Semiconductores

Erick Amir Pe nael Mass on

Quito,Ecuador Escuela Polit ecnica Nacional Facultad de Ingenier a El ectrica y Electr onica E-mail: amir crew@hotmail.com

ResumenEn la naturaleza se pueden encontrar distintos la conductividad el tipos de materiales segun ectrica que estos posean. Por un lado tenemos a materiales conductores que como su nombre lo indica son excelentes materiales para conducir electricidad f acilmente, por otra parte tenemos a los aislantes los cuales no son buenos conduciendo corriente el ectrica. Pero existen los materiales semiconductores que poseen caracter sticas materiales conductores y aislantes, en lo que respecta a conductividad el ectrica.

I. I NTRODUCCI ON Una caracter stica com un que tienen los dispositivos eletr onicos como los diodos, zener, BJTs, JFETs, MOSFETs, amplicadores operacionales, es que todos est an constituidos por materiales semiconductores, por lo que el estudio de los materiales semiconductores se vuelve algo trascendental en el estudio de Dispositivos Electric onicos. Los semiconductores m as comunes son el silicio, el germanio y el carb on, aquellos semiconductores que se encuentran es estado puro no son ni buenos conductores de corriente el ectrica ni de malos conductores a estos se les denomina semiconductores intr nsecos. En un semiconductor las variables que afectan la conductivi lectrica en este material son las siguientes: dad e La variaci on de la temperatura Variaci on de la energ a luminosa (foto electrones) Dopaje De todos estos factores que pueden modicar el comportamiento de un semiconductor es el Dopaje, que consiste en a nadir impurezas al material, en este caso se denomina semiconductor extr nseco. II. SEMICONDUCTORES INTR INSECOS tomo de este Tomando como ejemplo al silicio, cada a elemento tiene 4 electrones de valencia y al estar pr oximos tomos de silicio, estos el a otros a ectrones se comparten entre tomos adyacentes. De esta manera cada a tomo poseer los a a8 electrones de valencia compartidos, lo que lleva un estado de tomos perequilibrio qu mico, y lo que provoca que estos a manezcan unidos son los enlaces covalentes que precisamente consiste en compartir electrones. En la gura 1 se muestra como se forman los enlaces cova tomos silicio puro, en donde los puntos azules lente entre a representan a los electrones de valencia, las lineas rojas a los enlaces.

Figura 1. Diagrama de enlaces.

III.

CORRIENTE EN UN SEMICONDUCTOR

tomo solo pueden estar en ciertos Los electrones en un a niveles de energ a o en ciertas bandas, cada banda de energ a se encuentra separada por una banda proh bida, en donde obviamente no pueden existir electrones. En la gura 2 se muestra un esquema de los niveles de energ a tomo de silicio a un temperatura de 0o K . en un a

Figura 2. En la banda de conducci on no hay electrones.

La corriente el ectrica se dene como el ujo de carga por unidad de tiempo. Dado que estamos hablando de un semiconductor intr nseco como el silicio, observamos que este no posee electrones en la Banda de Conducci on, y por lo tanto no existe carga libre para que exista la conducci on de corriente el ectrica. Entonces para que exista corriente el ectrica a trav es de un semiconductor este debe tener electrones libres en la banda de conducci on. Sin embargo los electrones libres no son nicos que pueden generar corriente los denominados los u huecos tambi en pueden crear corriente el ectrica. Para llevar un tomo que se encuentre en el nivel de valencia, electr on de un a a la banda de conducci on, es necesario proporcionarle una cantidad de energ a determinada, a esta energ a se le llama Energ a de Ionizaci on. IV. ELECTRONES LIBRES Y HUECOS

V.

DOPAJE

Para un cristal de silicio intr nseco que se encuentre a temperatura ambiente es f acil obtener la energ a necesaria para liberar electrones hasta la banda de conducci on, convirti endose en electrones libres. Estos electrones al pasar a la banda de valencia dejan un espacio vac o en la banda de valencia, estos espacios se los denomina huecos. Por cada electr on liberado a trav es de una energ a de ionizaci on se crea un hueco, y se produce un par electr on-hueco, en donde un electr on pasa de la banda de valencia a un hueco. A continuaci on en la gura 3 se muestra un pequeo esquema de este fen omeno.

