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Instituto Tecnolgico de Chihuahua 2013

ITCH

Introduccin A la
Electrnica de potencia

Catedrtico: Ing. Cosme Ral Alvarado Meza Asignatura: Electrnica de potencia Alumnos: Erick Jos Carrasco Arredondo # 08061156

Introduccin a la Electrnica de Potencia


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La electrnica de potencia combina tres desarrollos tecnolgicos importantes: La energa, La electrnica y el control La energa, tiene que ver con los equipos de potencia estticos (acumuladores) o rotativos (generadores elctricos), encargados de la generacin primaria elctrica, como as tambin de su transmisin y distribucin a los consumidores. La electrnica, se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado slido, requeridos en el procesamiento de la conversin y tratamiento de las seales elctricas para cumplir con los objetivos del control. El control, se encarga del rgimen permanente y de las caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo cerrado. La electrnica de potencia, la podemos definir como la electrnica de estado slido para el control y la conversin de la energa elctrica. La electrnica de potencia, se basa fundamentalmente en la conmutacin de dispositivos semiconductores de potencia y la generacin de las seales elctricas de disparo y apagado de estos dispositivos, acorde a los requerimientos del control. Los desarrollos tecnolgicos de los microprocesadores, ha tenido gran impacto sobre el control y la sntesis de la estrategia de control para los dispositivos semiconductores de potencia. Un equipo electrnico de potencia moderno, en comparacin al ser humano, podemos decir que utiliza semiconductores de potencia, equivalente a los msculos y microelectrnica , equivalente al cerebro. La electrnica de potencia, tiene variadas aplicaciones en la industria como ser en los controles de calor, controles de iluminacin, control de velocidad y par de motores de corriente continua y alterna, sistemas de propulsin de vehculos, sistemas de corriente continua de alto voltaje (HVDC), etc. La electrnica de potencia (o electrnica de las corrientes fuertes1) es una tcnica relativamente nueva que se ha desarrollado gracias al avance tecnolgico que se ha alcanzado en la produccin de dispositivos semiconductores, y se define como "la tcnica de las modificaciones de la presentacin de la energa elctrica" o bien como "la aplicacin de la electrnica de estado slido para el control", el cual el control se encarga del rgimen permanente y de las caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo cerrado. La energa tiene que ver con el equipo de potencia esttica, rotatoria o giratoria, para la generacin, transmisin, distribucin y utilizacin de la energa elctrica. La electrnica se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado slido requeridos en el procesamiento de seales para cumplir con los objetivos del control deseados y la conversin de la energa elctrica.

Electrnica de potencia, ventajas y desventajas.


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Es una de las ramas de la ingeniera elctrica, en ella se combina la energa, la electrnica y el control. Principalmente se usa en fbricas y talleres en los que se controlen equipos consumidores de alta potencia. La electrnica de potencia tiene sus inicios en el ao 1900, con la introduccin del rectificador de arco de mercurio. Luego aparecieron, gradualmente, el rectificador de tanque metlico, el rectificador de tubo al alto vaco de rejilla controlada, el ignitrn, el fanotrn y el tiratrn. Estos se aplicaron al control de la energa hasta la dcada de 1950. Ejemplo de un Tiratrn se muestra en la figura I. En 1948 se inicia la primera revolucin electrnica con la invencin del transistor de silicio en los Bell TelephoneLaboratories por los seores Bardeen, Brattain ySchockley. Otros de los grandes inventos fue la del transistor de disparo pnpn, que se definio como tiristor o recticador controlado de silicio (SCR por sus siglas en ingls). La segunda revolucin electrnica fue en 1958 con el desarrollo del tiristor comercial por General Electric Company. Ese fue el principio de la nueva era de la electrnica de potencia, hasta la fecha se han introducido diversos dispositivos semiconductores de potencia y tnicas de conversin. La revolucin de la electrnica de potencia nos est dando la capacidad de dar forma y controlar grandes cantidades de energa con una eficiencia cada vez mayor. Ventajas y desventajas de la electrnica de potencia Los dispositivos semiconductores de potencia permiten realizar puentes convertidores electrnicos, eficientes que mejoran las prestaciones estticas y dinmicas de los procesos de conversin de energa elctrica, originando procesos ms eficientes debido a lacapacidad de conmutar grandes bloques de energa con mnimas perdidas. La conmutacin de altos bloques de energa trae consigo la introduccin de contaminacin armnica en tensin y corriente sobre las lneas de alimentacin, problemas de resonancia, interferencia electromagntica, fallas de aislacin, entre otras.

Estos problemas pueden solucionarse mediante filtros pasivos y/o activos o mejorando las estrategias de conmutacin de los puentes electrnicos.

Las principales razones tcnicas para la utilizacin de sistemas electrnicos y de potencia son a menudo la gran velocidad y la dinmica de regulacin que se asocia a sus dispositivos. La soldadura sin proyeccin, el tren de levitacin
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magntica, la fabricacin de electroerosin y las maquinas de herramientas son buenos ejemplos de ello. Las principales razones econmicas son la reduccin del peso y volumen y el buen rendimiento de los equipos. La alimentacin en modo conmutado en los televisores reduce el costo de produccin. En los equipos informticos, tiene la ventaja de una reduccin en la disipacin trmica en salas climatizadas. En los medios de transporte, la alimentacin en modo conmutado permite obtener ms ganancias en peso y volumen, lo que se traduce en la reduccin del peso y del consumo de los vehculos. A continuacin se presentan algunas ventajas y desventajas de los semiconductores utilizados en la electrnica de potencia. Ventajas: Tamao reducido, mas econmicos, versatilidad de caractersticas de voltaje y corriente, posibilidad de manejo de alta potencia, baja corriente voltaje de control, de accionar silencioso, no requieren mantenimiento interno, estn en constante evolucin. Desventajas: Sensibles a variaciones bruscas de corriente, y voltaje que sobrepasa en sus especificaciones, sensibles a las temperaturas altas, requieren de disipadores y sistemas de enfriamiento, se daan en forma irreversible, un costo muy elevado.

Ventajas
*Menor costo. *Menor tamao. *Mayor rapidez de conmutacin. *Libres de mantenimiento (excepto limpieza exterior). *Capacidad en manejo de altas corrientes. *Operacin silenciosa. *No necesitan de sistemas de enfriamiento. *Fuertes resistencias a los choques y aceleraciones. *Ausencia de vibraciones (no hay arco elctrico). *Insensibilidad a las sobrecargas.

