Tema 5. Amplificadores con BJT.

Tema 5

AMPLIFICADORES CON BJT.

1.- Introduccin. 1.1.- Principio de Superposicin. 1.2.- Nomenclatura. 1.3.- Recta de Carga Esttica. 1.4.- Recta de Carga Dinmica. 2.- Modelo de pequea seal del BJT. 2.1.- El cuadripolo y el modelo hbrido. 2.2.- Modelo hbrido de un transistor. 2.3.- Anlisis de un circuito amplificador a transistores empleando el modelo de parmetros h. 2.4.- Determinacin grfica de los parmetros h. 2.5.- Modelo de parmetros hbrido simplificado. 2.6.- Comparacin de las distintas configuraciones. 2.6.1.- Amplificador en Emisor Comn. 2.6.2.- Amplificador en Emisor Comn con resistencia de emisor. 2.6.3.- Amplificador en Base Comn. 2.6.4.- Amplificador en Colector Comn.

1.- INTRODUCCIN. En el circuito de figura 5.1 se muestra un circuito tpico de un amplificador de tensin con un transistor BJT en emisor comn polarizado en la zona activa. Con l se trata de amplificar una tensin cualquiera vi y aplicarla, una vez amplificada, a una carga que simbolizamos por la resistencia RL. La zona sombreada resalta el amplificador, que en este caso, lo constituye un transistor BJT en la configuracin emisor comn. El cual, convenientemente polarizado en la zona activa, es capaz de comportarse como un amplificador de tensin como ya se mencion en el captulo anterior.
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Figura 5.1.-

Circuito amplificador de tensin con BJT en E-C

Los condensadores C1 y C2 que aparecen se denominan condensadores de acoplo y sirven para bloquear la componente continua. En concreto C1 sirve para acoplar la tensin que queremos amplificar al amplificador propiamente dicho, eliminando la posible componente continua que esta tensin pudiera tener. Si no bloquesemos esta continua se sumara a las corrientes de polarizacin del transistor modificando el punto de funcionamiento del mismo. Por otra parte, el condensador C2 nos permite acoplar la seal amplificada a la carga, eliminando la componente continua (la correspondiente al punto de polarizacin del transistor) de forma que a la carga llegue nicamente la componente alterna. El condensador C3 es un condensador de desacoplo, su misin es la de proporcionar un camino a tierra a la componente alterna. En el captulo anterior se analiz el efecto de la resistencia RE desde el punto de vista de su efecto en la estabilizacin del punto de polarizacin. Sin embargo, en este captulo veremos como desde el punto de vista de la amplificacin, esta resistencia hace disminuir la ganancia del amplificador. Al aadir el condensador de desacoplo conseguimos que la continua pase por RE mientras que la alterna pasara por el condensador C3 consiguiendo que no afecte a la amplificacin.

1.1.- Principio de Superposicin.

En este captulo vamos a abordar el anlisis de este tipo de circuitos amplificadores. Para ello aplicaremos el principio de superposicin. En cada punto o rama calcularemos las tensiones y corrientes de continua y de alterna por separado, de forma que al final las tensiones y corrientes finales sern la suma de las calculadas en cada parte.
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Para ello vamos a suponer que el valor de la capacidad de los condensadores, as como la frecuencia de las seales que tenemos es tal que la impedancia que presentan los condensadores es lo suficientemente pequea para considerarla nula. Mientras que en continua, estos condensadores presentarn una impedancia infinita. Es decir, consideraremos que en continua los condensadores se comportan como circuitos abiertos (impedancia ) mientras que en alterna equivaldrn a cortocircuitos (impedancia 0). XC C 2 fC

1
Figura 5.2.Consideraciones para aplicar el principio de superposicin.

Aplicando estas consideraciones obtendremos los circuitos equivalentes en DC y en AC que tendremos que resolver separadamente. Si en el circuito amplificador de la figura 5.1 aplicamos la condicin de que los condensadores se comportan como circuitos abiertos, obtenemos el circuito equivalente en continua (figura 5.3). Podemos ver como este circuito es, precisamente, el circuito de polarizacin del transistor cuyo estudio ya se abord en el tema anterior y de cuya resolucin obtendramos las tensiones y corrientes de continua presentes en el circuito.

