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Apuntes de apoyo a la asignatura

COMPLEMENTOS de FSICA
E.T.S. de Ingeniera Informtica UNIVERSIDAD DE SEVILLA

Francisco L. Mesa Ledesma

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Prefacio
La presente coleccin de notas sobre Fsica Cuntica y Fsica del Estado Slido pretende ser una ayuda al estudiante en la asignatura cuatrimestral Complementos de Fsica de la E.T.S. de Ingeniera Informtica de la Universidad de Sevilla. Aunque estas notas han sido inspiradas por diversas fuentes (permtaseme destacar y agradecer la importante contribucin de los profesores de la ETS de Ingeniera Informtica del Departamento de Fsica Aplicada 1 de la Universidad de Sevilla), cualquier defecto o error slo es atribuible al autor de estos apuntes. Es importante resaltar que estas notas no pueden ni deben sustituir a otros textos ms elaborados sobre la materia. El objetivo principal de la materia presentada es dotar al alumno de algunos de los fundamentos fsicos elementales en los que se basa el funcionamiento de los dispositivos y sistemas usados en Informtica. Gran parte de la tecnologa actual de los computadores se basa en la Electrnica. Dado que la Electrnica consiste bsicamente en el control del ujo de los electrones en materiales conductores y semiconductores, es evidente la necesidad de estudiar el comportamiento de dichos electrones en metales y semiconductores. Este estudio se llevar a cabo mediante una serie de temas introductorios de Fsica Cuntica y Atmica donde se presentan las propiedades fundamentales de las partculas cunticas. Posteriormente se analiza el comportamiento de los electrones en metales y semiconductores, para lo cual debemos considerar sus caractersticas cunticas y estadsticas. Finalmente, estudiaremos el comportamiento de la unin p-n puesto que es la base de multitud de dispositivos electrnicos y optoelectrnicos usados en la tecnologa de los computadores. F RANCISCO L. M ESA L EDESMA Sevilla, febrero de 2001

III

ndice general
1. Fundamentos de Fsica Cuntica 1.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2. Cuantizacin de la radiacin . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.1. Espectros pticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1 3 3 5 10 11 15 15 17 19 20 21 24 25 29 29 32 32 33 36 39 40 40 44

1.2.2. Efecto fotoelctrico . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3. Dualidad de la radiacin . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.4. Modelo atmico de Bohr . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5. Dualidad de la materia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5.1. Hiptesis de de Broglie . . . . . . . . . . . . . . 1.5.2. Vericacin experimental . . . . . . . . . . . . . 1.5.3. Naturaleza de la onda . . . . . . . . . . . . . . .

1.6. Principio de Heisenberg . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6.1. Principio de incertidumbre posicin/momento . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.6.2. Principio de incertidumbre energa-tiempo . . . 1.7. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2. Ecuacin de Schrdinger. Aplicaciones 2.1. Ecuacin de Schrdinger . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2. Partcula ligada. Cuantizacin . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.1. Partcula Libre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.2. 2.2.3. Pozo potencial innito monodimensional . . . Pozo de potencial tridimensional . . . . . . . .

2.3. Efecto tnel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4. tomos hidrogenoides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4.1. 2.4.2. Nmeros cunticos . . . . . . . . . . . . . . . . Spin del electrn . . . . . . . . . . . . . . . . . .
V


45 47 49 49 51 54 55 55 56 58 59 61 61 63 64 66 66 67 67 68 71 72 72 75 75 76 78 80 83 87 89 91

2.5. Tabla peridica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.6. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. Materia Condensada 3.1. Estados de Agregacin de la Materia . . . . . . . . . . . 3.2. 3.3. 3.4. Gas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Monocristal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Estructuras reticulares . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4.1. Redes de Bravais . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4.2. Parmetros de la estructura reticular . . . . . . . 3.5. Observacin de las estructuras cristalinas . . . . . . . . 3.6. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4. Electrones libres en metales 4.1. 4.2. Fenomenologa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Modelo clsico del electrn libre . . . . . . . . . . . . . 4.2.1. Hiptesis bsicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2.2. Dependencia con la temperatura . . . . . . . . . 4.2.3. Fallos del modelo de Drude . . . . . . . . . . . . 4.3. Modelo cuntico del electrn libre . . . . . . . . . . . . 4.3.1. Funcin densidad de estados . . . . . . . . . . . 4.3.2. Distribucin de Fermi-Dirac . . . . . . . . . . . . 4.3.3. Conduccin elctrica . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.4. Fallos del modelo de Sommerfeld . . . . . . . . 4.4. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5. Electrones en una red peridica 5.1. Modelo cuntico del electrn ligado . . . . . . . . . . . . . 5.1.1. Aproximacin de fuerte enlace . . . . . . . . . . 5.1.2. Bandas de energa . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2. 5.3. Aislantes, Semiconductores y Conductores . . . . . . . Masa efectiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

5.4. Huecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6. Bandas de Energa en Semiconductores


91 92 94 94

6.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2. Generacin y recombinacin de electrones y huecos . .

6.3. Semiconductores Intrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3.1. Descripcin cualitativa . . . . . . . . . . . . . . . 6.3.2.

Probabilidad de ocupacin de electrones y huecos 95 96 98 99

6.3.3. Funcin densidad de estados para electrones y huecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3.4. Distribucin energtica de huecos y electrones . 6.4. Semiconductores Extrnsecos . . . . . . . . . . . . . . .

6.4.1. Semiconductor tipo n . . . . . . . . . . . . . . . . 100 6.4.2. Semiconductor tipo p . . . . . . . . . . . . . . . . 101 6.4.3. Distribucin energtica de huecos y electrones . 102 6.5. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104 7. Portadores de carga en Semiconductores 105

7.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105 7.2. Concentracin de electrones y huecos . . . . . . . . . . 105 7.2.1. Ley de accin masas . . . . . . . . . . . . . . . . 108 7.3. Compensacin y Neutralidad de la carga espacial . . . 110 7.3.1. Clculo aproximado de n y p . . . . . . . . . . . 111

7.3.2. Clculo de EF para semiconductores intrnsecos y extrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112 7.4. Conductividad elctrica en semiconductores . . . . . . 114 7.5. Corrientes de Arrastre y Difusin . . . . . . . . . . . . . 116 7.5.1. Proceso de difusin . . . . . . . . . . . . . . . . . 116 7.5.2. Corriente de difusin . . . . . . . . . . . . . . . 117

7.5.3. Corriente total . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118 7.5.4. 7.6. Campo elctrico interno . . . . . . . . . . . . . . 119

Velocidad de generacin y recombinacin . . . . . . . . 122

7.7. Ecuacin de continuidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124 7.7.1. Ecuacin de difusin . . . . . . . . . . . . . . . 126

7.7.2. Inyeccin constante de portadores . . . . . . . . 126 7.8. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127 8. Unin p-n 129

8.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129 8.2. Unin p-n en equilibrio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 8.2.1. Potencial de Contacto . . . . . . . . . . . . . . . 130 8.2.2. Regin de carga espacial . . . . . . . . . . . . . . 133 8.3. Unin p-n polarizada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134 8.3.1. Descripcin cualitativa de las corrientes en la unin134 8.3.2. Clculo de las corrientes . . . . . . . . . . . . . . 138 8.4. Lser Semiconductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142 8.4.1. Propiedades elctricas . . . . . . . . . . . . . . . 142 8.4.2. Propiedades pticas . . . . . . . . . . . . . . . . 145 8.4.3. Estructura del lser semiconductor . . . . . . . . 148 8.5. Aplicaciones del Lser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152 8.5.1. Aplicaciones del Lser de Inyeccin . . . . . . . 153 8.6. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156 A. Constantes fundamentales B. Energa y longitud de onda de una partcula relativista C. Promedios estadsticos 157 159 161

C.1. Sistemas Discretos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161 C.2. Sistemas Continuos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162 D. Propiedades de algunos materiales semiconductores E. Invarianza del nivel de Fermi en equilibrio 163 165

Tema 1

Fundamentos de Fsica Cuntica


1.1. Introduccin
De una forma muy genrica denominaremos Fsica Cuntica a la Fsica que se desarroll a principios del siglo XX para explicar el comportamiento de los fenmenos que ocurren a muy pequea escala (el mbito microscpico donde los rdenes de magnitud involucrados son: distancia 1 , masa 1027 kg, energa 1019 J). Esta nueva Fsica complementa a la denominada Fsica Clsica que se desarroll para ser aplicada en el mbito macroscpico (fenmenos que involucran rdenes de magnitud del orden de 1 m, 1 kg, 1 J) y que podemos identicar, por ejemplo, con las leyes de Newton, las ecuaciones de Maxwell, etc. Antes de introducir los fundamentos de la Fsica Cuntica, es conveniente resaltar que la Fsica Cuntica trajo consigo, adems de nuevos resultados, cambios conceptuales muy importantes que afectan a la forma en la que habitualmente entendemos el mundo que nos rodea. No obstante, cabe sealar que estos cambios conceptuales afectan drsticamente a nuestra visin del mundo microscpico pero no tanto a la del mundo macroscpico (aunque obviamente muchos fenmenos macroscpicos slo pueden entenderse con base en los principios de la Fsica Cuntica). La Fsica siempre afronta el estudio de los fenmenos mediante el estudio de modelos, esto es, representaciones parciales de la realidad. Es entonces importante aclarar que lo que se estudia no es directamente la realidad sino el modelo que nosotros hacemos de ella. Usualmente, el modelo es una simplicacin de la realidad que recoge, no obstante, las caractersticas esenciales del aspecto fsico en el que estemos interesados. As, si queremos estudiar el efecto de la gravedad sobre los cuerpos, un posible modelo elemental sera el suponer que los cuerpos son puntuales (su masa est concentrada en un punto), que la gravedad es constante y que se desprecia el efecto del rozamiento 1

con el aire. Este modelo simplicado explicara satisfactoriamente, por ejemplo, el tiempo que tarda en caer una piedra desde cierta altura pero no describira muy adecuadamente la cada de una hoja de papel. En consecuencia, el estudio de este ltimo fenmeno requerira el uso de otro modelo ms complejo. En este sentido, es interesante constatar que la mayora de los modelos que intentan describir el mundo macroscpico se basan parcialmente en el sentido comn (esto es, en la manera en la que nuestros sentidos perciben la realidad). De esta forma, se suponen caractersticas generales como continuidad de la materia y la energa (es decir, la materia y la energa pueden tomar cualquier valor e intercambiarse en cualquier cantidad); diferenciacin objetiva entre fenmenos ondulatorios y corpusculares; posibilidad de minimizar completamente el efecto del observador sobre el fenmeno observado, etc. Cuando se afronta el estudio de los fenmenos microscpicos (por ejemplo, el estudio de los tomos), una primera posibilidad sera la de partir de los modelos y categoras que se usaron con xito en el mbito macroscpico y extrapolarlos al nuevo mbito de muy pequeas escalas. En este sentido podramos considerar el tomo como un sistema de cargas puntuales (algunas de ellas en movimiento) regidas por las leyes de la Electrodinmica. No obstante, al iniciar el estudio del mbito microscpico se observ que la extrapolacin directa de los modelos macroscpicos llevaba irremediablemente a resultados muy dispares con la realidad. Hubo, por tanto, que hacer un gran esfuerzo no slo para desarrollar muevas leyes fsicas sino tambin para olvidar muchos de los conceptos y categoras vlidas en el mbito macroscpico y buscar otros nuevos que fuesen aplicables al mbito microscpico. Gran parte de la dicultad de la nueva Fsica Cuntica recae en el hecho de que las leyes que rigen el comportamiento del mbito microscpico son tremendamente antiintuitivas. Este primer tema mostrar, siguiendo un cierto orden cronolgico, los fundamentos de la Fsica Cuntica; en concreto nos centraremos en la presentacin de las leyes bsicas y discutiremos algunas de sus consecuencias ms inmediatas. Un buen entendimiento de estas leyes y sus consecuencias ser fundamental para la posterior comprensin del comportamiento de los electrones en los materiales conductores y semiconductores. En consecuencia, la comprensin fsica de los fenmenos cunticos nos proporcionar la base necesaria para entender el funcionamiento de los mltiples dispositivos electrnicos y optoelectrnicos que son la base de la actual tecnologa de los computadores y previsiblemente nos dotar de la base cientca imprescindible para entender futuros desarrollos de la tecnologa informtica.

1.2. Cuantizacin de la radiacin


El inicio de la Fsica Cuntica puede situarse en el nal del siglo XIX, momento en el que se estaba estudiando la interaccin de la radiacin con la materia. En concreto se estaba investigando la naturaleza del espectro de radiacin emitida por los distintos cuerpos.

1.2.1.

Espectros pticos

Es un hecho bien conocido que cualquier cuerpo caliente emite radiacin electromagntica1 . La distribucin con respecto a la frecuencia, , de esta radiacin se conoce como espectro. Las observaciones experimentales permitieron establecer la existencia de varios tipos de espectros: espectros discretos (emitidos por gases de tomos aislados), espectros de bandas (emitidos por gases moleculares) y espectros continuos (emitidos por cuerpos slidos). A continuacin esbozaremos algunas de las caractersticas de los espectros discretos y continuos. Espectros Discretos Empricamente se comprob que la radiacin emitida (y absorbida) por sustancias formadas por elementos qumicos aislados (en forma de gases) tena un carcter discreto; esto es, estas sustancias solo emiten (y absorben) radiacin para un conjunto discreto de frecuencias. Este hecho experimental era muy sorprendente e imposible de explicar en el marco de la Fsica Clsica. Para el caso del hidrgeno (H) se comprob que su espectro est formado por una familia de lneas espectrales cuya longitud de onda ( c , c 3 108 m/s) sigue la siguiente ley emprica:

1 m2

n1

(1.1)

que se conoce como formula de RydbergRitz y donde R 1 0967 107 m1 es la denominada constante de Rydberg. Para cada valor de m y variando n se obtienen distintas familias de lneas espectrales conocidas como las series del hidrgeno. Una expresin particular para el espectro visible del H, conocido como serie de Balmer, fue obtenida en 1885 por Balmer, siendo, no obstante un caso particular de la ley general (1.1) cuando m 2. Es importante resaltar que la frmula de RydbergRitz es una ley completamente emprica que fue propuesta en ese momento

1 La explicacin clsica de este hecho se basa en la suposicin de que la temperatura es una medida de la energa cintica media de las partculas que componen la materia. Dado que la materia est compuesta de tomos y stos a su vez estn formados por partculas cargadas, un cuerpo caliente puede considerarse como un conjunto de osciladores cargados (se supone que, debido a su menor masa, la carga negativa oscila en torno al ncleo de carga positiva). Estos osciladores de carga emiten entonces radiacin electromagntica al igual que lo hacen los dipolos elctricos oscilantes.

sin ninguna explicacin fsica que justicase el ajuste sorprendente de dicha expresin con los resultados experimentales. Espectros Continuos Estos espectros son emitidos por los cuerpos slidos. Dado que la emisin de los slidos dependa en parte de su composicin, en el estudio de estos espectros se buscaba un cuerpo cuya emisin fuese independiente de la forma y composicin particular del emisor. En este sentido, se dene como cuerpo negro a un emisor cuyo espectro no dependa de su forma y composicin. Un estudio siguiendo las leyes de la Fsica Clsica, que queda fuera del alcance de este tema, permite establecer que la expresin terica para la radiancia espectral, R (intensidad de la radiacin emitida con una frecuencia, , comprendida entre y d ) viene dada por R 2 T (1.2)

R(n)

donde T es la temperatura absoluta (en grados Kelvin) del cuerpo negro.


curva terica

curva experimental

Cuando la expresin terica (1.2) se comparaba con los datos experimentales (ver gura adjunta), se observaba una buena concordancia para bajas frecuencias pero una discrepancia total para frecuencias altas. Esta discrepancia es tan importante (para frecuencias muy altas R tiende a cero segn los datos experimentales mientras que el resultado terico tiende a innito) que se conoce como catstrofe ultravioleta puesto que las diferencias empiezan a ser muy importantes para frecuencias de radiacin ultravioleta. La catstrofe ultravioleta es una clarsima constatacin de que haba algo fundamentalmente errneo en la aplicacin de las leyes conocidas hasta ese momento al estudio del espectro de radiacin del cuerpo negro. Afortunadamente, en 1900 Planck incorpor un nuevo enfoque a este problema que sorprendentemente conduca a una teora que se ajustaba perfectamente a los resultados experimentales. La propuesta de Planck fue que

S h 6 62 1034
La cantidad de intercambio de accin mnima, h, se conoce como constante de Planck y tiene por valor

6 62

(1 eV 1 6 1019 J, e electrn en el S.I.).

10 Js 4 135 10 eVs (1.3) 1 6 10 C es el mdulo de la carga del


34 15 19

La anterior hiptesis implicaba que en el periodo T de oscilacin de los osciladores atmicos, el intercambio de accin, S, deba ser S nh E T

12

(1.4)

siendo E la energa puesta en juego en el intercambio energtico. A partir de (1.4) encontramos entonces que E nh 1 T nh (1.5)

La anterior expresin, fruto de la hiptesis de Planck, indica que el intercambio energtico mnimo es h y que cualquier otro intercambio energtico siempre se produce en mltiplos de esta cantidad. Este resultado tiene dos implicaciones muy destacadas: 1. La interaccin energtica entre dos sistemas no puede hacerse menor que h . Este resultado es abiertamente opuesto a la hiptesis clsica de que la interaccin entre dos sistemas poda hacerse tan pequea como se quisiera. La energa puesta en juego en las interacciones est cuantizada. De nuevo, este sorprendente resultado contradice la hiptesis acerca del carcter continuo de la energa.

2.

Es interesante nalmente notar que las consecuencias anteriores apenas tienen efecto en las interacciones entre sistemas macroscpicos. Ello es debido a que los valores de energa puestos en juego en los intercambios energticos son generalmente mucho ms altos que h , por lo que la existencia de una cantidad mnima de energa de intercambio apenas diere de la suposicin de que sta sea innitesimal. Este hecho provoca que la cuantizacin energtica sea prcticamente inapreciable haciendo, por tanto, aceptable el hecho de que la energa se considere continua a efectos prcticos.

1.2.2. Efecto fotoelctrico


Otro efecto muy destacado fruto de la interaccin entre la luz y la materia es el efecto fotoelctrico. Este efecto se produce cuando al incidir luz sobre ciertos metales, stos emiten electrones (que denominaremos fotoelectrones). Un dispositivo experimental apropiado para estudiar el efecto fotoelctrico se muestra en la gura adjunta y consiste en un tubo de vaco con dos placas metlicas en su interior. Al incidir luz de intensidad I sobre el metal del que est compuesto el ctodo (placa con potencial elctrico positivo), ste emite electrones que, debido al potencial de aceleracin (V ) impuesto entre las placas situadas en el interior del tubo de vaco, son arrastrados hasta el nodo (placa con potencial negativo). Este ujo de electrones da lugar a

I(n)

+ C

A -

i V

una corriente elctrica, i, que es detectada por el ampermetro puesto a tal efecto. Una de las principales ventajas del anterior montaje experimental es que nos permite determinar la energa cintica, E c , de los fotoelectrones. Notemos que si V 0, el campo impuesto entre las placas acelera los fotoelectrones hacia la placa A, pero si V 0, el campo elctrico frenar los fotoelectrones dicultando as su camino hacia el nodo. El efecto de frenado ser total cuando la energa que proporciona el campo a los fotoelectrones, eV , sea igual a la energa cintica mxima, Ec max , de los fotoelectrones, esto es, cuando eVR Ec max (1.6)

siendo VR el valor de potencial elctrico conocido como potencial de frenado. El estudio experimental del efecto fotoelctrico pone de maniesto las siguientes caractersticas: La emisin fotoelctrica es instantnea. Existe cierta frecuencia para la radiacin incidente, conocida como frecuencia umbral, 0 , por debajo de la cual no existe emisin fotoelctrica, independientemente de la intensidad de dicha raI si 0 diacin; es decir, i 0 Al aumentar la intensidad de la radiacin, aumenta el nmero de fotoelectrones emitidos y, en consecuencia, la intensidad de la corriente es mayor. Para una frecuencia ja, la energa cintica de los fotoelectrones no depende de la intensidad de la radiacin incidente. La energa cintica mxima de los fotoelectrones (cuya magnitud es proporcional al potencial de frenado VR ) muestra una dependencia lineal de la frecuencia. La mayora de los anteriores resultados experimentales resultan realmente sorprendentes y contradictorias cuando se intentan interpretar a partir de los postulados de la Fsica Clsica. En este marco, la luz es una onda electromagntica cuya energa est repartida de forma continua en el frente de ondas; su intensidad promedio, I , viene dada por la expresin I 1 0 cE02 2 (1.7)

I2(n) I1(n) I2(n)>I1(n)

VR

VAC

VR

n0

donde 0 es la permitividad del vaco y E0 es la amplitud del campo elctrico de la onda luminosa. Es interesante notar que,

segn (1.7), la intensidad (y por tanto la energa) de la onda electromagntica no depende de la frecuencia sino simplemente de la amplitud del campo elctrico. En el metal hay que considerar que los electrones susceptibles de ser emitidos estn ligados al metal con una cierta energa umbral e , denominada tambin funcin trabajo. Para que un electrn sea desprendido del metal, ste debe adquirir una energa suciente para romper su ligadura con el metal, manifestndose el posible exceso de energa en forma de energa cintica del electrn emitido. Desde este punto de vista, la luz incidente en el ctodo ser la encargada de proporcionar (durante cierto intervalo de tiempo) la energa suciente a cada electrn para que ste puede salir del metal. No obstante, el clculo terico del tiempo requerido para que se inicie la emisin proporciona un valor muchsimo mayor que el observado experimentalmente (recurdese que el efecto fotoelctrico es prcticamente instantneo). Por otra parte, si mantenemos ja la frecuencia y aumentamos la intensidad de la radiacin luminosa, esperamos de acuerdo a la expresin (1.7) que llegue ms energa al metal y que, por tanto, la energa cintica de los fotoelectrones aumente. Hemos visto que la experiencia contradice esta suposicin, mostrando que dicha energa cintica mxima no depende de la intensidad de la radiacin incidente sino sorprendentemente de su frecuencia.

P 100 8 % e 4 r 1
E JEMPLO 1.1 es

La intensidad luminosa, I , emitida por la fuente de luz que llega al metal P 2 100 0 08 W/m2 2 2 4 R 4 1 por lo que la potencia captada por cada tomo vendr dada por I

Ptomo

2 I rtomo

2 1020

2 1020 W

Finalmente, el tiempo de espera, t , para que se acumule la energa umbral suciente, e , es t e Ptomo 4 1 6 1019 2 1020 32 s

Ntese que el clculo del tiempo de espera calculado segn el modelo ondulatorio de la radiacin luminosa nos da un valor (t 32 s) muchsimo ms alto que el observado experimentalmente (emisin espontnea).

En 1905, A. Einstein proporcion una explicacin satisfactoria al efecto fotoelctrico aportando adems una concepcin revolucionaria

de la energa radiante. Bsicamente Einstein, partiendo la hiptesis de Planck acerca de la cuantizacin del intercambio energtico, dio un paso ms extendiendo la nueva idea de cuantizacin a la propia energa radiante (y no slo a su posible intercambio). En concreto, Einstein explic el efecto fotoelctrico a partir de las dos siguientes hiptesis: 1. La energa de la onda electromagntica de frecuencia no est distribuida continuamente en el frente de onda sino que est localizada en pequeos paquetes (entes como partculas) llamados fotones cuya energa es E (h
hn
Radiacin incidiendo en el metal


h 2 , 2 ). 2.

(1.8)

El efecto fotoelctrico es fruto de procesos individuales de intercambio instantneo de la energa del fotn con la del electrn.

Metal

electrn liberado del metal e

Ec

El primer punto indica que Einstein concibe la onda electromagntica como un conjunto de paquetes discretos de energa h , esto es, la propia energa de la onda estara cuantizada. El efecto fotoelctrico podra entonces verse como un conjunto de choques elsticos individuales entre los fotones de la radiacin incidente y los electrones ligados del interior del metal. Supuesta que la energa se conserva en este choque, el fotn cede toda su energa h al electrn, adquiriendo ste por tanto una energa que sera empleada parcialmente para vencer la funcin trabajo, e , apareciendo la restante en forma de energa cintica, Ec , esto es, (1.9) h Ec e Dado que la expresin (1.6) relaciona la energa cintica de los fotoelectrones con el potencial de frenado, VR , tenemos que Ec Ec h e eVR

h e

eVr

lo que nos permite escribir nalmente VR

(1.10)

El sencillo desarrollo anterior muestra que existe una relacin lineal entre VR y , siendo la pendiente de esta recta h e. Tambin explica la existencia de una frecuencia umbral, 0 e h, por debajo de la cual no puede existir efecto fotoelctrico (puesto que la energa cintica asociada al electrn sera negativa). La expresin terica (1.10) coincide satisfactoriamente con los resultados experimentales, conrmando la sorprendente hiptesis de la naturaleza fotnica de la radiacin y proporcionando una prueba adicional de que la constante h introducida por Planck es una constante fundamental de la Naturaleza y no, simplemente, una constante arbitraria de ajuste.

Dado que la emisin de fotoelectrones crece al aumentar la intensidad de la radiacin, I , esta magnitud debe estar relacionada con el nmero de choques y, en consecuencia, puede relacionarse con la densidad de fotones, N f (nmero de fotones por unidad de tiempo y rea), de la radiacin. Podemos escribir, por tanto, que I Nf h (1.11)

Por otra parte, dado que los fotones transportan una energa E , tambin deben transportar un momento lineal p. En su teora de la Relatividad Especial, Einstein demostr que el momento lineal de los fotones estaba relacionado con su energa mediante la siguiente relacin: E (1.12) p c siendo c la velocidad de la luz. Como la energa del fotn es E h , encontramos que h h p (1.13) c donde se ha tenido en cuenta que la frecuencia de la onda, , est relacionada con su longitud de onda, , mediante c.

2000 I 3 2 e 1
E JEMPLO 1.2 (a) Para calcular el nmero de fotones por unidad de tiempo y rea debemos aplicar la expresin (1.11), para lo cual debemos obtener primero la frecuencia, , de la radiacin:

3 108 2 107

1 5 1015 Hz 9 95 1019 J

por lo que la energa, E , de cada fotn ser E h 6 63 10 34 1 5 1015 3 103 9 95 1019 6 21 eV

La aplicacin de (1.11) nos dice que Nf I E 3 017 10 15 fotones m2 s

(b) El momento del fotn puede calcularse a partir de p h 6 63 1034 2 107 3 31 1027 kgm/s

(c) Finalmente la energa cintica de los fotoelectrones emitidos, de acuerdo a la expresin (1.10), vendr dada por Ec h e 6 21 eV 1 eV 5 21 eV


1.3.


Dualidad de la radiacin

A la vista de la discusin presentada en el anterior apartado, nos encontramos con que existen dos concepciones distintas de la radiacin electromagntica: Onda electromagntica (OEM) La visin clsica de la radiacin interpreta que sta es una onda de modo que su energa y momento se distribuye continuamente en el frente de ondas. Segn hemos visto, la intensidad de la onda, I , puede relacionarse con la amplitud del campo elctrico, E0 , mediante 1 I 0 cE02 2 Fotones Segn la interpretacin de Einstein, la radiacin electromagntica puede considerarse como un conjunto discreto de paquetes de energa E h , de modo que la intensidad de la radiacin, de acuerdo con (1.11), puede escribirse como I Nf h

Segn la visin clsica, la intensidad de la onda depende del valor de la amplitud del campo elctrico y segn la interpretacin fotnica, del nmero de fotones. En consecuencia, podemos observar que el nmero de fotones debe ser proporcional al cuadrado de la amplitud del campo elctrico, (1.14) N f E02 donde debemos interpretar esta densidad de fotones, N f , en trminos puramente probabilsticos. Este hecho nos permite establecer un punto comn de relacin entre las visiones clsica y fotnica de la radiacin y establecer, en general, que

el cuadrado de la amplitud del campo elctrico de la onda electromagntica, E02 r t , es proporcional a la probabilidad de localizar en un instante t a los fotones en un dV centrado en el punto r.
Desde el punto de vista del modelo fotnico, el campo elctrico de la onda electromagntica juega el papel de una funcin matemtica que determina la probabilidad de encontrar a los fotones en un determinado punto e instante. En aquellos puntos donde el campo elctrico tenga un valor alto de amplitud ser, por tanto, ms probable encontrar fotones que all donde la amplitud presente un valor bajo. En la prctica, la conveniencia de usar uno de los dos modelos (OEM/fotones) vendr determinada por la relacin entre la cantidad

de energa de los fotones y la energa puesta en juego en la posible interaccin. Si la energa en la interaccin, E , es del orden de la energa de los fotones, h , entonces se debe usar el modelo fotnico. Por el h (esto es, si en la interaccin intervienen muchos contrario, si E fotones conjuntamente), el modelo ondulatorio ser ms apropiado.

1.4. Modelo atmico de Bohr


En este apartado discutiremos el modelo que propuso N. Bohr en 1913 para el tomo de hidrgeno. Este modelo fue propuesto como consecuencia de los problemas que presentaba el modelo nuclear de Rutherford (este modelo se supone conocido por el alumno). En concreto, Rutherford propuso un modelo planetario del tomo compuesto por un sistema de cargas globalmente neutro donde supuso que exista un ncleo de carga positiva muy pequeo y muy msico rodeado de cargas negativas (electrones) de muy poca masa orbitando continuamente a su alrededor. Este modelo, muy vlido en cuanto a la idea de un tomo formado por un ncleo y electrones a su alrededor, presentaba dos problemas fundamentales: 1. Inestabilidad del tomo. Segn la teora clsica del Electromagnetismo, una carga acelerada radia y como los electrones orbitando en torno al ncleo describen un movimiento acelerado, estos electrones deban estar radiando. Si estos electrones radian energa, esto signica que deban estar perdiendo energa cintica de forma continua, lo que a su vez implica que tras un breve lapso de tiempo los electrones deberan colapsar en el ncleo. Este razonamiento clsico conduce inevitablemente a un tomo inestable con todos los electrones atrapados en el ncleo, en abierta contradiccin con las suposiciones iniciales de un ncleo de carga positiva en torno al cual los electrones orbitan de forma estable. Emisin de un espectro continuo. Segn el razonamiento clsico anterior, la radiacin emitida por el tomo deba ser continua, puesto que la supuesta prdida de energa cintica del electrn en forma de radiacin electromagntica se realizara de forma continua. Esta suposicin es de nuevo contraria al hecho experimental de que las sustancias formadas por elementos puros emiten un espectro discreto.

2.

Basado en el modelo de Rutherford e incorporando la concepcin fotnica de la radiacin propuesta por Einstein, Bohr propuso un sorprendente modelo para el tomo de hidrgeno (el tomo ms simple de la naturaleza, compuesto nicamente por dos cargas: una positiva en el ncleo protn y otra negativa electrn orbitando a su alrededor) basado en los siguientes tres postulados:


1.

En vez de las innitas rbitas, con cualquier valor de radio, que son permitidas por la Fsica Clsica, los electrones pueden tomar nicamente aquellas rbitas en las que se verique que el mdulo de su momento angular, L (L r p, por lo que L m e vr siendo me 9 1 1031 kg la masa del electrn, v el mdulo de la velocidad y r el valor del radio), sea un mltiplo de h :

me vr

nh

123

(1.15)

2.

Un electrn en una de las rbitas anteriores no emite radiacin electromagntica. Estas rbitas corresponden por tanto a estados estacionarios, es decir, estados en los que la energa del tomo es constante en el tiempo. Si un electrn est inicialmente en una rbita de energa Ei y transita hacia una rbita de menor energa E f , se emite radiacin electromagntica (un fotn) de frecuencia

3.

Ei Ef hn

Ei

E
h

(1.16)

Consecuencias del modelo de Bohr


Los postulados propuestos por Bohr conducen a las siguientes consecuencias: Radio de las rbitas permitidas Para un electrn que est situado en una rbita estacionaria de radio r debe cumplirse que los mdulos de la fuerza centrfuga, Fc , y la de atraccin electrosttica del ncleo, Fe , se compensen, esto es, (1.17) Fc Fe o equivalentemente me v2 r e2 40 r2 (1.18)

Fc v Fe
+

Si tenemos en cuenta la expresin (1.15), podemos escribir 2 me n2 h 2 r m2 er e2 40 r2 (1.19)

de donde obtenemos nalmente, al despejar el radio, que

rn siendo r0

n2 r0

r0 4r0 9r0

(1.20)

40 h 2 e2 me

0 53

(1.21)


(1 1010 m).

El electrn en el tomo de hidrgeno slo puede tomar aquellas rbitas discretas cuyos radios veriquen (1.20). Dado que la menor rbita que puede tomar el electrn en el tomo de hidrgeno es r0 , este dato podra ser considerado como el tamao de dicho tomo. Comprobaciones experimentales demuestran que r 0 coincide muy aproximadamente con el tamao medido para el radio de los tomos de hidrgeno. Cuantizacin de la energa del tomo de H En una rbita estacionaria, y que por tanto verica (1.18), debe cumplirse que e2 (1.22) me v2 40 r La energa, E , del electrn en una rbita estacionaria (y, en consecuencia, en un estado estacionario) ser la suma de su energa cintica, Ec , ms la energa potencial electrosttica, E p , debido al efecto de carga positiva del ncleo, esto es, E Ec E p 1 me v2 2 1 4 e2 0 r

expresin que puede reescribirse, teniendo en cuenta (1.22), como 1 1 e2 (1.23) E 2 40 r

Dado que el radio de la rbita est cuantizado (rn n2 r0 ), la energa del estado estacionario lo estar igualmente. En consecuencia la energa del estado estacionario caracterizado por el nmero cuntico n puede escribirse como En

E0 n2

E
0

E0 4

E0 9

(1.24)


n= n=3 n=2 n=1 E = 0 E2= -E0 /4 E1= -E0

donde E0 es la energa del estado elemental del tomo de hidrgeno (n 1), que viene dada por E0 e2 80 r0 e4 me 2 h2 80 13 6 eV (1.25)

Los posibles estados de energa con n 1 se conocen como estados excitados. El hecho de que la energa de los distintos estados sea negativa debe entenderse en el sentido de que hay que proporcionar energa para sacar al electrn de esos estados, esto es, el electrn est ligado al tomo de hidrgeno por esa cantidad de energa. En este sentido, podemos decir que la energa de ionizacin del tomo de hidrgeno es de 13.6 eV; es decir, hay que dar al menos esa energa al tomo de H en su estado fundamental para poder extraerle el electrn.

Espectro del hidrgeno Teniendo en cuenta la hiptesis (1.16) junto con la expresin (1.24) obtenida anteriormente, la frecuencia de la radiacin emitida en la transicin de un electrn desde un estado caracterizado por n i hasta otro estado de menor energa caracterizado por n f vendra dada por E0 E0 n2 n2 E0 1 1 i f (1.26) 2 h h n f n2 i

o equivalentemente, teniendo en cuenta que 1 E0 hc 1 n2 f

c, (1.27)

n1

2 i

donde E0 hc 1 0974 107 m1 . Esta expresin terica, obtenida nicamente a partir de las hiptesis de Bohr, coincide plenamente con la frmula emprica de RydbergRitz (1.1). Si admitimos que esta sorprendente y total coincidencia no es mera casualidad debemos entonces admitir que el modelo de Bohr proporciona un marco terico novedoso, muy original y consistente para entender el espectro del tomo de hidrgeno. Podemos armar, por tanto, que el espectro discreto del H es fruto de la cuantizacin de los estados energticos de este tomo2 y de la naturaleza fotnica de la radiacin. Es interesante notar nalmente que, aunque el modelo atmico de Bohr proporcion un marco terico muy satisfactorio que pudo explicar las caractersticas esenciales del tomo de hidrgeno, cuando este mismo modelo se intento aplicar a tomos con ms de un electrn no result tan ecaz. Por ejemplo, este modelo no pudo explicar el valor de la energa de ionizacin ni el espectro discreto del tomo de helio (el tomo de helio consta ya de dos protones en el ncleo y dos electrones orbitando). Este hecho debe interpretarse en el sentido de que, aunque el modelo de Bohr supuso un avance fundamental en la comprensin del tomo, era un modelo simple que no tena en cuenta algunas de las propiedades ms caractersticas (todava por descubrir) de las partculas cunticas. Los apartados siguientes explorarn algunas de estas propiedades.
E JEMPLO 1.3 3 023 10 15
experimento muy relevante, llevado a cabo en 1914 por J. Frank y G. Hertz, demostr empricamente que la cuantizacin de los estados energticos es una caracterstica comn de todos los tomos.
2 Un

Supuesto que En sea la energa del estado excitado de nmero cuntico n, sabemos que la energa, E , puesta en juego en la transicin ser E por lo que En E E 0 4 135 10 15 eVs 3 023 10 15 s1 13 6eV h E 0 E n E0 h

1 55 eV

Para calcular el nmero cuntico, debemos tener en cuenta que En por lo que n

E0 n2

E0 En

13 6 1 55

3 3.