Desventajas
*No provee aislamiento elctrico (los relevadores s).
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*Requiere de cuidado en su conexin. *Les puede afectar la alta temperatura. *Fciles de destruir si se sobrepasan sus especificaciones. *Requieren voltajes regulables

Definicin para electrnica de potencia de algunos autores:


Muhammad H. Rashid.- La electrnica de potencia es la parte de la electrnica encargada del estudio de dispositivos, circuitos, sistemas y procedimientos para el procesamiento, control y conversin de la energa elctrica. NedMohan.- Es el control y procesamiento de la energa elctrica suministrando voltajes y corrientes en la manera ms ptima para ser utilizada por diferentes cargas. Joseph Vithayathil.- Es la tecnologa que liga la potencia elctrica con la electrnica. Bimmal K. Bose.- Es la ciencia que combina la conversin y el control de la potencia elctrica para diversas aplicaciones, tales como fuentes de alimentacin reguladas AC y DC, control de iluminacin y calefaccin y muchas aplicaciones ms.

Sistemas de control que se han desplazado a partir de la utilizacin del SCR o de los tiristores
Con la aparicin del SCR, se materializo un cambio muy significativo en los dispositivos elctricos y electrnicos de potencia, tanto en la concepcin como en la realizacin de inversores y conversores de potencia elctrica. El SCR sustituyo a primera instancia al tiratrn en los circuitos empleados en electrnica industrial; en este sentido se puede decir que, como componente activo de los circuitos electrnicos el SCR represento un gran adelanto respecto a aquel. Si bien ambos componentes son semejantes en cuanto a su forma de actuar, no lo son en sus caractersticas elctricas, en las que resulta muy
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superior el SCR, ni en sus caractersticas mecnicas, donde el peso, volumen y robustez no admiten competencia. Por lo tanto el SCR fue un gran adelanto en la electrnica de potencia.

-Antecedentes histricosLa electrnica de potencia data del ao de 1900, con la introduccin del rectificador de arco de mercurio. Luego se descubre el rectificador de tanque metlico, el rectificador de tubo al vacio de rejilla controlada, el ignitrn y el tiratrn. Estos dispositivos tuvieron su aplicacin en el control de la energa hasta la dcada de 1950. La primera evolucin tecnolgica ocurri en 1948 con la invencin del transistor de silicio en los Bel Telephone Laboratories. La mayora de las tecnologas electrnicas avanzadas tienen su origen en dicho descubrimiento. En 1956, el mismo laboratorio, incorporo el transistor de disparo PNPN, que se defini como un Tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR). La segunda revolucin de la electrnica empez en 1957 con el desarrollo del Tiristor comercial por General Electric Company. Ese fue el principio de una nueva era en la electrnica de potencia. Desde entonces se han introducido diversos tipos de dispositivos semiconductores de potencia y tcnicas de conversin. En la actualidad la revolucin de la electrnica de potencia est dando la capacidad de formar y controlar grandes cantidades de energa con una eficiencia cada vez mayor. Cabe mencionar que la electrnica de potencia vino a cubrir necesidades como la conversin de energa para el control de los motores elctricos, as como tambin encargarse de los dispositivos de estado slido para el procesamiento de seales para lograr los objetivos de control deseados.

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Aunque el efecto de emisin termoinica fue originalmente reportado por Frederick Guthrie en 1873, es la investigacin de Thomas Alva Edison el trabajo ms a menudo mencionado. Edison, al ver que con el uso el cristal de las lmparas incandescentes se iba oscureciendo, busc la forma de aminorar dicho efecto, realizando para ello diversos experimentos. Uno de ellos fue la introduccin en la ampolla de la lmpara de un electrodo en forma de placa, que se polarizaba elctricamente con el fin de atraer las partculas que, al parecer, se desprendan del filamento. A pesar de que Edison no comprenda a nivel fsico el funcionamiento, y desconoca el potencial de su "descubrimiento", en 1884 Edison lo patent bajo el nombre de "Efecto Edison".

Al agregar un electrodo plano (placa), cuando el filamento se calienta se produce una agitacin de los tomos del material que lo recubre, y los electrones de las rbitas de valencia son acelerados, alcanzando velocidades de escape, con lo que se forma una nube de electrones por encima del mismo. La nube termoinica, fuertemente atrada por la placa, debido al potencial positivo aplicado en la misma, da lugar a la circulacin de una corriente electrnica a travs de la vlvula entre el filamento y el nodo. A este fenmeno se le denomina Efecto Edison-Richardson o termoinico. Llegados a este punto, tenemos que la vlvula termoinica ms simple est constituida por una ampolla de vidrio, similar a la de las lmparas de incandescencia, a la que se le ha practicado el vaco y en la que se hallan encerrados dos electrodos, denominados ctodo y nodo. Fsicamente, el ctodo, consiste en un filamento de wolframio, recubierto por una sustancia rica en electrones libres, que se calienta mediante el paso de una corriente. El nodo est formado por una placa metlica que rodea al filamento a una cierta distancia y a la que se aplica un potencial positivo. Por constar de dos electrodos a la vlvula antes descrita se le denomina diodo. En tanto en cuanto que la funcin de ctodo es realizada directamente por el filamento, se trata de una vlvula de caldeo directo. Cuando se quieren obtener mayores corrientes a travs de la vlvula y un aislamiento elctrico entre la fuente de corriente de caldeo del filamento y la de nodo-ctodo, se utiliza un ctodo independiente constituido por un pequeo tubo metlico revestido o "pintado" con algn material rico en electrones libres,
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como el xido de torio, que rodea el filamento, aislado elctricamente, pero muy prximo a l para poder calentarlo adecuadamente. En este caso la vlvula se denomina de caldeo indirecto, pudiendo entonces la corriente del caldeo ser incluso alterna. En este tipo de vlvulas el filamento solo es el elemento calefactor y no se considera un electrodo activo. Al estar los filamentos aislados se pueden conectar juntos (en serie o paralelo) los filamentos de todas las vlvulas del equipo, lo que no es posible con ctodos de caldeo directo. Si se agregan otros electrodos entre nodo y ctodo (llamados rejillas) se puede controlar o modular el flujo de electrones que llegan al nodo, de ah la denominacin de vlvula. Debido al hecho de que la corriente por el interior de la vlvula solo puede circular en un sentido, una de las aplicaciones de las vlvulas termoinicas es su utilizacin como rectificador. Asimismo, y dado que con pequeas diferencias de potencial aplicadas entre rejilla y ctodo se pueden producir variaciones considerables de la corriente circulante entre ctodo y nodo, otra aplicacin, posiblemente la ms importante, es como amplificador.

