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Prctica #5: El diodo

Manuel Sagbay manuels_2doc@outlook.com

AbstractEn el informe presente se darn a conocer las caractersticas los diodos, as como tambin sus curavas caractersticas descritas segn cada uno de los circuitos los cuales se han establecido para el anlisis.

I. OBJETIVOS.

Obtain silicon diode characteristic curve on the oscilloscope, varying the temperature at least three temperature values. Explain what happened. Verify input signal, output signal, as well as transfer function of each one of the circuits.

Figure 1.

Diodo pn o Unin pn

II. MARCO TERICO

A. El diodo

Al unir ambos cristales, se maniesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse estas corrientes aparecen cargas jas en una Un diodo (del griego "dos caminos") es un dispositivo semizona a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes conductor que permite el paso de la corriente elctrica en una denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, nica direccin con caractersticas similares a un interruptor. De forma simplicada, la curva caracterstica de un diodo (I- de deplexin, de vaciado, etc. V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), carga espacial va incrementando su anchura profundizando y por encima de ella como un corto circuito con muy pequea en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, resistencia elctrica. Debido a este comportamiento, se les la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones suele denominar recticadores, ya que son dispositivos capaces negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar de convertir una corriente alterna en corriente continua. Su sobre los electrones libres de la zona n con una determinada principio de funcionamiento est basado en los experimentos fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de de Lee De Forest. electrones y terminar detenindolos. Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio. B. Diodo pn o Unin pn La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconduc- uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la tores extrnsecos tipos p y n, por lo que tambin reciben la zona de carga espacial es mucho mayor. denominacin de unin pn. Hay que destacar que ninguno de Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en caso como el descrito, tal que no se encuentra sometido a una cada cristal, el nmero de electrones y protones es el mismo, diferencia de potencial externa, se dice que no est polarizado. de lo que podemos decir que los dos cristales, tanto el p como Al extremo p, se le denomina nodo, representndose por la el n, son neutros. (Su carga neta es 0). letra A, mientras que la zona n, el ctodo, se representa por la letra 24-abril 2012 IEEE C (o K).

Figure 2.

Representacin simblica del diodo pn

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa. 1) Polarizacin directa.: En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.

de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al nal del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera. De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el nal. 2) Polarizacin inversa.: En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

Figure 4.

Polarizacin inversa

Figure 3.

Polarizacin directa

Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que: El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suciente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin: El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A 5 5 medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una

carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos. Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera. En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente supercial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la supercie del diodo; ya que en la supercie, los tomos de silicio no estn rodeados de sucientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la supercie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dicultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente supercial de fuga es despreciable. C. Curva caracterstica del diodo.

Figure 5.

Curva caracterstica

2) Corriente mxima (Imax ): Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo. 3) Corriente inversa de saturacin (Is ): Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura. 4) Corriente supercial de fugas: Es la pequea corriente que circula por la supercie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente supercial de fugas. 5) Tensin de ruptura (Vr ): Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos: 6) Efecto avalancha (diodos poco dopados): En polarizacin inversa se generan pares electrnhueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V. 7) Efecto Zener (diodos muy dopados): Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3 105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores. Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede producir por ambos efectos. D. Caracterstica tensin - corriente Ecuacin caracterstica del diodo: V I = I0 e VT 1 se deduce de la ley de la unin. Donde: Io: Corriente inversa de saturacin (constate a T constante)

1) Tensin umbral, de codo o de partida (V ): La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

: Constante. Su valor es aproximadamente 1 para el germanio. En caso del silicio su valor es 2 para corrientes pequeas y 1 para corrientes moderadas o grandes. VT : Tensin equivalente de la temperatura VT = T /11.600 a temperatura ambiente (T=300K) VT = 0, 026 V

Figure 8. Figure 6. Descripcin de la curva

Seal de ingreso y salida a temperatura 1 (ambiente)

La corriente inversa Io aumenta con la temperatura aproximadamente un 7% por oC para el Si. La corriente inversa de saturacion se duplica aproximadamente por cada 10 oC de aumento de temperatura. Si Io = Io1 cuando T = T1, cuando la temperatura es T Io viene dado por: I0 (T ) = I01 2(T T1 )/10 III. L ISTA DE MATERIALES