El electrn fue excitado hasta el estado de nmero cuntico n

Segn el modelo de Bohr, el radio de la rbita del electrn en este estado ser r3 9r0 4 77

1.5. Dualidad de la materia


1.5.1. Hiptesis de de Broglie
En 1924, L. de Broglie, suponiendo la existencia de una simetra natural en la naturaleza, sugiri que el carcter dual onda/corpsculo exhibido por los fotones era igualmente aplicable a todas las partculas materiales. En concreto la hiptesis de L. de Broglie fue

El movimiento de una partcula material viene determinado por las propiedades ondulatorias de propagacin de una onda piloto cuya longitud de onda, , y frecuencia, , estn asociadas con el momento lineal, p, y la energa, E , de la partcula segn
h p E h

o bien o bien

p E

h k h

(1.28) (1.29)

Debe notarse que en la onda piloto asociada a las partculas NO SE CUMPLE que c (esto slo era vlido en ondas electromagnticas/fotones en el espacio libre). Este hecho podemos relacionarlo con

la expresin de la energa de una partcula libre, E , proporcionada por la Relatividad Especial: E2


4 2 2 m2 0c p c

(1.30)

donde m0 es la masa en reposo de la partcula material ntese que para los fotones, cuya masa en reposo es nula, m 0 0, la expresin anterior se reduce a (1.12). Puede comprobarse que al sustituir (1.28) y (1.29) en (1.30) encontramos una relacin entre la y la de la onda piloto ms complicada que la que existe para ondas electromagnticas. En el caso de partculas cuya velocidad, v, sea mucho menor que c2 ), el Apndice B muestra que la energa la velocidad de la luz (v2 cintica de dicha partcula puede expresarse como Ec p2 2m0 (1.31)

por lo que el momento y la longitud de onda de la partcula puede expresarse como 2m0 Ec mv (1.32) p y

h 2m E

(1.33)

0 c

Es interesante resaltar que, debido al pequeo valor de la constante de Planck, los fenmenos tpicamente ondulatorios de interferencia y/o difraccin de las partculas macroscpicas es prcticamente imposible de detectar. Dado que la longitud de onda de las partculas macroscpicas es mucho menor que las distancia tpicas en el mbito macroscpico, podemos despreciar el carcter ondulatorio de estas partculas.
E JEMPLO 1.4 m 50 v 40 V 100

(1) En este caso, el momento lineal es p y la longitud de onda ser mv 0 05 40 2 kgm/s

h p

6 6 1034 2

3 3 1034 m

Como puede observarse, la longitud de onda asociada a la pelota de tenis es muchsimo ms pequea que el tamao de un tomo de H. Esta es tan pequea que es totalmente indetectable por cualquier dispositivo experimental. Una posible manera de aumentar esta es hacer que la masa

de la partcula sea muy pequea, en la prctica del orden de la masa de las partculas elementales (electrones, protones, ....) (2) Si el electrn est sometido a cierto potencial de aceleracin, V , entonces, supuesto que parte del reposo, la energa cintica que adquiere ser justamente la energa potencial elctrica que pierde la partcula cargada, esto es, Ec eV 100 eV

La longitud de onda asociada a esta partcula ser entonces

h 2me eV

6 6 1034 2 9 1 1031 1 6 1019 100

1 2

Esta longitud de onda es muy pequea pero al menos es del orden del tamao de los tomos.

1.5.2. Vericacin experimental


Antes de describir el experimento que veric el carcter ondulatorio de interferencia y/o difraccin las partculas materiales, debemos notar que para que un fenmeno ondulatorio sea observable es necesario que las dimensiones de los objetos con los que interacta la onda sean del orden de la longitud de onda. Segn ha mostrado el Ejemplo 1.4, la longitud de onda de las partculas elementales puede ser del orden de , por lo que se necesitara que su onda piloto interactuase con objetos de esas dimensiones. Un posible objeto que presenta estas dimensiones son los planos atmicos de un monocristal que estn separados precisamente distancias del orden de . Basado en lo anterior, Davisson y Germer vericaron experimentalmente en 1927 el comportamiento ondulatorio de los electrones usando un dispositivo experimental cuyo esquema se muestra en la Fig. 1.1a. En este experimento, un monocristal es bombardeado con electrones

a)

b)
q f q eDetector f
Monocristal

Detalle de reflexin en monocristal

F IGURA 1.1: Experimento de Davisson y Germer

acelerados por un potencial elctrico V . Estos electrones, previamente emitidos por una resistencia incandescente, adquieren una energa


cintica dada por


Ec eV


(1.34)

Si los electrones se comportasen como partculas, entonces, tras chocar con el monocristral, rebotaran tal y como lo haran pelotas de tenis que chocasen contra una piedra, esto es, saldran rebotados en todas direcciones sin que haya direcciones privilegiadas. Adems, este efecto sera independiente de la energa cintica de las partculas, esto es, del potencial de aceleracin V . No obstante, si los electrones se comportasen como ondas, entonces los electrones dispersados lo haran mayoritariamente en aquellas direcciones privilegiadas para las que exista interferencia constructiva. Admitiendo que los electrones presentan un comportamiento ondulatorio, la onda incidente se reejar en cada uno de los planos atmicos (ver detalle en Fig. 1.1b), existiendo una interferencia constructiva de las ondas reejadas en planos paralelos consecutivos si se cumple la condicin de Bragg, esto es, si la diferencia de camino entre los rayos (1) y (2) es justamente un mltiplo de la longitud de onda: 2d sen n (1.35)

(1)
q q q

(2)

diferencia de camino

Supuesta vlida la hiptesis de de Broglie, la longitud de onda, , de los electrones que inciden en el monocristal ser

h p

h 2m eV
e

(1.36)

lo que implicara que el detector mostrara unos mximos de dispersin para los ngulos n relacionados con los n (2n n ) que vericasen h (1.37) sen n n 2d 2me eV El experimento de Davisson y Germer demostr que esta suposicin terica estaba en excelente acuerdo con la experiencia, conrmando fehacientemente que los electrones (y por ende, todas las partculas materiales) presentaban un carcter ondulatorio.

E JEMPLO 1.5 V 40 Dado que 2 tector ser 180o , el ngulo relacionado con la posicin del de-

180o 40o 70o 2 El mximo de dispersin de primer orden ocurre cuando n un ngulo 1 que verica

1, esto es, para

sen 1

h 2d 2me eV

o equivalentemente para un potencial de aceleracin, V , dado por V h2 8d 2 sen2 1 me e

6 6 10342 10 2 8 0 91 10 0 93972 9 1 1031 1 6 1019

51 1 V

1.5.3.

Naturaleza de la onda

En el Apartado 1.3 se discuti que la relacin existente entre la interpretacin ondulatoria y la corpuscular de la radiacin electromagntica poda hacerse mediante la interpretacin que se le daba al campo elctrico en un punto como una medida de la probabilidad de encontrar a los fotones en cierto instante en el entorno de dicho punto. En este sentido, en 1926 Max Born extendi esta interpretacin probabilstica igualmente al caso de las partculas materiales. Segn la interpretacin de Born, lo que se est propagando en forma de onda (asociado al movimiento de las partculas) no es algo material sino una magnitud representada matemticamente por r t , que se conoce como funcin de onda y que posee el siguiente signicado fsico:

Si en un instante t se realiza una medida para localizar a la partcula asociada a la funcin de onda r t , la probabilidad Pr t dV de encontrar a la partcula en un dV centrado en r viene dado por
Pr t dV r t 2 dV (1.38)

Dado que la partcula evidentemente debe encontrarse en algn punto del espacio, la probabilidad de encontrar a dicha partcula en algn punto del espacio debe ser la unidad, por lo que debemos imponer la siguiente condicin: r t 2 dV
todo el espacio

(1.39)

que se conoce como condicin de normalizacin. Analicemos dos casos de inters: Partcula libre Dado que sobre una partcula libre no se ejercen fuerzas externas, esta partcula no debe encontrarse en ciertos sitios con ms probabilidad que en otros. En consecuencia, la probabilidad de encontrarla en alguna posicin no debe depender de dicha posicin. Por otra parte, una partcula libre tiene perfectamente denido su energa, E , y su momento, p, por lo que de acuerdo a las

relaciones de de Broglie ( p h k y E h ), su nmero de ondas y frecuencia estn igualmente denidas y, por tanto, es razonable suponer que su funcin de onda asociada pueda venir dada por x t Ae j p
h x

e jE

h t

(1.40)

Partcula localizada Si una partcula est localizada existir entonces ms probabilidad de encontrarla en algunos sitios que en otros. Consecuentemente Px t debe depender de la posicin, lo cual se puede conseguir si su funcin de onda asociada, x t , viene dada por un grupo de ondas, por lo que podr expresarse como x t
k0 k k0 k

Ake jkx e j kt dk

(1.41)

En este caso, la velocidad de la partcula vendr determinada por la velocidad del grupo de ondas, esto es, vg dw dk 1 dE h dk (1.42)

Es interesante resaltar que la funcin de onda, , no es una magnitud estadstica, en el sentido de que describa el comportamiento de un colectivo muy numeroso de partculas que se maniestan simultneamente, sino que es una propiedad intrnseca de cada partcula, independiente del colectivo 3 . En este sentido, la interpretacin probabilstica de Born nos impone una restriccin al conocimiento que podemos tener sobre la partcula, es decir, todo lo que nos puede dar la Fsica Cuntica sobre la posicin de una partcula es una informacin probabilstica acerca del posible resultado de una medida. Podemos ver que este hecho dota a nuestro conocimiento sobre la partcula de cierta incertidumbre, hecho que ser discutido con ms profundidad en el apartado siguiente.

1.6. Principio de Heisenberg


Si una cuerda es agitada de forma peridica, tal como muestra la gura adjunta, y nos planteamos la pregunta de dnde est la onda?, entonces parece razonable responder que la onda est distribuida en
decimos que la probabilidad de sacar cara al lanzar una moneda es de 1/2, estamos diciendo que al lanzar un colectivo numeroso de monedas al aire, muy aproximadamente la mitad de ellas ser cara y la otra mitad cruz. Al aplicar esa propiedad a un elemento del colectivo, le estamos atribuyendo a ste las propiedades que en realidad slo posee el colectivo. De hecho, en principio, si supisemos con exactitud las condiciones que determinan el lanzamiento de una moneda (su posicin y momento iniciales), podramos determinar con precisin el resultado de este evento
3 Cuando

toda la cuerda. No obstante, si la pregunta es cul es la longitud de onda?, entonces la respuesta puede ser ms precisa. No obstante, si en vez de agitar la cuerda peridicamente, simplemente se ha agitado una vez de modo que se generado un pulso que viaja por la cuerda, ahora la pregunta de dnde est la onda? podra ser respondida con cierta precisin mientras que a la pregunta cul es la longitud de onda? no encontraramos una respuesta precisa. Esta discusin pone adems de maniesto que una determinacin precisa de la longitud de onda hara ms imprecisa la determinacin de la posicin, y viceversa. Un estudio ms riguroso, basado en el anlisis de Fourier, nos permitira establecer que la imprecisin o incertidumbre en la determinacin simultnea de los valores de la posicin y la longitud de onda es algo inherente a todo fenmeno ondulatorio.

1.6.1.

Principio de incertidumbre posicin/momento

Si tenemos en cuenta el hecho anterior y lo relacionamos con la existencia de la dualidad onda/corpsculo tanto para la radiacin como para la materia, parece entonces razonable prever la existencia de incertidumbre en la determinacin de ciertas magnitudes fsicas en cualquier fenmeno natural. En este sentido, en 1927 W. Heisenberg postul el siguiente principio:

En un experimento NO es posible determinar simultneamente y con toda precisin una componente del momento de una partcula, por ejemplo px , y la posicin de la coordenada correspondiente x. Si representa la incertidumbre en la medida, encontraremos que
px x h (1.43)

Una manera de ver que la dualidad onda/corpsculo de la materia est intrnsecamente relacionada con el anterior principio de incertidumbre puede obtenerse a partir de la determinacin de la posicin de una partcula hacindola pasar por una rendija de anchura x (sta sera justamente la incertidumbre en su posicin). Al pasar por la rendija, la partcula sufrira difraccin debido a su carcter ondulatorio. El estudio de la difraccin de una onda plana que incide normal a la rendija muestra que, para la conguracin mostrada en la gura, el primer mnimo de difraccin se produce para un ngulo tal que sen

D px p Dx
q

(1.44)

Dado que la partcula llegar a algn punto comprendido entre los dos mnimos mostrados en la gura, podemos ver que el mximo de


incertidumbre de la componente x del momento ser px p sen

(1.45)

donde p es el mdulo del momento de la partcula, que no habr cambiado al atravesar sta la rendija. Teniendo ahora en cuenta la relacin de de Broglie (1.28) y las dos expresiones anteriores, podemos escribir px y nalmente h x h (1.46)

px x

(1.47)

Notemos que el simple anlisis anterior, basado en el carcter ondulatorio de la partcula, nos ha conducido a una expresin que relaciona las incertidumbres de la posicin y el momento, siendo adems congruente con (1.43). El principio de incertidumbre puede tambin relacionarse con la existencia de un mnimo de accin, h, descrito en el Apartado 1.2.1. Debe tenerse en cuenta que cualquier descripcin de un fenmeno requiere cierta interaccin con dicho fenmeno. Debido a la existencia de un mnimo de accin, esta interaccin no puede hacerse innitesimal, por lo que la correspondiente descripcin siempre estar sujeta a cierta incertidumbre. Es importante destacar tres puntos con respecto al principio de incertidumbre: 1. La existencia de incertidumbre no se debe a deciencias en la calidad de los aparatos de medida. Incluso con aparatos ideales seguira existiendo una incertidumbre en la medida determinada por (1.43). El principio de incertidumbre no prohbe una medida exacta de la posicin o el momento. Ahora bien, una medida exacta en la 0) implica una incertidumbre total en la posicin (esto es, x medida del momento, px , y viceversa. La desigualdad (1.43) debe considerarse como algo intrnseco y fundamental del comportamiento de la naturaleza.

2.

3.

Consecuencias del principio de incertidumbre posicin/momento Una consecuencia relevante del principio de incertidumbre es que, en un sentido estricto, no podemos seguir hablando de trayectorias de las partculas. Notemos que la existencia de una trayectoria denida es simplemente la informacin simultnea y precisa acerca de las posiciones y las velocidades (momento) de cierta partcula. Dado que

la simultaneidad y precisin de ambas magnitudes no est permitida por (1.43), debemos admitir que el concepto de trayectoria debe ser revisado y usado con mucha prudencia. No obstante, debemos tener en cuenta que ms relevante que la incertidumbre absoluta en s es la incertidumbre relativa, esto es, el cociente entre la incertidumbre y el valor de la magnitud. Veamos este hecho con el siguiente ejemplo.
E JEMPLO 1.6

La Luna Sabiendo que la masa de la Luna es m 6 10 22 kg, que su velocidad media es v 103 m/s y que su posicin se determina con una incertidumbre de x 106 m (con una incertidumbre tan pequea, px se maximiza), la incertidumbre en el momento vendr dada por px h x 1028 kgm/s

Puesto que el momento puede calcularse como px mv 1025 kgm/s 1028 1025

la incertidumbre relativa ser aproximadamente px px 1053

La incertidumbre relativa para el momento, incluso intentando maximixarla, es tremendamente pequea; tanto que en la prctica sera totalmente indetectable. Consecuentemente, para el caso de la Luna en su rbita alrededor de la Tierra, el concepto de trayectoria es aplicable. Electrn en tomo de hidrgeno Con el n de obtener el mnimo de imprecisin en el momento, supongamos que la imprecisin en la determinacin de x es mxima, es decir, que slo sepamos que el electrn est dentro del tomo. Dado que el tamao del tomo vena dado por r0 , entonces diremos que x r0 1010 m y, por tanto, px h x 1024 kgm/s

Ntese que la incertidumbre absoluta en el momento es mayor para el electrn que para la Luna. Para calcular p, tengamos en cuenta que la energa cintica, Ec , del electrn en la rbita fundamental ser Ec por lo que p E0 2 7eV 1 12 10 18 J 2 1024 kgm/s

2m E 2 9 3
e c

1031 1 12 1018 1024 2 1024

La incertidumbre relativa en el momento ser entonces px px 05

esto es, una incertidumbre relativa muy importante, lo que indica claramente que no podramos hablar de la trayectoria del electrn en el tomo de H.

Otra consecuencia importante del principio de incertidumbre es que no existe reposo para las partculas localizadas. Supongamos una partcula que est localizada en cierta regin 0 x a. Ciertamente, la mxima incertidumbre en la localizacin de esta partcula es

xmax px min

y, en consecuencia, la mnima incertidumbre en el momento ser h a

Teniendo en cuenta que el mnimo valor del momento, p min , debe ser del orden del mnimo valor de su incertidumbre, entonces tenemos que pmin px min por lo que la energa cintica mnima de la partcula tomar el valor

Ecmin

p2 min 2m

h2 2ma2

(1.48)

esto es, una partcula localizada no puede estar en reposo (con energa cintica nula).

1.6.2. Principio de incertidumbre energa-tiempo


Al igual que existe un principio de incertidumbre para la posicin y el momento, podemos encontrar un principio de incertidumbre para la energa y el tiempo. Este principio puede enunciarse como sigue E t h (1.49)

donde E debe entenderse como la incertidumbre energtica asociada a la energa puesta en juego en cierta transicin y t como el intervalo de tiempo que tarda el sistema en realizar dicha transicin. El principio de incertidumbre energatiempo puede tambin interpretarse diciendo que una determinacin de la energa de un sistema que presente una incertidumbre, E , debe tomar al menos un intervalo de tiempo h t E Anlogamente, si un sistema permanece en cierto estado durante un tiempo no mayor que t , la energa en ese estado presentar una incertidumbre de al menos h E t


Cuando hablamos de la incertidumbre en la energa de cierto estado debe entenderse que nos referimos a la incertidumbre en la energa puesta en juego en la transicin a otro estado de referencia, usualmente el estado fundamental.
E JEMPLO 1.7


1.

100

El tiempo de vida media es una medida del tiempo que tarda en realizarse cierta transicin, por lo que podemos identicar t . La incertidumbre en la energa puesta en juego en la transicin ser entonces E h t 1 009 10 34 104

1020 J

6 25 10 2 eV

2.

En la transicin hacia el estado fundamental se emitir un fotn de energa E h , cuya incertidumbre E corresponde a la calculada anteriormente. La longitud de onda de la radiacin emitida ser

hc E

por lo que la incertidumbre en la longitud de onda, , vendr dada por

d dE E
100

1092 1020 6 6 1034 3 108

hc E E2

2 E hc
5

En este caso la incertidumbre relativa en la longitud de onda es bastante pequea 0 5 nm 0 005 100 nm

1.7. Problemas propuestos


1.1: La longitud de onda, max , para la cual la radiancia espectral de un cuerpo negro es mxima viene dada por la ley de Wien, que establece

max T

2 898 103 mK

donde T es la temperatura absoluta del cuerpo negro. Sabiendo que la temperatura de la supercie del Sol es aproximadamente 5800 K, (a) calcular la longitud de onda de la radiacin ms intensa emitida por el Sol. (b) A qu parte del espectro pertenece esta radiacin? 1.2: Si el ojo humano empieza a detectar luz amarilla de longitud de onda 5890a partir de una energa de 3 1 1016 W, Cul es el nmero mnimo de fotones que deben incidir en el ojo para la luz amarilla se vea?.

1.3: Una supercie de potasio se encuentra a 75 cm de distancia de una bombilla de 100 W. Suponiendo que el rendimiento luminoso de la bombilla es del 5 % y que cada tomo de potasio presenta una supercie efectiva equivalente a un crculo de 1 de dimetro, calcule el tiempo requerido por cada tomo para absorber una energa igual a la de su funcin trabajo (e 2 0 eV), de acuerdo con la interpretacin ondulatoria de la luz. Sol. t 57 6 s 1.4: Una radiacin de 2 5 1015 Hz incide sobre una supercie metlica cuya frecuencia umbral es de 9 1014 Hz. Calcular la velocidad de los fotoelectrones emitidos. Qu ocurrira si la radiacin incidente fuese de 8 5 1014 Hz?. 1.5: Calcular la longitud de onda mxima de la luz que har funcionar una clula fotoelctrica con ctodo de wolframio cuyos electrones poseen una energa cintica de 5 eV cuando son arrancados por una luz de 1250 . 1.6: Para una radiacin de 1500 que incide sobre una supercie de aluminio que tiene una funcin trabajo de 4.2 eV, calcule (a) La energa cintica mxima de los fotoelectrones emitidos; (b) el potencial de frenado; (c) la frecuencia de corte del aluminio. Sol. (a) 4.09 eV; (b) 4.09 V; (c) 1 01 1015 Hz. 1.7: Se emite un haz de fotones mediante una transicin electrnica entre los niveles E2 8 eV y E1 2 eV. Este haz luminoso de potencia P 10 W incide sobre un metal cuyo trabajo de extraccin es e 2 5 eV, originando la emisin de electrones por efecto fotoelctrico con rendimiento 0 8 (nmero de electrones emitidos/nmero de fotones incidentes). Calcular: (a) la energa, frecuencia y cantidad de movimiento de los fotones; (b) la energa cintica de los fotoelectrones; y (c) el nmero de ellos que son emitidos por segundo. Sol. (a) 1 45 1015 Hz; (b) p 3 2 1027 kgm/s; (c) Ec 3 5 eV; N 8 1012 . 1.8: Se consideran los rayos X producidos debidos a la transicin de los niveles E 2 6 33KeV y E1 2KeV. Determinar: (a) la frecuencia de dichos fotones; (b) la potencia emitida (en mW) cuando el nmero de transiciones por segundo es N 10 14 s1 ; y (c) la distancia (en ) entre dos planos reticulares contiguos de un monocristal, sabiendo que la reexin de primer orden de esta radiacin se produce con un ngulo de 450 . Sol. (a) 1 05 1018 Hz; (b) P 69 mW; (c) d 2 02 . 1.9: Se ilumina con luz de 280 nm la supercie de una aleacin metlica rodeada de oxgeno. A medida que la supercie se oxida, el potencial de frenado cambia de 1.3 a 0.7 eV. Determinar qu cambios se producen en: (a) la energa cintica mxima de los electrones emitidos por la supercie; (a) la funcin de trabajo; (a) la frecuencia umbral; y (a) la constante de Planck. 1.10: Experimentalmente se observa que no todos los electrones que chocan contra la supercie metlica son capaces de extraer un fotoelectrn. En un experimento, luz de longitud de onda 4366 ilumina una supercie de sodio de funcin trabajo 2.5 eV dando lugar a una emisin de 8 3 103 C/J. Cuntos fotones se requieren para emitir un fotoelectrn?. 1.11: Suponer un tomo de hidrgeno en el estado n 2 y un electrn en rbita circular. Determinar: (a) el radio de la rbita; (a) la energa potencial elctrica; (a) la energa cintica; y (a) le energa total del electrn en esa rbita. Sol. (a) r 2 12; (b) E p 6 79 eV; (c) Ec 3 39 eV; (d) E 3 39 eV. 1.12: Cul es el mnimo potencial de aceleracin capaz de excitar un electrn para sacar un tomo de Hidrgeno de su estado fundamental? Sol. Va 10 2 V.


1.13: En una transicin a un estado de energa de excitacin de 10.19 eV, un tomo de hidrgeno emite un fotn cuya longitud de onda es de 4890 . Determinar la energa del estado inicial del que proviene la desexcitacin y los nmeros cunticos de los niveles energticos inicial y nal. A qu transicin corresponde?. Sol. 4 2. 1.14: Cul es el mayor estado que pueden alcanzar tomos no excitados de hidrgeno cuando son bombardeados con electrones de 13.2 eV? 1.15: Si la vida promedio de un estado excitado del hidrgeno es del orden de 10 8 s, estimar cuntas revoluciones da un electrn cuando se encuentra inicialmente a) en el estado n 2 y b) en el estado n 15, antes de experimentar una transicin al estado fundamental. c) Comparar estos resultados con el nmero de revoluciones que ha dado la Tierra en sus dos mil millones de aos existencia. Sol.: a) 8 22 106 rbitas; b) 1 95 104 . 1.16: Compare la frecuencia de revolucin en el tomo de hidrgeno con la frecuencia del fotn emitido en una transicin para la que n 1 cuando los estados iniciales son a) n 10, a) n 100 y c) n 1000. 1.17: Calcular la energa, el momento lineal y la longitud de onda del fotn que es emitido cuando un tomo de hidrgeno sufre una transicin desde el estado 3 al estado fundamental. Sol.: E 12 07 eV, p 6 44 1027 kgm/s, 1030 . 1.18: Para transiciones en tomos de hidrgeno correspondientes a n 1, demuestre que para valores muy grandes de n, la energa de la transicin viene dada por 2
1 e2 40 hc

E 2 me c2 n3 , siendo una constante adimensional, lor numrico es 1/137.

, cuyo va-

1.19: Un haz de partculas (q=+2e), que es acelerado mediante una diferencia de potencial de 10 V, incide sobre un cristal de NaCl (d 2 82 ). Cul es el mximo orden de la reexin de Bragg que puede ser observada?. 1.20: Si un haz monocromtico de neutrones (mn 1 67 1027 kg) incide sobre un cristal de berilio cuyo espaciado entre planos atmicos es de 0,732 , cul ser el ngulo entre el haz incidente y los planos atmicos que d lugar a un haz monocromtico de neutrones de longitud de onda 0,1 ?. Sol. 3 9o . 1.21: El lmite de resolucin de un aparato es del mismo orden de magnitud que la longitud de onda usada para ver los objetos bajo estudio. Para un microscopio electrnico que opera a 60000 V, cul es el tamao mnimo del objeto que puede ser observado con este microscopio?. 1.22: Un electrn, un neutrn y un fotn tienen la misma longitud de onda, 1 . Calcule y compare la frecuencia y energa de cada cual. Sol. electrn: 3 64 1016 Hz, E 151 eV; neutrn: 1 98 1013 Hz, E 8 2 102 eV; fotn: 3 1018 Hz, E 1 24 104 eV. 1.23: Cul es la incertidumbre en la posicin de un fotn de longitud de onda 3000 , si su longitud de onda se conoce con una precisin de una parte en un milln? Sol. x 50 mm. 1.24: La posicin de una partcula se mide al paso de sta por una ranura de anchura d . Hallar la correspondiente incertidumbre en el momento de la partcula. Sol. px h x. 1.25: Cul sera la incertidumbre en la posicin de un electrn que ha sido acelerado


mediante una diferencia de potencial V 1000 0 1?.

1.26: Si el ancho de energa de un estado excitado de un sistema es de 1.1 eV. (a) Cul es el promedio de duracin en ese estado?; (b) Si el nivel de energa de excitacin del estado del sistema fuera de 1.6 keV, cul es la mnima incertidumbre en la longitud de onda del fotn emitido cuando el estado excitado decaiga? Sol. (b) 5 103 . 1.27: La ley de conservacin de la energa slo puede vericarse dentro de los lmites de la incertidumbre de la medida, E . Consecuentemente esta ley podra ser violada si el intervalo de tiempo es sucientemente corto. Durante qu mximo intervalo de tiempo puede violarse la conservacin de la energa de un sistema en (a) el doble de la energa correspondiente a un electrn en reposo, mc 2 (lo que corresponde a un fotn que produce espontneamente un par electrnpositrn); (b) el doble de la energa asociada a la masa en reposo de un protn ?. Sol. (a) 1 27 1021 s. 1.28: Un tomo emite fotones de luz verde, 5200 durante un intervalo 1010 s. Estime la dispersin, , en la longitud de onda de la luz emitida. Sol. 7 17 1013 m. Constantes: c 3 108 m/s, 1 eV=1 6 me 9 1 1031 kg. 2

1019 J; h

66

1034 J s

41

1015 eV s;

Tema 2

Ecuacin de Schrdinger. Aplicaciones


2.1. Ecuacin de Schrdinger
La primera formulacin que se realiz de la teora cuntica aport una visin novedosa y revolucionara de multitud de fenmenos. No obstante, esta teora presentaba una seria de inconvenientes, entre los que cabe destacar lo siguiente: Slo era aplicable a sistemas peridicos. No explicaba las diferentes probabilidades de transicin entre distintos niveles energticos. No explicaba el espectro de los tomos multielectrnicos. Asignaba trayectorias a los electrones, lo cual es incompatible con el principio de incertidumbre. Bsicamente, lo que faltaba era una teora unicadora que diera cuenta de los diversos fenmenos cunticos, a saber: dualidad onda/corpsculo de la radiacin/materia, principio de incertidumbre, naturaleza probabilstica de los fenmenos, etc. Tal como ya se apunt en el Apartado 1.5.3, la descripcin de los fenmenos cunticos se realizar a travs de una funcin de onda, r t , que describe completamente el estado de un sistema dado. A partir de esta funcin de onda se podrn obtener los valores medios de las distintas magnitudes observables asociadas al sistema as como la probabilidad de encontrar a las partculas en distintos puntos del espacio. Puede, por tanto, concluirse que

el problema central de la teora cuntica es la determinacin de la funcin de onda r t .


29

En 1925, E. Schrdinger plante como un postulado la ecuacin diferencial que permite calcular la funcin de onda, r t , cuando se conoce la energa potencial, E p r t (o a menudo simplemente potencial), de la que derivan las interacciones que actan sobre el sistema. Para el caso de un sistema monodimensional, la ecuacin de Schrdinger para la funcin de onda x t es 2h E x t m x
2 2 2 p

jh

(2.1)

Es interesante notar que la solucin de esta ecuacin ser, en general, una funcin compleja debido a la aparicin de la unidad imaginaria, j, en el segundo miembro. Esto implica que el uso de funciones complejas no ser un recurso matemtico (tal como se hace, por ejemplo, en el estudio de corriente alterna y en las ondas en Fsica Clsica) sino que, por el contrario, forma parte esencial de la propia teora. La funcin de onda x t debe cumplir las siguientes condiciones: Tanto x t como su derivada espacial deben ser funciones continuas, nitas y monoevaluadas. De acuerdo a la expresin (1.39), debe cumplirse la siguiente condicin de normalizacin (ver Apndice C):

x t 2 dx

(2.2)

que nos dice que la probabilidad de encontrar a la partcula en algn punto x debe ser igual a la unidad (es decir, la partcula debe estar en algn sitio). A partir de la expresin (1.38), podemos establecer que x t x t dx
probabilidad de encontrar a la partcula en el instante t entre x y x dx

(2.3)

por lo que el valor esperado1 en una posible medicin de la posicin de la partcula vendr dado por xdx (2.4) x dx (en analoga con la expresin (C.5) del Apndice C). Para cualquier otra magnitud, f x, que sea funcin de x, su valor esperado podr calcularse mediante f xdx f x (2.5) dx
1 En el contexto de la Fsica Cuntica, el valor esperado es el promedio de los valores de una serie de medidas repetidas sobre un conjunto de sistemas idnticamente preparados. No es el promedio de los valores de una serie de medidas repetidas sobre un nico y mismo sistema

Estados estacionarios
Existen multitud de situaciones en las cuales la energa potencial, E p , del sistema no depende del tiempo sino nicamente de la posicin de los distintos componentes del sistema, en cuyo caso tendremos que E p E p x (por ejemplo, la energa potencial electrosttica)2 . Para estas situaciones encontramos que la funcin de onda puede escribirse como el producto de dos funciones x y gt , de modo que x t xgt . Al sustituir esta forma de la funcin de onda en la ecuacin (2.1), obtenemos que 2h m
2

gt

d 2 x dx2

gt E px x

jh x

dgt dt

que tras dividir ambos miembros por xgt queda como 1 x d x 2h E x x m dx


2 2 2 p

dgt 1 jh gt dt

que puede a su vez reescribirse como las dos siguientes ecuaciones diferenciales ordinarias acopladas mediante la constante E : d x 2h E x x m dx jE dgt gt dt h
2 2 2 p

E x

(2.6a) (2.6b)

Es fcil comprobar que la solucin a la ecuacin (2.6b) viene dada por la funcin (2.7) gt e jEt h Es importante destacar que la situacin anterior en la que la energa potencial no dependa del tiempo da lugar a estados estacionarios, esto es, a situaciones que no varan con el tiempo. Para comprobar esto basta notar que teniendo en cuenta (2.7), la funcin de onda puede escribirse como (2.8) x t xe jEt h que da lugar a una densidad de probabilidad x t 2 x t x t
xe jEt h xe jEt

x 2

(2.9)

que NO depende del tiempo. En estos estados estados estacionarios la energa debe conservarse, viniendo sta dada precisamente por la variable E de las ecuaciones (2.6a) y (2.6b).
2 Recurdese que en el marco de la Fsica Clsica, estos sistemas reciban el nombre

de sistemas conservativos, en los cuales la fuerza que acta sobre el sistema se calcula a partir del gradiente de la energa potencial, esto es, F x
p x dEdx

En lo que sigue, se tratarn nicamente situaciones estacionarias, por tanto, la funcin de onda x y la energa del sistema, E , se obtendr resolviendo la ecuacin (2.6a) , esto es, d x 2h E x x m dx
2 2 2 p

E x

(2.10)

que se conoce como ecuacin de Schrdinger independiente del tiempo. Evidentemente la resolucin de esta ecuacin requiere el conocimiento del potencial, E p x, del sistema.

2.2. Partcula ligada. Cuantizacin


Una vez establecida la ecuacin que rige el comportamiento de los sistema estacionarios, procederemos la resolucin de algunas situaciones relevantes. Empezaremos tratando la partcula libre para luego abordar el problema de la partcula en un pozo tanto monodimensional como tridimensional.

2.2.1. Partcula Libre


Para una partcula libre (esto es, una partcula sobre la que no actan fuerzas externas), la energa potencial no depende de la posicin, pudindose tomar su valor de referencia como nulo. La ecuacin a resolver ser, por tanto, d x 2h m dx
2 2 2

E x

(2.11)

que puede reescribirse, al redenir k2 o equivalentemente E como h h 2 k2 2m (2.13) 2mE h 2 (2.12)

d 2 x k2 x 0 dx2 La solucin de esta ecuacin puede escribirse como

(2.14)

Ae jkx

(donde k juega el papel de un nmero de ondas) por lo que la funcin de onda vendr dada por x t Ae jkxEt
h

(2.15)

Si tenemos en cuenta las relaciones de de Broglie (E h , p h k), podemos comprobar que la solucin de la ecuacin de Schrdinger para una partcula libre coincide con la expresin obtenida previamente en (1.40) mediante razonamientos puramente heursticos. Si en la expresin de la energa de la partcula libre, E p2 2m

sustituimos el valor de E y p por sus equivalentes segn de Broglie, obtenemos que h 2 k2 h 2m expresin que es idntica a (2.13), conrmando as la congruencia de la presente formulacin con las hiptesis de de Broglie.

2.2.2.

Pozo potencial innito monodimensional

Existen muchas situaciones prcticas en las cuales una partcula es completamente libre excepto en los contornos (o paredes) de un recinto donde una fuerza innita evita que la partcula salga de este recinto. Para el caso monodimensional de un recinto limitado por 0 x a, la energa potencial de dicho sistema vendr dada por E p x

Ep(x)

si 0 x a en otro caso.

(2.16)

En el caso de una partcula cuntica sometida a este tipo de potencial, debe cumplirse que la probabilidad de encontrar la partcula fuera del pozo sea nula, esto es,

x x=0 x=a

(2.17)

En el interior del pozo de potencial, dado que la partcula no esta afectada por fuerza alguna, la funcin de onda ser la solucin de d 2 x k2 x dx2 siendo k 0 (2.18)

(2.19) h el nmero de ondas asociado. La solucin general de la ecuacin (2.18) puede expresarse como

2mE

Ae jkx Be jkx

donde A y B sern dos constantes que se determinarn de acuerdo a las condiciones del problema. En concreto, al aplicar la condicin (2.17) al extremo x 0, esto es 0 0, obtendremos que AB 0 por lo que B

Esta condicin hace que la funcin x pueda escribirse como

A e jkx

jkx

C sen kx

donde C 2 jA. Al imponer ahora la condicin (2.17) en el extremo x a, es decir: a 0, tenemos que sen ka esto es, 0 ka n

n 123 (2.20) a Es interesante notar que la condicin de contorno en x a no ha jado el valor de la constante C sino ms bien el de la variable k y de aqu que los posibles valores de la energa, teniendo en cuenta (2.19), vengan dados por
kn n

En

2 h 2 kn 2m

n2

h 2 2 2ma2

n2 E0

(2.21)

La expresin anterior nos dice que la energa de una partcula cuntica en un pozo monodimensional de paredes innitas no puede tomar cualquier valor sino solamente ciertos valores permitidos, esto es, la energa esta cuantizada. El estado n 1 se denomina estado fundamental, siendo su valor de energa E 0 . Los estados con n 1 se denominan estados excitados. El valor de la constante C se determina al imponer la siguiente condicin de normalizacin (2.2):
a 0

C 2 sen2 kxdx

C2

a 2

luego

2 a

Dentro del pozo, las diferentes soluciones de la funcin de onda son entonces 2 n sen x n x (2.22) a a donde el numero n se denomina nmero cuntico y dene el estado de la partcula en el pozo monodimensional. Es interesante notar que el estado de mnima energa de la partcula en el pozo viene dado por E0 , lo que signica que el valor de mnima energa no es nulo. Este sorprendente hecho ya fue expuesto en el Apartado 1.6.1 como una posible consecuencia del principio de incertidumbre posicin/momento. En concreto, la expresin (1.48) estableca que la energa de la partcula en el pozo deba ser E h2 2ma2

Este hecho muestra de nuevo que la formulacin basada en la ecuacin de Schrdinger es congruente con el principio de Heisenberg. El conjunto de funciones de onda n x presenta una serie de propiedades interesantes:


y(x)

|y(x)|2

n=1

n=2

n=3
x=0 x=a x=0 x=a

F IGURA 2.1: Aspecto de las funciones de onda y funciones densidad de probabilidad para distintos nmeros cunticos

La funcin de onda n x pasa n senta n 1 nodos.