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La electrnica de potencia se puede definir como la aplicacin de la electrnica de estado slido para el control y conversin de la energa elctrica es la parte de la electrnica que estudia los dispositivos y circuitos electrnicos usados para modificar las caractersticas de la energa elctrica (tensin, frecuencia). La electrnica de potencia empez a hacer historia en el ao de 1900, con la introduccin del rectificador de arco de mercurio. Posteriormente aparecieron, el rectificador de tanque metlico, el rectificador de tubo al alto vacio de rejilla controlada, el ignitrn y el tiratrn, los cuales se aplicaron al control de la energa hasta la dcada de 1950. En 1948, los seores john bardeen, walter brattainse y william shockley de la bell telephone laboratories, presentan un transistor de punta de contacto simple, es decir, inventan el transistor de silicio e inician con ello la primera revolucin electrnica. Fue el nacimiento de la tecnologa electrnica. la mayora de las tecnologas electrnicas avanzadas actuales tienen su origen en esta invencin. En 1956, cientficos. De la bell telephone laboratories inventan el transistor de disparo pnpn, que se defini como tiristor rectificador controlado de silicio. En 1958 la general electric company desarroll el tiristor comercial, " causando. La segunda revolucin electrnica . Siendo este el principio de una nueva era en la electrnica de potencia. Simultneamente, en 1958, jack kelby de texas instruments, invent el circuito integrado. Esta fue la revolucin de la microelectrnica. Los circuitos integrados, a travs del uso de micro procesadores y los micro controladores, se utilizan extensamente para controlar semiconductores de potencia. As como la revolucin micro electrnica ha dado al hombre la capacidad de procesar informacin a una velocidad increble, la "revolucin de la electrnica de potencia le ha dado la capacidad de dar forma y controlar grandes cantidades de energa, con una eficiencia cada vez mayor. Con la fusin de la electrnica de potencia que es. El musculo que aporta la fuerza y la microelectrnica que es el cerebro que proporciona el control, se han descubierto muchas aplicaciones potenciales de la electrnica de potencia. Hasta 1970, los tiristores se haban fabricado para ser utilizados en forma exclusiva para el control de energa en aplicaciones industriales. A partir de 1970, se desarrollaron dispositivos semiconductores de potencia para uso comercial, siendo los ms utilizados los siguientes:
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Los diodos de uso general estn disponibles hasta para 5000v, 5000 a, a frecuencia de 1khz y tiempo de conmutacin de 100 microsegundos. Los diodos de alta velocidad son esenciales en convertidores de potencia a alta frecuencias, y tienen tiempos de recuperacin inversa que varan de 0.1 a 5 microseg y potencias de 3000 v, 1000a. Para los diodos schottky la recuperacin inversa puede ser del orden de ns, y potencia de 40v, 60 a.. Los tiristores estn conformados por una extensa familia de dispositivos de alta y baja potencia, como son: scr, triac,gto, diac, sus, sbs, put, scs, lascr y su aplicacin principal es el control y la conversin de la energa elctrica.
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Los transistores bipolares de alta potencia se utilizan en los convertidores de energa y operan a frecuencias menores a 10. khz, en especificaciones de potencia de hasta 1200 v, 400 a. Los mosfets de potencia se utilizan en convertidores de potencia de alta velocidad para potencias de 1000 v, 50 a y frecuencia de hasta 100 khz. Los igbt (transistores bipolares de compuerta aislada), son transistores de potencia controlados por voltaje, ms rpidos que los bjt, pero ms lentos que los mosfets. Los hay para hasta 1200 v, 400 a y frecuencias de 20 khz. El sit (transistor de induccin esttica), es un dispositivo de alta frecuencia y alta potencia, es la versin en estado slido del tubo de vacio triodo. Es un dispositivo de bajo ruido, baja distorsin y es aplicado en vhf, uhf y amplificadores de microondas. No se aplica en convertidores debido a que en conduccin presenta alta cada de voltaje.

Dispositivos que se han sustituido por la electrnica de potencia.


Los dispositivos semiconductores de potencia exitosamente a los siguientes componentes: estn reemplazando

Thyratrons, relys, ignitrons, rheostats, motor starters, transformers, contactors, variable autotransformers, vacuum tubes, machanical speed changers, etc.

-Vlvulas Electrnicas-

La vlvula electrnica, tambin llamada vlvula termoinica, vlvula de vaco, tubo de vaco o bulbo, es un componente electrnico utilizado para amplificar, conmutar, o modificar una seal elctrica mediante el control del movimiento de los electrones en un espacio "vaco" a muy baja presin, o en presencia de gases especialmente seleccionados. La vlvula originaria fue el componente crtico que posibilit el desarrollo de la electrnica durante la primera mitad del siglo XX, incluyendo la expansin y comercializacin de la radiodifusin, televisin, radar, audio, redes telefnicas, computadoras analgicas y digitales, control industrial, etc. Algunas de estas aplicaciones son anteriores a la vlvula, pero vivieron un crecimiento explosivo gracias a ella.

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El Tiratrn
En 1929 se introduce el Tiratrn, desarrollado por A. Whull. ste es un tubo de ctodo caliente que contiene gas inerte o vapor de mercurio a baja presin. Laintroduccin del gas en un tubo electrnico trodo altera radicalmente suscar actersticas de funcionamiento. El Tiratrn acta como un diodo rectificador a gas con una rejilla de control. Se llama tiratrn a una vlvula termoinica parecida a un triodo que estuviera lleno de gas. Se utiliza para el control de grandes potencias y corrientes, lo que en un dispositivo de vaco es muy difcil debido al nmero limitado de electrones que puede producir un ctodo termoinico. Aadiendo un gas inerte que se ioniza, inicialmente por medio de los electrones termoinicos, se tiene un nmero mucho mayor de portadores de corriente que en el triodo. A diferencia del trodo, la corriente de nodo no es proporcional a la tensin de rejilla, sino que cuando se dispara, se produce la ionizacin del gas que lleva al dispositivo a su resistencia mnima.

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En un Tiratrn de ctodo caliente, la corriente que pasa por una carga se puede controlar variando la polarizacin de la rejilla de control. La rejilla de control requiere de una tensin negativa o bien, una tensin positiva para que comience a operar En un Tiratrn de ctodo caliente, la corriente que pasa por una carga se puede controlar variando la polarizacin de la rejilla de control. La rejilla de control requiere de una tensin negativa o bien, una tensin positiva para que comience a operar. En la figura 1.7a se muestra un circuito de un Tiratrn conectado como rectificador de media onda. En esta figura se observa una fuente de alimentacin variable (VC). Con dicha fuente, se puede variar la polarizacin de la rejilla de control y por lo tanto, se puede reducir el intervalo de tiempo durante el cual conduce el tiratrn. La forma de onda entre nodo y ctodo muestra que, con el control de polarizacin ajustado a un valor, el tubo de ctodo caliente no conduce hasta que se alcanza la tensin V1. Cuando alcance dicha tensin, entonces se dispara y conduce durante el intervalo t. Durante el semi-ciclo negativo se bloquea el Tiratrn.

