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Rpublique Algrienne Dmocratique et Populaire

Ministre de l'Enseignement Suprieur et de la Recherche Scientifique


ECOLE NATIONALE POLYTECHNIQUE
Projet de Fin dEtudes
Pour l'obtention du diplme d'ingnieur
d'Etat en Electrotechnique
Thme
Propos et Dirig par : Etudi par :
Promotion Juin 2006
Comportement et Caractrisation
Electriques dun Modle dIsolateur
sous Tension Alternative
M
elle
: Assia BOUAROURI
Mr : Redouane LADJAL
Mme: D. Namane
Mr: M.Teguar
dicaces
A mes trs chers parents.
A mes frres et ma petite sur.
A toute ma famille particulirement mes grands parents.
A tous mes amis qui maiment et qui mapprcient.
Je ddie ce mmoire
Redouane
A ma trs chre mre.
A mon trs cher pre.
A mon amie et sur Kaissa.
A mes frres et surs.
A mes adorables nices Sofia et Melyssa.
Je ddie ce mmoire
Assia
Remerciements
Nous remercions particulirement notre promotrice M
me
D. Namane, pour son dvouement exceptionnel, sa prcieuse directive
et son suivi constant.
Nos sincres et chaleureux remerciement Mr M.Teguar
pour son aide, son appuis moral, et ses qualits humaines.
Nous remercions galement Mr S. Bouazabia pour ces prcieux
conseils et pour lintrt quil a port notre travail.
Nous tenons galement remercier le prsident et les membres
du jury pour nous avoir fait lhonneur dvaluer notre travail.
Que tous les professeurs ayant contribu notre formation
trouvent ici notre profonde reconnaissance.
SOMMAIRE
INTRODUCTION GENERALE
CHAPITRE 1 : Introduction
I.1. INTRODUCTION
I.2. Dfinitions
I.3. Isolations dans les rseaux lectriques
I.4. Pollution des isolateurs
I.4.1. Contournement
I.4.2. Technique de lutte contre la pollution
I.5. Domaines de recherche
I.5.1. Essais in situ et au laboratoire
I.5.2. Modles de laboratoire
I.6. Conclusion
CHAPITRE 2 : Proprits des dilectriques
II.1. INTRODUCTION
II.2. Historique
II.3. Dfinitions
II.4. Polarisation des dilectriques
II.4.1. Tension de contournement
II.5. Permittivit complexe
II.6. Pertes dilectriques
II.6.1. Equations de Maxwell
II.6.2. Relation dOumov - Poynting
II.6.3. Cas dun champ sinusodal
II.7. Influence de la frquence sur la permittivit complexe
II.8. Conditions aux limites la surface de sparation de deux dilectriques
II.9. Notions sur les matriaux composites
II.9.1. Permittivit effectives et lois de mlange
II.9.2. Thories du champ lectrique local
II.9.3. Utilisation des dilectriques composites
II.9.4. Rpartition du champ pour un systme deux dilectriques parallle
II.9.5. La rfraction dilectrique
II.10. Conclusion
CHAPITRE 3 : Partie exprimentale
III.1. INTRODUCTION
III.2. Modles tudis au laboratoire de de Haute Tension de lENP dAlger
III.2.1. Modle de A.Mekhaldi et S.Bouazabia
III.2.2. Modle de D. Namane
III.2.3. Modle de M.Teguar
III.3. Modle adopt et dispositif exprimental
III.3.1. Description du modle exprimental
III.3.2. Dispositif exprimental
III.4. Circuits de mesure
II.4.1. Mesure de la tension de contournement
II.4.2. Mesure du courant de fuite
II.4.3. Mesure de la capacit partir de la charge
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III.5. Modes opratoires
III.5.1. Prparation du modle
III.6. Rsultats exprimentaux
III.6.1. Tension de contournement
III.6.2. Interprtation des rsultats
III.6.3. Courant de fuite
III.6.3.1. Courant de fuite-tension applique
III.6.3.2. Courants de fuite distance-inter lectrodes
III.6.3.3. Interprtations des courbes
III.6.4. Dtermination de la capacit
1
re
Mthode : Caractristiques
III.6.4.1. Capacit en fonction de la tension applique
III.6.4.2. Capacit en fonction de la distance inter lectrodes
2
me
Mthode : Caractristiques
III.6.4.3. Capacit en fonction de la tension applique
III.6.4.4. Capacit en fonction de la distance inter lectrodes
III.6.5. Influence de la tension sur la capacit
III.6.6. Influence de la distance inter lectrodes de lpaisseur du matriau et de la
largeur des lectrodes.
III.7. Dtermination de la permittivit relative par la mesure de la charge
III.7.1. Interprtation de la mthode utilise
III.7.2. Calcul des capacits
III.7.3. Calcul de la permittivit relative
III.8. Conclusion
CHAPITRE 4 : Simulation
IV.1. INTRODUCTION
IV.2. Notions fondamentales
III.2.1. Relation entre charges et capacits
III.2.2. Relation entre rsistance et capacit pour un mme rseau de lignes de
champ
III.2.3. Permittivit quivalente
IV.3. Mthodes d'valuation du champ lectrique
III.3.1. Mthodes exprimentales
III.3.2. Mthodes analogiques
III.3.3. Mthodes analytiques et numriques
IV.4. Simulation du modle de laboratoire
IV.4.1. Application du logiciel "FEMM" des systmes connus
IV.4.2. Influence des diffrents paramtres sur la capacit quivalente du
modle de laboratoire
IV.4.2.1. Influence de la distance inter lectrodes
IV.4.2.2. Influence de la largeur des lectrodes
IV.4.2.3. Influence de lpaisseur de la plaque
IV.5. Rpartition du champ lectrique et du potentiel
IV.6. Capacit en fonction de la distance inter lectrodes (Comparaison avec les
rsultats exprimentaux)
IV.7. Contribution de lair et du matriau dans la capacit du systme
IV.8. Conclusion
CONCLUSION GENERALE
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INTRODUCTION GNRALE
INTRODUCTION GENERALE
1
Introduction gnrale
Le transport et la distribution de lnergie lectrique seffectuent souvent par des lignes
ariennes. Celles-ci comportent des isolateurs soumis diverses contraintes, parmi celles-ci
lexposition de ces derniers diffrents dpts polluants.
Lhumidification de ces couches de pollution engendre un courant de fuite, conduisant par
effet joule lchauffement de la couche de pollution, et par consquent son asschement
partiel. Une partie importante de la tension applique se trouve reporte aux bornes de cette
bande sche engendrant, si le champ local dpasse un certain seuil, la cration dun arc lectrique.
Sous certaines conditions, cet arc peut sallonger jusqu provoquer le contournement total du
systme isolant.
Une des mthodes utilises pour le contrle du degr de pollution est la mesure du courant
de fuite : celui-ci dpend de limpdance globale apparente de lisolateur, considre comme
tant le rsultat de zones sches en srie avec des zones pollues. Toutefois, il est difficile
dvaluer de manire exacte limpdance apparente prsente par les zones sches : celle-ci joue
pourtant un rle capital dans limpdance globale de lisolateur. La raison en est que lon
considre souvent que les zones pollues ont une rsistance tellement faible, quon peut les
considrer, dans les cas extrmes comme de parfaits conducteurs.
Nous nous proposons, dans ce travail, de contribuer lever cette difficult, et tablir au
moyen dessais exprimentaux, compars des calculs par simulation, la relation complexe entre
la capacit prsente par la zone sche, et de nombreux paramtres lectro-gomtriques.
Notons que le comportement de ces zones sches est, en partie galement, li aux
caractristiques propres du matriau dilectrique : une bonne connaissance de ce dernier nous est
apparu par consquent ncessaire.
Notre mmoire est donc structur en quatre chapitres. Dans le premier chapitre, nous
rappelons quelques dfinitions spcifiques au domaine de la haute tension pour nous intresser
ensuite aux problmes lis la pollution. Nous voquerons alors quelques mthodes de
maintenance et de lutte contre les perturbations causes par ce phnomne.
Le deuxime chapitre sera consacr aux dilectriques. Nous citerons leur importance dans
la conception des appareils et systmes lectriques. Nous aborderons dune manire gnrale
ltude des proprits principales des dilectriques. Quelques notions sur les dilectriques
composites seront prsentes la fin de ce chapitre, vu lintrt grandissant port ces matriaux.
Dans le chapitre exprimental, nous prsenterons quelques travaux effectus au laboratoire
de Haute Tension de lEcole Nationale Polytechnique dAlger. Ceux-ci nous ont conduits opter
pour un modle gomtrie extrmement simple (modle plan-plan). Ce choix dlibr a pour
objectif de caractriser au mieux linterface air-matriau dilectrique, c'est--dire la zone propre
de lisolateur. Deux mthodes ont t utilises pour dterminer la capacit du modle en fonction
de nombreux paramtres lectro-gomtriques.
Dans le dernier chapitre, nous simulerons les diffrentes configurations exploites au
laboratoire, afin de les comparer avec les rsultats exprimentaux. Nous dvelopperons certaines
notions tels que la notion de permittivit quivalente, qui exprime ltendue des lignes de champ.
Enfin, une mthode visant sparer la contribution de lair et du matriau dans la
capacit du systme est propose. Cette mthode a pour objectif dvaluer le degr
dinfluence de lpaisseur du matriau sur la valeur de la capacit calcule.
CHAPITRE INTRODUCTIF
CHAPITRE I : INTRODUCTION
2
I.1.Introduction
Le transport de lnergie lectrique ncessite, pour des raisons techniques et conomiques
lutilisation de tensions leves (lignes HT et THT).
Ceci requiert une conception et ralisation de produits, appareils et systmes aptes gnrer
et supporter des champs lectriques intenses : leur dimensionnement doit par consquent tre
soigneusement tudi.
Dans le cas des lignes de transport dnergie, les isolateurs sparent les pices sous
tensions, par des distances adaptes assurant une bonne rigidit du systme. Cependant, une
pollution humide de ces derniers a pour effet de les rapprocher lectriquement, ce qui fausse le
dimensionnement, et peut conduire un contournement.
Dans ce chapitre, nous rapplerons quelques dfinitions spcifiques ce domaine, puis
prsenterons les diffrents types disolations dans les rseaux lectriques. Nous nous
intresserons, en particulier, aux isolateurs haute tension, ainsi qu leur constitution et
fonctionnement.
Enfin une dernire partie sera consacre aux problmes lis au phnomne de pollution et
son impact sur les performances des isolateurs. Certaines mthodes de maintenance et de lutte
contre les perturbations causes par ce phnomne seront alors prsentes.
I.2. Dfinitions
On appelle isolement dun ouvrage ou dun appareil lectrique, son aptitude supporter
la tension, ou plus gnralement, les contraintes lectriques qui lui sont appliques.
On appelle isolation llment matriel ou lensemble des dispositifs constructifs qui
assurent cet isolement.
Il est clair quaucun dilectrique nest capable de rsister indfiniment lapplication dune
tension damplitude croissante. Il se produit alors une rupture du pouvoir isolant qui se traduit par
la formation dun chemin conducteur travers le corps isolant.
Les mcanismes de rupture dilectrique sont extrmement complexes. Ceux-ci dpendent
essentiellement de la forme de la tension applique (principalement la vitesse de croissance et
lamplitude) et de la nature de lisolant (air, gaz, dilectrique solide ou liquide).
Nous rappelons les principales dfinitions lies ce domaine :
I.2.1 -Dcharge disruptive : Phnomne associ une dfaillance de lisolation sous leffet de la
contrainte lectrique, avec chute de la tension et passage dun courant (une dcharge disruptive
dans un dilectrique solide entrane une perte permanente de la rigidit dilectrique) [1].
Dans la pratique on distingue plusieurs types de rupture dilectrique :
I.2.2 -Lamorage : lorsque la disruption a lieu dans un gaz sparant deux lectrodes mtalliques
(clateur tige) [2].
CHAPITRE I : INTRODUCTION
3
I.2.3 -Le contournement : reprsent par une dcharge disruptive le long de la surface de
sparation sparant un dilectrique solide et un gaz (le long de la surface dun isolateur en
porcelaine); lorsque le contournement se produit sur la surface elle-mme, on parle plus
volontiers de cheminement, surtout lorsquil subsiste des traces qui dgradent la surface de
lisolant [2].
I.2.4 -Le claquage : lorsque la rupture dilectrique sest produite dans la masse dun isolant
solide, liquide ou composite (huile, papier dans lhuile, polythne ). Toutefois ce terme est
quelque fois utilis dans le langage courant dans le cas de lair [2].
I.2.5 -Tension de tenue : cest le niveau de tension le plus important, que peut supporter une
isolation sans provoquer de dcharge disruptive (contournement dans le cas des isolateurs) [3].
I.2.6 -Ligne de fuite : plus courte distance ou sommes des plus courtes distances suivant les
contours des surfaces extrieures des parties isolantes entre les parties qui sont normalement
soumises la tension de service (une distance mesure la surface de la matire de scellement
conductrice ne doit pas tre considre comme faisant partie de la ligne de fuite) [1].
I.2.7 -Courant de fuite : cest un courant de faible amplitude circulant travers la couche
polluante humecte le long de la surface isolante. Il est de type lectrolytique et peut tre un
courant rsistif pour une isolation totalement pollue ou un courant capacitif dans le cas dune
isolation parfaitement propre [4].
I.2.8 -Courant de fuite critique : cest le courant minimal ncessaire pour provoquer un
contournement par pollution sur un isolateur une tension donne. Il est indpendant du procd
dessai ainsi que de la forme de lisolateur. Le seul facteur dont dpend ce courant sous une
tension donne est la ligne de fuite, cest--dire la contrainte spcifique exprime en kV/cm [5].
I.2.9 -Longueur critique de larc : cest la longueur limite XC de larc partiel au-del de laquelle
larc conduira au contournement total [6].
I.2.10 -Conductance superficielle : la conductance superficielle est le rapport du courant de fuite
( frquence industrielle) circulant la surface de lisolateur sur la tension applique. Elle
caractrise ltat global de la surface isolante [6].
I.3. Isolations dans les rseaux lectriques
Parmi les isolations qui sont utilises dans les rseaux lectriques, on distingue les
isolations externes des lignes et postes, et les isolations internes des appareils de postes. Ces
dernires sont en gnral constitues par de lhuile ou du papier dans lhuile (transformateurs)
par de lair comprim ou par de lhexafluorure de soufre (chambres de coupure des disjoncteurs,
postes blinds hermtiques).
Les isolations externes sont essentiellement constitues par les distances dans lair (pices
sous tension entre elles ou par rapport la terre) et par les lignes de fuite le long des supports de
lappareillage, des traverses de transformateurs, des chanes disolateurs.
Ces isolations sont en porcelaine ou en verre tremp, mais il existe actuellement une
tendance utiliser des rsines synthtiques.
CHAPITRE I : INTRODUCTION
4
I.3.1. Types disolations
Elles peuvent tre classes en isolations auto rgnratrices et en isolations non auto-
rgnratrices. Alors que les premires peuvent tre remises sous tension immdiatement aprs
un amorage ou un contournement quelles ont subi sans dommage, les secondes ncessitent une
intervention qui immobilise plus ou moins longtemps lappareil touch, lequel peut mme tre
mis dfinitivement hors dusage.
Il se trouve, quen pratique, les isolations internes sont gnralement non auto
rgnratrices et les isolations externes auto rgnratrices.
A cette distinction correspondent deux catgories dessais au laboratoire, en vue de tester
laptitude des matriels supporter les contraintes dilectriques quils ont subir en exploitation :
- Les essais de tension de tenue nominale; consistent vrifier quun appareil tient une
tension spcifie, ils sont seuls applicables aux essais de contrle ou de rception de matriel
isolation non auto rgnratrice. Cependant, ils sont frquemment utiliss pour les essais de
rception de matriel isolation auto rgnratrice.
- Les essais de tension de dcharges disruptives assure; peuvent tre utilises dans le cas
des isolations auto rgnratrices (intervalles dair, chanes et supports isolants des installations
externes). Ils sont aussi employs pour les essais de prototype ou dinvestigation [2].
I.3.2. Les isolateurs
Les isolateurs entrent pour un faible pourcentage dans le prix dune ligne arienne, mais ils
en sont un lment essentiel. Leur rle est de relier les conducteurs sous tension aux supports et
dassurer lisolement lectrique entre ces deux parties constitutives de la ligne.
Aussi, le choix du type disolateur, les contrles de rception, la surveillance en
exploitation doivent-ils tre faits avec le maximum de soin. Dans ltat des connaissances
actuelles, on ne peut affirmer quun nouvel isolateur ayant rpondu aux diffrents contrles de
rception ait une dure de vie quivalente celle de la ligne. La difficult rside principalement
dans le fait quaucun essai de rception ne peut jusqu ce jour mettre en vidence un
vieillissement certain de lisolateur [1].
I.3.2.1. Dfinition
Lisolateur est un matriau isolant solide qui prsente une trs grande rsistance au passage
du courant et dont la conductibilit est pratiquement nulle. Il est utilis pour isoler les
conducteurs ou les pices sous tension afin dempcher les courtcirculations, les pertes de
courant et les charges dlectrocution [4].
I.3.2.2. Fonctionnement et constitution dun isolateur
Les isolateurs sont des composants indispensables au transport et la distribution de
lnergie lectrique. Leur fonction est de raliser une liaison mcanique entre des conducteurs
ports des potentiels diffrents accrochs aux pylnes des lignes ariennes. Ils maintiennent les
conducteurs dans la position spcifie (isolateurs dalignement et dancrage), ils assurent la
transition entre lisolation interne (huile, SF6) et lisolation externe (air atmosphrique), ils
permettent de raccorder les matriels lectriques au rseau (traverses de transformateur,
extrmits de cbles) et ils constituent, galement, lenveloppe de certains appareils (disjoncteurs,
parafoudres, rducteurs de mesure) [7].
CHAPITRE I : INTRODUCTION
5
Les isolateurs sont conus et dimensionns pour rsister aux contraintes prvisibles
introduites par lenvironnement [8]. Du point de vue lectrique, lisolateur est considr comme
deux lectrodes dont lintervalle comporte trois zones constituant trois isolants en parallle ayant
des comportements diffrents, qui sont les suivants [8]:
Lintervalle dair.
Le matriau dilectrique.
Linterface air matriau dilectrique.
(La longueur de l'interface constitue la ligne de fuite ligne le long de laquelle circulerait le
courant de fuite)
Les isolateurs sont de deux types principaux: rigides et chane (Fig. I.1 a ; b). La partie
suprieure des isolateurs rigides sur laquelle est fix le conducteur est constitue dune ou de
plusieurs jupes en porcelaine. Une tige visse lintrieure des isolateurs permet de les fixer un
support.
Pour des tensions suprieures 70 kV, on emploie toujours des chanes disolateurs
constitues dun certain nombre dlment en porcelaine runis par des pices mtalliques. Le
nombre dlments varie avec la tension : pour une tension de 110 kV, on admet de 4 7, pour
une tension de 230 kV, de 13 16 [9].
a. Vue en coupe dun isolateur rigide 69 kV. Tension de tenue aux ondes de choc : 270 kV ; tension de rupture 60
Hz par temps humide : 125 kV (gracieuset de Canadien Ohio Brass Company Ltd).
b. Vue en coupe dun lment disolateur chane. Diamtre: 254 mm ; tension de tenue aux ondes de choc: 125
kV; tension de rupture 60 Hz par temps humide: 50 kV.
I.3.2.3. Matriaux utiliss
Un isolateur est constitu en gnral de deux parties : une partie isolante et des pices
mtallique de liaison, scelles sur cette partie isolante.
a) Isolants
Jusquaux annes quatre-vingt, seuls le verre et la cramique ont justifi dun bon
comportement en exploitation, bien que ces deux matriaux soient, par essence, des matriaux
fragiles.
Fig. I.1 (a, b) : Vue en coupe des deux types disolateur
CHAPITRE I : INTRODUCTION
6
- Cramiques. Elles sont actuellement utilises pour les isolateurs haute tension et
correspondent des formules voisines, soit de Al
2
O
3
, SiO
2
(porcelaine traditionnelle), soit de
Al
2
O
3
, 5SiO
2
(statite).
Lisolateur, aprs usinage de son bauche cylindrique humide (type capot et tige) ou
sche (type long ft), est cuit dans un four une temprature et pendant une dure convenables.
Certaines cramiques grains trs fins sont recommandes pour des isolateurs devant
supporter des efforts mcanique levs [1].
- Verres. Deux types sont utiliss : le verre recuit et le verre tremp.
Le verre recuit a surtout t utilis pour faire des isolateurs rigides, mais on sest aperu
que les isolateurs un peu pais ne rsistaient pas aux variations brusques de temprature. De plus,
le verre recuit ne supporte que des tensions mcaniques relativement faibles, ce qui interdit son
emploi pour les isolateurs de suspension.
Le verre tremp est obtenu par chauffage de lisolant retir du moule une temprature
denviron 700C, puis refroidi par des jets dair sous pression : les couches extrieures de la pice
isolante acquirent rapidement une rigidit qui ne leur permet plus aucune dformation.
Lintrieure restant une temprature suprieure celle des couches extrieures, il ne peut se
contracter librement, lors de son refroidissement; il reste donc en extension et cr des contraintes
de compression sur les couches superficielles. Le verre tremp prsente une contrainte mcanique
en traction environ 5 6 fois plus grande que celle du verre recuit et peut supporter des variations
brusques de temprature pouvant atteindre 100C [1].
- Matriaux synthtiques. Il faut signaler les dveloppement faits dans le monde en vu
de raliser des isolateurs fiables avec ces matriaux.
Ces isolateurs, dits composites, sont constitus dune me ralise en fibre de verre
imprgn de rsine, donnant lisolateur sa tenue mcanique, et dune enveloppe en matriaux
synthtiques isolants. Les revtements ayant un comportement satisfaisant sous contraintes
lectriques sont certaines rsines cycloaliphatiques (charges au trihydrate dalumine) des
caoutchoucs synthtiques (silicones ou EPDM: thylpropyldimonomre) ou des
polyttrafluorotylnes (Tflon). Ces revtements vitent tout cheminement carbon en surface
sous leffet de contraintes lectriques mais sont soumis une rosion superficielle plus ou moins
rapide selon leur constitution [1].
b) Pices mtalliques de liaison
Les parties isolantes constitutives de lisolateur sont relies entre elles ou au support par des
pices mtalliques (Fig. I.2) ralises dans diffrents mtaux qui doivent rpondre aux contraintes
mcaniques et thermiques appliques lisolateur au cours de son exploitation.
Les principaux mtaux ou alliages utiliss sont :
-les fontes mallables, permettant de raliser des pices minces et de formes complique, par
exemple les capots disolateurs ;
-les aciers au carbone, de caractristiques prcises (XC des normes NF EN 10084 et NF EN
10083), employs pour la ralisation des pices forges, en particulier les tiges disolateurs ;
CHAPITRE I : INTRODUCTION
7
-les alliages daluminium et les alliages de
cuivre et de bronze daluminium,
permettant de fabriquer certains capots ;
-les alliages de zinc du type Z-A4G, qui
compte tenue de leur temprature de
fusion, permettent de couler directement
les capots sur les dilectriques des
isolateurs de faible rsistance mcanique.
La liaison entre pices mtalliques et
partie isolante est ralise laide dun
scellement qui peut tre fait au mortier de
ciment Portland ou alumineux. Des
alliages de plomb antimoine, des mlanges
de soufre et de poudre cramique sont
galement utiliss.
De la qualit du scellement et des diffrents assemblages dpendent, en grande partie, la
scurit dexploitation et la dure de vie de lisolateur [1].
I.4. Pollution des isolateurs
Le dimensionnement des isolateurs par les surtensions de manuvres assure une excellente
tenue la tension de 50 Hz des isolateurs propres et secs, gnralement elle est galement
suffisante pour supporter les surtensions temporaires. Cependant en labsence de surtensions de
foudre ou de manuvres, de nombreux dfauts sont enregistrs sur les lignes ariennes,
particulirement par temps humide (ros, brouillard, pluie fine). Ces dfauts sont dus la
pollution des isolateurs [2].
Dans les ouvrages (lignes et postes) installs en bordure de mer, les embruns ports par le
vent dposent progressivement sur les isolateurs une couche de sel qui, au cours du temps
recouvre toute la surface de lisolant y compris les parties les mieux protges. Cette couche de
sel, humidifie par les embruns eux mme, par un brouillard ou simplement par condensation
devient conductrice. Un courant de fuite stablit alors travers la couche superficielle et des arcs
peuvent prendre naissance dans certaines conditions, ils se dveloppent jusqu' provoquer le
contournement total de lisolateur [6, 11, 12]. En connectant lextrmit sous haute tension celle
mise la terre, et conduisant ainsi la mise hors service de lensemble de linstallation [12].
Au voisinage des usines mtallurgiques, chimiques ou mme aux abords des centrales
thermiques, les isolateurs se recouvrent de poussires faiblement conductrices mais
hygroscopiques. Dans les conditions de forte humidit (brouillard, pluie, condensation matinale,
etc.), la dissolution des sels contenus dans cette poussire provoque la formation dun lectrolyte.
Les gaz prsents dans les fumes, absorbs par la couche liquide, en augmentent encore la