1 veces por cero, esto es, pre-

Son funciones pares o impares con respecto al centro del pozo A medida que el nmero de nodos aumenta, crece el valor de la energa del estado
E JEMPLO 2.1 a 2 Si la energa del electrn en el estado fundamental en el pozo es E0 h 2 2 2me a2 1034 2 2 2 9 1 1031 2 1010 2

1 05

1 49 1018 J

9 34 eV

y la energa en el tercer estado excitado (n E4 16E0

4) es, segn (2.21),

149 4 eV 4 vendr

la energa, E , necesaria para realizar la transicin del estado 1 dada por E 42 12 E0 15E0 2 23 1017 J

Teniendo ahora en cuenta que la energa de un fotn es E hc , la longitud de onda mnima, min , de un fotn capaz de producir la transicin anterior al ser absorbido ser

min

hc 15E0

6 6 1034 3 108 2 23 1017

8 86 nm


2.2.3.

Pozo de potencial tridimensional

z c

a x

Considrese una situacin en la que una partcula cuntica est connada en cierta regin del espacio (por ejemplo, un paraleleppedo) de la que no puede salir. Dicha situacin podra estar relacionada con la ausencia de fuerzas en el interior de la regin y una fuerza innita en las paredes impenetrables. Este caso, que podra describir la situacin de un electrn libre en un slido, estara caracterizado por la siguiente energa potencial: E p x y z

si 0 x a 0 en otra parte

b0

(2.23)

Para resolver la ecuacin de Schrdinger en este sistema (y as encontrar las funciones de onda y las energas de la partcula), debemos tener en cuenta que ahora la energa potencial depende de las tres variables espaciales x y y z, es decir, nos enfrentamos a un problema tridimensional. Este hecho implica que la ecuacin de Schrdinger debe ser extendida al caso tridimensional. Dado que las funciones de onda dependern de las tres variables espaciales, x y z, la ecuacin de Schrdinger debe incluir derivadas parciales con respecto a cada una de estas variables, por lo que la extensin de la ecuacin (2.10) al caso 3D tendra la siguiente forma: 2h m
2

2 x2

z2 E px y z y2
2 2

(2.24)

o bien usando el operador 2


2 2

2 x2 2 y2 2 z2 ,
p

E x y z 2h m

(2.25)

Si ahora tenemos en cuenta la forma de la energa potencial dada en (2.23), la ecuacin anterior puede reescribirse como

2 2 2 y2 z2 k2 0 x2 0 x a 0 y b 0 z c

(2.26)

donde, de nuevo, k viene dado por (2.19). La ecuacin anterior puede resolverse por el mtodo de separacin de variables, el cual supone que la funcin de onda, x y z, puede expresarse como el producto de tres funciones, cada una de las cuales depende nicamente de una de las variables espaciales, esto es,

x y z

X xY yZ z

Al introducir esta solucin en (2.26), obtenemos el siguiente conjunto


de ecuaciones:

d2X kx2X dx2 d 2Y ky2Y dy2 d2Z kz2Z dz2 donde

0 0 0

X x Y y Z z

0 0 0

para para para

0 0 0

x y z

a b c

(2.27a) (2.27b) (2.27c)

2mE (2.28) h 2 Ntese que cada una de las ecuaciones (2.27a)(2.27c) es equivalente a la ecuacin (2.18) ya resuelta para el caso del pozo monodimensional. Consecuentemente, la solucin del presente vendr dada por k2 kx nx

2 ky2 kz2 kx

ky a

ny

kz b

nz

(2.29)

estando la funcin de onda de la partcula (esto es, cada estado del sistema) determinada por tres nmeros cunticos, nx ny nz n 1 2 3 segn

nx ny nz x y z

ny 8 nx nz sen x sen y sen z abc a b c

(2.30)

Teniendo en cuenta (2.29) y (2.28), los valores de energa de cada estado vienen nalmente dados por Enx ny nz h 2 2 2m n2 x a2 n2 n2 z by 2 c2 h 2 k2 2m (2.31)

Funcin densidad de estados Una situacin prctica interesante se presenta cuando el pozo de potencial es cbico, es decir, a b c L. En este caso, cada estado del sistema viene determinado de nuevo por la terna de nmeros cunticos nx ny nz , pudindose escribir la energa de cada estado como Enx ny nz donde E0

h 2 2 2 2 2 n n n x y z 2mL2
h 2 2 2mL2

2 2 n2 x ny nz E0

(2.32)
L

(2.33)

Segn muestra la expresin (2.32), los valores de la energa muestran degeneracin, esto es, existen distintos estados (o, lo que es lo mismo, estados caracterizados por ternas distintas de nmeros cunticos) que presentan el mismo valor de la energa. Para ver esto en ms detalle considrese la siguiente tabla:


14E0 12E0 11E0 9E0 6E0 3E0
Cubo microscpico


3E0 6E0 9E0 11E0 12E0 14E0
Cubo macroscpico


1 3 3 3 1 6

1 1 1 2 1 1, 1 2 1, 1 1 2 2 2 1 , 2 1 2, 1 2 2 3 1 1, 1 3 1, 1 1 3 2 2 2 1 2 3, 1 3 2, 2 1 3 2 3 1, 3 1 2, 3 2 1

donde podemos ver que, por ejemplo, seis estados distintos presentan idntico valor de energa, E 14E0 . Pozo de potencial de dimensiones macroscpicas En el caso de que la partcula (por ejemplo, un electrn) est en el interior de un pozo cuyas dimensiones sean macroscpicas, por ejemplo: L 1cm, la mnima diferencia energtica entre los distintos estados, E E0 , se hace extremadamente pequea: E h 2 2 2mL2

1034 2 10 1030 102 2

1033 J

1014 eV

Este valor tan diminuto para E hace que, a efectos prcticos, podamos despreciar el hecho de que el espectro de energa est cuantizado y consideremos a la energa, E , como una variable continua ms bien que discreta. En consecuencia, incluso en un intervalo innitesimal de energa, dE , existirn muchos estados distintos. En esta situacin es conveniente introducir el concepto de funcin densidad de estados, gE . Esta funcin mide la densidad energtica de estados, es decir, gE dE representa el nmero de estados cuyos valores de energa estn comprendidos en el intervalo entre E y E dE . Una manera directa de obtener la funcin densidad de estados requiere el clculo, en primer lugar, del nmero de estados, N E , cuyas energas son menores o iguales que E : N E Nmero de estados cuya energa E

Para llevar a cabo el clculo anterior, considrese la siguiente construccin en la que cada punto, de coordenadas n x ny nz , representa un estado cuntico distinto (ntese que n 1, por lo que los puntos slo aparecen en el octante mostrado). La distancia, R, desde el origen a cada uno de los puntos viene dada por R2
2 2 n2 x ny nz

o equivalentemente, teniendo en cuenta la expresin de la energa dada por (2.32), R E E0


1 2

(2.34)

El nmero de estados con energas menores o iguales que E puede, por tanto, calcularse muy aproximadamente como el nmero de puntos cuya distancia al origen es menor que RE , esto es N E por lo que N E 1 8
1 8

Volumen esfera de radio RE


Volumen de cada cubito elemental

E E0

1 2

4 RE 3

4Eo
3 2

E3 6 E3
0

2 2

(2.35)

Una vez calculado N E , el nmero de estados comprendido entre E y E dE vendr dado simplemente por dN E gE dE , esto es, dN E 1 2 dE (2.36)

de donde podemos deducir que la funcin densidad de estados, gE , ser gE CE 1 2 (2.37) donde la constante C suele expresarse como C 4V 2m3 1 h3 V 2m3 4 h3 2

g(E)

4Eo
3 2

E
(2.38)

siendo V L3 el volumen de la regin macroscpica donde se encuentra la partcula. Este importante resultado ser ampliamente usado en posteriores temas cuando se estudien electrones libres en slidos.

2.3. Efecto tnel


En el apartado 2.2.2 se obtuvo la funcin de onda para el caso de un pozo de potencial monodimensional de paredes innitas. En ese caso, la funcin de onda fue fcil de obtener debido a que las condiciones de contorno forzaban que x fuese nula en los extremos del pozo. Una pequea modicacin de este problema ilustrar un fenmeno cuntico que es de fundamental importancia en muchos dispositivos de estado slido: el efecto tnel cuntico de un electrn a travs de una barrera de potencial de anchura y altura nita. Considrese una partcula sometida a la barrera de potencial de anchura w y altura V0 mostrada en la gura adjunta y cuya energa total sea menor que la altura de la barrera (E V0 ). En el presente caso, la condicin de contorno no impone ahora que la funcin de onda tenga que anularse en el borde de la barrera (x L), por lo que x L tomar un valor distinto de cero. Teniendo en cuenta la propiedad de continuidad para la funcin de onda y su derivada, podemos deducir

Ep(x) w V0 E

x=L

y(x)

que x tampoco ser nula en el interior de la barrera ni a su derecha. Dado que x no se anula para x L W (y, por tanto, tampoco lo hace x 2 ), existir cierta probabilidad de encontrar al electrn ms all de la barrera. Aunque La presencia del electrn en estos lugares parece indicar que el electrn haya saltado la barrera de potencial (no podra hacerlo dado que tiene una energa insuciente para ello), debemos interpretar este resultado considerando ms bien que la partcula ha atravesado la barrera de algn modo. Este efecto, que podra visualizarse como un tunelamiento a travs de la barrera, es un fenmeno puramente cuntico que no tiene ninguna analoga en la Fsica Clsica, donde obviamente una partcula no puede saltar una barrera de potencial a no ser que tenga suciente energa para ello (E debe ser mayor que V0 ). Debe notarse que la amplitud de la funcin de onda ms all de la barrera decrecer a medida que la anchura y la altura de la barrera aumentan, de modo que para una barrera de potencial innitamente alta se recuperaran los resultados del pozo innito.

2.4. tomos hidrogenoides


2.4.1. Nmeros cunticos

Tal como ya se ha descrito, una de las caractersticas ms importantes de la ecuacin de Schrdinger es que es consistente con muchos de los postulados de la Fsica Cuntica, hacindose stos explcitos cuando se resuelve matemticamente la ecuacin. Esto ha sido observado, por ejemplo, en la cuantizacin de los niveles energticos para la partcula en un pozo de potencial. En este sentido, podremos esperar que la aplicacin de la ecuacin de Schrdinger a la resolucin del tomo de Hidrgeno reproduzca algunos de los postulados de Bohr, adems de proporcionar informacin adicional que permita explicar algunos de los resultados que el modelo de Bohr no poda.
Ep(r) + r

Para resolver la ecuacin de Schrdinger para un tomo hidrogenoide (esto es, aqul compuesto de un ncleo en reposo con una carga positiva Ze y un electrn de carga e orbitando en torno a dicho ncleo) debemos obtener, en primer lugar, la energa potencial del sistema. Dado que el sistema que estamos estudiando es un conjunto de partculas cargadas, la energa potencial del sistema debe dar cuenta de la atraccin electrosttica existente entre el ncleo y el electrn (es fcil comprobar que la interaccin gravitatoria es totalmente despreciable respecto a la electrosttica), por lo que encontramos que

E p r

1 4

Ze2 0 r

(2.39)

Dado que el potencial, E p , no depende explcitamente del tiempo, la ecuacin que habra que resolver para la parte espacial de la funcin

de onda, r sera 1 2h m 4
2 2

Ze2 0 r

(2.40)

Afortunadamente esta ecuacin puede resolverse de forma analtica (sin necesidad de mtodos numricos), aunque es una tarea de cierta complejidad matemtica que no ser expuesta aqu en detalle. Para resolver (2.40) se aplicara de nuevo el mtodo de separacin de variables, tal y como ya se us en la resolucin de (2.25), aunque ahora debido a la simetra esfrica del potencial, la separacin de variables se realiza en coordenadas esfricas, esto es,

Rr

z q r x f r y

Tras laboriosos clculos matemticos se obtiene que la funcin de onda depende de tres nmeros cunticos (al igual que ocurra con la partcula en el pozo tridimensional), que en este caso se denominan: n l y ml . En consecuencia, el estado del sistema, determinado por

n l ml r
estar descrito por esta terna de nmeros cunticos. La resolucin de (2.40) nos proporcionara adems el siguiente signicado para estos tres nmeros cunticos: Nmero cuntico principal n, Este nmero cuntico puede tomar los valores naturales

Est relacionado con Rr, la parte radial de la funcin de onda. En principio, el valor de la energa del estado depende ni

123

(2.41)

El valor ms probable del radio en el que se puede localiNmero cuntico orbital l, Los valores que puede tomar este nmero cuntico son

camente de este nmero cuntico. El resultado que se obtiene es 13 6 2 Z (eV) (2.42) En n2 Este resultado es idntico al obtenido por el modelo de Bohr, aunque ahora se ha obtenido como un resultado matemtico fruto de la resolucin de la ecuacin de Schrdinger. zar al electrn aumenta al incrementarse n. Esto sugiere la existencia de capas en el tomo.

Est relacionado con la parte azimutal de la funcin de onda, .

012

(2.43)

Determina el valor del mdulo del momento angular orbital


(L), esto es, de la resolucin de (2.40) se obtiene que L

l l 1 h

(2.44)

En funcin del valor nmero de l se usa la siguiente denominacin: l 0 s 1 p 2 d 3 f ... ... Nmero cuntico magntico, ml Puede tomar los siguientes valores enteros

1, el valor de L coincide Es interesante notar que si l con el proporcionado por el modelo de Bohr (L nh ) ver expresin (1.15), lo que nos dice que el resultado del modelo de Bohr era una aproximacin de L para valores altos del nmero cuntico l .

Est relacionado con la parte angular de la funcin de onda. Determina la orientacin del momento angular L cuando se
introduce una direccin privilegiada (por ejemplo, mediante un campo magntico B). Si esta direccin privilegiada est dirigida, por ejemplo, segn el eje z, encontramos que Lz ml h (2.46)

ml

1 2 l

(2.45)

En presencia de un campo magntico, la aparicin de es-

te nmero cuntico da lugar al efecto Zeeman. Este efecto consiste en que cada raya espectral en ausencia de campo magntico se desdobla en tres si B 0. Un anlisis semiclsico muestra que la energa del sistema en presencia de un campo magntico no slo depende del nmero cuntico principal n sino que tambin aparece una energa potencial, E p m , de origen magntico que viene dada por Ep m ml B B (2.47)

2m es una constante que se conoce como donde B eh magnetn de Bohr y su valor es

9 27

10

24

Am

La energa del estado descrito por la terna de nmeros cunticos n l ml ser por tanto E En ml B B (2.48)

Esta ltima expresin indica que, en ausencia de campo magntico (B 0), un estado con nmero cuntico l presenta una degeneracin en la energa de 2l 1; es decir, existen 2l 1 estados (debido a los distintos valores de m l ) con el mismo valor de energa. As se tiene que estado l degeneracin s 1 p 3 d 5 f 7 ... ...

Cada uno de los estados degenerados anteriores se desdoblar en 2l 1 estados en presencia de un campo magntico. La aparicin de estos nuevos valores de la energa hace que aparezcan ms rayas espectrales, de modo que cuando se tienen en cuenta las reglas de seleccin (reglas que nos dicen que las nicas transiciones entre estados permitidas son aquellas que verican l 1, ml 0 1), cada una de las rayas espectrales originales (cuando B 0) se desdobla en tres.

E JEMPLO 2.2

3 2

La frmula de Rydberg-Ritz, expresin (1.1), nos dice que la longitud de onda correspondiente a una transicin con n 3 y m 2 es 1 1 0968 10 7 1 22

1 32

6562 9

Si tenemos en cuenta que la energa debida a la emisin de fotones de longitud de onda es hc E la variacin en la longitud de onda, , con respecto a la energa vendr dada por d 2 E E dE hc

de donde deducimos que E hc 2 6 6 1034 3 108 8 6 57 1072 1 2 10 5 5 1021 J

Considerando ahora, segn (2.48), que la variacin mnima en la energa debido a la presencia de un campo magntico de mdulo B viene dada por E

B B

al igualar las dos expresiones anteriores obtenemos que B E B 5 5 1021 9 27 1024 593 8 T


2.4.2. Spin del electrn

Aunque la aplicacin de la ecuacin de Schrdinger al tomo de hidrgeno justic muchos de los fenmenos asociados a dicho tomo, todava existan algunos fenmenos que no pudieron ser explicados satisfactoriamente. Uno de estos fenmenos fue la estructura na del hidrgeno, que consiste en que cada una de las rayas espectrales de este elemento (en ausencia de campo magntico) en realidad estaba compuesta de dos rayas muy prximas. Esto indicaba que la energa de los diferentes estados del tomo no slo dependan del nmero cuntico principal sino tambin de otro nmero cuntico no descrito por la ecuacin de Schrdinger. Para solventar este problema se postul la existencia de un momento angular intrnseco, S, llamado momento de spin. Esta nueva magnitud es una propiedad puramente cuntica, en el sentido de que no existe ninguna magnitud clsica anloga3 . Similarmente a lo que suceda con el momento angular orbital, L, el mdulo y la orientacin del momento angular de spin, S, podan relacionarse con dos nuevos nmeros cunticos s y m s segn S Sz

ss 1 h ; ms

ms h

1 2

1 2

(2.49) (2.50)

Dado que el nmero cuntico s slo toma un nico valor, no tiene sentido considerarlo como un nmero cuntico adicional y por ello el cuarto nmero cuntico que dene el estado del tomo de hidrgeno ser el ms . El estado queda, por tanto, completamente determinado por la cuaterna de nmeros cunticos: n l ml ms . Un estudio ms profundo de este tema nos mostrara que el spin del electrn juega un papel fundamental en la explicacin de algunos fenmenos tan destacados como Las fuerzas que intervienen en los enlaces covalente y metlico, Las propiedades magnticas de los distintos materiales. Este hecho puede justicarse debido a que, asociado al momento angular de spin (S), existe un momento dipolar magntico de spin dado por e S (2.51) pm s m

que es, por ejemplo, responsable del origen del campo magntico natural que presentan ciertos materiales (imanes, ferritas, etc...).

3 La introduccin del spin del electrn slo pudo ser justicado posteriormente por

Dirac en el marco de la teora cuntica relativista


2.5. Tabla peridica
La teora de Schrdinger ms el postulado sobre el spin proporciona igualmente una justicacin terica a la disposicin de los distintos elementos en la Tabla Peridica. Esta justicacin proviene del estudio de los tomos multielectrnicos, y dado que este estudio excede los objetivos del presente tema, aqu optaremos por llevar a cabo un tratamiento eminentemente cualitativo que hace uso de aproximaciones muy simplicadoras. Una de las aproximaciones ms fructferas es la descripcin de la funcin de onda de un tomo multielectrnico mediante funciones de onda de partculas aisladas; esto es, despreciando la interaccin mutua entre los electrones. Estas funciones de onda son muy semejantes a las ya descritas para el tomo de hidrgeno y estarn por tanto caracterizadas por los cuatro nmeros cunticos n l ml y ms . A diferencia del caso del hidrgeno (en el que la energa del electrn slo dependa de n), la energa del electrn en el tomo multielectrnico vendr ahora determinada por los nmeros cunticos n y l . La especicacin de estos dos nmeros cunticos para cada electrn del tomo se denomina conguracin electrnica. La nomenclatura de esta conguracin no hace uso del valor del nmero cuntico l sino de su letra asociada (ver Apartado 2.4.1). En este sentido los estados determinados por n y l sern n l 1 0 1s 2 0 2s 1 2p 0 3s 3 1 3p 4 2 4d 0 4s 1 4p 2 4d 3 4f 0 5s 5 1 5p ... ...

Uno de los hechos que regir la conguracin de los electrones en los distintos estados es el principio de exclusin de Pauli que puede enunciarse como


En el caso del tomo multielectrnico, esto implica que no pueden poseer la misma serie de nmeros cunticos. En consecuencia, teniendo en cuenta la degeneracin de los estados con el mismo nmero cuntico l (ya vista en el Apartado 2.4.1) y la existencia de otra degeneracin simultnea debida al spin, cada estado caracterizado por l puede albergar el siguiente nmero de electrones estado l nmero mximo de electrones s 2 p 6 d 10 f 14 ... ...

Otras consideraciones relevantes que surgen del anlisis de las funciones de onda del tomo multielectrnico son las siguientes: La energa del electrn aumenta al incrementarse n dado que aumenta la distancia media del electrn al ncleo y ste ejerce menos atraccin;

Para un n dado, los electrones con menor mdulo del momento angular tienen una probabilidad mayor de estar en regiones cercanas al ncleo. Esto afecta a la carga efectiva del ncleo que siente el electrn segn el grado de apantallamiento de la carga nuclear por los dems electrones y, por consiguiente, explica la dependencia de la energa con l y que para un valor dado de n, la energa crezca al aumentar el valor de l ; Si se tiene un electrn en cada uno de los m l estados asociados con un l dado, la distribucin de la carga espacial tendr simetra esfrica. Todas las consideraciones anteriores sirven para justicar la dependencia peridica de las propiedades fsicas y qumicas de los distintos elementos con respecto a su nmero atmico, conduciendo as a la clasicacin de los elementos en grupos y columnas que aparece en la Tabla Peridica. Dado que las propiedades de un elemento dependen fundamentalmente de su conguracin electrnica, la Tabla Peridica no es ms que una clasicacin de los elementos en funcin de esta conguracin. Ahora bien, debido a la dependencia de la energa de los estados tanto con n como con l , el orden energtico con el que se ordenan los distintos estados sigue la siguiente ley:

1s 2s2 2p6 3s2 3p6 3d1 0 4s2 4p6 4d1 04f1 4 5s2 5p6 .....

4 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d1 04p6 5s2 4d1 05p6 6s2 4f1 .....

El que se llene antes el nivel 4s que el 3d reside en el hecho anteriormente sealado de que niveles con un bajo valor de l tienden a tener menos energa y pueden as compensar el incremento producido por el aumento del nmero cuntico n. Dado que la interaccin entre distintos tomos se llevar a cabo fundamentalmente mediante la interaccin de los electrones de sus capas ms externas, la explicacin de las propiedades de los elementos distribuidos en los distintos grupos de la Tabla Peridica puede relacionarse con la conguracin de sus electrones en las ltimas capas. Por ejemplo, el comportamiento de las fuerzas interatmicas que condicionarn la formacin de molculas y cristales estar determinado por la estructura de las capas electrnicas ms externas de los tomos que interaccionan. Un parmetro importante en este sentido es la electronegatividad, que mide la capacidad de un tomo para capturar o ceder un electrn de valencia (electrn de su ltima capa). Puede as explicarse, por ejemplo, el comportamiento inerte de los gases nobles en funcin de su escasa tendencia a captar o ceder electrones ya que


poseen su capa ms externa p completamente llena. Este hecho, que implica la ausencia de momento dipolar magntico y elctrico en estos elementos (dada su distribucin de carga esfrica y la compensacin mutua de los spines electrnicos) junto con la importante diferencia energtica que existe entre la capa p llena y la siguiente s, da lugar a que se necesite mucha energa para romper la muy estable simetra esfrica de carga usualmente esta energa no est disponible a las temperaturas ordinarias. Explicaciones de esta misma ndole justicarn tambin el comportamiento de los tomos de los restantes grupos.

2.6. Problemas propuestos


2.1: El principio de superposicin para las soluciones de la ecuacin de Schrdinger establece que si 1 y 2 son soluciones de la ecuacin, A1 B2 tambin es una solucin, donde A y B son constantes arbitrarias. Es vlido este principio tanto para la ecuacin independiente del tiempo como para la dependiente?. Razonar la respuesta. Sol. S. 2.2: Una partcula se mueve en lnea recta bajo la accin de un campo elctrico uniforme E de modo que su energa potencial es E p E x. Escriba la ecuacin de Schrdinger para este movimiento y discuta si est cuantizada la energa en este caso. 2.3: Un electrn excitado en uno de los estados de un pozo de potencial de paredes innitas y anchura a puede emitir fotones cuando decae a niveles energticos inferiores. Suponiendo que slo las transiciones en las que n 1 estn permitidas, hallar las frecuencias de las radiaciones emitidas en estas transiciones. Sol. n 2n 1h 8ma2 . el cuarto estado excitado, en el 2.4: La funcin de onda x de un electrn para 2 a sin 4 x a. Cul es la probainterior de un pozo de potencial innito, es: x bilidad de encontrar al electrn en la region 0 x a 4?. Sol. 25 %. 2.5: La ecuacin diferencial de Schrdinger para la variable en el tomo de Hidrgeno es de la forma: d2 m2 0 l d 2 siendo sta similar a la de una partcula en un pozo de potencial de paredes innitas. Suponiendo que una solucin es de la forma: e (a) demostrar que es solucin de la ecuacin y que iml , siendo i la unidad imaginaria. (b) Debido a que la funcin de onda, , debe ser unvoca, esto es, 2 , demostrar que los posibles valores para ml son: ml 0 1 2 2.6: Si tenemos 2N electrones en un pozo de potencial monodimensional de paredes innitas y anchura L, obtenga el valor de la energa del ltimo estado lleno (a T 0 K este nivel de energa es conocido como energa de Fermi, E F ). Tenga en cuenta que el principio de exclusin prohibe la existencia de ms de dos electrones en el mismo estado cuntico. h2 N 2 Sol. EF 8me L 2.7: Calcular la energa ms baja posible, E1 , de un electrn connado en el interior de una regin de 1011 m (aproximadamente el orden de magnitud de un ncleo atmico). Comparar esta energa con la energa potencial gravitatoria y la potencial

electrosttica de un electrn y un protn a la misma distancia. Basndose en lo anterior discuta la posibilidad de que exista un electrn en el interior de un ncleo. Sol: E1 3 8 103 MeV; Egrav 6 34 1017 eV; Eelst 1 44 104 MeV 2.8: Demostrar que los niveles de energa y funciones de onda de una partcula que se mueve en el plano XY dentro de una caja de potencial bidimensional de lados 2 2 2 2 2mn2 C senn1 x a senn2 y b. Discutir la a y b son E 2 h 1 a n2 b y degeneracin de los niveles cuando a b. Hallar la constante de normalizacin C. 2.9: Si el problema anterior los lados de la caja son muy grandes pero iguales, demuestre que el nmero de estados cunticos con energas comprendidas entre E y 2 dE . E dE viene dado por ma2 2 h 2.10: Para un tomo de Hidrgeno en el estado l 3, Cules son los valores permitidos de las componentes z del momento angular y del momento magntico?. eh eh 3eh 2 h 3 h; 0 2 Sol. 0 h m m 2m . 2.11: Dibujar un diagrama de niveles de energa para los estados 4f y 3d del hidrgeno en presencia de un campo magntico. Mostrar que en la transicin 4f 3d el nmero de lneas espectrales es tres. Si el campo magntico es de 0,5 T, sern observables las anteriores lneas en un espectrmetro de resolucin 10 11 m?. Sol. S ( 8 2 1011 m). 2.12: Cul es el campo magntico B necesario para observar el efecto Zeemann si un espectrmetro puede separar lneas de hasta 0.5 en 5000?. Sol. B 4 28 T. 2.13: Determinar los momentos magnticos posibles en un nivel energtico n Qu predice la teora de Bohr?. Sol. 0, 1 31 1013 J/T, 2 27 1013 J/T; Bohr: 2 78 1013 J/T. 3.

2.14: La conguracin electrnica del azufre, Z 16, es 1s2 2s2 p6 3s2 p4 . Escribir un conjunto completo de nmeros cunticos para los cuatro electrones en el subnivel 3 p. 2.15: Escribir la conguracin electrnica del aluminio (Al, Z y bromo (Br, Z 35). 13), calcio (Ca, Z 20)

2.16: Clasicar las siguientes conguraciones electrnicas como correspondientes a tomos en estado fundamental, a tomos en estado excitado o en incorrecta. De qu elemento se trata en cada caso? 1) 1s2 2s, 2) 1s2 2s2 2d , 3) 1s2 2s2 2 p2 , 4) 1s2 2s2 2 p4 3s, 5) 1s2 2s4 2 p2 , 6) 1s2 2s2 2 p6 3d 2.17: Escribir los numeros cunticos que caracterizan a los electrones desapareados del potasio (K) y del cloro (Cl). Sol. (4 0 0 1 2), (3,1,1,1/2). 2.18: (a) Cul es la conguracin electrnica del litio (Li, Z 3)?. (b) Suponiendo que el Li es equivalente a un tomo de hidrgeno, calcular la energa de ionizacin del electrn de valencia 2s. (c) La energa de ionizacin determinada experimentalmente para el Li es de 5.39 eV, cul es la carga efectiva positiva que ve el electrn?. (d) Repetir el clculo anterior pata el potasio (K) que posee un electrn de valencia en el subnivel 4s, siendo su energa de ionizacin 4.34 eV. Sol. K: Z eff 2 26e.

Tema 3

Materia Condensada
3.1. Estados de Agregacin de la Materia
Recordemos que uno de los objetivos nales de la presente asignatura ser proporcionar los fundamentos fsicos que nos permitan entender el funcionamiento de los dispositivos electrnicos usados en la actual tecnologa de los computadores. Dado que este funcionamiento se basa en las propiedades del transporte de carga en metales y semiconductores, los temas anteriores han estado dedicados al estudio de las propiedades cunticas de las partculas portadoras de carga (fundamentalmente electrones). No obstante, dicho transporte de carga no slo depende de las propiedades intrnsecas de los electrones sino tambin de la disposicin de los tomos en los slidos. En este sentido, el presente tema mostrar una descripcin elemental de la estructura interna de la materia, haciendo especial hincapi en la estructura de los metales y semiconductores. Una posible clasicacin de la materia divide a sta en materia condensada y materia gaseosa, con las siguientes propiedades generales: Materia Condensada Predominio energa potencial de interaccin entre sus componentes Presencia de orden espacial en sus componentes n 1028 tomos/m3 103 kg/m3 d 3 Materia Gaseosa Predominio energa cintica de traslacin Distribucin catica de sus componentes n 1025 tomos/m3 1 kg/m3 d 200

nmero tomos/m3 densidad de masa distancia interatmica

Dependiendo del alcance del orden espacial de la estructura interna de la materia, podemos distinguir los siguientes estados de agregacin de la materia (en rigor, esta clasicacin slo es aplicable a sustancias puras): 49


MONOCRISTAL POLICRISTAL AMORFO


LQUIDO


GAS

Anisotropa

Isotropa estadstica

Isotropa Orden de corto alcance Desorden

Orden de largo alcance

Monocristal: Presenta fuertes interacciones entre sus partculas componentes (tomos, grupos de tomos,...), que estn casi en reposo (excepto por pequeas oscilaciones) en un mnimo de energa potencial. Las partculas estn dispuestas segn un orden espacial bien determinado que dene una estructura peridica tridimensional. Ejemplos: mayora de metales puros, muchos compuestos inicos, ... Policristal: Est compuesto de pequeas regiones o granulos, cada una de las cuales con la estructura de un monocristal de tamao y orientacin irregular. Amorfos: Aunque sus componentes estn bsicamente en reposo, stos no presentan una estructura espacial bien denida. Ejemplo: vidrios, plsticos, madera, .... Lquidos: Sus componentes no presentan fuertes interacciones entre s por lo que pueden moverse, dando lugar a que estas sustancias adopten la forma de los recipientes que las contienen. Gases: Sus componentes apenas interaccionan entre s, estando dotados bsicamente de energa cintica. Pueden considerarse como un caso extremo de lquidos, presentando menos densidad que stos. A continuacin estudiaremos elementalmente los dos casos extremos: gases y monocristales.


3.2.

Gas

Recordemos que la ley de los gases ideales estableca que la presin, P, y el volumen, V , del gas estn relacionados con la temperatura absoluta, T , mediante la siguiente expresin: PV

RT

(3.1)

siendo el nmero de moles de partculas (tomos o molculas) del gas y R 8 314 J/mol-K es la denominada constante de los gases. Conviene recordar que 1 mol es simplemente una cantidad (al igual que 1 docena), en concreto, 1 mol 6 022

10

23

coincidiendo esta cantidad con el llamado nmero de Avogadro, NA , que puede denirse como el nmero de tomos necesarios para preparar una cantidad de un elemento igual a su peso atmico expresado en gramos. La ley experimental (3.1) puede obtenerse siguiendo una descripcin clsica (esto es, una descripcin basada en las leyes de la fsica clsica), que considera al

Gas como un colectivo muy numeroso de partculas rgidas e independientes en constante movimiento cuyas nicas interacciones se producen a travs de choques elsticos entre ellas y con las paredes del recipiente que las contiene.
(Debe notarse que si las partculas del gas estuviesen uniformemente distribuidas, entonces el movimiento trmico de stas no da lugar a un movimiento neto; es decir, en un promedio temporal, las partculas no se desplazan.) A partir de la descripcin anterior y usando las leyes de movimiento de Newton, la teora cintica nos permite establecer que PV 2 N Ec 3 (3.2)

donde N es el nmero total de partculas y E c la energa cintica media de las partcula del gas. Las expresiones (3.1) y (3.2) nos dicen que, para 1 mol de partculas, tenemos que PV RT y PV 2 NA Ec 3

Igualando ambas expresiones obtenemos que Ec 3 R T 2 NA


o, equivalentemente,


siendo kB R NA 1 38

Ec

3 kB T 2

(3.3)

10

23

J/K

8 63

10 eV/K
5

(3.4)

la denominada constante de Boltzmann. El resultado (3.3) nos dice que la temperatura absoluta de un gas es proporcional a la energa cintica media de traslacin de las partculas de dicho gas. En consecuencia, el valor de la temperatura (en grados Kelvin) nos informa sobre el valor de la energa cintica media de las partculas del gas.
E JEMPLO 3.1

300

Dado que todas las partculas del gas (molculas de Ni2 ) son idnticas, podemos escribir que Ec 1 2 mv 2 1 m v2 2

Considerando que la velocidad cuadrtica media, v 2 , es muy aproximadamente igual al cuadrado de la velocidad media, esto es, v
2

v2

encontramos, de acuerdo a la expresin (3.3), que 1 mv 2


2

3 kB T 2

de donde podemos obtener el siguiente valor para la velocidad media: v

3k T 3RT
B

(3.5)

siendo M NA m el peso molecular del gas (peso de 1 mol de partculas). Es interesante notar que esta velocidad es del mismo orden de magnitud que la velocidad de propagacin del sonido en el gas. En el presente ejemplo, M v

3 8 314 300

14 g

14 10 3 kg, por lo que 731 08 m/s

14 103

que es aproximadamente el doble de la velocidad del sonido en el aire.

La expresin (3.3), que se ha obtenido para el caso particular de un gas ideal, puede generalizarse para cualquier otro tipo de sistemas, en cuyo caso se conoce como teorema de equiparticin de la energa.

Este teorema establece que la energa media por grado de libertad 1 de las partculas del sistema viene dada por E
grado de libertad

1 kB T 2

(3.6)

Dado que un gas es un colectivo muy numeroso de partculas (n 1025 m3 ), abordaremos su estudio mediante un anlisis estadstico, en vez de partir de las caractersticas de cada una de las partculas individuales que lo componen. En general, el anlisis estadstico requiere el conocimiento de la forma en que las partculas estn distribuidas respecto a ciertas magnitudes. En concreto nos interesar conocer la distribucin de las partculas con respecto a la energa. Si denimos gE como la funcin densidad de estados, tal que gE dE nos dice el nmero de estados del sistema cuya energa est comprendida entre E y E dE ; y

f E como la funcin de distribucin, que mide la probabilidad de ocupacin de un estado con energa E ;

entonces, si dN E es el nmero de partculas del sistema con energas comprendidas entre E y E dE , tendremos que dN E gE f E dE (3.7)

La expresin anterior es vlida para cualquier colectivo de partculas, de manera que las propiedades particulares de cada colectivo se especican mediante la forma de las funciones gE y f E . Si se conocen estas dos funciones, el valor medio de cualquier magnitud, , que pueda expresarse como una funcin de la energa puede evaluarse a partir de E dN E E gE f E dE dN E dN E 1 E gE f E dE (3.8) N Si las partculas que forman el colectivo se consideran clsicas (es decir, podemos abordar su estudio a partir de las leyes de Newton, ignorando las leyes cunticas descritas en los temas anteriores), entonces la funcin distribucin que rige el comportamiento de este colectivo se denomina funcin distribucin de Maxwell-Boltzmann
1 Cada variable independiente que es necesario especicar para determinar la energa de una partcula se denomina grado de libertad. En el caso de una partcula del gas ideal, dado que hace falta especicar las componentes x,y y z de la velocidad de la partcula, sta tendra tres grados de libertad.

E E dE


y viene dada por

fMB E

exp

kET
B

(3.9)

En el caso de que las partculas del sistema sean cunticas, la funcin distribucin a usar es la funcin distribucin de Fermi-Dirac, que ser estudiada en el Tema 4.

3.3.