La forma de onda del voltaje de carga y de la corriente de carga BA (figura 1.7b), indica que el comienzo de la conduccin se ha retrasado hasta el instante correspondiente a B, esto se debe por la aplicacin de una polarizacin negativa a la rejilla de control. Durante el intervaloCD en que el tubo esta conduciendo, la corriente en la rejilla disminuye aproximadamente hasta cero.

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Ignitrn
Este es un rectificador de mercurio lquido de tres electrodos. Su nombre fue derivado del mtodo de encendido del arco. El Ignitrn es una vlvula grande de ctodo frio que se usa para conmutar corrientes intensas. El nodo es generalmente un bloque de carbono y el ctodo es una bolsa de mercurio. El electrodo activador o encendedor es una varilla de carburo de silicio especialmente conformada y parcialmente sumergida en el mercurio. Cuando pasa por el encendedor (interruptor) una corriente muy intensa se produce una emisin electrnica en los puntos de contacto con el mercurio que se evapora para formar un paso conductor entre los electrodos. Las versiones mayores de ignitrones tienen cubiertas compuestas de metal y vidrio con un sistema de enfriamiento por agua, similar al de los rectificadores de arco de mercurio de los cuales se ha derivado este. Este dispositivo puede soportar tensiones de hasta 20000 V y corrientes de varios miles de amperes, siendo la cada de tensin en conduccin de 15 a 20 V. Su estructura bsica y caractersticas de voltaje y corriente se muestran a continuacin:

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La conduccin se provoca en el momento deseado aplicando un impulso de20 a 50A y unos cientos de voltios entre la terminal de disparo llamado ignitor y el ctodo, elctricamente conectado a la cubeta que contiene mercurio. El nodo debe estar previamente polarizado a tensin positiva respecto al ctodo.

Clasificacin de los tiristores

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Los Tiristores se pueden subdividir en trece tipos: Rectificador controlado de silicio (SCR) Tiristor de Triodo Bidireccional (Triac). Tiristor Bidireccional de Silicio (Diac). Interruptor Unilateral de Silicio (SUS). Interruptor Bilateral de Silicio (SBS). Interruptor de Apagado por Compuerta (GTO). Interruptor Controlado de Silicio (SCS). Diodo de Cuatro Capas (Diodo Shockley). Interruptor Direccional de Silicio (SIDAC). Transistor Mono-unin (UJT). Transistor Mono-unin Programable (PUT). Rectificador Controlado de Silicio Activado por Luz (LASCR)

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Instituto Tecnolgico de Chihuahua 2013 El SCR (Rectificador controlado de silicio)


Es un dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi ideal. El smbolo y estructura del SCR se muestran en la figura. Analizando los diagramas: A = nodo, G = compuerta o Gate y C = K = ctodo

Curva Caracterstica del SCR

APLICACIONES DEL SCR:


Las aplicaciones de los tiristores se extiende desde la rectificacin de corrientes alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la realizacin de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos, pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en corriente alterna.

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La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada en conduccin estar controlada por la seal de puerta. De esta forma se podr variar la tensin continua de salida si se hace variar el momento del disparo ya que se obtendrn diferentes ngulos de conduccin del ciclo de la tensin o corriente alterna de entrada. Adems el tiristor se bloquear automticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya que en este momento empezar a recibir tensin inversa.
Por lo anteriormente sealado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones, entre ellas estn las siguientes:

Controles de relevador. Recortadores. Circuitos de retardo de tiempo. Ciclo conversores. Fuentes de alimentacin reguladas.

Interruptores estticos. Controles de fase. Circuitos de proteccin. Controles de calefaccin. Cargadores de bateras.

El Triac
Es un dispositivo semiconductor que pertenece a la familia de los dispositivos de control tiristores.

El triac es en esencia la conexin de dos tiristores en paralelo pero conectados en sentido opuesto y compartiendo la misma compuerta. Slo se utiliza en corriente alterna y al igual que el tiristor, se dispara por la compuerta. Como el triac funciona en corriente alterna, habr una parte de la onda que ser positiva y otra negativa.

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La parte positiva de la onda (semiciclo positivo) pasar por el triac siempre y cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de arriba hacia abajo (pasar por el tiristor que apunta hacia abajo), de igual manera, la parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasar por el triac siempre y cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de abajo hacia arriba (pasar por el tiristor que apunta hacia arriba), para ambos semiciclos la seal de disparo se obtiene de la misma patilla (la puerta o compuerta). Lo interesante es, que se puede controlar el momento de disparo de esta patilla y as, controlar el tiempo que cada tiristor estar en conduccin. Recordar que un tiristor slo conduce cuando ha sido disparada (activada) la compuerta y entre sus terminales hay un voltaje positivo de un valor mnimo para cada tiristor), entonces, si se controla el tiempo que cada tiristor est en conduccin, se puede controlar la corriente que se entrega a una carga y por consiguiente la potencia que consume. Ejemplo: Una aplicacin muy comn es el atenuador luminoso de lmparas incandescentes (circuito de control de fase). Donde: -Ven: Voltaje aplicado al circuito (A.C.) - L: lmpara -P: potencimetro -C: condensador (capacitor) R: Resistor T: Triac -A2: Anodo 2 del Triac -A3: Anodo 3 del Triac - G: Gate, puerta o compuerta del Triac

El triac controla el paso de la corriente alterna a la lmpara (carga), pasando continuamente entre los estados de conduccin (cuando la corriente circula por el triac) y el de corte (cuando la corriente no circula)
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Si se vara el potencimetro, se vara el tiempo de carga de un capacitor causando que se incremente o reduzca la diferencia de fase de la tensin de alimentacin y la que se aplica a la compuerta

Notas: - La diferencia de fase o la fase entre dos seales u ondas se define como el ngulo (diferencia de tiempo) que existe entre los dos orgenes de las mismas. - En este documento se utiliza el trminotiristor como sinnimo de SCR. Aplicaciones ms comunes Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas. Una de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas ventajas sobre los interruptores mecnicos convencionales y los rels. Funciona como interruptor electrnico y tambin a pila. Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de luz, controles de velocidad para motores elctricos, y en los sistemas de control computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con cargas inductivas como motores elctricos, se deben tomar las precauciones necesarias para asegurarse que el TRIAC se apaga correctamente al final de cada semiciclo de la onda de Corriente alterna. Debido a su poca estabilidad en la actualidad su uso es muy reducido.