conductivit comme dans le cas de la pollution marine, un courant de fuite circule alors dans la
couche superficielle et le contournement peut parfois survenir.
Si la pollution marine et la pollution industrielle constituent deux cas typiques de pollution
o la contamination des surfaces isolantes est pousse lextrme il serait erron de penser que
les autres rgions sont exemptes de pollution. La pollution agricole (pollen, insectes, engrais) et la
Fig. I.2 : Assemblage rotule
CHAPITRE I : INTRODUCTION
8
pollution domestique (appareils de chauffage des habitations, vhicules automobiles) sont des
ralits qui donnent au phnomne un caractre tout fait gnral. A cet gard, on notera que les
rgions dsertiques sont caractrises par un type de pollution extrmement svre.
Comme on le voit, la nature et les caractristiques des agents contaminants sont trs varies.
Gnralement ils ne provoquent pas la dgradation de la rigidit dilectrique lorsquils sont secs,
cependant lhumidification dun dpt solide -quelque soit sa nature- accumul progressivement
la surface des isolateurs provoque la formation dune couche lectrolytique caractristique du
phnomne de pollution.
La pluie, phnomne naturel propice lhumidification des isolateurs par excellence, se
comporte cet gard, dune faon quelque peu diffrente. En effet surtout lorsquelle est intense,
elle est susceptible de provoquer la dsagrgation des dpts solides. Cependant, cet auto lavage
favorable lamlioration des qualits dilectriques des isolateurs est contrari par le phnomne
de ruissellement.
Dans certaines conditions de pluie violente, un film continu deau peut stablir dune
extrmit lautre de la chane ou de la colonne isolante. Comme leau nest jamais parfaitement
isolante, ce phnomne peut entraner le contournement de lisolation cest le contournement sous
pluie.
Contournement sous pluie et sous pollution sont les deux principaux types de rupture
dilectrique auxquels sont soumis les isolateurs. Il est gnralement admis que la pollution est
plus contraignante que la pluie dans la mesure o la rsistivit des couches polluante est bien
infrieure celle de la pluie. Cest pour cela que les efforts de comprhension ont davantage
port sur le contournement sous pollution, afin de mieux comprendre le phnomne de
contournement et de se prmunir doutils permettant le suivi de son volution et dviter son
apparition.
La complexit du phnomne et le grand nombre de paramtres qui le caractrisent tels que
la nature du dpt polluant [13, 14, 15, 16], la conductivit superficielle et le profil de lisolateur
[17, 18], rendent la comprhension et la matrise du mcanisme de contournement bien difficiles.
Les rsultat de recherche ont nanmoins permis dtablir des modles donnant les caractristiques
des dcharges voluant sur les surfaces disolateurs et ce jusquau contournement.
La plupart de ces modles sont empiriques ou semi empiriques [3].
I.4.1 Impact de la pollution
Lorsque lisolateur est propre ou recouvert dune couche de pollution sche, un trs faible
courant capacitif circule sa surface. Ceci est d aux trs faibles valeurs des conductivits
volumiques de lair, de lisolant solide et de la couche de pollution. On obtient ainsi une
rpartition lectrostatique du potentiel lectrique.
Par contre, lorsque la couche de pollution est humidifie, elle devient le sige dun courant
de conduction de valeur relativement importante et la rpartition du potentiel lectrique diffre de
la rpartition lectrostatique [3].
La rupture dilectrique de lair peut tre atteinte entre deux points de la surface isolante
entranant lamorage dun arc lectrique qui court-circuite une partie de la ligne de fuite.
Trois cas peuvent se prsenter selon les contraintes auxquelles est soumis lisolateur [12, 6].
CHAPITRE I : INTRODUCTION
9
Arc non localis : Larc lectrique steint rapidement, puis se ramorce un autre
endroit et ainsi de suite. Il y a apparition de courants de fuite entranant une faible perte dnergie,
gnralement supportable par linstallation [6].
Arc fixe : Larc lectrique se fixe sur la surface, soit en sy maintenant (courant continu),
soit en se ramorant au mme endroit (courant alternatif). Cet arc peut entraner, par effet
thermique, une dgradation du support isolant de llment dfaillant [6].
Contournement des isolateurs : Le contournement dun isolateur pollu est en gnral
prcd par lapparition brutale dun courant de fuite accompagn de la formation dune bande
sche et darc partiels. Un arc peut sallonger jusquau contournement total.
I.4.2. Technique de lutte contre la pollution
Pour un niveau de pollution donn, une bonne conception des lignes base sur des mesures
de svrit de pollution permet de prvenir, autant que possible, les incidents lorsque la ligne est
en service. Mais un changement dans les donnes dun site est toujours possible, cest--dire
mme un dimensionnement initialement correct peut savrer insuffisant dans certaines
conditions [19].
Dans ces circonstances, on utilise des techniques comme lallongement de la ligne de fuite,
ladaptation dun autre type des isolateurs capable de rsister aux contraintes de la pollution [5].
Par contre, certaines zones trs localises sont soumises un niveau de pollution
exceptionnel. Dans ce cas, la simulation de laboratoire nest pas recherche, car aucun isolateur
de dimensionnement raisonnable nest en mesure de rsister ces contraintes [2]. On prfre,
gnralement, utiliser dautres types des techniques de lutte contre la pollution. Plusieurs moyens
sont utiliss afin de prvenir, autant que possible, les incidents lorsque une ligne est en service.
Ces moyens de lutte doivent tenir compte des donnes propres au site considr et au
changement possible de la svrit de pollution d de nouveaux facteurs (apparition dune
nouvelle usine proximit dun poste, .). Les diffrentes mthodes utilises consistent [12,
19] :
a) Allongement de la ligne de fuite
Il permet dadapter le dimensionnement aux nouvelles conditions de pollution. Deux
techniques sont employes :
Le changement de type disolateurs (pour allonger la ligne de fuite) : cest une opration
trs coteuse et souvent impossible raliser en poste [19].
Lutilisation de prolongateurs de ligne de fuite en matriaux polymres, qui sont colls sur
la surface des isolateurs existants [20].
b) Isolateurs plats
Tandis que les deux prcdentes mthodes conduisent allonger la ligne de fuite des
isolateurs, lutilisation disolateurs plats conduit la diminuer. En effet, ces isolateurs sans
nervures ont la proprit daccumuler moins de pollution que les isolateurs traditionnels et sauto
nettoient trs bien sous leffet du vent. Ils sont principalement utiliss dans les rgions dsertiques
CHAPITRE I : INTRODUCTION
10
et soumises des temptes de sable o la principale source dhumidification est la condensation
[21].
c) Graissage priodique
Grce ses proprits hydrophobes, le graissage protge temporairement les isolateurs. La
longvit du graissage dpend la fois de lenvironnement (pollution, conditions climatiques) et
de la qualit intrinsque du produit. Elle est gnralement comprise entre 1 et 4 ans. Le graissage
est largement utilis dans le monde, mais lopration de nettoyage puis de graissage est pnible,
longue et coteuse. Elle ncessite, par ailleurs, une interruption de service [19].
d) Revtement silicone
Cette mthode consiste appliquer, par pulvrisation ou au pinceau, un caoutchouc silicone
qui se vulcanise temprature ambiante la surface des isolateurs. Comme pour le graissage
grce ses proprits hydrophobes, ce revtement protge et amliore leur tenue sous pollution.
Par contre sa longvit est, en gnral, nettement suprieure celle du graissage [22].
e) Les isolateurs composites
Ils sont constitus dun noyau en fibres de verre imprgnes dune rsine et dun
revtement ailettes de type lastomre. Ces isolateurs prsentent lavantage dune grande
lgret allie une haute rsistance mcanique que lui confrre le noyau. Ils ont de bonnes
proprits hydrophobes et peuvent tre utiliss dans des conditions de pollution trs svres [7].
Cependant, ces isolateurs prsentent le dsavantage de vieillir sous leffet des diffrentes
contraintes auxquelles ils sont soumis (lectrique et mcanique).
f) Nettoyage des isolateurs
Le nettoyage manuel (essuyage sec de lisolateur) ou le lavage hors tension, peuvent
tre utiliss de faon priodique, en particulier dans les postes. Comme ces mthodes sont
utilises hors tension, elles entranent ncessairement des interruptions de service parfois assez
longues [19]. Aussi, il faut limiter, autant que possible, leur utilisation.
Le lavage sous tension permet dviter ces coupures. Dans son principe, ce type de lavage
permet de garder propre lisolateur. Ce dernier est ralis laide dinstallations fixes ou mobiles.
Dans ces cas, il est effectu selon des rgles strictes concernant la qualit de leau de lavage, le
processus de lavage et les distances de scurit respecter afin dliminer tout risque de
contournement pendant le lavage.
Le nettoyage des isolateurs laide dun abrasif pulvris sous pression est une technique
utilise dans certain pays (Amrique du Nord en particulier). Cette technique permet le nettoyage
disolateurs recouverts de pollution trs adhrente (ciment, par exemple) et peut tre utilise pour
dgraisser les isolateurs [19].
I.5. Domaines de recherche
Afin de mieux comprendre le comportement des isolateurs sous pollution, plusieurs travaux
ont t effectus. Ils comprennent les essais sur isolateurs rels, effectus in situ (pollution
naturelle); ou alors au laboratoire (pollution artificielle).
Dautres sont effectus sur des modles de laboratoire. Ils prsentent lavantage de
contourner les difficults lies aux configurations gomtriques complexes des isolateurs.
CHAPITRE I : INTRODUCTION
11
Fig. I.4 : Modle de Claverie et Porcheron
I.5.1. Essais in situ et au laboratoire
Il est clair quil serait plus rigoureux deffectuer des essais sur les isolateurs dans les
conditions naturelles locales, plutt que davoir recours des essais artificiels. Cependant les
temps ncessaires lobservation des diffrents paramtres influenant le bon fonctionnement de
lisolateur demeurent longs. De plus, ce type de travaux peut tre sujets de rsultats capricieux.
Par consquent, lapproche par des techniques de pollution artificielle sest avre ncessaire.
Nanmoins, ce type dessais doit rpondre certaines normes bien dfinies [23], afin de
reproduire les mmes conditions de travail pour lensemble des chercheurs, et par la mme,
permettre une exploitation valable des rsultats. Cest ainsi que des rsultats de diverses
mthodes de pollution artificielle sont parfois compars aux rsultats de pollution naturelle [6, 24,
25].
I.5.2. Modles de laboratoire
Paralllement, des modles simples de laboratoire ont t adopts par un certain nombre de
chercheurs [26, 27]. Ces modles ont permis par la simplicit de leurs configurations, dexaminer
aisment linfluence de divers paramtres sur le comportement de lisolateur (courant de fuite,
contournement, tension dentretien de larc, etc.). Cependant si quelques modles refltent assez
bien le comportement de lisolateur, dautres par contre en restent assez loigns [28]. Toutefois
il est vident que ces modles ne sont pas destins se substituer lisolateur, ils permettent par
contre, de mieux observer les diffrents phnomnes de contournement.
Notons que des travaux actuels utilisant des formulations mathmatiques ont permis
dlaborer des modles thoriques [14, 17, 29] permettant de simuler le comportement de
lisolateur ainsi que des modles empiriques [12, 13, 17, 30] tablis exclusivement partir de
rsultats exprimentaux.
a). En 1970, Woodson et Mc Elroy [31]
on tent une approche des isolateurs, en
proposant un modle plan gomtrie circulaire
(Fig. I.3), celui-ci ne donna pas de rsultats
satisfaisants, en vue de lloignement de la
configuration propose et celle de lisolateur.
b). Un autre modle reposant sur une
configuration plane sera propos ultrieurement
par Claverie et Porcheron [32] (1973), ce modle
comprend deux lectrodes lune circulaire mise
sous tension et lautre rectangulaire mise la terre,
une couche de pollution continue sparant les deux
lectrodes.
Fig. I.3 : Modle de Woodson Mc Elroy
CHAPITRE I : INTRODUCTION
12
Fig. I.8 : Modle de M.N.Rayes et M.Zhirh
c). Plus tard, J.Danis [13](1983) tiendra compte
de la discontinuit de la couche de pollution la surface
dun isolateur rel, en proposant un modle comportant
des zones sches en alternance avec dautres pollues, en
utilisant deux lectrodes identiques, rectangulaires
places aux extrmits dune plaque isolante.
d). Un autre modle, labor ultrieurement et
prsentant des similitudes avec le modle prcdent mais
prsentant une configuration cylindrique fut tabli par
Alston et Zoledzlowski [33] (1963). Ce modle
comprend deux lectrodes disposes tout autour des
extrmits du cylindre (Fig. I.6). Il sera adopt plus tard
par dautres auteurs [34].
e). Utilis galement par dautres auteurs, le modle
de Wilkins [35] est constitu dune lectrode mise sous
tension et situe au dessus dun bac rempli deau
additionne de sel reprsentant la zone pollue, lespace
compris entre llectrode et leau sera considr comme
tant la zone sche (Fig. I.7). Ce modle est trs utilis
pour tudier le critre de propagation de larc [36].
f). Le modle propos M.N.Rayes et M.Zhirh [37]
(1991) est constitu dune lectrode place au-dessus dune
plaque isolante, une distance variable s, considre gale
la largeur de la zone sche. Cette plaque est place sur
quatre colonnes uniformment pollues et situes une
distance l-s de la terre. Une tension alternative de frquence
50 Hz est alors applique au modle. Les auteurs se sont
alors intresss la variation de la tension de
contournement en fonction de la largeur s de la zone sche,
pour plusieurs conductivits de la pollution appliques aux
colonnes.
Fig. I.7 : Modle de Wilkins
Fig. I.6 : Modle dAlston et Zoledzlowski
Fig. I.5 : Modles de J. Danis
CHAPITRE I : INTRODUCTION
13
I.6. Conclusion
Une ligne arienne est constitue dun agencement judicieux de matriaux conducteurs qui
servent transporter lnergie lectrique (ou linformation) l o elle doit tre utilise et de
matriaux isolants qui permettent dempcher celle-ci de se perdre en empruntant le plus court
chemin dun potentiel un autre. Outre leur fonction premire qui est de sopposer au passage du
courant, les isolateurs ont galement le rle de maintenir mcaniquement les conducteurs dans
des conditions prdtermines.
Cependant, la pollution se prsente comme un ensemble de facteurs, tout aussi complexes
les uns que les autres et pouvant provoquer par leurs actions communes de nombreuse
perturbations dans le fonctionnement des rseaux lectriques. Par consquent, un bon
dimensionnement des isolateurs dans les lignes de haute tension ne se fera quen tenant compte
du facteur de pollution.
Les techniques de lutte contre la pollution actuellement connues (graissage, lavage,
nouveaux types disolateurs, revtements hydrophobes), permettant de disposer aujourd'hui de
solutions curatives la plupart des problmes de pollution rencontrs par les exploitants sur le
rseau.
Les difficults rencontres aujourdhui pour arriver une bonne matrise de la tenue des
isolateurs montrent que des efforts en matire de recherche restent indispensables.
De plus une bonne connaissance du matriau dilectrique peut savrer ncessaire pour
comprendre le comportement des isolateurs. Dans le prochain chapitre, nous aborderons
justement ltude, dune manire gnrale, des proprits principales des dilectriques : ceci nous
permettra une meilleure approche du comportement des matriaux dont est constitu lisolateur.
PROPRIETES DES
DIELECTRIQUES
CHAPITRE II : PROPRIETES DES DIELECTRIQUES
14
II.1. Introduction
Lexprience a montr quil est possible dlectriser par frottement diffrents corps. Pour
certains, llectrisation se manifeste seulement aux points frotts. Llectricit ne se rpand donc
pas dans ces corps, et reste localise au point ou elle est produite. Ces corps sont des mauvais
conducteurs dlectricit et sont appels dilectriques ou isolants [38].
Ltude des matriaux dilectriques est donc ne du besoin pratique disoler, puisque les
premires expriences dlectrostatique taient bases sur lisolement des charges laide des
matriaux dilectriques. Cependant, le rle des matriaux dilectriques, du point de vue du gnie
lectrique, ne se rsume pas exercer une fonction isolante.
Lorsque lon veut raliser un condensateur de forte capacit, on recherche les matriaux
grandes permittivits permettant dobtenir des capacits leves sous faible volume. A linverse,
lorsque lon cherche rduire la capacit dune isolation (comme dans les cbles par exemple),
les matriaux faible permittivit sont les plus intressants. Cest une des raisons de lutilisation
du polythylne (
r
c 2,3) dans les cbles dnergie. La permittivit du dilectrique joue
galement un rle capital dans la rpartition du champ lectrique lintrieur dune isolation
multi matriaux. En effet la rpartition du champ lectrique se fait en raison inverse des
permittivits. Les dilectriques existent sous forme solide, liquide et gazeuse. Ils sont capables de
stoker lnergie lectrique, puisque ils permettent au champ lectrique de les pntrer. Soumis
une tension alternative, les dilectriques laissent passer un courant dit de "dplacement ", ce
courant peut tre trs lev si la permittivit est grande.
Les matriaux dilectriques idaux sont des matriaux qui ne sont pas conducteurs du
courant lectrique puisquils ne contiennent pas de charges libres dans leurs structures, aussi ils
ne possdent pas de pertes dilectriques.
Les matriaux dilectriques rels contiennent un certain volume de charges libres provenant
des impurets. Ainsi, dans les dilectriques, on peut galement observer une trs lgre
conduction, dtectable surtout basses frquences.
Tous les phnomnes dans les dilectriques soumis un champ lectrique dpendent de la
frquence du champ, de la temprature et de la structure du dilectrique.
Dans ce chapitre, nous nous intresserons aux proprits des dilectriques rels. Nous
donnerons aussi un aperu sur les dilectriques composites, vu leur succs provenant de la
possibilit dobtenir des proprits trs diverses en fonction des caractristiques des phases
constituants. Comme exemple, on peut citer loxyde de zinc (ZnO), largement rpondu dans la
fabrication des varistances, et qui requiert une importance commerciale considrable.
II.2. Historique
[39]
Lvolution des isolants peut tre divise en trois priodes, La premire commena avec la
dcouverte des proprits de lambre. Les travaux de W. Gilbert vers les annes 1600 donnent
naissance une deuxime priode riche en vnements. Il fut le premier tablir la distinction
entre les phnomnes lectriques et magntiques qui taient jusque l confondus. Il donne
galement la liste des substances ayant la mme proprit dattraction que lambre ; on y voit
figurer, pour la premire fois, le verre, le soufre, les rsines, la gomme-laque, la cire.
CHAPITRE II : PROPRIETES DES DIELECTRIQUES
15
Vers 1705 et avec lapparition des machines lectriques de nouvelles possibilits soffrent
aux exprimentateurs pour assurer lisolement des conducteurs ports haute tension. S.Gray
(1729) a le mrite dtablir une dfinition prcise des isolants et des conducteurs et, on peut
attribuer J. Th. Dsaguliers la paternit des termes insulator ou insulated et
conductor . Mais cest C. F. de Cisternay du Fay qui a systmatis les observations de Gray.
Sigaud de La Fond (1777) traduit bien les rsultats obtenus par ces trois physiciens en
crivant : Cest depuis quon est instruit de cette proprit des corps lectrisables par frottement,
quon sen sert pour soutenir ceux quon lectrifie par voie de communication. Cette manire de
disposer ces derniers sappelle isoler, cest--dire disposer ces corps de manire que llectricit
quon leur communique ne puisse se transmettre et se dissiper dans la terre, que nous regardons
comme le rservoir commun de la matire lectrique. .
Sigaud de La Fond (1775) fournit aussi quelques indications sur les isolants utiliss et
recommande : () chaque fois quon veut transmettre llectricit un corps susceptible de le
recevoir par communication, il faut le suspendre des fils de soie ou le placer sur du verre ou sur
des pains de rsine, de poix, de cire et en gnral sur toute espce de corps susceptible de
slectriser.
La troisime priode dbute vers le 19
me
sicle, avec les premires ralisation de
tlgraphie, de lclairage et les problmes lis aux choix et la mise en uvre des isolants, ce
qui a introduit lutilisation dune grande varit de matriaux labors partir de produits
naturels, vgtaux ou minraux ; le dveloppement de la chimie autour du charbon a permis
lintroduction des isolants synthtiques; actuellement lutilisation de quelques produits naturels
trs performant demeure toujours devant limportante utilisation des drivs du ptrole qui
simposent techniquement et conomiquement.
II.3. Dfinitions
Dans le vocabulaire Electrotechnique International, on peut trouver les dfinitions
suivantes :
-Dilectrique : substance dont la proprit lectromagntique fondamentale est dtre
polarisable par un champ lectrique. Il est caractris par sa constante dilectrique, ou
permittivit relative, dtermine par rapport celle du vide. Pour les dilectriques dusage
courant, la valeur de cette constante sans unit varie entre 1 et plus dun millier (pour les
matriaux ferrolectriques)
-Isolant : substance qui a une conductivit suffisamment faible pour tre utilise afin de
sparer des pices des potentiels diffrents.
Ds le XVII
e
sicle on a distingu :
- Les isolants pour lesquels les charges lectriques cres par frottement restent localises,
ainsi se comportent lambre, le verre, le soufre,
- Les conducteurs pour les quels, dans les mmes conditions, les charges se communiquent
aux rgions non frotts ; cest le cas des mtaux. Sils sont isols du sol et de loprateur,
les conducteurs comme les isolants, se mettent aussi attirer les corps lgers.
En ralit tous les isolants sont un peu conducteurs.
CHAPITRE II : PROPRIETES DES DIELECTRIQUES
16
II.4. Polarisation des dilectriques
Lorsquun dilectrique est plac dans un champ lectrique, ce dernier sen trouve modifi.
Ce changement sera caractris par lapparition de charges lectriques. En effet, sur la partie du
dilectrique voisine du corps crateur du champ apparaissent des charges de signe contraire la
charge de ce dernier et sur la partie loigne du dilectrique des charges de mme signe [40]. En
fait, lapparition de ces charges est due la formation de ples lectriques do lappellation de
polarisation des dilectriques quon donne ce phnomne. Contrairement aux conducteurs qui
par application dun champ lectrique dveloppent des charges dune mobilit considrable, et
traversent donc des distances importantes, les charges dveloppes par la polarisation des
dilectriques sont lies deux deux (charges de signe oppos formant des diples lectriques) et
ne peuvent se dplacer qu des distances trs petites c'est--dire dans les limites dune seule
molcule.
Le phnomne de polarisation est caractris par lapparition dune mince couche de
charges ngatives sur une face et dune mince couche de charges positives sur lautre face. En
revanche, lintrieur du dilectrique il y a gnralement compensation de charges de
polarisation [40].
On montre alors que lexistence de charges de polarisation apparaissant au sein du
dilectrique, sous laction dun champ lectrique, permet de ramener un systme de charges
comprenant des isolants un systme de charge dans le vide ; il ny a quun seul milieu
considrer, le vide, caractris par la constante lectrique :
c
0
9
10 36
1
H
= = 8,854 10
-12
F.m
-1
(II.1)
c
0
est souvent appele tort (bien que se terme soit normalis) permittivit du vide; on
verra que la permittivit est une caractristique dun milieu constitu datomes et de molcules et
quelle traduit ltat de polarisation dun dilectrique.
On constate galement, quaprs lintroduction dun dilectrique entre les armatures dun
condensateur la capacit du systme augmente. Si Col est la capacit du condensateur plac dans
le vide et C celle mesure aprs lintroduction du dilectrique, on trouve alors que le rapport
0 C
C
est plus grand que lunit, il reprsente la permittivit relative du dilectrique note : c
r
(elle tait souvent appele constante dilectrique ou pouvoir inducteur spcifique) [41]. Cest une
proprit lectrique caractristique dun matriau constitu datomes et de molcules et traduit
ltat de polarisation dun dilectrique.
La permittivit absolue c est dfinie par la relation :
r
c c c
0
= (II.2)
Pour interprter tous les rsultats prcdents on est conduit admettre que les charges
prsentes dans le dilectrique prennent, sous laction du champ lectrique une rpartition telle que
leurs actions distance ne soient pas nulles en moyenne.
Chaque molcule dun dilectrique polaris se transforme ainsi en un diple lectrique et
acquiert un moment dipolaire dfini par :
CHAPITRE II : PROPRIETES DES DIELECTRIQUES
17
l q P

