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ERE
ANNEE ELECTRONIQUE GENERALE
CHAPITRE X

Les Semi-conducteurs
A. Gnralits :

Il existe 3 grands types de matriaux :







B. Notions physiques sur les semi-conducteurs :















Electrons
Les semi-conducteurs utiliss dans la fabrication des diodes et
des transistors sont des corps solides qui ont, comme leur nom
l'indique, des proprits intermdiaires entre celles des
conducteurs et celles des isolants la temprature ambiante.
Aux trs basses tempratures, ils se comportent comme des
isolants et aux tempratures leves, comme des conducteurs.
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.
.
Les solides, comme tous les lments de la matire sont constitus d'atomes.
Ceux-ci sont forms d'un noyau autour duquel gravitent des lectrons. Les
lectrons sont des particules charges ngativement. Le noyau de l'atome est
compos de protons, particules chargs positivement et de neutrons
particules neutres. La charge lectrique globale de l'atome est nulle.
Les conducteurs : ..
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Les isolants : ..
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Les semi-conducteurs : .
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Noyau
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C. Description: semi-conducteur intrinsque :

Cette section, essentiellement descriptive, a pour objet de donner au lecteur des
modles simples de semi-conducteurs intrinsques et extrinsques de type n ou de
type p. La connaissance de ces modles permet, par la suite, de rendre compte du
comportement des dispositifs semi-conducteurs tels que diode, transistor bipolaire,
etc.





Dans un cristal de silicium pur, chaque atome possde quatre lectrons priphriques
engags dans des liaisons covalentes avec quatre atomes voisins












Un cristal de semi-conducteur intrinsque est un solide dont les noyaux atomiques
sont disposs aux nuds d'un rseau gomtrique rgulier. La cohsion de cet difice
est assure par les liens de valence qui rsultent de la mise en commun de deux
lectrons appartenant chacun deux atomes voisins de la maille cristalline. Les
atomes de semi-conducteur sont ttravalents et le cristal peut tre reprsent par le
rseau de la figure ci dessous :

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Lien de valence
Semi-conducteur intrinsque
D. Origine des proprits lectriques du silicium :
1. Lorsque la temprature augmente, certains des lectrons reoivent une nergie
suffisante (par agitation thermique) pour chapper l'attraction du noyau et
devenir des lectrons libres.
Les lectrons peuvent se mouvoir sous l'effet d'un champ lectrique.
Lorsqu'un cristal de semi-conducteurs est soumis une diffrence de potentiel
lectrique, les lectrons (de charges ngatives) vont se dplacer vers le potentiel le
plus positif.












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Si
Si Si
Si
Si
Si
Si Si
Si
Si
Si Si
Passage du courant (conduction par lectrons libres)
2. A ce mcanisme de conduction se superpose une conduction, dite par trous. Lors
de la libration d'un lectron, il laisse une place vide appel trou (charge
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positive). Le trou cr par le dpart d'un lectron est combl par un lectron
voisin. Le dpart de cet lectron cr un nouveau trou qui, lui aussi est combl par
un lectron voisin. Le trou initial semble ainsi se dplacer vers le potentiel le plus
ngatif.





Si Si Si
Si
Si Si
Si Si Si
Si Si
Si
Si Si Si
Si Si
Si
E. Semi-conducteur dop (extrinsque) :













Dans un cristal de silicium pur, chaque atome possde quatre lectrons
priphriques engags dans des liaisons covalentes avec quatre atomes voisins.

Si on remplace un atome de silicium par un autre d'un lment chimique n'ayant que
trois lectrons priphriques (par exemple du bore), un des atomes voisins de l'intrus
se trouve priv de liaison et possde donc un lectron non li, susceptible de quitter
l'atome et de confrer l'environnement une charge ngative. Un tel silicium sera dit
" dop N ".
Dans le cas d'un intrus ayant cinq lectrons (par exemple du phosphore), on obtient
un excs de charges positives et le cristal est " dop P ".
Le dopage consiste introduire, dans le cristal, des atomes d'un lment
tranger. Cette opration a pour but d'augmenter la conductibilit du
semi-conducteur en apportant des lectrons libres ou des trous. Les
atomes de l'lment dopeur sont introduits en trs faible quantit (environ 1
pour 1 million). Aprs dopage, la conductibilit est essentiellement due la
proportion d'atomes de l'lment dopeur, elle est extrinsque au semi-
conducteur.

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F. Description: semi-conducteur extrinsque de type N :
Un semi-conducteur dans lequel on aurait substitu quelques atomes ttravalents
des atomes pentavalents est dit extrinsque de type N.

Type N
Un dopage de type N, sera constitu d'impuret pentavalente. Un dopage de type N,
aura un surplus d'lectrons et sera de charge ngative.












Semi-conducteur de type N





Modle
tant donnes ces considrations, on tablit le modle de semi-conducteur reprsent
la figure ci dessous dans lequel n'apparaissent que les charges essentielles, savoir :
les lectrons libres et les donneurs ioniss. Les charges fixes sont entoures d'un
cercle.



Semi-conducteur de type N (modle)

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Dfinitions
L'lectron qui possde une nergie suffisante peut quitter la liaison de valence pour
devenir un lectron libre. Il laisse derrire lui un trou qui peut tre assimil une
charge libre positive; en effet, l'lectron quittant la liaison de valence laquelle il
appartenait dmasque une charge positive du noyau correspondant. Le trou peut tre
occup par un autre lectron de valence qui laisse, son tour, un trou derrire lui: tout
se passe comme si le trou s'tait dplac, ce qui lui vaut la qualification de charge
libre. La cration d'une paire lectron libre - trou est appele gnration alors qu'on
donne le nom de recombinaison au mcanisme inverse.