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DIAC El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para disparar TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensin).Tiene dos terminales: MT1 y MT2.El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en formas opuesta. La conduccin se da cuando se ha superado el valor de tensin del zener que est conectado en sentido opuesto.ElDIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga. La conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza. Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC.Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante control de fase.

La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin

En la curva caracterstica se observa que cuando - +V o - V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un circuito abierto - +V o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un cortocircuito
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Sus principales caractersticas son: - Tensin de disparo - Corriente de disparo -Tensin de simetra (ver grafico anterior) -Tensin de recuperacin - Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.5 a 1 watt.)

Estructura interna de Diac: APLICACIONES DEL DIAC La aplicacin caracterstica del DIAC es la formacin de impulsos aprovechando eltiempo de carga variable de un condensador C, alimentado a travs de unpotencimetro P, como muestra en la figura 31. Cuando alcanza C el valor de disparo en cada semiciclo se produce el paso de corrientea travs del DIAC y del circuito puerta-ctodo del SCR, con lo que se ceba este ltimoy la carga recibe el suministro de potencia. El tiempo que en cada semiciclo tarda encargarseC, y consecuentemente cebarse el DIAC y el SCR, se regula con P, el cualcontrola la potencia que el SCR suministra a la carga.

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SUS(Silicon unilateral switch) El conmutador unilateral de silicio es la combinacin de un tiristor con puerta andica y un diodo zener entre puerta y ctodo. Su utilizacin es para el disparo de tiristores. Su principal parmetro es de Vs = 6 y 10v, la corriente Is est muy cercana a la IH. La sincronizacin se da mediante impulsos en la puerta del SUS. Se comporta esencialmente como diodo de cuatro capas de bajo voltaje y con compuerta para su disparo. Se controla con mayor exactitud y depende menos de la temperatura que el diodo de cuatro capas.

Aplicaciones de el SUS: Este l un circuito donde se utiliza el SUS para el control de velocidad de un motor. SBS (Silicon Bilateral Switch) Es una clase de tiristor bidireccional. Est formado por dos SUS conectados en anti paralelo. A diferencia de otros tiristores, el SBS, desde un punto de vista tecnolgico, no es una versin mejorada del diodo npnp, sino que es un circuito integrado que incorpora diodos Zener conectados a la puerta, transistores y resistencias. Esto le da la ventaja de poder aparear estrechamente los
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componentes, consiguiendo una asimetra en la tensin de disparo inferior a medio voltio. Aunque funciona como un dispositivo de dos puertas, se ha incorporado un electrodo de puerta para una mayor flexibilidad en el uso del

dispositivo. Se usan normalmente para el disparo de triacas, las especificaciones son idnticas a las del SUS a excepcin del Vr que pierde todo significado. Control de potencia de una carga con un SBS. Seal de salida del SBS. Los siguientes circuitos son utilizados para el control del disparo de un SBS. En el primero, con la seleccin adecuada de dos resistencias se puede regular la corriente que circula por la compuerta del SBS y por lo tanto permite ajustar su ngulo de disparo y la potencia entregada a una carga cualquiera. Ntese que los ngulos de disparo en los dos semiciclos son iguales. En el segundo y tercer circuito se controla indirectamente la potencia entregada a la carga, al controlar directamente el disparo de un SCR y TRIAC, respectivamente. Dependiendo de los valores de resistencias y capacitancias seleccionados, as mismo ser el tiempo de carga y descarga del condensador (constante RC); al cargarse el condensador hasta un voltaje determinado, el SBS se disparar y le entregar pulsos de voltaje al SCR o TRIAC para que se disparen y le entreguen la potencia a la carga. El segundo circuito es comnmente utilizado para el control de motoresDC, mientras que el tercero es frecuentemente usado para control de iluminacin (luces) y calentadores elctricos.

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Circuito de control de disparo de un SBS para el disparo de un SCR.

Circuito de control de disparo de para el disparo de un TRIAC.

GTO: Tiristor de desactivacin por compuerta Entre las mejoras ms recientes que se le han hecho al tiristor est el apagado por compuerta (GTO). Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsacin suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH. Aunque los tiristores GTO se han venido usando desde 1960, solamente se volvieron prcticos para las aplicaciones de control de motores, al final de los aos setenta. Estos dispositivos se han vuelto ms y ms comunes en las unidades de control de motores, puesto que ellos eliminaron la necesidad de componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc. En aplicaciones de control de potencia de CD, los semiconductores de potencia necesitan circuitos de proteccion. Su curva caracteristica obedece en forma muy parecida a la del SCR, pero con la facilidad del GTO de poder conmutar a apagado mediante un pulso de corriente negativa en su compuerta.

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SCS (Siliconcontroldswitch) El conmutador controlado de silicio se construye en forma similar al SCR excepto que ambas capas centrales se conectan a compuertas; una se denomina compuerta de nodo y la otra, compuerta de ctodo. La operacin bsica del SCS puede comprenderse refirindose al equivalente con transistores que se muestra siguiente figura. Se supone que ambos Q1 y Q2 estn apagados y que, por lo tanto, el SCS no conduce. Un pulso positivo en la compuerta andica lleva al Q2 hacia la conduccin y proporciona as una trayectoria para la corriente de base al Q1. Cuando ste se enciende, su corriente de colector proporciona excitacin de base al Q2, manteniendo as el estado encendido del dispositivo. Esta accin regenerativa es la misma en que el proceso de encendido del SCR y el diodo Shockley y .El SCS tambin puede encenderse con un pulso negativo en la compuerta del nodo. Esto energiza al Q1 hacia conduccin, en el que a su vez proporciona corriente de base para el Q2. Una vez que el Q2 est encendido, proporciona una trayectoria para la corriente de base del Q1, sosteniendo as el estado encendido. Para apagar SCS se aplica un pulso positivo a la compuerta del nodo. Esta accin polariza e inversa a la unin base-emisor del Q1 y lo apaga. El Q2 a su vez, se apaga y el SCS deja de conducir como se muestra en la parte (b). El SCS tiene comnmente un tiempo de apagado ms rpido que el SCR. Adems del pulso positivo en la compuerta del nodo o el negativo en la del ctodo, existen otros mtodos para apagar un SCS. En cada caso, el transistor opera como un interruptor. Tiene aplicaciones semejantes a las del SCR y en aplicaciones digitales como contadores, registradores y circuitos de sincronizacin.
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Curva caracterstica, que es igual o similar a la del SCR.

