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Banda de conduccin
aislantes
metales
semiconductores
En un buen aislante, la banda prohibida es muy ancha. Por lo tanto, es necesario suministrar una gran cantidad de energa para que sus electrones salten de la banda de
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valencia a la de conduccin y contribuyan as a la conduccin de corriente elctrica. En un buen metal, las bandas de conduccin y de valencia se solapan. Por lo tanto, se necesita muy poca energa para mantener una conduccin de corriente elctrica elevada. Existen algunos slidos como el silicio y el germanio que tienen una estructura de bandas semejante a la de los aislantes. Sin embargo, en ellos la banda prohibida es estrecha, de modo que es posible excitar (por ejemplo, por efecto trmico) los electrones con mayor energa de la banda de valencia y transferirlos a la de conduccin. Por lo tanto, en el caso de un semiconductor se puede hablar tanto de una conduccin por los electrones en la banda de conduccin, como de conduccin por los huecos que se generan en la banda valencia y que se comportan como cargas positivas. El hecho de que su banda prohibida sea estrecha (Eg 1eV) permite bombear electrones a la banda de conduccin sin ms que elevar suficientemente la temperatura.
1.3SEMICONDUCTORES INTRNSECOS
Un semiconductor intrnseco es un semiconductor puro cuya estructura cristalina est formada exclusivamente por tomos del propio semiconductor, sin que est incrustada en ella ningn tomo de otro material, es decir, no contiene impurezas de ningn tipo. Cada tomo tiene 4 electrones de valencia que comparte con cada unos de los tomos vecinos mediante la formacin de enlaces covalentes. A continuacin se analiza el semiconductor intrnseco en funcin de la temperatura (T): A T = 0K, todos los electrones de la banda de valencia estn formando enlaces covalentes entre los tomos, por lo que no existen electrones libres en la banda de conduccin. El cristal se comporta como un aislante perfecto. Si T , se produce el movimiento aleatorio por agitacin trmica. No obstante, este fenmeno todava no proporciona la suficiente energa como para romper los enlaces covalentes y hacer que los electrones salten de la banda de valencia a la de conduccin. A T = 300K (temperatura ambiente), algunos electrones pueden, absorbiendo la energa necesaria (1.12eV para el silicio y 0.67eV para el germanio), romper los enlaces covalentes y saltar a la banda de conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). A este fenmeno se le denomina creacin de pares e--h+. Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer desde la banda de conduccin a un hueco en la banda de valencia, liberando energa. A este fenmeno, se le denomina recombinacin de pares e--h+. Adems, electrones ligados de otros enlaces covalentes pueden saltar a los huecos que se encuentran en los enlaces covalentes incompletos (2), sin que este proceso contribuya a la recombinacin de pares e--h+. Si T > 300K, aumenta el nmero de enlaces covalentes rotos y con ello la 2
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concentracin de electrones libres y huecos. Siendo n la concentracin de electrones y p la concentracin de huecos, se cumple que: ni = n = p con ni = f(T) ni concentracin intrnseca del semiconductor.
Cuando T = 300K, se dice que el semiconductor se encuentra en equilibrio termodinmico. En esta situacin, no existe movimiento neto de portadores, por lo que la corriente total es nula. r r r r r J J Jp = 0 J 0 y Jp =0 TOTAL = n + n = El semiconductor en equilibrio proporciona un marco de referencia para el estudio de fenmenos ms complejos que ocurren cuando el semiconductor sale de dicho equilibrio, como el movimiento de portadores para la conduccin de corriente. Es importante destacar que un semiconductor intrnseco tiene carcter bipolar, puesto que la conduccin de corriente puede provenir de dos tipos de portadores o cargas mviles: electrones y huecos.
1.4SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS
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Los semiconductores intrnsecos no presentan propiedades prcticas, por esto se les aaden impurezas para alterar la probabilidad de ocupacin de las bandas de energa, y por lo tanto, aumentar la conductividad de los mismos. Si a un semiconductor intrnseco se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, el semiconductor se denomina extrnseco y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio o germanio. La impurezas utilizadas en un semiconductor extrnseco pueden ser: Pentavalentes: impurezas con cinco electrones en la ltima capa. Son impurezas pentavalentes: fsforo, arsnico, antimonio, etc. Trivalentes: impurezas con tres electrones en la ltima capa. Son impurezas trivalentes: aluminio, indio, galio, etc.
