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SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE

Rev 10/2010

Jol REDOUTEY

SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE Les interrupteurs en lectronique de puissance Les diodes rapides Les transistors bipolaires de puissance Les thyristors et les triacs Les transistors effet de champ MOS Les IGBT
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LINTERRUPTEUR de PUISSANCE

Exemple : La diode

Reprsentation image dune jonction


- + - -+ - + - - + + - + - +- + + - + - + + -+ - + - + - + + - +- + + + + - + - - - - - +- + + + + - + - + + - + - + + - + - - - ++ + + + + + - + - + - + - --+- + - + - + -+ - + - -+ - + - - + + - + - +- + + - + - + + -+ - + - + - + + - +- + + + + - + - - - - - +- + + + + - + - + + - + - + + - + - - - ++ + + + + + - + - + - + - - + -+ - + - + -+

+ -

Ion positif Ion ngatif Electron libre

+ Trou

recombinaison dlectrons avec des trous

- +- + + - + - -+ - - - + + + - -+ - + + - - - + + + +-+ + + + + - + + - + - + -+ - - + + + - -+ - - - - - - + + + + + +- + + - + + + ZCE
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Jonction PN lquilibre

Jonction PN en polarisation inverse


VR

Eext

+ +
Eint

- N - 9

caractristique inverse

VR>6V effet davalanche - CTP

VR<6V effet Zener CTN

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Limite de tension inverse


VRRM : Reverse Repetitive Maximum Voltage Valeur garantie par le constructeur
Va>VRRM
Forward Va VRRM

Reverse

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Jonction PN en polarisation directe


VF

Eext

+ +

+ +
Eint

- - N - - 12

Conduction dans une jonction PN+


VF

IF
P

Eext

+ +

+
trous

+
Eint

lectrons - - - -

N+

IFI0 exp(qV/kT)

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Caractristique I-V dune jonction PN

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Modlisation de la caractristique directe

A fort niveau de courant il faut tenir compte de la rsistance srie de la diode

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Puissance dissipe
1 Pd = VF I F dt T0
T T

VF = E0 + R0 I F

Pd =

1 ( E0 + R0 I F ) I F dt T0
T T

1 1 2 Pd = E0 I F dt + R0 I F dt T0 T0 1 1 2 Pd = E0 I F dt + R0 I F dt T0 T0
2 Pd = E0 I moy + R0 I eff

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Temprature maximale de jonction Tj max Le courant de fuite en inverse dune diode jonction PN crot trs vite avec la temprature. risque demballement thermique La temprature maximale de fonctionnement appele temprature maximale de jonction est spcifie par le constructeur. Pour des composants silicium Tj max est toujours infrieure 200 C.
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Courant maximal admissible Courant maximal admissible


2 Pd = E0 I moy + R0 I eff

En gnral, le terme E0Imoy est nettement suprieur au terme R0 Ieff On classe donc les diodes par calibre de courant moyen maximal:

Iavg max
Le courant maximal admissible est celui qui permet la temprature de jonction de ne pas dpasser sa valeur maximale dans des conditions de refroidissement donnes.

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vacuation de la chaleur
PUCE

Tj
Botier

P Tb

Rth j-b

Rth b-rad
Graisse thermique

Radiateur

Trad Rth rad-amb Tamb

Loi dOhm thermique: T= Rth . P

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Exemple
Une diode BYT08P est utilise dans un convertisseur flyback. Le courant qui la traverse est triangulaire de valeur crte 20A et de rapport cyclique 0,5. Le constructeur donne: E0=1,1V R0=24m Calculer la puissance dissipe dans la diode
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Calcul de radiateur
Le constructeur donne: Tj max=175 C Rthj-b=2,5 C/W La diode est monte sur un refroidisseur par lintermdiaire dun film isolant dont la rsistance thermique est Rthb-rad=0,5 C/W

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Calcul de radiateur
La temprature ambiante Tamb est de 50 C et par scurit on dsire que la temprature de jonction ne dpasse pas 150 C. Calculer la rsistance thermique du radiateur ncessaire et sa temprature.
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Calcul de radiateur
Le radiateur est fix lextrieur du botier de lappareil et on dsire que sa temprature ne dpasse pas 80 C par scurit pour les utilisateurs. Calculer la nouvelle valeur de la rsistance thermique du radiateur adapt et la temprature de jonction.
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Choix du radiateur

Radiateur en aluminium anodis noir Montage vertical Convection naturelle

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Ventilation force Conditions dutilisation


Rth Aluminium brut Montage Horizontal : : +10% +20%

Ventilation force suivant la courbe ci-dessous

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Comportement dynamique au blocage


Phase de conduction, K ouvert

E
IF

VR
+

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Comportement dynamique au blocage


On ferme K, la diode conduit en inverse un court instant avant de se bloquer

D
+
IR

VR

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Recouvrement inverse

trr

trr est le temps de recouvrement inverse (reverse recovery)