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Diodo Shockley Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky.Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor. La regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A). El diodo de 4 capas o diodo Shockley maneja aplicaciones como: Osciladores y Dispositivos de Disparo a SCR.

Aplicaciones Prcticas del Diodo Shockley El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lgica TTL. Por ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutacin entre los transistores sean mucho menores puesto que son ms superficiales y de menor tamao por lo que se da una mejora en la relacin velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottky TTL con la misma potencia.
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El SIDAC

El SIDAC (SiliconDiodeforAlternatingCurrent) es un dispositivo bilateral de disparo de alta tensin y corriente. Es bsicamente un diodo de cuatro capas con unas caractersticas elctricas simtricas. El SIDAC se utiliza en aplicaciones en la cuales se necesita una tensin de disparo tpicamente comprendida entre 104 y 280 V Forma parte de la familia de los Tiristores, comunmente llamados diodos tiristores bi-direccionales, es tcnicamente especificado como un interruptor conmutado de tensin bilateral. El SIDAC es un dispositivo de conmutacin activado por voltaje y utilizado en circutos de encendido de lmparas compuestas por halogenuros metlicos as como en la iluminacin de calles y exteriores en circuitos de encendido de lmparas de vapor de sodio de alta presin. Los SIDAC se distinguen de los DIACs por el hecho de que estn diseados para manejar mayor potencia que los segundos, es decir, que generalmente presentan un mayor voltaje de disrupcin y puede transportar una mayor cantidad de corriente que los DIACs. El SIDAC, es un interruptor de silicio semiconductor de mltiples capas. Este componente es conmutado por tensin y puede ser operado como interruptor bidireccional. Por lo general, los SIDAC se utilizan en el suministro de potencia de alta tensin, o de circuitos de encendido.El SIDAC posee una estructura similar a la del Diodo Shockley con la singular caracterstica de tener una quinta capa P en su estructura. Es un dispositivo compuesto, en principio, por cuatro capas semiconductoras NPNP ms una capa P. Esencialmente, es un dispositivo interruptor que al aplicrsele tensin positiva entre el nodo y el ctodo, tendr polarizacin directa entre dos de las uniones PN y una polarizacin inversa en las uniones NP. En estas condiciones, nicamente circula corriente muy baja y el dispositivo se encuentra en estado de corte o bloqueo. Al aumentar esta tensin, se llega a un voltaje de ruptura o avalancha, en el cual la corriente crece de forma abrupta y la cada de tensin decrece de idntico modo. En este momento, el SIDAC ha conmutado desde el estado de bloqueo al de conduccin.

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-Parmetros o caractersticas elctricas ms generales de los dispositivos*Voltaje Inverso de Ruptura La tensin de ruptura del dispositivo (Breakdown Voltage) o, lo que es lo mismo, la mxima tensin inversa que puede soportar el dispositivo cuando ste est bloqueado (Polarizacin inversa) *Corriente nodo-Ctodo *Voltaje Directo de Ruptura
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*Corriente Mxima en Directa *Voltaje nodo-Ctodo *Corriente de Sostenimiento Para que el dispositivo siga en el estado activo se debe inducir desde el nodo una corriente de sostenimiento, mucho menor que la de enganche, sin la cual el dispositivo dejara de conducir. *Potencia Es la relacin de paso de energa de un flujo por unidad de tiempo; es decir, la cantidad de energa entregada o absorbida por un elemento en un tiempo determinado. *Voltaje de Compuerta *Corriente de Compuerta Para un tiristor polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo entre compuerta y ctodo lo activar. Si aumenta esta corriente de compuerta, disminuir el voltaje de bloqueo directo, revirtiendo en la activacin del dispositivo VRDM: Mxima tensin inversa de cebado (VG = 0)-

VFOM: Mxima tensin directa sin cebado (VG = 0)IF: Mxima corriente directa permitida.PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.VGT-IGT: Mxima tensin o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebadoErick Jos Carrasco Arredondo Pgina 31

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IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el tiristordv/dt: Mxima variacin de tensin sin producir cebado.di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el tiristor

Parmetros del TRIAC


VDRM (Tensin de pico repetitivo en estado de bloqueo) = es el mximo valor de tensin admitido de tensin inversa, sin que el triac se dae. IT (RMS) (Corriente en estado de conduccin) = en general en el grafico se da la temperatura en funcin de la corriente. ITSM (Corriente pico de alterna en estado de conduccin (ON)) = es la corriente pico mxima que puede pasar a travs del triac, en estado de conduccin. En general seta dada a 50 o 60 Hz. I2t (Corriente de fusin) = este parmetro da el valor relativo de la energa necesaria para la destruccin del componente. PGM (Potencia pico de disipacin de compuerta) = la disipacin instantnea mxima permitida en la compuerta. IH (Corriente de mantenimiento) = la corriente directa por debajo de la cual el triac volver del estado de conduccin al estado de bloqueo. dV/dt ( velocidad critica de crecimiento de tensin en el estado de bloqueo) = designa el ritmo de crecimiento mximo permitido de la tensin en el nodo antes de que el triac pase al estado de conduccin. Se da a una temperatura de 100C y se mide en V/m s. tON ( tiempo de encendido) = es el tiempo que comprende la permanencia y aumento de la corriente inicial de compuerta hasta que circule la corriente andica nominal.

-Circuitos De AplicacinErick Jos Carrasco Arredondo Pgina 32

Instituto Tecnolgico de Chihuahua 2013 Convertidor DC a DC


Se llama convertidor DC-DC a un dispositivo que transforma corriente continua de una tensin a otra. Suelen ser reguladores de conmutacin, dando a su salida una tensin regulada y, la mayora de las veces con limitacin de corriente. Se tiende a utilizar frecuencias de conmutacin cada vez ms elevadas porque permiten reducir la capacidad de los condensadores, con el consiguiente beneficio de volumen, peso y precio. Son varios los tipos de convertidores DC-DC existentes. Normalmente se clasifican en tres grupos: los que disminuyen la tensin a su salida (convertidor reductor), los que aumentan la tensin a su salida (convertidor elevador) y los que son capaces de realizar ambas funciones.

Reductores Convertidor Buck


El convertidor Buck (o reductor) es un convertidor de potencia que obtiene a su salida un voltaje continuo menor que a su entrada. El diseo es similar a un convertidor elevador o Boost, tambin es una fuente conmutada con dos dispositivos semiconductores (transistor S y diodo D), un inductor L y opcionalmente un condensador C a la salida.

