Polarizacin del BJT.

Modos de polarizar un transistor bipolar. Punto de operacin o punto Quiescente. Circuito de polarizacin fija. Circuito de polarizacin estabilizada de emisor. Polarizacin con divisor de voltaje.

Se analizaran cada una de las tcnicas de polarizacin antes mencionadas con la intencin de que se utilice la mas adecuada para alguna aplicacin en particular, las cuales puedan ser, el transistor como interruptor, transistor como fuente de corriente, estabilidad del punto de operacin en un amplificador, etc. INTRODUCCION. Como el transistor es considerado una fuente de corriente dependiente de la corriente de base, podemos deducir que la malla de base es la que polariza al transistor para obtener ciertas caractersticas de corriente y voltaje en la malla de salida, que es donde se obtiene la amplificacin. del BJT

Punto de operacin o punto Quiescente.

El anlisis o diseo de un amplificador de transistor requiere del conocimiento de la respuesta del sistema, tanto de cd como de ca. Con mucha frecuencia se supone que el transistor es un dispositivo mgico que puede alcanzar el nivel de la entrada aplicada de ca sin la asistencia de una fuente de energa externa. En realidad, el nivel mejorado de potencia de salida de ca es resultado de una transferencia de energa de las fuentes aplicadas de cd. Por lo tanto, el anlisis o diseo de cualquier amplificador electrnico tiene dos componentes: la parte de cd y la correspondiente de ca.

Cuando trabajamos la polarizacin de un transistor estamos haciendo el anlisis dc del circuito, y para ello tenemos en cuenta las siguientes relaciones: VBE = 0.7 V

IE = ( + 1)IB = IC IC = IB LADILLO: Para que el BJT est en regin de operacin lineal o activa debe cumplirse que: La unin de Base a Emisor debe estar polarizada directamente (voltaje de la regin P ms positivo) con un voltaje resultante de polarizacin directa entre la base y el emisor de aproximadamente 0.6 a 0.7 V. Y que La unin de Base a Colector debe estar polarizada inversamente (regin N ms positiva), estando el voltaje de polarizacin inversa en cualquier valor dentro de los lmites mximos del dispositivo.

Circuito de polarizacin fija.

El circuito de polarizacin fija de la figura 40 proporciona una introduccin relativamente directa y simple al anlisis de polarizacin de cd de un transistor. An cuando la red emplea un transistor NPN , las ecuaciones y clculos se aplican en forma correcta por igual a una configuracin PNP con slo cambiar todas las direcciones de corriente y polaridades de voltaje.

Fig. 40. Circuito de polarizacin fija.

Fig.41. Equivalente de cd de la figura 40

Considrese primero la malla circuito base-emisor que se muestra en el diagrama de circuito parcial de la figura 3.4. Escribiendo la ecuacin de voltajes de Krchhoff para la malla obtenemos:

VCC -IBRB - VBE = 0, despejando IB obtenemos:

IB = (VCC - VBE) / RB

Fig. 42. Malla de base-emisor

Ademas, puesto que la fuente de voltaje VCC y el voltaje de base a emisor VBE son constantes, la seleccin de un resistor de base, R B, establece el nivel de la corriente de base para el punto de operacin.

Malla de colector-emisor La seccin de colector-emisor de la red aparece en la figura 4.5 con la direccin indicada de la corriente I C y la polaridad resultante a travs de R C. La magnitud de la corriente de colector se relaciona directamente con I B por medio de IC = IB

Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff en la direccin de las manecillas del reloj a lo largo de la malla de salida, se obtendr el resultado siguiente:

VC + ICRC - VCC = 0 VCE = VCC - ICRC Asi establece en palabras que el voltaje a travs de la regin de colectoremisor de un transistor en la configuracin de polarizacin fija es la fuente de voltaje menos la cada a travs de RC. VCE = VC - VE Donde VCE es el voltaje de colector a emisor y V C y VE son los voltajes de colector y emisor a tierra, respectivamente. Pero en este caso, ya que V E = 0 V, tenemos: VCE = VC Adems, puesto que VBE = VB - VE y VE = 0 V, entonces VBE = VB

Circuito de polarizacin estabilizada de emisor.

La red de polarizacin de CD de la figura 3.15 contiene un resistor en el emisor para mejorar el nivel de estabilidad sobre el de la configuracin de polarizacin fija. La estabilidad mejorada se demostrar ms adelante en esta seccin mediante un ejemplo numrico. El anlisis se realizar examinando, en primer lugar, la malla de base a emisor y luego, con los resultados, se investigar la malla de colector a emisor.

Fig. 43. Circuito de polarizacin BJT con resistor de emisor.

Malla de base-emisor La malla de base a emisor de la red de la figura 43 se puede volver a dibujar, como se ilustra en la figura 44. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en direccin de las manecillas del reloj, obtendremos como resultado la siguiente ecuacin:

VCC - IBRB - VBE - IERE = 0 Recordando que IE = ( + 1)IB Sustituyendo a IE en tenemos VCC - IBRB - VBE - ( + 1)IBRE = 0 Agrupando trminos, nos da lo siguiente: -IB(RB + ( + 1)RE) + VCC - VBE = 0 Multiplicando todo por (-1), tenemos IB[RB + ( + 1)RE] - VCC + VBE = 0

y resolviendo IB llegamos a

IB = (VCC-VBE)/[RB+( + 1)RE)]

Ntese que la nica diferencia entre esta ecuacin para I B y la obtenida para la con figuracin de polarizacin fija es el trmino ( + 1) RE.

Fig. 44. Malla de base-emisor

Polarizacin con divisor de voltaje.

En las configuraciones polarizadas precedentes, la corriente de polarizacin ICQ y del voltaje VCEQ era una funcin de la ganancia de corriente ( ) del transistor. Sin embargo, ya que es sensible a la temperatura, especialmente para transistores de silicio, y el valor real de beta normalmente no est bien definido, sera deseable desarrollar un circuito de polarizacin menos dependiente, de hecho, independiente de la beta del transistor. La configuracin de polarizacin con divisor de voltaje de la figura 45 es una red de ese tipo. Si se analiza sobre una base exacta, la sensibilidad a los cambios en beta es bastante pequea. Si los parmetros del circuito se escogen apropiadamente, los niveles resultantes de I CQ y VCEQ pueden ser casi totalmente independientes de beta. Recuerde, de las discusiones anteriores, que un punto Q se define por un nivel fijo de I CQ y VCEQ, como se ilustra en la figura 46. El nivel de I BQ se modificar con el cambio en beta, pero el punto de operacin sobre las caractersticas, definido por ICQ y VCEQ puede permanecer fijo si se utilizan los parmetros apropiados del circuito.

Como se observ anteriormente, existen dos mtodos que se pueden aplicar al anlisis de la configuracin con divisor de voltaje.

Fig. 45. Configuracin de polarizacin con divisor de voltaje.

Fig. 46 Definicin del punto Q para la configuracin de polarizacin con divisor de voltaje. Anlisis exacto La parte de entrada de la red de la figura 45 puede volverse a dibujar, como se muestra en la figura 3.24, para el anlisis de CD. La red de Thvenin equivalente para la red a la izquierda de la terminal de base puede hallarse entonces de la siguiente manera:

RTh: La fuente de voltaje se reemplaza por un corto circuito equivalente, como se ilustra en la figura: RTh = R1 R2