A continuacin, se analiza el un semiconductor extrnseco, dopado con ND impurezas donadoras, en funcin de la temperatura (T): A T = 0K, todos los electrones de la banda de valencia estn formando enlaces covalentes entre los tomos. El quinto electrn de las impurezas se encuentra ligado al tomo. No existen electrones libres en la banda de conduccin. El cristal se comporta como un aislante perfecto. Si T , aparece el movimiento aleatorio por agitacin trmica. Este fenmeno 4
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todava no proporciona la suficiente energa como para romper los enlaces covalentes y hacer que los electrones salten de la banda de valencia a la de conduccin; en cambio, s que proporciona la energa suficiente como para arrancar el quinto electrn de algunas impurezas, convirtindose en un electrn libre. Las impurezas empiezan a ionizarse: ND+ A T = 300K (temperatura ambiente), todas las impurezas se encuentra ionizadas: ND+ = ND. Adems, los electrones de los enlaces covalentes pueden, absorbiendo la energa necesaria, romper dichos enlaces y saltar a la banda de conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Se producen los fenmenos de creacin y recombinacin de pares e--h+. Adems, electrones ligados de otros enlaces covalentes pueden saltar a los huecos que se encuentran en los enlaces covalentes incompletos. Si T > 300K, al estar ionizadas todas las impurezas, slo aumenta el nmero de enlaces covalentes rotos, y con ello la concentracin de electrones libres y huecos. Por lo tanto, a altas temperaturas, el semiconductor extrnseco se comporta como un semiconductor intrnseco.
En resumen, se observa que adems de la formacin de pares e--h+, se liberan tambin los electrones no enlazados, ya que la energa necesaria para liberar el electrn excedente es del orden de la centsima parte de la correspondiente a los electrones de los enlaces covalentes (0.01eV para el germanio y 0.05eV para el silicio). n concentracin de electrones libres ND+ + p ND+ concentracin de impurezas ionizadas p concentracin de huecos debido a la rotura de enlaces covalentes As, en el semiconductor aparecer una mayor cantidad de electrones que de huecos; por ello se dice que los electrones son los portadores mayoritarios de la corriente y puesto que este excedente de electrones procede de las impurezas pentavalentes, a stas se las llama donadoras, y el semiconductor se caracteriza como de tipo N. El cristal sigue siendo elctricamente neutro, ya que al desprenderse un electrn de una impureza, sta se convierte en un in positivo. La concentracin de iones negativos (ND+) no contribuye a llevar corriente elctrica.
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con NA impurezas aceptadoras, en funcin de la temperatura (T): A T = 0K, todos los electrones de la banda de valencia estn formando enlaces covalentes entre los tomos. No existen electrones libres en la banda de conduccin. El hueco de las impurezas se encuentra vaco. Aislante perfecto. Si T , aparece el movimiento aleatorio por agitacin trmica. Este fenmeno todava no proporciona la suficiente energa como para romper los enlaces covalentes y hacer que los electrones salten de la banda de valencia a la de conduccin; en cambio, s que proporciona la energa suficiente como que electrones ligados de otros enlaces covalentes se pasen a los enlaces covalentes incompletos de las impurezas. Las impurezas empiezan a ionizarse: NA- A T = 300K (Ta), todas las impurezas se encuentra ionizadas: NA- = NA. Adems, los electrones de los enlaces covalentes pueden, absorbiendo la energa de ionizacin, romper los enlaces covalentes y saltar a la banda de conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Se producen los fenmenos de creacin y recombinacin de pares e--h+. Adems, electrones ligados de otros enlaces covalentes pueden saltar a los huecos que se encuentran en los enlaces covalentes incompletos de los tomos afectados por el proceso de creacin de pares e--h+. Si T > 300K, al estar ionizadas todas las impurezas, slo aumenta el nmero de enlaces covalentes rotos, y con ello la concentracin de electrones libres y huecos. Por lo tanto, a altas temperaturas, el semiconductor extrnseco se comporta como un semiconductor intrnseco.
En resumen, el hueco introducido por la impureza no es como el formado antes con el salto de un electrn, si no que tiene un nivel energtico ligeramente superior al de la banda de valencia (del orden de 0.01eV). En este caso, los electrones ligados de otros enlaces covalentes saltarn a las vacantes con facilidad dejando huecos en la banda de valencia en mayor nmero que electrones en la banda de conduccin, de modo que ahora son los huecos los portadores mayoritarios y los electrones los portadores minoritarios.