Figura 5.3.-

Circuito equivalente en DC.

Si por el contrario, al circuito de la figura 5.1 le aplicamos las condiciones para obtener el circuito equivalente de alterna, es decir, suponemos que los condensadores se
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comportan como cortocircuitos e, igualmente, cortocircuitamos las fuentes de tensin de continua, el circuito que obtendramos es el mostrado en la figura 5.4.

Figura 5.4.-

Circuito equivalente en AC.

En este captulo abordaremos el estudio y la resolucin de este circuito abordando un modelo para el transistor que nos permita el clculo de las tensiones y corrientes en el circuito.

1.2.- Nomenclatura.

Al aplicar el principio de superposicin, es conveniente ser cuidadoso con la nomenclatura de las distintas variables elctricas para no confundir ni mezclar las variables de alterna con las de continua. En la figura 5.5 se muestra la nomenclatura que vamos a seguir

Figura 5.5.-

Nomenclatura.

Antes de pasar al estudio propiamente dicho del circuito de alterna vamos a definir un par de conceptos muy importantes a la hora de analizar el funcionamiento de un circuito amplificador con un BJT, estamos hablando de las rectas de carga esttica y dinmica.
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1.3.- Recta de Carga Esttica.

La Recta de Carga Esttica representa la sucesin de los infinitos puntos de funcionamiento que puede tener el transistor. Su ecuacin se obtiene al analizar la malla de salida del circuito equivalente en continua. La Recta de Carga Esttica est formada por los pares de valores (VCE, IC) que podra tener el transistor con esa malla de salida. Para obtener su ecuacin matemtica f(VCE,IC) = 0, planteamos las tensiones en la malla de salida del circuito equivalente en DC.

VCC Si tenemos en cuenta que IE

RE IE VCE 1 IC 1

RC IC

Nos queda VCC

RC

RE

IC

VCE si suponemos que

>> 1

obtendramos la ecuacin que relaciona la VCE y la IC del transistor, dicha ecuacin representa una recta en el plano de las caractersticas de salida, y se conoce con Recta de Carga Esttica

VCC

RC

RE

IC

VCE

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Figura 5.6.-

Recta de Carga Esttica.

Como ya se ha mencionado anteriormente, esta recta representa todos los posibles puntos de funcionamiento que podr tener el transistor con esa malla de salida. El punto de funcionamiento Q se fijar mediante el circuito de polarizacin de entrada fijando la IB correspondiente.

1.4.- Recta de Carga Dinmica.

La Recta de Carga Dinmica se obtiene al analizar la malla de salida del circuito equivalente de AC. Est formada por la sucesin de los pares de valores (vCE, iC). Notar que a diferencia del caso anterior, en este caso nos referimos a los valores totales (alterna ms continua) tanto de tensin como de corriente. Para obtener la ecuacin matemtica de esta recta f(vCE,iC) = 0, analizamos la malla de salida del circuito equivalente en alterna

vce ic RL ||RC
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Si tenemos en cuenta que la componente incremental (o de alterna) de una seal se puede obtener restando el valor de continua al valor total.

iC vCE

IC ic VCE vce

ic

iC IC vce vCE VCE

Haciendo este cambio de variable en la expresin anterior obtenemos la ecuacin de la Recta de Carga Dinmica 1 iC IC RC ||RL Tenemos la ecuacin de una recta que pasa por el punto de funcionamiento (punto Q) y cuya pendiente es el inverso del paralelo de RC y RL. vCE VCE

Figura 5.7.-

Rectas de carga Esttica y dinmica.

La Recta de Carga Dinmica siempre tiene ms pendiente que la Recta de Carga Esttica. nicamente en el caso de un circuito en el que RE = 0 y la salida est en circuito abierto (RL = ) ambas rectas coincidirn. La Recta de Carga Dinmica representa los pares de valores iC y vCE en cada instante como se puede ver grficamente en la figura 5.8

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Figura 5.8.-

Significado de la Recta de Carga Dinmica .

2.- MODELO DE PEQUEA SEAL DEL BJT.

