire du courant direct et une extinction linaire du courant inverse. De t=t1 t=t2, iF va de zro IRM.

v F = 0 = U l
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diF dt

6.58

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Page 25

donne diF I RM U = = dt t 2 t1 l D'o


6.59

t 2 t1 =

l I RM U

6.60

et la charge Q1 vacue de la diode durant cet intervalle (aire d'un triangle),


2 l I RM 1 Q1 = I RM (t 2 t1 ) = . 2 2 U

6.61

De t=t2 t=t3 iF va de IRM zro

v F = U RM = U l
donne iF = I RM t t3 t3 t 2

diF dt

6.62

6.63

U RM = U l

I RM t3 t 2

6.64

et la charge Q2 vacue durant cet intervalle (aire d'un triangle),


Q2 = I RM (t 3 t 2 ) 2
6.65

L'nergie W dissipe dans la diode chaque commutation est

W = u F iF dt = U RM ( I RM
0 t2

t3

t3

t t3 ) dt = t3 t 2
6.66

= (U l

2 I RM I I l I RM ) ( RM (t 3 t 2 )) = U RM (t 3 t 2 ) + U t3 t 2 2 2 2 U

= U (Q1 + Q2 ). Puisque Q1+Q2 gale la charge recouvre QR,

W = U QR
On voit que c'est la charge recouvre qui permet le calcul des pertes.
6.1.13 Avertissement.

6.67

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LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE

Page 26

Dans les sections suivantes, nous allons trait les caractristiques utiles de la diode. Les fabricants ont chacun leur manire de prsenter les caractristiques de leurs composants. Pour des raisons de clart, nous ferons rfrence aux grandeurs caractristiques prsentes par STMicroelectronics. Chaque paramtre est dfini pour des conditions d'utilisations bien prcises. Ces conditions sont spcifies et correspondent la mthode de mesure effectue. Il faut donc tre prudent lors de l'analyse d'un problme particulier.
6.1.14 Grandeurs nominales et caractristiques importantes de slection.

Dans le but de facilit la slection d'un composant, les paramtres principaux et une brve description du composant sont mises en vidence.

Figure 6-16 : Description gnrale de la diode

Ces donnes sont insuffisantes pour la slection dfinitive d'un composant. La description s'apparente plus du marketing qu' de la technique, nanmoins il est possible avec un peu d'habitude de dfinir quelle catgorie appartient le composant et d'en faire une rapide comparaison avec les autres fabricants. 6.1.14.1 Courant moyen dans le sens direct : IF(AV).

Il s'agit ici du courant moyen (DC) admissible dans la diode en relation avec la puissance dissipe correspondante permettant de rester, sous certaines conditions, dans l'aire de scurit. 6.1.14.2 Tenue en tension inverse : VRRM.

Cette tension correspond la limite de la tenue en tension d'une diode polarise en inverse avant l'apparition du phnomne d'avalanche due une ionisation par impact. 6.1.14.3 Temps de recouvrement trr.

La valeur donne par le temps de recouvrement permet une rapide estimation du comportement de la diode face aux pertes de commutation. 6.1.14.4 Tension dans le sens direct : VF.

La tension de passage dans le sens direct est donne pour un courant correspondant au courant moyen IF(AV).

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6.1.15 Limites maximales d'utilisation (Absolute maximum ratings).

Page 27

Les fiches techniques (data sheets) des composants contiennent toujours une partie importante concernant la limite absolue d'utilisation donne sous la rubrique Absolute Maximum ratings.

Figure 6-17 : Limites restrictives d'utilisation

6.1.15.1

Tenue en tension inverse : VRRM et VRSM.

Contrairement aux MOSFET et IGBT, les diodes de commutations ne sont en principe pas prvues pour tenir des nergies d'avalanches. Les valeurs de tenue en tension inverse sont donc des indications permettant, pour une application donne, de connatre la limite absolue admissible pour le composant. On distingue deux valeurs : Tension inverse maximum impulsionnelle rptitif (RRM : Reverse Repetitive Maximum). Tension inverse maximum impulsionnelle non rptitif (RSM : Reverse Single Maximum). 6.1.15.2 Courant efficace permanent admissible IF(RMS).

Cette valeur est dfinie de manire ne pas dpasser la temprature maximum de jonction TJMAX lorsque la diode est le sige de pertes de conduction. 6.1.15.3 Courant maximum en rgime rptitif impulsionnel IFRM.

Cette valeur est galement limite par les pertes de conduction et de commutation. Dans le cas prsent, il s'agit d'impulsions de 5us pour une frquence de rptition de 200us, soit un rapport cyclique de 2.5%. 6.1.15.4 Courant maximum en rgime non rptitif sinusodal IFSM.

Cette valeur correspond la surcharge non rptitive en courant lorsque la diode est soumise un rgime sinusodal (le temps de 10ms correspond la moiti d'une alternance du rseau 50Hz. Cette valeur n'est pas significative pour une application lie la commutation PWM. 6.1.15.5 Temprature maximale de jonction en fonctionnement Tjmax.