= (II.3)
o l

: vecteur joignant les charges q et (-q) n


Pour pouvoir caractriser quantitativement la polarisation dun dilectrique on utilise une
grandeur physique spciale appele vecteur polarisation lectrique. Le moment dilectrique
rapport lunit de volume du dilectrique est donc dfinit par :
t
i P
P

=

(II.4)
o
i
P

: vecteur polarisation lmentaire.


t : volume unitaire
On peut alors crire lexpression du vecteur dplacement lectrique dun dilectrique
polaris :
E P E D

c c = + =
0
(II.5)
On en dduit que dans le vide le vecteur dplacement lectrique scrit :
E D

0
c = (II.6)
Car le vecteur polarisation est nul.
II.4.1. Mcanismes de polarisation
L'effet de la polarisation dilectrique avait t dcouvert par Michael Faraday en 1837.
Lorigine de cette polarisation est diffrente selon la structure du matriau. On distingue plusieurs
types de polarisation (Fig. II.2): lectronique, ionique, dipolaire, macroscopique, inter faciale (ou
du type Maxwell - Wagner) et spontane (Fig. II.1) ; celles-ci peuvent co-exister ou apparatre
sparment. Aussi, tous ces types de polarisation peuvent tre classs en deux groupes selon leurs
caractres: la polarisation lastique (ou de rsonance) et la polarisation de relaxation. La
polarisation totale est la somme des diffrents types de polarisation [42].
Fig. II.1 : Variation de la permittivit dilectrique en fonction de la frquence [42]
CHAPITRE II : PROPRIETES DES DIELECTRIQUES
18
II.4.1.1. Polarisation lastique
-La polarisation lectronique est prsente dans tous les dilectriques, sans exception. Elle
rsulte des dplacements des orbites lectroniques externes par rapport au noyau de latome. La
polarisation lectronique stablit en quelques 10
-15
s. La dformation de lorbite qui
laccompagne est lastique, c'est dire que le travail ncessaire son apparition nest pas
converti en chaleur mais stock dans le champ lectrique. La polarisation lastique lectronique
ainsi que les diples induits disparaissent quand le champ est supprim.
-La polarisation ionique (ou atomique) rsulte du dplacement des atomes lis par des
liaisons ioniques, dans ce cas les lectrons de valence parcourent les orbites partages avec
dautres atomes. On rencontre les liaisons ioniques dans la plupart des dilectriques solides non
organiques avec une structure cristalline (cristaux ioniques). Vu l'inertie des ions relativement
lourds, ce type de polarisation s'tablit en environ 10
-13
s, donc plus lentement que la polarisation
lectronique, et dpend de la charge de lion et des forces de liaisons ioniques mutuelles. La
polarisation ionique, de mme que la polarisation lectronique, cre des diples induits; elle ne
provoque pas de pertes dnergie et disparat avec la suppression du champ appliqu. Cest donc
une polarisation lastique. Elle existe jusquaux frquences correspondant l'infrarouge; elle est
propre la plupart des matriaux cramiques.
II .4.1.2. Polarisation de relaxation
La polarisation de relaxation concerne la polarisation dipolaire et la polarisation
macroscopique. Elle englobe tous les mcanismes dans lesquels, sous laction du champ
lectrique, seffectue un dplacement de charges lies, conduisant une dsorganisation de la
structure du milieu. Il sy cre ainsi un tat quasi-statique du nouvel arrangement, accompagn de
la cration dun moment dipolaire. Ce moment dipolaire disparat avec la suppression du champ,
car le mouvement thermique conduit nouveau une rpartition chaotique des charges. Dans le
phnomne de relaxation, le changement dorientation ne seffectue pas immdiatement mais
avec un certain retard (relaxation) par rapport aux changements du champ lectrique externe; le
temps ncessaire pour atteindre un quilibre est appel temps de relaxation '. Il dpend de la
temprature et de la viscosit du milieu. La polarisation de relaxation apparat des frquences
infrieures aux frquences correspondantes aux micro-ondes. Elle augmente avec le moment
dipolaire de la molcule polarise, et dcrot avec la temprature; la temprature influence le
mouvement thermique chaotique des molcules sopposant aux forces lectriques. La polarisation
de relaxation est toujours accompagne par la polarisation lectronique ou lectronique et
ionique. Elle englobe :
-La polarisation dipolaire (ou d'orientation) consiste en l'orientation, sous laction du
champ lectrique, des molcules polaires, c'est dire celles qui possdent un moment dipolaire
permanent. La structure de ces molcules est asymtrique: le centre de gravit rsultant de toutes
les charges ngatives dune telle molcule ne concide pas avec celui de toutes ses charges
positives la molcule est un diple lectrique. Le caractre dipolaire est gnralement propre
aux molcules des composs chimiques ayant des liaisons ioniques, mais galement aux
composs ayant des liaisons covalentes qui ont une structure asymtrique (par exemple H
2
O).
-La polarisation macroscopique (appele galement polarisation de la charge spatiale)
dcrit le processus du dplacement limit des charges libres. Elle peut tre rencontre dans les
dilectriques liquides et solides, surtout avec une structure non-homogne ou amorphe. La
polarisation macroscopique s'tablit lentement. Selon le type de matriau et des conditions de
mesure (temprature, hygromtrie), le courant de dplacement qui l'accompagne lorsqu'une
tension constante est applique, peut tre observ pendant quelques millisecondes jusqu des
CHAPITRE II : PROPRIETES DES DIELECTRIQUES
19
centaines dheures. La polarisation macroscopique dans les dilectriques liquides rsulte de
l'amassement des ions au voisinage des lectrodes. Dans les dilectriques solides, le mouvement
des charges est limit cause des tats nergtiques locaux de capture ou des barrires de
potentiel. Les deux phnomnes rsultent de la non homognit du matriau.
-La polarisation inter faciale (ou du type Maxwell-Wagner) apparat dans les
dilectriques non homognes dont les permittivits et les conductivits des matriaux constituants
1 et 2 sont telles que:
2 1 2 1
o o c c = (II.7)
Elle rsulte dune accumulation de charges la frontire des deux milieux. Ce type de
polarisation possde aussi un caractre de relaxation, le temps de relaxation augmente quand la
conductivit dcrot. Gnralement, la polarisation inter faciale saffaiblie au voisinage des
frquences suprieures aux frquences acoustiques.
-La polarisation spontane apparat dans les matriaux caractriss par la prsence de
rgions, appeles domaines, comportant des particules polarises de manire identique. Les
domaines, dsordonns au dbut, sorientent quand le champ est appliqu et conformment ce
champ apparat la polarisation spontane; elle provoque une augmentation importante de la
permittivit. Les matriaux caractriss par la polarisation spontane sont appels matriaux
ferrolectriques (exemple: le titanate de Baryum, BaTiO
3
), trs utiliss pour la fabrication de
condensateurs de grande capacit dans un espace trs rduit.
Fig. II.2 : Types de polarisation [43]
CHAPITRE II : PROPRIETES DES DIELECTRIQUES
20
II.5. Permittivit complexe
Quand on applique une tension sinusodale un condensateur constitu dun dilectrique
autre que le vide on observe, le dilectrique tant imparfait, un dgagement de chaleur qui se
superpose ventuellement leffet Joule (Pertes par conductivit) et qui constitue les pertes
dilectriques. Ces pertes sont dues, ainsi que nous le montrerons, aux phnomnes de relaxation
dj dcrits prcdemment. Ceux-ci conduisent un retard de linduction lectrique D

sur
lexcitationE

. Dans le cas dune excitation sinusodale, on aura donc :


eff
0 r eff eff
E(t) E 2 cos ( t - )
D(t) E 2 cos ( t - ) E 2 cos ( t - )

= e

= e o = e o

c c c
(II.8)
Si, on exprime ces grandeurs sous leur forme complexe, on aura :
j
eff
e E E

= et
o
c
j j
eff
e e E D

= (II.9)
Si on effectue le rapport des deux vecteurs, on obtient une permittivit complexe c donne
par:
c c c
c
c
o

o
' '

'
= = = =


j e
e E
e e E
E
D
j
j
eff
j j
eff
(II.10)
avec o c c cos = ' et o c c sin = ' '
Remarques :
1-Entre c
'
et c
' '
, on tablit aussi la relation :
c
c
o
'
' '
= tg . Ainsi, si E

et D

sont en phase on
aura : , 0 = o tg 0 =
' '
c et c c =
'
2-La permittivit complexe ainsi obtenue dpend, ainsi que nous le verrons dans les
prochains paragraphes, de la pulsation e. Par ailleurs, la permittivit c dfinie plus haut est aussi
appele permittivit statique
s
c car elle correspond au rapport
E
D
pour un champ invariable,
o la frquence est donc nulle. On lui oppose souvent la permittivit optique

c o la frquence
est considre comme infinie.
II.6. Pertes dilectriques
A partir des quations de Maxwell, nous dvelopperons les calculs dans le cas dun champ
sinusodal afin dtablir le bilan de puissance gnral, nous nous intresserons prcisment au
matriaux dilectriques afin de dterminer la nature des pertes actives et ractives, et donc, en
dduire le facteur de pertes dilectriques.
CHAPITRE II : PROPRIETES DES DIELECTRIQUES
21
II.6.1. Equations de Maxwell
Un champ lectrique E

statique peut exister en labsence dun champ H

; un condensateur
portant la charge constante Q en fournit un exemple. Mais par contre, quand les champs varient
avec le temps, H

ne peut exister sans un champ E

, de mme que E

ne peut pas exister sans un


champH

correspondant. Bien quon puisse tirer de nombreuses informations intressantes de la


thorie des champs statiques, cest seulement avec les champs variables dans le temps, que la
thorie du champ lectromagntique prend sa pleine valeur.
Les expriences de Faraday et de Hertz, ainsi que les analyses thoriques de Maxwell se
rapportaient toutes des champs variables [44].
Les quations regroupes ci-dessous, sous le nom dquations de Maxwell, sont donnes
sous leur forme la plus gnrale, c'est--dire en prsence dventuels charges et courants de
conduction.
Forme locale : Forme intgrale :
t
D
j H rot
c
c
c
+ =

S d
t
D
j l d H
S
c


} } }
|
|
.
|

\
|
c
c
+ = Thorme dampre)
t
B
E rot
c
c
=

S d
t
B
l d E
S


} } }
|
|
.
|

\
|
c
c
= (Loi de Faraday)
libre
D div =

}} }}}
=
S V
dV S d D

(Thorme de Gauss)
0 = B div

}}
=
S
S d B 0

(Loi de conservation de flux)


Il faut noter que les formes locales ou intgrales des deux premires quations sont
quivalentes daprs le thorme de stockes, tandis que les formes locales et intgrales des deux
dernires le sont daprs le thorme dOstrogradsky, ou thorme de la divergence.
La premire et la seconde des quations locales montrent dans ce cas que les champs E

et
H

variables, ne peuvent pas exister indpendamment. Par exemple, si E

est fonction du temps,


alors E D

.
0
c = sera aussi fonction du temps, si bien que la drive
t
D
c
c

sera diffrente de zro.


Par consquent, H rot

est lui-mme non nul, et il doit donc exister un champ H

diffrent de
zro. De manire tout fait similaire, la seconde quation montre que si H

est fonction du
temps, il doit exister un champ E

.
II.6.2. Relation dOumov - Poynting
A partir des deux premires quations on obtient :
t
D
E E j H rot E
c
c
c
+ =


(1)
(II.11)
t
B
H E rot H
c
c
=


(2)
CHAPITRE II : PROPRIETES DES DIELECTRIQUES
22
t
w
E j H E div
em
c
c
c
+ = .

) (
En retranchant la deuxime quation la premire, on obtient :
t
B
H
t
D
E E j E rot H H rot E
c
c
c
+
c
c
+ =


(II .12)
Et donc : Relation dOumov-Poynting. (II.13)
Avec : H E

. = H Vecteur de Poynting
Pour un volume v :
dV
t
w
dV E J dV div
V
em
V
C
}}} }}} }}}
c
c
+ = H

(II.14)
En appliquant le thorme dOstrogradsky, nous tablissons le bilan nergtique pour un
volume V quelconque.
t
W
dV E J S d
em
S V
C
c
c
+ = H
}} }}}

(II.15)
II.6.3. Cas dun champ sinusodal
E J B H
c

, , , et D

sont reprsents par des vecteurs complexes (systme (u,v,w) de lespace).


(II.16)
On a aussi : c c c
' '

'
= j
(II.17)

' '

'
= j
Remarque : en raison de phnomne de relaxation, pour les matriaux magntiques, la
permabilit magntique possde aussi une partie imaginaire.
Si on suppose rel (le temps de relaxation des charges libres est suppos trs faible) (pour
les frquences trs leves peut tre complexe).
Les deux premires quations de Maxwell deviennent :
E j E H rot

c e + =
B j E rot

e = (II.18)
Puissance
transporte (par
unit de volume)
Pertes joules
(par unit de
volume)
Densit dnergie
lectromagntique
w
e e X
v
e e X
u
e e X X
w
j
w
v
j
v
u
j
u

) ( ) ( ) (

+ + =
CHAPITRE II : PROPRIETES DES DIELECTRIQUES
23
Si,
*
E

et
*
H

sont les conjugus de E

et H

. ( E

*
E

=
2
E et H

*
H

=
2
H )
* * * *
E j E H rot

c e + = ( 1
' '
)x E

H j E rot

e = ( 2
' '
)x
*
H

(II.19)
En multipliant (1
' '
) par E

et ( 2
' '
) par
*
H

puis en faisant la diffrence des deux quations


obtenues on aura :
) (
* * *
H E div E rot H H rot E

. = avec
*
H E

. = H
Et
2 2 2
H j E j E div e c e + = H

En dveloppant, le flux du vecteur de Poynting travers une surface ferm, donne :
dV
H E
j dV H E E S d
V S V
)
2 2
( 2 ) (
2 ' 2 '
2 " 2 ' ' 2
c
e e e c + + + + = H
}}} }} }}}

(II.20)
La puissance apparente scrit aussi :
jQ P S + = (II.21)
A partir de (II.20) et (II.21), on peut sparer la partie relle reprsentant les diffrentes pertes
actives, et la partie imaginaire reprsentant les puissances ractives.
dV H E E S P
v
}
' ' + ' ' + = =
) (
2 2 2
) ( ) Re( e e c
dV E H S Q
v
) ( ) Im(
) (
2 2
}
' ' = = c e (II.22)
Application aux dilectriques ~
0
, donc trs faible (matriau non magntique).
dV E E P
V
}}}
+ = ) (
2 " 2
e c
dV E Q
V
}}}
=
2
' c e (II.23)
Remarque : en haute tension, les termes c
' '
, etc
'
peuvent changer sous laction des champs trs
levs (cas des huiles) [39].
e c

e c
e c
o
' '
"
a
Q
P
tg =
+
= = ' (II.24)
' o est langle complmentaire du dphasage entre la tension applique au dilectrique et
le courant qui en rsulte et
a
conductivit apparente du matriau.
Puissance
apparente
Pertes
joules
Pertes
dilectriques
Pertes
magntiques
(pertes fer)
Puissance
ractive
(capacitive)
Puissance
ractive
(selfique)
CHAPITRE II : PROPRIETES DES DIELECTRIQUES
24
Cette quation montre que la partie imaginaire de la constante dilectrique rend compte
seulement des pertes dues au travail ncessaire ltablissement de la polarisation. Associes aux
pertes lies la conduction ohmique rsiduelle du dilectrique, elles reprsentent la puissance
active absorbe par le dilectrique illustre par la conductivit apparente qui sexprime comme :
a
= e c ' ' +
II.7. Influence de la frquence sur la permittivit complexe
Sous laction dun champ alternatif il est possible de distinguer divers phnomnes :
-Les phnomnes de rsonance rsultent du dplacement de charges, contraris par des
forces de rappel proportionnelles lamplitude du dplacement ; dans les isolants ils sont dus
des lectrons ou des ions soumis des champs lectriques de frquence 10
12
10
14
Hz. il sagit
de la polarisation lectronique ou atomique. La rsonance est caractrise par une chute brutale
de c une frquence
0
e . la chute brutale de c ' correspond un pic de la composante imaginaire
c
' '
[40]. Tant que la frquence du champ lectrique est faiblec
' '
est nulle et c
'
garde sa valeur
statique, on distingue deux tats d'quilibre pour chacune de ses caractristiques. Dans un champ
statique ( 0 e ), la permittivit dilectrique est nomme permittivit statique
s
c , et dans les
frquences optiques (
opt
e e ), elle est nomme permittivit optique est note

c .
-Les phnomnes de relaxation dus gnralement loscillation de diples des
frquences comprises entre 10
7
et 10
10
Hz, traduisent bien la polarisation dipolaire ou
dorientation ;
r
c ' diminue progressivement lorsque la frquence augmente, sans sannuler, cest
la relaxation dipolaire de Pellat-Debye.
Lquation typique dcrivant ce modle simple de relaxation est lquation de dispersion de
Debye
2 2 2 2
1
) (
1 t e
et c c
t e
c c
c c
+

+

+ =

s s
j = ' ' ' c c j (II.25)
avec :
0
1
e
t = ,
0
e tant la frquence de
rsonnance.
Ltude de ces fonction permet donc dtablir les
variations de ' et " c c en fonction de la frquence,
les allures sont donnes par la figure II.3.
Plusieurs types de polarisation peuvent tre
dcrits qualitativement de la mme manire et cest
pourquoi, dans la plupart des cas, on peut appliquer
lquation de Debye. Il faut cependant rappeler que
cette quation a t tablie spcifiquement pour
le cas de la relaxation dipolaire.
L'inconvnient de ce modle est quil ne considre quun seul temps de relaxation et omet
les interactions molculaires alors que les dilectriques dipolaires rels correspondent rarement
ce modle. De ce fait, on ne peut pas toujours dcrire le phnomne de relaxation laide de cette
Fig. II.3 : Influence de la frquence sur la
permittivit complexe
CHAPITRE II : PROPRIETES DES DIELECTRIQUES
25
Fig. II.4 : Surface de sparation entre deux dilectriques diffrents
quation simple de Debye, car bien souvent les dilectriques se caractrisent par plusieurs temps
de relaxation, comme cest le cas par exemple des substances macromolculaires, et des
composites. Cole-Cole, Davidson-Cole ainsi que dautres chercheurs ont propos des
modifications de lquation de Debye en y introduisant des exposants empiriques menant une
augmentation du nombre de temps de relaxation pris en considration.
Nanmoins, toutes ces tentatives de description des phnomnes de relaxation dilectrique
nexpliquent pas la complexit des phnomnes et relations observs pour un grand nombre de
corps solides, surtout dans le spectre des basses frquences. Il semble que les processus rsultant
des interactions entre plusieurs molcules charges et responsables de la polarisation du
dilectrique, jouent un rle fondamental. Par consquent, la description des mcanismes
physiques ( l'chelle microscopique) impliqus dans les proprits dilectriques des matriaux
demeure toujours ouverte [44].
II.8. Conditions aux limites la surface de sparation de deux dilectriques
Dans le cas dun dilectrique homogne la rpartition des grandeurs lectriques est
continue. Cependant, ces grandeurs peuvent subir une discontinuit la surface de sparation de
deux ou plusieurs dilectriques. Il est donc important de dcrire le comportement des grandeurs
lectriques dans un tel cas. Les relations dterminant ces comportements sont donnes ce quon
appelle les conditions aux limites.
Soit une surface (S) sparant deux milieux matriels (c
1
) et (c
2
) .Ces milieux peuvent tre
indiffremment le vide, un mtal ou un dilectrique. Comme le champ lectrique est un champ
conservatif, lintgrale le long dune ligne ferme de E

. l d

est nulle quelque soit le chemin suivi ;


la figure II.4 prsente un chemin rectangulaire dont les coins sont numrots 1, 2, 3 et 4.
Dilectrique 2
2
c
1 2
3 4
Dilectrique 1
1
c
CHAPITRE II : PROPRIETES DES DIELECTRIQUES
26
Fig. II.5 : Discontinuit de linduction la limite de deux dilectriques
Nous aurons donc :
0
1
4
3
2
4
3
2
1
= + + +
} } } }
l d E l d E l d E l d E

(II.26)
Les intgrales
} }
3
2
1
4
l d E et l d E

sont nulles.
Le vecteur l d

tant parallle la surface (S) cette relation ne concerne que les composantes
tangentielles de E

elles aussi parallle (S).


} }
=
4
3
2
2
1
1
0 dl E dl E
t t
(II.27)
La composante tangentielle de E

est continue la traverse de la surface de sparation des


dilectriques, ce qui peut scrire :
2 1 t t
E E = soit
2
2
1
1
r
t
r
t
D D
c c
= (II.28)
Pour obtenir les conditions sur les composantes normales, on considre un cylindre
circulaire droit ferm et de petites dimensions. Il est travers par la surface de sparation comme
lindique la figure II.5 :
Sur la surface S dlimite par le cylindre, plaons une charge libre de densit superficielle
, soit n

le vecteur unitaire perpendiculaire S. En appliquant la loi de Gauss on tablit la


relation :
S S D D
n n
A = A o
1 2
(II.29)
2 1 n n
D et D sont les composantes de linduction dans les milieux de permittivits
1
et
2 .
La composante normale D

subit une discontinuit de valeur , la traverse de la surface de


sparation, ce qui peut scrire :
o =
1 2 n n
D D soit
0
1 1 2 2
c
o
c c =
n r n r
E E (II.30)
1
D

Dilectrique1
n

2
D

o
2
c
1
c
Dilectrique 2
CHAPITRE II : PROPRIETES DES DIELECTRIQUES
27
Si la surface de sparation ne porte pas de charges libres ( 0 = o ) on obtient :
2 1 n n
D D = et
2 2 1 1 n r n r
E E c c = (II.31)
II.9. Notions sur les matriaux composites
Il y a plus dun sicle quun intrt particulier a t port sur le mlange des dilectriques,
appel plus tard dilectrique composite. Le succs des matriaux composites provient de la
possibilit dobtenir des proprits trs diverses en fonction des caractristiques des phases
constituantes.
Cest surtout dans les annes soixante dix du sicle dernier, suite la crise ptrolire, quun
intrt trs particulier a t port sur les matriaux composites en vu de concevoir de nouveaux
produits [45]. Lapplication des composites stend de lindustrie du sport larospatiale. Dans
le domaine du gnie lectrique, lapplication de lisolation composite dans lappareillage haute
tension base de polymres chargs avec des minraux et renforcs avec des fibres avait connu
une augmentation tout fait spectaculaire.
Aussi, les proprits lectriques des composites mtal - isolant, comportant des particules
mtalliques ou des fibres conductrices (exemple : le noir de carbone) disperses alatoirement
dans une matrice isolante, sont sujet de nombreuses tudes, ces composites ayant une
conductivit relativement leve sont rpandus dans les application de type crans
lectromagntiques en vue de protger les composants lectroniques [46].
Un intrt particulier est port aux polymres chargs la cramique pizolectrique, utilis
dans lindustrie des capteurs [44]. Cependant, lutilisation des matriaux composites dans
lappareillage haute tension pose de srieux problmes pouvant menacer la sret et la fiabilit de
fonctionnement des systmes lectro-nergtiques ; lexistence deau dans lisolation, par
exemple dans lhuile de transformateurs, sur les surfaces des isolateurs, ou dans les corps des
isolateurs composites. Vu le risque de rduction des performances des matriels haute tension, il
est important de pouvoir effectuer un diagnostic et dinterprter les rsultats danalyse de la
cration de tels composites.
II.9.1. Permittivit effectives et lois de mlange
a). Permittivit effective
Le concept de permittivit effective ou constante dilectrique macroscopique est
indispensable pour la modlisation des matriaux composites. La caractristique effective dun
matriau composite ne dpend pas seulement des proprits physiques de ses constituants, mais
elle est galement dtermine par la micro gomtrie dun tel systme htrogne. Il sagit
principalement des formes dinclusions, de leurs rpartition dans la matrice, de leur orientation
par rapport aux contraintes externes (forces lectriques, forces mcaniques, ), et de leur
fraction volumique (concentration). Ainsi, la caractristique effective du matriau est une
fonction trs complexe, dpendant de tous ces facteurs, elle est donc difficile dcrire.
b). Lois des mlanges
La permittivit effective des htro structures, dcrivant les relations entre les proprits
microscopiques et macroscopiques des composites, a t dcrite par de nombreuses formules
analytiques et thories, appeles lois de mlanges . Les premires ont t proposes il y a dj
CHAPITRE II : PROPRIETES DES DIELECTRIQUES
28
plus de 150 ans ; il sagit des clbres formules de Claussius Mossotti, de Maxwell-Garnett et de
Rayleigh. Cependant, les travaux sur les lois de mlanges se poursuivent encore.
II.9.2. Thories du champ lectrique local
L'approche thorique du problme de la permittivit dilectrique des mlanges dilectriques
ncessite le calcul des polarisabilits et des moments dipolaires des inclusions composant le
mlange, ceci ne peut se faire que par ltablissement de lexpression du champ local.
Le champ lectrique local
l
E

est par dfinition le champ rgnant lemplacement dun


diple i donn, autrement dit cest la rsultante du champ macroscopique appliqu E

et des
champs crs par tous les autres diples
j
E

[47]:

+ =
j i l
E E E

) ( (II.32)
Considrons un matriau dilectrique se trouvant dans un champ lectrique E

, et les
particules du dilectrique se trouvant dans une cavit macroscopique sphrique (Fig. II.6).
Fig. II.6 : Cavit macroscopique situe dans le champ lectrique externe E

Le dilectrique qui entoure cette cavit est considr comme homogne. Le champ rgnant
lintrieur de la cavit sera la rsultante du champ macroscopique extrieur E

, du champ
macroscopique
l
E

provenant des charges induites sur la surface de la cavit, donc du milieu


continu uniformment polaris par P

(si la cavit est sphrique, ce champ est dtermin par un


calcul lectrostatique lmentaire:
l
E

=P

/3
0
c , le facteur 1/3
0
c tant le coefficient de
dpolarisation dune sphre), et du champ E

2
reprsentant la somme des champs individuels
crs par les n diples (particules) situs lintrieur de la cavit. Le champ lectrique local de ce
dilectrique sera alors:
CHAPITRE II : PROPRIETES DES DIELECTRIQUES
29
2 1
E E E E
l

+ + = (II.33)
Le calcul du champ lectrique local est l'un des principaux problmes de la thorie des
dilectriques. Cest un problme complexe qui na toujours pas t rsolu dune manire
complte et prcise. Cependant, de nombreux modles ont t proposs depuis 1880 dont on
citera les plus importants.
II.9.2.1. Modle de Lorentz
Lorentz a utilis certaines approximations, qui lui ont permis dobtenir des relations
simples entre le champ local
l
E

et le champ extrieur E

.
Le champ local et le champ appliqu (extrieur) sont lis selon Lorentz (1880) [48] par la
relation:
E
P
E E
r
l


3
) 2 (
3
0
+
'
= + =
c
c
(II.34)
Lorentz est parti du principe que les champs lectriques crs par les particules remplissant
la cavit sphrique du dilectrique, sannulent lintrieur de cette cavit (E
2
=0). Ce qui limite le
domaine dapplication de lquation dcrivant le champ de Lorentz. Elle n'est satisfaite que dans
le cas o les particules nont pas de moments dipolaires permanents,c'est--dire dans le cas des
molcules non polaires, ou bien quand elles sont distribues de faon dsordonne, ou encore
quand elles constituent un rseau cristallin ayant une symtrie importante (dans ce cas E
2
=0). On
ne peut donc ngliger le champ E

2
provenant du voisinage le plus proche de la particule dans le
cas des gaz condenss ou des liquides avec les particules dipolaires. Toutes les quations bases
sur le modle du champ local de Lorentz ne dcrivent donc pas correctement les processus se
produisant dans les dilectriques dipolaires condenss.
II.9.2.2. Modle dOnsager
En 1936, Onsager [49] a propos un nouveau modle du champ local pour les
dilectriques dipolaires. Afin de calculer le champ local, Onsager a trait une molcule comme un
diple ponctuel polarisable, plac dans une cavit sphrique, le milieu extrieur tant un
dilectrique continu et homogne. Le champ local de ce systme serait constitu du champ A

de
la cavit, cre par le champ extrieur E

, et du champ de raction R

rgnant galement dans la


cavit mais qui est cr par les charges induites par le diple :
|


r E R A E
l
+ = + = (II.35)
o

+
+ '
=
c c
c c
|
r
r
2
) 2 (
0
d r
r
o c c
c c
) 2 ( 3
) 1 )( 1 ( 2

+
'
'
=

tant le moment dipolaire et


d
o la polarisabilit dipolaire.
Le champ d'Onsager prend en compte les faibles distances entre les particules; par
consquent, il peut tre appliqu aux systmes contenant un nombre important de diples par
unit de volume. Onsager a apport de bonnes amliorations au modle de Lorentz, cependant, le
CHAPITRE II : PROPRIETES DES DIELECTRIQUES
30
Fig. II.7 : Deux dilectriques dans un champ uniforme
fait que ce modle suppose que le diple est entour dun milieu continu et homogne, limite son
application.
Dautres modles ont t proposs plus tard par de nombreux auteurs, En 1939, Kirkwood
[50] a propos un modle un peu plus amlior que celui d'Onsager. Mais la thorie la plus
gnrale du champ local, et la plus considre aujourdhui, est celle propose par Frhlich en
1958 [51]. Nanmoins, les lois de mlanges connues se basent toujours sur le champ local de
Lorentz.
II.9.3. Utilisation des dilectriques composites
L'utilisation de dilectriques diffrents est souvent ncessaire pour des raisons constructives
mcaniques.
Par exemple papier + presspahn + huile dans les transformateurs. L'utilisation de
dilectriques de permittivits diffrentes peut s'avrer utile pour la rpartition du champ, mais
peut aussi s'avrer trs dangereuse si mal contrle ou si c'est un rsultat involontaire (par ex. une
bulle dans l'isolant ou une couche d'air entre des isolants sandwich...).
II.9.4. Rpartition du champ pour un systme deux dilectriques parallle
Admettons une rgion compose de deux dilectriques soumis un champ uniforme.
Cette configuration reprsente deux capacits en srie dont les caractristiques diffrent
d'
1
c , d
1
et
2
c , d
2
. Le dplacement lectrique E D