2.1.- El Cuadripolo y el Modelo Hbrido.

Un cuadripolo es un circuito, sistema o red en general con dos terminales de entrada, tambin denominado puerto de entrada, y dos terminales de salida o puerto de salida, por ello a veces, a los cuadripolos se les denomina redes de doble puerto.

Figura 5.9.-

Cuadripolo o red de doble puerto.

Vamos a estudiar los cuadripolos como si de cajas negras se tratasen, sin importarnos lo que hay en el interior, slo nos van a interesar las tensiones y corrientes a la entrada y salida del mismo.

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Supongamos ahora que dichas variables de entrada y salida estn relacionadas a travs de las siguientes ecuaciones:

v1 i2

h11 i1 h21 i1

h12 v2 o en forma matricial h22 v2

v1 i2 hij

i1 v2

Los parmetros h11, h12, h21 y h22 se denominan parmetros h o parmetros hbridos debido a que tienen dimensiones heterogneas. Podramos definirlos de la siguiente manera: v1 Impedancia de entrada con la salida en cortocircuito. Dimensiones de h11 i1v
2

resistencia () v1 Ganancia inversa de tensin con la entrada en circuito abierto.

h12

v2i

Adimensional i2 Ganancia de corriente con la salida en cortocircuito.

Adimensional h21 i1v2 0 i2 Admitancia de salida con la entrada en circuito abierto. Dimensiones h22 v2i
1

de conductancia (-1)

Segn las normas de IEEE, se recomienda usar los siguientes subndices: i = 11 f = 21 entrada r = 12 transferencia directa transferencia directa o = 22 transferencia inversa En el caso particular de que se trate de un transistor, se aadir un segundo

subndice (e, b, c) indicativo del tipo de configuracin segn sea emisor, base o colector comn respectivamente. As, por ejemplo

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hie = impedancia de entrada en emisor comn hfb = ganancia de corriente en base comn El modelo circuital que cumple con las ecuaciones del cuadripolo en parmetros hbridos es el que aparece representado en la figura 5.10

v1 i2

h11 i1 h21 i1

h12 v2 (5.1) h22 v2

Figura 5.10.- Modelo circuital parmetros hbridos.

Es decir, las corrientes y tensiones del circuito de la figura 5.10 estn relacionadas a travs de las ecuaciones (5.1), o lo que es lo mismo, siempre que tengamos un cuadripolo cuyas variables de entrada y salida estn relacionadas a travs de las ecuaciones (5.1), podremos modelizar el mismo con el circuito de la figura 5.10. Dado que nosotros, en nuestra asignatura, no estudiamos el comportamiento en frecuencia de los dispositivos ni de los circuitos, consideraremos que en el cuadripolo no existen elementos reactivos, por lo que los parmetros h son nmeros reales. La impedancia de entrada ser, por tanto, una resistencia. La admitancia de salida ser una conductancia y las corrientes y tensiones en el circuito sern funciones del tiempo, pero no dependern de la frecuencia.

2.2.- Modelo hbrido de un transistor.

Si partimos de la suposicin las variaciones de la seal en torno al punto de polarizacin son pequeas, podremos suponer que los parmetros del transistor van a ser constantes. Si consideramos un transistor en la configuracin emisor comn, las
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tensiones y corrientes del mismo estarn relacionadas con ecuaciones de la forma: vBE iC f
2

f1

iB,vCE
i v
B, CE

correspondiente a las curvas caractersticas de entrada correspondiente a las curvas caractersticas de salida

Si hacemos un desarrollo en serie de Taylor en el entorno del punto Q (VCE, IC) y despreciamos los trminos de orden superior del desarrollo, obtenemos:

f1 iB

VCEIB

f1 v

vBE

iB

vCE

(5.2)

CE

iC

f2 iB

V
CEB

f2 v

CE I

iB

vCE

(5.3)

En las expresiones (5.2) y (5.3) los valores vBE, vCE, iB y iC representan los valores incrementales, o de alterna de las correspondientes tensiones o corrientes, es decir: vBE vCE vb vce iB ib

iC ic Por otra parte, las derivadas parciales son nmeros reales y definen los

parmetros h en este caso en emisor comn:

f1 hie iB V

vBE iB
VCE

hre

f1 vCE I

vBE vCE IB

(5.4)