Monocristal

El estudio de este estado de la materia se realizar mediante un modelo simple y representativo del slido, conocido como cristal ideal. El cristal ideal se dene como un medio material discreto e innito con una ordenacin espacial regular y peridica de sus componentes, caracterizado bsicamente por su homogeneidad, simetra de traslacin ciertas traslaciones de vectores T en el interior del cristal dejan a ste invariante, anisotropa. Una de las caractersticas ms ideales y simplicadoras del modelo anterior lo constituye su carcter innito. A pesar de la aparente irrealidad de esta caracterstica, el cristal ideal es un modelo muy vlido para el estudio de aquellas propiedades del cristal en las que los efectos de supercie no sean muy signicativos. Dado que las propiedades en las que estaremos interesados (fundamentalmente las relacionadas con el transporte de carga) son propiedades que muy aproximadamente son independientes de la forma de la supercie del material, el cristal ideal ser un buen modelo para nuestro propsito. Un concepto bsico subyacente al cristal ideal lo constituye la red cristalina, que puede denirse como

Red cristalina es un conjunto innito y discreto de puntos con una disposicin y orientacin que aparece exactamente la misma desde cualquier punto del conjunto.

Tal como muestra la Fig. 3.1, la red cristalina es una estructura puramente geomtrica que se forma mediante la traslacin peridica (de periodo T) de una malla o celdilla elemental. Una de las caractersticas esenciales de esta red cristalina es que pone de maniesto la importancia que tiene la disposicin geomtrica de la estructura espacial peridica del cristal con independencia de

b a Celdilla elemental

+ T=

b a

Red cristalina
F IGURA 3.1: Formacin de una red cristalina bidimensional a partir de la repeticin peridica, con periodo T n 1 a n2 b, de la celdilla elemental.

las unidades reales o motivos que la compongan. Este hecho puede observarse en la construccin de la Fig. 3.2, donde se evidencia el hecho de que subyacente a la estructura reticular aparece la composicin de la red cristalina con cierto motivo (tomo o grupo de tomos).

Red cristalina

Motivo

Estructura reticular

F IGURA 3.2: Estructura reticular vista como producto de la composicin de la red cristalina ycon cierto motivo.

3.4.

Estructuras reticulares

3.4.1. Redes de Bravais


Adems de la simetra de traslacin presente en la red cristalina, esta red posee otras simetras (por ejemplo, simetras puntuales), que son usadas para clasicar los distintos tipos de redes que existen. El estudio detallado de las distintas simetras nos permite concluir que todas las posibles redes cristalinas tridimensionales pueden clasicarse en 14 tipos distintos de redes, conocidas genricamente como redes de Bravais. Como ejemplo, la Fig. 3.3 muestra las 3 redes que pertenecen al sistema cbico.

Cbica [P]

Cbica centrada en el interior (bcc) [Ba,Cr,Cs,Fe,K,..]

Cbica centrada en las caras (fcc) [Ag,Al,Au,Cu,..]

F IGURA 3.3: Redes cristalinas pertenecientes al sistema cbico.

Una estructura de especial inters prctico (y que no es en s una red de Bravais) es la denominada estructura tipo diamante, que se muestra en la Fig. 3.4(a). Una gran nmero de las sustancias formadas

(a)

(b)

F IGURA 3.4: (a) Estructura tipo diamante formada por la interpenetracin de dos redes cbicas centradas en las caras y desplazadas una respecto a la otra 1/4 a lo largo de la diagonal del cubo. (b) Detalle que muestra la disposicin tetradrica de los tomos de las sustancias que cristalizan en esta red cristalina.

por tomos del grupo IV (C, Si, Ge, ...), o bien aqullas formadas por tomos del grupo III y V, cristalizan en este tipo de red. Dado que la mayora de los materiales semiconductores estn formados por tomos de los grupos anteriores, los semiconductores suelen presentar una estructura tipo diamante. Segn muestra la Fig. 3.4(a), la estructura tipo diamante puede visualizarse como dos redes cbicas fcc interpenetradas y desplazadas una sobre la otra 1/4 sobre la diagonal del cubo, dando as lugar a una disposicin tetradrica (ver Fig. 3.4b) en la que cada tomo puede considerarse localizado en el centro de un tetraedro y formando un enlace con cada uno de sus cuatro vecinos ms prximos. Segn veremos en temas posteriores, esta disposicin tetradrica determina alguna de las propiedades ms caractersticas de los semiconductores.

3.4.2. Parmetros de la estructura reticular


Dado que muchos de los compuestos elementales que forman los slidos (tomos, iones, ...) presentan simetra esfrica, la disposicin de muchas estructuras reticulares puede visualizarse considerando a


stas como empaquetamientos espaciales de esferas rgidas en forma simtrica y compacta. Algunos de los parmetros ms importantes de las redes cristalinas, fruto de la consideracin anterior, se describen a continuacin. Nmero de partculas por celdilla elemental, nc El nmero de partculas por celdilla elemental puede obtenerse como nV nF nI (3.10) nc 8 2 donde nV es el nmero de partculas en los vrtices, n I en el interior y nF en las caras.
E JEMPLO 3.2 a 5 43 108

A 28 1

Dado que el Si cristaliza en una red tipo diamante que est formada por 2 redes fcc interpenetradas, el nmero de tomos por celdilla elemental ser el doble del de una red fcc. Para la red fcc tenemos que nV 8, nI 0 y nF 6, por lo que 8 6 nc fcc 0 4 8 2 Para el silicio tendremos, por tanto, que cada celdilla elemental tiene 8 tomos. Si n es el nmero de tomos por m3 , ser n Nmero de tomos por celdilla unidad Volumen celdilla unidad 8 22 3 5 43 1083 5 10 tomos cm nc a3

La densidad, , en g/cm3 del Si podemos calcularla como

por lo que

masa de 1 tomo Nmero de tomos m3 A nc NA a3

mat n

que en nuestra caso particular ser

(3.11)

Si

28 1 22 5 10 6 02 1021

2 3 g/cm3

ndice de coordinacin En una celdilla elemental, el ndice de coordinacin es el nmero de nodos reticulares adyacentes. Este ndice suele determinar el tipo de enlace que cohesiona a la sustancia.


Fraccin de empaquetamiento, fc

Considerando que cada nodo de la celda unidad es el centro de una esfera rgida, de modo que las esferas se distribuyen de la forma ms compacta posible, denimos la fraccin de empaquetamiento como Volumen de las esferas nc Vesf (3.12) fc Volumen de la celda a3

La fraccin de empaquetamiento nos proporciona una medida de lo llena que est la estructura reticular. De las redes cbicas, la ms compacta es la fcc, mientras que la de menor fraccin de empaquetamiento es la cbica simple.

E JEMPLO 3.3

Para una red fcc, segn vimos en el ejemplo anterior, nc 4. En esta red, segn muestra la gura adjunta, el plano de mayor empaquetamiento (es decir, el plano donde las esferas estn ms juntas) se localiza en una cualquiera de las caras. En una de las caras debe cumplirse que a2 a2 2a2 de donde R 1 a 8

4R2
16R2

16R2

2 a 4

y por tanto 4 4 3

fc fcc

ncVesf a3 2 0 74 6

2 a 4

a3

3.5. Observacin de las estructuras cristalinas


La estructura interna de los cristales puede determinarse a partir del anlisis de la difraccin ondulatoria producida cuando fotones, electrones, neutrones, etc... inciden en el cristal. El anlisis de la difraccin nos informa sobre la conguracin interna del cristal debido a que la manera en que las ondas son difractadas viene determinada por la disposicin interna de los componentes del cristal. Puesto que las dimensiones implicadas en las estructuras cristalinas (distancias


entre nodos reticulares) son del orden del , la conguracin de las estructuras reticulares slo puede observarse mediante ondas cuya longitud de onda asociada sea de este mismo orden. En este sentido, al ser la longitud de onda de la radiacin visible ( 5000 ) mucho mayor que la distancia entre nodos reticulares, esta radiacin simplemente da origen a la refraccin ptica ordinaria, que claramente no nos proporciona ninguna informacin sobre la estructura interna del cristal. En el caso de que la radiacin incidente est constituida por rayos X (radiacin electromagntica cuya ), entonces la difraccin producida en el cristal presenta cierta distribucin de mximos y mnimos que s nos informa sobre la estructura interna del cristal. Una sencilla explicacin de la difraccin de rayos X en cristales la proporcion W. L. Bragg, suponiendo que las ondas incidentes se reejaban especularmente en los distintos planos del cristal, de forma que cada plano reeja nicamente una fraccin muy pequea de la radiacin total (en un cristal perfecto contribuiran de 103 a 105 planos atmicos en la formacin del haz reejado). Supuesto, entonces, que cada plano se comporta como un espejo semitransparente, aparecer un mximo de difraccin siempre que los haces difractados procedentes de planos de tomos paralelos intereran constructivamente. Esta condicin, conocida como ley de Bragg, exige que la diferencia de camino entre los haces (1) y (2) de la gura adjunta sea un mltiplo de la longitud de onda, esto es, 2d sen n n

(1)
q q q

(2)

diferencia de camino =2dsenq

Aunque la ley de Bragg es una consecuencia de la periodicidad de la red, sta no maniesta la composicin de la base de tomos de la estructura reticular (es decir, si la base es un tomo, un conjunto de tomos,...). Un estudio ms riguroso muestra que la composicin de la base se reeja en la intensidad relativa de los diversos rdenes de difraccin.

3.6. Problemas propuestos


3.1: Determinar el ndice de coordinacin y la fraccin de empaquetamiento para los tres tipos de redes cbicas. 3.2: Sabiendo que el sodio cristaliza en una red fcc, que su densidad es 0,971 g/cm 3 y su peso atmico 23 g/mol, calcular la longitud de su celda unidad. Sol. 4 29 . 3.3: Calcular la densidad de electrones libres en el cobre si su peso atmico vale 63.5 g/mol y su densidad es 8950 kg/m3 , suponiendo que hay un electrn por tomo. Repetir el clculo para el oro (Au, A 197 0, 19 3 g/cm3 , un electrn libre por tomo), y el zinc (Zn, A 65 38, 7 1 g/cm3 , dos electrones libres por tomo) Sol.: nCu 8 48 1028 m3 , nZn 1 31 1023 cm3 .

3.4: Calcular la distancia a entre los iones K y Cl en el KCl, admitiendo que cada in ocupa un cubo de arista a. El peso molecular es 74,55 g/mol y la densidad es 1,984 g/cm3 . Sol. a 3 15 . 3.5: La dimension de la celda unidad del cobre fcc es de 0.36 nm. Calcular la longitud de onda ms grande para los rayos X capaz de producir difraccin por los planos cristalinos. Qu planos podran difractar rayos X de longitud de onda 0.50 nm?.

Tema 4

Electrones libres en metales


4.1. Fenomenologa

En este tema iniciamos el estudio de la conductividad elctrica en los slidos, empezando en primer lugar por el anlisis del comportamiento de los electrones libres en los metales. Este estudio tiene un alto inters prctico dado que los metales (por ejemplo, el cobre) forman una parte esencial de los circuitos electrnicos junto con los materiales semiconductores. Los primeros estudios que se hicieron respecto a la conductividad elctrica provienen de Ohm(1827). Estudiando metales, Ohm encontr la siguiente relacin entre la intensidad de la corriente, I , que recorre el metal y la tensin (o diferencia de potencial), V , entre los extremos de dicho metal: (4.1) V IR donde el parmetro R se conoce como resistencia del material (sus unidades son ohmios, 1 1 V/A). Para un material liforme de seccin constante, este parmetro viene dado por R

Conductor

l S

(4.2)

siendo la resistividad del material (este parmetro depende de las caractersticas internas del materia, siendo sus unidades m), l la longitud del conductor y S su seccin. La ley de Ohm puede igualmente expresarse como (4.3) J E

donde J es la densidad de corriente elctrica,

(4.4)

la conductividad elctrica (sus unidades son m1 ) y E el campo elctrico aplicado. 61


En funcin del nmero de portadores de carga por unidad de volumen, n, y de la velocidad de arrastre, va , de estos portadores, la densidad de corriente se dene como J nqva (4.5)

Usualmente, la velocidad de arrastre puede relacionarse linealmente con el campo aplicado mediante la siguiente expresin:
E va

va

(4.6)

siendo la movilidad de los portadores. En funcin de la anterior relacin, la conductividad elctrica puede escribirse como

qn

(4.7)

La expresin anterior nos indica claramente que la conductividad de los materiales depende proporcionalmente del nmero de portadores de carga y de la movilidad de dichos portadores. En el caso de que existan distintos tipos de portadores, la expresin (4.7) debe generalizarse. En concreto, para el caso de los semiconductores, para los que existen dos tipos de portadores, electrones y huecos, la conductividad puede escribirse como

qnn p p

donde el subndice n se reere a electrones y el subndice p a huecos. Esta cuestin ser analizada con detalle en el Tema 7. Una posible clasicacin de los slidos en funcin del valor de la conductividad a temperatura ambiente los divide en: conductores, semiconductores y aislantes. Conductores

104 m1 , [Cu,Ag 107 m1 ] d 0, la conductividad disminuye con la temperatura. En dT concreto se encuentra que 0 1 T

T
0

(4.8)

n 1028 m3 . La concentracin de electrones libres apenas vara con la temperatura. 108 m1 104 , [Si 4 104 m1 , Ge

decrece con las imperfecciones y/o impurezas de la red.

Semiconductores

10 m ]
4 1

d 0, la conductividad aumenta al aumentar la temperadT tura. Experimentalmente se encuentra que la dependencia de la conductividad con la temperatura es del tipo

lns

0 e

(4.9)

n 1017 m3 . La concentracin de electrones libres vara enormemente (de hecho de forma exponencial) con la temperatura.

crece con las impurezas de la red.

1/T

Aislantes

108 m1 , [Vidrio 1011 m1 , Poliuretano 1020 m1 d 0. El comportamiento trmico de los aislantes es idndT tico al de los semiconductores. Por este motivo los aislantes y los semiconductores a veces se consideran el mismo tipo de materiales en cuanto a su comportamiento respecto a la conductividad elctrica. Su nica diferencia consiste en el valor de dicha conductividad a temperatura ambiente.

Para explicar el comportamiento cuantitativo y cualitativo de los diversos materiales respecto a la conductividad elctrica se han propuesto bsicamente tres modelos diferentes: 1. 2. 3. Modelo clsico del electrn libre: Modelo de Drude-Lorentz. Modelo cuntico del electrn libre: Modelo de Sommerfeld. Modelo cuntico del electrn ligado: Modelo de Bloch.

Dado que los dos primeros modelos tratan sobre electrones libres, el presente tema estar dedicado a ellos, dejndose el tercer modelo para el siguiente tema.

4.2.

Modelo clsico del electrn libre

Este primer modelo, desarrollado a nales del siglo XIX y principios del XX (despus del descubrimiento de los electrones en 1897), propone una teora clsica para la conduccin elctrica en los metales. El modelo parte del hecho de que muchos metales presentan estructuras reticulares y asume que las fuerzas de cohesin de los metales se deben al tipo particular de enlace que presentan, esto es, el enlace metlico. En los slidos que presentan este tipo de enlace, se supone que los portadores de carga de la corriente sern los electrones libres que


provienen de que cada tomo del metal cede uno o varios de sus electrones de sus ltimas capas (electrones de valencia) para formar una especie de gas de electrones comn a todo el slido. La cohesin del slido se debe precisamente a la interaccin entre los iones positivos y el gas de electrones libres que los rodea.

4.2.1. Hiptesis bsicas


Partiendo de las ideas anteriores, el modelo de Drude-Lorentz propone que los metales estn constituidos por Un resto de iones positivos esencialmente estticos que estn regularmente distribuidos + Conjunto de electrones de valencia que vagan libremente por el metal. Estos electrones forman un gas clsico. Aplicando las ideas de la teora cintica de los gases, se supone que los electrones de este gas clsico estn en constante agitacin trmica (con un movimiento de desplazamiento neto nulo). La interaccin entre el gas de electrones y los restos inicos se realiza mediante choques elsticos continuos debido al movimiento trmico catico de los electrones. Siguiendo el razonamiento presentado en el Apartado 3.2, el clculo sobre la velocidad trmica promedio, vT , de estos electrones puede hacerse al considerar que Ec y 1 me v2 T 2 Al igualar las dos expresiones anteriores, encontramos que Ec 3 kB T 2

vT

3kB T me T 300K

(4.10) 105 m s

En presencia de un campo elctrico externo, E , los electrones adeE me . No obstante, esquieren obviamente una aceleracin, a tos electrones sufrirn continuos choques contra los restos inicos, lo que provocar una desaceleracin continuada. El efecto combinado del campo externo junto con estos choques da lugar a un movimiento que en promedio es uniforme y caracterizado por cierta velocidad de arrastre, va (superpuesta a la anterior velocidad trmica). Un clculo aproximado de esta velocidad de arrastre de los electrones nos dice que eE (4.11) va a me


siendo el tiempo promedio entre colisiones. Dado que la densidad de corriente, J, puede escribirse como J n eva

ne2 E me

(4.12)

se encuentra que sta es proporcional al campo aplicado, justicndose de este modo la expresin (4.3) para la ley de Ohm. El coeciente de proporcionalidad entre J y E nos proporciona la siguiente expresin para la conductividad elctrica:

ne2 me

(4.13)

E JEMPLO 4.1


S I
Conductor de Cu

Sea una situacin tpica en la que un conductor liforme de Cu es recorrido por una intensidad I 100 mA, siendo la seccin del conductor S 1mm2 106 m2 y la masa atmica y la densidad del cobre: A 64, 9 g/cm 3 . Dado que I J neva S encontramos que la velocidad de arrastre puede expresarse como va I Sne

La nica magnitud que no conocemos en este problema es la densidad de electrones libres en el Cu. Para ello considrese que n nmero de e en 1 m3

NA nmero de moles en 1 m3
donde es el nmero de electrones de valencia (que en el caso del Cu es 1). El nmero de moles por m3 , , puede calcularse como

masa de 1 m3 masa de 1 mol

gr/m3 A

Para la densidad de electrones en el Cu obtenemos entonces que n 1 6 023 10 23 9 106 64 8 47 1028 m3

por lo que la velocidad de arrastre ser va 8 47


28 1 10

01 6 1019 106

7 4 m/s

Puede comprobarse que el valor obtenido de la velocidad de arrastre de los electrones es mucho menor que el que se obtuvo para su velocidad trmica ver expresin (4.10). En multitud de casos puede, por tanto, concluirse que va vT


4.2.2. Dependencia con la temperatura
La expresin (4.13) ofreca el valor de la conductividad en funcin de la densidad de portadores de carga, n, y del tiempo promedio entre colisiones, . Podemos, por tanto, obtener una expresin ms detallada de si previamente estimamos el valor de . Para ello, debe considerarse que el tiempo entre colisiones vendr determinado bsicamente por la velocidad trmica ms que por la velocidad de arrastre va ). En concreto, siendo L 0 la distancia promedio entre (dado que vT colisiones (en este modelo L 0 distancia entre iones de la red), tenemos que L0 L0 (4.14) vT 3kB T me donde se ha usado la expresin (4.10) para vT en funcin de la temperatura. Al introducir (4.14) en (4.13) se obtiene nalmente que

L ne T 3k m
2 0 B e

1 2

(4.15)

La expresin anterior nos permite obtener la conductividad elctrica de los metales en funcin de la densidad de portadores, de la distancia promedio entre colisiones y de la temperatura de trabajo. En concreto nos dice que la conductividad disminuye si la temperatura aumenta, de acuerdo con la observacin experimental hecha para los metales.
E JEMPLO 4.2 n 9

1028 3

a 36

Teniendo en cuenta los datos anteriores y usando la expresin (4.15) tenemos que

9 1028 1 6 1019 2 3 6 1010 0 78 107 m1

3 1 38

10 23 9 1 1031

3001

4.2.3. Fallos del modelo de Drude


Aunque el modelo clsico del electrn libre pudo explicar de forma cualitativa la forma de la ley de Ohm y la disminucin de la conductividad al aumentar la temperatura (y algunas otras cuestiones que no se han tratado aqu), este modelo no es todava muy satisfactorio dado que presenta los siguientes fallos: Slo es aplicable a metales (conductores), de modo que no predice el diferente comportamiento de los conductores y semiconductores/aislantes.


Predice un comportamiento de la conductividad de los metales con la temperatura del tipo T 0 T 1 2 , que no explica el comportamiento experimental, T T 1 , encontrado para los conductores. La expresin (4.15) predice resultados para la conductividad ms bajos que los obtenidos experimentalmente. No explica la aparente presencia de cargas positivas (predicha por el efecto Hall) como portadores de carga en algunos metales. Aunque no se ha tratado aqu, es tambin conveniente sealar que este modelo predice un calor especco (C v dE dT ) para los metales mucho mayor (del orden de 10 4 veces) que el observado experimentalmente.

4.3. Modelo cuntico del electrn libre


Debido a las inexactitudes del modelo clsico del electrn libre, Sommerfeld desarroll posteriormente un modelo basado en la teora cuntica para describir el comportamiento de los electrones libres. Bsicamente, el modelo cuntico del electrn libre sigue el modelo de Drude respecto a las hiptesis que hace del slido pero introduce dos importantes consideraciones respecto a los electrones: 1. 2. Los electrones deben ser considerados como entes cunticos. Los electrones obedecen el principio de exclusin de Pauli.
Modelo monodimensional de la Ep de los e en el interior del conductor.

Ep

Estas consideraciones implican que el conjunto de electrones debe ser considerado ahora como un gas cuntico (tambin conocido como gas de Fermi) en vez de un gas clsico tal como se haca en el anterior modelo clsico. El hecho de considerar ahora el conjunto de electrones como un gas cuntico se maniesta en que su tratamiento estadstico, realizado mediante dN E gE f E dE

hace uso de una funcin densidad de estados, gE , y una funcin distribucin, f E , distintas a las usadas para describir el gas clsico. (Segn se vio en la expresin (3.9), la funcin distribucin del gas clsico era la de Maxwell-Boltzmann).

4.3.1. Funcin densidad de estados


La funcin densidad de estados, gE , para los electrones considerados como entes cunticos ya fue estudiada en el Apartado 2.2.3 cuando se estudiaron los niveles energticos de una partcula cuntica


en un pozo tridimensional. Segn se vio, los electrones estaran caracterizados por una terna de nmeros cunticos (n x ny nz ), que debido a la degeneracin de los niveles de energa daba lugar a la siguiente funcin degeneracin o funcin densidad de estados: g E con E0

4E0
3 2

E1

(4.16)

h 2 2 2me a2

Si tenemos tambin en cuenta el spin (ver Apartado 2.4.2) junto con su correspondiente nmero cuntico, m s , los electrones de conduccin en el modelo de Sommerfeld vendrn nalmente caracterizados por la siguiente cuaterna de nmeros cunticos

nx ny nz ms
La introduccin de este nuevo nmero cuntico introduce una nueva doble degeneracin (que no fue tenida en cuenta en el Apartado 2.2.3), de modo que la funcin densidad de estados que debe usarse ser la dada en (4.16) multiplicada por 2, esto es, gE

g(E)

2E0
3

E1 2

2me 3 2V E 1 2
1 2 8V 2m3 e E1 h3

2 h3 2

(4.17)
2

donde V es el volumen del slido.

4.3.2. Distribucin de Fermi-Dirac


En al Apartado 3.2 ya se discuti que la funcin distribucin para el gas clsico de electrones vena dada por fMB E e E
kB T

gas clsico

(4.18)

fFD(E) 1 T=0K

Para el presente caso de un gas cuntico de electrones, la introduccin del carcter cuntico del electrn junto con el principio de exclusin de Pauli nos conducira a la funcin distribucin de Fermi-Dirac, fFD E , cuya forma matemtica es fFD E 1 E EF exp kB T

T >0K EF E

(4.19)

siendo EF la energa de Fermi que puede denirse, para nuestros propsitos, como el valor de energa para el cual la funcin distribucin vale 1 2.


Es interesante notar que tomando el lmite para valores altos de EF ), el trmino exponencial es mucho mayor que la la energa (E unidad en el denominador de (4.19) y, en consecuencia, la distribucin de Fermi-Dirac se hace bsicamente idntica a la distribucin de Maxwell-Boltzmann: fFD E

EF

fMB E

(4.20)

Si analizamos con detenimiento la dependencia de (4.19) con respecto a la temperatura, nos encontramos con que a T 0 K, la funcin distribucin de Fermi-Dirac equivale a la siguiente funcin escaln: fFD E

1 0

si si

E E

EF EF

(4.21)

esto es, todos los estados presentan probabilidad unidad de ocupacin si E EF y probabilidad nula si E EF . Podemos comprobar que esta propiedad apenas vara con la temperatura, excepto en la regin donde E EF 4kB T

fFD(E) 1 T >0K EF E
8kT

puesto que fuera de esa regin f FD E toma valores muy prximos a 0 o bien a 1. Teniendo en cuenta el hecho de que la energa de Fermi para la mayora de los conductores y semiconductores a temperatura ambiente se encuentra que es 1eV E F 8eV y que kB T (300 K) 0 025 eV (4.22)

T=0K

podemos observar que la funcin f FD E slo mostrar cambios apreciables (respecto a su comportamiento para T 0 K) para temperaturas muy altas, T 3000 K. Esto implicar que en muchos casos de inters prctico (por ejemplo, a temperatura ambiente), en vez de usar la expresin complicada (4.19) puede usarse directamente la funcin escaln (4.21). Bajo las condiciones anteriores, la distribucin de portadores de carga con respecto a la energa, dN dE , muestra entonces que a T 0 K existen pocos electrones con energas mayores que E F . Esto quiere decir que a temperatura ambiente y similares, la distribucin de energa es bsicamente la misma que la que se encuentra a T 0 K. Fsicamente, esto implica que un aumento moderado de la temperatura respecto a T 0 K tiene muy poco efecto en el gas cuntico de electrones. Clculo de la energa de Fermi Teniendo en cuenta las consideraciones anteriores respecto a la dependencia con la temperatura de la distribucin de Fermi-Dirac, encontramos que en multitud de situaciones prcticas podemos escribir dN E gE fFD E dE gE

T=3000K kBT-EF EF dN dE T=0K T >0K E

1 si 0 si

E E

EF EF

dE

(4.23)


Si aplicamos la expresin anterior a un modelo simple de un conductor, encontraramos que el nmero total de electrones, N , en el conductor vendra dado por
Fe

N
0

dN E

EF 0

dN E

N EF

(4.24)

Ep EF

es decir,

el nivel de Fermi, EF , puede identicarse con el mximo valor de la energa correspondiente a un estado ocupado, existiendo como mximo dos electrones en cada nivel de energa.
Dado que el nmero de electrones con energas E cisamente todos los del conductor, encontramos que N EF nV E F sern pre(4.25)

Por otra parte, teniendo en cuenta (4.23), N E F puede calcularse como N E F


EF 0 EF 0

gE dE 8V 2m3 1 2 1 2 E dE h3 8V 2m3 1 h3
2

2 3 E 3 F

(4.26)

Igualando ahora los resultados de las expresiones (4.25) y (4.26), podemos concluir que

EF

h2 2me

3n 8

2 3

(4.27) 1028 m3 ), los va2 8 eV, tal como

Puede comprobarse que para los metales tpicos (n lores de la energa de Fermi se encuentran entre E F se supuso anteriormente. Clculo de la energa promedio del gas de Fermi

El clculo de la energa promedio de los electrones del gas de Fermi puede realizarse a partir de la expresin encontrada para dN E mediante el siguiente clculo:

Ec

0 0

E dN E dN E

EF 0

E CE 1 2 dE CE
1 2

EF 0

dE

3 EF 5

(4.28)

(EdN puede interpretarse como la energa de aquellas partculas cuyos estados de energa estn comprendidos entre E y E dE ).


Si queremos encontrar la temperatura, TgF , a la cual la energa de un electrn en un gas clsico (3 2kB TgF ) sera igual a la energa obtenida previamente en (4.28) para un electrn en un gas cuntico, entonces al igualar ambas energas 3 kB TgF 2 encontramos que TgF 2EF 5kB 3 EF 5

Puede comprobarse que esta temperatura es del orden de 10 4 K, lo que explicara porqu un aumento de la temperatura del gas de Fermi apenas variar su energa promedio y por tanto el valor del calor especco de este gas es tan bajo (con respecto al predicho por el modelo de Drude, en el cual un aumento de la temperatura del gas s tiene un efecto muy apreciable sobre el valor de la energa promedio).

4.3.3. Conduccin elctrica


En el contexto del modelo cuntico del electrn libre, la dinmica de los electrones no viene regida por las colisiones de los portadores con los restos inicos sino que, por el contrario, la dinmica de los electrones estar determinada por el proceso de propagacin de la funcin de onda asociada a los electrones en el entorno constituido por los restos inicos. En principio caben sealarse varios puntos: Al contrario de lo ocurre en los procesos trmicos, en el proceso de conduccin elctrica participan todos los electrones del gas de Fermi. Esto se debe a la posibilidad que tienen todos los electrones de aumentar de forma coherente su energa y por tanto de desplazarse a un nivel de energa superior sin por ello violar el principio de exclusin. Al estudiar la dinmica de los electrones sometidos a un campo elctrico externo, el fenmeno ondulatorio anlogo a lo que antes se visualiz como colisiones vendr ahora dado por la dispersin de la onda electrnica por los iones, es decir, por las reexiones de Bragg de la onda electrnica en su interaccin con la red cristalina. No obstante, para situaciones tpicas, se encuentra que no se dan las condiciones para que se produzcan estas reexiones y, por tanto, los electrones podran vagar libremente por la red sin que sta les ofreciera resistencia alguna (lo que dara lugar a un valor de conductividad innito). El origen de una conductividad nita no se debe entonces al proceso anterior de choques sino que surge fruto de la dispersin de las ondas electrnicas por las imperfecciones (impurezas y vibraciones trmicas) en la periodicidad del cristal. En particular, el efecto ms importante proviene de las vibraciones trmicas de


los iones en la red. El efecto de estas vibraciones es aumentar la seccin ecaz de los iones dando lugar a una dispersin apreciable. Los clculos muestran que el camino libre medio entre colisiones viene dado por L0 T 1 (4.29) lo que implica que T 1 , en acuerdo con la observacin experimental.

4.3.4. Fallos del modelo de Sommerfeld


A pesar de los xitos de este modelo al explicar el diferente comportamiento trmico y elctrico de los electrones as como la correcta dependencia de la conductividad con la temperatura, algunos de los puntos que este modelo no explica son: Existencia de conductores y semiconductores/aislantes y porqu presentan comportamientos cualitativos distintos respecto a la temperatura. Gran dependencia de las propiedades de conduccin de los semiconductores respecto al numero de impurezas aadidas. Existencia aparente de portadores de carga positiva, tal y como seala el efecto Hall en algunos metales y semiconductores dopados.

4.4. Problemas propuestos


4.1: Para un hilo de cobre cuya rea transversal es 5 mm2 : a) cul debera ser la intensidad de corriente que lo recorriese para que la velocidad de arrastre de los electrones fuese igual a la velocidad trmica a temperatura ambiente?; b) discuta si se seguira cumpliendo en las anteriores condiciones la ley de Ohm. 4.2: Usando para el cobre los siguientes valores: a 3 7 y v300 K 1 08 105 m/s, calcular la resistividad a T 300 200 y 100 K. Sol. 300 K 1 22 107 m; 200 K 9 96 108 m; 100 K 7 05 108 m. 4.3: En qu intervalo de energa, expresado en unidades de k B T , la funcin distribucin de Fermi-Dirac cambia de valor 0.90 a 0.10? Sol.: 4 4 kB T . 4.4: Estimar la fraccin de electrones libres en el cobre que estn excitados a temperatura ambiente. EF (Cu)=6.95 eV. Sol.: 1 %. 4.5: Calcular la energa de Fermi y la temperatura de Fermi para el oro y el hierro sabiendo que la densidad electrnica es nAu 5 90 1022 cm3 y nFe 17 1022 cm3 .


4.6: Considere un sistema con N partculas que nicamente dispone de dos estados de energa accesibles: E1 E y E2 E . Si la probabilidad de ocupacin de un nivel de energa a temperatura T viene dada por la distribucin de Maxwell-Boltzmann f eE kB T , calcule a) la proporcin de partculas, N1 N2 , en los niveles E1 y E2 , b) la cantidad de partculas en cada nivel de energa y c) la energa total del sistema U . Sol.: a) N1 N2 e2E kT ; b) como N N1 N2 , N1 N 1 1 e2E kT , N2 N e2E kT 1 e2E kT ; c) U N1 E1 N2 E2 NE tanhE kT . 4.7: En la distribucin de Fermi si E E E F , calcule f FD E para E 2kB T 4kB T 10kB T . Qu conclusiones puede extraer de los anteriores resultados?. Demuestre igualmente que f FD EF E 1 fFD EF E y discuta los resultados. 4.8: A una temperatura de 300 K (EF 5 1eV): (a) cul es la probabilidad de que un estado est ocupado para energas de 5 y 6 eV?; (b) a qu temperatura la probabilidad de ocupacin del estado de energa E 5 2eV es de 0.1? Sol.: (a) 0.979, 7 08 1016 ; (b) T 528 K. 4.9: Sabiendo que la energa de Fermi para el cobre es de 7.0 eV, determnese a 1000 K: (a) la energa a la que la probabilidad, f F E , del estado que ocupar un electrn de conduccin sea de 0.9; (b) la funcin distribucin de estados o densidad de estados, gE , por unidad de volumen; y (c) la funcin de distribucin de partculas dnE gE fFD E . Sol.: 6.81 eV; 1 79 1028 m3 eV1 ; 1 6 1028 m3 eV1 . 4.10: Un cubo muy pequeo de Cu tiene 0.1 mm de lado. Cuntos electrones de conduccin contiene que posean energas comprendidas entre 5 y 5.025 eV? Sol.: 3 8 1014 electrones. 4.11: El magnesio es un metal bivalente con un peso atmico de 24.32 g/mol y una densidad de 1.74 g/cm3 . (a) Cul es la densidad de electrones libres?; (b) Cul es la energa de Fermi?; y (c) Cul es la longitud de onda de De Broglie de los electrones en el nivel de energa de Fermi?. Sol.: (a) 8 4 1028 m3 ; (b) EF 7 07 eV; (c) 4 62 . 4.12: Los niveles energticos electrnicos en un pozo innito de potencial tridimen n2 n2 . Encontrar las disional estn dados por la expresin: E n 1 n2 n3 E0 n2 n E ni n1j nk 2, en 3la energa entre los n ferencias fraccionales, E ni n j nk E n i j k pares de estados dados por: (a) E 1 1 1 y E 1 1 2; (b) E 10 10 10 y E 9 10 11; y (c) E 100 100 100 y E 99 100 101. (d) Qu conclusin puede ser deducida de estos resultados? 4.13: Si admitimos que, segn la teora cuntica del electrn libre, la energa media de un electrn el cobre viene dada por E
3 5 EF

kB T kB T EF

calcule dicha energa a temperatura ambiente (EF 7 03 eV) y compare el anterior valor con la energa media a T 0 K y con el valor clsico 3kB T 2. 4 2182 eV, E 0 K 4 2180 eV, 3kB T 2 3 88 102 eV. Sol.: E 300 K 2EF 1 2 , como me aquella que adquieren los electrones de conduccin en el gas de Fermi, calcule el recorrido libre medio, l, de los electrones en el oro sabiendo que E F 5 53 eV y 2 04 cm. Compare este valor con la distancia promedio entre tomos y discuta el resultado. Sol. l 414 . 4.14: Si consideramos a la velocidad de Fermi, denida como v F

Tema 5

Electrones en una red peridica


5.1. Modelo cuntico del electrn ligado
En los dos modelos expuestos en el tema anterior se supuso que los electrones de conduccin en los slidos eran libres, o equivalentemente que su energa potencial en el interior del slido era constante. No obstante, las carencias de los modelos basados en esta suposicin (vlidos nicamente para explicar propiedades de los metales) nos sugiere que el modelo del electrn libre debe revisarse. Un posible paso adelante que supera este modelo debe tomar en consideracin la interaccin electrosttica de los electrones con la estructura cristalina del slido. Puesto que la aparicin de este potencial peridico proviene del efecto conjunto de todos los iones positivos de la red (que estn regular y peridicamente distribuidos), esta interaccin quedara descrita en el modelo admitiendo que Gas cuntico de electrones est sometido a un potencial peridico, esto es, (5.1) E p r E p r T donde T es un vector traslacin de la red cristalina (ver Apartado 3.3). Para una red monodimensional de periodo a, la Figura 5.1 muestra el aspecto de este potencial. La forma rigurosa de abordar el problema anterior requiere la resolucin de la ecuacin de Schrdinger teniendo en cuenta el hecho de que el potencial es peridico. Para el caso monodimensional esto implicara resolver la siguiente ecuacin: d 2h E x m dx
2 2 e 2 p

E p r

E p r T

(5.2)

siendo

E p x

E p x a 75


Ep
a

e2 Ep=-K r

F IGURA 5.1: Energa potencial (o, simplemente, potencial) de un solo ion positivo y de una red de iones positivos

Esta tarea fue llevada a cabo por Bloch, quien encontr que la funcin de onda de un electrn en la red peridica monodimensional deba ser del tipo x uk xe jkx (5.3) con uk x uk x a

que puede verse como la funcin de onda del electrn libre (e jkx ) modulada por una funcin uk x que presenta la misma periodicidad que la red. Operando con este tipo de funciones de onda se encuentra que los niveles de energa del slido se agrupan en bandas de energa. No obstante, el desarrollo matemtico que llevara a la vericacin de la existencia de bandas de energa queda fuera del alcance del presente tema y se optar por deducir la existencia de bandas de energa en los slidos a partir de la aproximacin de fuerte enlace.

k
-2p/a -p/a p/a 2p/a

5.1.1. Aproximacin de fuerte enlace


En el marco de la aproximacin de fuerte enlace, una manera de entender el efecto del potencial peridico consiste en hallar los niveles energticos de los electrones en un slido considerando cmo varan los niveles energticos de los tomos individuales cuando stos se aproximan sucientemente para formar un slido. Dado que este estudio es todava complicado, partiremos de una situacin ms simple que consiste en el paso del estudio de los niveles de energa de un pozo de potencial simple nito al caso del pozo doble nito cuando disminuye la distancia entre los pozos. Pozo doble de potencial nito En el caso de un nico pozo de potencial nito, las dos primeros niveles de energa, E 1 y E2 , estn relacionados con las funciones de onda mostradas en la Fig. 5.2.

a)
E1

b)
E2

F IGURA 5.2: Funcin de onda asociada con (a) estado fundamental y (b) primer estado excitado de una partcula en un pozo de potencial nito

Para el caso del pozo doble de potencial nito, un electrn en el estado fundamental que est el pozo 1 tendr una funcin de onda, 1 x, que slo ser distinta de cero en las proximidades de dicho pozo (ver gura adjunta). Anlogamente ocurrira para un electrn en el estado fundamental que estuviese en el pozo 2 al que le correspondera una funcin de onda 2 x. Si ahora se considera el caso de un electrn que pudiese estar con igual probabilidad en cualquiera de los dos pozos, la funcin de onda, x, que represente este sistema debe tener las siguientes propiedades:1 1.

y1(x)

y2(x)

yS

x debe reejar el hecho de que la partcula se encuentre con igual probabilidad en ambos pozos, por lo que la densidad de probabilidad, x 2 , debe ser simtrica con respecto al punto medio de los dos pozos. x debe presentar un aspecto similar en aquellas regiones correspondientes al caso de un electron localizado en un nico pozo.

|yS|2

2.

yA

Teniendo en cuenta las anteriores consideraciones encontramos que slo existen dos posibilidades compatibles, dando as lugar a la funcin de onda simtrica, S , y antisimtrica, A :

|yA|

S A

C1 2 C1

EA

ES

Si la distancia entre los pozos es considerable, la forma de S x 2 y de A x 2 es muy parecida por lo que la energa de los estados que representan tendrn muy aproximadamente el mismo valor: E S EA , y diremos que existe degeneracin. Cuando la distancia entre los pozos disminuye, siguiendo los mismos criterios anteriores, la forma de las funciones de onda simtrica y antisimtrica se modicar tal como muestra la Fig. 5.3 Puede verse que la funcin de onda simtrica, S , presenta para este caso una
1 Debe

tenerse en cuenta que si x es una funcin de onda correspondiente a un

yS

yA

|yS|

|yA|

ES=EA

F IGURA 5.3: Forma de las funciones de onda simtrica y antisimtrica cuando los pozos de potencial nito se aproximan

forma similar a la funcin de onda correspondiente al estado fundamental del pozo simple nito de anchura doble y, anlogamente, la funcin de onda antisimtrica, A , es similar a la funcin de onda del primer estado excitado del pozo simple nito de anchura doble. Dado que las funciones del pozo simple correspondan a diferentes niveles de energa, puede concluirse que

Al acercar dos sistemas independientes idnticos (con la misma energa) se rompe la degeneracin de los dos estados correspondientes a estos sistemas y aparecen dos niveles de energa diferente.

