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Chemical Vapor Deposition

Captulo 11 Deposio de Filmes Finos por CVD Pt I


Ioshiaki Doi
FEEC e CCS/UNICAMP

Chemical Vapor Deposition

Captulo 11 Deposio de Filmes Finos por CVD


11.1. Introduo 11.2. Conceitos Bsicos de CVD

Processo CVD

Crescimento de Filmes Cintica de CVD

11.3. Tipos de Reatores LPCVD APCVD PECVD

11.4. Processos de Deposio de Dieltricos e Si-poli Si-poli xido de Silcio Nitreto de Silcio

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11.1. Introduo
Deposio Qumica a partir de Fase Vapor (Chemical Vapor Deposition CVD)

CVD: reaes qumicas que transformam molculas gasosas chamada precursor, em material slido na forma de filmes, sobre o substrato .

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CVD
Mtodo mais comum de deposio de filmes finos, utilizados atualmente na fabricao de CIs. Deposio de filmes finos isolantes (dieltricos), condutores e semicondutores.

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Aplicaes dos Filmes Finos:


Conexo das regies ativas dos dispositivos. Comunicao entre os dispositivos. Acesso externo aos circuitos. Isolao entre as camadas condutoras. como fonte de dopante e como barreira para dopagem. para proteger as superfcies do ambiente externo.

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Variados Tipos de Filmes Finos Utilizados na Fabricao de CIs.


PD passivation dielectric ILD interlayer dielectric IMD intermetal dielectric PMD premetal dielectric USG undoped silicate glass BPSG borophosphosilicate glass ARC antireflection coating Aplicao de filmes finos dieltricos em circuitos CMOS.

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Outros Exemplos:

Nitretos e si-poli Dieltrico para isolao de 2 dispositivos

Alguns filmes so usados temporariamente como camada de mscara, enquanto que outros filmes tornam partes do circuito sendo fabricado.

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Filmes que podem ser depositados por CVD:


silcio policristalino (Si-poli) xido de silcio (SiO2) nitreto de silcio (Si3N4, SiN) metais (Al, W, Ti, etc.) silicetos (WSi2, TiSi2, MoSi2, TaSi2)

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Requisitos Necessrios para a Tcnica de Deposio de Filmes Finos :


a) alta pureza e densidade; b) composio e estequiometria controladas; c) boa uniformidade em espessura e reprodutibilidade; d) alto nvel de perfeio estrutural; e) boas propriedades eltricas; f) excelente aderncia; g) boa cobertura de degraus; h) baixa densidade de defeitos(imperfeies, pinholes, etc.); i) baixa contaminao por partculas, e j) processo econmico: - alta taxa de produo, - seguro, automatizvel e barato.

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A tcnica CVD atende vrios dos requisitos citados, com vantagens sobre outras tcnicas.

11.2. Conceitos Bsicos de CVD


Processo CVD
CVD: formao de um filme slido sobre um substrato
pela reao de espcies qumicas em fase vapor.

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Descrio da processo CVD: Formao do filme CVD

cintica

do

1) introduo na cmara dos gases reagentes e diluentes a dada composio e fluxo; 2) transporte/movimento das espcies reativas at o substrato; 3) adsoro das espcies reativas na superfcie do substrato; 4) migrao das espcies na superfcie e reaes qumicas de formao do filme; 5) dessoro dos subprodutos da reao; 6) transporte dos subprodutos da reao para a regio de fluxo principal; e 7) remoo dos subprodutos gasosos da reao e gases no consumidos no processo, da cmara de reao.

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Tipos de Reaes Qumicas ou Processos :


Reao homognea reao na fase vapor (Processos de Fase Vapor). Produz particulas resulta em filmes de pouca aderncia, baixa densidade e alta concentrao de defeitos. Reao heterognea reao na superfcie ou prxima dela. Processo desejvel (Processos de Superfcie). trmica Energia para propiciar a reao: ftons e eltrons.