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Charge stocke
La charge stocke durant la conduction dpend de lintensit du courant direct et de la dure de vie des porteurs minoritaires (temps statistique pour quun lectron libre et un trou se recombinent)

QS = IF
: dure de vie des porteurs minoritaires IF : courant direct traversant la diode. Pour rduire le recouvrement inverse, il faut diminuer la dure de vie

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Diodes rapides
Catgorie standard Ultra fast Ultra fast Ultra fast Ultra fast VRRM(V) max 2000 1200 600 400 200 VF(V) Trr (ns) typ typ 1,2 6001000 1,4 1,3 1 0,9 50 30 25 20
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Consquence du recouvrement
Cas du hacheur sur charge inductive en conduction continue

L E D R

K ferm

K ouvert K ouvert commutation K ferm


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Rgime de commutation
En lectronique de puissance les transistors sont utiliss comme des interrupteurs

Ouvert Off

Fermeture Turn on

Ferm On

Ouverture Turn off


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Transistor bipolaire de puissance


NPN et PNP Dans la pratique essentiellement des NPN
Collecteur

Base

NPN

PNP

Base

Emetteur
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Tenue en tension
Collecteur N

B-C

Base

NPN
P
B-E

Vce

Emetteur

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Tension collecteurmetteur maximale


Ic
NPN

Vce.
R

Vceo R open Vces R=0 short

La tension collecteur metteur base ouverte Vceo est la plus faible tenue en tension
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Caractristique fort niveau de courant


Ic

Ib Vce

1 : Zone linaire 2 : zone de quasi saturation 3 : saturation vraie Lorsque Vce devient faible, le gain en courant =Ic/Ib dcrot fortement

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Tension de saturation collecteurmetteur Vce (sat)


R IC
Ib

Vce

E=Vce + RIc droite de charge On cherche Vce minimal

A Droite de charge

Ib=150mA Vce=4V Ib=200mA Vce=1,4V point A Ib=350mA Vce=0,4V point B Ib=450mA Vce=0,4V point B Le transistor est satur. On dfinit Vce (sat) (Ic sat, Ib sat), le rapport f =Ic sat/Ib sat est appel gain forc

f<

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Pertes de Pertes deconduction conduction


1 Pd = VCE I C dt T0
Dans les convertisseurs transistors, le courant collecteur est souvent trapzodal ou triangulaire. En prenant Vce (sat) Ic= Icrte on peut crire:
T

1 Pd VCE ( sat ) I C dt T0

Valeur par excs

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Puissance maximale dissipable


P = Vce Ic +Vbe Ib Vce Ic Pmax : puissance dissipe correspondant Tj=Tjmax pour Tboitier=25 C Dans le plan Ic Vce, Pmax=Vce Ic est lquation dune hyperbole appele hyperbole de dissipation maximale
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Aire de scurit
On regroupe les limites du transistor sur un mme diagramme Ic-Vce appel aire de scurit (safe operating area) Ic Ic max Pmax

Vce Vceo

41

Transistor bipolaire de puissance

42

Transistor bipolaire de puissance

Collecteur

R1 Base Q1

R2 Q2

Rn Qn

43
Emetteur

Second claquage

44

Localisation des points chauds

45

Aire de scurit

46

Temps de commutation

47

Hacheur en conduction continue

Durant le temps de commutation (<<T) on peut considrer la charge comme un gnrateur de courant

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Commutation la fermeture
I
I diode

Vdiode ton

Vk

Ik

La diode conduit Linterrupteur est ouvert

t0

t1

Pertes de commutation W = 0,5 E I ton


49

Commutation louverture
E
V diode I diode t0 t1
t

Ik Vk tf
t

Linterrupteur est ferm La diode est bloque

Pertes de commutation W=0,5 E I tf


50

Pertes de commutation
Pcommut = (0,5 E I ton + 0,5 E I tf) F F: frquence de commutation Les pertes de commutation sont proportionnelles la frquence de dcoupage et aux temps de commutation
51

Puissance dissipe
Pd = + pertes de conduction pertes de commutation

Calcul du refroidisseur

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Temps de stockage
On sait que le fonctionnement en saturation dun transistor est caractris par un phnomne dlargissement de la base. Tout se passe comme si une partie du collecteur tait transforme en base. Cette inversion du type de matriau ncessite une certaine quantit de charges, appele charge stocke, qui sont apportes par le courant base. La dcroissance du courant collecteur conscutive linversion du courant base ne peut avoir lieu que lorsquune partie suffisante de la charge stocke a t vacue. Le temps ncessaire cette vacuation peut tre assimil au temps de stockage. Le temps de stockage est fortement dpendant du courant inverse de base et il existe des techniques de circuit permettant de maintenir ce temps des valeurs faibles.
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Anti-saturation
D2

D1
B V E

V = Vd1 + Vbe = Vd2 + Vce

si Vd1Vd2

Vce Vbe

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Circuit de commande
+10V +10V