5.1.2. Bandas de energa


A partir del principio bsico enunciado anteriormente podemos ahora analizar los cambios en los niveles de energa del electrn en un sistema con dos tomos. Tal como muestra la Fig. 5.4, en este caso, se observara que los niveles de energa de los electrones ms internos (nivel E1 ) apenas sufriran cambios mientras que los niveles de energa de los electrones de las capas ms externas (nivel E 2 ) s que sufriran un desdoblamiento. Este hecho se debe a que los electrones ms internos apenas seran afectados por la presencia del otro tomo dado que su entorno de potencial apenas vara con respecto a la situacin en la que se encontraban en cada tomo individual. Por el contrario, el entorno de potencial de los electrones externos en el sistema de dos tomos es drsticamente distinto al que haba en un nico tomo. El mayor cambio en los niveles energticos de los electrones ms externos puede tambin interpretarse a partir del efecto tnel. Debido al
nivel de energa E cuya densidad de probabilidad asociada es x 2 , x tambin ser solucin de la ecuacin de Schrdinger y tendr asociados los mismos valores de energa y densidad de probabilidad que la funcin x.

efecto tnel esperamos que los electrones de las capas ms externas dejen de estar localizados estrictamente en el entorno de cada tomo individual y pasen a formar parte del sistema en su conjunto, mientras que es muy poco probable que los electrones de las capas ms internas atraviesen las barreras de potencial que los rodean.

E2

E2 E1 E1
a
distancia interatmica

F IGURA 5.4: Modicacin de los niveles energticos asociados a los electrones externos de un sistema de 2 tomos

El fenmeno de desdoblamiento observado para dos tomos puede claramente extenderse a un sistema de ms tomos (por ejemplo 5, tal como muestra la Fig. 5.5). En este caso encontraremos que por cada nivel original de las capas del tomo individual aparecern ahora tantos niveles como tomos haya en el sistema multiatmico. Igualmente observamos cmo los niveles de las capas ms externas (nivel E2 ) sufre un desdoblamiento ms amplio que el correspondiente a las capas ms internas (nivel E1 ).

E E2 E1
a distancia interatmica

E2 E1

F IGURA 5.5: Modicacin de los niveles energticos asociados a los electrones externos de un sistema de N tomos

Si este modelo se sigue extendiendo hasta completar el nmero total de tomos del slido (n 1028 m3 ), los niveles discretos de energas (correspondientes al despliegue de los niveles originales de los tomos individuales) apareceran ahora tan cerca que daran lugar a una conguracin cuasicontinua de niveles energticos. Debido a esta naturaleza cuasicontinua de la energa, se dice que la conguracin energtica del slido muestra bandas de energa, tal como aparece en la Fig. 5.6


E 2N E 6N 2N 2N 2p 2s
Banda 1s

3p

3s 2p 2s 1s

F IGURA 5.6: Aparicin de bandas de energa fruto de la prdida de degeneracin de los niveles energticos asociados a los electrones de un slido

Debido a que las propiedades fsicas de los slidos dependen bsicamente de la conguracin de las ltimas bandas de energa, stas sern la de mayor inters para la conductividad elctrica. La denominacin usual para estas ltimas bandas es la siguiente: Banda de Valencia (BV): es la banda de energa ms alta conteniendo electrones. Bandas Prohibidas (BP): corresponden a aquellos valores de energa en los cuales no hay niveles permitidos. Banda de Conduccin (BC): Si la BV est parcialmente llena, esta banda se denomina banda de conduccin y si la BV est totalmente llena (a T 0 K) entonces la BC ser aquella banda inocupada inmediatamente superior a la BV. Debe notarse que la anterior discusin sobre la formacin de bandas se basa en un modelo simplicado monodimensional que no ha tenido en cuenta las caractersticas tridimensionales del cristal. Cuando stas se tienen en cuenta, la formacin de bandas de energa puede presentar algunas variaciones importantes respecto al modelo simple presentado anteriormente. En concreto cabe destacar el fenmeno de hibridacin de bandas, que consiste en la existencia de bandas de energa formadas combinando niveles de energa procedentes de diferentes niveles originales.

5.2.

Aislantes, Semiconductores y Conductores

El modelo de bandas expuesto anteriormente podr explicar satisfactoriamente la existencia de conductores y semiconductores/aislantes. Debe notarse que para que los electrones respondan al campo

T=0 K

BC Eg BV
Aislante

BC BV
Semiconductor

BV
Conductor

(BC)

F IGURA 5.7: Situacin de las bandas energticas ms externas para Aislante, Semiconductor y Conductor

elctrico externo (y por tanto contribuyan a la corriente elctrica), stos deben poder ganar energa y situarse en estados energticos superiores. En consecuencia, slo aquellos electrones que posean estados superiores prximos disponibles vacos y permitidos respondern a la accin del campo elctrico externo. Siguiendo este mismo razonamiento podemos igualmente concluir que aquellos electrones cuyas energas correspondan a las de una banda completamente llena NO contribuirn a la corriente, Jbanda llena 0 (5.4)

Esto implica que los nicos electrones que participaran en el proceso de conduccin elctrica sern aqullos situados en las bandas superiores (dado que las bandas inferiores estarn totalmente llenas). Para explicar el comportamiento elctrico de los slidos distinguiremos dos situaciones en funcin de la temperatura: T 0 K y T 0 K. A T 0 K, un slido que tenga la BV ser un aislante debido a que los electrones en dicha BV no pueden desplazarse hacia niveles ms altos de energa en dicha banda bajo la accin de un campo elctrico externo. La existencia de la BP, en principio, impedira que estos electrones pudieran desplazarse hacia la BC. Por el contrario, si la BV est , entonces los electrones pueden desplazarse hacia niveles ms altos de energa en el interior de dicha banda y el slido se comportar como un conductor. Un aislante cuya BP sea relativamente pequea se denominar semiconductor, aunque a T 0 K, tanto el aislante como el semiconductor se comportan como aislantes perfectos. Las situaciones descritas anteriormente se muestran en la Fig. 5.7. A T 0 K es posible que, en aislantes y semiconductores, algunos electrones de la BV sean excitados trmicamente a la BC y, por tanto, que haya algunos portadores disponibles para la corriente elctrica. La probabilidad de salto de electrones de BV


a BC ser directamente proporcional a la temperatura e inversamente proporcional a la anchura energtica, Eg , de la BP. En consecuencia, a mayor Eg menor concentracin de electrones en BC y menor valor de conductividad elctrica. Esto explica el diferente valor a temperatura ambiente de la conductividad elctrica, , dando as lugar a la diferenciacin entre aislantes y semiconductores. Por otra parte, dado que para estos materiales, la concentracin de electrones en BC aumenta con T , la conductividad crecer a medida que la temperatura crezca, explicndose as la correcta dependencia de la conductividad con la temperatura para aislantes y semiconductores discutida en el Apartado 4.1. En los conductores, la situacin energtica de los electrones ligados en la BV parcialmente llena (o BC) es muy similar a la que se encontr en el Tema 4 para los electrones libres en el modelo de Sommerfeld dentro del pozo de potencial nito. (Esto explica porqu el modelo de Sommerfeld fue exitoso al predecir las propiedades elctricas de los metales.) Por tanto, el comportamiento de la conductividad con la temperatura para los conductores segn el modelo de bandas es igual al predicho por el modelo de Sommerfeld, esto es, T 1 . Siguiendo los razonamientos anteriores, se podra ahora predecir el carcter elctrico de los slidos formados por distintos elementos. As para un slido formado por tomos de Na, cuyo nmero atmico es Z 11 y de conguracin 1s2 2s2 2 p6 3s1 , es de esperar que su estructura de bandas sea la mostrada en la gura adjunta. En principio, la banda 3s estara parcialmente llena y, por tanto, esta banda constituira una Banda de Conduccin, por lo que esperaramos que este solido fuese un conductor (suposicin que es plenamente conrmada por los hechos experimentales). Usando el razonamiento anterior, es de esperar igualmente que el Mg de Z 12 y conguracin electrnica 1s2 2s2 2 p6 3s2 , al tener su ltima banda con electrones totalmente llena, sea un aislante. No obstante, experimentalmente se encuentra que el Mg es un buen conductor. Para explicar esta importante discrepancia hay que considerar que el modelo de formacin de bandas que se ha seguido es un modelo monodimensional y, tal como se seal anteriormente, este modelo slo nos proporciona las guas bsicas para explicar la formacin de bandas en los slidos tridimensionales. Los detalles especcos de las bandas de muchos slidos slo pueden explicarse a partir de un modelo que tuviese en cuenta el carcter tridimensional del slido. En este sentido, ha de tenerse en cuenta que tanto el Na como el Mg presentan una hibridacin de las bandas 3s y 3 p para formar una nica banda hbrida 3s3 p que tendr en total 8N estados energticos y, en consecuencia, tanto para el Na como para el Mg esta ltima banda con electrones est parcialmente llena y ambos slidos sern conductores.

3s 2p

1N 6N

2s

2N

1s

2N

tomo

Slido

2N de 8N 6N

Banda 3s3p

Banda 2p

2N 2N
Situacin para Mg

Banda 2s

Banda 1s

Una discusin anloga puede hacerse para el caso del carbono cristalizado (diamante). El C tiene una conguracin electrnica 1s2 2s2 2 p2 , de modo que siguiendo el modelo monodimensional debera ser un buen conductor. No obstante, el hecho de que el diamante sea un aislante excelente puede explicarse de nuevo a partir de la formacin de una banda hbrida 2s2 p con 8N estados. Tal como se puede ver en la gura, tras la formacin de esta nica banda hbrida ocurre una posterior separacin de esta banda en dos bandas que podemos llamar banda 2s2 p inferior y banda 2s2 p superior, cada una de ellas con 4N estados energticos. Cuando se forma el diamante los 6N electrones del slido se situarn de manera que 2N van a la banda 1s y los restantes 4N a la banda 2s2 p inferior, dando lugar a que la ltima banda con electrones est totalmente llena. Dado que la separacin entre la BV y BC en el diamante es grande (E g 6 eV), el diamante sera muy buen aislante de acuerdo con el modelo de bandas. Ha de notarse que el Si y el Ge tienen la misma conguracin electrnica en sus ltimas capas e igualmente se produce el mismo tipo de hibridacin de bandas (banda 3s3 p para Si y banda 4s4 p para Ge), por lo que ambos slidos seran igualmente aislantes a T 0 K. No obstante, la anchura de la banda prohibida entre BV y BC es menor en estos slidos que en el diamante, por lo que de acuerdo a las discusiones al inicio de esta seccin, ambos slidos sern semiconductores a T 0 K.

2N de 4N 2N 2N
Situacin aparente para C

Banda 2p

Banda 2s

Banda 1s

E
2p

E Eg

Eg

2s

1s

ro

Separacin interatmica

5.3.

Masa efectiva

Una de las consecuencias ms importantes de la existencia de bandas en los slidos se maniesta en la respuesta que presentan los electrones ligados a un campo elctrico externo, E . La distinta respuesta de los electrones en funcin de su situacin en las bandas de energa ser recogida por el concepto de masa efectiva. Electrn libre Antes de tratar el electrn ligado, repasaremos brevemente las caractersticas bsicas que se encontraron para el electrn libre. En concreto se encontr que la energa del electrn libre (ver expresin (2.13)) vena dada por la siguiente expresin: h 2 2 E k (5.5) 2me Por otra parte, la respuesta de dicho electrn a un campo elctrico externo estaba regida por la ley de Newton, Fext

eE

me a

por lo que el mdulo de la aceleracin ser a eE me (5.6)


Es interesante notar que el electrn libre sufre una aceleracin inversamente proporcional al valor de su masa.

Electrn ligado Cuando el electrn est sometido al efecto del potencial peridico del cristal, veremos que el electrn responde a la fuerza externa presentando una aceleracin que parece seguir la ley de Newton pero que dicho electrn responde a esta fuerza externa como si estuviese dotado de cierta masa efectiva, m , en vez de su masa real, me . Esto ocurrir porque el campo externo, E , no es el nico campo elctrico actuando sobre el electrn, sino que el electrn tambin est sometido al efecto del campo elctrico producido por los iones de la red. Para estudiar el presente caso usaremos un modelo semiclsico del electrn, es decir, haremos uso de argumento clsicos y de argumentos cunticos en el anlisis. Parte cuntica. El movimiento del electrn se supone que est regido por las caractersticas de propagacin de su funcin de onda asociada. En este sentido, la velocidad del electrn, v, vendr dada por la velocidad de grupo de la onda, vg Dado que E k h yv d dk

vg , la velocidad puede expresarse vk 1 dE h dk (5.7)

Parte clsica. Suponemos que el campo elctrico aplicado da lugar a fuerzas ordinarias clsicas, de modo se pueden usar las ecuaciones de movimiento de la Fsica Clsica. En este sentido, si la fuerza externa realiza un trabajo diferencial, dW , sobre la partcula, la energa de dicha partcula se incrementar en la misma cantidad: dE dW . Para el presente caso tendremos entonces que dE dW eE dx eE dx dt dt eE vdt (5.8)

y, por tanto, el incremento de energa en el tiempo puede expresarse como dE eE v (5.9) dt

Derivando con respecto al tiempo la ecuacin (5.7) encontramos la siguiente expresin para la aceleracin: a dvk dt 1d h dt dE dk

o bien, intercambiando el order de integracin, a 1 d h dk dE dt (5.10)

Introduciendo ahora (5.9) en (5.10), encontramos a eE dv h dk

que puede reescribirse al sustituir el valor de vk dado por (5.7) como a o, equivalentemente, a eE 1 d2E h 2 dk2 eE 1 d 2 E h h dk2 (5.11)

(5.12)

Comparando ahora la expresin encontrada para la aceleracin de un electrn ligado, (5.12), con la expresin para la partcula libre, (5.6), podemos concluir que

la respuesta del electrn ligado al campo elctrico externo aplicado puede verse como la de un electrn libre que estuviese dotado de una masa efectiva, m , dada por
m h 2 d2E dk2

1
(5.13)

E JEMPLO 5.1

De acuerdo a la expresin (5.5) dE dk luego segn (5.13) m h 2 k me me . y d2E dk2 h 2 me


A partir de la forma de la relacin de dispersin para el electrn de Bloch, se pueden deducir cualitativamente algunas importantes caractersticas de la masa efectiva del electrn sometido al efecto del potencial peridico de la red. As, si nos jamos en la forma de la primera banda energtica, su velocidad vendr dada por v 1 dE h dk

donde debemos considerar que esta velocidad da cuenta tanto de la accin del campo externo como de la interaccin del electrn con la red. Al realizar la derivada de la curva anterior para valores de k 0 se observa que para valores de k prximos a cero, la derivada es una funcin creciente que alcanza un mximo en el punto de inexin de E k para luego alcanzar un valor nulo en el extremo de la banda. Para obtener la masa efectiva, se procede segn

k v k d E/dk
2 2

h 2

d2E dk2

esto es, se derivar la curva anterior y se invierte. Tras realizar esto, se pueden destacar los siguientes hechos: 1. m no presenta el mismo valor que me . m puede ser mayor que m e e incluso llegar a ser innita. m puede ser menor que m e e incluso ser negativa.

2. 3.

m*

En concreto se ha obtenido que la masa efectiva es positiva en el borde inferior de la banda y

negativa en el borde superior. La variacin de los valores y signo de la masa efectiva del electrn bajo el efecto conjunto y opuesto del campo elctrico externo y del potencial peridico de la red puede interpretarse como un balance entre la accin de las fuerzas provenientes del campo externo (a favor del movimiento) y las fuerzas internas de la red (opuestas al movimiento). Cuando m 0, el electrn gana energa globalmente dado que la accin del campo externo es superior a la de las fuerzas internas. El punto en el que m indicara que el electrn no se movera (como si no respondiese a la accin de E ) ya que la accin del campo externo es perfectamente contrarrestada por la accin de las fuerzas internas de la red. La situacin en la que m 0 podra interpretarse como que en esa zona las fuerzas internas de la red superan a la accin del campo elctrico externo.


5.4. Huecos
El hecho de que la masa efectiva de los electrones en el borde superior de la banda sea negativa tiene unos efectos trascendentales sobre el fenmeno de conductividad elctrica en el slido. En este sentido estudiaremos la contribucin a la corriente elctrica de los electrones de una banda cuasillena. Esta situacin se encuentra tpicamente para un semiconductor intrnseco en el que algunos electrones del borde superior de la BV migran hacia la BC por excitacin trmica. Como ya hemos discutido, los electrones que han migrado a la BC contribuirn a la corriente elctrica del modo usual a como lo hacen los electrones libres en los metales. Para tratar la contribucin a la corriente elctrica de los electrones que permanecen en la BV (que se denominar J resto ), analizaremos en primer lugar una situacin que involucra a todos los electrones de la BV menos a uno. Tal como ya se seal en el apartado 5.2, debemos notar que la corriente elctrica de una banda totalmente llena es nula: Jllena 0 Esta corriente puede a su vez descomponerse en la corriente, J i , producida por un nico electrn i situado en el borde superior de la BV ms la producida por el resto de electrones de dicha banda, J resto . Es claro que esta ltima corriente describe la contribucin de los electrones de la banda de valencia cuasillena, pudindose escribir como Jresto Jllena

BC Eg BV

J J
i

es decir, la corriente debida a todos los electrones de la BV menos el electrn i es equivalente a menos la corriente del electrn i situado en el borde superior de la BV. Dado que Ji

ev
a i i

y teniendo en cuenta que la velocidad, vi , puede escribirse, en analoga con la expresin (4.11), como vi encontramos que Jresto eai i (5.14)

Para obtener una idea ms clara de la naturaleza de la corriente a la que es equivalente Jresto debe analizarse el sentido del vector aceleracin ai . La aceleracin podr obtenerse a partir de la aplicacin de la ley de Newton para el electrn ligado i, esto es, ai Fexterna m i

eE
m i


Ahora bien, dado que el electrn i estaba en el borde superior de la BV, m 0, por lo que encontramos su masa efectiva es negativa, m i i que eE ai (5.15) m i

La expresin anterior nos indica que la aceleracin del electrn i del borde superior de la BV es equivalente a la de una pseudopartcula, que se llamar hueco, que tuviese carga positiva, e, y masa positiva m i . El razonamiento anterior puede extenderse similarmente al caso de ms de un electrn del borde superior de la BV. De acuerdo a esta consideracin y a la expresin (5.14), se puede concluir que

la contribucin a la corriente de todos los electrones de la BV menos un numero pequeo de ellos que migraron a BC es equivalente a la corriente del mismo nmero de huecos (pseudopartculas con carga y masa positiva)
Bsicamente, lo que se ha conseguido con la anterior interpretacin es encontrar una equivalencia entre la corriente de muchos electrones (obviamente con carga negativa) de una BV cuasillena con la corriente de unos pocos huecos de carga positiva. No obstante, debemos tener en cuenta que la corriente en el slido est sostenida nicamente por electrones y que los huecos se han introducido con el nico objetivo de simplicar el anlisis. En este sentido, el tratamiento de la corriente debido a los huecos en BV se har de una forma anloga al de los electrones en la BC. Por ejemplo, si los electrones de la BV cuasillena son sometidos a un campo elctrico externo, estos electrones ganarn energa provocando simultneamente que los huecos se muevan hacia abajo en la banda. Dado que en el anlisis de la BV cuasillena se ignoran los electrones y se tratan nicamente los huecos, esto implica que un incremento de la energa de los portadores de carga de la BV se traduce en que la energa de los huecos decrece desde el tope superior de la BV. Hemos encontrado entonces que la corriente en un semiconductor a T 0 K en respuesta a un campo elctrico externo, E , est sostenida por dos tipos de portadores: electrones en la Banda de Conduccin, y huecos en la Banda de Valencia. En consecuencia, la densidad de corriente total, J, puede expresarse como la superposicin de la corriente debida a los electrones en BC, Jn , ms la corriente debida a los huecos en BV, J p , J Jn J p (5.16)


La distribucin de estos dos tipos de portadores ser por tanto lo que determinar las propiedades elctricas de los semiconductores. Por este motivo, los temas siguientes dedicados al estudio de los semiconductores se centrarn en analizar el comportamiento de los electrones en la BC y los huecos en la BV.

5.5. Problemas propuestos


5.1: Responda a las siguientes cuestiones tericas: Cules son las diferencias ms importantes entre un electrn libre y un electrn en el slido cristalino?. Por qu se originan bandas de energa en un slido cristalino? Son los huecos simplemente la ausencia de electrones en las bandas de energa?. En caso armativo, cmo explicara que, a pesar de la ausencia de muchos electrones en BC, no haya huecos en esta banda? Se mueven los huecos en la misma direccin que los electrones? 5.2: Para una banda de energa que puede ser aproximada mediante la expresin E k E0 1 exp2a2 k2

(donde a es la constante de la red del cristal), calcule: a) La masa efectiva para k 0.

b) El valor de k para el que la velocidad del electrn es mxima. Sol. a): m k 0 h 2 4a2 E0 ; b): k 1 2a.

5.3: El valor experimentalmente determinado de la energa de Fermi en el Na es de 2,50 eV. Usando la expresin terica para la energa de Fermi y el valor experimental determine la masa efectiva de los electrones en el Na monovalente, cuyo peso atmico es 22.9 g/mol y su densidad 0.97 g/cm3 . Sol. m 1 26me .

Tema 6

Bandas de Energa en Semiconductores


6.1. Introduccin
El estudio terico de los semiconductores fue realizado bsicamente (Wilson, Shockley,...) en la dcada de los 30 del siglo anterior. No obstante, el uso tecnolgico de los semiconductores no se inici hasta unas dos dcadas despus debido, en gran parte, a la dicultad en la obtencin de muestras puras de material semiconductor. Desde un punto de vista tecnolgico, algunas de las caractersticas que hacen atractivos a los semiconductores pueden ser las siguientes: Aparicin de dos tipos de portadores de carga: electrones (e ) en BC y huecos (h ) en BV. El hecho de que la conduccin elctrica se produzca por dos tipos de portadores ofrece una mayor exibilidad de diseo y ampla considerablemente las posibilidades tecnolgicas de estos materiales respecto a los conductores y/o aislantes. Las propiedades fsicas de los semiconductores son altamente dependientes de la concentracin de impurezas aadidas al material. Esto permite construir muestras de semiconductor con muy diversas caractersticas fsicas, propiedad que puede ser ecazmente usada para el diseo de dispositivos electrnicos y optoelectrnicos. La mayora de los componentes electrnicos y optoelectrnicos pueden realizarse sobre la misma muestra de semiconductor por lo que se pueden integrar en un mismo chip muchos dispositivos diferentes. El inters prctico de los semiconductores se pone de maniesto en su amplia utilizacin en la tecnologa actual. Su uso es fundamental en 91

. Prcticamente todos los elementos usados en Electrnica pueden realizarse usando materiales semiconductores de distinto tipo (por ejemplo: resistencias, diodos, transistores, puertas lgicas, etc) y, por tanto, pueden ser integrados conjuntamente en un mismo chip. .
Los circuitos usados en los sistemas de comunicacin (circuitos de baja y alta frecuencia) se realizan actualmente sobre substratos semiconductores.

. Dada la posibilidad de interaccin de los semiconductores con la luz, muchos de los dispositivos pticos y optoelectrnicos se realizan sobre la base de materiales semiconductores, por ejemplo: LED, lser de inyeccin, clulas fotovoltaicas, etc.
6.2. Generacin y recombinacin de electrones y huecos

BC

Como ya se ha comentado anterioremente, la existencia de electrones en BC y huecos en BV es la caracterstica fsica ms determinante de las propiedades elctricas de los semiconductores. La aparicin de estos electrones en BC y/o huecos en BV puede explicarse a partir de Generacin/recombinacin trmica de pares e h . Para T 0 K, existe cierta probabilidad de que algunos electrones de BV pasan a BC a travs de la BP debido a la excitacin trmica. Generacin ptica de pares e h . La posible interaccin luz semiconductor se producir cuando un fotn de energa h E g incida sobre el material. Un electrn de BV puede absorber la energa suciente para pasar a BC dejando tras de s un hueco en la BV.

BV

BC hn

BV

En la interaccin luz semiconductor deben distinguirse dos tipos de transiciones: directas e indirectas. Estos dos tipos distintos de transiciones responden a la distinta conguracin de las bandas de energa cuando se considera su estructura con un poco ms de detalle, teniendo en cuenta la dependencia de la forma de las bandas con respecto al nmero de ondas k.

E
BC

Dk=0
BV

RANSICIONES D IRECTAS. Este tipo de transiciones se da cuando el mnimo de la BC coincide, para el mismo valor de k (usualmente k 0), con el mximo de la BV. Este hecho permite que pueda darse la mnima transicin energtica entre las dos bandas sin que

haya un cambio en el momento lineal (debido a que k no vara). En este tipo de transiciones se absorbe un fotn simultneamente a la transicin electrnica entre bandas.
RANSICIONES I NDIRECTAS. En este caso, la forma de las bandas es tal que el mnimo de la BC y el mximo de la BV no ocurren para el mismo valor de k. Este hecho implica que una transicin electrnica entre BV y BC debe llevar aparejado un proceso que d cuenta del cambio de momento lineal necesario. En la prctica esto implica que el electrn debe primero realizar una transicin haca otro estado (usualmente un estado energtico provocado por la presencia de algn defecto en la red) y desde ah realizar la transicin entre bandas sin intercambio de momento. En otras muchas transiciones indirectas, el proceso de cambio de momento suele deberse a un intercambio de calor con la red.

E
BC

Dk=0
BV

Adicin de impurezas. Si se aaden tomos de elementos que no estn en la columna IV (usualmente llamados impurezas substitutorias), se produce un incremento de la concentracin de electrones en BC y/o huecos en BV. La seleccin del tipo de impureza que se aade provocar un aumento considerable del nmero de e o bien de h . Es interesante notar que este proceso de generacin, al contrario que los anteriores, no genera pares de e h sino que slo genera un tipo de portadores. Debemos observar que simultneamente a la generacin de e y h ocurre un fenmeno de recombinacin de pares e h . Este proceso de recombinacin puede verse como un proceso inverso al de generacin de pares e h ; es decir, existe cierta probabilidad de que un electrn de la BC pase a la BV, liberando as cierta energa en este trnsito en forma de calor que absorbe la red o bien en forma de luz (fotones). Si los agentes externos permanecen invariables en el tiempo, la actuacin conjunta de la generacin y la recombinacin de electrones y huecos provoca que sus concentraciones permanezcan constantes en un equilibrio dinmico. Un estudio de las causas que intervienen en la generacin y recombinacin de pares e h nos permitira concluir que la velocidad de generacin de pares e h , G, depende de la temperatura de operacin y del proceso concreto que origina dicha generacin, mientras que la velocidad de recombinacin de estos pares, R, se encuentra que es proporcional a la concentracin existente tanto de electrones en BC, n, como de huecos en BV, p, es decir, R

r np

(6.1)

donde el factor r es una constante de proporcionalidad que depende del material y del mecanismo particular de recombinacin.

6.3. Semiconductores Intrnsecos


Cuando las propiedades elctricas de un semiconductor vienen determinadas exclusivamente por la estructura de bandas del cristal decimos que este semiconductor es intrnseco (en la prctica, diremos que un semiconductor es intrnseco cuando la concentracin de impurezas sea tan pequea que no afecte a sus propiedades elctricas). Una propiedad importante de estos semiconductores es que sus portadores de carga, pares e h , se generan nicamente por excitacin trmica a travs de la banda prohibida. Para estudiar las propiedades de los semiconductores intrnsecos, llevaremos a cabo, en primer lugar, una descripcin cualitativa de la aparicin de electrones en BC y huecos en BV. Posteriormente estudiaremos la probabilidad de ocupacin de estos portadores as como su funcin densidad de estados. Esto nos permitir nalmente obtener la distribucin energtica de ambos portadores.

6.3.1. Descripcin cualitativa


En funcin de un modelo bidimensional de enlaces covalentes y de la estructura de bandas, los semiconductores intrnsecos pueden describirse de la siguiente manera: A T 0 K. Dado que la estructura reticular tpica de los semiconductores es la estructura tipo diamante (ver Apartado 3.4), cada uno de los tomos del cristal aparece rodeado de cuatro vecinos prximos de manera que forma un doble enlace covalente con cada uno de ellos (cada tomo proporciona cuatro electrones) para obtener la conguracin del octete. Esta conguracin no deja ningn electrn fuera de los enlaces covalentes, por lo que el material se comporta como un aislante.
BC

Desde el punto de vista del modelo de bandas, la anterior conguracin se traduce en la presencia de una Banda de Valencia completamente llena y una Banda de Conduccin completamente vaca separadas por una banda prohibida de anchura Eg . A T 0 K. Debido a la agitacin trmica, existe cierta probabilidad de que alguno de los enlaces covalentes del cristal pueda romperse dando lugar a un electrn que no est localizado en las inmediaciones de un tomo particular (est deslocalizado y extendido por la red por lo puede funcionar como un portador de carga para conducir una corriente a travs del cristal). A su vez, queda un enlace roto que puede ser ocupado por alguno de los electrones adyacentes provocando de esta manera otro posible movimiento

BV


de cargas que puede identicarse como la aparicin de un hueco1 . Desde el punto de vista del modelo de bandas, la aparicin del par e h es simplemente fruto de la posible transicin trmica de un electrn de BV a BC. Dado que los electrones y huecos son generados trmicamente por parejas, la concentracin de electrones en BC debe ser igual a la concentracin de huecos en BV, esto es, n p ni (6.2)
BC

BV

Por otra parte, dado que en equilibrio la concentracin de electrones y/o huecos permanece constante, esto implica que la generacin trmica de pares e h es compensada por continuas transiciones (directas o indirectas) de electrones de BC a BV, es decir, por una continua recombinacin. El equilibrio requiere, por tanto, que en el semiconductor intrnseco la velocidad de generacin trmica, Gi , de pares e h sea igual a la velocidad de recombinacin, Ri , de estos pares: Ri Gi (6.3)

6.3.2.

Probabilidad de ocupacin de electrones y huecos

La generacin trmica de pares e h puede entenderse a partir de la forma de la funcin distribucin de Fermi-Dirac, que da la probabilidad de ocupacin de los estados electrnicos. En concreto para T 0 K, la probabilidad de ocupacin de electrones, f n E , es la ya conocida y estudiada con detalle en el Tema 4, esto es, fn E exp
1 Tal

fn(E) 1

kB T

(6.4)
EF E

como muestra la gura adjunta, la aparicin de un par e h en la red podra tambin considerarse teniendo en cuenta que, en dicha red, un tomo con un enlace roto puede verse como un tomo normal ms un par e h . Para visualizar esto, consideremos que cada tomo de la red contribuye a los enlaces con cuatro de sus electrones y, en este sentido, caractericemos cada tomo por sus cuatro electrones de valencia junto con sus correspondientes cuatro protones que den cuenta de la neutralidad de la carga en el tomo. En este sentido, un tomo normal ms un par e h , tras la posible recombinacin de uno de los electrones ligados al tomo con el hueco, sera equivalente al tomo con uno de sus enlaces rotos.

4
tomo normal + par e- / h+

4
e- y h+ que se recombinan

4
tomo con un enlace roto

fp(E)

Para el caso de la probabilidad de ocupacin de huecos, f p E , debe notarse que la cantidad 1 fn E representa la probabilidad de que un estado electrnico de energa E est vaco, o dicho de otra manera, la probabilidad de que este estado est ocupado por un hueco. Por tanto,

f p E

f E
n

E EF

1 EF E exp kB T

(6.5)

representa la probabilidad de ocupacin de huecos 2 .

Posicin del nivel de Fermi para semiconductores intrnsecos Dado que en un semiconductor intrnseco debe cumplirse que n p, es razonable suponer que esta situacin se da si el nivel de energa de Fermi, EF , se sita aproximadamente en el medio de la Banda Prohibida. De esta manera se tiene que la probabilidad de ocupacin de electrones en BC ser exactamente la misma que la probabilidad de ocupacin de huecos en BV. Si la densidad de estados para electrones y huecos no es muy distinta, el situar EF en mitad de la BP provocar que la concentracin de electrones en BC sea igual a la concentracin de huecos en BV, tal y como se espera para el semiconductor intrnseco.

BC

EC E EF EV
BV

6.3.3. Funcin densidad de estados para electrones y huecos


La funcin densidad de estados por unidad de volumen se obtuvo ya para electrones libres en (4.17), siendo su forma matemtica gE

2me 3 2 E 1 2
2 h3 2

y su forma grca segn se muestra en la Fig. 6.1. Debe notarse que

EF

E g(E)
F IGURA 6.1: Funcin densidad de estados para electrones libres en un metal. importante observar que la probabilidad de ocupacin de huecos se obtiene como una reexin especular en torno a EF de la probabilidad de ocupacin de electrones.
2 Es


el origen de la energa cintica, E fondo del pozo. Ec , para los electrones libres es el

Si ahora se desea obtener la funcin densidad de estados para los electrones en BC y para los huecos en BV debemos tener en cuenta que, de acuerdo a la discusin que se llev a cabo en el apartado 5.3, el tratamiento de los electrones/huecos en BC/BV es anlogo al de los electrones libres en el modelo de Sommerfeld pero considerando que las partculas estn dotadas ahora de cierta masa efectiva, m e para los para los huecos. electrones y m h

Electrones en Banda de Conduccin Los electrones en la banda de conduccin se comportan anlogamente a los electrones libres en el pozo nito del modelo de Sommerfeld salvo que La masa debe ser modicada para dar cuenta de la posicin en la banda, esto es, debemos sustituir la masa de los electrones, m e , por su masa efectiva, m e. El origen de energa cintica debe ser tomado en el lmite inferior de la BC, cuyo valor se denotar como EC , para as dar cuenta del desplazamiento de la energa cintica de los electrones en la BC. De acuerdo a lo anterior, la funcin densidad de estados para los electrones en la BC, gn E , vendr dada por gn E
3 2 2m e E EC1 2 3 2

2 h

(6.6)

E BC

EC

EC

BV gn(E)


Huecos en Banda de Valencia

Anlogamente al caso de los electrones en BC, la densidad de huecos en BV, g p E , viene dada por g p E
3 2 2m h E

2 h3 2

1 2

(6.7)

donde el origen de energa cintica nula ha de tomarse en el borde superior de BV, E EV y teniendo en cuenta adems que el sentido positivo de esta energa debe tomarse en sentido decreciente.