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Processos de Deposio CVD

Nucleao Formao de Ilhas Crescimento das ilhas Coalescncia Formao de filme contnuo

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Estrutura dos Filmes


tamanho dos gros depende das condies de deposio e dos tratamentos trmicos posteriores. Gros maiores temperaturas maiores de processamento e filmes mais espessos. rugosidade est relacionada com o tamanho dos gros.

Reao na Superfcie Taxa de Reao Qumica CR = A exp(-Ea/kT)


onde: CR a taxa de reao, A uma constante, Ea a energia de ativao em eV, k a constante de Boltzman e T a temperatura do substrato em K.

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Processo CVD CVD: : A taxa de deposio (DR) est relacionada com a taxa de reao qumica (CR), taxa de difuso do precursor no boundary layer e taxa de adsoro do precursor sobre a superfcie. superfcie .

Regimes de Deposio

a)

H 3 regimes:
- Baixas temperaturas a taxa de reao qumica baixa e a taxa de deposio bastante sensvel a temperatura. regime limitado por reao de superfcie. - temperaturas altas deposio bem menos sensvel temperatura. regime limitado por transporte de massa. - Se aumentarmos mais a temperatura, a taxa decresce rapidamente devida a nucleao na fase gasosa. processo indesejvel.

b)

c)

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Regime limitado por reao:


Taxa de deposio bastante sensvel a temperatura porque determinado principalmente pela taxa de reao qumica. Requer boa uniformidade de temperatura sobre o substrato.

Temperaturas baixas somente poucas molculas possuem energia suficiente para iniciar a reao.

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Regime limitado por transporte de massa:


A taxa de reao qumica suficientemente alta e os precursores reagem imediatamente quando adsorvidos sobre a superfcie do substrato. Taxa de deposio no depende da taxa de reao de superfcie, mas pela rapidez com que os precursores podem difundir atravs do boundary layer e adsorvido sobre a superfcie. Requer boa uniformidade de fluxo e de densidade de espcies sobre as lminas.

Difuso atravs do boundary layer na suferfcie do substrato.

Ao alcanar determinada temperatura, a taxa de reao torna-se controlada por taxa de reagentes que chegam a superfcie do substrato.

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Dinmica dos Fluidos no Reator


Comportamento da Velocidade dos fludos

Velocidade do fludo na superfcie do reator zero. Aumenta a medida que se distancia da parede. H uma certa distncia da entrada do gs, apresenta um perfil parablico. Perfil de velocidade reator tubular

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Concentrao dos gases reagentes.

Concentrao dos reagentes num reator de paredes quentes.

Concentrao dos reagentes num reator de paredes frias. Zero na superfcie do susceptor e aumenta rapidamente com distncia da superfcie.

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Perfil de temperatura

Reator de paredes quentes: na entrada somente os gases prximos a parede so aquecidas. Pouco adiante, gases prximos do centro so aquecidos. Se o reator for longo, em algum ponto o gs e aquecido uniformente.

Reator de paredes frias : a temperatura do gs mais alto na superfcie do susceptor e decresce rapidamente para um valor constante, a uma certa distncia da superfcie.

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11.3. Tipos de Reatores

Tipos de Reatores

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Reatores CVD de Presso Atmosfrica - APCVD


Caractersticas: operam normalmente na condio de taxa limitado por transporte de espcies fluxo deve ser idntico sobre todas as lminas pode processar poucas lminas por vez; estrutura do reator bastante simples; alta taxa de deposio; susceptvel reaes em fase gasosa(reao homognea) causa particulados e filme pouco denso; cobertura de degrau pobre; necessita de limpeza frequente; usado para deposio de SiO2 (dopado e no dopado) em baixa temperatura ( 400 C)

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Reatores APCVD: (a) horizontal (tubo de parede quente), (b) sistema de movimento contnuo com injeo de gs e (c) APCVD de movimento contnuo tipo plenum.