CE

vce 0

ib 0

hfe

f2 iB VCE

iC iBVCE
vce 0 ib 0

hoe

f2 vCE B
I

(5.5)

vCE IB

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Con lo que tendremos que las ecuaciones (5.2) y (5.3) se convierten en vbe ib hre vce

hie

(5.6) ic hfe ib hoe vce

Es decir, vemos como en el transistor, en el entorno del punto Q de funcionamiento se cumplen las ecuaciones (5.6), por lo que podremos modelizar su comportamiento con un circuito como el de la figura 5.11. Por tanto, en la resolucin de circuitos amplificadores con transistores, obtendremos el circuito equivalente de AC como se ha visto en el apartado de la introduccin, sustituiremos el transistor por su modelo en parmetros hbridos y resolveremos el circuito resultante.

Figura 5.11.- Modelo circuital de parmetros hbridos para un transistor en emisor comn .

Podramos hacer un razonamiento anlogo para las configuraciones base y colector comn, obteniendo las expresiones y circuitos que se representan en la figura 5.12.

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Figura 5.12.- Modelo circuital de parmetros hbridos para un transistor en base comn y en colector

comn..

2.3.- Anlisis de un circuito amplificador con parmetros hbridos.

Podemos amplificar una seal sin ms que acoplarla a un transistor debidamente polarizado y la seal resultante aplicarla a una carga (en este caso modelizada por una resistencia ZL. Aqu analizamos un caso genrico sin importar la configuracin del transistor. As que sustituiremos el transistor por su modelo en parmetros hbridos. Supondremos que la seal de entrada es sinusoidal, con lo cual podremos trabajar con los valores mximos o con los eficaces.

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Figura 5.13.- Circuito amplificador con parmetros hbridos

NOTA: Se ha llamado a la corriente por la carga iL (con el subndice en maysculas) en contra de lo mencionado anteriormente respecto a la nomenclatura, esto es as para no confundir la letra l (ele) minscula con el nmero 1 (uno). Quede claro, por tanto, que aunque denotemos con subndice en maysculas nos estamos refiriendo al valor incremental o de alterna de la mencionada corriente.

Ganancia o amplificacin de corriente AI.

iL i1

i2 AI i1

De la malla de salida del circuito i2 hf i1 ho v2 , Por otra parte iL ZL i2 ZL

v2

Con lo que nos queda

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hf i2 hf i1 i2 ZL ho i2 1 ZL ho Por tanto la ganancia de corriente ser:

i1

iL AI i1

i2 i1

hf 1 ZL ho

Impedancia de entrada Zi. v1 Zi i1 De la malla de entrada v1 i1 hr v2 Por otra parte hf ZL AI iL ZL 1 ZL ho

hi

i1 v2

i2 ZL

Sustituyendo v2 en la expresin de v1 hf ZL hi i1 hr 1 ZL ho

i1 v1

Por lo que la impedancia de entrada ser

v1 Zi i1

hi hr

hf ZL 1 ZL ho

Ganancia o amplificacin de tensin AV. v2 AV

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v1 Como se ha visto anteriormente v2 AI iL ZL v1 Zi i1

Por tanto v2 ZL AI AV v1 Zi Ganancia o amplificacin de tensin AVS. v2 AVS vS v2 vS v2 v1 AV v1 AVS vS

v1 vS

De la malla de entrada v vS v1 R S i1 v1 RS Zi Por tanto v1 vS RS Zi Zi

1

R v1 1
S

R v1
S

Z
i

Zi

Zi

Sustituyendo en la expresin de AVS

v2 AVS vS

AV RS

Zi Zi

AI

ZL RS Zi

Si RS = 0, AVS = AV, es decir, AV es la ganancia de tensin para una fuente de tensin ideal.

Admitancia de salidaY0.
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Por definicin la impedancia de salida (inverso de la admitancia) se obtiene cortocircuitando la fuente de tensin vS, haciendo la impedancia de carga infinita (circuito abierto) y poniendo en los terminales de salida in generador de tensin v2.

