UNIVERSIDAD NACIONAL AUTNOMA DE MXICO FES ARAGN

Laboratorio de Dispositivos Electrnicos.

Grupo: 8418 Jimnez vila Jos Martn Previo 6 El transistor de efecto de campo FET

INDICE:

INTRODUCCIN

OBJETIVO

CUESTIONARIO

BIBLIOGRAFA

introduccin Con los transistores bipolares observbamos como una pequea corriente en la base de los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensin. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensin aplicada a la entrada. Caractersticas generales:

Por el terminal de control no se absorbe corriente. Una seal muy dbil puede controlar el componente La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico

Se empezaron a construir en la dcada de los 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unin) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicacin ms frecuente la encontramos en los circuitos integrados. Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain). Segn su construccin pueden ser de canal P o de canal N. Sus smbolos son los siguientes:

CURVA CARACTERSTICA Los parmetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente figura:

Parmetros de un FET de canal N

Parmetros de un FET de canal P

La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:

Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensin VGS. Zona de saturacin.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS. Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones tpicas: Surtidor comn (SC), Drenador comn (DC) y Puerta comn (PC). La ms utilizada es la de surtidor comn que es la equivalente a la de emisor comn en los transistores bipolares. Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentra en la amplificacin de seales dbiles. CARACTERSTICAS DE SALIDA

Indican la variacin entre la intensidad de drenador en funcin de la tensin de puerta. HOJAS DE CARACTERSTICAS DE LOS FET En las hojas de caractersticas de los fabricantes de FETs encontrars los siguientes parmetros (los ms importantes):

VGS y VGD.- son las tensiones inversas mximas soportables por la unin PN. IG.- corriente mxima que puede circular por la unin puerta - surtidor cuando se polariza directamente. PD.- potencia total disipable por el componente. IDSS.- Corriente de saturacin cuando VGS=0. IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unin puerta surtidor se encuentra polarizado en sentido inverso.

OBJETIVO Verificar el funcionamiento de un FET Experimentar circuitos de polarizacin del JFET Aprender cual es su circuito equivalente Aprender a hacer las pruebas con el ohmetro

CUESTIONARIO 1.- Como es en magnitud la resistencia de una juntura semiconductora en directa y en inversa? FET de juntura o JFET Los smbolos del FET son:

Fet canal N

Fet canal P

Este dispositivo semiconductor, controla el flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. El FET est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que estn unidas entre si. Ver la figura Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La regin que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal".

2.- Investigue el valor aproximado de las resistencias de estas junturas. directa se aproxima demasiado se podra decir que es cero (0)

inversa es infinito.

3.- Presente todos los circuitos de polarizacin para transistores de efecto de campo. Cuando la polarizacin inversa entre puerta y canal se hace demasiado grande, la unin sufre una ruptura inversa, y la corriente de drenador aumenta rpidamente. La polarizacin inversa de mayor magnitud tiene lugar en el extremo correspondiente al drenador. La ruptura se producir Departamento de Ingeniera de la Informacin y Comunicaciones Universidad de Murcia10 cuando Vdg exceda de la tensin de ruptura. Como Vdg= Vds Vgs, la ruptura tendr lugar a valores ms pequeos de Vds a medida que Vgs se aproxime a Vp.

4.- Mencione los modelos matemticos de un JFET y diga cual es el modelo ms utilizado. La corriente en N-JFET debido a una pequea tensin VDS est dada por: donde

IDSS = corriente de saturacin de drenaje-fuente 2a = espesor del canal W = ancho L = longitud q = carga del electrn = 1,6 x 10-19 C n = movilidad de electrones Nd = n la concentracin de dopaje tipo

En la regin de saturacin: En la regin lineal donde est la pizca de tensin, la tensin mnima en GS Para apagar completamente la conduccin. Cuando es pequeo en comparacin con -, el dispositivo acta como una resistencia de tensin controlada.

donde Qd = -e Ndlp es la carga debida a los donadores en la regin de empobrecimiento.

5.- Dibuje las curvas caractersticas de este dispositivo.

La curva caracterstica del FET.

6.- Investigue las expresiones matemticas que definen la transconductancia y la ganancia de voltaje en un JFET.

Escribiendo la ecuacin de LTK alrededor del circuito de compuerta, se encuentra

Resolviendo para vgs, se obtiene

La tensin de salida, v0, esta dada por

La ganancia de tension, Av, es

La resistencia de entrada y la ganancia de corriente estan dadas por

7.-Para el circuito de la figura 3 calcule el punto de operacin esttico, o punto de

polarizacin, definido por ID y VDS para el FET.

BIBLIOGRAFA: -DISEO DE CIRCUITOS MICROELECTRNICOS - Jaeger Richard y Blalock Travis - McGraw Hill 2da. edicin. -ELECTRNICA FSICA Y MICROELECTRNICA - Luis Rosado - Paraninfo - Edicin de 1987

1. Circuitos elctricos

6 edicin Dorf svoboda Alfa omega

2. Anlisis de circuitos en ingeniera William H. Hayt, jack e. Kemmerly, Steven M. Durbin Mc Graw hill