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G. Description: semi-conducteur extrinsque de type P :
Si l'on introduit des atomes trivalents dans le rseau cristallin du semi-conducteur, les
trois lectrons de la couche priphrique de l'impuret prennent part aux liens de
valence, laissant une place libre. Ce trou peut tre occup par un lectron d'un autre
lien de valence qui laisse, son tour, un trou derrire lui. L'atome trivalent est alors
ionis et sa charge ngative est neutralise par le trou. Le semi-conducteur est alors
extrinsque de type P.

Type P

Un dopage de type P, sera constitu d'impuret trivalente. Un dopage de type P,
possde un manque d'lectron, et un manque d'lectron aura la facult d'attirer des
lectrons tout comme une charge positive. Un manque d'lectron sera appel un trou.
Un dopage de type P aura un surplus de trous.




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Semi-conducteur de type P

Modle
Le nombre volumique des lectrons libres est alors considr comme ngligeable. Il
s'ensuit un modle, reprsent la figure 5, dans lequel n'apparaissent que les charges
prpondrantes: les trous et les accepteurs ioniss.





Semi-conducteur de type P (modle)

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Assertion :
La temprature est une mesure de l'nergie cintique moyenne des lectrons
dans le solide. On comprend ds lors que la concentration des lectrons libres
et des trous dpende trs fortement de la temprature.
H. Combinaison de semi-conducteur de type P et de type N :
Si on accole une rgion N et une rgion P, les lectrons de la rgion N auront
tendance migrer vers la rgion P, mais, ce faisant, ils crent un dsquilibre de
charge qui entrane l'apparition d'un champ lectrique intense au niveau de la
jonction, o une troite zone vide de charges, donc isolante, apparat.



Lintrt est alors de mlanger les deux zones de
dopages pour obtenir des proprits lectriques
intressantes.
I. Un exemple de semi-conducteur, la diode (jonction P-N) :





Au voisinage de cette jonction, les lectrons de charge ngative de la zone N vont
passer dans la zone P. Il y aura formation d'ions de chaque ct de cette jonction.
Du ct de la zone N, un lectron parti dans l'autre zone crera un ion +dans cette
fameuse zone dope N et ce au voisinage de cette jonction. Et dans la zone P au
voisinage de la jonction un lectron arrivant de l'autre zone crera un ion --.

Ses ions de part et d'autre de la jonction formeront une barrire de potentiel. La
barrire restera limite au voisinage de la jonction. En effet, dans la zone P, les ions --
forms et constituant cette barrire de potentiel de charge ngative, empcheront les
autres lectrons venant de l'autre zone N car deux charges de mme signe se
repoussent.

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Les parties P et N tant initialement neutres, la recombinaisons des lectrons-
trous pour effet de charger positivement la partie N et ngativement la partie
P. Cette charge repousse les porteurs majoritaires de chaque partie et arrte la
diffusion des lectrons. Entre les deux parties P et N apparat alors une
diffrence de potentiel Vd appele "barrire de potentiel".
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Vd "barrire de potentiel"
Charges et champ lectrique



Lorsque, dans un cristal de semi-conducteur, une partie est dope
avec des lments de type P et l'autre partie avec des lments de
type N. Il apparat, la limite des zones P et N, une zone de
transition appele jonction.



..





Il s'est donc cr un diple aux abords de la jonction et, conjointement, un
champ lectrique. Une fois l'quilibre atteint, ce champ lectrique est tel qu'il
s'oppose tout dplacement global de charges libres.

Dfinitions
La rgion dans laquelle la neutralit n'est pas satisfaite est appele zone de dpltion
ou zone de charge spatiale alors que les autres rgions sont dites rgions neutres.
Le champ lectrique interne cr par le diple est nomm champ de rtention de la
diffusion car il s'oppose toute diffusion des charges mobiles.

J. Polarisation dune jonction P-N :
Le modle le plus simple de diode est la jonction P-N, obtenue en juxtaposant dans
un morceau de semi-conducteur (en gnral du silicium), une zone enrichie en atomes
donneurs d'lectrons (zone N) et une zone comportant des atomes accepteurs
d'lectrons (zone P). Par suite du dplacement des porteurs P et N travers la
frontire entre les deux zones, il se forme une barrire isolante, sige d'un champ
lectrique dirig de N vers P.
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Lorsqu'on applique une diffrence de potentiel entre les deux zones,
l'effet est radicalement diffrent suivant la polarit.

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On la teste avec un ohmmtre aiguille bon march, en obtenant 7 Ohms dans le sens
passant et l'infini dans l'autre sens. Mfiez-vous de la polarit indique sur un
multimtre aiguille, elle est parfois inverse pour la fonction ohmmtre.

Les diodes les plus rpandues sont la 1N4007 donc Imax =1 A et tension inverse
Max est de 1 KV et la 1N4148 Imax=200mA et sa tension inverse Max est de 75 V.
Une des grandes utilits des diodes est le redressement des courants alternatifs.

On a ainsi ralis un dispositif redresseur qui, aliment par une
tension alternative, ne laisse passer le courant que dans un sens.
Cette fonction de rectification du courant constitue la principale
application de ce type de diode.
A retenir de tous ceci, qu'une diode est passante dans le sens
de la flche dessine sur ce composant et que la cathode est
situe du ct de la barre dessine sur ce mme composant.
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