Espectroscopia de foto-electres de raios-X O que XPS?

? A espectroscopia de foto-electres de raios-X XPS (X-Ray Photoelectron Spectroscopy) uma tcnica de anlise qumica que fornece anlise elementar e informao sobre ligaes qumicas. Praticamente no necessita de preparao da amostra e pode fornecer alguma informao em profundidade. Em anlises de XPS a amostra colocada em ultra-alto vcuo e exposta a raios-X de baixa energia. A excitao induzida na amostra produz a emisso de foto-electres das camadas interiores dos tomos da superfcie. A energia desses electres caracterstica do elemento de onde so emitidos. A rea desses picos caractersticos uma medida da abundncia relativa do elemento respectivo, enquanto que a forma e a posio dos picos reflecte o estado qumico de cada elemento.

Vantagens e limitaes do XPS Identificao do estado qumico dos elementos da superfcie Identificao de todos os elementos com excepo do H e do He Anlise quantitativa Aplicao a uma grande variedade de materiais incluindo amostras isoladoras

Limite de deteco tpico de 0.1%at Informao limitada em compostos orgnicos Amostra tem de ser compatvel com ultra-alto vcuo

Aplicaes do XPS Anlise de superfcies de materiais orgnicos e inorgnicos Determinao da composio e do estado qumico de superfcies Medidas do crescimento de filmes finos Anlise em profundidade de filmes finos Biomdica e biotecnologia

Fotnica Polmeros Semicondutores

ESPECTROSCOPIA XPS/ESCA

FOTOELTRICA

DE

RAIO-X

O XPS (X-Rays Photoelectron Spectroscopy Espectroscopia Fotoeltrica de Raio-X). Tambm conhecido como ESCA ( Electron Spectroscopy for Chemical Analysis Espectroscopia Eltrica para Anlise Qumica). uma tcnica de anlise de superfcies usada para obter informao qumica sobre as superfcies de materiais slidos, condutores ou isolantes. PRINCPIO FSICO:
O processo de excitao da amostra pode ser feito pela incidncia de um feixe de Raio-X sobre a amostra. Nesse processo de excitao do tomo:

Fotoeltrons so emitidos devido ao processo fotoeltrico.

O processo fotoeltrico um processo de interao direta do fton com o tomo

A analise feita atravs da medio da energia de eltrons (fotoeltrons)emitidos na amostra atingida pelos raios-x monoenergticos. Um fton de energia conhecida incide num material e absorvido por um eltron preso a um tomo do material. Estes fotoeltrons tm a energia cintica dada pela frmula: KE = hf?- BE S Sendo: KE = energia cintica hf = energia do fton BE = energia de ligao S = funo trabalho do espectrmetro

A energia do fotoeltron caracterstica de cada elemento sendo assim a anlise do espectro informa quais elementos esto presentes na superfcie da amostra, exceo apenas para o H e o He.

Instrumento do XPS. EQUIPAMENTOS BSICOS:

FONTE DE RAIO-X ANALISADOR DE ENERGIA PARA O FOTOELTRON DETECTOR DE ELTRONS CAMARA DE ALTO VCUO (UHV) FONTE DE RAIO-X So utilizadas fonte de radiao monocromtica. As mais comumente utilizadas so: Mg K? raio-x com h?=1253,6 eV Al K? ? raio-x com h?=1486,6 eV ANALISADOR DE ENERGIA PARA O FOTOELTRON O analisador essencialmente um filtro de energia. Em geral so do tipo eletrosttico. O mais utilizado para o XPS : Analisador de Capacitor Esfrico (SCA)

Ele do tipo dispersivo. Isto , dispersa os eltrons num dado campo, medindo somente uma pequena faixa de energia de interesse. Os fotoeltrons ao serem ejetados da amostra so focalizados por um sistema de lentes na entrada do analisador. O analisador consiste de duas chapas metlicas, nas quais so aplicadas um potencial, esse potencial cria um campo eltrico, o qual ir forar o fotoeltrons a se deslocarem segundo uma trajetria descrita pela seguinte equao. q.E =m.(V/R) Assim, dado um potencial teremos um campo eltrico especfico. E dessa forma somente os Fotoeltrons que tiverem uma determinada energia cintica, ou por outro lado uma velocidade especifica, conseguiram alcanar o outro lado do analisador. . No outro lado temos um multiplicador de sinal, que intensifica o sinal obtido para se fazer a contagem. O detector mede a corrente vinda do multiplicador. Assim, no final teremos a energia e corrente para um determinado valor de potencial. Variando o potencial teremos o espectro de energia de ligao e de energia cintica da amostra. Como cada elemento tem uma energia de ligao caracterstico, analisando os picos do espectro de ligao podemos determinar os elementos que constituem a superfcie da amostra.

DETECTOR DE ELTRONS Os eltrons ao atravessarem o analisador podem estar focados em uma ou mais fendas que possuram cada uma um detector. O detector pode ter vrios canais de processo de sinais (Multichannel Detector) A multiplicidade de canais permite alta resoluo, o que melhora o sinal/rudo. CAMARA DE ALTO VCUO UHV As presses obtidas na cmara de alto vcuo (P < 10^(-10) Tor ) so mantidas pela

combinao das chamadas bombas secas: inica, de sublimao, turbomoleculares, criognicas e de sorpo. AMOSTRA Pode ser analisada qualquer amostra slida. As amostras so analisadas aps limpeza com ies rgon de 5keV de modo a remover todos os contaminantes. Dimenses da amostra: 5mm a 30 mm (dimetro ), 3 10 nm (profundidade). Materiais a serem analisados devem ser compatveis com o UHV As amostras em p so prensadas na forma de pastilha e depois analisadas, sendo necessrio que apresente baixa quantidade de gs dissolvido em sua composio, para que no atrapalhe a anlise que feita em UHV. SNTESE uma tcnica que permite a anlise qumica superficial de amostras, identificando os elementos presentes na superfcie. Excitada por feixe de Raio-X, (Mg , Al) Amostras: condutoras ou no condutoras. Superfcie de Anlise: Da ordem de alguns poucos micrmetros. Sensibilidade: 0,3 % a 0,5 % (Atmica ) Profundidade de amostragem : 3 nm 10 nm Analisa todos os elementos, menos H, He. Uma anlise de energia deste fotoeltrons prov informao elementares sobre a constituio qumica dos materias que constem na superficie da amostra.