. c = est identique pour les deux couches. On en
dduit :
1
2
2
1
c
c
=
E
E
(II.36)
D'autre part, la diffrence de potentiel aux bornes du systme est :
2 2 1 1
d E d E U + = (II.37)
En remplaant, on peut en dduire les valeurs de chaque champ par rapport la tension
totale et des c et d :
CHAPITRE II : PROPRIETES DES DIELECTRIQUES
31
|
|
.
|

\
|
+
=
|
|
.
|

\
|
+
=
2
1
2 1
2
2
1
1
1
1
1
c
c
c c
c d d
U
d d
U
E
1 1
1
1
2 1
2
2
1
1
2
2
+
|
|
.
|

\
|

=
|
|
.
|

\
|
+
=
c
c
c c
c
d
d d
U
d d
U
E
Le dnominateur reprsente une distance quivalente.
L'influence des diffrents paramtres peut tre examine et la conclusion la plus importante
est la suivante; plus une couche devient fine et que son
r
c devient faible, plus le champ dans
cette couche devient important.
C'est par exemple le cas d'une couche d'air entre conducteur et isolant ou, pour un cble,
entre l'isolant et la gaine mtallique, ou encore une couche d'air dans un connecteur HT. Ces
configurations sont videmment proscrire.
En respectant cependant quelques conditions d'paisseur et d' c pas trop diffrents, on
trouve une utilisation intressante de ce procd dans les cbles, leurs extrmits et jonctions,
dans les bornes de traverses et les capacits;
(a) Gomtrie. (b) Rpartition du champ pour const r r r r
n n
= = = = = c c c c ......
3 3 2 2 1 1
.
En appliquant la loi de Gauss, on dduit le champ dans les couches :
( )
|
|
.
|

\
|
=
+
=

n
n
m
n
n
x
r
r
x
U
x E
1
1
ln
1
.
c
c
(II.38)
Fig. II.8 : Cble coaxial avec couches de diffrentes permittivits
CHAPITRE II : PROPRIETES DES DIELECTRIQUES
32
Fig. II.10 : Essai de claquage sur une plaque (
2
c ): Endroits o le champ est maximum pour
1
c <
2
c
Dans le cas illustr, on conserve
max
E en gardant constant les multiples (c
n
.r
n
). Ceci permet
de rduire le diamtre de l'objet, mais implique l'utilisation d'isolants supportant tous
max
E .
II.9.5. La rfraction dilectrique
Lorsque le dplacement lectrique D rencontre la surface d'un isolant d' c diffrent et
laquelle il n'est pas perpendiculaire, la direction de ce vecteur va changer. Les angles d'incidence
et de rfraction obissent la relation suivante :
2
1
2
1
tan
tan
c
c
o
o
= (II.39)
L'effet est illustr sur la figure suivante :
Ceci peut conduire quelques difficults, par exemple lors de l'essai dilectrique des matriaux.
Pour viter ceci,
1
c doit tre augment, en utilisant par exemple du SF6 ou de l'huile.
On utilise cependant favorablement ce phnomne, par exemple dans les extrmits de cbles
ou dans le dimensionnement des isolateurs placs l'intrieur des installations SF6 [52].
Fig. II.9 : Deux dilectriques diffrents entre des lectrodes planes
CHAPITRE II : PROPRIETES DES DIELECTRIQUES
33
II.10. Conclusion
Dans ce chapitre nous avons accord une importance particulire aux dilectriques rels, vu
leur rle dominant pour la conception des isolateurs. Nous avons prsent lintrt des
dilectriques et leurs proprits gnrales, savoir les diffrents types de polarisations, la notion
de permittivit vu son intrt fondamental. Cette entit traduit les proprits microscopiques du
dilectrique, et permet une approche macroscopique, donc plus maniable.
Nous avons aussi tabli quen rgime sinusodal la permittivit dun dilectrique peut tre
complexe. Lexistence dune partie imaginaire de la permittivit saccompagne par une
dissipation dnergie, appele pertes dilectriques, et la partie relle correspond au caractre
capacitif du dilectrique. Dautres pertes dans un dilectrique rel peuvent tre dtectes appeles
pertes par conductivit due aux charges libres.
Vu leurs succs provenant de la possibilit dobtenir des proprits trs diverses en
fonction des caractristiques des matriaux constituants, les dilectriques composites font lobjet
de beaucoup de recherches travers le monde. Le concept de la permittivit effective ou
constante dilectrique macroscopique est ncessaire pour ltude des matriaux composites, car
elle nous permet dtudier un matriau composite comme un dilectrique ordinaire. Les lois de
mlanges, et qui permettent la dtermination de cette entit, ont t lobjet de nombreuses
recherches depuis plus de 150ans. Elles ont ainsi contribu lextension de lutilisation de ces
matriaux.
Dans le prochain chapitre, nous allons examiner le cas particulier dun systme compos de
deux dilectriques (air-verre puis air-plexiglas), sur lequel on placera des lectrodes planes. Cette
configuration constituera un modle disolateur que nous soumettrons diffrentes contraintes
lectro-gomtriques.
TECHNIQUES EXPRIMENTALES
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
34
III.1. Introduction
Afin de mieux tudier le comportement des isolateurs, diffrents modles de laboratoire ont
t proposs dans la littrature [11,53]. En effet, les isolateurs rels sont souvent remplacs par
des modles de gomtrie simple. Dans ces modles, les formes complexes des isolateurs sont
reprsentes par des rectangles quivalents et la ligne de fuite de lisolateur par la distance inter
lectrodes. Mme si ces isolateurs ne refltent pas exactement le comportement des isolateurs
rels, ils permettent tout de mme, une meilleure visualisation du phnomne des dcharges
lectriques et un gain considrable du facteur temps que ncessite ce genre dinvestigations sur
les isolateurs rels sur site.
Une des mthodes utilise dans lanalyse de ltat dun isolateur est la mesure et le contrle
du courant de fuite. Celui-ci permet de prvenir dun ventuel contournement, et prsente aussi
lavantage de rendre compte du degr de pollution de lisolateur.
Cependant, lapproche par un modle cohrent doit rendre compte du facteur,
incontournable, de la discontinuit de la pollution [53]. Aussi, les chercheurs sont amens
tablir des schmas quivalents comportant des zones propres en srie avec des zones pollues
avec, en plus, la difficult lie la gomtrie complexe des modles mme simples en apparence
[13, 31, 53].
Si pour les zones pollues, limpdance prsente, lie la conductivit et lpaisseur de
la couche polluante, ne pose pas de vrais problmes, il en est autrement pour les zones sches ou
propres. En gnral, des formules empiriques ou semi-empiriques sont alors tablies [53, 54].
Nous nous proposons, dans ce chapitre, de prsenter les principaux travaux effectus au
laboratoire de lENP. Ceux-ci nous ont conduits opter pour un modle gomtrie extrmement
simple (modle plan-plan). Ce choix a pour objectif de caractriser au mieux linterface air-
matriau dilectrique, c'est--dire la zone propre de lisolateur.
Pour cela deux types de matriaux seront tudis et de nombreux paramtres lectro-
gomtriques seront pris en considration. Ceci afin de mieux comprendre le cheminement du
courant de fuite, et en dduire limpdance quivalente.
Le choix dlibrment simple du modle prsentera aussi lavantage de pouvoir comparer
ultrieurement les rsultats obtenus avec une approche par simulation (chapitre IV). Pour cela,
des essais complmentaires ont t effectus pour valuer les permittivits des plaques utilises.
Celles-ci seront par la suite injectes dans le logiciel de calcul de champ utilis.
III.2. Modles tudis au laboratoire de lENP
Plusieurs tudes sur le modle plan et rectangulaire similaire celui considr par
P.Claverie et Y.Porcheron [32] ont t faites au niveau du laboratoire de Haute Tension de
lEcole National Polytechnique [21,54]. Nous les voquons brivement afin de faire une liaison
avec notre travail. Ces travaux s'intressaient surtout l'volution du courant de fuite ainsi que la
longueur de l'arc lectrique en fonction :
de la conductivit de la couche de pollution, du rayon de llectrode circulaire, de la
distance inter lectrodes, de lpaisseur de la couche de pollution, et de la rpartition
discontinue de la couche de pollution.
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
35
A partir de ces tudes, les rsultats tirs sont les suivants :
Le courant de fuite et la longueur de larc diminuent avec la distance inter lectrodes,
augmentent avec le rayon de llectrode circulaire, augmentent avec la conductivit et
augmentent aussi avec lpaisseur de la couche de pollution.
III.2.1. Modle de A.Mekhaldi et S.Bouazabia
Les quations, correspondant au modle de Claverie et Porcheron [32], ont t proposs par
A.Mekhaldi et S.Bouazabia [54]. Ces derniers, utilisant les quations de llectromagntisme
classique (quation de poisson), ont tabli, en assimilant le modle un systme cylindrique (Fig.
III.1), lexpression du courant de fuite :
(

+
+
=
x a
L a
e U
I
ln
. oo
(III.1)
avec :
) ) ( 2 ( 2 L a d arctg + = o
o : conductivit
U : tension dalimentation
a : rayon de llectrode circulaire
L: distance inter lectrodes
x : longueur de larc
e : paisseur de llectrode
d : longueur de llectrode circulaire
Fig. III.1 : Modle de A.Mekhaldi et S.Bouazabia [54]
Les auteurs ont dduit la rsistance de la pollution :
e
x a
L a
R
o o
(

+
+
=
ln
(III.2)
L
o
2a
X
Arcs
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
36
Quelques comparaisons avec des rsultats exprimentaux sont alors effectus, montrant une
assez bonne concordance entre les deux approches (thorique et pratique) pour les faibles niveaux
de tension et pour les grandes paisseurs de la couche de pollution.
Pour les tensions leves et les faibles paisseurs de la pollution, la corrlation est plutt
mauvaise, les auteurs imputant cet tat de fait au parcours linaire, le courant empruntant le
chemin le moins rsistant :
Le modle serait alors assimil un systme pointe-plan.
III.2.2. Modle de D. Namane
Afin dexaminer le comportement des surfaces isolantes sous pollution discontinue,
D.Namane [5] a utilis un modle plan rectangulaire (Fig. III.2). Les diffrentes contraintes sous
lesquelles est soumis son modle de laboratoire sont: la discontinuit de la pollution en variant
de manire rgulire la largeur de la pollution, la position de la pollution par rapport aux
lectrodes ainsi que la conductivit de la couche polluante applique sur la plaque.
Linfluence de ces contraintes sur le courant de fuite, sur la tension dentretien de larc
lectrique et sur la tension de contournement ainsi que le processus de contournement, est alors
examine.
Lauteur a propos un modle thorique, dcrivant lisolateur en pollution discontinue. Ce
modle est bas sur le calcul de deux impdances quivalentes la zone sche et celle pollue.
Une bonne corrlation a t constate entre les rsultats exprimentaux et le modle
empirique tant que la zone sche garde les mmes proprits disolement. Au-del, le modle
thorique montre ses limites et ne convient plus puisque celui-ci ne tient pas compte de la
variation de limpdance de la zone sche avec la tension reporte ses bornes.
H.T
H.T
Fig. III.2 : Modle exprimental selon D.Namane [5]
(a) pollution ct haute tension
(b) pollution ct terre
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
37
Par ailleurs et dans la cas de la plaque propre, D.Namane a relev la caractristique courant-
tension afin dtudier son comportement. Une visualisation du courant et de la tension a t faite
aussi, afin de dterminer la nature du courant de fuite.
Ces essais ont t effectus pour plusieurs niveaux de tension et ont permis de noter que :
-Le courant, comportant trop dharmoniques, ne permet pas dvaluer aisment le dphasage
entre la tension applique et le courant de fuite. Il a t observ galement que le dphasage est
largement infrieur 90 ; ce qui montre que limpdance quivalente la surface propre possde
un caractre actif non ngligeable.
-Lamplitude du courant crot dune manire quasi-linaire en fonction de la tension, ce qui a
permis la dtermination de limpdance quivalente Z
0
de la plaque propre dans les limites des
tensions utilises [5].
Limpdance obtenue est Z
0
= 4,24 10
8

Limpdance exprimentale Z
0
(y) moyenne est alors dtermine partir de la tension et du
courant de fuite correspondant pour les deux configurations (cot terre et cot haute tension). La
fonction choisie, la plus proche des rsultats exprimentaux est donne par :
42 . 0
0 0 0
] / ) [( )] 0 ( [ ) ( ) ( L y L y Z y Z y Z
e e
= =
'
= (III.3)
Avec :
Z
oe
: impdance empirique de la zone sche en fonction de la largueur de la couche pollue,
Z
0
(y=0) : impdance totale mesure de la plaque propre lorsquil ny a pas de pollution,
Celle-ci a t value : 4,24 10
8
,
L: distance inter lectrodes = 40 cm,
y(ou y) : largeur de la pollution en cm (cot terre ou cot haute tension).
Lauteur a adopt cette fonction empirique de manire retrouver les deux valeurs extrmes
de pollution savoir :
y=y=0 Z
oe
(0) = 4,24 10
8
et y=y=L Z
oe
(L) = 0
III.2.3. Modles de M.Teguar
Le modle utilis par M.Teguar [53] est similaire celui de D.Namane, comprenant deux
lectrodes plane, lune circulaire mise sous tension et lautre rectangulaire mise la terre, la
discontinuit de la pollution tant simuler laide de couches semi-conductrices de largeur
diffrentes.
- Essais sur la plaque propre
Toutefois les essais exprimentaux effectus sur la plaque propre montrent que le courant
de fuite est en avance sur la tension applique avec un angle infrieur 90. Limpdance
quivalente de la plaque propre possde, par consquent, un caractre actif non ngligeable. En
effet, le modle lectrique appropri de la plaque considre assimile linterface airverre par une
rsistance R
0
en parallle avec une capacit C
0
(Fig. III.3).
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
38
Fig. III.3 : Circuit lectrique quivalent de la plaque propre
Lexpression de la rsistance R
0
de la plaque propre est dduite partir de la rsolution de
l'quation de Poisson dans les matriaux conducteurs [38] :
f e r
r d
r
r d
e
R
1 1
1 ln
2
1
0
2
0
0
t
=
|
|
.
|

\
|
|
.
|

\
|
+
+
+
=
(III.4)
o r est le rayon de llectrode cylindrique et e son paisseur,
0
la conductivit volumique de
linterface airverre, d la distance inter lectrodes et f un facteur dpendant de la forme et de la
disposition des lectrodes :
|
|
.
|

\
|

|
.
|

\
|
+
+
+
=
1 ln
2
2
r
r d
r
r d
f
t
(III.5)
Nous pouvons considrer
e
0
1

comme tant une rsistance superficielle R


0s
. Comme
0
est
constante, R
0s
est donc constante et donne par lexpression suivante :
f R
e
R
s 0
0
0
1
= =

(III.6)
Dautre part, la rsolution de lquation de Poisson dans les matriaux isolants, permet
dobtenir lexpression de la capacit C
0
de la plaque propre [38] :
f e C c =
0
(III.7)
avec c la permittivit de linterface airverre.
Par consquent, la capacit superficielle C
0s
=ce peut tre formule par :
f
C C
s
1
0 0
= (III.8)
Pour la plaque propre, les valeurs de la rsistance R
0
et la capacit C
0
sont dtermines
partir des mesures de la tension U
0
, du courant de fuite I
0
et du dphasage
0
entre eux, car :
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
39
e
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
) sin( ) cos(
1
jC
R U
I
j
U
I
Z
+ = + = (III.9)
o Z
0
est limpdance quivalente entre lectrodes de la plaque propre et e (=2tf, f=50 Hz) la
pulsation.
A partir de lquation (III.9), il devient aprs substitution de R
0
et C
0
dans (III.6) et (III.8)
respectivement :
f Z f U
I
C
f
Z
f
I
U
R
s
s
1
) sin(
1 1
) sin(
) cos( ) cos(
0
0
0
0
0
0
0
0
0 0
0
0

e

= =
= =
(III.10)
avec :
0
0
0
I
U
Z = le module de limpdance Z
0
.
- Cas de pollution continue
M.Teguar [12] a labor un modle statique en tension alternative. Son modle est bas sur
celui dObenaus [14], et permet davoir les diffrentes caractristiques concernant le
dveloppement de larc lectrique sur une surface isolante uniformment pollue.
En se basant sur lquation du circuit et sur la condition limite de ramorage [32, 55], il a
dtermin lexpression donnant la rsistance de pollution en srie avec larc, en fonction de la
tension applique et le courant de fuite :
p p
F
I
U
K
K
R