E
BC

EV
BV

gp(E)

6.3.4. Distribucin energtica de huecos y electrones


La obtencin de la distribucin energtica de electrones en BC, dn dE , y huecos en BV, d p dE , se har a partir de las expresiones anteriores para la densidad de estados y la probabilidad de ocupacin, dando lugar a dn dE gn E fn E Cn

E EC 1 2
E kB T

exp

(6.8)

BC EC EF EV BV gn(E) fn(E) dn/dE

F IGURA 6.2: Distribucin energtica de e en BC para un semiconductor intrnseco

dp dE

g p E f p E

Cp

EV E 1 2 EF E exp 1 k T
B

(6.9)

E BC EC EF EV BV gp(E) fp (E) dp/dE

F IGURA 6.3: Distribucin energtica de h en BV para un semiconductor intrnseco

La Fig. 6.4 muestra una representacin grca de la distribucin de huecos y electrones de un semiconductor comparndolas con las de un metal y un aislante. En esta gura podemos ver cmo la concentracin de electrones en los metales es la ms abundante. Igualmente observamos que la diferencia bsica entre los aislantes y los semiconductores proviene de la diferente anchura de la BP, lo cual provoca que, a una temperatura dada, la distribucin de electrones y huecos sea ms abundante en los semiconductores que en los aislantes.

6.4. Semiconductores Extrnsecos


Adems de los portadores intrnsecos generados trmicamente, es posible crear nuevos portadores en los semiconductores mediante la adicin de impurezas en el cristal. Este proceso, llamado dopaje, es una tcnica muy comn para variar la conductividad de los semiconductores. Si el nmero de tomos de impurezas que se aaden es una fraccin pequea del nmero total de tomos originarios en el cristal, entonces puede suponerse que la accin de la adicin de estas impurezas ser la de sustituir a algunos tomos originales pero SIN cambiar la estructura reticular del cristal, es decir, sin modicar apreciablemente la estructura de bandas del semiconductor. Segn el tipo de impurezas que se aadan al cristal, se distinguirn dos tipos de semiconductores extrnsecos.


E EF

METAL

g(E)

f (E)

BC EF BV

h+

AISLANTE

BC EF BV
SEMICONDUCTOR

h+

Si ;

F IGURA 6.4: Distribucin de electrones, dn dE , y huecos, d p dE , en metales, aislantes y semiconductores

6.4.1. Semiconductor tipo n


e

T=0 K

Si las impurezas que se aaden al cristal semiconductor pertenecen a elementos de la columna V (N, P, As, Sb), entonces, segn la visin bidimensional de enlaces del cristal, algunas posiciones ocupadas por tomos originales aparecern ahora ocupadas por los ND tomos de impurezas aadidas, que debido a sus cinco electrones de valencia posibilitarn el que uno de esos electrones no est ubicado en alguno de los enlaces covalentes. Dado que este electrn est ligado al tomo de impureza por fuerzas electrostticas dbiles, dicho tomo puede fcilmente ionizarse y el e liberado podr contribuir a la corriente elctrica en el cristal. A las impurezas del grupo V se las llamar impurezas donadoras. Desde el punto de vista del modelo de bandas, y tal como mues-

T>0K + P=>P + e


tra la Fig. 6.5, la situacin anterior se traduce en la aparicin en la BP

F IGURA 6.5: Estructura de bandas de un semiconductor dopado con impurezas donadoras. A bajas temperaturas, el nmero de transiciones de electrones a la BC se debe principalmente a la presencia de los tomos donadores (ocurren pocas transiciones de origen trmico).

de un nuevo nivel de energa, E D , (con 2ND estados posibles) correspondiente a los electrones deslocalizados de los tomos de impurezas donadoras. Este nivel de energa aparecer cercano al borde inferior de la BC y as, por excitacin trmica, existir una alta probabilidad de que los electrones de este estado pasen a la BC y, por tanto, incrementen la concentracin de electrones en dicha banda. Debe notarse que el aumento de electrones en esta banda no va acompaado de un incremento anlogo de huecos en BV dado que la correspondiente carga positiva corresponde al ion de la impureza donadora permanecer jo en el cristal. La discusin anterior tambin nos permite predecir cualitativamente que la posicin del nivel de Fermi a T 0 K debe estar situada entre ED y EC , puesto que as aseguraramos que a 0 K no hay electrones en BC y el nivel E ED est lleno.

Si

Al

6.4.2. Semiconductor tipo p


De manera similar a lo que sucede para el semiconductor tipo n, la adicin de tomos de elementos correspondientes a la columna III (Ga, In, B, Al) con slo tres electrones de valencia provoca que al sustituir a alguno de los tomos originales del cristal semiconductor, uno de los enlaces covalentes quede incompleto. Este enlace incompleto puede ser fcilmente completado por uno de los electrones de los enlaces adyacentes provocando de este modo que el enlace incompleto pueda vagar por el cristal y contribuya a la corriente elctrica como un hueco. Tal como muestra la Fig. 6.6, la adicin de un tomo de Al a la red del Si podra visualizarse como una red tpica de Si ms una carga negativa ja en la posicin del tomo de Al y una carga positiva (hueco) dbilmente ligada a la carga negativa. Una dbil excitacin trmica puede liberar a esta carga positiva creando as un portador mvil de carga.

T=0K

T>0K Al=>Al- + h+

4
e- y h+ que se recombinan
F IGURA 6.6:

3
tomo Al

tomo Si + carga neg. fija + h+

Dado que los tomos de impurezas (en nmero igual a NA ) pueden aceptar electrones de tomos adyacentes, stas se denominan impurezas aceptoras. La situacin que el modelo de bandas (ver Fig. 6.7) predice para el presente caso consiste en la aparicin de un nuevo nivel de energa, EA en la BP (con 2NA estados electrnicos posibles) correspondiente a los electrones que pueden ser aceptados por las impurezas. Este nivel de energa estar situado cerca del borde superior de la BV, indicando que este nivel ser fcilmente alcanzado por los electrones del borde

p>>n EC EA EV
T=0K T > 0 K (~50 K) e- portadores minoritarios h+ portadores mayoritarios

F IGURA 6.7: Estructura de bandas de un semiconductor dopado con impurezas aceptoras.

superior de la BV dejando de este modo un nmero igual de huecos en la BV. Anlogamente al caso del semiconductor tipo n, la posicin del nivel de Fermi a T 0 K debe estar situada entre EV y EA .

6.4.3. Distribucin energtica de huecos y electrones


Para obtener la distribucin energtica de huecos/electrones en BC/BV han de obtenerse los productos (6.8) y (6.9). Debe notarse que dado que se supuso que la adicin de impurezas no modicaba la estructura de las bandas energticas del cristal, las densidades de estados, gn E y g p E (dadas por (6.6) y (6.7)), no variarn por la adicin de impurezas donadoras/aceptoras. El cambio en la distribucin energtica debido a la aparicin de nuevos portadores debe venir por tanto reejado en la probabilidad de ocupacin de los estados. Para un semiconductor tipo n existe claramente una mayor concentracin de electrones en BC que de huecos en BV. Para que esto


pueda ocurrir, el nivel de Fermi correspondiente a la presente situacin debe situarse por encima de la posicin del nivel intrnseco. Dado que fn E mantiene su forma relativa para una temperatura especca, el desplazamiento del nivel de Fermi indica que la probabilidad de ocupacin de electrones en BC (E EC ) ser mayor que la probabilidad de ocupacin de huecos en BV (E EV ).3 Para un semiconductor tipo p, la concentracin de huecos en BV ser mayor que la de electrones en BC. Por tanto, el nivel de Fermi (siguiendo los razonamientos dados anteriormente) deber situarse por debajo de la posicin del nivel intrnseco. A partir de las discusiones anteriores, la distribucin energtica para electrones en BC y huecos en BV para semiconductores tipo n y tipo p tendr la forma mostrada en la Fig. 6.8, donde tambin se muestra comparativamente la de un semiconductor intrnseco.
BC EF h+ BV Semic. Intrnseco

BC EF

h BV Semic. tipo n BC

e EF h+ BV Semic. tipo p
F IGURA 6.8: Distribucin de electrones, dn dE , y huecos, d p dE , en semiconductores intrnsecos, tipo n y tipo p.
3 Se espera que la concentracin de huecos disminuya debido a los fenmenos de recombinacin. Al aumentar considerablemente n, y de acuerdo con (6.1), la velocidad de recombinacin de pares e h aumentar lo que tendr poco efecto sobre el nmero total de electrones en BC pero s ser bastante considerable sobre el nmero de huecos en BV.

6.5. Problemas propuestos


6.1: Las bandas prohibidas para el Si y el Ge son respectivamente 1.1 eV y 0.7 eV. Calcular la frecuencia mnima que debe tener una radiacin electromagntica para poder producir conductividad en estos semiconductores. Sol. Si 2 66 1014 Hz. Ge 1 69 1014 Hz. 6.2: Cuando un fotn de energa E Eg penetra en un semiconductor produce pares electrn/hueco (e/h), esto es, se excitan electrones desde el borde de la BV hasta el fondo de la BC. Un cristal de Ge (E g 0 67 eV) se usa como detector de rayos (fotones de alta energa). Determinar: a) cul es el nmero mximo, N , de pares e/h que puede producir una radiacin de 1.5 MeV?; b) si la resolucin del detector es de 4 103 pares e/h, cul es la resolucin de la energa ptima del detector? Sol. (a) N 2 238 106 , (b) E 2 68 103 eV. 6.3: La luz visible del espectro est compuesta por fotones con longitudes de onda comprendidas entre 4000 y 7000 (equivalente a energas entre 1.8 y 3.1 eV). Para el diamante el ancho de la BP es de 6 eV. Explicar por qu el diamante es transparente. Asimismo, explicar por qu el Si cuya BP es de 1.1 eV es transparente al infrarrojo (IR) de frecuencia comprendida entre 1012 y 1014 Hz y no lo es a la radiacin visible. 6.4: Suponer que la energa de Fermi de un semiconductor intrnseco est en mitad de su banda de energa prohibida y que la anchura de sta es grande en comparacin con kT . Demostrar que la probabilidad de ocupacin de un estado de energa E est dada aproximadamente por a) f n E eE EF kT para un electrn en la banda de conduccin y b) f p E 1 fn E eEF E kT para un hueco en la banda de valencia. 6.5: El GaAs es un semiconductor con una banda prohibida (BP), Eg 1 43 eV. Dentro de esta BP aparecen niveles de energa debidos a impurezas. Medidos respecto a la BV estos niveles estn a 0.05 eV para el Al y 1.38 para el P. Cul de estas impurezas acta como donadora y cul como aceptora?. Razone la respuesta.

Tema 7

Portadores de carga en Semiconductores


7.1. Introduccin
Tal como se ha venido sealado, las propiedades elctricas de los semiconductores vienen bsicamente determinadas por la presencia de electrones en la BC y de huecos en la BV (dado que son estos portadores de carga los que determinen el ujo de corriente elctrica en el material). Por este motivo, una de las magnitudes ms relevantes en la descripcin del comportamiento de los semiconductores ser precisamente el nmero de portadores de carga por unidad de volumen; esto es, la concentracin de electrones en BC, n, y la concentracin de huecos en BV, p.

7.2. Concentracin de electrones y huecos


En el Tema 4 ya se vio que la conductividad elctrica de un semiconductor poda escribirse como

enn p p

(7.1)

donde n y p son las movilidades de los electrones y huecos respectivamente. Es interesante notar que las movilidades dependen inversamente de la masa efectiva. Por ejemplo para electrones en BC, an analoga con la expresin (4.12) para electrones libres en metales, se tiene que ne2 n E Jn m e (donde se ha usado la masa efectiva en vez de la masa en reposo), por lo que ne2 n n m e 105


y dado que n


en m e

enn , encontramos nalmente que

(7.2)

El procedimiento para obtener las concentraciones de electrones en BC, n, y huecos en BV, p, consiste en integrar las expresiones (6.8) y (6.9) con respecto a la energa en las correspondientes bandas. As, para el caso de la concentracin de electrones en BC tendremos que n dn dE BC dE
BC

gn E fn E dE

(7.3)

Al sustituir las expresiones matemticas encontradas en el tema anterior para gn E y fn E , la integral (7.3) (as como su equivalente para el clculo de p) toma una forma para la que no es posible encontrar su primitiva en forma cerrada. Para intentar solventar este inconveniente, podemos hacer uso del hecho de que, en muchas situaciones tpicas (para temperaturas no excesivamente altas y siempre que la concentracin de impurezas que se aadan sea una fraccin del nmero de tomos originales del cristal), la posicin del nivel de Fermi est situada por debajo(arriba) de EC (EV ) al menos unas cuantas unidades de kB T . Cuando se dan estas condiciones, es decir, si EC EF

E E

kB T kB T

(7.4a) (7.4b)

se dice que el semiconductor es no degenerado. Este hecho nos permite usar la siguiente expresin aproximada para la probabilidad de ocupacin de electrones en BC: fn E 1 E EF exp kB T

exp

kTE
E
B

(7.5)
EC

Ntese que la anterior expresin aproximada de la funcin distribucin de Fermi-Dirac tiene la misma forma que la funcin distribucin de Maxwell-Boltzmann, tal como ya se discuti en (4.20). Dado que fn E decae exponencialmente a cero para valores de energa alejados de EC (E EC ), el lmite de integracin superior de la BC puede sustituirse por innito, de modo que la concentracin de electrones puede obtenerse con buena aproximacin como

n
EC

Cn E

E
C

1 2

exp

EkTE
B

dE

(7.6)

Realizando el cambio de variable E x

kB T

E
C

la integral (7.6) puede reescribirse como n Cn kB T 3 2 exp

E kTE
B

F 0

x1 2 ex dx

Teniendo ahora en cuenta que la integral que aparece en la expresin anterior est tabulada y que su valor es 2, encontramos nalmente que el nmero de electrones por unidad de volumen en la BC puede expresarse como EC EF n NC exp (7.7) kB T

donde NC es una constante del semiconductor llamada densidad efectiva de estados en BC que viene dada por NC 2 m e kB T 2 h 2
3 2

(7.8)

Un clculo para la densidad efectiva de estados en BC para el Si a T 300 K muestra que NC 4 39 1024 m3 .

Siguiendo un procedimiento similar para el clculo de la concentracin de huecos en BV obtendramos que p NV exp

E kTE
F B

(7.9)

donde NV es la densidad efectiva de estados en BV dada por NV En el Si a T 300K, NV 5 95 m h kB T 2 2 h 2


3 2

(7.10)

10
3 2

24 m3 .

Una expresin alternativa bastante til para calcular la densidad efectiva de estados es NC V 25 m eh me T K 300
3 2

10

25

m3

(7.11)

Es interesante notar que las expresiones obtenidas para n y p en (7.7) y (7.9) son vlidas tanto para semiconductores intrnsecos como extrnsecos en equilibrio trmico y que su clculo requiere el conocimiento previo de la posicin del nivel de Fermi. De hecho puede observarse que a medida que E F se aleja de EC (EV ) la concentracin de electrones(huecos) decrece exponencialmente. A partir de la posicin del nivel de Fermi para el semiconductor intrnseco, denotado como E i , pueden obtenerse unas expresiones tiles para el clculo de las concentraciones de electrones y huecos en semiconductores extrnsecos conociendo la posicin del nivel de Fermi y el valor de las concentracin intrnseca, ni . Teniendo en cuenta, segn (7.7) y (7.9), que ni NC exp

E k TE
C B

pi

NV exp

E kTE
i B

al sustituir estas expresiones de nuevo en (7.7) y (7.9), stas pueden reescribirse como n p EF Ei kB T Ei EF ni exp kB T ni exp

(7.12) (7.13)

7.2.1. Ley de accin masas


Otro resultado interesante que puede derivarse de las expresiones (7.7) y (7.9) se obtiene al realizar el producto de los valores de la concentracin de electrones en BC por la concentracin de huecos en BV. Si se realiza este producto tenemos que np NC exp NC NV

E kTE E exp k T
C B g B

NV exp

E kTE
F B

CteT ; m Eg

(7.14)

esto es, el producto np slo depende de la temperatura y de ciertos parmetros del semiconductor (masas efectivas de electrones/huecos y la anchura de la BP). El resultado (7.14) nos dice entonces que a una temperatura ja, en un mismo semiconductor, el producto de la concentracin de e en BC por la de h en BV permanece constante independientemente del tipo y grado de dopaje del material. Para el caso particular de un semiconductor intrnseco, es claro que np n2 i , lo cual muestra que la constante que aparece en el segundo miembro de (7.14) puede identicarse como n2 i , es decir, CteT ; m Eg n2 i

Por tanto, el producto (7.14) puede reescribirse como la siguiente ley, conocida como ley de accin de masas, vlida para cualquier tipo de semiconductor: np n2 (7.15) i Esta ley muestra que el producto de la concentracin de electrones y huecos en cualquier semiconductor es igual al cuadrado de la concentracin intrnseca de electrones y/o huecos. El valor de ni puede a su vez relacionarse con los parmetros del semiconductor intrnseco combinando (7.14) con (7.15) para obtener ni

N N

C V

exp

E 2k T
g B

(7.16)

(Esta expresin puede tambin ser til para obtener el valor de la anchura de la BP a partir de los valores de ni NC y NV .)

m e



11

E JEMPLO 7.1 T 300

0 31me m h

0 38me Eg

Usaremos la expresin (7.16), para lo cual necesitamos previamente calcular NC y NV mediante (7.11). Operando obtenemos que NC NV y al sustituir en (7.16), ni 2 5 0 313 2 5 0 383
2 2

1025

1025

5 95 1024 m3

4 39 1024 m3

4 39

5 95 10 24 exp

1 1 40 2

1 42 1015 m3

En el apartado 5.2 se discuti que la anchura de la BP, Eg , determinaba el que un slido fuese considerado aislante o bien semiconductor. La expresin (7.16) muestra que la concentracin de electrones en la BC decrece exponencialmente al aumentar Eg , justicando claramente porqu el diamante (Eg 6 eV) es un buen aislante y sin embargo el Si (Eg 1 eV) es un semiconductor.

E JEMPLO 7.2

ni

A partir de la expresin (7.16) puede verse que la relacin entre la concentracin de electrones en BC para el diamante y el silicio puede escribirse como E g C NC NV C exp ni C 2kB T Eg Si ni Si NC NV Si exp 2kB T

Despreciando las posibles diferencias existentes respecto a las masas efectivas, se tiene que ni C ni Si 6 eV 2kB T 1 eV exp 2kB T exp

exp

2 5 eV kB T

Dado que a temperatura ambiente kB T ni C ni Si exp

0 025eV, exp100 10 44 !!

2 5 eV 0 025 eV

En el ejemplo 7.1 hemos obtenido que ni Si 1015 m3 y dado que la densidad de electrones en BC para el diamante es 44 rdenes de magnitud menor que en el silicio, puede concluirse que ni (C) es prcticamente nula; conrmando as que el diamante es un excelente aislante.

7.3. Compensacin y Neutralidad de la carga espacial


Segn se ha discutido en el Tema 6, en un semiconductor aparecen dos tipos distintos de cargas en funcin de su estado de movimiento, a saber, Portadores mviles de carga: las cargas mviles compuestas por los electrones de BC, n, y los huecos de BV, p. Cargas jas: provenientes de la ionizacin de las impurezas sustitutorias tanto donadoras, ND , como aceptoras, NA . Dado que ni la generacin de pares e h ni la adicin de impurezas provoca la aparicin de carga neta y supuesto que el semiconductor era originalmente neutro, debe cumplirse que

Nmero de cargas positivas =

En otras palabras, la concentracin de h en BV ms la concentracin de impurezas donadoras ionizadas positivamente debe ser igual a la concentracin de e en BC ms la concentracin de impurezas aceptoras ionizadas negativamente, es decir, n NA p ND (7.17)

Si la temperatura de operacin es tal que las impurezas se han ionizado completamente (lo cual ocurre tpicamente a temperatura ambiente), esto es, si NA NA y ND ND , entonces la ecuacin de neutralidad de la carga espacial en el semiconductor puede escribirse como n NA p ND (7.18)

Esta ley junto con la ley de accin de masas (7.15) nos permitir calcular las concentraciones de e y h en funcin de las concentraciones de impurezas donadoras/aceptoras y la concentracin intrnseca. Para ello, partiendo de p n2 i n y sustituyndolo en (7.18), obtenemos que n2 i ND n2 ND NAn n2 0 n NA i n Al despejar en la ecuacin anterior encontramos nalmente que


ND 2

n p

ND n2 i n

N
2

n2 i

(7.19) (7.20)


7.3.1.

Clculo aproximado de n y p

Las expresiones anteriores se pueden simplicar en las siguientes condiciones: Semiconductor tipo n Si se cumple estrictamente que NA dad de la carga dice que n p ND

0, la ecuacin de neutrali-

Si la generacin de electrones por excitacin trmica (recurdese que se excitan pares e h ) puede despreciarse frente a la generacin de electrones debido a la ionizacin de las impurezas donadoras, esto es, si ND ni entonces el trmino n2 i puede despreciarse en la raz de (7.19), dando lugar a que n p ND n2 i ND (7.21) (7.22)

Semiconductor tipo p Si en este caso ND 0, la ecuacin de neutralidad de la carga queda como n NA p Suponiendo de nuevo que la generacin de huecos por excitacin trmica puede despreciarse frente a la generacin de huecos debido a la ionizacin de las impurezas aceptoras, es decir, si NA ni entonces se cumplir que NA p n n y por tanto NA n2 i NA (7.23) (7.24)

E JEMPLO 7.3

1019
1019 m3

Dado que el Al es una impureza aceptora, tenemos que NA ND 0

Por otra parte, segn el dato para n i obtenido en el ejemplo 7.1, tenemos que NA ni

por lo que podemos usar las aproximaciones (7.23) y (7.24) para obtener nalmente que p n 1019 m3

1 42

1015 2

1019

2 1011 m3

7.3.2. Clculo de EF para semiconductores intrnsecos y extrnsecos


Si en las expresiones (7.7) y (7.9) se toman logaritmos neperianos y se restan, obtenemos que kB T ln n NC

k T ln
B

p NV

2EF

E E
C

Reescribiendo el segundo miembro de la expresin anterior como 2EF EC EV 2EF EV Eg y teniendo en cuenta (7.11), encontramos la siguiente expresin general para el nivel de Fermi en cualquier tipo de semiconductor no-degenerado:

EF

EV

m Eg 3 h kB T ln 2 4 m e

kB T ln 1 2

n p

(7.25)

Semiconductor intrnseco En un semiconductor intrnseco se cumple que n p, luego al operar en (7.25), denominando como Ei al nivel de Fermi intrnseco, se tiene que Ei EV Eg 1 2 kB T ln 2 Eg 3 EV 4 kB T ln 2 NC NV m h m e

(7.26)

La expresin anterior indica que el nivel de Fermi para un semiconductor intrnseco se sita aproximadamente en el centro de la BP, des viado de ella el factor 3 4 kB T lnmh me . Supuesto que la temperatura m no es muy alta y que m e h , este factor es despreciable respecto al primer trmino y por tanto Ei EV Eg 2

para la mayora de los casos tpicos en los semiconductores intrnsecos, tal y como ya se predijo de forma cualitativa en el Apartado 6.3.2.

Semiconductores extrnsecos En el supuesto de que se cumplan las aproximaciones (7.4a) y (7.4b) dadas en el apartado 7.3.1, la posicin del nivel de Fermi en semiconductores extrnsecos puede igualmente determinarse con facilidad. Semiconductor tipo n p, la expresin (7.25) nos dice que Dado que en este caso n la posicin del nivel de Fermi se desplazar claramente hacia el borde inferior de BC (tal y como ya se predijo anteriormente de una forma cualitativa). Una expresin til para el clculo de EF se obtiene al combinar las ecuaciones (7.7) y (7.21), ND y despejar EF , de donde EF EC NC exp

E kTE
C B

NC kT ln ND

(7.27)

Un clculo ms detallado, a partir de (7.25) nos mostrara (ver gura adjunta) que el nivel de Fermi disminuye primero ligeramente con la temperatura para acercarse a la curva de Ei a altas temperaturas. Esta tendencia puede entenderse si consideramos que a altas temperaturas, todos los tomos de impurezas ya se han ionizado y, en consecuencia, la concentracin de portadores de carga estar regida por los procesos de generacin trmica de pares e h ; es decir, el semiconductor extrnseco se comporta como uno intrnseco a medida que aumenta la temperatura. Claramente esta tendencia ocurre a temperaturas ms altas a medida que el nivel de impurezas aumenta en la muestra (La curva A en la gura representa el menor nivel de dopaje.) Semiconductor tipo p Segn la expresin (7.25), para un semiconductor tipo p ( p n), la posicin del nivel de Fermi se desplaza hacia el borde superior de BV. De forma aproximada, se puede calcular EF sustituyendo (7.23) en la expresin (7.9) NA NV exp

EF EC ED Ei
C

EV

EF EC

E kTE
F B

Ei EA EV

y despejando de aqu E F para obtener EF NV EV kT ln NA (7.28)

Tal como muestra la gura adjunta, un clculo ms detallado nos dira que la posicin del nivel de Fermi se aproxima a la de Ei para altas temperaturas.

E JEMPLO 7.4

Dado que en el presente caso NA 1019 m3 y que, segn el Ejemplo 7.1, NV 5 95 1024 m3 , al sustituir en (7.28) obtenemos que EF EV kT ln NV NA 0 025 ln 5 95 1024 1019 0 33 eV

Teniendo en cuenta que Eg 1 1 eV, comprobamos que el nivel de Fermi est comprendido entre EV y Ei .

7.4. Conductividad elctrica en semiconductores


Segn ya vimos en temas anteriores, para un metal la conductividad elctrica vena dada por

e n

siendo su dependencia con la temperatura del tipo T 1 . Esta dependencia con la temperatura provena bsicamente de la movilidad puesto que la concentracin de electrones en la banda apenas variaba con la temperatura1 . En un semiconductor, debido a la presencia de dos tipos de portadores de carga, la conductividad elctrica deba expresarse como

enn p p

encontrndose experimentalmente una dependencia con la temperatura tal que existe una relacin lineal entre el ln y el inverso de la temperatura, 1 T . A continuacin veremos que esta dependencia puede ya explicarse a partir de las expresiones obtenidas anteriormente en el tema. Semiconductor Intrnseco Dado que en este caso n p

ni , (7.1) puede reescribirse como (7.29)

en p ni

En los semiconductores (y al contrario de lo que ocurre en los metales), la conductividad muestra una dependencia con la temperatura tanto en las movilidades como en la concentracin intrnseca. Al sustituir (7.16) en (7.29) obtenemos que

1 Recurdese

en p NC NV exp

2kE T
g B

que en un metal n apenas variaba con T dado que el cambio de la situacin energtica de los electrones en la banda debido a la excitacin trmica era muy pequeo con respecto a la situacin existente a T 0 K.

Para las movilidades se encuentra una dependencia con la temperatura del tipo T 3 2 y dado que NC NV , segn (7.8) y (7.10), muestra una dependencia del tipo T 3 2 , ello implica que la conductividad puede nalmente escribirse como

0 exp

Eg 2kB T

(7.30)

donde 0 es una constante que slo depende de los parmetros del material pero no de la temperatura. Esta expresin explica satisfactoriamente los resultados experimentales encontrados anteriormente y muestra que la conductividad en los semiconductores intrnsecos es altamente dependiente del valor de la anchura de la banda prohibida y de la temperatura de trabajo. Esto ltimo nos indica que los semiconductores intrnsecos deben operar en unas condiciones de temperatura controlada para evitar que las propiedades de los dispositivos se vean muy afectadas. Semiconductor Extrnseco El estudio de la conductividad elctrica en los semiconductores extrnsecos es ms complicada que en los intrnsecos, por lo que no abordaremos su estudio. No obstante, podemos resaltar que ese estudio nos dara la dependencia que muestra la gura adjunta para el ln con el inverso de la temperatura, 1 T . Dado que los semiconductores extrnsecos se comportan como los intrnsecos a altas temperaturas, la gura muestra a temperaturas altas (parte izquierda de la grca) la misma pendiente que para el caso intrnseco. A temperaturas no tan altas, ln muestra el mismo tipo de comportamiento aunque con otra pendiente.

E JEMPLO 7.5 T 500

1350

2 p 480 2

300

Teniendo en cuenta el resultado del ejemplo 7.1, al sustituir en la expresin (7.29), llegamos a que

300 K

1 6 10 19 0 135 0 0481 42 10 15

4 15 105 m1

Para calcular la conductividad a T 500 K, suponemos que la variacin ms notable con la temperatura se debe nicamente a la dependencia en la exponencial, por lo que podemos escribir que

T T
y, por tanto,

500 K 300 K

exp

11 2 8 625 10 5

1 1 500 300

4927

500 K

0 2 m1

7.5. Corrientes de Arrastre y Difusin


Hasta ahora, la nica corriente que se ha estudiado es la relacionada con el movimiento de cargas provocado por la presencia de un campo elctrico externo E . Esta corriente se denomin corriente de arrastre y su forma para electrones y huecos era Jp arr Jn arr e p pE en nE (7.31a) (7.31b)

E
Movimiento corriente

En este apartado se ver que adems de este tipo de corriente existe otro tipo, denominado corriente de difusin, que aparece siempre que exista una distribucin no uniforme de portadores de carga.

7.5.1. Proceso de difusin


Empecemos considerando algunos ejemplos de este tipo de procesos: Proceso por el que las partculas de un gas inicialmente situado en cierta regin de un recinto se expande por todo el recinto. Proceso por el que una gota de tinta en un lquido va diluyndose hasta que todo el lquido se colorea. Proceso por el que el perfume que inicialmente estaba en un rincn de una habitacin cerrada se va extendiendo hasta que toda la habitacin queda perfumada. El origen de los procesos de difusin anteriores hay que buscarlo en el movimiento errtico de agitacin trmica que muestran las partculas. Este procedimiento junto con los consiguientes choques con otras partculas y con las paredes del recinto hace que las partculas traten de extenderse por todo el recinto que las contiene. Tras cada choque, las partculas tienen igual probabilidad de dirigirse en cualquier direccin, lo que da lugar a que exista una transferencia neta o ujo de partculas desde las zonas ms pobladas a las menos pobladas. Este proceso de difusin dura hasta que se homogeniza la concentracin, , de partculas en el recinto (la permanente agitacin trmica ya no provoca una transferencia neta de partculas). Por consiguiente, podemos decir que

La causa del proceso de difusin es la existencia de concentraciones no uniformes de partculas, x.


Dado que una concentracin inhomognea implica que d x dx 0

podemos decir que el proceso de difusin ocurre mientras exista un gradiente de concentracin (en una dimensin el gradiente de una funcin f x es precisamente su derivada respecto a x). En este sentido, el ujo de partculas (nmero de partculas por unidad de rea) por unidad de tiempo en la posicin x, x, se encuentra que es proporcional al gradiente de la concentracin, x por lo que podemos escribir que x d x dx

x D d dx

(7.32)

donde D es el coeciente de difusin en el proceso. El signo menos en la expresin anterior indica que el movimiento de las partculas se produce desde donde hay ms concentracin hasta donde hay menos, es decir, en el sentido decreciente de la concentracin.

7.5.2.

Corriente de difusin

En un semiconductor donde tenemos portadores libres de carga (esto es, gases de electrones y de huecos) tambin pueden darse procesos de difusin si la concentracin de portadores no es homognea. No obstante, dado que los portadores son partculas cargadas, existen algunas diferencias importantes con las situaciones descritas en el proceso anterior (que slo implicaban a partculas elctricamente neutras). En primer lugar un ujo de partculas cargadas originar obviamente una corriente elctrica, que se conoce como corriente de difusin. Por otra parte, el origen de las inhomogeneidades de portadores libres proviene de una distribucin no uniforme de impurezas, y stas cuando se ionizan permanecen bsicamente inmviles mientras que los electrones o huecos asociados a stas son prcticamente libres. Esto implica que los procesos de difusin de portadores libres dan lugar a una descompensacin espacial de la carga que provoca la aparicin de un campo elctrico que tiende a oponerse al propio proceso de difusin. Si las concentraciones de electrones y huecos en el semiconductor son no uniformes, los ujos de difusin vendrn dados por p x n x

x D d p dx dnx D dx
p n

(7.33a) (7.33b)

siendo Dn y D p los coecientes de difusin para e y h respectivamente. La densidad de corriente de difusin para electrones y huecos

se obtendr simplemente multiplicando la carga por el ujo de difusin de partculas por unidad de tiempo, por lo que Jp dif x Jn dif x

p(x)

Movimiento

corriente

n(x)

x eD d px D d p dx dx x eD dnx e D dn dx dx e
p p n n

(7.34a) (7.34b)

Electrones y huecos se mueven en el mismo sentido si sus respectivas concentraciones varan del mismo modo. En este caso, sus corrientes de difusin resultan en sentidos opuestos.

7.5.3. Corriente total


Si adems del proceso de difusin, el semiconductor est sometido a un campo elctrico externo, E x, entonces la densidad de corriente de electrones, Jn x, y la de huecos, J p x, debern incluir trminos correspondientes a los dos procesos simultneos de movimiento de cargas que ocurren en el semiconductor, a saber, arrastre y difusin: Jp x Jn x Jp arr x Jp dif x Jn arr x Jn dif x e p pxE x

x eD d p dx
p

(7.35) (7.36)

en nxE x eDn

dnx dx

Existe una relacin entre los coecientes de difusin y movilidad, que se conoce como relacin de Einstein, que establece la siguiente relacin: Dn p n p kB T q (7.37)

siendo q la carga elemental de los portadores de carga en el proceso, en nuestro caso e. La densidad de corriente total en el semiconductor, J total x, ser obviamente la suma de las correspondientes a electrones y huecos, esto es, (7.38) Jtotal x Jn x Jp x cuyos sentidos se muestran en la Fig. 7.1. Es importante sealar que la corriente de arrastre es proporcional a la concentracin de portadores, por lo que los portadores minoritarios apenas contribuiran a esta corriente de arrastre. Por otra parte, dado que la corriente de difusin es proporcional al gradiente de la concentracin, entonces aunque la concentracin de minoritarios pudiera ser rdenes de magnitud ms pequea que la de mayoritarios, su gradiente s puede ser del mismo orden o incluso mayor y, en consecuencia, contribuir muy signicativamente a la corriente de difusin y, por ende, a la corriente total. Este importante resultado puede resumirse como


E(x)


MOVIMIENTO CORRIENTE

n(x)

ARRASTRE

p(x)

DIFUSIN

F IGURA 7.1: Sentido de las corrientes de difusin y de arrastre para electrones y huecos.

los portadores minoritarios pueden contribuir signicativamente a la corriente total mediante procesos de difusin.

7.5.4.