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Reator Epitaxial ou reator vertical tipo Bell-Jar ou Pancake aquecido por induo.

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Reatores CVD de Baixa Presso - LPCVD


Presso Reduzida(0.25 2.0 Torr) aumenta difusibilidade das espcies (103 vezes). Processo opera em taxa limitado por reao. Caractersticas do Sistema: menos reao na fase gasosa menor gerao de partculas; boa uniformidade; boa cobertura de degraus; baixa taxa de deposio (10 50 nm/min.); no requer uniformidade de fluxo, mas sim de temperatura pode se utilizar um forno convencional pode processar muitas lminas por vez (at 200); usado para deposio de: Si-poli, Si3N4, SiO2, PSG, BPSG, W, etc.

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(a)

(b)

Reatores LPCVD de parede quente (a) e fria (b). O reator do tipo (a) pode processar at 200 lminas por fornada. O do tipo (b) conhecido tambm como reator vertical isotrmico.

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Reatores CVD Assistida por Plasma - PECVD


Caractersticas :
operam em regime de taxa limitado por reao; taxa de deposio mais elevada que o LPCVD; operam em temperatura mais baixa que nos processos APCVD e LPCVD permite depositar filmes de SiO2 e Si3N4 sobre metais de baixo ponto de fuso. importante quando j existe Al na lmina; boa adeso e boa cobertura de degraus, devido maior mobilidade superficial das espcies adsorvidas; filmes no so estequiomtricos; h incorporao de subprodutos de reao, especialmente hidrognio, oxignio e nitrognio. Pode resultar em degaseificao, formao de bolhas e quebras do filme durante etapas posteriores; um processo mais complexo, com mais parmetros; pode depositar SiO2, Si3N4, oxinitretos, SiC, a-Si, etc.; PECVD a temperatura mais elevada permite crescer epi: Si, Ge e III-V.

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(a) Reator de Fluxo Radial(Placas Paralelas) + baixa temperatura; capacidade limitada; manual; podem cair partculas sobre o filme/substrato.

(a)

(b) Reator Horizontal de Parede Quente + lminas em p e paralelo ao fluxo; + alta capacidade; + baixa temperatura; manual; Gerao de particulas durante a carga.

(b)

(c) Reator Planar de Parede Fria para Substrato nico

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Reatores CVD com Plasma Remoto RPECVD (remote, indirect ou downstream PECVD)

A cmara onde o plasma gerado est separada da cmara de reao onde se encontram os substratos. os substratos no ficam expostos diretamente radiao do plasma e portanto no so bombardeados pelos ons de alta energia.

Reator ECR. Neste tipo de reator o plasma gerado por um campo


eltrico com frequncia de microondas em um campo magntico que provoca a ressonncia ciclotrnica do eltron. Plasma 100 vezes mais denso em espcies reativas.

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Caractersticas e Aplicaes de Reatores CVD


Processos
APCVD

Vantagens
Simples Alta taxa de deposio Baixa temperatura Excelente uniformidade e pureza Processamento de muitas lminas por vez ( at 200) Baixa temperatura Alta taxa de deposio Boa cobertura de degrau Mesmas que PECVD sem a radiao do substrato pelo plasma Baixa temperatura Alta qualidade dos filmes depositados Alta taxa de deposio Boa cobertura de degrau

Desvantagens
Cobertura de degraus ruins Contaminao por partculas Alta temperatura Baixa taxa de deposio

Aplicaes
xidos de baixa temperatura, dopados ou no xidos de alta temperatura, dopados ou no, nitreto de silcio, polisilcio, W e WSi. Deposio de dieltricos sobre metais em baixa temperatura e nitreto de silcio Mesmas que PECVD e dieltricos de porta em estruturas MOS Mesmas que RPECVD

LPCVD

PECVD

Contaminao qumica, como H2 e por particulados Baixa taxa de deposio

RPECVD ECR

Alto custo do equipamento