SPICE

Simulation Program with Integrated Circuits Emphasis

Histria

O software foi desenvolvido no ano de 1975 pelos pesquisadores Larry Nagle e Donald Petterson nos laboratrios de pesquisas sobre eletrnica da Faculdade de Engenharia Eltrica e Cincias da Computao da Universidade da Califrnia, campus de Berkeley. Tanto essa verso, como a segunda verso (criada em 1983) foram codificadas utilizando a linguagem de programao Fortran e rodados em mainframes.

Fonte: http://pt.wikipedia.org/wiki/SPICE Acessado em 12 de abril de 2011

Histria

A partir da terceira verso, o programa foi codificado em C, mas utilizando a sintaxe de Fortran para descrever circuitos. Algumas verses comerciais mantm compatibilidade com a verso de Berkeley, mas outras adicionaram extenses que incompatibilizou essas verses com a verso de Berkeley. As verses mais recentes incluram interfaces grficas.

Fonte: http://pt.wikipedia.org/wiki/SPICE Acessado em 12 de abril de 2011

Existem diversos programas compatveis. Exemplos:

SPICE OPUS HSpice (para UNIX) HSIM MicroCad Dr. Spice T-Spice Intusoft Spice-It! SIMetrix (disponvel para Windows e Linux) TopSPICE NG-spice MultiSIM
Fonte: http://pt.wikipedia.org/wiki/SPICE Acessado em 12 de abril de 2011

SmartSpice TINA Spectre Eldo UltraSim MacSpice NanoSim NSPICE B2SPICE ICAP/4 TINA-TI Proteus ISIS

www.linear.com

LTSpice

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Abrir arquivo <nome>.cir

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simular

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Exerccio: descreva e simule o seguinte circuito utilizando o LTSpice.

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Exerccio: descreva e simule o seguinte circuito utilizando o LTSpice.

* Exerccio_01 R1 N001 N002 1k R2 N002 N003 3k R3 N002 N003 3k R4 N002 N003 3k R5 N003 0 1k V1 N001 0 12 .op .end

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Exerccio: descreva e simule o seguinte circuito utilizando o LTSpice.

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Exerccio: descreva e simule o seguinte circuito utilizando o LTSpice.

*Exerccio_02 V1 N001 0 18 R1 N001 N002 220 R2 N002 N004 120 R3 N002 N003 47 R4 N003 N005 47 R5 N005 N004 47 R6 N004 0 82 .op .end

LTSpice
Exerccio: descreva e simule o seguinte circuito utilizando o LTSpice.

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Exerccio: descreva e simule o seguinte circuito utilizando o LTSpice.

*Exerccio_03 V1 N1 0 12 R1 N1 N2 330 R2 N2 0 2400 D1 0 N2 1N750 .lib C:\Temp\LTSpice\lib\cmp\standard.dio .model D D .op .end

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Barra de ferramentas do LTSpice

Fonte: Denver_PELS_20090519_Knudtsen_LTSpice_Intro.pdf Acessado em 12 de abril de 2011

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Elementos de circuito do LTSpice

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Unidades do LTSpice
Letra
a f p n u m k x g

Unidade
atto femto pico nano micro mili kilo mega giga

Magnitude
10-18 10-15 10-12 10-9 10-6 10-3 103 106 109

Ex: capacitor de 100 picofarad = 100pF, 100p, 100e-12

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Circuito RC
* Circuito RC V1 N1 0 PULSE(0 5 0 1u 1u 10m 20m 3) R1 N1 N2 10k C1 N2 0 0.1 .tran 60m .end

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Circuito RC
* Circuito RC V1 N1 0 PULSE(0 5 0 1u 1u 10m 20m 3) R1 N1 N002 10k C1 N2 0 0.1 .tran 60m .end

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SOURCES
Fontes para tenso e corrente eltrica: Forma geral V<name> <(+) node> <(-) node> + ... + [ [DC] <value> ] + [ AC <magnitude value> [phase value] ] + [STIMULUS=<stimulus name>] + [transient specification] Ex.: IB VAC VAC VP I5 1 5 0 2.5mA 2 5 AC .005 1 0 AC .003 80 2 0 PULSE(-2mA 2mA 2ns 4ns 2ns 60ns 200ns) 6 5 DC .005 AC 1 COS(.005 .005 2.5MEG)

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SOURCES
Forma geral PULSE (<v1> <v2> <td> <tr> <tf> <pw> <per>) Parmetro <v1> <v2> <td> <tf> <tr> <pw> <per> Ex.: Descrio Tenso inicial Tenso final Delay Tempo de descida Tempo de subida Largura do pulso Perodo Unidade V V s s s s s

PULSE

Vin 5 0 PULSE(0V 5V 1u .1us .4us .5us 2us)

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SOURCES Piecewise Linear - PWL
Forma geral PWL (corner_points)
Ex.: V3 1 0 PWL (1ms, 1)(2ms, 0)(3ms, 1)(3.5ms, 1)(4ms, 0)

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TIPOS DE ANLISE TRAN (transiente)

Forma geral: .TRANS <print step value> <final time value>

Ex.: .TRAN 1ns 250ns

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TIPOS DE ANLISE

AC Forma geral: .AC <sweep type> <points value> + <start frequency value> <end frequency value> Ex.: .AC LIN 100 150Hz 250Hz .AC DEC 50 1MEG 10MEG .AC OCT 10 1500Hz 2500Hz

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Transistores MOS
* n-MOS Model 3 : .MODEL NMOS NMOS LEVEL=3 VTO=0.60 U0=0.060 TOX=10.0E-9 +LD =0.000U THETA=0.300 GAMMA=0.400 +PHI=0.300 KAPPA=0.010 VMAX=130.00K +CGSO= 0.0p CGDO= 0.0p

* p-MOS Model 3: .MODEL PMOS PMOS LEVEL=3 VTO=-0.60 U0=0.020 TOX=10.0E-9 +LD =0.000U THETA=0.300 GAMMA=0.400 +PHI=0.300 KAPPA=0.010 VMAX=100.00K +CGSO= 0.0p CGDO= 0.0p

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Transistores MOS

Forma geral para transistores MOS:

M(nome) Drain Gate Source Bulk Model W L

Ex.: M1 N3 N2 N1 N1 PMOS W=4 L=0.3 M2 N3 N2 0 0 NMOS W=2 L=0.3

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Transistores MOS

Ex.: M1 N3 N2 N1 N1 PMOS W=4 L=0.3 M2 N3 N2 0 0 NMOS W=2 L=0.3 VDD N1 0 1.2V VIN N2 0 PULSE (0 3.3 0ms 0ms 0ms 1.0ms 2.0ms)

.TRANS 0.01m 4m .END

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Forma geral:

Subcircuitos

.SUBCKT <name> [node] + [OPTIONAL: < <interface node> = <default value> >*] + [PARAMS: < <name> = <value> >* ] + [TEXT: < <name> = <text value> >* ] ... .ENDS Ex.: .SUBCKT INVERSOR N1 N2 N3 M1 N3 N2 N1 N1 PMOS W=4u L=0.3u M2 N3 N2 0 0 NMOS W=2u L=0.3u .ENDS X1 SUPPLY IN OUT INVERSOR VDD SUPPLY 0 3.3V VIN IN 0 PWL (1ms, 3.3)(1.1ms, 0)(2.9ms, 0)(3ms, 3.3) .TRANS 0.01m 4m .END