Los semiconductores intr nsecos, a pesar de ser capaces de permitir el paso de corriente el ectrica bajo ciertas condiciones de temperatura, no ofrecen una manera able de controlar la corriente el ectrica a dem as de tener un valor limitado. La raz on de que esto suceda es por la peque na cantidad de electrones libres en la banda de conducci on y de la misma forma un n umero reducido de huecos en la banda de valencia. Para incrementar el n umero de electrones libres y de huecos en un semiconductor intr nseco es necesario modicarlo, a nadiendo impurezas al este material. Esta es un forma controlable de cambiar el comportamiento de un semiconductor, al realizar esta modicaci on se desprende dos tipos de semiconductores, que ahora con impureza se denominan Semiconductores Etr nsecos, y son los semiconductores extr nsecos Tipo N y Tipo P. Para realizar el proceso de dopaje, se pueden utilizar elementos pentavalentes y trivalentes, dependiendo de que se emplee tendremos la clasicaci on de los semiconductores extr nsecos. VI. SEMICONDUCTOR TIPO N

En orden para aumentar el n umero de electrones en la banda de conducci on, al material semiconductor se le a naden impu tomos con 5 electrones rezas del tipo pentavalente, es decir a de valencia como el f osforo (P), antimonio (Sb), bisuto (Bi) y ars enico (As). Este semiconductor que ha sido contaminado con impurezas pentavalentes se le denomina Semiconductor Extr nseco tipo N, donde N se reere a negativo, es decir tiene carga negativa. En la gura 4 ilustra el dopaje del silicio tomo de antimonio. con un a

Figura 3. Creaci on de pares electrones-huecos.

Ahora bien, al aplicarse un voltaje a un trozo de silicio bajo estas condiciones de temperatura, los electrones libres en el nivel de conducci on se podr an mover f acilmente, haciendo que exista conducci on de corriente el ectrica. En un semiconductor, a este movimiento de electrones se denomina Corriente de Electrones. Existe otro tipo de corriente que ocurre en el nivel de valencial, en donde se encuentran los huecos creados por aquellos electrones que fueron liberados,aquellos electrones de valencia que permanecen en el nivel de valencia, no tienen la misma libertad de moverse a trav es de la estructura cristalina como lo hacen los electrones libres, pero estos pueden moverse a un hueco, sin requerir mucha energ a, luego otro electr on de ltimo electr valencia pasar a a ocupar el lugar del u on, y de esta manera se produce una corriente denominada Corriente de Huecos.

Figura 4. Impureza pentavalente en una estructura de cristal de Silicio

tomos de silicio Como se ilustra en la Figura 4, los a tomo de antimonio forman enlaces covalentes, adyacentes al a tomo de silicio comparte un electr y cada a on con el antimonio, alcanzando un equilibrio, pero dado a que el antimonio es una impureza de tipo pentavalente, existe un electr on sobrante, este electr on pasa a ser un electr on de conducci on, debido a que no forma parte de ning un enlace, y de aqu tambi en se relaciona el concepto de asociar al semiconductor tipo N con carga negativa, por que como podemos ver sobra un electr on

el mismo que aporta una carga negativa al material. Como el tomo pentavalente es quien cede un electr a on, este recibe el tomo donador o a tomo donor. Es posible controlar nombre de a el n umero de electrones libres que se encuentran en la banda de conducci on, a trav es de el n umero de impurezas donadoras que sean a nadidas al semiconductor intr nseco. Con este proceso de dopaje, no se producen huecos en el semiconductor extr nseco ya que el n umero de electrones de conducci on excede el n umero de elecrones requeridos para llenar un hueco. Portadores Mayoritarios y Portadores Minoritarios Dado que existe una mayor cantidad de electrones,que son los portadores de carga, los portadores mayoritarios en un semiconductor tipo N son los electrones son los Portadores Mayoritarios. A pesar de que los electrones de conducci on abundad en un semiconductor tipo N, tambi en existen huecos, que son creados por la variaci on de temperatura que hay en el ambiente, el n umero de huecos es reducido en comparaci on con la cantidad de electrones de conducci on, por lo que a los huecos se los denomina Portadores Minoritarios. VII. SEMICONDUCTORES TIPO P