Correspond la temprature maximale de jonction assurant un fonctionnement correct du composant.


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LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE 6.1.15.6 Temprature maximale de stockage Tstg.

Page 28

Temprature maximale de stockage (storage) du composant sans risque de stress mcanique et lectrique.
6.1.16 Caractristiques statiques.

Lorsque les valeurs sont fortement dpendantes du point de fonctionnement, le rsultat est fourni sous la forme d'un diagramme.

Figure 6-18 : Description gnrale de la diode

6.1.17

Caractristiques dynamiques.

Les caractristiques dynamiques permettent l'estimation des temps de commutation du MOSFET. Elles donnent galement des indications essentielles pour le dimensionnement de la commande. Dans le but d'tre le plus clair possible, une description de mthode de test est donne pour les paramtres les plus importants.

Figure 6-19 : Caractristiques de commutation la fermeture

6.1.17.1

Temps d'tablissement (ou de recouvrement) direct tfr.

Le 6.1.12.1 donne une explication de ce paramtre. La mesure de tfr est dfinie entre le dbut de la conduction de la diode et le temps pour que la tension directe VF soit 10% au-dessus de sa valeur finale. Ce temps est fortement de la croissance du courant dans la diode.

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d i F (0 ) dt

Page 29

VFp

vF
IF 0.1VF

VF

iF tfr
(a) (b)

Figure 6-20 : Caractristiques de commutation la fermeture

6.1.17.2

Pointe de tension directe VFP.

Correspond la tension maximum apparaissant lors de la fermeture spontane de la diode. Cette valeur maximum est fortement dpendant de la croissance du courant dans la diode lors de sa fermeture.

Figure 6-21 : Pointe de tension directe

Les pertes lies la fermeture d'une diode de commutation sont ngligeables en regard des pertes de commutation l'ouverture. La Figure 6-22 donne quelques informations utiles notamment pour l'estimation des pertes de commutation l'ouverture.

Figure 6-22 : Caractristiques de commutation l'ouverture

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LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE 6.1.17.3 Temps de recouvrement inverse trr

Page 30

Le temps de recouvrement inverse trr, correspondant l'limination des porteurs minoritaires est fortement dpendant du courant IF circulant dans la diode juste avant son ouverture ainsi qu' la dcroissance diF/dt de ce dernier.

Figure 6-23 : Temps de recouvrement inverse

6.1.17.4

Courant maximum inverse de recouvrement IRM.

Le courant inverse de recouvrement est galement fortement dpendant du courant IF circulant dans la diode juste avant son ouverture ainsi qu' la dcroissance diF/dt de ce dernier. A l'aide des deux courbes (Figure 6-23, Figure 6-24) il est possible, en premire approximation, de dfinir la charge de recouvrement Qrr et par consquent les pertes de commutation lors de l'ouverture spontane de la diode.

Figure 6-24 : Courant inverse de recouvrement maximum

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LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE 6.1.17.5 Facteur de remonte relatif S.

Page 31

Comme on l'a vu aux 6.1.12.3 et 6.1.12.4, le temps ta dpend directement de la dcroissance du courant dans la diode, cette dcroissance pouvant tre contrle par le circuit extrieur. La Figure 6-25 illustre trs bien ce comportement.

Figure 6-25 : Caractristique s=f(diF/dt)

6.1.17.6

Variation du comportement de la diode l'ouverture en fonction de la temprature.

La temprature de jonction TJ a un effet important sur la densit des porteurs de mme que sur la dure de vie avant recombinaison. La Figure 6-26 montre la sensibilit relative du facteur de douceur s et le courant inverse de recouvrement maximum IRM la temprature de jonction.

Figure 6-26 : Variations relatives de s et IRM en fonction de la temprature

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LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE 6.1.17.7 Conclusions.

Page 32

En utilisant judicieusement les diverses caractristiques donnes sous forme de courbes par le fabricant, il est possible, pour un point de fonctionnement donn, de dterminer les pertes de conduction et de commutation.
6.1.18 Notes sur les diodes spciales.

Une diode est d'autant plus performante que la tension inverse qu'elle peut supporter l'tat bloqu est plus leve, que sa chute de tension directe l'tat passant est plus faible et que ses temps de commutation sont plus brefs. Comme ces trois conditions ne peuvent tre remplies simultanment, il faut choisir la diode en fonction de l'application laquelle elle est destine. 6.1.18.1 Diodes haute-tension.

Pour obtenir des diodes tension de blocage leve, il faut donner la zone N0 faiblement dope une paisseur importante (environ 100m par centaines de volts). Cela entrane une augmentation de la chute de tension directe et de la charge stocke. 6.1.18.2 Diodes avalanche contrle.

Certaines diodes sont conues pour pouvoir supporter sans dommage le phnomne d'avalanche pendant des intervalles brefs mais de faon rptitive. Pour les caractriser on indique, outre la tension inverse de claquage, le courant inverse correspondant la puissance maximum dissipable. 6.1.18.3 Diodes rapides.