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p concentracin de electrones libres NA- + n NA- concentracin de impurezas ionizadas n concentracin de electrones libres debido a la rotura de enlaces covalentes Al igual que en el caso anterior, el cristal sigue siendo elctricamente neutro, ya que al incorporarse un electrn a la impureza, sta se convierte en un in negativo. La concentracin de iones negativos (NA-) no contribuye a llevar corriente elctrica. Conclusiones El hecho de que en un semiconductor extrnseco existan dos concentraciones de cargas mviles (portadores mayoritarios y portadores minoritarios), hace que el semiconductor extrnseco tenga carcter unipolar, puesto que la conduccin de corriente puede proviene en mayor medida de un tipo de portador que de otro (electrones en el caso de un semiconductor de tipo N y huecos en el caso de uno de tipo P). Comparado con un semiconductor intrnseco, en un semiconductor extrnseco el numero de cargas mviles aumenta enormemente (generacin intrnseca + electrones libres provenientes de las impurezas), lo cual repercute tambin en un aumento muy destacable de la conductividad.
1.5CONDUCCIN DE CORRIENTE
Hasta ahora se ha descrito el comportamiento del semiconductor en la situacin de equilibrio. En la situacin de equilibrio, no existe movimiento neto de portadores, por lo que la corriente total es nula. Slo cuando el semiconductor sea perturbado habr una respuesta neta de portadores ante causa externa, es decir, corriente elctrica: 1. Por un lado, la debida al movimiento de los electrones libres en la banda de conduccin. 2. Por otro lado, la debida al desplazamiento de los electrones ligados de los enlaces covalentes, que tendern a saltar a los huecos prximos. Por lo tanto, podemos considerar los huecos como un flujo de corriente. Existen tres tipos primarios de respuesta de un portador ante una causa externa: 1. Mecanismo de arrastre. 2. Mecanismo de difusin. 3. Generacin y recombinacin. A continuacin analizaremos los dos primeros.
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()
Consideremos una barra r de material semiconductor de longitud L y seccin A, sometida a un campo elctrico E:
E
+ + -
J
c concentracin de portadores por cm3 velocidad de arrastre T intervalo de tiempo
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Calculamos la distancia que recorre un portador dentro de la barra: L L= T = T Calculamos carga que atraviesa la seccin A en el intervalo T: carga = q c L A r La densidad de corriente J se define como la carga por unidad de tiempo y unidad de rea: r c arg a q c L A r L J = = q c = q c a = T A T A T r r La movilidad relaciona la velocidad de arrastre con el campo elctrico E:
= E
Si tenemos en cuenta que existen dos tipos de portadores (electrones y huecos), hay que calcular las contribuciones de cada uno de ellos a la corriente total:
n = n E [1]
r r [2] J qn n an = n Sustituyendo [1] en [2]: r r r J = q n E = q n E an n n n n
( )
Por lo tanto, la densidad de corriente de arrastre total es: J a = J an + J ap = q ( n n + p p ) E Matemticamente, el mecanismo de arrastre puede expresarse a travs de la ley de Ohm: J E a =
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= qn n qp p n + p = n + p
y la resistividad es la inversa de la conductividad :
= = p n +
1.5.2
MECANISMO DE DIFUSIN
La difusin es el proceso por el cual los portadores tienden a redistribuirse desde las regiones de alta concentracin hasta las regiones de baja concentracin. Por lo tanto, para que se produzca el mecanismo de difusin, tiene que haber un gradiente en la concentracin de portadores. Deduccin de la densidad de corriente J d = f c
( )
La ley de Fick relaciona el flujo por difusin con la causa que lo provoca (el gradiente en la concentracin de portadores): Fd = D c donde D es el coeficiente de difusin. De esta manera, la densidad de corriente puede ser calculada como: J d = q D c Al existir dos tipos de portadores (electrones y huecos), hay que calcular las contribuciones de cada uno de ellos a la corriente total: J dn = q Dn n J dp = q D p p Por lo tanto, la densidad de corriente de difusin total es: J d = J dn + J dp = q Dn n D p p
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)(
)[
][ (
) ]
Conclusiones El mecanismo de arrastre y el de difusin no tienen porqu ser independientes. En la situacin de equilibrio termodinmico, la aparicin de uno de los dos mecanismos implica la aparicin del otro oponindose al primero, de manera que la corriente total sea cero (condicin de equilibrio termodinmico). Jn Jp J TOTAL = 0 J n = 0 y Jp =0 = 0 J an + J dn = 0 J an = J dn = 0 J ap + J dp = 0 J ap = J dp D KT = cte = = VT q En un semiconductor, si n = p , la difusin no es nula, puesto que el coeficiente de difusin de los electrones es ligeramente superior al de los huecos: Dn > Dp (en rangos normales de dopaje, Dn 2Dp) Dn D p = = VT Dn > D p n p
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