Campo elctrico interno

En un semiconductor con un dopaje no uniforme de impurezas (esto es, con una concentracin inhomognea de portadores), en ausencia de campo externo aplicado y en condiciones de equilibrio, la corriente total, tanto de electrones como de huecos, debe ser cero 2 : Jn x Jp x 0

Semicond Inhomog

I=0

A
Jp=Jp,d fi+Jp,arr
Jp,d fi Ei

Por ejemplo si se considera el caso de un semiconductor tipo p dopado inhomogneamente, p px, es claro que inicialmente existir una corriente de difusin de huecos debido a la existencia de un gradiente no nulo en la concentracin de huecos, J p dif 0. Dado que en el equilibrio la corriente total de huecos es nula, esta corriente de difusin de huecos debe verse compensada por una corriente de arrastre de huecos en sentido contrario. Claramente, esta corriente de arrastre debe estar originada por la aparicin de un campo elctrico interno, E i , que sea responsable de la creacin de dicha corriente. Tal como se ha discutido en al Apartado 7.5.2, el origen de este campo elctrico interno puede entenderse partiendo del hecho de que la muestra era originalmente neutra. Podemos ver que existen dos tendencias contrapuestas en el semiconductor dopado no uniformemente. Por una parte existe una tendencia hacia la inhomogeneidad de los portadores libres debido a la atraccin elctrica de las impurezas ionizadas que, buscando la neutralidad local de la carga, tiende a igualar la distribucin de impurezas ionizadas con la de portadores libres. Por otra parte, a causa de la difusin (que solo afecta a las cargas mviles), existe una tendencia a la homogenizacin de la concentracin de
que si la corriente fuese distinta de cero se estara generando energa de la nada dado que al paso de la corriente hay resistencia.
2 Ntese

portadores. Ambas tendencias tienden a contrarrestarse, dando lugar a una distribucin nal de portadores intermedia entre la distribucin inicial de impurezas y la homogenizacin total. En este sentido, el proceso de difusin genera un movimiento neto de los portadores de carga que provoca la aparicin de una densidad de carga neta, x, en la muestra. A su vez, la aparicin de esta densidad de carga neta dar lugar a un campo electrosttico y, consecuentemente, a un potencial electrosttico, V x.3 Teniendo en cuenta que Jp x e p pxE i x

x D dp dx
p

podemos obtener, tras despejar, la siguiente expresin para el campo elctrico interno: D p 1 d px kB T 1 d px kB T d ln px (7.39) Ei p px dx e px dx e dx
1
Jp,dif(x) Jp,arr Ei(x)

Dado que este campo es irrotacional puro (proviene nicamente de las cargas elctricas), E i derivar de un potencial V , Ei

x dVdx

V1

V2

kB T d dV x ln px (7.40) dx e dx Si integramos la ecuacin anterior entre dos puntos arbitrarios, 1 y 2,

y por tanto (7.39) puede reescribirse como

dV
1

k eT
B B

d ln p
1

encontramos nalmente que V21 p k eT ln p


2 1

(7.41)

donde V21 V2 V1 y p1 p2 son las concentraciones de huecos en los puntos 1 y 2 respectivamente. Es interesante notar que la expresin anterior nos dice que

la diferencia de potencial que se establece entre dos puntos de una muestra de semiconductor no homogneo slo depende de la relacin entre las concentraciones en estos puntos y no de la distancia entre los puntos o de la forma de la concentracin entre estos puntos.
potencial electrosttico, V x, estar relacionado con la densidad de carga, x, mediante la siguiente ecuacin:
3 Este

d 2V x dx2

A partir de (7.41), encontramos la siguiente relacin entre las concentraciones en funcin de la diferencia de potencial: p2 p1 exp

eV k T
B

21

(7.42)

nes4 ,

Si el proceso anterior se hubiese hecho para la corriente de electroprocediendo de una forma anloga se hubiese llegado igualmente a que eV21 n2 exp (7.43) n1 kB T

Combinando ahora las expresiones (7.42) con (7.43) obtenemos que p2 p1 n1 n2

n1 p1

n2 p2

Dado que los puntos 1 y 2 son puntos arbitrarios y el producto de la concentracin de huecos por electrones viene jado por la ley de accin de masas (7.15), encontramos la siguiente expresin general de la ley de accin de masas: nx px n2 i (7.44)

Nd x

E JEMPLO 7.6

N0 expax Nd ni

a 1 1

(a) Partiendo de que Jn x 0 y siguiendo un proceso anlogo al realizado en la seccin anterior, llegamos a que Ei

kB T d ln nx e dx

que en nuestro caso, admitiendo que nx Nd x, se convierte en Ei kB T a e

(b) Sustituyendo los valores oportunos tenemos que Ei 0 0259 10 6 259 V/m

que si p px, esto implica que n nx dado que donde hay mayor concentracin de huecos, habr mayor recombinacin y por tanto esto afectar a la concentracin de electrones.
4 Notar


7.6.

Velocidad de generacin y recombinacin

Antes de analizar la generacin y recombinacin de portadores vamos a discutir brevemente algunas cuestiones relacionadas con el equilibrio. Es bien conocida la propiedad natural de todo sistema fsico de responder a una accin mediante una reaccin. La accin puede ser interna (realizada desde dentro del sistema) o bien externa mientras que la reaccin ser siempre interna. En funcin del balance entre la accin y la reaccin del sistema diremos que ste presenta Equilibrio estadstico Cuando el efecto combinado de la accin/reaccin produzca una situacin en la que las variables del sistema slo muestren pequeas uctuaciones en torno a un valor medio jo en el tiempo. Equilibrio trmico Cuando no se ejerce accin externa sobre el sistema, salvo el efecto de la temperatura. Desequilibrio estacionario Existe accin externa pero tras cierto tiempo de transicin (usualmente muy pequeo) se alcanza una situacin en la que las variables del sistema permanecen constantes en el tiempo. No equilibrio Cuando las variables del sistema varan con el tiempo. En un semiconductor en equilibrio trmico ya se discuti en el Apartado 6.2 que el proceso de generacin de portadores de carga era interno (generacin trmica fundamentalmente), debindose cumplir adems que la velocidad de generacin interna, Gint , fuese igual a la velocidad de recombinacin, R, ver expresin (6.3). Si existen acciones externas, adems de los procesos de generacin interna, pueden darse otros procesos de generacin debidos a causas externas, Gext : iluminacin, campos intensos aplicados, etc, que rompen la situacin de equilibrio. Si consideramos que en estas situaciones de todos los procesos de generacin/recombinacin slo crean/destruyen pares de e h , entonces es conveniente introducir el concepto de velocidad de recombinacin neta, U , que se dene como la diferencia entre la velocidad de recombinacin y la de generacin interna, U R Gint (7.45)

(Es interesante notar que esta magnitud nos informa sobre los procesos internos, es decir, recombinacin y generacin interna de pares e h ). Dado que la accin externa provoca una descompensacin entre los procesos de generacin y recombinacin, existir una variacin de las concentraciones de portadores con el tiempo, que pueden


expresarse como

n t p t

g r g r

Gn ext G p ext

U U
r np

(7.46a) (7.46b)

Teniendo en cuenta la expresin (6.1) para la velocidad de recombinacin, R, y que segn (6.3) Gint Rint r n2 i , la velocidad de recombinacin neta puede escribirse como U R

int

r np

2 r i

n
2 i

(7.47)

Ntese que en una situacin de no equilibrio no tiene por qu cumplirse la ley de accin de masas. Si la concentracin de portadores fuera del equilibrio se expresa en trminos de la concentracin de portadores en equilibrio (lo cual se denotar a partir de ahora con el subndice 0) y de la concentracin de portadores en exceso (denotados por el smbolo ), podremos escribir que n p n0 n p0 p (7.48a) (7.48b) n n0 n

Teniendo en cuenta las expresiones anteriores y que la ley de accin de masas exige que n0 p0 n2 i , encontramos que la expresin (7.47) puede reescribirse como U

r p0 n n0 p n p

(7.49)

Si suponemos que la accin externa genera el mismo nmero de electrones que de huecos [ nt 0 pt 0], y puesto que los e y h se recombinan por pares, entonces el exceso instantneo de ambos tipos de portadores ser tambin idntico,

nt

pt

Bajo este supuesto, en un semiconductor tipo n tal que p 0 n0 y en condiciones de inyeccin dbil (esto es, n n 0 ), la velocidad de recombinacin neta puede expresarse como U

n p

n0 p0

n p

r n0 p

p p

(7.50)

donde la constante p 1 r n0 se denomina tiempo de vida media de los portadores minoritarios. En el caso anterior, la ecuacin que nos da la variacin temporal de la concentracin de los portadores minoritarios debido a los procesos de generacin y recombinacin vendra dada por

p t

gr

p t

gr

G p ext

p
p

(7.51)


7.7. Ecuacin de continuidad

En el Apartado 7.6 ya discutimos que cuando se produce una generacin neta de portadores en un semiconductor como consecuencia de una accin exterior, el semiconductor reacciona oponindose a dicha generacin mediante una recombinacin neta, tanto ms importante cuanto mayor sea la generacin debida a la causa externa. Cuando ambas tendencias se contrarrestan mutuamente se alcanza un rgimen estacionario (o desequilibrio estacionario), pudindose considerar el equilibrio como un caso particular de rgimen estacionario cuando no existe accin externa alguna. Si la accin exterior cambia con el tiempo ello dar lugar a un rgimen dinmico (situacin de no equilibrio) en el que predominar una de las dos tendencias de accin o reaccin. Para el anlisis general de un rgimen dinmico debe tenerse en cuenta que la accin y la reaccin no tienen por qu ocurrir en los mismos puntos. La generacin por causas externas puede ocurrir en cierto lugar y los portadores generados pueden originar corrientes que los llevan a recombinarse en otros lugares distintos. Las ecuaciones que rigen el proceso dinmico general se denominan ecuaciones de continuidad de las concentraciones de portadores. En el caso de un semiconductor, la variacin en el tiempo de la concentracin de portadores minoritarios en un elemento de volumen, d V , puede deberse a dos causas distintas: 1. 2. Generacin y/o recombinacin neta, Transporte o ujo variable de portadores a travs del volumen.

En consecuencia, para un semiconductor tipo n, la variacin temporal total de la concentracin de portadores minoritarios (huecos), vendr dada por

p t incremento neto del nmero de huecos por unidad de tiempo en d V diferencia entre el nmero de h entrando y saliendo de d V en unidad tpo.

p t

transp

p t

genrec

(7.52)

nmero de h generados en d V en la unidad de tpo. debido a accin ext. velocidad de gener. h en d V debido a acciones externas

nmero de h recombinados en d V en la unidad de tpo

velocidad de recomb. neta de h en d V

p t

p t

transp

Gext

int

La expresin anterior puede entenderse diciendo que si en d V se acumulan 3 h por unidad de volumen en la unidad de tiempo puede ser debido a que han entrado 12, han salido 11, se han generado por acciones externas 3, por acciones internas 1 y se han recombinado globalmente 2.
D x

dV

J(x+D x)

J(x)
A
Generacin/Recombinacin de portadores

La variacin de la concentracin debida a la generacin/recombinacin de portadores fue analizada en el apartado 7.6 donde se obtuvo en (7.51) para la concentracin de portadores minoritarios que

p t

genrec

G p ext

p
p

Para obtener el nmero de h que entra por unidad de tiempo en d V a travs de la supercie en x, p x, se puede dividir la densidad de corriente de huecos J p x por la carga e para obtener el nmero de huecos por unidad de tiempo y supercie que entra en el elemento diferencial. Al dividir Jp x por la longitud del elemento diferencial x, se obtendr ya nalmente p x y anlogamente para p x x. Por tanto p 1 Jp x Jp x x t transp e x

x xx

que al tomar el lmite x

0, puede reescribirse como

px t t

transp

J x t 1 e x
p

Al agrupar los trminos de generacin/recombinacin con los trminos de arrastre, en condiciones de inyeccin dbil, la ecuacin de continuidad para huecos vendr dada nalmente por

px t t n x t t

1 Jp e x

p G p ext p

(7.53)

Anlogamente para electrones se tendr que 1 Jn e x

n G
n

n ext

(7.54)


7.7.1. Ecuacin de difusin

En muchas situaciones prcticas tenemos una muestra homognea (la densidad de impurezas es uniforme es todo el material) donde encontramos que la corriente de difusin de portadores minoritarios es mucho mayor que la de arrastre, admitiendo adems que no existe generacin de portadores en el volumen del semiconductor debida a agentes externos, G ext 0. En estas situaciones (en el caso de que los minoritarios sean los huecos) se tiene que la corriente total de huecos vendra dada por Jp

p eD p eD xp x
0 p p

(7.55)

Al sustituir la expresin anterior en la ecuacin de continuidad (7.53) obtenemos la siguiente ecuacin de difusin de minoritarios (en este caso, huecos): p 2 p p Dp (7.56) t x2 p

y similarmente si los minoritarios fuesen los electrones:

n t

Dn

2 n x2

n
n

(7.57)

7.7.2. Inyeccin constante de portadores


Una de las situaciones de mayor inters prctico que puede analizarse mediante la ecuacin de difusin es aquella situacin estacionaria que se mantiene gracias a una inyeccin constante de portadores que hace que el exceso en la concentracin de minoritarios no vare con el tiempo, es decir (para el caso de huecos),
x=0
Se mantiene un exceso de portaores para todo x En x=0 , d p(x=0) = D p

p t

Para el caso de una muestra homognea de semiconductor tipo n en condiciones de inyeccin dbil y generacin externa nula en el volumen, la ecuacin de difusin (7.56) para los minoritarios puede expresarse como d2 p p p (7.58) 2 dx D p p L2 p D p p se conoce como longitud de difusin para huedonde L p cos. (Ntese que las derivadas que aparecen en la ecuacin son totales). Si, por ejemplo, se supone que un exceso de huecos son inyectados en el semiconductor a travs de la supercie en x 0, tal que px 0 p, al resolver (7.58) obtenemos que

px

Aex

Lp

Bex L


Dado que la solucin anterior no puede crecer para x A debe hacerse cero. Por otra parte, dado que , la constante

px
tenemos nalmente que px

B
p(x)

p0 p ex

Lp

(7.59)
D p p0 x

Esta expresin da una idea de la distancia (en la prctica un nmero escaso de veces L p ) a la cual prcticamente se recupera el equilibrio. En rigor, L p puede interpretarse como la distancia media en el movimiento de difusin del h antes de recombinarse.

7.8. Problemas propuestos


7.1: La energa de la banda prohibida del germanio puro es E g 0 67 eV. (a) Calcular el nmero de electrones por unidad de volumen en la banda de conduccin a 250 K, 300 K y 350 K. (b) Hacer lo mismo para el silicio suponiendo que E g 1 1 eV. La masa efectiva de los electrones y huecos son en el germanio es 0 12 m e y 0 23 me , y en el silicio 0 31 me y 0 38 me , donde me 9 1 1031 kg es la masa de electrn libre. Sol. [en m3 ] (a): 0 023 1019 , 0 40 1019 , 3 24 1019 ; (b): 0 032 1016 , 0 29 1016 , 7 7 1016 7.2: Supngase que la masa efectiva de los huecos en un material es cuatro veces la de los electrones. A que temperatura el nivel de Fermi estar un 10 % por encima del punto medio de la banda prohibida. Eg 1 eV. Sol. T 557 6 K 7.3: La anchura de la banda prohibida para el Ge es Eg 0 67 eV. Las masas efectivas 0 12me y m 0 23me (me es la masa de electrones y huecos son respectivamente m e h del electrn libre). Calcular a 300 K: a)la energa de Fermi; b) la densidad de electrones; y c) la densidad de huecos. Sol. (a) EF EV 0 3476 eV; (b) n ni 4 05 1018 m3 ; (c) p n ni . 7.4: Los valores de la conductividad del germanio puro a las temperaturas en K: (300,350,400, 450,500) son respectivamente en 1 m1 : (2,13,52,153,362). a) Hacer una grca de ln frente a 1 T . b) Determinar Eg para el germanio. Sol. Eg 0 67 eV. 7.5: En el tema se ha visto que la introduccin de tomos donadores puede incrementar fuertemente la concentracin de electrones en BC. Por otra parte, la ley de accin de masas nos dice que este incremento implica una disminucin igualmente fuerte en la concentracin de huecos en BV. Explique las razones fsicas de esta importante disminucin de huecos. 7.6: La conductividad del Ge puro se incrementa en un 50 % cuando la temperatura pasa de 20 a 30 grados centgrados. a) Cul es la anchura de la banda prohibida?; a) Teniendo en cuenta que para el Si, Eg 1 1 eV, cul es el porcentaje de cambio en la conductividad para el mismo cambio de temperatura?. Sol. (a) Eg 0 61 eV; (b): 105 %. 7.7: Cunto tiempo tardar un electrn en recorrer 1 m en Si puro sometido a un campo elctrico de 100 V/cm?. Repita el clculo para un campo de 105 V/cm.

7.8: Una muestra de Si es dopada con 5 1016 cm3 tomos donadores y 2 1016 cm3 tomos aceptores. Encuentre la posicin del nivel de Fermi respecto al intrnseco a 300K. 7.9: utiliza como resistencia de una zona de un circuito integrado una barra de silicio tipo N de 2 mm de longitud y de 2 5 105 m2 de seccin. Sabiendo que la concentracin de tomos donadores es ND 5 1013 cm3 y que la movilidad de electrones es n 1500 cm2 /Vs, determinar su resistencia a 300 K demostrando que la contribucin de huecos es despreciable a la conductividad. Datos: p 475 cm2 /(Vs); ni 1 45 1016 m3 Sol. R 66 . 7.10: A una barra de Ge de 10 cm de longitud y 2 cm2 de seccin se le aplica una d.d.p. de 10 V entre sus extremos. Conociendo como datos la concentracin intrnseca de portadores, ni 2 36 1019 m3 , que n 300K 0 39 m2 /(Vs) y que p 300K 0 182 m2 /(Vs), determinar : a) la resistividad del Ge; b) la resistencia de la barra; c) la velocidad de arrastre de electrones y huecos; y d) la corriente que circula por la barra. Sol. (a) 0 462 m; (b) R 231 2 ; (c) vn 39 m/s, v p 18 m/s. 7.11: Una muestra de Ge tipo N posee una concentracin de impurezas donadoras dada por ND 1015 cm3 . Determinar la concentracin de electrones y huecos a 500 K sabiendo que la concentracin intrnseca viene dada por la expresin ni CT 3 2 expEg 2kT

siendo C 1 91 1021 m3 K3 2 , Eg 0 67 eV. Sol. p 8 34 1021 m3 , n 9 34 1021 m3 ] 7.12: Una muestra de Si es dopada con 1017 tomos/cm3 de fsforo. a) Qu valor tendr la resistividad del material?. b) Calcule la tensin Hall que se medira en una muestra de 100 m de espesos recorrida por una corriente de 1 mA y sometida a un campo magntico de 1 kG. 62 5 m. Sol.: a) 0 0893 cm; b) VH 7.13: Una muestra de Si a 300 K presenta dos niveles independientes de donadores con densidades ND1 1 1016 cm3 y ND2 2 1016 cm3 , localizados a 100 meV y 200 meV por debajo del borde inferior de BC. Supuesta ionizacin total de los donadores, obtenga la ecuacin de neutralidad de la carga para este caso y encuentre el valor de la concentracin de electrones en BC. Cmo cambiar este valor si se aaden impurezas aceptoras con una densidad de 0 9 1016 cm3 ?. 7.14: Una muestra intrnseca de InP es dopada con impurezas aceptoras desde un lado de tal mode que obtenemos un perl dado por NA z NA 0ebz , donde z representa la coordenada en el interior de la muestra y NA 0 la concentracin en la supercie. Adems se cumple que para z , NA ni , la concentracin intrnseca de portadores. a) Calcule el perl de dopado y encuentre una expresin para el campo ni . b) Obtenga el valor del elctrico que se instaurara en equilibrio trmico psi NA campo elctrico si b 2 m1 .

Tema 8

Unin p-n
8.1. Introduccin
Las aplicaciones elctricas y pticas ms interesantes de los semiconductores surgen cuando se dopan regiones vecinas con distintos tipos de impurezas. En este sentido, la mayora de los dispositivos electrnicos contienen al menos una unin entre un material tipo p y uno tipo n. Las uniones p-n son fundamentales para la realizacin de funciones tales como la recticacin, amplicacin y conmutacin tanto de seales electrnicas como optoelectrnicas. En consecuencia, podemos considerar a la unin p-n como el elemento bsico de la operacin de diversos componentes electrnicos y optoelectrnicos como diodo recticador, diodo Zener, diodo tnel, transistor bipolar, fotodiodo, LDR, clula fotovoltaica, diodo LED, lser de inyeccin, etc. Para el estudio de la unin p-n se usar un modelo simplicado que es la unin abrupta. Esta unin no es en sentido estricto la que se encuentra en los diversos dispositivos pero es sucientemente simple como para poder ser tratada cualitativa y cuantitativamente y, por otro parte, es sucientemente realista como para ofrecer un comportamiento fsico muy prximo al que ocurre en las uniones difusas. En principio estudiaremos la unin p-n en equilibrio (esto es, sin accin externa) para despus analizar el efecto de una polarizacin externa sobre la unin. Este efecto se estudiar en primer lugar desde un punto de vista cualitativo y posteriormente se obtendrn las expresiones de las diversas corrientes. Es interesante sealar el enorme cambio que se observa en la caracterstica I V de una unin p-n respecto a la caracterstica de una muestra homognea de semiconductor dopado (que se comporta como una simple resistencia). Aparecen nuevos efectos fsicos relacionados con la unin que abren muchas posibilidades al diseo de nuevos y ecaces dispositivos.

Una vez realizado el estudio bsico de las corrientes de la unin, estudiaremos tambin su comportamiento optoelectrnico con el ob129


jetivo de aplicarlo al anlisis de diversos componentes como el diodo LED y el diodo lser.

8.2. Unin p-n en equilibrio


NA ND S
Semiconductor Intrnseco

Tal como se ha comentado anteriormente, el estudio de la unin p-n en equilibrio se realizar usando el modelo de la unin abrupta sin excitacin externa y, por tanto, sin corriente neta en la unin. Esta unin abrupta estar constituida por una muestra original de semiconductor intrnseco de seccin S constante que es dopada uniformemente en un lado de la unin por impurezas aceptoras (de concentracin NA ) y en el otro lado por impurezas donadoras (cuya concentracin ser ND ).

n
8.2.1. Potencial de Contacto
Segn se discuti en el Apartado 7.5.2, al poner en contacto ntimo los dos lados de la unin p-n comenzar un proceso de difusin debido a la diferencia de concentracin de portadores en ambos lados n y simultneamende la unin. Se inicia un ujo de huecos de p te un ujo de electrones de p n . Este proceso de difusin contina hasta igualar las concentraciones en ambos lados de la unin debido al establecimiento de un campo electrosttico interno que se opone al movimiento de las cargas (ver Apartado 7.5.4). La ausencia de corriente neta en el equilibrio implica que Jarrastre Jdifusin

Los h que viajan desde p n provienen mayoritariamente de la ionizacin de las impurezas aceptoras en el lado p y, anlogamente, los e desde p n , de la ionizacin de las impurezas donadoras en el lado n. Tal como muestra la Fig. 8.1, este desplazamiento de portadores de carga, dejando tras de s un defecto de carga ja, provoca la aparicin de una regin de carga neta en las proximidades de la unin. Esta regin de carga neta, o regin de carga espacial/regin de transicin, est compuesta por cierta cantidad de cargas negativas jas en el lado p y la misma cantidad de cargas positivas en el lado n. El campo electrosttico interno se genera debido a la aparicin de estas cargas y es importante sealar que

el campo electrosttico est bsicamente localizado en la regin de carga espacial,


dado que fuera de esta regin el resto de la muestra es neutro dando as lugar a que el campo apenas se extienda ms all de la zona de transicin. La existencia de dicho campo electrosttico viene lgicamente acompaado de la aparicin de una diferencia de potencial

w x p n p E
VN VP EC EF EV EC EF EV ECP qVO EFP EVP ECN EFN VO

qVO EVN

Movimiento Difusin Arrastre Difusin Arrastre h+ h+ ee-

Corriente

F IGURA 8.1: Propiedades de la unin p-n en equilibrio

correspondiente, de tal modo que el potencial toma un valor Vn en la zona neutra n y Vp en la zona neutra p; siendo su diferencia V0 Vn Vp conocida como potencial de contacto 1 .

El clculo del potencial de contacto puede realizarse siguiendo, por ejemplo, las expresiones dadas en (7.41), esto es, V21 p ln kT q p
2 1

(q representa el mdulo de la carga del electrn y k cuenta la siguiente nomenclatura: V2 Vn V1 p1 Vp p p0 y V21 p2 Vn

kB ). Teniendo en

V0

pn0

donde el subndice n o p indica la regin de la unin y el subndice 0 que se est en situacin de equilibrio, la expresin anterior puede
puesto que el campo que lo crea slo existe en el interior de la muestra, no extendindose por el exterior.
1 Claramente, un voltmetro no podra medir este potencial de contacto


reescribirse como V0 En aquellos casos en los que p p0 NA y pn0 n2 i ND kT p p0 ln q pn0

(8.1)

la expresin para el potencial de contacto vendr dada por V0 kT NA ND ln 2 q ni (8.2)

Para obtener el diagrama de bandas de energa de la unin p-n debe considerarse lo siguiente: El nivel de Fermi de una muestra en equilibrio no depende de la posicin (ver Apndice E). La energa de los electrones y/o huecos en cada zona de la unin estar afectada por la presencia del potencial electrosttico. Teniendo esto en cuenta y considerando que p p0 y pn0 vienen dados por sus valores de equilibrio para puntos situados fuera de la regin de carga, se tendr a partir de (7.9), que NV exp NV exp

p p0 pn0

E E kT E E kT
Fp Fn

Vp

Vn

Teniendo en cuenta que segn (8.1), p p0 pn0 y que, en equilibrio, EF p exp qV0 kT exp exp qV0 kT (8.3)

EFn , obtenemos que

E E kT
Fp

Vp

exp

E E kT
Fn

Vn

lo que nos lleva a EV p

Vn

qV0

(8.4)

(Una expresin anloga podra obtenerse para la energa de las bandas de conduccin.) Tal como muestra la Fig. 8.1, la expresin (8.4) indica que las bandas de energa en cada lado de la unin estn separadas una cantidad igual al valor del potencial de contacto por el de la carga electrnica q.


8.2.2. Regin de carga espacial
En la regin de carga espacial tanto los electrones como los huecos estn en trnsito debido a la accin del campo electrosttico E . Esto hecho provoca que existan, en un instante dado, muy pocos electrones o huecos en esta regin. En consecuencia,

la carga espacial de la regin de transicin puede considerarse debida nicamente a las impurezas donadoras/aceptoras jas ionizadas.
Consideraremos, por tanto, que no hay portadores de carga libres en esta regin. El clculo de la carga neta en ambos lados de la regin de transicin debe tener slo en cuenta la concentracin de impurezas ionizadas, esto es, Q qND Sxn0 y Q

w
Zona Neutra Zona Neutra

qN Sx
A

p -xp0 0 xn0

n x

p0

Dado que el semiconductor era originalmente neutro, debe vericarse Q , lo que implica que que Q qND Sxn0 y por tanto ND xn0 NA x p0 (8.6) Esta expresin nos dice que las distancias de las zonas de carga espacial positiva y negativa son las mismas nicamente si ND NA . A medida que la concentracin de impurezas en una de estas zonas aumente, la longitud de esta zona disminuye. Si la anchura de la zona de carga espacial se denomina w xn0 x p0 (8.7) qNA Sx p0 (8.5)

la resolucin de la ecuacin de Poisson para el potencial electrosttico nos proporcionara la siguiente expresin: w 2 V0 q 1 1 NA ND
1 2

(8.8)

E JEMPLO 8.1 NA 4 1018

3 ND

1016

Potencial de Contacto: V0 kT NA ND ln 2 q ni 0 85 V


Anchura de la regin de carga espacial xn0 0 333 m x p0 8 3 ; w

0 334 m

Valor mximo del campo elctrico: m axE i

5 1 106 V/m.

8.3. Unin p-n polarizada


Una de las conclusiones ms importantes que obtendremos en este apartado es el comportamiento asimtrico que presenta la union p-n cuando sta es polarizada directamente (cuando la zona p est sometida a un potencial externo positivo respecto a la zona n) o inversamente. Esta asimetra en el comportamiento de la caracterstica V implica que la corriente puede uir casi libremente cuando la I unin se polariza directamente y apenas uye en polarizacin inversa. Tal como muestra la Fig. 8.2, una muestra de semiconductor dopado mostrara un comportamiento claramente recproco mientras que la unin p-n muestra un evidente comportamiento no recproco.

Semiconductor dopado

(a)

(b)

F IGURA 8.2: Caracterstica I V para (a): una muestra de semiconductor dopado; y (b): una unin p-n.

El anlisis del efecto de la aplicacin de un potencial externo a la unin se realizar, en primer lugar, mediante una descripcin cualitativa para ver cmo varan las corrientes en la unin y posteriormente se har un clculo explcito de estas corrientes.

8.3.1. Descripcin cualitativa de las corrientes en la unin


Para llevar a cabo este anlisis, supondremos que Se ha llegado a una situacin estacionaria.


Todo el voltaje aplicado al sistema aparece nicamente en la regin de carga espacial asociada a la unin. Las cadas de voltaje y los campos elctricos en el material que se encuentra fuera de la regin de la unin (esto es, las zonas neutras) son despreciables. La suposicin de que el efecto del voltaje externo aplicado a la unin aparezca nicamente en la regin de transicin es una aproximacin puesto que, en sentido estricto, debe existir una cada de potencial en las zonas neutras si hay un ujo de carga a travs de dichas regiones. No obstante, la resistencia de estas regiones neutras ser muy pequea en comparacin con la resistencia de la regin de carga espacial debido a la enorme diferencia en la concentracin de portadores de carga existentes en ambas zonas (la zona de transicin se ha supuesto despoblada de portadores de carga, es decir, con muy bajos valores de n o p, lo que hace que la conductividad de esta zona sea mucho menor que la de las zonas neutras). Este hecho provoca que la diferencia de potencial en las zonas neutras pueda despreciarse en la prctica respecto a la diferencia de potencial en la zona de transicin. El voltaje externo aplicado afectar a la barrera de potencial en la unin y, en consecuencia, al campo elctrico en el interior de la regin de transicin. Debido a ello es de esperar cambios en las diversas componentes de los ujos de corriente en la unin. Evidentemente, estos cambios se reejarn en una distinta conguracin de bandas para la unin y en un cambio en la anchura de zona de carga espacial (ver Fig. 8.3). A continuacin analizaremos los cambios en las diversas magnitudes debido a una polarizacin externa: Altura de la barrera de potencial. El potencial de contacto de equilibrio se ver afectado por la diferencia de potencial aplicada externamente de manera que la altura de la barrera de potencial resultante
f

en polarizacin directa, V V , disminuye para tomar el valor V V , en polarizacin inversa, V V , aumenta y se hace V V .
0 f r 0 r

Campo elctrico en la regin de transicin. En concordancia con los cambios en la altura de la barrera de potencial, el campo elctrico en la regin de transicin

disminuye en polarizacin directa, aumenta en polarizacin inversa.

Anchura de la regin de transicin. Dado que el campo elctrico proviene de las cargas jas descompesadas que aparecen en la regin de transicin y puesto que


(a) Equilibrio (V=0) (b) Polarizacin directa (V=Vf ) Vf
w p n p n p


(c) Polarizacin inversa (V= -Vr ) Vr

E (V0 -Vf )

Vn V0 Vp

(V0+Vr)

ECp qV0 EFp EVp EVn ECn EFn qVf

q(V0 -Vf)

q(V0+Vr)

Flujo de patculas (1) (2) (3) (4)

Corriente

Flujo de patculas

Corriente

Flujo de patculas

Corriente (1) Difusin huecos (2) Arrastre huecos (3) Difusin electrones (4) Arrastre electrones

F IGURA 8.3: Efecto de la polarizacin externa sobre la unin p-n.

las concentraciones de impurezas no cambian en cada lado de la unin, los cambios en la magnitud del campo elctrico deben ir acompaados de cambios en la anchura de la regin de transicin de modo que sta

disminuye en polarizacin directa, aumenta en polarizacin inversa.

Separacin de las bandas de energa. Puesto que el valor de la altura de la barrera de energa para los electrones es simplemente su carga multiplicada por la altura de la barrera de potencial electrosttico, tendremos que la separacin entre bandas viene dada por

en polarizacin directa: qV V , en polarizacin inversa: qV V .


0 f 0 r

Los efectos de la polarizacin se localizan bsicamente en la regin de transicin y sus proximidades, por lo que en el interior


de cada regin neutra la posicin relativa del nivel de Fermi en el diagrama de bandas se mantiene igual que en el equilibrio. En consecuencia, el desplazamiento de las bandas de energas por efecto del potencial externo aplicado provocar una separacin equivalente en los niveles de Fermi para cada lado de la unin, es decir (8.9) EFn EF p qV

Corrientes de difusin. En equilibrio, el campo elctrico interno se estableca de modo que contrarrestaba exactamente la corriente de difusin. En la situacin de no equilibrio impuesta por la polarizacin externa encontramos que

Polarizacin directa:

Polarizacin inversa:

al disminuir el campo elctrico en la regin de transicin, este campo ya no puede contrarrestar totalmente las corrientes de difusin, de modo que se iniciar un ujo de h de n y otro anlogo de e de p n . (Estas corrientes de p difusin se mantendrn en el tiempo debido al efecto de la batera). el campo en la regin de transicin aumentaba por lo que las corrientes de difusin sern en este caso aminoradas.

Corrientes de arrastre. Aunque parezca un poco sorprendente,

las corrientes de arrastre son relativamente insensibles a las variaciones en la altura de la barrera de potencial.
Debe notarse que la corriente de arrastre proviene de los portadores minoritarios que llegan a la regin de transicin y que son barridos por el campo en esta regin. En concreto, esta corrienn y por h de te estar mantenida por e que viajan desde p p n (por ejemplo, electrones del lado p que por difusin aparecen en la regin de transicin y son barridos por el campo llegando a la zona n). Dado que la concentracin de portadores minoritarios proviene de la generacin de pares e h (en el presente caso nicamente por efecto de la excitacin trmica) y sta no se ve afectada por el potencial externo aplicado, puede deducirse que esta corriente de minoritarios depende bsicamente de la velocidad de generacin de pares e h en las zonas respectivas y apenas del voltaje exterior2 . Por este motivo, esta corriente
hecho tambin puede verse como que el campo es capaz de barrer todos los portadores minoritarios que llegan a la unin y el ritmo de aparicin de estos portadores en la unin no se ve afectado por V
2 Este


de arrastre de minoritarios tambin se conoce como corriente de generacin. Corriente Total. La Fig. 8.3 muestra que la corriente total es la suma de las corrientes de difusin, que se producen desde p n , ms las de arrasn . Dado que ambas corrientes tre, cuyo sentido es desde p han sido analizadas anteriormente, tendremos para la corriente total que

Polarizacin inversa: Polarizacin directa:

Corriente de difusin disminuye considerablemente (se hace prcticamente despreciable). La nica corriente que queda es la relativamente pequea corriente de generacin en el sentido p n .

La corriente de difusin ( p n ) es ahora claramente favon ) aperecida mientras que la corriente de arrastre ( p nas vara. Esto da lugar a un incremento considerable de la corriente total en el sentido p n .

Ntese que la corriente de difusin en polarizacin directa puede crecer indenidamente mientras que esta corriente en polarizacin inversa slo puede disminuir hasta hacerse nula.

8.3.2. Clculo de las corrientes


A continuacin comprobaremos que en polarizacin directa, un voltaje aplicado, V , incrementa la probabilidad de que un portador se pueda difundir a travs de la unin en un factor dado por expqV kT . Esto har que la corriente de difusin presente una dependencia con respecto al voltaje aplicado del tipo Idif I0 dif eqV
kT

lo que provoca que el diodo presente un comportamiento claramente no recproco en su caracterstica I V (ver Fig. 8.2).

Para calcular la corriente total, deberemos obtener las corrientes de difusin en los lmites de la zona de carga espacial con las zonas neutras. Las corrientes de difusin se obtendrn como el gradiente de la concentracin de minoritarios pues supondremos que el gradiente de la concentracin de mayoritarios es despreciable. Para obtener la concentracin de minoritarios en las zonas neutras deberemos resolver la ecuacin de continuidad que, en el presente caso, se reducir a la resolucin de la ecuacin de difusin (cuestin tratada en el Apartado 7.7.1).


Inyeccin de portadores La concentracin de minoritarios en cada lado de la unin p-n variar con el voltaje aplicado debido al efecto de ste en la difusin de portadores a travs de la unin. En el equilibrio, la relacin entre las concentraciones de h a ambos lados de la unin viene dada por (8.3), esto es, p p0 eqV0 kT pn0 Al aplicar una tensin externa, V , la altura de la barrera de potencial vara desde V0 V0 V . Considerando que las regiones neutras mantienen todava un estado estacionario donde se pueden seguir aplicando las leyes encontradas para el equilibrio (las variaciones debidas al no equilibrio se han supuesto localizadas en la regin de transicin), todava podemos escribir para las concentraciones, justo en los lmites de las zonas neutras con la zona de transicin, que

p p x p0 pn xn0

eqV0 V

kT

(8.10)

En situaciones de inyeccin dbil, la concentracin de mayoritarios apenas variar con el voltaje aplicado [ pp x p0 p p0 ], luego (8.10) podr reescribirse como

p p x p0 pn xn0

p p0 pn xn0 pn xn0 pn0

eqV0

kT

eqV

kT

que, teniendo en cuenta (8.3), al agrupar trminos encontramos eqV


kT

(8.11)

La expresin anterior nos indica que la concentracin de minoritarios sufre un fuerte incremento (exponencial) en polarizacin directa respecto a la que exista en equilibrio. En polarizacin inversa (V 0), la concentracin sufrira igualmente una disminucin muy considerable. La polarizacin directa provoca, por tanto, una inyeccin constante de minoritarios en exceso, esto es, h en la zona neutra n y e en la zona neutra p. Usando la expresin (8.11), la concentracin de h en exceso en el borde de la regin de transicin con la zona neutra n vendr dada por pn pn xn0 y similarmente para e en el lado p, n p n p0 eqV
kT

n0

pn0 eqV

kT

(8.12)

(8.13)

Esta situacin de inyeccin constante de minoritarios fue ya estudiada en el Apartado 7.7.2, donde vimos que daba lugar a una difusin de estos minoritarios hasta que se recombinaban. Para el presente


cado tendremos que

pn xn n p x p

pn exn

Lp Ln

n p ex p

n p0 e

pn0 eqV

kT

qV kT

1e 1e

xn L p

(8.14a) (8.14b)

x p Ln

originando as la distribucin de portadores minoritarios en cada lado de la unin mostrada en la Fig. 8.4 (notar que xn y x p se toman positivos al introducirse en las regiones neutras n y p respectivamente).