y por esta raz on, los huecos son los Portadores Mayoritarios, sin embargo por la variaci on t ermica que exista pueden existir electrones de conducci on, pero estos son muy escasos en n umero por lo que en un semiconductor extr nseco tipo P los Portadores de Cargas Minoritarios son los electrones de conducci on. VIII. EL DIODO

Para aumentar el n umero de huecos en la banda de valencia, se a nade impurezas trivalentes al semiconductor intr nseco, tomos de galio (Ga), boro dichas impurezas pueden ser de a tomos trivalente de (B) e indio (In). Seg un la Figura 5 los a boro son empleados en los enlaces covalentes, pero dado que se necesitan 4 electrones, hace falta un electr on, y aqu se forma un hueco.

Al tomar un bloque de silicio, y dopar una parte de el, tomos de un elemento trivalente y la otra parte que sea con a tomos de un elemento pentavalente, se crea un dopada con a l mite llamado uni on PN, entre las partes de tipo N y tipo P, de esta forma se crea un Diodo. Considerando que un semiconductor tipo P, esta constituido tomos de silicio y de a tomos de una impureza trivalente, de a como el boro, este genera un hueco, al enlazarse con los tomos de silicio, el n a umero de electrones y protones es el mismo, indistintamente del material, el material es neutro ya que no existe carga neta. De igual forma un semiconductor tomos de silicio y a tomos de tipo N, esta compuesto de a tomos de antimonio, y una impureza pentavalente, sean estos a tomo de impureza ya fue establecido anteriormente que el a pentavalente, a nade un electr on libre, sin embargo, en el material existe igual n umero de electrones e igual n umero de protones, por lo que no existe carga neta. En la gura 6 se muestra la estructura b asica de un Diodo, al momento en el que se forma la uni on PN, y q muestra a los portadores mayoritarios y minoritarios.

Figura 6. Algunos electrones libres se difunden en la uni on y caen en huecos

Regi on de Empobrecimiento
Figura 5. Impureza trivalente en una estructura de cristal de Silicio

tomo trivalente puede aceptar un electr Dado que un a on tomos trivalentes se los llama a tomos aceptores o a los a aceptadores. En este caso la carga a que hacer referencia un tomo de semiconductor tipo P es positiva ya que en cada a la impureza trivalente existe un d ecit de electrones, la carga respectiva es positiva. Portadores Mayoritarios y Portadores Minoritarios Puesto que en un semiconductor existe una carencia de electrones, los encargados de portar la corriente ser an los huecos

Tambi en conocida como Zona de Agotamiento. En el momento que se forma la uni on PN los electrones libres del material tipo N, que se encuentran cerca de la uni on, comienzan a combinarse con los huecos del material tipo P. A partir de este instante el material tipo N tiende a perder electrones a medida que los mismos se difunden a trav es de la uni on, esto provoca que cerca de la uni on existan cargas positivas es decir iones pentavalentes. De la misma forma el material tipo P comienza a perder huecos a medida que aquellos que est an cerca de la uni on se combinan con los electrones del material tipo N, como consecuencia se forman cargas positivas es decir iones trivalentes. Esta formaci on de

iones en la uni on es lo que se conoce como la Regi on de Empobrecimiento, y este nombre hace referencia a que en esta zona existe una ausencia de portadores de carga.