2 1 1 1 2

Diodos 1N4007 Diodo Zener 1N4733A Diodo Zener 1N4729A Protoboard. Resistencias de 1K
Figure 9. Funcin de transferencia a temperatura 1 (ambiente)

IV. L ISTA DE INSTRUMENTOS

Generador de funciones. Fuente variable. osciloscopio. V. DESARROLLO

A. Objetivo 1. Armar el siguiente circuito y obtener la curva caracterstica variando la temperatura a tres valores distintos.

D1 V1
1N4007

20 Vpk 60 Hz 0

R1
1k
Figure 10. Seal de ingreso y salida a temperatura 2

Figure 7.

Circuito propuesto

D1 V1
1N4007

20 Vpk 60 Hz 0

R1
1k

Figure 14.

Circuito 1

Figure 11.

Funcin de transferencia a temperatura 1 (ambiente)

Figure 12.

Seal de ingreso y salida a temperatura 3

Figure 15.

Seal de ingreso y salida

Figure 13.

Funcin de transferencia a temperatura 3

1) Anisis: Tal como podemos observar el silicio permite la conduccin de electrones mientras se va elevando la temperatura. B. Objetivo 2 1) Circuito 1:

Figure 16.

Funcin de transferencia

2) Circuito 2:

D2
1N4007

D4
1N4007

D3
1N4007

V3

V2

20 Vpk 60 Hz 0

D5
1N4007

R3
1k

20 Vpk 60 Hz 0

R2
1k

Figure 20.

Circuito 3

Figure 17.

Circuito 2

Figure 21. Figure 18. Seal de ingreso y salida

Seal de ingreso y salida

Figure 19.

Funcin de transferencia

Figure 22.

Funcin de transferencia

3) Circuito 3:

4) Circuito 4:

D6
1N4007

D9
1N4007

V4

20 Vpk 60 Hz 0

D7
1N4007

V7 R4
1k

20 Vpk 60 Hz 0

D10
1N4007

R6
1k

V5
10 V

V8
10 V

Figure 23.

Circuito 4

Figure 26.

Circuito 5

Figure 24.

Seal de ingreso y salida

Figure 27.

Seal de ingreso y salida

Figure 25.

Funcin de transferencia

Figure 28.

Funcin de transferencia

5) Circuito 5:

6) Circuito 6:

R7
1k

R8
1k

V9

D12

20 Vpk 60 Hz 0

D11
1N4007

V10

1N4733A

20 Vpk 60 Hz 0

R9 D13
1N4729A 1k

Figure 29.

Circuito 6 Figure 32. Circuito 7

Figure 30.

Seal de ingreso y salida

Figure 33.

Seal de ingreso y salida

Figure 31.

Funcin de transferencia

Figure 34.

Funcin de transferencia

7) Circuito 7:

8) Circuito 8:

R10
1k

V11

20 Vpk 60 Hz 0

D15
1N4729A

D14
1N4733A

bias. Tal como se pueden apreciar las diferentes curvas que se han gracado, la aplicacin de los diodos en diferentes circuitos puede ser muy variado segn la necesidad. VII. B IBLIOGRAFA R EFERENCES

Figure 35.

Circuito 8

[1] Electrnica bsica, Angle Rodriguez Vazquez, Antonio Acosta Jimenez, Rocio del Ro/pdf. [2] Dispositivos Electricos, Dpto. Tecnologa Electrnica, Tema 4,pdf [3] Teora del diodo/pdf

Figure 36.

Seal de ingreso y salida

Figure 37.

Funcin de transferencia

9) Anlisis:: Como se puede observer cuando el diodo no es ideal, la funcin de trasferencia no representa una lnea recta, sino dos lneas, asi tamben se puede apreciar la conduccin que permite el diodo al estar conectado en polarizacin directa y no conduce cuando se encuentra en polarizacin inversa. VI. CONCLUSIONES

Having conducted this practice we established the operation performed by the diodes in forward bias and reverse