Elevadores
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Instituto Tecnolgico de Chihuahua 2013 Convertidor Boost


El convertidor Boost (o elevador) es un convertidor de potencia que obtiene a su salida una tensin continua mayor que a su entrada. Es un tipo de fuente de alimentacin conmutada que contiene al menos dos interruptores semiconductores y al menos un elemento para almacenar energa. Frecuentemente se aaden filtros construidos con inductores y condensadores para mejorar el rendimiento. Un conector de suministro de energa habitual normalmente no se puede conectar directamente a dispositivos como ordenadores, relojes o telfonos. La conexin de suministro genera una tensin alterna (AC) y los dispositivos requieren tensiones continuas (DC). La conversin de potencia permite que dispositivos de continua utilicen energa de fuentes de alterna, este es un proceso llamado conversin AC a DC y en l se usan convertidores AC a DC como rectificadores. La energa tambin puede provenir de fuentes DC como bateras, paneles solares, rectificadores y generadores DC, pero ser de niveles inadecuados. El proceso de cambiar una tensin de continua a otra diferente es llamado conversin DC a DC. Un convertidor Boost es uno de los tipos de convertidores DC a DC. Presenta una tensin de salida mayor que la tensin de la fuente, pero la corriente de salida es menor que la de entrada.

Reductores-Elevadores
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Instituto Tecnolgico de Chihuahua 2013 Convertidor Buck-Boost


El convertidor buckboost es un tipo de convertidor DC-DC que tiene una magnitud de voltaje de salida que puede ser mayor o menor que la magnitud del voltaje de entrada. Esta es switch mode power supply o fuente de alimentacin conmutada con una forma parecida a la del convertidor boost y el convertidor buck. El voltaje de salida es ajustable variando el ciclo de trabajo del transistor de conmutacin. Un posible inconveniente de este convertidor es que el interruptor no tiene un terminal conectado a tierra; esto complica el circuito. Adems, la polaridad del voltaje de salida es opuesta al voltaje de entrada. Ninguno de los anteriores inconvenientes tiene consecuencias si la fuente de suministro est aislada del circuito de carga. (si, por ejemplo, la fuente es una batera) ya que la polaridad de la fuente y el diodo pueden simplemente cambiarse. El interruptor puede colchares tanto en el lado de la tierra como en el lado de la fuente.

Convertidor Flyback
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El convertidor Flyback o convertidor de retroceso es un convertidor DC a DC con aislamiento galvnico entre entrada y salida. Tiene la misma estructura que un convertidor Buck-Boost con dos bobinas acopladas en lugar de una nica bobina; errneamente, se suele hablar de un transformador como elemento de aislamiento pero, en realidad no es as, puesto que un transformador no almacena ms que una mnima parte de la energa que maneja mientras que el elemento inductivo del flyback almacena toda la energa en el ncleo magntico. Esta es la razn por la que el dispositivo inductivo de este tipo de convertidores es mucho ms voluminoso para una misma frecuencia de conmutacin que el de otros convertidores con aislamiento que s usan transformador de verdad como los push-pull y los puentes. Por este motivo, este convertidor slo se usa en aplicaciones de baja potencia. Otro problema frecuente es el efecto negativo de la inductancia de dispersin que causa sobretensiones importantes en el interruptor controlado con lo que su uso queda limitado a aplicaciones de baja tensin de entrada, salvo que se usen redes de amortiguacin.

Convertidor Cuk
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El convertidor Duk es un tipo de convertidor DC-DC en el cual la magnitud de voltaje en su salida puede ser inferior o superior a su voltaje de entrada. El convertidor Duk no aislado solo puede tener polaridad opuesta entre su entrada y su salida. Este utiliza un condensador como su principal componente de almacenamiento de energa.

Convertidor AC-AC
Un ciclo conversor es un convertidor esttico de potencia que convierte un voltaje AC, como el suministro de conducto principal, a otro voltaje AC. La amplitud y la frecuencia del voltaje de entrada tienden a ser fijas, mientras que tanto la amplitud como la frecuencia del voltaje de salida pueden ser variables dependiendo del control. A diferencia de otros convertidores estticos, en este equipo la conversin se hace directamente de corriente alterna a corriente alterna, sin que exista un enlace intermedio de corriente continua ni elementos almacenadores de energa. Para ello, y mediante la conmutacin de semiconductores, la forma de onda del voltaje de salida se va construyendo por segmentos de la forma de onda de los voltajes de entrada. Es por esto que adems la forma de onda resultante es necesariamente de menor frecuencia que la de entrada.

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-Estructura

Bsica de un Sistema de Electrnica Potencia-

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- TiristoresLa electrnica de potencia concierne a los circuitos con tiristores, a su diseo y a su funcin en el control de potencia en un sistema. Existen gran variedad de tiristores, pero todos ellos tienen ciertas propiedades en comn: son dispositivos de estado slido que se disparan bajo ciertas condiciones pasando de un estado de alta impedancia a uno de baja, estado que se mantiene mientras que la corriente y la tensin sean superiores a un valor mnimo denominado niveles de mantenimiento. Estructuralmente, todos los tiristores consisten en varias capas alternadas de silicio dopado con impurezas p y n. El disparo de un tiristor se realiza inyectando corrientes en esas uniones de forma que, mediante un reaccin regenerativa, conmuta a conduccin y lo mantiene en este estado aunque la seal de disparo sea retirada, siempre que se verifiquen unos requerimientos mnimos de tensin y corriente. Estas caractersticas hacen que los tiristores sean mucho ms tiles que los conmutadores mecnicos, en trminos de flexibilidad, duracin y velocidad. Estos dispositivos se utilizan en control de potencia, convertidores DC-DC o DCAC o AC-DC o AC-AC, motores, luz incandescente, etc. El SCR o Silicon Controled Rectifier es un dispositivo triterminal (A o nodo, C o ctodo y G o gate o puerta de control) muy similar al diodo de cuatro capas descrito en la anterior seccin pero que posee una entrada adicional (G) que permite disparar el dispositivo antes de alcanzar la VBO. En la figura 12.8.a se muestra el smbolo del SCR y en la figura 12.8.b su modelo a nivel transistor. En el modelo a nivel de transistor se observa claramente que al introducir una corriente por la lnea G se produce la conduccin de los transistores, es decir, el disparo del dispositivo sin ser necesario alcanzar la VBO. La figura 12.9 permite ver claramente como las caractersticas del SCR varan con la corriente de su puerta cuyos valores son del orden de miliamperios o inferiores.