=
100 1
(III.11)
o reprsente la rsistivit de la couche de pollution et K la constante de la caractristique
statique de larc.
Cette quation lui a permis dvaluer la longueur critique de larc et par suite tous les
paramtres caractrisant les phnomnes de conduction et de dcharge lectrique sur des surfaces
isolantes uniformment pollues.
Un modle amlior a t mis au point par M.Teguar [53] pour caractriser la propagation
dune dcharge lectrique sur des surfaces isolantes soumises une pollution continue non
uniforme.
- Cas de pollution discontinue
M.Teguar [53] a labor un algorithme qui permet dobtenir les diffrentes caractristiques
des phnomnes de conduction sur les surfaces isolantes sous pollution discontinue. Les bandes
propres et pollues (peintures semi-conductrice base de graphite) sont reprsentes pas des
circuits lectriques. Les composants de ces circuits sont dtermins partir des essais effectus
sur la plaque propre et celle uniformment pollue. Le courant de fuite critique et la tension de
contournement sont calculs partir de la connaissance de la tension de contournement obtenue
exprimentalement dans le cas o les couches de la pollution discontinue sont remplaces par du
papier aluminium.
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
40
Fig. III.4 : Circuit lectrique quivalent du modle de laboratoire selon Teguar [53]
La figure (III.4) reprsente le circuit lectrique quivalent au modle de laboratoire sous
pollution discontinue. Dans ce circuit, chaque bande i (i=1 6) est constitue dune rsistance R
0i
en parallle avec une capacit C
0i
. Pour chaque bande pollue i (i=2, 4, 6), ces circuits sont
shunts par une rsistance R
pi
reprsentant la couche de pollution (peinture semi-conductrice
base de graphite)
Le fait que les couches polluantes possdent des formes rectangulaires et selon la
recommandation de la CEI 60-1 [23], lexpression de la rsistance pour chaque bande pollue i
peut tre formule par :
}
= = =
i
L
i
p
i
sp sp pi
b
L
f R
b
L
R
b
dl
R R
0
(III.12)
Avec i=2, 4, 6, R
pi
la rsistance de couche de pollution, dl lment de longueur, L
i
la longueur de
la pollution, b la largeur de la couche de pollution et f le facteur de forme.
Les rsultats simuls concordent assez parfaitement avec ceux obtenus exprimentalement
pour les grandes largeurs de couches polluantes.
III.3. Modle adopt et dispositif exprimental
III.3.1. Description du modle exprimental
Nous avons utilis un modle de laboratoire de gomtrie simple (Fig. III.5). Il comporte
deux lectrodes en papier aluminium, rectangulaires, planes et identiques, places sur des plaques
carres.
C
05
R
05
C
02
R
02
C
03
R
03
C
01
R
01
C
06
R
06
C
04
R
04
R
p6 R
p4
R
p2
H.T.
U
I
6 5 4 3 2 1
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
41
Plusieurs paramtres ont t tudis, savoir :
- - la nature du matriau des plaques : une plaque en verre de dimensions 50x50cm, et une en
plexiglas de 40x40 cm (soit deux matriaux de permittivits diffrentes)
- - lpaisseur pour chaque type de dilectrique (6mm et 4mm pour le verre ; 8mm et
3mm pour le plexiglas).
- - la longueur D des lectrodes (45,30 et 15 cm pour le modle comportant la plaque de
verre ; 30 et 15 cm pour la plaque en plexiglas).
- - la largeur des lectrodes a (3 et 6 cm).
- - la distance inter lectrodes d (30, 24, 18, 12, 6, 4 et 2 cm).
N.B: les lectrodes de formes rectangulaires prsentant des pointes leurs extrmits, ont
t arrondies de sorte ne pas avoir des zones champ maximum, qui pourraient affecter les
rsultats.
III.3.2. Dispositif exprimental
Le circuit dessai est constitu dune alimentation alternative frquence industrielle (50
Hz) de marque HEAFELY, du modle exprimental (objet dessai), ainsi que du circuit de
mesure (Fig. III.6).
Fig. III.5 : Modle exprimental
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
42
Fig. III.6 : Dispositif exprimental
Cette station dessais comprend les organes suivants :
a) Un transformateur dessais
Il dlivre la tension applique lobjet dessai. Il est du type monophas, ces
caractristiques sont les suivantes:
- Tension primaire U
1n
=0.5 kV (50Hz).
- Tension secondaire nominale : U
n
=300 kV.
- Puissance apparente nominale : S
n
=50 kVA. I
cc ~
3 A
- Tension de court-circuit : U
cc
= 5.46 %. S
cc ~
916 kVA
- Rsistance damortissement : R
a
~ 30 O/kV de tension dessais, la rsistance de
lenroulement B.T: r
1
= 0.0365O , celle de lenroulement H.T : 4893O.
b) Un transformateur de rglage
Il permet le rglage de la tension la sortie du transformateur d'essai de zro la pleine
tension indpendamment de la charge et d'une faon continue. Le rglage peut se faire, soit
manuellement ( laide dun volant), soit laide dun moteur dont le fonctionnement est
command partir du pupitre. Ses caractristiques sont :
- Tension primaire nominale : U
1n
=220 V (50 Hz).
- Tension secondaire rglable (de 0 500 V).
- Puissance apparente nominale : S
n
= 50 kVA.
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
43
c) Un diviseur capacitif de tension
Il est aliment par la tension secondaire du transformateur d'essai et dlivre une tension
rduite aux bornes des voltmtres installs sur le pupitre de commande. Le diviseur capacitif est
form dune capacit H.T (C
1
= 400pF), en srie avec quatre capacits B.T. reprsentant une
capacit C
2
variable permettant de rduire de 1/1000 la tension dessai (U
lue
=U(C
2
)=U(C
1
)/1000).
Ce branchement permet dobtenir les calibres de mesures : 75 kV, 150 kV et 300 kV.
La tension recueillie aux bornes de la capacit variable est mesure laide dun
voltmtre lectrostatique donnant la valeur efficace de tension et dun galvanomtre
chelonn en kV
max
permettant la lecture de la valeur de crte de tension.
d) Un pupitre de commande
Celui-ci est aliment en 220 V indpendamment du rgulateur de tension et du
transformateur d'essai travers un transformateur disolement. On y trouve les appareils de
mesure permettant la lecture du courant au secondaire du transformateur de rglage ainsi que des
tensions de crte et efficace au secondaire du transformateur d'essai.
e) Des appareils annexes de mesure et de protection
Lalimentation du laboratoire se fait partir dun tableau gnral situ dans le laboratoire,
mais lextrieur de la plate-forme dessai (la cage de faraday). Le transformateur de haute
tension et son rgulateur sont protgs indpendamment par un fusible et un relais thermique de
250A. Ces protections sont lies avec le circuit de la bobine du contacteur principal, ce qui donne
une protection suffisante contre les surcharges du transformateur et les courants de court-circuit.
III.4. Circuits de mesure
III.4.1. Mesure de la tension de contournement
La mesure de la tension de contournement a t effectue pour chaque configuration
laide du voltmtre lectrostatique. Cette mesure permet non seulement de dterminer limpact de
la configuration du modle sur la tension de contournement, mais aussi de dterminer les paliers
des tensions (<50% de la tension de contournement) appliquer pour lenregistrement du
courant de fuite, ainsi que la charge.
III.4.2. Mesure du courant de fuite
Les mesures du courant de fuite sont effectues l'aide d'un dispositif constitu par deux
rsistances et un amplificateur oprationnel de type UA741 insr dans le retour de la terre
comme le montre la Figure III.7. Londe est reporte laide un cble coaxial, permettant la
visualisation de la tension (image du courant de fuite) sur un oscilloscope numrique
(TEKTRONIX TDS 340A 100MHz).
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
44
avec
R
e
: rsistance dentre de loscilloscope (R
e
=1MO, on nglige la capacit dentre qui est de
lordre de quelques dizaines de picofarad, ce qui est ngligeable pour un signal 50 Hz),
R
1
: rsistance pour diviser la tension d'entre ( O = 220
1
R ),
R
2
: rsistance permettant la mesure de l'image du courant de fuite ( O =100
2
R ).
Lamplificateur oprationnel ayant une impdance dentre trs grande, il ne permet pas la
circulation de courant travers le cble coaxial, et donc la totalit du courant de fuite traversera la
rsistance R
2
dont en visualisera la tension ses bornes.
III.4.2.1. Expression du courant de fuite I
0
en fonction de V
lue
Le courant I
0
peut tre donn en fonction de V
in
et R
2
par :
2
0
R
V
I
in
= (III.13)
Par ailleurs, le courant I
1
est nul car l'impdance d'entre de l'amplificateur oprationnel est
trs grande, ce qui nous permet d'avoir les galits suivantes:
out in
V V = et
lue out
V V = (III.14)
lue in
V V = (III.15)
donc
0 2
I R V
lue
= (III.16)
Ce qui permet d'avoir la relation entre le courant de fuite et le signal capt:
2
0
R
V
I
lue
= (III.17)
Courant de fuite scrit donc:
(III.18)
I
0
(t) = 0,01 x Vlue [A]
Fig. III.7 : Circuit de mesure du courant de fuite
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
45
Remarque :
En visualisant le courant de fuite et la tension dalimentation relis loscilloscope, on
peut galement relever le dphasage entre ces deux grandeurs. Celui-ci nous renseigne sur le
caractre plus ou moins actif de limpdance prsente par notre modle.
III.4.3. Mesure de la capacit partir de la charge
Pour la mesure de la charge nous avons utilis le mme circuit prcdent sauf que cette fois
nous avons remplac la rsistance R
1
, par une capacit C
m
de 0.1 F. (Fig. III.8).
Cette mthode nous permettra ainsi de dduire la capacit du circuit quivalent parallle de
notre modle.
Afin de recueillir totalement le signal de la tension aux bornes de la capacit, nous avons
utilis un adaptateur lentre de loscilloscope.
R
s :
rsistance de protection ( O = M R
s
5 . 4 ),
R
m
: rsistance dadaptation du cble de mesure ( O = M R
m
6 . 6 ).
Si, V
lue
dsigne la tension lue sur loscilloscope et comme V
1
= V
in
, nous avons :
lue 1
2
s e e
V V
I
R R R
''
= =
+
s e
1 lue
e
R R
V V
R
+
= (III.19)
lue
e
e s
in
V
R
R R
V V
+
= =
1
Donc
lue in
V V 5 , 5 =
Nous considrons alors un schma quivalent parallle pour notre modle (Fig. III.9) ; une
capacit C
1
traverse par un courant ractif qui prsente la plus grande proportion du courant
Fig. III.8 : Circuit de mesure de la charge.
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
46
total, vu le dphasage introduit par le systme, et une rsistance R
1
traduisant le caractre rsistif
de linterface.
Le systme tant considr comme une impdance (capacit et rsistance), est dispos en
srie avec la capacit du circuit de mesure utilis C
m
. Cette dernire tant traverse par le courant
total manant du systme. Celui-ci se compose du courant de conduction traversant la rsistance
R
1
; et au courant de dplacement se manifestant par la charge Q
1
de la capacit C
1
. Par
consquent, la charge apparente au sein de la capacit C
m
sera plus importante que Q
1
.
Fig. III.9 : Mesure de la capacit partir du schma parallle quivalent
A partir du schma quivalent, nous avons :
1
1
2 0 1
Z
V
C V I I
m
= = = e (III.20)
1
1
1 1
1
1
1
1
1
1
+
=
+
=
e
e
e
C JR
R
JC
R
JC
R
Z (III.21)
Le dphasage introduit par le systme tant connu, nous pouvons dduire langle de pertes o
e
o
1 1
1
C R
tg = (III.22)
Limpdance scrit donc comme suit :
(III.23)
Le module de cette impdance est tel que :
o
o
2
1
1
1
tg
tg
R Z
+
= (III.24)
En remplaant Z
1
par son expression dans lquation (III.20) nous obtenons :
o
o
o
tg
tg J
R
tg
J
R
Z
+
=
+
=
1 1
1
1
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
47
o
o
e
2
1
1
2
1 tg
tg R
V
C V I
m
+ = = (III.25)
En remplaant o tg par son expression de (III.12):
o e o e
2
1 1 1 1 2
1 . . . . . . . tg V C R R tg C V
m
+ = (III.26)
Nous aurons ainsi la valeur de la capacit du systme :
o
2
1
1
1 tg V
C V
C
m in
+
=
Avec
2
t
o = (III.27)
Langle de dphasage introduit par le modle entre la tension applique et le courant
de fuite tant de lordre de 80. Langle complmentaire (o gal 10) permet la dtermination
de lexpression de la capacit du systme :
1
1
42 , 5
V
C V
C
m lue
=
(III.28)
III.5. Mode opratoire
III.5.1. Prparation du modle
Avant chaque essai, la plaque isolante doit tre bien nettoye, puis imbibe de gaz ol dans
les endroits demplacement des lectrodes en aluminium, de manire ce quaucun espace dair
ne reste entre la plaque et les lectrodes. La plaque est ensuite essuye avec du coton humect
dalcool thanol pour liminer toute trace de gaz ol sur la plaque isolante.
Les lectrodes sont confectionnes avec du papier aluminium, coup laide de ciseaux
afin davoir des profils bien droit et ne comportant pas de dfauts de pointe ; engendrant une
modification de la distribution du champ lectrique.
Le modle est dispos horizontalement sur trois colonnes isolantes de 30 cm, elles-mmes
poses sur un support en bois. Le modle se trouve ainsi plac environ un mtre et demi du sol,
et une distance suffisamment grande du transformateur dessai (1.5 m environ) [30] avec un fil
bien tendu reliant la borne haut tension du transformateur lune des lectrodes, de manire
viter tout phnomne de parasite d au sol et aux bobinages du transformateur.
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
48
III.6. Rsultats exprimentaux
III.6.1. Tension de contournement
Les essais de contournement effectus sont des essais prliminaires, ils nous ont permis de
connatre la tension de contournement de chaque modle, afin de dterminer les paliers de tension
appliquer lors de la mesure du courant de fuite et de la charge. De plus nous avons exploit ces
rsultats, pour voir linfluence des diffrents paramtres sur la rigidit de notre modle ; les
rsultats obtenus sont reports sur les figures III.10 III.12.
- Plaques de verre
Uc = 4,64 d
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0 5 10 15 20 25 30 35
Distance inter lectrodes (cm)
T
e
n
s
i
o
n
d
e
c
o
n
t
o
u
r
n
e
m
e
n
t
(
k
V
)
largeur a=3cm,paisseur =0,6cm
largeur a=3cm,paisseur =0,4cm
largeur a=6cm,paisseur =0,6cm
largeur a=6cm,paisseur =0,4cm
Courbe de tendance
Fig. III.10 : Tension de contournement-distance inter lectrodes, pour diffrentes
configurations (longueur dlectrodes D=45cm)
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
49
Uc = 4,66 d
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0 5 10 15 20 25 30 35
Distance inter lectrodes (cm)
T
e
n
s
i
o
n
d
e
c
o
n
t
o
u
r
n
e
m
e
n
t
(
k
V
)
largeur a=3cm ,paisseur =0,6cm
largeur a=3cm ,paisseur =0,4cm
largeur a=6cm ,paisseur =0,6cm
largeur a=6cm ,paisseur =0,4cm
Courbe de tendance
Fig. III.11 : Tension de contournement-distance inter lectrodes, pour diffrentes
configurations (longueur dlectrodes D=30cm)
Uc = 4,82 d
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0 5 10 15 20 25 30 35
Distance inter lectrodes (cm)
T
e
n
s
i
o
n
d
e
c
o
n
t
o
u
r
n
e
m
e
n
t
(
k
V
)
largeur 3cm paisseur 0,6cm
largeur 3cm paisseur 0,4cm
largeur 6cm paisseur 0,6cm
largeur 6cm paisseur 0,4cm
Courbe de tendance
Fig. III.12 : Tension de contournement-distance inter lectrodes, pour diffrentes
configurations (longueur dlectrodes D=15cm)
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
50
- Plaques de plexiglas
Uc = 5,08 d
0
20
40
60
80
100
120
140
0 5 10 15 20 25 30
Distance inter lectrodes (cm)
T
e
n
s
i
o
n
d
e
c
o
n
t
o
u
r
n
e
m
e
n
t
(
k
V
)
largeur a=3cm, paisseur =0,8cm
largeur a=3cm, paisseur =0,3cm
largeur a=6cm, paisseur =0,8cm
largeur a=6cm, paisseur =0,3m
Courbe de tendance
Fig. III.13 : Tension de contournement-distance inter lectrodes, pour diffrentes
configurations (longueur dlectrodes D=30cm)
Uc = 5,09 d
0
20
40
60
80
100
120
140
0 5 10 15 20 25 30
Distance inter lectrodes (cm)
T
e
n
s
i
o
n
d
e
c
o
n
t
o
u
r
n
e
m
e
n
t
(
k
V
)
largeur a=3cm, paisseur =0,8cm
largeur a=3cm, paisseur =0,3cm
largeur a=6cm, paisseur =0,8cm
largeur a=6cm, paisseur =0,3cm
Courbe de tendance
Fig. III.14 : Tension de contournement-distance inter lectrodes, pour diffrentes
configurations (longueur dlectrodes D=15cm)
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
51
III.6.2. Interprtation des rsultats
Nous avons constat que la dcharge lectrique seffectue dans lair, son impact sur les
lectrodes en aluminium pour les grandes distances inter lectrodes (d>6cm) se faisait sur le cot
interne des lectrodes et en un point, celle-ci avait tendance aller vers le milieu tout en
slargissant.
Linitiation de larc partir dun point peut tre explique par la prsence de pointes
microscopiques la bordure des lectrodes qui ne peuvent tre perues lil nue.
Lanalyse des courbes montre que laugmentation de la distance inter lectrodes engendre
laccroissement de la tension de contournement, ce qui est prvisible. Cependant, les paisseurs et
matriaux des plaques utilises (verre et plexiglas) ainsi que la variation des largeurs et longueurs
dlectrodes, nont quasiment pas dinfluence sur la tension de contournement. Celle-ci, dans tous
les cas, ne dpend apparemment que de la distance inter lectrodes.
Les caractristiques prleves montrent aussi une variation linaire de la tension de
contournement en fonction de la distance inter lectrodes, pour les diffrents modles utiliss, et
ceux pour des distances inter lectrodes approximativement infrieures 24 cm. Au-del, les
caractristiques ont tendance se courber et perdre leur caractre linaire.
Pour les diffrents modles considrs, la tension de contournement peut tre donne par
lexpression empirique rgissant sa variation en fonction de la distance inter lectrodes
Uc # (4,6 5) d [cm, kV
eff
] (III.29)
A partir de cette caractristique, nous pouvons dire que la distribution du champ lectrique
est loin dtre uniforme, car si ctait le cas le systme serait plus rigide, et prsenterait une pente
approximant les 21 kV
eff
/cm.
De plus, nous remarquons aussi que notre modle est lgrement plus rigide quun systme
prsentant une configuration pointe pointe dans lair, si on se rfre la tension de
contournement donne par la formule empirique (III.30) tablie pour ce genre de systme et ceux
pour les distances inter lectrodes d>8cm.
14 16 . 3 + = d Uc [cm, kV
eff
] (III.30)
On remarque que la formule de Roth (III.31) considre pour les intervalles dair de
configuration pointe plan, se rapproche aussi du comportement, du point de vue rigidit, de
notre modle, mme si cette formule, nest considre que pour des distances inter lectrodes se
situant entre : 30 et 250 cm.
d Uc = 75 . 4 [cm, kV
eff
] (III.31)
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
52
III.6.3. Courant de fuite
Pour dterminer les caractristiques de la plaque propre, nous avons mesur et visualis le
courant de fuite pour diffrents paliers de tensions. En valuant le dphasage entre la tension et le
courant, nous avons donc pu galement calculer la capacit prsente par la plaque propre.
Cependant, le signal du courant contenant trop dharmonique, ne permet pas dvaluer aisment
le dphasage entre le courant et la tension applique.
Nous avons toutefois observ un dphasage largement infrieur 90 (environ 80), ce qui
montre que limpdance quivalente la surface propre possde un caractre actif non
ngligeable.
Quelques remarques doivent tre faites quand aux essais effectus :
- Les valeurs mesures sont prises du pic au pic c'est --dire que cette dernire doit tre divis par
deux pour avoir lamplitude de la tension "V
in
" mme si le signal comporte des harmoniques,
nous avons considr sa valeur efficace comme tant la valeur max divise par 2 .
-Pour les distances inter lectrodes 2 et 4cm les tensions appliquer sont trs faibles (<5kV), or le
voltmtre lectrostatique disponible au laboratoire ne permet pas la lecture de telles tension, donc
les essais effectues pour le courant de fuite sont prises pour les distances inter lectrodes 6et
30cm.
-Pour chaque distance inter lectrodes nous avons appliqu 5 8 paliers de tension selon la
distance inter lectrodes, de sorte que le maximum de la tension applique ne dpasse pas 50%
de la tension de contournement.
- Nous avons effectu les mesures des courants de fuite dans la mme journe, pour avoir les
mmes conditions de pression, temprature et dhumidit pour toutes les distances inter
lectrodes, afin de ne pas affecter les rsultats.
Nous avons relev le courant de fuite pour diffrentes tensions et pour toutes les
configurations. Nous remarquons alors, que pour un mme niveau de tension applique, le
courant est stable, il ne varie pas avec le temps dapplication de la tension (environ 1 3 mn).
Nous prsentons donc lensemble de ces caractristiques :
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
53
III.6.3.1. Courant de fuite-tension applique
- Plaques de verre
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Tension applique (kV)
C
o
u
r
a
n
t
d
e
f
u
i
t
e
(

A
)
a=3cm; =0.6cm
a=3cm; =0.4cm
a=6cm; =0.6cm
a=6cm; =0.4cm
Fig. III.15 : Courant de fuite tension applique (distance inter lectrodes d= 30 cm)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Tension applique (kV)
C
o
u
r
a
n
t
d
e
f
u
i
t
e
(

A
)
a=3cm; =0.6cm
a=3cm; =0.4cm
a=6cm; =0.6cm
a=6cm; =0.4cm
Fig. III.16 : Courant de fuite tension applique (distance inter lectrodes d=24 cm)
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
54
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Tension applique (kV)
C
o
u
r
a
n
t
d
e
f
u
i
t
e
(

A
)
a=3cm; =0.6cm
a=3cm; =0.4cm
a=6cm; =0.6cm
a=6cm; =0.4cm
Fig. III.17 : Courant de fuite tension applique (distance inter lectrodes d=18 cm)
0
20
40
60
80
100
120
140
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Tension applique (kV)
C
o
u
r
a
n
t
d
e
f
u
i
t
e
(

A
)
a=3cm ; =0.6cm
a=3cm ; =0.4cm
a=6cm ; =0.6cm
a=6cm ; =0.4cm
Fig. III.18 : Courant de fuite tension applique (distance inter lectrodes d=12 cm)
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
55
0
20
40
60
80
100
120
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Tension applique (kV)
C
o
u
r
a
n
t
d
e
f
u
i
t
e
(

A
)
a=3cm; =0.6cm
a=3cm; =0.4cm
a=6cm; =0.6cm
a=6cm; =0.4cm
Fig. III.19 : Courant de fuite tension applique (distance inter lectrodes d=6 cm)
- Plaques de plexiglas
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Tension applique (kV)
C
o
u
r
a
n
t
d
e
f
u
i
t
e
(

A
)
a=3cm, =0.8 cm
a=3cm, =0.3cm
Fig. III.20 : Courant de fuite tension applique (distance inter lectrodes d=30 cm)
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
56
0
10
20
30
40
50
60
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Tension applique (kV)
C
o
u
r
a
n
t
d
e
f
u
i
t
e
I
f
(

A
)
a=3cm, =0.8cm
a=3cm, =0.3cm
a=6cm, =0,8cm
a=6cm, =0.3cm
Fig. III.21 : Courant de fuite tension applique (distance inter lectrodes d=24 cm)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Tension applique (kV)
C
o
u
r
a
n
t
d
e
f
u
i
t
e
(

A
)
a=3cm, =0.8cm
a=3cm, =0.3cm
a=6cm, =0,8cm
a=6cm, =0.3cm
Fig. III.22 : Courant de fuite tension applique (distance inter lectrodes d=18 cm)
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
57
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0 5 10 15 20 25 30 35
Tension applique (kV)
C
o
u
r
a
n
t
d
e
f
u
i
t
e
(

A
)
a=3cm, =0.8cm
a=3cm, =0.3cm
a=6cm, =0,8cm
a=6cm, =0.3cm
Fig. III.23 : Courant de fuite tension applique (distance inter lectrodes d=12 cm)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Tension applique (kV)
C
o
u
r
a
n
t
d
e
f
u
i
t
e
(

A
)
a=3cm, =0.8cm
a=3cm, =0.3cm
a=6cm, =0,8cm
a=6cm, =0.3cm
Fig. III.24 : Courant de fuite tension applique (distance inter lectrodes d=6 cm)
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
58
III.6.3.2. Courant de fuite distance inter lectrodes
Plaque de verre
0
20
40
60
80
100
120
0 5 10 15 20 25 30 35
Distance inter lectrodes (cm)
C
o
u
r
a
n
r
t
d
e
f
u
i
t
e
(

A
)
a= 3 cm ; = 0.6 cm
a= 3 cm ; = 0.4 cm
a= 6 cm ; = 0.6 cm
a= 6 cm ; = 0.4 cm
Fig. III.25 : Plaque de verre : Courant de fuite distance inter lectrodes (U =10 kV)
Plaque de plexiglas
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0 5 10 15 20 25 30 35
Distance inter lectrodes (cm)
C
o
u
r
a
n
r
t
d
e
f
u
i
t
e
(

A
)
a= 3 cm ; = 0.8 cm
a= 3 cm ; = 0.3 cm
a= 6 cm ; = 0.8 cm
a= 6 cm ; = 0.3 cm
Fig. III.26 : Plaque de plexiglas : Courant de fuite distance inter lectrodes (U =10 kV)
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
59
III.6.3.3. Interprtations des courbes
- Influence de la tension applique
Nous avons reprsent sur les figures III-15 III-24, les variations du courant de fuite en
fonction de la tension, pour plusieurs distances inter lectrodes et pour les deux types de
matriaux (verre et plexiglas).
Les paliers de tension appliqus, suivant les distances inter lectrodes, ne permettent pas
ltablissement darcs partiels, le courant de fuite reste faible [15, 16, 14, 30] et ne dpasse pas
quelques dizaines de micro ampres. Ces courbes expriment linfluence de la tension
dalimentation sur limpdance quivalente du systme.
En effet, nous remarquons que les caractristiques ne sont pas linaires, ce qui montre que
les caractristiques du milieu (conductivit, permittivit), varient avec la tension dapplication.
Nous pensons que cette variation concerne essentiellement le milieu le moins rigide,
savoir lair. Nous constatons ainsi, une sorte de saturation du courant de fuite qui est illustre
par un palier et qui conduit une impdance apparente plus leve.
Pour bien illustrer ce phnomne nous avons joint dun trait en pointill lorigine de la
plupart des courbes avec le premier point de chaque caractristique (qui correspond un rgime
tension modre, donc o limpdance est considre comme constante): on voit bien que, dans la
plupart des courbes, la pente diminue (et parfois trs fortement, figures III-19 et III-24) partir du
premier point.
Nous constatons galement, que sur certaines caractristiques, pass ce palier, le courant
augmente de manire plus importante, ce qui peut tre expliqu par lapparition des phnomnes
dionisation de lair.
Le courant rsultant est donc, dune manire ou dune autre, le rsultat dune distribution
complexe des charges sur les lectrodes. Or, la surface extrieure de llectrode rectangulaire est
au contact de lair tandis que la surface intrieure est colle sur le verre : deux courants se
superposent donc, lun dans lair et qui dpend des caractristiques de lair pour la tension
applique et lautre dans le verre qui ne dpend probablement pas des nivaux de tension appliqus
dans notre cas (puisque le verre est beaucoup plus rigide que lair).
Remarque : ceci ne veut pas dire que le courant dans lair est plus lev, bien au contraire,
la charge accumule est plus grande ct verre, puisque la permittivit est plus leve.
- Influence de lpaisseur du verre et de la largeur des lectrodes
En analysant les courbes nous remarquons que, pour la mme largeur dlectrodes, le
courant de fuite est toujours plus grand pour lpaisseur de plaque la plus grande.
Ceci prouve le caractre volumique du courant, qui traverse le verre. Ainsi, en augmentant
lpaisseur du matriau de permittivit la plus leve, on augmente la capacit de lensemble du
systme. Ceci conduit donc un courant logiquement plus lev. Notons que cette constatation
t faite pour toutes les caractristiques que nous avons trac.
Par ailleurs, pour une mme paisseur de plaque, il apparat une lgre influence de la
largeur dlectrode, le courant de fuite est lgrement important pour la plus grande largeur
dlectrodes. Ces constatations sont faites pour la majorit des courbes. Nanmoins, pour
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
60
quelques caractristiques, nous observons le phnomne inverse. Nous supposons que ces points,
prsentant des anomalies, peuvent tre dus des dcharges, apparaissant aux bords des lectrodes
influenant ainsi la rpartition du champ lectrique et du courant de fuite.
- Influence de la distance inter lectrodes
Il sagit du paramtre le plus important et il a t largement tudi par un nombre important
de chercheurs. Les caractristiques courant de fuite distance inter lectrodes pour les diffrentes
configurations et pour une mme tension (10 kV), prennent la mme allure dcroissante. Ceci est
prvisible, car si nous considrons que la distance inter lectrodes reprsente la zone sche du
modle de D.Namane (Fig. III.2), les rsultats obtenus pour ce modle montrent que le courant de
fuite crot en augmentant la largeur de la pollution (ce qui revient dans notre cas diminuer la
distance inter lectrodes).
Lauteur a observ que le courant est assez stable pour les faibles largeurs de pollution, ce
qui est vrifi dans notre cas pour les grandes distances inter lectrodes (>20 cm). Lauteur a
remarqu aussi une augmentation brutale pour les niveaux de tensions levs et pour les grandes
largeurs de pollution. Dans notre cas pour la mme tension, nous remarquons cette augmentation
pour les faibles distances inter lectrodes ; le courant de fuite est plus important. Ceci peut tre d
lapparition de leffet de couronne qui affaiblit limpdance de lintervalle inter lectrodes.
Notons que le courant de fuite est loin dtre inversement proportionnel la distance inter
lectrodes, ce qui a conduit D.Namane [5] proposer un modle empirique de la plaque propre
(.III.2.2).
III.6.4. Dtermination de la capacit
1
re
Mthode : par la mesure du courant de fuite
Nous nous proposons de dterminer, dans un premier temps, la capacit du systme partir
du courant de fuite et du dphasage courant-tension relevs.
En effet, nous avons :
2
0
R
V
I
in
=
A partir du dphasage introduit, la composante imaginaire du courant est donne par
lexpression (Fig. III.27):
in
V C I e = sin
0
(III.32)
Donc :
in
V
I
C
e
sin
0
= (III.33)
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
61
Nous calculons alors pour chaque niveau de tension la capacit de la configuration en
question ; les rsultats sont reprsents sur les figures III.28 III.34.
2
e
Mthode : par la mesure de la charge
La mesure du courant de fuite nous a permis daffirmer que limpdance du systme, la
plaque tant propre, est caractre beaucoup plus capacitif que rsistif. Dans cette partie, nous
nous intressons au calcul de la capacit pour les diffrentes configurations, par une autre
mthode, en vu de confirmer les rsultats observs par la premire mthode.
Le dispositif utilis pour la mesure de la charge a t dcrit prcdemment (III.4.3). Nous
avons visualis simultanment la tension aux bornes de la capacit de mesure qui reprsente une
image de la charge et la tension applique, les deux courbes possdent approximativement la
mme allure. Ceci est prvisible, car la charge est proportionnelle la tension, le coefficient de
proportionnalit tant la capacit du systme (Q=C.U). Cependant, un lger dphasage est
observ. Nous remarquons aussi, lexistence dharmoniques et des pics de charges de dure de
vie trs courtes.
Comme pour la mesure du courant de fuite, quelques remarques sont signaler quand aux
essais effectus pour la mesure de la charge :
- pour les distances inter lectrodes 2 et 4cm les mesures nont pas t effectues, pour les mmes
raisons que ceux du courant de fuite.
- Nous avons effectu les mesures de la charge dans la mme journe.
-Pour la lecture des rsultats, nous navons pas considr les pics de la charge dus aux aigrettes.
Ce qui ne dtermine pas fidlement la capacit de notre systme.
Pour chaque matriau (verre et plexiglas), palier de tension, paisseur et chaque largeur
dlectrodes, nous avons calcul la capacit correspondante. Les courbes traces sont donnes
dans la figure III.35 III.46 :
Fig. III.27 : Dphasage introduit
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
62
1
re
Mthode : caractristiques
III.6.4.1. Capacit en fonction de la tension applique
- Plaque de verre
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Tension applique (kV)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
a=3 cm ; = 0,6 cm
a=3 cm ; = 0,4 cm
a=6 cm ; = 0,6 cm
a=6 cm ; = 0,4 cm
Fig. III.28 : Capacit tension applique (d= 30 cm)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Tension applique (kV)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
a=3 cm ; = 0,6 cm
a=3 cm ; = 0,4 cm
a=6 cm ; = 0,6 cm
a=6 cm ; = 0,4 cm
Fig. III.29 : Capacit tension applique (d= 24 cm)
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
63
0
2
4
6
8
10
12
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Tension applique (kV)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
a=3 cm ; = 0,6 cm
a=3 cm ; = 0,4 cm
a=6 cm ; = 0,6 cm
a=6 cm ; = 0,4 cm
Fig. III.30 : Capacit tension applique (d= 18 cm)
0
2
4
6
8
10
12
14
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Tension applique (kV)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
a=3 cm ; = 0,6 cm
a=3 cm ; = 0,4 cm
a=6 cm ; = 0,6 cm
a=6 cm ; = 0,4 cm
Fig. III.31 : Capacit tension applique (d= 12 cm)
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
64
0
5
10
15
20
25
30
35
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Tension applique U(kV)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
a=3 cm ; = 0,6 cm
a=3 cm ; = 0,4 cm
a=6 cm ; = 0,6 cm
a=6 cm ; = 0,4 cm
Fig. III.32 : Capacit Tension applique (d= 6 cm)
III.6.4.2. Capacit en fonction de la distance inter lectrodes
0
5
10
15
20
25
30
0 5 10 15 20 25 30 35
Distance inter lectrodes (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
a=3 cm ; = 0,6 cm
a=3 cm ; = 0,4 cm
a=6 cm ; = 0,6 cm
a=6 cm ; = 0,4 cm
Fig. III.33 : Plaque de verre : Capacit distance inter lectrodes (pour 20 % de la tension de
contournement)
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
65
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 5 10 15 20 25 30 35
Distance inter lectrodes (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
a= 3 cm ; = 0,8 cm
a= 3 cm ; = 0,3 cm
a= 6 cm ; = 0,8 cm
a= 6 cm ; = 0,3 cm
Fig. III.34 : Plaque de plexiglas : Capacit distance inter lectrodes (pour 20 % de la
tension de contournement)
2
me
Mthode : caractristiques
III.6.4.3. Capacit en fonction de la tension applique
- Plaque de verre
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
0 10 20 30 40 50
Tension applique (kV)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
a=3cm ; =0.6cm
a=3cm ; =0.4cm
a=6cm ; =0.6cm
a=6cm ; =0.4cm
Fig. III.35 : Capacit - tension applique (distance inter lectrodes d=30 cm)
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
66
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
0 10 20 30 40 50
Tension applique (kV)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
a=3cm ; =0.6cm
a=3cm ; =0.4cm
a=6cm ; =0.6cm
a=6cm ; =0.4cm
Fig. III.36 : Capacit - tension applique (distance inter lectrodes d= 24 cm)
0
1
2
3
4
5
6
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Tension applique (kV)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
a=3cm ; =0.6cm
a=3cm ; =0.4cm
a=6cm ; =0.6cm
a=6cm ; =0.4cm
Fig. III.37 : Capacit - Tension applique (distance inter lectrodes d=18 cm)
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
67
0
1
2
3
4
5
6
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Tension applique (kV)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
a=3cm ; =0.6cm
a=3cm ; =0.4cm
a=6cm ; =0.6cm
a=6cm ; =0.4cm
Fig. III.38 : Capacit - tension applique (distance inter lectrodes d=12 cm)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Tension applique (kV)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
a=3cm ; =0.6cm
a=3cm ; =0.4cm
a=6cm ; =0.6cm
a=6cm ; =0.4cm
Fig. III.39 : Capacit - tension applique (distance inter lectrodes d=6 cm)
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
68
- Plaques de plexiglas
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
0 10 20 30 40 50
Tension applique (kV)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
a=3cm ; =0.8cm
a=3cm ; =0.3cm
Fig. III.40 : Capacit - tension applique (distance inter lectrodes d=30 cm)
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
0 10 20 30 40 50
Tension applique (kV)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
a=3cm ; =0.8cm
a=3cm ; =0.3cm
a=6cm ; =0.8cm
a=6cm ; =0.3cm
Fig. III.41 : Capacit - tension applique (distance inter lectrodes d=24 cm)
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
69
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Tension applique (kV)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
a=3cm ; =0.8cm
a=3cm ; =0.3cm
a=6cm ; =0.8cm
a=6cm ; =0.3cm
Fig. III.42 : Capacit - tension applique (distance inter lectrodes 18 cm)
0
1
2
3
4
5
6
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Tension applique (kV)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
a=3cm ; =0.8cm
a=3cm ; =0.3cm
a=6cm ; =0.8cm
a=6cm ; =0.3cm
Fig. III.43 : Capacit - tension applique (distance inter lectrodes d=12 cm)
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
70
0
2
4
6
8
10
12
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Tension applique (kV)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
a=3cm ; =0.8cm
a=3cm ; =0.3cm
a=6cm ; =0.8cm
a=6cm ; =0.3cm
Fig. III.44 : Capacit - tension applique (distance inter lectrodes d=6 cm)
III.6.4.4. Capacit en fonction de la distance inter lectrodes
- Plaque de verre
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 5 10 15 20 25 30 35
Distance inter lectrodes (cm)
C
a
p
a
c
i
t