C2
100nF

R4
10k

R1
8.2

Q6
Bta=20

D3 Q4
Bta=10 Anti sat

R3
1.5k

R2
68

Q3 Q7
Commande NPN Bta=10

Ic=10A Vce max= 400V

Q5
PNP

R5
470

C1
-5V -5V 100nF

55

Darlington
C

Ic1 = 1.Ib1 Ie1 = Ib2 Ie1 = (1+1)Ib1 Ic2 = 2.Ib2 Ic2 = (1+1) 2 Ib1

C1

Q1
B B1 E1 B2 E2 C2

Q2

Ic 12 Ib

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Puces de transistor bipolaire de puissance

57

Botiers de transistors de puissance

TO3 TOP3

TO220

D2PAK

ISOTOP
58

Botiers TO220

59

Cellule de commutation

60

Modules de puissance

61

THYRISTOR
Anode

P N
Gchette

P N
Cathode
62

THYRISTOR
Anode Anode

P N
Gchette

P N
Gchette

N P

N P

P N

P N

Cathode

Cathode
63

THYRISTOR
Anode

Ic1 = 1 Ib1 Ic1 = Ib2 Ic2 = 2 Ib2 = 1 2 Ib1


Q2
PNP

Au dpart Ib1 = Ig
Ic1

Ib2 Ic2 Ig Ib1

Si 1 2 >1 Ic2 > Ig Le thyristor reste amorc si on annule Ig Si 1 2 <1 Ic2 < Ig le thyristor ne reste pas conducteur si on annule Ig.
64

Q1
NPN

Gachette

Cathode

Gain en fonction du courant collecteur

= Ic/Ib

1
Icmin

Ic

Ic < Icmin < 1


65

Conditions damorage
Command Ig > Igt pendant un temps suffisant (tgt) Iak > IL pour assurer la condition 1 2 >1 Spontan Tj > Tjmax dVak/dt lev

Tjmax faible ~ 110 C Ncessit dun rseau RC de protection


66

Caractristique dun thyristor

67

Conditions dextinction
Rendre 1 2 < 1 Iak < IH
IH courant de maintien IL courant daccrochage

Ne pas r-appliquer de tension Vak>o pendant un temps tq

68

Tenue en tension
Anode

P N
Gchette

P N
Cathode

Bidirectionnel en tension Direct : VDWM Inverse : VRWM


69

Calibre en courant
Courant moyen max ITav Courant efficace max ITrms Spcifis pour un courant sinusodal avec angle de conduction de 180 Courant de surcharge accidentel ITSM demi sinusode 10 ms protection par fusible It
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Exemple BTW69

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Puissance dissipe
On modlise la caractristique
IT

VT = Vt0 + Rd IT
Rd

Pd = Vto ITav + Rd ITrms

Vt0

VT
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Commande de phase

Charge rsistive

Rseau 230V
Circuit de commande
THYRISTOR

73

Commutation naturelle

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Commutation force
Principe: Annuler le courant dans le thyristor (IT<IH) Ne pas r-appliquer de tension Vak>0 pendant un temps tq

75

Circuit de commutation force


D1 U1
Thyristor principal

+ E C1 L1
Thyristor auxiliaire

D2
Diode de roue libre

76

TRIAC

77

Caractristique du TRIAC

78

Caractristique du DIAC

Transistor symtrique sans connexion de base

79

Gradateur de lumire TRIAC

80

MOSFET de PUISSANCE
Drain Drain

gate Source Source

Canal N

Canal P

Symboles
81

MOSFET de PUISSANCE

82

Structure cellulaire

83

Structure en bandes
source gate

P
N+

drain MOSFET basse tension, fort courant


84

Fonctionnement linaire
Dans la zone de fonctionnement linaire (canal pinc)

ID = K (V GS V th )
Vth : tension de seuil

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Caractristiques ID=f(VDS,VGS)

86

MOSFET de PUISSANCE
Si VDS est trs faible: ID = 2K (VGS - Vth) VDS

RDS = [2 K(V GS V th )]

Le MOSFET se comporte comme une rsistance R DS on contrlable par VGS


87

Rsistance ltat passant: R DS on

88

R DS on = f(T)

89

Puissance dissipe
Puissance dissipe en conduction

PC = RDS ON x ID2 (RMS)


Toujours calculer avec R DS on chaud

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Tenue en tension

91

Aire de scurit

92

Capacits internes

Forte capacit grille-source


93

Commande en tension

D R S C ent r e

Le circuit de commande (driver) doit avoir une faible rsistance interne

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Temps de commutation
VGS
10% 90%

90%

ID VDS td

90%

10%

10%

td

tr

tf

Sur charge rsistive


95

IGBT

96

Schma quivalent

Ic

97

Bras de pont 1200V 150A

98

Module pont triphas 600V 400A

99

Module pont triphas 600V 200A

100

Wafer
Puce

Sur un wafer il y a une grande quantit de puces

101

Sciage des wafers

102

Sparation des puces

103

Montage

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