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Diodo Cuatro Capas


El diodo de cuatro capas o diodo Shockley es un dispositivo compuesto por cuatro capas semiconductores npnp. Esencialmente es un dispositivo interruptor. Al aplicar un tensin positiva entre nodo y ctodo se puede observar que la unin J1 y J3 est polarizada en directa, y la unin J2 polarizada en inversa. En estas condiciones nicamente circula una corriente muy baja (despreciable) y el dispositivo se encuentra cortado. Aumentando esta tensin positiva se llega a una tensin VBO de ruptura o avalancha donde la corriente crece de forma abrupta y la cada de tensin decrece de la misma manera. En este momento, el diodo ha conmutado desde el estado de bloqueo a conduccin.

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Una manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en separar su estructura fsica en dos mitades (figura 12.2.a). La mitad izquierda es un transistor NPN y la mitad derecha PNP, resultando el circuito mostrado en la figura 12.3.b que normalmente es referido como candado.

SBS
El SBS o Silicon Bidirectional Switch es un dispositivo de baja potencia simtrico para aplicaciones de disparo ms verstil que el SIDAC. Tiene adems un terminal adicional (gate o G) que permite modificar sus caractersticas de disparo con pequeos pulsos de corriente (decenas de A). Su reducido coste, alta velocidad y capacidad para disparar puertas de tiristores con altos valores de corriente hace que este dispositivo sea muy til en muchas aplicaciones. EL SBS no es solamente un versin mejorada del diodo de cuatro capas, sino que es fabricado como un circuito integrado constituido por transistores, diodos y resistencias.

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SIDAC
El SIDAC es un dispositivo bilateral de disparo de alta tensin y corriente. Es bsicamente un diodo de cuatro capas con unas caractersticas elctricas simtricas. En la figura 12.4.a se describe su estructura fsica, en la figura 12.4.b el smbolo de este dispositivo y en la figura 12.4.c sus caractersticas elctricas simtricas. El SIDAC se utiliza en aquellas aplicaciones que se necesitan una tensin de disparo VBO cuyos valores estn comprendidos entre 120 V y 270 V (tpicos).

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Instituto Tecnolgico de Chihuahua 2013 LASCR


El foto-SCR o SCR activado por luz (light activated SCR o LASCR) es, como su propio nombre indica, un SCR cuyo disparo es controlado por luz. Cuando la luz incidente es suficientemente intensa, el SCR se dispara y permanece en conduccin aunque desaparezca esa luz.

PUT
El PUT o programmable unijunction transistor perteneciente a la familia de los dispositivos uniunin y sus caractersticas son similares al SCR. En la figura 12.17.a se indica su smbolo. Es un dispositivo de disparo nodo-puerta (anode-gate) puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tensin ms negativa que el nodo, es decir, la conduccin del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales.

TRIAC
Un TRIAC (TRIode for Alternative Current) es un SCR bidireccional que se comporta como dos SCR en paralelo e invertidos, de tal manera que este dispositivo puede controlar corriente en cualquier direccin. Normalmente, tiene una tensin de ruptura alta y el procedimiento normal de hacer entrar en conduccin a un TRIAC es a travs de un pulso de disparo de puerta (positivo o negativo).

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UJT
El transistor de uni-unin (unijunction transistor) o UJT est constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. En la figura 12.21.a aparece la estructura fsica de este dispositivo. El emisor est fuertemente dopado con impurezas p y la regin n dbilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10K estando el emisor abierto).

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-Operacin del IGBT y GTO-

Las Siglas IGBT corresponden a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea transistor bipolar de puerta de salida o de compuerta aislada, es un dispositivo semiconductor de potencia hibrido que combina los atributos del BJT y del MOSFE. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrad. El gate maneja voltaje como el MOSFET. Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el BJT, es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de potencia para la conmutacin en sistemas de alta tensin. El IGBT de la figura es una conexin integrada de un MOSFET y un BJT. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. Simbologa Es un componente de 3 terminales que se denominan GATE, Colector & Emisor y su smbolo corresponde a la siguiente Figura.

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Su estructura microelectrnica es bastante compleja por ello que se describe en base a su esquema equivalente.

Si se considera que el IGBT se encuentra bloqueado inicialmente, es decir, no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente ID persiste para el tiempo tal en que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. La seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate. Este Voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 v, puede causar que el tiempo de encendido sea menos a 1s , despus de lo cual la corriente de drain ID es igual a la corriente de carga IL(asumida como constante), una vez encendido, el dispositivo se mantiene asi por una seal de voltaje para el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy baja.

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El IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 micro segundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 Khz. El IGBT requiere un valor Limite de VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente 4 v , arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor cercano a los 2 v. como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe mantener un voltaje arriba de 15 v, y la corriente ID se auto limita. El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente directa como de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 Kw.

Tiristor de Apagado por Compuerta


Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por un pulso lo suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente ID exede IH. Se usan desde 1960, pero se potencializaron en los aos 70, son comunes en las unidades de control de motores ya que eliminan componentes externos para apagar lo SCR en circuitos de CC. Caractersticas El disparo se realiza mediante una VGK>O El bloqueo se realiza con una VGK<O
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La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de bloqueo forzado que requieren los SCR La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el generador debe estar ms dimensionado El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia

Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero existe una corriente de figa (IA). Con un voltaje de polarizacin en directa el GTO se bloquea hasta un voltaje de ruptura VAK=VBO es alcanzado. En ese punto existe un proceso dinmico de encendido VAK=3v y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de un voltaje en inversa, solo existe una pequea corriente de fuga (IA) una polarizacin en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado. Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva aplicado al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma, para esta condicin existen 2 formas de apagarlo, una forma es reduciendo la corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding IH, en el cual la accin regenerativa interna no es efectiva.
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La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor mtodo de control. Aplicaciones Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional y puede ser apagado en cualquier instante, este se aplica en circuitos Chopper(conversiones de dc-dc) y circuitos inversores (conversiones dc-ac) a niveles de potencia que los MOSFETs, los BJTs e IGBTs no pueden ser utilizados.

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Instituto Tecnolgico de Chihuahua 2013 -BibliografaMUHAMMAD H. RASHID Electrnica de potencia EDICION 2.Prentice Hall. Daniel W. Hart-Introduccin a la electrnica de potencia http://tec.upc.es/el/TEMA-2%20EP%20%28v1%29.pdf Electrnica industrial de potencia: Timothy j maloney Manual del SCR: general electric Electrnica de potencia: mohan http://www.buenastareas.com http://www.unicrom.com/Tut_scr.asp www.wikipedia.com

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