d
u
s
y
s
t

m
e
(
p
F
)
a=3cm;=0.6cm
a=3cm;=0.4cm
a=6cm;=0.6cm
a=6cm;=0.4cm
Fig. III.45 : Capacit distance inter lectrodes (pour 20 % de la tension de contournement)
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
71
- Plaques de plexiglas
0
2
4
6
8
10
12
0 5 10 15 20 25 30 35
Distance inter lectrodes (cm)
C
a
p
a
c
i
t

d
u
s
y
s
t

m
e
(
p
F
)
a=3cm;=0.8cm
a=3cm;=0.3cm
a=6cm;=0.8cm
a=6cm;=0.3cm
Fig. III.46 : Capacit distance inter lectrodes (pour 20 % de la tension de contournement)
III.6.5. Influence de la tension sur la capacit
Un paramtre important doit tre pris en considration pour nos interprtations. Cest le fait
que lon ait pris un dphasage entre courant et tension de 80 pour toutes les configurations. Or,
le courant comportant trop dharmoniques, il nous a t difficile de mesurer le dphasage dune
faon prcise, surtout pour les tensions relativement leves. Ceci introduit certainement une
erreur dans le calcul des capacits. Toutefois, nous avons quand mme suppos que cette erreur
nest pas trs importante, car un dcalage de quelques degrs ne peut introduire quune petite
erreur.
La capacit prsente une allure dcroissante en fonction de la tension, ceci rsulte
naturellement de lallure non linaire de la caractristique courant-tension. Or, thoriquement [40,
43], la capacit dun systme ne dpend pas de la tension applique, mais dpend principalement
du milieu et de la gomtrie du systme. Ceci est vrai tant que les caractristiques du milieu
restent inchanges. Ceci nest apparemment pas le cas durant nos essais malgr les prcautions
que nous avons prises.
En effet, pour nos essais, nous avons appliqu des tensions infrieures 50% de la tension
de contournement. Nous avons malgr tout constat que, mme pour les tensions relativement
modres (environ 30%de la tension de contournement) nous entendions le son des aigrettes.
Afin dviter les erreurs dues ce problme, pour la lecture des valeurs, nous ne tenions pas
compte des pics de courant dtects. Malgr toutes ces prcautions, nous avons bien constat
quil ya une dcroissance de la capacit en fonction de la tension. Nous avons tent dexpliquer,
dans le paragraphe prcdent (III.6.3.3), ce phnomne par une possible saturation du courant
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
72
dans lair puisque les perturbations du milieu et les changements de caractristiques ne peuvent
tre que dans le milieu le moins rigide, savoir lair.
Nous avons donc jug important de tracer les courbes exprimant la variation de la capacit
en fonction de la tension. En effet, nous constatons que pour la majorit des courbes traces la
capacit dcrot lgrement avec la tension.
Pour comparer nos rsultats avec le calcul de champ classique laide du logiciel FEMM
(Chapitre IV), nous avons choisi de comparer les capacits thoriques avec celles mesures pour
20%de la tension de contournement, pour toutes les distances inter lectrodes.
III.6.6. Influence de la distance inter lectrodes, de lpaisseur du matriau et la largeur
des lectrodes
- Influence de la distance inter lectrodes
Les courbes traces prennent toutes la mme allure dcroissante. Cependant, cette
dcroissance nest pas linaire, car la valeur de la capacit est plus leve pour les petites
distances, puis elle commence dcrotre dune faon moins importante pour les grandes valeurs
de "d". La charge dans les lectrodes diminue en augmentant la distance inter lectrodes, pour une
mme tension, la capacit est une fonction de 1/d. Ceci est vrifi par la variation pratiquement
hyperbolique des courbes de la capacit en fonction de la distance inter lectrodes.
- Influence de lpaisseur du matriau et la largeur des lectrodes
La capacit est plus importante pour la plaque dpaisseur la plus leve (0.8 pour le
plexiglas et 0.6 pour le verre). Lpaisseur du matriau contribue donc dune manire assez
prononce dans la valeur de la capacit du systme. Ceci est plus visible pour le systme
contenant le plexiglas, car la diffrence dpaisseur entre les deux plaques utilises est plus
importante que pour le verre.
Pour mieux observer linfluence de lpaisseur du matriau, il serait donc plus intressant
dutiliser des plaques dpaisseur trs diffrentes. C'est--dire, utiliser une plaque dpaisseur
faible et une autre dune paisseur beaucoup plus leve (4 ou 5 fois plus importantes).
Par ailleurs, la capacit est aussi lgrement plus leve pour la largeur dlectrodes la plus
grande 6cm (par rapport la mme configuration, c'est--dire pour la mme paisseur et distance
inter lectrodes), cette diffrence est presque ngligeable. Linfluence des largeurs dlectrodes
existe donc, mais elle est trs peu perceptible.
Nous pouvons supposer que la charge est agglomre en grande partie sur le cot intrieur
des lectrodes (ceci sera confirm avec une visualisation du champ laide du logiciel FEMM),
une augmentation substantielle de la largeur aurait alors une influence tout fait modre sur la
charge totale accumule.
Remarques :
Les essais effectus avec la mthode de la mesure de la charge semblent donner de
meilleurs rsultats que les essais de mesure du courant de fuite.
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
73
Nous pensons que cela est d des perturbations lies un signal trop faible, les courants
de lordre de quelques dizaines de microampres, conduisent la mesure de tensions trs faibles
au niveau de loscilloscope. Le choix dune rsistance de 100 est dans ce cas insuffisant.
Par contre, pour la mesure de la charge, le choix dune capacit de 0,1F conduit, pour le
mme courant de fuite, une tension dentre beaucoup plus leve aux bornes de loscilloscope :
la lecture est donc indiscutablement meilleure, malgr lutilisation de la rsistance de protection
Rs.
III.7. Dtermination de la permittivit relative par la mesure de la charge
III.7.1. Interprtation de la mthode utilise
Pour sassurer de la validit des rsultats obtenus par lexprimentation, nous aurons
comparer ces derniers avec les rsultats de la simulation (par le logiciel FEMM).
Pour cela il est ncessaire dinjecter dans le logiciel les valeurs des permittivits des
matriaux utiliss. Nous avons alors tent dvaluer les permittivits de ces matriaux, en
tablissant une mthode reposant sur la dfinition de la permittivit relative
r
c .
Nous savons que si Co est la capacit du condensateur plac dans le vide, et C celle
mesure aprs lintroduction dun dilectrique, le rapport
0 C
C
reprsente la permittivit relative
du dilectrique
r
c .
Pour mesurer la permittivit du verre et du plexiglas utiliss au laboratoire, nous avons
procds comme suit :
Nous avons utilis deux lectrodes circulaires de diamtre 30cm, en vue duniformiser le
champ. Il sagit donc de mesurer la capacit du systme, compos de ces deux lectrodes
disposes en parallles et spares par une distance inter lectrodes a formant ainsi un
condensateur circulaire. Nous plaons alors les lectrodes en premier lieu dans lair (Fig. III.47.a)
(nous fixons les lectrodes, lune laide dune plaque mtallique attache en haut par une tige, et
on pose lautre sur des supports isolants) puis nous mesurons la charge de ce systme avec le
mme circuit utilis pour les mesures de la charge (Fig. III.8)
Ensuite, les deux lectrodes seront colles ( laide du gasoil) sur les deux faces du verre
(puis plexiglas) utilis (Fig. III.47.b). De mme nous mesurons la nouvelle charge du systme
ainsi dcrit.
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
74
Cependant, nous citerons quelques remarques quant la mthode utilise :
- Les plaques mtalliques utilises comme support des lectrodes, ne prsentent pas des
surfaces parfaitement planes, et donc le champ entre les armatures nest pas exactement uniforme.
-Les lectrodes tant spares par des distances inter lectrodes trs faibles (0 .6cm et
0.8cm) la rigidit du systme (dans lair) est faible. Les tensions appliques seront faibles, afin
dviter lapparition des phnomnes dionisations qui risquent daugmenter la charge despace et
fausser les rsultats.
-Pour la mme raison, nous avons effectu nos mesures pour la plus grande paisseur de
chaque plaque (0.6cm pour le verre et 0.8cm pour le plexiglas), en considrant que les deux
autres plaques de plus faible paisseurs (0.4cm pour le verre et 0.3 pour le plexiglas) ont les
mme proprits.
Les rsultats de cette exprience sont donns dans les tableaux suivants :
- Armatures places dans lair
Il est difficile de rgler la distance inter lectrodes 0.6 et 0 .8cm vu la complexit du
systme. Cependant la distance rgle est voisine de ces valeurs ; nous avons alors considr une
seule paisseur.
V (kV) 2.2
Vc (V) 0.67
- Le verre plac entre les armatures
V (kV) 3.7 4.7 6.2
Vc(V) 6.15 7.32 11.8
(b) Mesure de la capacit C
matriau
(a) Mesure de la capacit C
air
Fig. III.47 : Modles utiliss pour le calcul de la permittivit par la mesure de la charge
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
75
- Le plexiglas plac entre les armatures
V (kV) 3 .5 4.8 6 7
Vc (V) 2.52 2.81 2.86 3.18
III.7.2. Calcul des capacits
Le circuit de charge dcrit prcdemment est rutilis pour le mme but. Comme le
dphasage entre la tension et le courant est ngligeable, nous avons considr que le systme est
une capacit pure. Nous avons alors la capacit du systme est en srie avec la capacit du
circuit, la charge existante dans notre Q
systme
est gale celle accumule dans la capacit du
circuit de mesure Q
c
; de ce fait on a :
c systme
Q Q = (III.34)
avec :
systme systme systme
V C Q =
et (III.35)
c c c
V C Q . =
et donc :
systme
c
c systme
V
V
C C = (III.36)
Nous calculons alors les capacits des systmes ci-dessus :
- Armatures places dans lair
V (kV) 2.2
Cair(pF) 30.53
- Le verre plac entre les armatures
V (kV) 3 .7 4.7 6.2
C(pF) 166 155.7 190.3
- Le plexiglas plac entre les armatures
V (kV) 3 .5 4.8 6 7
C (pF) 72 58.6 47.6 45.4
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
76
III.7.3. Calcul de la permittivit relative
- Armatures places dans lair
V (kV) 2.2
C
air
(pF) 30.53
- Le verre plac entre les armatures
V (kV) 3 .7 4.7 6.2
Verre r.
c
5.43 5.10 6.23
Nous calculons alors la moyenne des permittivits :
Verre r.
c =5 .59
- Le plexiglas plac entre les armatures
V (kV) 3 .5 4.8 6 7
Plexilas r.
c
2.36 1.91 1.56 1.49
On calcul alors la moyenne des permittivits :
Plexiglas r.
c =1.83
Les valeurs de permittivits donnes dans la littrature varient entre 5 et 7 pour le verre et
entre 2 et 4 pour le plexiglas. Cependant, la valeur exacte de la permittivit dpend de la nature
du verre ou plexiglas considrs. Nous voyons bien que les valeurs calculs (en utilisant les
rsultats exprimentaux pour le calcul de C
verre
et C
plexiglas
) appartiennent aux intervalles donnes
quelques erreurs prs. La valeur calcule de
Plexiglas r.
c sort lgrement de la fourche de
permittivits du plexiglas, cette diffrence peut tre due aux erreurs de lexprience
(particulirement celles commises pour la mesure de la capacit les lectrodes tant places dans
lair) vu la difficult de maintenir les lectrodes parfaitement parallles. Cependant, les rsultats
obtenus des permittivits semblent donc tre assez corrects.
Le but de mesurer les permittivits des matriaux est de les utiliser pour la simulation des
capacits du systme pour les diffrentes configurations par le logiciel FEMM, et comparer les
valeurs des capacits trouves exprimentalement et celle calcules par le logiciel.
Suivant les rsultats obtenus, ainsi que les intervalles de permittivits donnes pour le verre
et plexiglas, nous avons choisi une permittivit gale 6 pour les deux plaques de verre, et 2 pour
les plaques de plexiglas.
CHAPITRE III : TECHNIQUES EXPERIMENTALES
77
III.8. Conclusion
La dcharge disruptive a lieu toujours, dans le milieu le moins rigide (lair dans notre cas).
La tension de contournement croit linairement avec la distance inter lectrodes jusqu une
certaine distance au del de laquelle la caractristique perd son caractre linaire. Les largeurs et
longueurs dlectrodes influent peu sur le comportement du systme du point de vue tension de
contournement. Le systme est lgrement plus rigide que le systme pointe - pointe dans lair,
vu les dimensions des lectrodes (paisseurs des lectrodes 0.2 m devant la distance inter
lectrodes). La dcharge disruptive seffectue dans lair cest pour cela quon na pas constat une
influence quant lutilisation de plaque de verre ou de plexiglas avec diffrentes paisseurs. Les
formes des bordures des lectrodes des cots internes peuvent influencer la tension de
contournement, voir diminuer la rigidit du systme.
Par ailleurs les essais effectus nous ont permis de conclure que le courant de fuite peut tre
compos de trois courants dpendants du milieu sparant les lectrodes :
- - un courant dans lair qui influence le courant total, ds que les caractristiques de lair
sont perturbes par un champ relativement lev et qui mne au contournement de la
plaque.
- - un courant circulant linterface dilectrique-air d essentiellement la composante
tangentielle du champ lectrique. Cependant, nous pensons quil demeure faible, les
plaques tant propres, la conductivit surfacique sera ngligeable.
- - un troisime courant, circulant dans le dilectrique et dpendant des proprits
volumiques du matriau.
La capacit, linstar du courant de fuite, varie en fonction de la distance inter lectrodes.
De plus, linfluence de lpaisseur du matriau est assez importante, ceci signifie que la capacit
du systme est une contribution du dilectrique (verre ou plexiglas) et de lair. Quand la largeur
des lectrodes, celle-ci influe sur la valeur de la capacit mais reste tout de mme peu importante.
Enfin, linfluence de la tension sur le courant de fuite et la capacit est aussi importante, en
raison des champs lectriques levs imposs aux plaques, ceci conduit probablement un
changement des caractristiques de lair.
SIMULATION
CHAPITRE IV : SIMULATION
78
IV.1. Introduction
Dans cette dernire partie, nous avons tent une approche du modle de laboratoire, laide
dune mthode numrique. Ceci nous a permis une meilleure comprhension des phnomnes lis
aux systmes comprenant une interface air - matriau dilectrique, notamment, la rpartition du
potentiel et du champ lectrique.
Nous avons ainsi simul les variations de la capacit quivalente du systme en fonction
des diffrents paramtres abords en exprimentation, tout en comparant les rsultats obtenus par
les deux approches.
Dans une dernire partie, nous nous proposons, laide dune simulation, de sparer les
diffrents milieux de notre systme (air et matriau dilectrique), c'est--dire dterminer chaque
capacit sparment. Ceci nous a permis dvaluer la contribution de chaque milieu dans la
capacit globale du systme.
IV.2. Notions fondamentales
IV.2.1. Relation entre charges et capacits
Considrons deux conducteurs isols
A et B et supposons quune charge +Q a t
enleve de lun deux pour tre dpose sur
lautre. Si les deux conducteurs taient
initialement neutres, on obtient ainsi deux
conducteurs de charges gales et de signes
opposs.
Comme on le voit sur la figure IV.1,
les lignes de champ partent du conducteur
charg positivement pour rejoindre celui de
charge ngative.
Les charges +Q et Q sont stationns la surface des conducteurs.
Une telle configuration est appele condensateur, les deux conducteurs qui la constituent
tant les armatures du condensateur.
La figure IV.1 reprsente un condensateur de forme complexe et la rpartition de la charge
Q sur la surface dpendra de la forme de larmature, de sa position par rapport la deuxime
armature, ainsi que du milieu dans lequel sont placs les conducteurs.
On appelle tension aux bornes du condensateur la diffrence de potentiel entre les
armatures et, bien que les deux armatures portent chacune une charge de valeur absolue Q (mais
de signes opposs), on appelle charge du condensateur la valeur positive Q et on appelle capacit
du condensateur la valeur :
Q
C
V
= (IV.1)
Fig. IV.1 : Lignes de champs entre deux
conducteurs chargs
CHAPITRE IV : SIMULATION
79
Q tant par dfinition la charge positive et V la diffrence de potentiel entre larmature
positive et la ngative, C est une grandeur par dfinition positive.
Remarque : La capacit C dun condensateur est, thoriquement, indpendante de la tension et de
la charge : elle constitue seulement le facteur de proportionnalit (constant) entre les deux.
Pratiquement, dans le domaine des tensions leves, la capacit peut changer du fait dun
changement des caractristiques du milieu dilectrique et ce, en raison des fortes contraintes
lectriques imposes.
La disposition la plus simple est celle du condensateur plan o deux lectrodes planes et
parallles sont spares par une faibles paisseur "d" de dilectrique. Les surfaces
quipotentielles sont alors des plans parallles aux armatures et les lignes de champ se dirigent
perpendiculairement dune armature vers lautre. Cette disposition est dautant plus rigoureuse
que lpaisseur est plus faible devant les dimensions transversales.
La section de lensemble des lignes de dplacement est donc gale la surface (S) des
armatures. Comme la rpartition du flux de dplacement y est uniforme, lapplication du
thorme de gauss nous conduit facilement la dtermination de linduction:
S
Q
D = (IV.2)
A lintrieur du dilectrique, le potentiel varie linairement quand on va dune lectrode
lautre, le champ lectrique y est donc :
V
E
d
= (IV.3)
Ces relations donnent :
S
Q V
d
c
= (IV.4)
La capacit est ainsi :
d
S
C
c
= (IV.5)
Ce rsultat reste valable pour des armatures non planes, dont la distance par rapport au
rayon de courbure est assez petite pour que le champ lectrique entre elles soit sensiblement
uniforme. Ce cas se prsente par exemple pour les condensateurs au papier, trs largement
utiliss, dont les armatures sont enroules en forme de bobine.
Puisque lunit de la constante dilectrique est le Farad /mtre (F/m) lunit de la capacit
est le Farad conformment lquation (IV.5). Lunit de la capacit (1F) est la capacit dun
condensateur qui emmagasine une charge de 1C quand il est soumis une tension de 1V.
IV.2.2. Relation entre rsistance et capacit pour un mme rseau de lignes de champ
La diffrence de potentiel est obtenue par la circulation du champ :
CHAPITRE IV : SIMULATION
80
(S
1
) (S
2
)
V
1
V
2
M
l d

A
1
A
2
}
=
2
1
2 1
A
A
l d E V V

(IV.6)
Pour linterprtation de la figure en rsistance,
on a :
s d n j i
S

}}
=
) 1 (
1
(IV.7)
Puisque cette intensit est conservatrice, est
indpendante de la section, ce qui justifie le
choix arbitraire de (S
1
). Si la figure prsente un
condensateur alors sa charge est :
1
1
1
dS Q
S
}}
= o (IV.8)
A partir des deux galits suivantes :
1 1
E j

o = Loi dOhm locale (IV. 9)
1 1 1
.n E

c o = Thorme de Coulomb (IV.10)


Nous obtenons :
1 1
1
S d n E i
S

}}
= o et
1 1
) 1 (
dS n E Q
S

}}
= c (IV.11)
et donc :
c o
Q i
= Comme
) (
2 1
2 1
V V C Q
R
V V
i
=

=
(IV.12)
Nous obtenons :
c = RC (IV.13)
avec :
o

1
= tant la rsistivit.
Ce rsultat peut tre tendu toutes les structures condensateur ou rsistance-
prsentant le mme rseau de lignes de champ lectrique.
On peut aussi expliciter sans difficult la rsistance de fuite entre deux fils conducteurs
parallles, ou entre un fil et le sol.
Fig. IV.2 : Les surfaces quipotentielles (S
1
) et (S
2
) sont les
armatures du condensateur ou les sections extrmes de la
rsistance.
CHAPITRE IV : SIMULATION
81
a
h
C
2
ln
c t
=
a
h
R
2
ln
2t

=
a
h
C
2
ln
. . 2 c t
=
a
h
R
2
ln
2t

=
Fig. IV.3 : Relation entre capacit et rsistance pour des modles simples
IV.2.3. Permittivit quivalente
Nous nous proposons dtablir la notion de permittivit relative quivalente pour des
systmes champ non uniforme pouvant comporter une interface compose de deux milieux
dilectriques diffrents (cas de notre modle de laboratoire).
Nous supposerons le systme tudi identique selon la longueur D, de manire tablir un
systme quivalent en deux dimensions : en dautres termes, si on effectue une coupe
transversale, le systme est identique.
Il sagit alors de trouver le systme correspondant en champ uniforme, soit de trouver un
systme quivalent comportant deux plaques parallles spares par un dilectrique de
permittivit relative quivalente, formant ainsi un condensateur plan (Fig. IV.4).
En gardant la mme distance inter lectrodes d et la longueur D pour les deux
systmes ( champ non uniforme et son quivalent en champ uniforme),
Cette quivalence se fera en galant les capacits des deux systmes, ce qui conduit une
largeur e variable et, dans le cas de plusieurs dilectriques une permittivit quivalente. Nous
procderons alors comme suit :
La formule thorique correspondante au condensateur plan tant
d
D e
C
quivalent r
plan
) (
0
c
c = ; celle du systme champ non uniforme
systme
C sera trouve
laide du logiciel ou de sa formule thorique (si celle-ci est connue), par consquent on dduira
le produit (relation IV.14) de la permittivit quivalente ) (
. e quivalent r
c par la largeur
quivalente ) (e .
Cette dernire reprsentant la distance sur laquelle stablira le champ uniforme du systme
quivalent qui la mme capacit du systme initial.
2h
a
a
h
CHAPITRE IV : SIMULATION
82
e
d
D
quivalent r.
c
quivalent systme
C C = dou
D
d C
e
systme
quivalent r
0
.
) (
c
c = (IV.14)
Nous tablirons donc les variations de la distance quivalente ) (e en fonction de la distance
inter lectrodes.
Fig. IV.4 : Modle quivalent en champ uniforme
IV.2.3.1. Exemple dapplication pour une ligne bifilaire
Appliquons la notion de permittivit quivalente un modle simple compos de deux fils
conducteurs (ligne bifilaire), comprenant un seul milieu dilectrique (lair).
Il sagit dun systme qui conduit une rpartition du champ lectrique qui est loin dtre
uniforme (Fig. IV.5).
Fig. IV.5 : Condensateur deux fils parallles
CHAPITRE IV : SIMULATION
83
Lexpression thorique de la capacit de ce systme est donne par la formule :
R
d
D
C
systme
ln
ct
= (IV.15)
o : C : capacit, en farads (F)
D : diamtre du conducteur (m)
d : distance sparant les conducteurs (m)
A partir de lexpression (IV.14), nous tablirons les variations de capacit du condensateur
plan quivalent (Fig. IV.6), ce qui nous conduit tablir
quivalent r
e) (c en fonction de la
distance inter (dans ce cas prcis
r.quivalente r
1 c = c = car il n y a quun seul milieu qui est lair) :
r
.d
e e
d
ln
R
t
c = = (IV. 16)
Les rsultats sont reports sur le tableau ci-dessous pour un rayon R= 0,5cm et une
longueur de la ligne D=50cm.
d (cm) 5 10 15 20 25 30 45
systme
C (pF)
6.040 4.643 4.089 3.770 3.555 3.397 3.091
quivalent r
e) (c (cm)
6.82 10.49 13.85 17.03 20.08 23.02 31.42
La figure IV.7 reprsente la variation e (d) de la ligne bifilaire. Nous voyons bien que les
variations de e en fonction de la distance inter lectrodes prsentent une allure croissante.
Cela signifie que les lignes de champ se rpandent de manire beaucoup plus large quand la
distance inter lectrodes augmente. Le condensateur plan quivalent possde donc une largeur qui
augmente avec d : il en rsulte une capacit qui diminue trs modrment avec la distance d.
A titre dexemple, pour une distance de 5 puis de 45 (rapport de 9), la capacit nest rduite
que de moiti.
Fig. IV.6 : Capacit quivalente dune ligne bifilaire
CHAPITRE IV : SIMULATION
84
0
5
10
15
20
25
30
35
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
distance inter lectrodes (cm)
p
e
m
i
t
t
i
v
i
t