Les diodes destines fonctionner frquence leve doivent avoir une charge stocke rsiduelle QR faible, car les pertes de commutation sont proportionnelles celles-ci. Pour diminuer QR, il faut rduire la dure de vie des porteurs minoritaires de la zone N0 afin d'accrotre le nombre de recombinaisons pendant la dcroissance du courant direct. Pour augmenter le nombre de ces centres, on peut utiliser le bombardement ionique ou le dopage l'or. Mais cela augmente la rsistivit et par-l, la chute de tension directe l'tat passant. On peut aussi rduire QR en rduisant l'paisseur de la zone N0 que les charges stockes vacueront plus rapidement. Mais cela rduit aussi la tenue en tension inverse de la diode. Il faut noter que la diminution d'paisseur de la zone N0 diminue la surtension la mise en conduction. 6.1.18.4 Diodes faible chute de tension directe : diodes Schottky.

Pour les diodes jonction PN, la chute de tension directe est lie la rsistivit de la zone N0, qui diminue avec le dopage. On peut rduire cette chute de tension en ralisant la jonction par pitaxie avec un contrle prcis du dopage l'intrieur de chaque couche. On arrive ainsi rduire la chute de tension directe pour le courant nominal moins de 1 volt. Mais l'pitaxie ne se prte pas la ralisation des zones paisses ncessaires pour tenir des tensions inverses leves. Les diodes Schottky utilisent l'effet redresseur obtenu dans certaines conditions au contact mtal-silicium. La Figure 6-27 schmatise leur structure de base et indique leur symbole reprsentatif

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LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE


Anode mtal NN
+

Page 33

A iA uAC
mtal

Cathode

C
(b)
Figure 6-27 : Diode Schottky

(a)

Quand on met un semiconducteur, de prfrence de type N cause de la plus grande mobilit des lectrons, en contact avec un mtal appropri, il y a mission thermoionique d'lectrons la fois du mtal vers le semiconducteur et de celui-ci vers le mtal. Les lectrons du mtal sont plus nombreux mais ceux du semiconducteur possdent plus d'nergie et passent dans le mtal en laissant derrire eux une zone de charge d'espace positive et en faisant apparatre une charge ngative quivalente la surface du mtal. A l'quilibre, le flux d'lectrons venant du mtal et celui venant du semiconducteur s'quilibrent: le courant qui traverse la jonction est nul. La polarisation positive du mtal par rapport au semiconducteur favorise l'mission d'lectrons du semiconducteur vers le mtal et un courant direct peut circuler. Ce courant est li la tension vAC par la mme relation que pour une diode PN, mais avec un courant de saturation environ 5 fois plus lev. La mme tension vAC fait donc circuler dans une diode Schottky un courant direct plus important que dans une jonction PN de mme section. Le choix du mtal dpend de l'application envisage. Plus le courant de saturation est lev et plus, courant donn, la chute de tension directe est faible. En polarisation inverse, la jonction tant fortement dissymtrique, pratiquement toute la tension se retrouve aux bornes de la zone de dpltion de la couche N0. Un courant inverse, d l'mission d'lectrons du mtal vers le semiconducteur, circule. Ce courant de majoritaires est plus important que dans une diode jonction PN ; les pertes associes limitent la tenue en tension inverse des diodes Schottky une centaine de volts. Les commutations sont trs rapides, puisque l'influence des minoritaires est ngligeable et qu'il n'y a pratiquement pas de charge stocke. A chaque commutation, il faut quand mme injecter ou extraire les charges ncessaires la variation de largeur de la zone de dpltion. Remarque. Le contact de cathode est galement un contact mtal-semiconducteur. Mais au + fort dopage de la zone N correspond un courant inverse trs important qui fait disparatre tout effet de redressement. 6.1.18.5 Diodes au carbure de silicium.

Plusieurs fabricants proposent des diodes aux carbures de silicium. Cette technologie est trs rcente dans le domaine de l'lectronique de puissance. On donnera ici les avantages indniables de ce type de diodes. Trs faible rsistance diffrentielle.
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LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE

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Tension directe comparable aux diodes Schottky. Pas d'influence de la temprature sur les caractristiques de commutation. Pas de surtension lors de la fermeture. Pas de charge de recouvrement. Rsistance thermique 3 5 fois plus faible que pour une diode silicium ultrafast.

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LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE (1) : LA DIODE Bibliographie [1] LES CONVERTISSEURS DE L'LECTRONIQUE DE PUISSANCE VOLUME 3 : LA CONVERSION CONTINUE CONTINUE (2me dition) Auteurs : Robert Bausire, Francis Labrique, Guy Seguier Chapitre 5 ISBN : 2-7430-0139-9
POWER ELECTRONICS CONVERTERS, APPLICATIONS AND DESIGN Auteurs : Ned Mohan, Tore M. Undeland, William P. Robbins ISBN : 0-471-50537-4 FUNDAMENTALS of POWER ELECTRONICS Auteur : Robert W.Erickson ISBN : 0-412-08541-0

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