Figura 5.14.- Circuito para el clculo de la impedancia de salida.

Una vez hecho esto, obtendremos la impedancia de salida como

v2 o bien Yo Zo i2 Zo

1 v2

i2

Analizando la malla de entrada hr i1 hi i1 hr v2 0 i1 hi RS v2 R S

De la malla de salida

i2

hf i1

ho v2

ho v2

hf hr v2 hi RS

i2

ho

hf hr hi RS

v2

Por tanto v2 i2 ho hf hr Zo hi RS

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2.4.- Determinacin grfica de los parmetros h.

Vamos a calcular de forma aproximada el valor de los parmetros h de un transistor en la configuracin en emisor comn a partir de sus curvas caractersticas. Los parmetros hfe y hoe se determinarn a partir de las curvas caractersticas de salida, mientras que hie y hre los obtendremos a partir de las curvas caractersticas de entrada. En cualquier caso, aproximaremos las derivadas parciales de las ecuaciones (5.4) y (5.5) por cocientes de incrementos.

Figura 5.15.- Determinacin grfica de hfe.

A la vista de la grfica y teniendo en cuenta la definicin del parmetro hfe tendremos:

f hfe 100 iB VCE iBVCE

vce 0 2 C

i i

2 3 1 3,
C

mA

iB VCE
vce 0

20 10

De forma anloga para hoe

141

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Figura 5.16.- Determinacin grfica de hoe.

Tomando incrementos de tensin y corriente en el entorno del punto Q de polarizacin. f2

6 1

iC

iC

1 9, 1 8, V

mA

31 10

hoe vCE IB vCE IB vCE IB 10 6 8,

ib 0 ib 0

Los dos parmetros restantes los obtendremos a partir de las curvas caractersticas de entrada del transistor en emisor comn

Figura 5.17.- Determinacin grfica de hie.

f1 vBE vBE iB VCE iB VCE

0 015, V 1 5, iB VCE

k hie 10 A

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vce 0

vce 0

Figura 5.18.- Determinacin grfica de hre.

f1 hre vCE IB

vBE

vBE

0 008, V vCE IB 20 V

4 10

vCE IB
ib 0

ib 0

Estos valores son para un caso concreto, sin embargo, son muy similares a los valores tpicos que se pueden considerar para los transistores BJT en general. As, en la siguiente tabla se muestran los valores tpicos de los parmetros segn la configuracin Parmetro Emisor Comn Colector Comn Base Comn 20 k 3,5 10-4 -0,98 0,5 A/V 2 M

1 k 1 k hi -4 2,5 10 ~1 hr 50 -50 hf 25 A/V 25 A/V ho 40 k 40 k 1/ho 2.5.- Modelo de parmetros hbrido simplificado.

Podemos observar como el valor del parmetro hre es muy pequeo (2,510-4) y de forma similar el parmetro hoe, (25 A/V ) por lo que en muchas ocasiones, podremos despreciarlos, obteniendo el denominado modelo de parmetros hbrido simplificado
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Figura 5.18.- Determinacin grfica de hre.

Con lo que las ecuaciones que controlan el comportamiento del transistor se simplifican:

vbe

hie ib ic hfe

ib En esta asignatura, independientemente de la configuracin en la que se encuentre el transistor, ya sea base, emisor o colector comn, utilizaremos siempre el modelo de parmetros hbridos en la configuracin emisor comn.

2.6.- Comparacin de las distintas configuraciones.

A continuacin procederemos analizar distintos circuitos amplificadores con el fin de compara los valores obtenidos en cada uno de ellos. La resolucin la realizaremos utilizando el modelo simplificado que acabamos de plantear. En cada caso calcularemos la ganancia de tensin (AV), la ganancia de corriente (AI) y las impedancias de entrada (Zi) y de salida (Zo), dado que los nicos componentes que tenemos en el circuito sern resistencias, ya que no analizamos el comportamiento en frecuencia de los circuitos, las impedancias de entrada y salida tendrn nicamente una componente real, es decir, sern resistencias, por lo que podremos hablar igualmente de resistencias de entrada (Ri) y de salida (Ro)

Con este circuito, calcularemos la impedancia de salida Zo como el cociente

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