q
u
i
v
a
l
e
n
t
e
x
e
(
c
m
)
IV.3. Mthodes d'valuation du champ lectrique
[52]
Lorsque les mthodes analytiques deviennent impossibles appliquer pour certains
problmes de calculs de champ, il est ncessaire davoirs recours aux mthodes numriques.
Celles-ci prsentent lavantage de rsoudre dinnombrables problmes, impossibles rsoudre
autrement.
Citons pour mmoire les autres mthodes existantes :
IV.3.1. Mthodes exprimentales
Au moyen d'un voltmtre lectrostatique (sondes de champ), promen aux alentours de
l'objet sous tension. L'objet doit videmment tre dj fabriqu. Cette mthode est cependant
utilise pour des vrifications dans le contexte rel. Il faut prendre garde ce que la mesure ne
dforme pas le champ.
IV.3.2. Mthodes analogiques
Les plus connues sont :
- Les mthodes graphiques, par lesquelles on trace un ensemble de lignes orthogonales.
- La cuve lectrolytique; des lectrodes ayant la forme de l'objet sont immerges dans un liquide
semi-conducteur. L'objet est mis sous tension (s50V), la cuve la terre et les champs sont relevs
au moyen de sondes.
- Les rseaux d'impdances dans lesquels le "fluide de la cuve rtro statique" est remplac par un
rseau de rsistances; ces tensions sont mesurables aux noeuds.
Fig. IV.7 : Variation de e quivalent en fonction de la distance inter lectrodes
CHAPITRE IV : SIMULATION
85
IV.3.3. Mthodes analytiques et numriques
-Transformations conformes; mthodes utilisant des passages d'un plan complexe, dans
lequel les champs sont simples, un autre plan complexe reprsentant les champs rels. Les
formules de passage sont difficiles trouver.
- Principe des charges fictives, bas sur la
simulation de la distribution superficielle de charges
lectriques la surface des lectrodes. La rsolution
implique le calcul de coefficients de potentiel, donc
ici galement calculs matriciels.
- Diffrence finie; mthode numrique base
sur la drive du potentiel. Le systme d'quation
rsultant est trait sous forme matricielle. Cette
mthode n'est pas pratique ou peu prcise lorsque les
champs ne sont pas homognes.
- Elments finis. Parente proche de la diffrence
finie, cette mthode consiste "minimiser l'nergie"
dans la rgion d'intrt. Celle-ci est dcoupe en petits
lments (triangles, rectangles, ...) dans chacun
duquel on admet une variation linaire ou quadratique
du champ, ce qui permet une rsolution matricielle
simple.
Pour une bonne prcision, il est cependant
ncessaire de diviser une rgion comportant de
grandes variations de champ en de plus nombreux lments (Fig. IV.8).
Cette mthode est trs utilise, car les mmes algorithmes sont valables pour toutes sortes
de champs (magntiques, thermiques, ...).
IV.4. Simulation du modle de laboratoire
Lapproche par simulation de notre modle a t faite laide dun logiciel deux
dimensions FEMM 4.0 utilisant la mthode des lments finis.
La configuration simple de notre modle de laboratoire nous a permis une reprsentation
relativement aise (Fig. IV.9).
En procdant une coupe transversale, on limine une variable, c'est--dire quon suppose
la distance D suffisamment grande devant les autres variables.
On injectera dans le logiciel les mmes paramtres gomtriques considrs lors des
exprimentations, ainsi que les valeurs des permittivits du verre et du plexiglas mesures
exprimentalement.
Fig. IV.8 : (a) Dcoupage en lments
triangulaires (b) rsultat
CHAPITRE IV : SIMULATION
86
(a) Modle de laboratoire (b) Modle simul
Lutilisation du logiciel nous a permis de voir la distribution du champ lectrique, du
vecteur dplacement ainsi que la rpartition du potentiel.
De plus, nous lavons exploit pour dterminer la capacit du systme afin de pouvoir la
comparer avec les rsultats obtenus exprimentalement.
Le modle schmatis ainsi en deux dimensions prendra sa troisime dimension (La
distance D dans notre cas), comme tant la profondeur du systme et qui reprsentera aussi la
longueur des lectrodes. Lanalyse de la rpartition du champ lectrique ou du potentiel sera
perue sur une section plane du modle, ce qui sous-entend que la rpartition est la mme sur
toute la profondeur dun mme point du systme, ce qui a pour consquence de ngliger les effets
aux bords.
IV.4.1. Application du logiciel des systmes connus
Afin daffirmer la bonne approche du modle de laboratoire par la simulation nous avons
appliqu les mmes paramtres (conditions aux limites, dimensions des lments de dcoupage
des diffrentes rgions,) sur deux modles connus.
Le premier choix sest port sur un condensateur plan compos de deux lectrodes planes
en parallles, le deuxime sur la ligne bifilaire.
Les expressions thoriques des capacits des deux systmes tant connues, les rsultats
obtenus par simulations sont compars avec les calculs thoriques.
Remarque :
La capacit est calcule partir du rapport entre la charge sur lune des lectrodes (donne
par le logiciel) et la diffrence de potentiel tablie entre les deux lectrodes du systme.
Fig. IV.9 : Reprsentation du Modle de laboratoire sur le logiciel
CHAPITRE IV : SIMULATION
87
a- Condensateur plan
Le condensateur le plus simple est compos de deux plaques mtalliques spares par un
isolants ou un dilectrique (Fig. IV.10 a). On utilise donc la formule thorique dj tablie
(IV.5) :
d
S
C
thorique
0
c
=
En prenant les dimensions suivantes : D = 100 cm, e = 20 cm, d = 0.05 cm.
La capacit obtenue sera :
542 , 3 =
thorique
C nF
Afin de simuler la mme capacit calcule thoriquement, nous traons deux lignes
parallles de longueur e = 20 cm distantes de d = 0.05 cm, nous choisissons une profondeur du
modle (Depth) D=100 cm, lune des plaques porte sous une tension de 1 V, lautre sous 0 V. Le
milieu choisi qui est lair, dont nous avons fixer la permittivit relative
r
c 1, (Fig. IV.10 b). Les
dimensions des lments triangulaire de dcoupage sont ceux pris par le logiciel par dfaut, pour
les conditions aux limites (trait en bleu) nous avons pris une densit de charge nulle sur tout le
pourtour.
La capacit du systme ainsi dfini, obtenue laide du logiciel est :
579 , 3 =
simule
C nF
Air
d
e
d
e
D
a) b)
Fig. IV.10 : Simulation dun condensateur plan
CHAPITRE IV : SIMULATION
88
- Remarque
-Les deux capacits obtenues sont presque identiques, cependant la diffrence de 1% peut
tre explique par les effets de bords pris en compte par le logiciel, et non considrs par
lexpression thorique qui suppose des plaques infiniment grande, ainsi quune rpartition
uniforme du champ lectrique entre les deux plaques. Cest pourquoi C
thorique
et C
simule
seront
dautant plus proches que la distance inter lectrodes dsera trs petite devant les dimensions
des plaques (d<<e et d<<D).
b- Capacit de deux fils parallles
Deux fils conducteurs parallles (Fig. IV.11a) forment un condensateur dont la capacit est
donne par la formule :
R
d
D
C
ln
ct
= (IV.17)
En prenant les dimensions suivantes : R = 0.5 cm, d = 15 cm, D = 50 cm.
089 . 4 =
thorique
C pF
(a) (b)
Pour simuler le systme comportant deux fils conducteurs parallles, nous traons deux
cercles identiques dun diamtre 2R = 1 cm, espacs dune distance inter lectrodes d = 15cm.
Nous choisissons une profondeur du modle (Depth) D=50 cm qui reprsentera la longueur des
conducteurs. Le milieu choisi est lair (
r
c =1), un conducteur mis sous une tension de 1 V, lautre
sous 0 V, les mmes conditions dcrites dans le modles plan-plan sont considres (Fig. IV.11
b).
La capacit du systme ainsi dfinit, obtenue laide du logiciel est :
080 . 4 =
simule
C pF
Figure IV.11 : Simulation de la capacit de deux fils parallles
CHAPITRE IV : SIMULATION
89
Nous remarquons, dans ce cas de figure, que la capacit obtenue par le logiciel est
remarquablement proche de celle calcule thoriquement. Une meilleure prcision pourrait tre
obtenue en augmentant le nombre dlments de dcoupage, mais le maillage pris par le logiciel
par dfaut donne dj des rsultats trs acceptables.
Les rsultats obtenus pour les deux modles prcdents, confirme la bonne reprsentation
dun modle rel trois dimensions (3D) laide du logiciel deux dimensions (2D). De plus
nous nous sommes assur que nous avons utilis correctement les paramtres du logiciel : nous
pouvons par consquent lutiliser pour le systme complexe tudi en laboratoire.
IV.4.2. Influence des diffrents paramtres sur la capacit du modle de laboratoire
Aprs avoir confirm les rsultats obtenus par simulation, sur des modles connus, nous
nous proposons dappliquer la mme mthode sur notre modle de laboratoire.
Ainsi, nous observerons linfluence des diffrents paramtres (distance inter lectrodes
d, paisseur des plaques et largeur des lectrodes a) sur la capacit, pour les deux
types de matriaux abords au laboratoire, savoir le verre et le plexiglas.
Les rsultats sont prsents sur les figures suivantes :
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0 5 10 15 20 25 30 35
Distance inter lectrodes (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
verre
plxiglas
Fig. IV.12 : Capacit en fonction de la distance inter lectrodes (= 0.5 cm ; a= 3 cm)
CHAPITRE IV : SIMULATION
90
0
1
2
3
4
5
6
2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 5,5 6 6,5
Largeur des lectrodes (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
verre
plexiglas
Fig. IV.13 : Capacit en fonction de la largeur des lectrodes (d= 30 cm ; = 0.5 cm)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5
Epaisseur de la plaque (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
verre
plxiglas
Fig. IV.14 : Capacit en fonction de lpaisseur de la plaque (d= 30 cm ; a= 3 cm)
CHAPITRE IV : SIMULATION
91
Fig. IV.15 : Condensateur plan quivalent
e
d
D
quivalent r .
c
IV.4.2.1. Influence de la distance inter lectrodes
En prenant un modle avec une paisseur =0.5 cm, des lectrodes de largeurs a=3cm
chacune, et en faisant varier la distance entre les deux lectrodes de 10 30 cm pour les deux cas
(verre et plexiglas) ; Nous obtenons les graphes de la Figure IV.12, nous remarquons que la
capacit du systme diminue quand la distance entre lectrodes augmente et donc C est
inversement proportionnelle la distance d.
Lanalogie avec un systme champ lectrique uniforme (Fig.IV.15), dont lexpression
est :
d
D e
C
quivalent r 0
) ( c c
= (IV.18)
Ce qui nous permet de trouver les variations du produit ( xe
e quivalent r.
c ) en fonction de la
distance inter lectrodes (tableau ci-dessous), telle que
e quivalent r.
c reprsente la
permittivit quivalente du milieu compos dair et de verre (de valeur constante mais inconnue),
et e prsente une distance quivalente pour une distribution du champ uniforme donnant la
mme valeur de la capacit.
d (cm) 10 15 20 25 30
quivalent r
e) (c verre (cm)
0.162 0.208 0.247 0.285 0.324
quivalent r
e) (c plexiglas (cm)
0.131 0.173 0.209 0.244 0.281
CHAPITRE IV : SIMULATION
92
0
0,05
0,1
0,15
0,2
0,25
0,3
0,35
0 5 10 15 20 25 30 35
distance inter lectrodes (cm)
p
e
m
i
t
t
i
v
i
t

q
u
i
v
a
l
e
n
t
e
x
e
(
c
m
)
r,quivalent x e ( verre)
r,quivalent x e (plexiglas)
Fig. IV.16 :
quivalent r
e) (c en fonction de la distance inter lectrodes
Nous remarquons que la distance e du condensateur plan quivalent augmente quand
nous augmentons la distance inter lectrodes d et ceci pour les deux cas de figure, du verre et
du plexiglas, cependant
quivalent r.
c correspondant au modle comprenant la plaque de verre et
plus important que celui du modle avec plexiglas.
Remarque : la dtermination de la permittivit quivalente nous renseigne sur le rapport
entre la distance entre les lectrodes d et ltendue des lignes de champ, exprimes par la largeur
e.
IV.4.2.2. Influence de la largeur des lectrodes
Nous fixons une distance inter lectrodes d=30 cm, avec la mme paisseur de plaque pour
les deux matriaux =0.5 cm, des variations de la largeur des lectrodes de a = 3 cm a= 6 cm
(Fig.IV.13) montrent que la capacit augmente avec la largeur des lectrodes, cependant cette
variation ne semble pas trs importantes, car en doublant a de 3cm 6cm la capacit ne varie
que de 10% pour les deux cas de matriaux. Il est remarqu aussi que la capacit du modle
comportant une plaque de verre demeure toujours plus grande devant celle comportant une plaque
de plexiglas, ceci et du essentiellement la diffrence des permittivits des deux matriaux
( 2 , 6 = = plxiglas verre
r r
c c ).
IV.4.2.3. Influence de lpaisseur de la plaque
Nous fixons la distance inter lectrodes d=30 cm, pour des lectrodes de largeur a=3cm
(Fig. IV.16). Les variations de la capacit dans les deux cas sont proportionnelles lpaisseur du
matriau. Cependant, cette variation est plus importante pour le modle comportant le verre.
CHAPITRE IV : SIMULATION
93
En supposant que le systme prsente un ensemble de deux capacits (celle de lair et celle
du matriau dilectrique), une augmentation de lpaisseur du dilectrique ne peut quaugmenter
la capacit totale du systme.
Ceci permet dexpliquer aussi le fait que la capacit du modle comportant la plaque de
verre augmente dune manire plus importante que celle du modle comportant le plexiglas, en
raison de sa plus forte permittivit.
Pour mieux cerner ce point, nous avons trac la variation de la capacit du systme (avec
toutes les configurations donnes) en fonction de lpaisseur de la plaque. Et pour une plage de
variation de lpaisseur assez grande (Fig. IV.17).
0
5
10
15
20
25
0 5 10 15 20 25 30 35
Epaisseur du verre (cm)
C
a
p
a
c
i
t

d
u
s
y
s
t

m
e
(
p
F
)
d= 6 cm
d= 12 cm
d= 18 cm
d= 24 cm
d= 30 cm
Nous remarquons alors, que pour les "petites" paisseurs (<10 cm), la capacit varie dune
manire trs importante, lvolution de la capacit devient moins prononce jusqu ce quelle se
stabilise partir dune certaine paisseur (environ 12 cm). Cette variation est similaire pour toutes
les distances inter lectrodes et prsente approximativement le mme point partir du quel la
capacit se stabilise.
Cette stabilisation sexplique aisment quand on imagine les lignes de champs partant
dune lectrode une autre et qui finissent par avoir le mme trajet, dans le mme matriau (le
dilectrique) lorsquon augmente indfiniment lpaisseur du verre : ce nest pas le cas des faibles
paisseurs o le trajet des lignes de champs, mme si elles ont un trajet peu prs similaire (la
rfraction nest pas trs prononce), ne rencontrent pas le mme milieu selon lpaisseur du
matriau.
Fig. IV.17 : Influence de lpaisseur des plaques sur la capacit du systme pour les
diffrentes distances inter lectrodes
CHAPITRE IV : SIMULATION
94
IV.5. Rpartition du champ lectrique et du potentiel
Afin de visualiser les diffrentes grandeurs (champ, potentiel, charge) pour notre modle,
nous avons pris un modle comportant une plaque en verre ayant les mmes dimensions que celle
utilises en exprimentation, avec une paisseur exagre (= 5cm) pour une meilleure
visualisation.
Les lectrodes sont de largeur a=6cm, et de longueur D=50 cm, D qui prsente la
profondeur du systme ; lune mise sous un potentiel de 10 kV, lautre 0 V.
Nous choisissons de faibles dimensions des lments de maillage, dans les deux milieux,
afin dobtenir une plus grande prcision.
Nous visualisons la rpartition du potentiel (Fig.IV.18), du champ lectrique (Fig.IV.20) et
de linduction lectrique (Fig.IV.22) ; nous pourrons aussi tracer les variations de ces grandeurs
sur le long dun segment se trouvant la surface de sparation entre lair et la verre (Fig.IV.19 ;
21 ; 23).
Fig. IV.18 : Rpartition du potentiel
CHAPITRE IV : SIMULATION
95
Fig. IV.19 : Rpartition du potentiel le long de la surface de sparation
Fig. IV.20 : Rpartition du champ lectrique
CHAPITRE IV : SIMULATION
96
Fig. IV.19 : Variation du champ lectrique le long de la surface de sparation
Fig. IV.20 : Rpartition de linduction lectrique
CHAPITRE IV : SIMULATION
97
Fig. IV.21 : Variation de la composante normale de linduction lectrique la surface de
sparation.
Nous remarquons que les surfaces quipotentielles sont des surfaces cylindriques prsentant
des profils elliptiques (Fig.IV.18), le systme prsentant un plan de symtrie (milieu de la
distance inter lectrodes) celui-ci prsente une surface quipotentielle.
Les lignes du champ lectrique tant perpendiculaires aux surfaces quipotentielles, partent
de llectrode sous tension et arrivent au niveau de llectrode terre. Les vecteurs reprsents sur
la figure IV.20 sont tangentiels aux lignes de champ lectrique, nous remarquons que le champ
lectrique est plus important du cot intrieur des lectrodes.
Les rpartitions de linduction lectrique D

, montrent quelle est concentre dune manire


plus importante dans le verre (ou plexiglas), celle-ci dpend du milieu, elle est plus importante
dans le dilectrique de permittivit plus grande; les variations de sa composante normale la
surface de la plaque, montrent la rpartition des charges au niveau des lectrodes, la charge
globale du systme tant nulle, il apparatra donc des charges gales et de signes opposes sur les
lectrodes. Cependant laccumulation des charges est constat le long des cots internes des
lectrodes, ce qui explique lintensit du champ lectrique lev ce niveau.
Il est important de noter que les rpartitions reprsentes, sont considres pour un niveau
de tension constant, contrairement la tension alternative applique notre modle ; nous
pouvant donc considrs les rpartitions tablis prcdemment, comme image fige au moment
ou la tension sinusodale atteint la valeur de tension considr.
CHAPITRE IV : SIMULATION
98
IV.6. Capacit en fonction de la distance inter lectrodes (Comparaison avec
les rsultats exprimentaux)
Nous avons calcul la capacit du systme par deux mthodes exprimentales (mesure du
courant de fuite et mesure de la charge), et par simulation. Les variations de la capacit en
fonction de la distance inter lectrodes sont retraces sur les mmes graphiques, afin de pouvoir
comparer ces rsultats et sassurer de la conformit des rsultats exprimentaux
- IV.6.1. Plaque de verre
0
5
10
15
20
25
30
0 5 10 15 20 25 30 35
Distance inter lectrodes (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
Capacit simule
Capacit exprimentale (par mesure de la charge)
Capacit exprimentale (par mesure du courant)
Fig. IV.22 : Capacits en fonction de la distance inter lectrodes obtenues en utilisant les trois
mthodes (=0.4cm ;a= 3cm)
CHAPITRE IV : SIMULATION
99
0
5
10
15
20
25
0 5 10 15 20 25 30 35
Distance inter lectrodes (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
Capacit simule
Capacit exprimentale (par mesure de la charge)
Capacit exprimentale (par mesure du courant)
Fig. IV.23 : Capacits en fonction de la distance inter lectrodes obtenues en utilisant les trois
mthodes (=0.4cm ; a=6cm)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0 5 10 15 20 25 30 35
Distance inter lectrodes (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
Capacit simule
Capacit exprimentale (par mesure de la charge)
Capacit exprimentale (par mesure du courant)
Fig. IV.24 : Capacits en fonction de la distance inter lectrodes obtenues en utilisant les trois
mthodes (=0.6cm ; a=3cm)
CHAPITRE IV : SIMULATION
100
0
5
10
15
20
25
30
0 5 10 15 20 25 30 35
Distance inter lectrodes (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
Capacit simule
Capacit exprimentale (par mesure de la charge)
Capacit exprimentale (par mesure du courant)
Fig. IV.25 : Capacits en fonction de la distance inter lectrodes obtenues en utilisant les trois
mthodes (=0.6cm ;a=6cm)
- IV.6.2.Plaques de plexiglas
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 5 10 15 20 25 30 35
Distance inter lectrodes (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
Capacit simule
Capacit exprimentale (par mesure de la charge)
Capacit exprimentale (par mesure du courant)
Fig. IV.26 : Capacits en fonction de la distance inter lectrodes obtenues en utilisant les trois
mthodes (=0.3cm ; a=3cm)
CHAPITRE IV : SIMULATION
101
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 5 10 15 20 25 30 35
Distance inter lectrodes (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
Capacit simule
Capacit exprimentale (par mesure de la charge)
Capacit exprimentale (par mesure du courant)
Fig. IV.27 : Capacits en fonction de la distance inter lectrodes obtenues en utilisant les trois
mthodes (=0.3cm ;a=6cm)
0
2
4
6
8
10
12
0 5 10 15 20 25 30 35
Distance inter lectrodes (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
Capacit simule
Capacit exprimentale (par mesure de la charge)
Capacit exprimentale (par mesure du courant)
Fig. IV.28 : Capacits en fonction de la distance inter lectrodes obtenues en utilisant les
trois mthodes (=0.8cm ;a=3cm)
CHAPITRE IV : SIMULATION
102
0
2
4
6
8
10
12
0 5 10 15 20 25 30 35
Distance inter lectrodes (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
Capacit simule
Capacit exprimentale (par mesure de la charge)
Capacit exprimentale (par mesure du courant)
Fig. IV.29 : Capacits en fonction de la distance inter lectrodes obtenues en utilisant les trois
mthodes (=0.8cm ;a=6cm)
IV.6.3. Interprtations
Nous remarquons, en premier lieu que les trois courbes ont la mme allure, pour la majorit
des graphes. Les courbes exprimentales sont du mme ordre de grandeur que les caractristiques
obtenues par simulation. Ceci nous permet de confirmer que lapproche par le logiciel FEMM
donne des rsultats trs cohrents.
Les rsultats tablis par simulation se situent entre les deux tracs exprimentaux (
lexception de quelques points).
Notons galement que les rsultats obtenus par simulation sont thoriques : ils ne tiennent
donc pas compte des diffrents paramtres pouvant intervenir dans lexprimentation, savoir :
- Les phnomnes de dcharge pouvant influencer les rsultats exprimentaux.
- Ltat de surface des plaques utilises, prsentant des rugosits.
- Les lectrodes peuvent contenir des dfauts de coupure.
- Les lectrodes utilises en exprimentation possdent une paisseur (mme trs faible)
alors que le logiciel considre une paisseur nulle.
- Les conditions atmosphriques, savoir la pression et lhumidit, ne sont pas prises en
compte par le logiciel.
Tous ces phnomnes peuvent tre la cause des diffrences observes entre la simulation et
lexprimentation. Reste que la diffrence est assez faible, ce qui nous permet de valider nos
rsultats.
CHAPITRE IV : SIMULATION
103
IV.7. Contribution de lair et du matriau dans la capacit du systme
Comme nous lavons dj cit prcdemment la capacit du systme est une contribution de
lair et du matriau isolant utilis (verre ou plexiglas).
Cette partie pour but de mieux observer limportance des capacits mises en jeu par
chaque milieu, travers un modle de simulation.
Lide est de concevoir notre systme comme la superposition de deux systmes :
Un systme dpourvu de verre (ou plexiglas), et un systme dpourvu dair (Fig.IV.30).
Pour cela nous considrons une premire fois une configuration du systme compos
exclusivement de la plaque de verre (ou plexiglas), reprsentant ainsi un systme ferm, le
logiciel calcule alors sans aucune difficult la capacit du systme ainsi dcrit.
Ensuite, nous considrons le deuxime systme, ce dernier nous donne la capacit sans la
contribution du verre. Nous donnons lespace occup normalement par le verre (ou plexiglas),
une permittivit relative nulle : les lignes de champ ne traversent donc pas cet espace, et la
capacit calcule nest due qu lair. Si priori nous supposons que ces capacits sont en
parallle, nous devons avoir la capacit du systme final gal la somme des deux capacits.
Cependant, comme les lignes de champ ne traversent pas cet espace, elles natteignent pas le cot
infrieur du systme. Nous considrerons donc la capacit due lair comme tant le double de
celle calcule (pour un seul ct). Par la suite nous calculons la capacit du systme comme suit :
calcule
Cair
calcule
Cverre
systme
C 2 + =
(IV.19)
Il faut donc signaler quune erreur interviendra par cette approche, qui est que la capacit
due lair nest pas tout fait gale au double de la capacit calcule pour le cot suprieur, car
le systme nest pas tout fait symtrique.
Fig. IV.30 : Capacit du systme prsentant une superposition de deux configurations
AIR
Verre (ou plexiglas)
(b) Systme permettant la dtermination
de la capacit de lair
(a) Systme permettant la
dtermination de la capacit du verre.
CHAPITRE IV : SIMULATION
104
Mais comme les paisseurs des matriaux utilises sont faibles, et que le but de cette
approche est de trouver un systme de capacit quivalent la configuration donne, lerreur
nest pas trs importante. Cette mthode ne peut tre donc quapproximative. Nanmoins, elle
nous permet de voir la contribution de chaque dilectrique dans la capacit du systme.
Pour confirmer la fiabilit de notre approche, nous avons trac la capacit des systmes
exploits dans la partie exprimentale. Puis, sur les mmes graphes, nous avons trac les
capacits calcules de la manire dcrite prcdemment. Les allures traces sont donnes par les
figures ci-dessous :
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 5 10 15 20 25 30 35
Distance inter lectrodes (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
Capacit du systme
Capacit de l'air+capacit du verre
Fig. IV.31 : Capacit du systme et la capacit superpose en fonction de la distance
inter lectrodes (plaque de verre dpaisseur de 0.6 cm)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0 5 10 15 20 25 30
Distance inter lectrodes (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
Capacit du systme
Capacit de l'air+capacit du verre
Fig. IV.32 : Capacit du systme et la capacit superpose en fonction de la distance
inter lectrodes (plaque de verre dpaisseur de 0.4 cm)
CHAPITRE IV : SIMULATION
105
0
1
2
3
4
5
6
7
0 5 10 15 20 25 30
Distance inter lectrodes (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
Capacit du systme
Capacit de l'air+capacit du plexiglas
Fig. IV.33 : Capacit du systme et la capacit superpose en fonction de la distance
inter lectrodes (plaque de plexiglas dpaisseur de 0.8 cm).
0
1
2
3
4
5
6
0 5 10 15 20 25 30 35
Distance inter lectrodes (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
Capacit du systme
Capacit de l'air+capacit du plexiglas
Fig. IV.34 : Capacit du systme et la capacit superpose en fonction de la distance
inter lectrodes (plaque de plexiglas dpaisseur de 0.3 cm).
Nous remarquons alors que la capacit du systme reste lgrement infrieure la somme
des capacits superposes, cette diffrence tait prvisible car, nous avons dj mentionn que le
calcul des capacits par la mthode dcrite est fait par un excs de la capacit "de lair".
CHAPITRE IV : SIMULATION
106
Nous pouvons donc dire que notre systme est quivalent un systme de deux capacits
parallle lune reprsente la contribution de lair (en considrant pour lair une seul capacit gale
au double de la capacit calcule) et lautre la contribution du verre (ou plexiglas).
Nous avons donc tabli que la capacit du systme est quivalente deux capacits
disposes en parallle. Nous pouvons donc voir lvolution de la capacit du systme, du verre, et
de lair en fonction de la distance inter lectrodes. Comme la mthode dcrite est approximative,
et que le logiciel ne calcul pas la capacit en injectant une permittivit nulle pour les grandes
paisseurs, nous avons alors dcid de contourner le problme. Nous calculons la capacit du
systme initial, et celle due au verre, puis nous retranchons la capacit du verre de celle du
systme pour avoir la capacit due lair :
verre
C
systme
C
air
C = (IV.20)
Nous traons alors sur un mme graphe les allures des capacits ainsi calcules en fonction
de la distance inter lectrodes. Nous aurons la variation des capacits C
air
, C
verre
et C
systme
en
fonction de la distance inter lectrodes. Les graphes tracs sont donns sur les figures suivantes :
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
0 5 10 15 20 25 30 35
Epaisseur du dilectrique (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
Capacit globale
Capacit du verre
capacit de l'air
Fig. IV.35 : Capacits - paisseur de la plaque (d=6 cm)
CHAPITRE IV : SIMULATION
107
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0 5 10 15 20 25 30 35
Epaisseur du dilectrique (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
Capacit globale
Capacit du verre
Capacit de l'air
Fig. IV.36 : Capacits - paisseur de la plaque (d=12 cm)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 5 10 15 20 25 30 35
Epaisseur du dilectrique (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
Capacit globale
Capacit du verre
Capacit de l'air
Fig. IV.37 : Capacits - paisseur de la plaque (d= 18 cm)
CHAPITRE IV : SIMULATION
108
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0 5 10 15 20 25 30 35
Epaisseur du dilectrique (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
Capacit globale
Capacit du verre
Capacit de l'air
Fig. IV.38 : Capacits - paisseur de la plaque (d=24 cm)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 5 10 15 20 25 30 35
Epaisseur du dilectrique (cm)
C
a
p
a
c
i
t