-xpo

xno

p
n(xp) p(xn)

npo xp o

pno
o

xn

F IGURA 8.4: Distribucin de portadores minoritarios en cada lado de la unin.

La corriente de difusin de h en la zona neutra n puede calcularse a partir de la expresin (7.55), multiplicando sta por el rea, S, de la seccin transversal, para obtener I p xn p x qSD d dx
n n p n

qS

Dp pn xn Lp

(8.15)

lo que nos indica que la corriente de difusin de h en cada punto xn ser proporcional a la concentracin de h en exceso en dicho punto. La corriente total de huecos inyectada en el lado n a travs de la unin vendr dada por I p xn 0, esto es, I p xn 0 qSD p pn Lp qSD p pn0 eqV Lp
kT

(8.16)

Anlogamente, la corriente de electrones inyectada en el lado p ser In x p 0 qSDn n p0 eqV Ln


kT

(8.17)

Si se supone despreciable la recombinacin en la regin de transicin, los e que se inyectan al lado p (x p 0) deben haber atravesado la supercie situada en xn 0. Debido a este hecho, la corriente total


que cruza la unin en xn I Ip xn qS 0 puede escribirse como 0 In x p 0 eqV
kT

Dp Dn pn0 n p0 Lp Ln

Dado que la corriente total debe ser constante a travs del dispositivo (al no haber generacin ni acumulacin de carga neta), la expresin anterior nos proporciona justamente la corriente total para cada punto de la unin p-n, I I0 eqV
kT

(8.18)

donde I0 se conoce como corriente inversa de saturacin y tiene por valor I0 qS Dp Dn pn0 n p0 Lp Ln

La ecuacin (8.18), vlida tanto para tensiones aplicadas positivas o negativas, dice que, en polarizacin directa, la corriente p n crece exponencialmente con la tensin aplicada mientras que en polarizacin 0) tendremos una pequea corriente en sentido p n de inversa (V V mostrada en la Fig. 8.2(b) es valor I I0 . Claramente, la curva I una representacin grca de esta ecuacin.

Corrientes de portadores mayoritarios y minoritarios La corriente del diodo segn (8.18) fue calculada considerando nicamente la corriente de difusin de minoritarios3 dado que se supuso despreciable la corriente de arrastre de minoritarios en las zonas neutras. Por tanto la corriente dada por (8.15) representaba la corriente de minoritarios (huecos) en la zona neutra n, es decir, Ip xn qSD p pn exn Lp
Lp

I In(xn)

(8.19)

Dado que la corriente total, I , debe ser constante, la corriente de mayoritarios (electrones) en la zona neutra n vendr dada por In xn I

I x
p n

Ip(xn) xn

(8.20)

Lejos de la unin, la corriente en la zona neutra n es mantenida casi exclusivamente por e . Estos e deben uir desde dentro de la regin neutra hacia la unin para restituir aquellos e que se recombinaron con los h en exceso y para proporcionar la inyeccin de e a la zona p. En ltima instancia, el suministro de estos e lo realiza la batera.
3 Es interesante notar que I es justamente la magnitud de la corriente de difusin 0 que exista en equilibrio. Esta corriente de difusin de equilibrio era justamente igual a la corriente de arrastre en equilibrio, lo cual nos permitira interpretar (8.18) considerando que I0 eqV kT es la corriente de difusin e I0 la corriente de generacin (que no dependa del voltaje aplicado).


8.4. Lser Semiconductor

La idea inicial de realizar un lser usando materiales semiconductores parece que fue propuesta de forma esquemtica por J. von Neumann en 1953. Posteriormente Basov en 1961 llev a cabo un desarrollo terico ms completo que nalmente redund en la realizacin del primer lser semiconductor funcionando a 77K por R.N. Hall en 1962. El primer lser semiconductor a temperatura ambiente fue realizado en el ao 1970 por varios grupos rusos y en los ATT Bell Laboratories. El lser semiconductor suele denominarse diodo lser debido a que se basa en las propiedades fsicas de la unin p-n, al igual que los diodos de recticacin elctrica vistos anteriormente. Tambin se conocen estos lseres con el nombre de lseres de inyeccin debido a que el procedimiento de bombeo ms usado es la inyeccin de portadores en la unin p-n.

8.4.1. Propiedades elctricas


Conviene recordar algunas propiedades de los semiconductores que son relevantes en el contexto del laser de inyeccin: energa de un semiconductor es aproximadamente como se representa en la Fig. 8.5, donde se muestran los dos casos usuales de semiconducE E

Tal como se coment en el Apartado 6.2, la estructura de bandas de

BC
m Transicin Directa

BC
m

Eg

Eg k

Transicin Indirecta

k
M

BV
(a)

BV (b)

F IGURA 8.5: Esquema energtico de bandas realista de (a): un semiconductor directo y (b) un semiconductor indirecto.

tor directo (por ejemplo: GaAs) y semiconductor indirecto (Si, Ge...). En un semiconductor directo, un electrn puede realizar una transicin energtica desde el punto ms bajo de la BC al punto ms alto de la BV sin que ello implique un cambio signicativo en su momento. Por el contrario, en un semiconductor indirecto, la anterior transicin requerira un cambio importante de momento. En una estructura peridica de periodo espacial a (tpicamente a 1), el mayor cambio de momento permitido sera pmax h 2a


Por otra parte, teniendo en cuenta el valor del momento, p f h , de un fotn luminoso ( 104 ), encontramos la siguiente relacin: pf pmax 2a 104

Tal como se ha venido discutiendo en este tema, en la zona de transicin de una unin p-n se igualan los niveles de Fermi de ambas regiones dando lugar a un potencial de contacto, segn se muestra en la Figura 8.6(a). Si la anterior unin p-n se somete ahora a una fuente de
tipo n
BC

que nos indica que las diferencias de momento requeridas en una transicin indirecta no pueden ser satisfechas nicamente por la participacin de un fotn ptico. Debemos admitir entonces que la transicin anterior debe realizarse con la participacin conjunta de otro proceso que proporcione la cantidad de momento requerido (en concreto, participa un fonn, que puede verse como una oscilacin colectiva de la red). Por el contrario, en el caso de una transicin directa, los pequeos cambios de momento requeridos en el proceso s pueden ser satisfechos nicamente por un fotn.

tipo p

tipo n
BC

tipo p

Ec EF
BV

EFn

qV EFp
BV

Ev

(a)

(b)

F IGURA 8.6: Esquema energtico de la regin de transicin de una unin p-n (a): en equilibrio trmico y (b): sometida a una fuente de tensin externa que la polariza directamente.

tensin externa de modo que eleva el potencial del lado p con respecto al del lado n, lo que se denomina polarizacin directa, el esquema energtico resultante puede verse en la Figura 8.6(b). En esta situacin, los electrones del lado n se desplazarn hacia el lado p y anlogamente huecos del lado p viajarn hacia el lado n. En consecuencia, electrones y huecos se encontrarn en la misma regin espacial, siendo posible su recombinacin mediante las transiciones directas/indirectas que antes se mencionaron (ver Figura 8.7). Si en estas recombinaciones predomina la emisin espontnea, se tiene un LED (light emitting diode) y si por el contrario, predominan las emisiones estimuladas, se produce una accin lser. Si en los semiconductores de la situacin anterior se incrementan los niveles de dopaje, el efecto de las impurezas aadidas puede llegar


ENERGA LIBERADA EN LA RECOMBINACIN

REGIN DE TRANSICIN

Tipo n
RECOMBINACIN DE ELECTRONES Y HUECOS

+
Tipo p

+ +

FLUJO NETO DE ELECTRONES

+
F IGURA 8.7: Flujo de portadores en un diodo semiconductor polarizado direc-

tamente.

a distorsionar la estructura de bandas energticas del semiconductor. En el caso de un incremento de impurezas donadoras, la presencia de numerosos electrones no localizados hace que el nivel de Fermi del semiconductor aparezca en el interior de la Banda de Conduccin. En este caso el semiconductor se denomina degenerado. La Figura 8.8(a) muestra la situacin energtica a la que se llega en la regin de tran-

tipo n

tipo p

tipo n

tipo p

EFn
BC
eV

BC

EF EC
BV

EFp
BV
Estados electrnicos llenos a T=0K

EV
(a)

(b)

F IGURA 8.8: Esquema energtico de la regin de transicin de una unin p-n degenerada (a): en equilibrio trmico y (b) polarizada directamente.

sicin de una unin p-n degenerada en equilibrio trmico. Si a esta unin se le aplica una polarizacin directa, V , tal que qV Eg , se llega a la situacin mostrada en la Figura 8.8(b). Es importante notar que aunque estamos en una situacin de no equilibrio trmico, lejos de la regin de transicin y dentro de cada banda, se establece rpidamente un cuasi-equilibrio trmico (esto es, la dinmica de los electrones fuera de la regin de transicin no es inuenciada signicativamente por el campo externo aplicado). Esto posibilita la descripcin de los electrones en las bandas mediante la distribucin de Fermi-Dirac y se puede, por tanto, seguir usando el parmetro Energa de Fermi como caracterstico de esa banda.


8.4.2. Propiedades pticas
La interaccin de la radiacin con los semiconductores est fundamentalmente determinada por la estructura de bandas que stos posean. As, en un semiconductor homogneo La emisin se producir en la forma de fotones de energa igual a la anchura energtica de la banda prohibida, h Eg , dado que, dentro de cada banda, los electrones se mueven muy rpidamente hacia los niveles ms bajos/altos disponibles en la banda de conduccin/valencia. A este proceso se le denomina recombinacin electronhueco. La absorcin de radiacin puede producirse en un rango mucho ms ancho de frecuencias, denominndose a este proceso generacin de un par e h . La recombinacin de portadores ms probable en un semiconductor que forma una unin p-n se produce cuando electrones y huecos se encuentran en la misma regin espacial. Segn se ver ms adelante, para densidades de corriente moderadas, la radiacin emitida tiene caractersticas de emisin espontnea y nicamente a partir de cierta intensidad umbral, IU , se producir emisin estimulada. Dado que los procesos de emisin y absorcin mediante recombinacin o generacin de pares e h pueden considerarse como procesos de interaccin luz-materia, para que exista accin lser la cuestin es la siguiente:

Bajo qu condiciones la razn de emisin estimulada supera a la absorcin en una unin p-n en polarizacin directa?
Dado que los procesos de interaccin radiacin-semiconductor ocurrirn predominantemente en la regin de transicin, los procesos involucrados se suponen asociados a transiciones entre un grupo de niveles del borde inferior de la Banda de Conduccin y un grupo de niveles del borde superior de la Banda de Valencia (ver Figura 8.9). Debemos considerar que para que exista absorcin estimulada un electrn de BV tras tomar la energa de un fotn incidente transita un estado energtico en la BC. No obstante, este proceso no slo depende de la existencia de estados energticos en la BC sino tambin de que estos estados estn vacos, es decir, que no haya otros electrones ocupando ese estado. As, los procesos de absorcin estarn relacionados con la existencia de estados llenos en BV y vacos en la BC mientras que los de emisin lo estarn con la existencia de estados llenos en BC y vacos en BV. En concreto, las probabilidades de emisin y absorcin estimulada estarn relacionadas con


REGIN DE TRANSICIN
BC


NIVEL LASER SUPERIOR
Inversin de poblacin entre estos 2 grupos de niveles

Niveles electrnicos ocupados


tipo p
BV

tipo n

Niveles electrnicos vacos

NIVEL LASER INFERIOR

F IGURA 8.9: Niveles involucrados en la accin laser de una regin de transicin de una unin p-n degenerada.

1. 2. 3.

la densidad de la radiacin presente, u ; la probabilidad de ocupacin de los niveles de la banda de conduccin, fc E ; y la probabilidad de ocupacin de los niveles de la banda de valencia, fv E .

En este sentido se tiene que Emisin estimulada: proporcional al nmero de transiciones posibles entre los estados superiores llenos y los estados inferiores vacos. Absorcin estimulada: proporcional al nmero de transiciones posibles entre estados inferiores llenos y estados superiores vacos. La probabilidad de que un estado con energa E 2 en la Banda de Conduccin est ocupado y que un estado con energa E 1 en la Banda de Valencia est vaco es f c E 2 1

f E
v 1 1

o bien

fc 1

f
v

y por tanto el ritmo de transiciones de E 2 R2 B21 u fc 1

E1 ser

f
v

(8.21) E2 vendr dado por (8.22)

Anlogamente, el ritmo de transiciones de E 1 R1


2

B12 u fv 1

f
c

Para que el ritmo de emisin estimulada supere a la absorcin deber ocurrir que fc 1 fv fv 1 fc , que puede expresarse simplemente como (8.23) f c E 2 f v E 1


esto es, la probabilidad de ocupacin en el nivel de energa E2 en BC debe ser mayor que la del estado E 1 en BV. Dado que el tiempo de vida medio de los portadores es mucho mayor que el tiempo en que los electrones/huecos en ambas bandas alcanzan el equilibrio trmico, se supone que la probabilidad de ocupacin de los niveles energticos correspondiente a los electrones o huecos inyectados en la regin de transicin viene descrita por la estadstica de FermiDirac y por tanto

1 fc

1 exp

E2

E
kT

Fn

1 fv

1 exp

E1

E
kT

Fp

En vista de la anterior expresin, la condicin (8.23) viene dada por exp que puede reducirse a EFn E2

E
kT

Fn

exp

E1

E
kT

Fp

(8.24)

Fp

E2

(8.25)

La condicin de inversin de poblacin se da, por tanto, para aquellos niveles E2 de BC y niveles E1 de BV que satisfagan la condicin (8.25), esto es, los niveles de BC por debajo de E Fn y los niveles de BV por encima de EF p . Puesto que E 2 E1 es necesariamente mayor que la anchura de la banda energtica, Eg , podemos concluir nalmente que la condicin para que exista inversin de poblacin en la regin de transicin de una unin p-n directamente polarizada es

EFn

Fp

Eg

(8.26)

De todo lo expuesto anteriormente podemos concluir que la accin lser requiere : 1.

El semiconductor debe estar degenerado (ya que si no lo est, la diferencia entre los niveles de Fermi de la zona p y la zona n nunca puede superar la anchura energtica de la banda prohibida). La tensin de polarizacin debe exceder el valor Eg e El semiconductor debe ser directo (para que las posibles recombinaciones electrnhueco se realicen con la mayor probabilidad de emisin de fotones).

2. 3.

A pesar de cumplir las condiciones anteriores, una seria limitacin para la accin lser en los semiconductores es la absorcin de portadores libres. Esto se debe a que la estructura de bandas del semiconductor permite que un electrn de la Banda de Conduccin pueda interactuar con uno de los fotones emitidos de tal forma que el electrn pase a uno de los niveles superiores y vacos de dicha banda. Este


exceso de energa ser posteriormente liberado en forma de calor, dndose de esta manera transiciones energticas de valor h que pueden reducir considerablemente la densidad de emisin estimulada y por tanto dicultar la realimentacin de la accin lser. Segn se indic anteriormente, cuando la corriente de alimentacin del diodo lser es pequea, ste genera emisin espontnea, segn el mismo proceso que la emisin de un LED. Sin embargo, al aumentar la corriente de alimentacin (o anlogamente la tensin de polarizacin hasta conseguir que se cumpla (8.26)), se alcanza un nivel umbral donde se invierte la poblacin de electrones y comienza la accin lser. Este fenmeno puede observarse en la Figura 8.10 donde

F IGURA 8.10: Potencia de salida de un lser semiconductor en funcin de la corriente de alimentacin.

puede verse como por debajo de la corriente umbral, la intensidad luminosa proporcionada por el diodo es muy pequea, disipndose la mayor parte de la potencia de entrada en calor. A partir del umbral de intensidad, aumenta considerablemente la eciencia ptica del diodo, aunque debe tenerse en cuenta que si la intensidad umbral es alta, esto signica una considerable prdida de potencia en calor para mantener la accin lser. Las investigaciones actuales en los diodos lser van encaminadas a reducir esta corriente umbral y as asegurar funcionamientos muy duraderos a temperatura ambiente.

8.4.3. Estructura del lser semiconductor


La accin lser eciente requiere el uso de resonadores pticos. En el caso del diodo lser horizontal y tal como se muestra en la Figura 8.11, la realimentacin que concentra la emisin estimulada en el plano de la unin, proviene de los bordes pulidos del cristal semiconductor que actan como espejos debido al alto ndice de refraccin de los semiconductores ( 3 4), que hace que estas caras pulidas reejen aproximadamente el 30 %.

Una de las caractersticas ms determinantes en las propiedades del lser semiconductor es la estructura de las capas adyacentes a la


Regin activa Cara Reflectiva Haz lser

Regin de Transicin Sustrato

Cara de salida parcialmente reflectante

F IGURA 8.11: Las regiones reectantes producen accin lser en el plano de la unin en un diodo lser

capa activa (regin de transicin donde se realiza la accin lser). En los primeros diodos lser, todas las capas estaban construidas sobre la base del mismo material y por tanto se denominan homoestructuras. Posteriores desarrollos llevaron a la realizacin de lseres semiconductores en los que las capas adyacentes estaban construidas sobre la base de distintos materiales, denominndose heteroestructuras. Algunas caractersticas relevantes de ambas son Homoestructuras: No proporcionan un connamiento ptico ptimo ya que los ndices de refraccin de las diversas capas eran muy parecidos ver Figura 8.12(a). Esto exiga unas densidades de corrientes umbrales muy altas, IU cm2 50000 A cm2 (muchas prdidas por calor lo cual exiga trabajar a temperaturas de Helio lquido (T 77K) y poca vida media de los dispositivos) Heteroestructuras: Las capas presentan distintos ndices de refraccin, de forma que esto crea un efecto gua de onda (similar al de la bra ptica) que conna la luz en la capa activa, segn se muestra en la Figura 8.12(b). Adems, si las capas adyacentes poseen bandas energticas prohibidas de mayor anchura se reducir sustancialmente la absorcin por portadores libres. Este tipo de lseres puede ya funcionar en modo continuo a temperatura ambiente al ser IU cm2 2000 4000 A/cm2 , IU 1 2A.

El esquema con el que se realizan actualmente la mayora de los diodos lser comerciales consiste en una modicacin de la heteroestructura anterior que se muestra en la Figura 8.13. Esta estructura proporciona connamiento lateral para la luz, lo que reduce la corriente umbral hasta IU 60mA. Usando esta estructura, es posible fabricar sobre el mismo sustrato semiconductor, muchos lseres paralelos tipo-tiras y as conseguir potencias de hasta 10 vatios en modo continuo.


ESTRUCTURA LSER


PERFIL DEL CONFINAMIENTO NDICE DE REFRACCIN

P-GaAs GaAs Capa Activa N-GaAs

Lser de Homounin
Heterouniones P-GaAlAs GaAs Capa Activa N-GaAlAs N-GaAs

Lser de Doble Heterounin


F IGURA 8.12: Lser de homounin y heterounin, sealando el perl del ndice de refraccin y el connamiento luminoso.

Pozos cunticos Un tipo de connamiento distinto basado en fenmenos cunticos se ha conseguido mediante el uso de capas de material muy nas ( 10nm.) que se comportan respecto a los electrones como un pozo cuntico. La idea bsica del pozo cuntico se consigue al intercalar una capa muy na con una banda prohibida de anchura pequea entre capas gruesas con anchuras de banda prohibida mayores. Los electrones que pasan por esta conguracin de bandas pueden ser capturados en el pozo cuntico. Estos electrones capturados tienen suciente energa para permanecer en la Banda de Conduccin del material que
Contacto p-Ga1-xAlxAs GaAs Regin activa n-Ga1-yAlyAs 3m m Contacto Sustrato n-GaAs 0.2m m n-Ga1-zAlzAs Aislante

F IGURA 8.13: Heteroestructura tpica de los lseres semiconductores comer-

ciales


forma la na capa de pequea anchura de banda prohibida pequea, pero no para entrar en la capa de mayor anchura de banda prohibida. Si los pozos cunticos se colocan en una unin p-n de un diodo lser, permiten concentrar en capas muy nas los electrones y huecos, consiguiendo una ecaz recombinacin de stos que disminuye considerablemente la intensidad umbral. Adems, dado que las capas de connamiento tienen diferentes ndices de refraccin, tambin posibilitan el connamiento de luz. Longitud de onda En general, los medios activos de los diodos lser presentan altas ganancias, de forma que no se requieren muchas oscilaciones en la cavidad resonante para producir accin lser. Dado que tpicamente la regin que acta de cavidad tiene una longitud de 300 500 m., los modos resonantes de esta cavidad estn ms separados que en otros lseres (cuyas cavidades resonantes son al menos de 1030 cm.) y como resultado, la mayora de los diodos lser normalmente oscilan a una sola frecuencia al mismo tiempo. No obstante, debido a que la anchura de la curva de ganancia es grande, el diodo lser puede emitir distintas longitudes de onda (saltando de una resonante a otra) dando lugar a un funcionamiento bastante inestable. Este fenmeno puede solucionarse mediante el uso de dispositivos aadidos de sintonizacin y estabilizacin.

Divergencia del haz Otra caracterstica importante del diodo lser es la inusual divergencia del haz emitido. La geometra de la pequea cavidad junto con la minscula rea de emisin (generalmente una pequea rendija del orden de los m 2 ) se combinan para producir un haz no circular que se dispersa muy rpidamente, tpicamente del orden de 40 grados. Se encuentra por tanto que los rayos de un diodo lser divergen ms rpidamente que los de una buena lmpara de ash. Afortunadamente, el uso de una ptica adecuada permite una buena focalizacin del haz y as, por ejemplo, los diodos lser se usan como fuente de luz de los punteros lser. Modulacin Segn puede observarse en la Figura 8.10, la salida ptica del diodo lser depende linealmente de la corriente que circula a travs de ste. Esta simple dependencia lineal hace que la modulacin del haz pueda conseguirse modulando directamente la corriente de alimentacin, constituyendo este hecho una de las principales ventajas de los lseres de inyeccin. Dado que la respuesta de la salida ptica a las


variaciones de la corriente de alimentacin es muy rpida, se consiguen anchuras de banda tpicas en la modulacin del orden de los Gigahertzios.

8.5. Aplicaciones del Lser


Las posibles aplicaciones del lser pueden dividirse en varias categoras. Una de las ms usuales consiste en distinguir la accin de los lseres de baja potencia de aquellos de alta potencia. En la presente seccin se expondrn nicamente algunas de las aplicaciones de los lseres de baja potencia. Generalmente, se denomina baja potencia a cantidades menores que un watio, bajo la suposicin de que el haz lser no afecta destructivamente a los objetos que ilumina. Es interesante sealar que en muchas de las posibles aplicaciones de lser, ste se emplea bsicamente como una bombilla de muy alta ecacia. Algunas de las caractersticas diferenciadoras de los lseres de baja potencia respecto a otras posibles fuentes de luz son: Lseres producen luz bien controlada que puede ser focalizada con precisin sobre una minscula regin de un objeto. Este hecho tiene multitud de aplicaciones, por ejemplo en contadores, lectores de cdigos de barras, lectores de CD, discos magneto pticos, etc.. Al focalizarse la luz sobre una pequea regin, se pueden conseguir altas densidades de potencia, que pueden usarse para un calentamiento selectivo de pequeas regiones. Debido a la alta directividad de los rayos lser, stos pueden denir lneas rectas. Esta propiedad se usa para el diseo de posicionadores y punteros. La luz lser posee normalmente un estrecho rango de longitudes de onda, siendo este hecho altamente aprovechado en espectroscopa. La alta coherencia que presentan muchos lseres es aprovechada para la holografa y fundamentalmente para metrologa. Los lseres pueden generar pulsos extremadamente cortos, siendo esto muy til para la transmisin de datos. Lseres de He-Ne y de inyeccin producen potencias muy constantes en modo continuo durante miles de horas de uso. Los diodos lser son muy compactos y baratos.

Dado que los diodos lser puedes ser modulados directamente a altas velocidades mediante cambios en la corriente de alimentacin, son muy usados en la transmisin de datos.

8.5.1. Aplicaciones del Lser de Inyeccin


Debido a las peculiaridades del lser de inyeccin (tamao reducido, bajo coste, modulacin directa...), ste se ha convertido con diferencia en el lser ms popular, siendo actualmente usado en millones de lectores de discos pticos (en equipos de msica, computadores..) y en la mayora de los sistemas de alimentacin de bras pticas para transmisin de datos. Discos pticos; Lectura de datos para computadores El funcionamiento bsico de lectura de un CDROM se muestra en la Figura 8.14, donde puede verse como la luz de un diodo lser es
Cabeza lectora (muy ampliada con respecto al disco) Slida elctrica hacia los decodificadores electrnicos Diodo Lser

Detector Luz reflejada Divisor del haz

Bits de datos Disco ptico Lente de focalizacin Luz enfocada sobre la marca que se lee

F IGURA 8.14: Sistema de lectura de un CD-ROM.

focalizada sobre una diminuta regin de un disco que gira rpidamente. La supercie del disco est cubierta con minsculas partculas, con diferente reectividad que el fondo del disco, de acuerdo a un cierto patrn de bits de datos. La luz lser reejada por el disco es enfocada sobre un detector que genera una seal elctrica en forma de una serie de pulsos correspondientes al patron de datos registrado en el disco. Debido a que el haz del diodo lser puede ser enfocado sobre una regin que cubre aproximadamente un dimetro de una longitud de onda, esto signica que el uso de diodos lser de 780nm. permite que cada una de las marcas del disco debe cubrir aproximadamente


1 m2 . De este modo, un CD-ROM de 12cm de dimetro permite almacenar 600 MBytes, incrementndose considerablemente la densidad de almacenamiento de datos con respecto a los discos magnticos usuales. Dado que los diodos lser son muy pequeos y pueden ser montados en la cabeza lectora, esto permite un acceso a la informacin muy rpido (si se dispone de un software de control adecuado) con independencia de donde est localizada en el disco. Por otra parte, los diodos lser requieren poca potencia para su funcionamiento, siendo adems esta potencia del mismo orden que la que se usa en los dispositivos electrnicos, aumentando as la compatibilidad entre la parte electrnica y la ptica.

Discos magneto-pticos; Almacenamiento y Lectura de datos para computadores El mayor inconveniente de los CD-ROM proviene de su carcter de memoria de slo lectura. Las intensas investigaciones realizadas para conseguir discos de alta densidad de almacenamiento de datos y con posibilidad de ser regrabados por el usuario han resultado en el desarrollo del disco magneto-ptico. La diferencia fundamental de este disco con respecto al CD-ROM consiste en una cubierta de un material parcialmente transparente con propiedades ferrimagnticas. Este material maniesta una magnetizacin neta a temperatura ambiente que puede ser modicada por encima de cierta temperatura (temperatura de Neel) cuando est en la fase paramagntica. Tal como se muestra en la Figura 8.15, el aumento de temperatura local de una peDiodo Lser Lente de focalizacin Area del disco calentada para poder magnetizarla Haz que calienta la cubierta del disco

Campo magnetizante sobre el rea caliente Electroimn


F IGURA 8.15: Esquema de grabacin de un disco magnetoptico.

quea regin del disco se consigue mediante el haz focalizado de un diodo lser. Una vez que se ha alcanzado la temperatura adecuada, la pequea regin es magnetizada en la direccin impuesta por un electroimn. Ntese que la grabacin de datos es puramente magntica,

pero debido a que la magnetizacin se realiza en direccin normal al disco y que se pueden magnetizar regiones muy localizadas, se consiguen unas densidades de almacenamiento de datos muy altas. La lectura del disco magneto-ptico se realiza mediante un procedimiento similar al del CD-ROM, aunque en este caso se usa el hecho de que la refraccin de un haz polarizado en un material magnetizado produce un haz reejado cuya polarizacin sufre una variacin que depende de la direccin de magnetizacin del material refractante. Detectando, por tanto, los estados de polarizacin del haz reejado por la cubierta magnetizada del disco y registrando estos estados en pulsos elctricos se consigue recobrar el patrn de datos grabado previamente de forma magntica. Comunicaciones por bra ptica Actualmente las bras pticas se han convertido en el soporte fsico dominante en las telecomunicaciones de larga distancia punto a punto. Los LEDs pueden excitar los sistemas de bra ptica cuando la transmisin se realiza a corta distancia (por ejemplo: en un mismo edicio) pero se necesitan fuentes ms monocromticas para las comunicaciones de larga distancia, usndose para este cometido como fuentes estndar los diodos lser, debido a Diodo lser emite en un rea de unos pocos m 2 ; lo cal es ideal para acoplarse bien con el diminuto ncleo de la bra ptica ( 10 m) Es muy compacto y opera con los mismos niveles de tensin e intensidad que los dispositivos electrnicos convencionales. El esquema bsico de transmisin se muestra en la Figura 8.16. La
(Larga distancia) CABLE DE FIBRA PTICA Luz guiada por fibra Seal de pulsos de entrada Corriente de alimentacin Seal elctrica Seal de pulsos de salida

TRANSMISOR

DIODO LSER

DETECTOR ELECTRNICA DE DECODIFICACIN

F IGURA 8.16: Sistema de bra ptica para larga distancia


seal que alcanza el transmisor genera una corriente que pasa a travs de un lser semiconductor. La seal es una serie de pulsos elctricos que genera una correspondiente serie de pulsos luminosos en el diodo lser. El lser emite los pulsos directamente al ncleo de la bra ptica, siendo transmitida por sta (hasta 104 km) a un receptor lejano. All, un detector de luz convierte los pulsos luminosos en pulsos elctricos.

8.6. Problemas propuestos


8.1: Una unin p-n abrupta presenta Na 1017 cm3 en el lado p y Nd 1016 cm3 en el lado n. A 300 K, (a) calcule los niveles de Fermi, dibuje el diagrama de bandas en equilibrio y halle V0 a partir del anterior diagrama; (b) Compare el resultado anterior con el que proporciona la expresin (8.2); (c) Calcule la anchura de la regin de carga espacial y el valor del campo elctrico en esta regin. 8.2: Compare los valores del potencial de contacto del problema anterior para el Si con los que se obtendran en uniones hechas en Ge y GaAs con los mismos niveles de dopaje. 8.3: La corriente a travs de una unin p-n a 300 K es 0.01 A para una polarizacin inversa de 10 V. Calcule el valor de la corriente a travs de la unin para polarizaciones directas de (a) 0.1 V, (b) 0.3 V, y (c) 0.5 V. 8.4: Teniendo en cuenta que la corriente de saturacin inversa debe ser lo ms pequea posible en una unin p-n ideal qu material es ms adecuado para la fabricacin de uniones p-n?. Eg Si 1 1 eV. 8.5: La corriente de saturacin inversa para una unin p-n es I0 5 109 A. Para una polarizacin directa de 0.45 V, (a) calcule la corriente a travs de la unin a T 27o C; (b) si el voltaje a travs de la unin se supone constante e I0 no cambia con la temperatura, cul es la corriente a travs de la unin a T 47o C?. Sol. (a): 0.18 A, (b) 0.06 A. 8.6: Una unin p -n en Si est dopada con Nd 1016 cm3 , siendo D p 10 cm2 s, p 0 1 m y el rea de la unin S 104 cm2 . Calcule la corriente de saturacin inversa y la corriente directa cuando V 0 6 V.

Apndice A

Constantes fundamentales
Constante de Planck: h 6 626 4 136

Velocidad de la luz: Masa del electrn: Carga del electrn: Masa del protn: Nmero de Avogadro: Constante de Boltzmann:

c me

e
mp NA kB

10 Js 10 eVs 2 998 10 m/s 9 109 10 kg 1 602 10 C 1 673 10 kg 6 022 10 partculas/mol 1 381 10 J/K
34 15 8 31 19 27 23 23

157

Apndice B

Energa y longitud de onda de una partcula relativista


La expresin de la energa, E , de una partcula libre proporcionada por la Relatividad Especial es E2
4 2 2 m2 0c p c

(B.1)

donde m0 es la masa en reposo de la partcula material, c la velocidad de la luz y p el mdulo de su momento lineal. La energa de la partcula libre puede tambin expresarse como la suma de su energa cintica, Ec , ms su energa en reposo, m 0 c2 , esto es, (B.2) E Ec m0 c2 Operando en (B.1) y teniendo en cuenta (B.2), tenemos que p2 c2 E2

m c

2 4 0

2m0 c2 Ec

E m0c2 E m0c2 Ec 1 2m c2
0

Ec Ec 2m0 c2 (B.3)

de donde obtenemos la siguiente expresin para el momento lineal: p

2m0 Ec 1

Ec 2m0 c2

1 2

(B.4)

Teniendo ahora en cuenta la expresin (1.28) que relaciona el mdulo del momento lineal con la longitud de onda, , asociada a la onda piloto de la partcula, encontramos que esta puede expresarse como

2m E

h Ec 1 2m0 c2
1 2

(B.5)

0 c

En el caso de que la energa cintica de la partcula sea mucho menor que su energa en reposo, Ec m0 c2 ; 159

es decir, si la velocidad de la partcula, v, es mucho menor que la vec2 ), entonces la masa de la partcula puede locidad de la luz (v2 igualarse a su masa en reposo, m m0

y las expresiones (B.4) y (B.5) pueden simplicarse en p y

2mEc

mv

(B.6)

2h mE

(B.7)
c

Apndice C

Promedios estadsticos
C.1. Sistemas Discretos
Sea un sistema discreto compuesto de N Total 18 alumnos. Supngase que la distribucin de notas ha sido la siguiente: un alumno ha obtenido un uno, N1 1, un alumno ha obtenido un dos, N2 1, N3 2, N4 0, N5 4, N6 2, N7 3, N8 1, N9 4, N10 0. Cada Ni puede reinterpretarse como una medida de la probabilidad de que un alumno de este colectivo obtenga una determinada nota. Una representacin grca de esta distribucin se representa a continuacin
5

Nmero de Alumnos (Ni)

0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Calificacin (C)

Dado que 10 NTotal , la probabilidad de obtener una determii 1 Ni nada nota vendr dada por ni Ni NTotal (C.1) 1. La funcin distribucin del

obtenindose obviamente que 10 i 1 ni sistema puede identicarse con n i . 161

El valor de la calicacin promedio, C , de las notas obtenidas por el colectivo de alumnos se obtiene mediante C 10 i 1 NiCi 10 i 1 Ni

i 1

niCi

10

(C.2)

Anlogamente, el valor promedio de cualquier magnitud (F Ci ) que dependa de las calicaciones se obtendr como F

i 1

ni F Ci

10

(C.3)

C.2.

Sistemas Continuos

Las discusiones anteriores para casos discretos pueden fcilmente extenderse a sistemas continuos, para ello debe notarse que el papel jugado por la suma ser ahora asumido por el proceso de integracin,

dx

Por tanto, partiendo de una determinada funcin de distribucin, x, debe cumplirse que La probabilidad de que el sistema tome alguno de los valores x debe ser igual a la unidad:

xdx

(C.4)

El valor promedio de la variable x se calcular como x x xdx (C.5)

El valor promedio de una funcin de x, por ejemplo f x, puede obtenerse a partir de la funcin distribucin como f x f x xdx (C.6)

Apndice D

Propiedades de algunos materiales semiconductores


Para el silicio (Si), germanio (Ge) y arsenuro de galio (GaAs) a T 300 K, encontramos que Eg (eV) 1.11 0.67 1.43 m e me 1.1 0.55 0.067 m h me 0.56 0.37 048

Si Ge GaAs

n (cm2 /V s) 1350 3900 8500

p (cm2 /V s) 480 1900 400

Densidad efectiva de estados para Si en BC NC 4 39 1024 m3

Densidad efectiva de estados para Si en BV NV 5 95 1024 m3

163

Apndice E

Invarianza del nivel de Fermi en equilibrio


Este punto podra explicarse a partir de la igualacin del trabajo de extraccin de dos metales cuando stos se unen perfectamente. No obstante, desde un punto de vista ms riguroso, se puede recurrir al hecho de que, en equilibrio trmico, dos materiales 1 y 2 que se unen con densidades de estado y probabilidades de ocupacin g 1 E f1 E y g2 E f2 E respectivamente no soportan una corriente neta de carga. Para cualquier nivel de energa, la velocidad de transferencia de electrones de 1 2 ser proporcional al nmero de estados ocupados en 1 por el nmero de estados vacos en 2, 1 y anlogamente 2 2 g1 f1 n2 1 1 g2 f2 n1 1

f
2 1

(E.1) (E.2)

f f
1

En equilibrio debe cumplirse que el nmero de electrones por unidad 2 sea el mismo que aquel que pase de de tiempo que pasan de 1 2 1 y por tanto g1 f1 n2 1

f
2

g2 f2 n1 1

(E.3)

Reagrupando trminos se llega a que g1 f1 g2 lo que implica que y por tanto 1 exp E

g f g f

1 1 2 2

g2 f2 g1 f2 E

g f g f E
kB T

2 2 1 1

(E.4) (E.5)

f1 E

E
kB T

F1

1 exp

F2

1
(E.6)

De la anterior expresin puede deducirse nalmente que EF 1 EF 2 165

lo que implica que no existe ninguna discontinuidad en el nivel de Fermi en equilibrio. De forma ms general, esta propiedad puede establecerse como la inexistencia de gradiente en el nivel de Fermi en equilibrio: dEF 0 (E.7) dx