(
p
F
)
Capacit globale
Capacit du verre
Capacit de l'air
Fig. IV.39 : Capacits - paisseur de la plaque (d= 30 cm)
CHAPITRE IV : SIMULATION
109
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 5 10 15 20 25 30 35
paisseur de la plaque (cm)
C
a
p
a
c
i
t

C
(
p
F
)
Capacit globale
Capacit du plexiglas
Capacit de l 'air
Fig. IV.40 : Capacits - paisseur de la plaque (plexiglas d= 6 cm).
Les allures des capacits C
systme
et C
verre
en fonction de lpaisseur du verre sont
croissantes. Aussi, elles ont approximativement la mme forme.
Quant aux allures des capacits C
air
en fonction de lpaisseur, elles sont dcroissantes, mais
cette dcroissance est trs faible. Une fois de plus, nous montrons que la capacit du systme
dpend de lair et du matriau la fois. Pour les faibles valeurs de lpaisseur, la capacit de lair
C
air
prime, c'est--dire que sa valeur est plus importante que celle du verre C
verre
. La valeur de
lpaisseur "limite" (cest dire pour laquelle les deux capacits sont gales) dpend de la
distance inter lectrodes. Elle est dautant plus importante que cette dernire est leve. Elle vaut
approximativement 2, 3, 4, 7 et 10cm pour les distances inter lectrodes 6, 12 , 18, 24 et 30cm
respectivement. A partir de cette paisseur, cest la capacit du verre qui devient plus
importantes. Comme la capacit C
air
varie trs peu, la capacit du systme C
systme
suit la variation
de la capacit du verre C
verre
.
Comme les lignes de champ se propagent dans lair et dans le matriau isolant, il est normal
que la capacit du systme dpende la fois, des deux milieux.
La capacit C
air
dcrot avec lpaisseur car en augmentant cette dernire, le matriau
dilectrique (ici le verre) occupe lespace qui tait occup par lair.
La capacit de lair ne peut donc que dcroitre tandis que la capacit du verre augmente. De
plus, la permittivit
r
c
verre
tant plus leve que celle de lair, la croissance de C
verre
est beaucoup
plus marque quand on augmente lpaisseur.
Par ailleurs, il y aura une paisseur pour laquelle la capacit C
verre
devient constante (lorsque
les lignes de champ ne rencontrent plus que le milieu dilectrique), cette paisseur dpend de
distance inter lectrodes.
CHAPITRE IV : SIMULATION
110
Enfin, la variation de la capacit du systme suit approximativement la variation de C
verre
.
Ceci est du au fait que la somme de C
verre
et C
air
vaut C
syst
, et que la capacit C
air
varie trs peu.
La capacit du systme fini par se stabiliser partir dune certaine paisseur comme nous lavons
dj montr antrieurement.
Il aurait t intressant, de refaire le mme travail pour le plexiglas et comparer les rsultats
avec ceux tablis avec le verre. Mais pour ne pas alourdir le paragraphe, nous avons trac les
mmes allures, mais pour la distance inter lectrodes 6cm seulement. Les mmes constatations
sont alors faites. Cependant, lpaisseur pour laquelle C
plexiglas
prime est de 7cm pour la distance
inter lectrodes considres (pour le verre, et pour la mme distance, celle-ci tait de 2 cm). Ceci
sexplique facilement si on considre que la permittivit du plexiglas prise gale 2, la
contribution de ce dernier est beaucoup moins prononce que dans le cas du verre. Lpaisseur
ncessaire pour galer la capacit de lair est donc forcment plus grande. Nous constatons
dailleurs quelle vaut plus que trois fois lpaisseur ncessaire la plaque de verre. On notera
que ce rapport dpasse lgrement le rapport des deux permittivits.
IV.8.Conclusion
Dans ce chapitre, les simulations effectues pour le modle exploit au laboratoire nous
ont permis de calculer les capacits de chaque configuration.
Les mmes paramtres gomtriques ont t varis pour pouvoir comparer avec les rsultats
obtenus exprimentalement. Dautres notions ont t dveloppes telles que la notion de
permittivit quivalente, qui nous permet trouver un systme quivalent champ uniforme
comportant un seul milieu. Celle-ci tablit le lien entre la distance inter-lectrodes et ltendue
des lignes de champ, ce qui conduit une dcroissance trs modre de la capacit avec la
distance inter lectrodes.
Les rsultats tablis avec le logiciel sont assez proches des rsultats obtenus par
lexprience, ceci confirme que notre approche du modle semble assez cohrente.
En effet, les mmes allures ont t confirmes par les deux approches savoir que la
capacit:
o Dcrot avec la distance inter lectrodes.
o Augmente avec lpaisseur du matriau.
o Crot lgrement avec la largeur des lectrodes.
De plus, pour mieux voir linfluence de lpaisseur nous avons vari cette dernire sur de
grandes plages. Nous avons alors observ que la capacit croit dune faon trs importante pour
les petites valeurs de lpaisseurs, puis augmente jusqu se stabiliser pour les grandes valeurs de
lpaisseur. Ceci signifie que la capacit du systme est une contribution des deux milieux. Nous
avons alors tent, par une mthode de superposition, de calculer sparment les deux capacits.
Nous en avons dduit que la capacit lie lair varie peu en fonction de lpaisseur tandis que la
capacit lie au matriau varie dune manire plus importante.
A partir dune certaine paisseur (limite), la capacit du systme possde la mme allure
que celle du dilectrique puis finit par prendre une valeur constante quelque soit lpaisseur de ce
dernier. Dans ce cas de figure, les lignes de champs ont le mme trajet, dans le mme matriau (le
dilectrique) lorsquon augmente indfiniment lpaisseur du verre.
CONCLUSION GNRALE
CONCLUSION GENERALE
111
Conclusion gnrale
Le travail que nous avons effectu a port sur ltude du comportement de la zone propre de
lisolateur par un modle extrmement simple.
Nous avons tabli que, malgr la simplicit du modle, la dtermination de la capacit en
fonction des paramtres lectro-gomtriques nest pas aise.
Nous avons vrifi, par des essais de contournement, que ces paramtres, mise part la
distance inter lectrodes, avaient peu dinfluence sur la rigidit du modle. Ce rsultat a dj t
tabli par de nombreux auteurs.
En revanche, le courant de fuite, et par l mme la capacit du modle, dpend dun grand
nombre de facteurs. Nous citons les principaux rsultats obtenus:

Le courant de fuite ne varie pas linairement en fonction de la tension, ce qui signifie


que limpdance du systme nest pas constante. On observe une sorte de saturation du
courant de fuite, ce qui conduit une augmentation de limpdance apparente.
La capacit dcroit avec la distance inter lectrodes, cette dcroissance est trs modre
partir dun certain seuil, en raison de ltendue des lignes de champ qui augmente avec la
distance inter lectrodes.

Linfluence de lpaisseur du matriau est assez importante, ce qui signifie que le


courant prsente bien un caractre volumique : celui-ci, linstar du champ lectrique, part
dune lectrode, traverse une partie du verre pour rejoindre lautre lectrode. La capacit
globale est donc une contribution du dilectrique (verre ou plexiglas) et de lair.

La largeur des lectrodes influe de manire moins prononce sur la valeur de la


capacit puisque la grande partie des charges est accumule sur le ct interne des lectrodes.
La grande majorit de ces rsultats ont t vrifis par le logiciel de calcul de champ
FEMM : les rsultats obtenus concordent bien, ce qui confirme que notre approche est assez
cohrente.
Par ailleurs, nous avons procd une mthode de superposition, o nous avons spar les
deux milieux, dans le but dtablir la contribution de chaque milieu dans la capacit globale du
modle. Nous avons montr que, en fonction des valeurs de permittivits des matriaux, il existe
une paisseur pour laquelle, pour une distance inter lectrodes donne, la capacit devient
constante.
Plusieurs de nos rsultats pourraient tre ventuellement dvelopps dans des travaux
futurs. Ceux-ci peuvent concerner la nature rsistive du modle par mesure rigoureuse du
dphasage en fonction de la tension applique : le modle serait ainsi complt par une rsistance
variable qui exprimerait la conductivit variable de lair avec les niveaux de tension levs.
Dautres modles pourraient galement tre labors avec plusieurs zones reprsentant
alternativement les zones pollues et les zones sches, ce qui se rapprochera encore davantage de
lisolateur rel.
Pour conclure, nous tenons rappeler que, ce sont les parcours des lignes de champ et le
milieu quelles traversent, qui imposent limpdance globale apparente de nimporte quel systme
lectromagntique. Si celui-ci est soumis une tension donne, cest cette impdance qui impose
le courant qui peut tre ventuellement visualis ou mesur. .
BIBLIOGRAPHIE
BIBLIOGRAPHIE
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Annexe : Rsultats exprimentaux
Tension de contournement
Plaque de verre
Distance inter lectrodes d= 30 cm
1) largeur des lectrodes a = 3 cm
D(cm)
Longueur des lectrodes
45 30 15
(cm)
Epaisseur du verre
0.6 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4
Uc (kV) 133 134 135 134 128 131 137 132 135 132 128 128
2) largeur des lectrodes a = 6 cm
D(cm)
45 30 15
(cm) 0.6 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4
Uc (kV) 130 131 133 135 136 132 136 137 135 134 134 136
Distance inter lectrodes d= 24 cm
1) largeur des lectrodes a = 3 cm
D(cm)
45 30 15
(cm)
0.6 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4
Uc (kV) 110 111 109 110 115 108 111 107 115 109 114 109
2) largeur des lectrodes a = 6 cm
D(cm) 45 30 15
(cm) 0.6 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4
Uc (kV) 109 106 107 111 106 110 107 109 107 109 110 117
Distance inter lectrodes d= 18 cm
1) largeur des lectrodes a = 3 cm
D(cm) 45 30 15
(cm) 0.6 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4
Uc (kV) 90 88 84 91 87 90 90 87 82 95 90 87
2) largeur des lectrodes a = 6 cm
D(cm) 45 30 15
(cm) 0.6 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4
Uc (kV) 87 86 83 81 82 82 87 83 90 91 82 87
Distance inter lectrodes d= 12 cm
1) largeur des lectrodes a = 3 cm
D(cm) 45 30 15
(cm) 0.6 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4
Uc (kV) 56 57 62 56 63 63 62 62 63 64 64 64
2) largeur des lectrodes a = 6 cm
D(cm) 45 30 15
(cm) 0.6 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4
Uc (kV) 64 60 60 60 60 61 60 64 60 61 66 63
Distance inter lectrodes d= 6 cm
1) largeur des lectrodes a = 3 cm
D(cm) 45 30 15
(cm) 0.6 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4
Uc (kV) 35 36 35 34 36 31 35 34 38 34 37 37
2) largeur des lectrodes a = 6 cm
D(cm) 45 30 15
(cm) 0.6 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4
Uc (kV) 34 33 36 34 34 33 34 38 34 34 35 37
Distance inter lectrodes d= 4 cm
1) largeur des lectrodes a = 3 cm
D(cm) 45 30 15
(cm) 0.6 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4
Uc (kV) 24 26 24 25 26 24 26 28 25 24 25 24
2) largeur des lectrodes a = 6 cm
D(cm) 45 30 15
(cm) 0.6 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4
Uc (kV) 26 25 26 25 26 23 25 30 26 25 26 30
Distance inter lectrodes d= 2 cm
1) largeur des lectrodes a = 3 cm
D(cm) 45 30 15
(cm) 0.6 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4
Uc (kV) 13 12 15 15 10 13 12 14 13 13 14 10
2) largeur des lectrodes a = 6 cm
D(cm) 45 30 15
(cm) 0.6 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4
Uc (kV) 13 12 14 14 11 13 14 15 13 12 14 13
Plaque de plexiglas
Distance inter lectrodes d= 24 cm
Largeur
dlectrode
a=3cm a=6cm
D(cm)
30 15 30 15
(cm)
0.3 0.8 0.3 0.8 0.3 0.8 0.3 0.8
Uc (kV)
115 118 119 121 111 114 113 114 116 117 115 116 114 115 121 1 123
Distance inter lectrodes d= 18 cm
Largeur
dlectrode
a=3cm a=6cm
D(cm) 30 15 30 15
(cm) 0.3 0.8 0.3 0.8 0.3 0.8 0.3 0.8
Uc (kV) 89 86 87 91 91 93 93 95 90 92 88 96 95 94 88 90
Distance inter lectrodes d= 12 cm
Largeur
dlectrode
a=3cm a=6cm
D(cm) 30 15 30 15
(cm) 0.3 0.8 0.3 0.8 0.3 0.8 0.3 0.8
Uc (kV) 66 62 65 68 65 66 64 68 61 67 61 62 62 58 62 62
Distance inter lectrodes d= 6 cm
Largeur
dlectrode
a=3cm a=6cm
D(cm)
30 15 30 15
(cm) 0.3 0.8 0.3 0.8 0.3 0.8 0.3 0.8
Uc (kV) 29 36 33 31 26 27 32 35 33 34 33 37 29 30 34 36
Distance inter lectrodes d= 4 cm
Largeur
dlectrode
a=3cm a=6cm
D(cm) 30 15 30 15
(cm) 0.3 0.8 0.3 0.8 0.3 0.8 0.3 0.8
Uc (kV) 22 24 28 29 22 22 24 25 20 25 26 24 20 22 23 29
Distance inter lectrodes d= 2 cm
Largeur
dlectrode
a=3cm a=6cm
D(cm)
30 15 30 15
(cm) 0.3 0.8 0.3 0.8 0.3 0.8 0.3 0.8
Uc (kV) 12 13 12 11 12 13 15 14 13 14 14 13 12 12 14 12
Courant de fuite
N.B: Tous les courants sont exprims en micro-Ampres
Courants de fuite Tension applique
Plaque de verre (la longueur des lectrodes D=45 cm) :
Distance inter lectrodes d= 30 cm
U
C
(kV) 10 15 20 25 30 35
= 0.6 cm
18,38 20,50 33,93 38,17 43,19 58,68
a = 3 cm
= 0.4 cm 18,38 22,62 30,40 36,05 42,42 48,78
= 0.6 cm 26,86 33,22 43,12 49,49 62,21 72,82
a = 6 cm
= 0.4 cm
22,62 25,45 34,64 39,59 46,66 55,14
Distance inter lectrodes d= 24 cm
U
C
(kV) 10 15 20 25 30 35
= 0.6 cm
21,92 29,69 37,47 43,83 52,32 65,75
a = 3 cm
= 0.4 cm 18,38 25,45 32,52 39,59 48,78 64,34
= 0.6 cm 23,33 34,64 34,64 53,73 60,09 72,11
a = 6 cm
= 0.4 cm
18,38 24,74 36,06 45,25 54,44 65,75
Distance inter lectrodes d= 18 cm
U
C
(kV) 10 15 20 25 30 35
= 0.6 cm
33,23 40,23 41,71 67,87 72,82 86,96
a = 3 cm
= 0.4 cm 28,28 36,06 45,25 53,73 62,92 70,7
= 0.6 cm 29,69 46,66 57,97 72,11 80,6 92,62
a = 6 cm
= 0.4 cm
26,87 34,64 45,25 55,85 69,99 79,89
Distance inter lectrodes d= 12 cm
U
C
(kV) 10 15 20 25 30 35
= 0.6 cm
39,59 51,61 60,80 76,36 90,5 103,22
a = 3 cm
= 0.4 cm 28,99 40,3 48,08 58,68 82,01 99,69
= 0.6 cm 35,35 49,49 64,34 80,6 98,27 115,24
a = 6 cm
= 0.4 cm
33,23 46,66 61,51 73,53 87,67 108,88
Distance inter lectrodes d= 6 cm
U
C
(kV) 5 7.5 10 12.5 15
= 0.6 cm
41,01 43,84 45,96 51,61 58,68
a = 3 cm
= 0.4 cm 29,69 43,13 46,66 53,73 64,34
= 0.6 cm 46,66 58,68 72,82 85,55 102,51
a = 6 cm
= 0.4 cm
36,76 46,66 53,73 64,34 77,06
Plaque de plexiglas (la longueur des lectrodes D=30 cm) :
Distance inter lectrodes d= 30 cm
U
C
(kV) 10 15 20 25 30 35
= 0.8 cm
18,95 22,48 22,06 25,88 34,22 40,44
a = 3 cm
= 0.3 cm 12,16 12,73 18,88 24,04 29,34 36,76
N.B: Les dimensions de la plaque du plexiglas(40x40) ne nous permettent pas deffectuer les
mesures pour des lectrodes de largeur 6cm ,et pour une distance inter lectrodes de 30cm.
Distance inter lectrodes d= 24 cm
U
C
(kV)
10 15 20 25 30 35
= 0.8 cm
18,38 21,78 28,56 30,65 9,73 55,29
a = 3 cm
= 0.3 cm 17,25 18,1 21,21 28,56 43,13 54,02
= 0.8 cm
18,95 20,36 25,45 41,71 48,43 55,15 a = 6 cm
= 0.3 cm
18,38 19,87 23,19 35,35 45,81 48,64
Distance inter lectrodes d= 18 cm
U
C
(kV)
10 15 20 25 30 35
= 0.8 cm
14,42 18,1 41,85 54,58 65,47 70,84
a = 3 cm
= 0.3 cm 17,53 18,1 32,81 49,42 51,75 56,84
= 0.8 cm 16,68 19,23 35,35 48,36 69,64 72,40
a = 6 cm
= 0.3 cm
18,1 14,42 30,82 42,70 59,67 66,81
Distance inter lectrodes d= 12 cm
U
C
(kV)
10 15 20 25 30
= 0.8 cm
20,50 23,33 46,66 11,2 64,83
a = 3 cm
= 0.3 cm 19,8 21,92 40,3 44,54 59,53
= 0.8 cm 24,04 30,26 35,70 0,71 65,75
a = 6 cm
= 0.3 cm
20,93 40,16 55,15 58,47 72,4
Distance inter lectrodes d= 6 cm
U
C
(kV)
5 7.5 10 12.5 15
= 0.8 cm
20,50 22,62 26,16 28,28 32,52
a = 3 cm
= 0.3 cm 18,38 21,21 24,04 25,45 29,69
= 0.8 cm
20,50 21,92 25,45 32,52 38,89 a = 6 cm
= 0.3 cm
19,8 21,92 22,62 24,74 31,81
Charge - tension applique
Les tensions efficaces recueillies aux bornes de la capacit de mesure de la charge sont exprimes en
millivolts
Plaque de verre (la longueur des lectrodes D=45 cm) :
Distance inter lectrodes d= 30 cm
U
C
(kV) 10 15 20 25 30 35 40 45
=0.6cm
47,61 69,66 91,05 109,25 132,27 150,66 177,92 195,47
a=3cm
=0.4cm 25,96 37,76 51,66 60,98 72,00 156,14 176,36 196,64
=0.6cm 57,39 84,14 112,18 134,68 195,27 166,64 196,19 214,25
a=6cm
=0.4cm
48,92 64,57 84,53 105,66 126,40 141,53 169,05 189,60
Distance inter lectrodes d= 24 cm
U
C
(kV) 10 15 20 25 30 35 40 45
=0.6cm
72,92 97,64 131,75 156,53 189,01 199,06 217,06 220,71 a=3cm
=0.4cm
67,18 97,64 123,92 147,73 178,45 188,56 190,45 217,19
=0.6cm 67,18 91,57 128,88 154,25 181,19 199,51 223,84 246,54 a=6cm
=0.4cm
44,74 39,26 42,65 36,65 37,05 35,61 34,96 127,96
Distance inter lectrodes d= 18 cm
U
C
(kV)
10 15 20 25 30 35 40
=0.6cm
72,92 66,53 64,44 60,92 60,92 59,87 59,48
a=3cm
=0.4cm 67,18 61,96 60,26 56,09 53,87 44,74 49,05
=0.6cm 88,57 88,57 80,48 75,66 72,00 65,87 62,87
a=6cm
=0.4cm
73,57 64,44 80,48 57,26 57,26 57,00 58,05
Distance inter lectrodes d= 12 cm
U
C
(kV) 10 15 20 25 30 35
=0.6cm
92,48 84,14 80,48 73,96 72,92 71,74 a=3cm
=0.4cm
86,87 76,31 70,05 65,87 58,83 56,74
=0.6cm 100,96 84,14 82,70 75,92 75,66 71,48 a=6cm
=0.4cm
99,53 93,14 77,35 73,96 70,31 77,35
Distance inter lectrodes d= 6 cm
U
C
(kV)
5 7.5 10 12.5 15
=0.6cm
137,55 185,29 208,06 246,86 254,17
a=3cm
=0.4cm 85,57 111,53 147,92 172,18 199,77
=0.6cm 91,90 120,43 158,49 196,32 214,64
a=6cm
=0.4cm
98,22 126,30 147,92 161,26 185,29
Plaque de plexiglas (la longueur des lectrodes D=30 cm) :
Distance inter lectrodes d= 30 cm
U
C
(kV)
10 15 20 25 30 35 40 45
=0.8cm 70,70 80,42 112,70 133,05 141,27 142,44 183,14 201,93 a=3cm
=0.3cm
4,96 7,44 10,44 13,04 16,04 18,72 20,87 24,07
N.B: Les dimensions de la plaque du plexiglas(40x40) ne nous permettent pas deffectuer les
mesures pour des lectrodes de largeur 6cm ,et pour une distance inter lectrodes de 30cm.
Distance inter lectrodes d= 24 cm
U
C
(kV) 10 15 20 25 30 35 40 45
=0.8cm
60,92 85,51 112,18 129,79 149,88 163,90 192,53 196,06 a=3cm
=0.3cm
7,70 11,15 14,09 17,28 21,91 24,65 27,65 31,11
=0.8cm 63,66 95,09 114,53 144,79 174,14 202,25 212,36 251,82 a=6cm
=0.3cm
13,96 20,15 25,31 29,68 32,09 35,61 39,13 43,44
Distance inter lectrodes d= 18 cm
U
C
(kV)
10 15 20 25 30 35 40
=0.8cm
63,92 89,22 113,75 135,99 162,79 181,71 195,66
a=3cm
=0.3cm 14,74 21,13 27,39 35,55 40,31 45,20 49,05
=0.8cm 66,92 92,16 117,40 143,81 176,10 195,86 214,45
a=6cm
=0.3cm
15,26 23,28 32,09 41,74 47,35 54,79 61,05
Distance inter lectrodes d= 12 cm
U
C
(kV) 10 15 20 25 30 35
=0.8cm
92,48 126,20 159,66 184,90 218,75 251,10 a=3cm
=0.3cm
16,83 24,26 33,39 38,15 43,83 49,76
=0.8cm 100,96 126,20 165,40 189,79 226,97 250,19 a=6cm
=0.3cm
23,74 37,37 46,96 54,46 62,61 132,86
Distance inter lectrodes d= 6 cm
U
C
(kV)
5 7.5 10 12.5 15
=0.8cm
104,35 156,53 208,19 246,54 257,69
a=3cm
=0.3cm 25,18 33,56 44,74 55,93 67,11
=0.8cm 91,90 120,14 156,14 196,32 214,64
a=6cm
=0.3cm
17,61 23,77 26,61 30,00 31,31
:


. .
.
.
. .
.
:
.
Rsum:
Dans ce travail, nous nous sommes intresss au comportement et la
caractrisation dun modle disolateur de gomtrie simple soumis divers paramtres
lectrogomtriques, savoir la tension applique, la distance inter lectrodes, les dimensions
des lectrodes et lpaisseur du dilectrique. Diffrents matriaux isolants ont t considrs.
Les essais exprimentaux concernent la tension de contournement, le courant de fuite et la
charge lectrique. La capacit quivalente a t calcule, en se basant sur le courant de fuite
et la charge, et compare celle obtenue en utilisant le logiciel FEMM. Une assez bonne
concordance a t obtenue.
Mots cls : Haute tension, isolateur, pollution, capacit, courant de fuite, charge,
dilectrique, permittivit, contournement, simulation.
Abstract:
In this work, we have been interested by the behaviour and the caracterisation of
an insulator model with a simple geometry submitted to different electrogeometrical
parameters: applied voltage, distance between electrodes, electrodes dimensions and thikness
of dielectric. Different materials have been used. Experimental tests concerning the flashover
voltage, leakage current, and the electric charge. The equivalent capacitance has been
calculated by leakage current and the charge, and compared by using FEMM software. A
good concordance has been obtained.
Key words: High voltage, insulator, pollution, capacitance, leakage current, charge,
dielectric, permittivity, flashover, simulation.

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