El campo el ectrico representa una barrera para los electrones de conducc on de la regi on N, y para que estos electrones puedan moverse a trav es del campo el ectrico, es necesario que se consuma una cantidad de energ a, es decir que se debe proporcionar una energ a externa para mover a los electrones a trav es de la reg on de empobrecimiento. Para mover una carga a trav es de un campo el ectrico se necesita aplicar una diferencia de potencial, en el caso de la reg on de empobrecimiento esta diferencia de potencial es el voltaje requerido para mover a los electrones por el campo el ectrico, a esta diferencia de potencial se le denomina potencial de barrera, sus unidades est an en voltios [V ]. IX. DIRECTA POLARIZACI ON

Figura 7. Diodo B asico

En la Figura 7 se muestran como se genera la Zona de Empobrecimiento al unir dos materiales semiconductores tipo N y tipo P. Los signos + representan a los iones positivos y los signos - de color amarillo representan a los iones negativos. Cada par de iones negativos y positivos en la un on se denomina Dipolo. Es decir la creac on de un dipolo se debe a que un electr on de conducco on y un hueco han sido remomvidos de la circulaci on, y a medida que aumenta el n umero de dipolos, la zona de empobrecimiento se queda sin portadores de carga. Potencial de Barrera Seg un la Ley de Coulumb, en cualquier instante en el que exista una carga negativa y positiva, existe una fuerza que inuye sobre la carga. Como se presenta en la Figura 8 existen varias cargas positivas y negativas a cada lado de la uni on PN. Se forma un campo el ectrico por las fuerzas que existen entre las cargas opuestas, en la gura se representa con las entre las cargas positivas y las cargas negativas.

Si se aplica un voltaje a trav es de un diodo este se polariza. En el caso de la polarizaci on directa, es posible el paso de corriente el ectrica a trav es del diodo. En la gura 9 se muestra una fuente de voltaje conectada a un diodo por medio de conductores(cables), en direcc on tal que se produzca una polarizaci on directa. El voltaje entregado por la fuente se denomina Voltaje de Polarizaci on. La resistencia que se presenta en la gura limita la corriente entregada por la fuente, para que el diodo no resulte da nado, se le denomina resistor limitador.

Figura 9. Diodo polarizado directamente

Figura 8. Las echas representan al campo el ectrico en la regi on de empobrecimiento

Lo que ocurre fundamentalmente dentro del diodo, bajo la condici on de que es polarizado directamente, muestra la gura 10. Dado que las cargas de igual signo se repelen mutuamente, la parte negativa de la fuente que entrega el voltaje de polarizac on, repele a los electrones libres de la regi on N, hacia la uni on PN. Como se mencion o en la secci on 6 de este documento, a este ujo de electrones se lo conoce como corriente de electrones. Es necesario que la fuente de voltaje de polarizaci on entregue un voltaje mayor a la barrera de potencial, para que exista dicho ujo de electrones. El valor de la barrera de potencial depende del material. Para diodos de silicio 0.7 V y para diodos de germanio 0.3 V. Una vez que los electrones pasan de la regi on N a la regi on P, estos han perdido energ a, siendo incapaces de combinarse inmediatamente con los huecos en la reg on P. Por lo tanto dichos electrones se quedan en la banda de valencia , por el

(a) Sin polarizaci on

Figura 10. El lado negativo de la fuente tambi en genera un ujo de electrones que pasan por los conductores

simple hecho de que perdieron eneg a y no poseen la suciente para sobrepasar la barrera de potencial y mantenerse en la banda de conducci on. Ahora estos electrones, que tienen carga negativa, son atra dos por la parte positiva de la fuente que entrega el voltaje de polarizaci on, hacia la parte izquierda de la regi on tipo P, en esta regi on se encuentran huecos, que en un material tipo P son los portadores mayoritarios. Estos huecos proporcionan una especie de camino, para los electrones provenientes de la regi on N, y estos puedan desplazarse por la regi on P. A este ujo de electrones a trav es de huecos es lo que se mencion o como corriente de huecos. Esto provoca que, a medida que los electrones, pasen de la regi on P hacia al conductor, estos siguen dejando huecos en esta regi on, y los electrones de valencia en el conductor, pasan a ser electrones de conducci on. Cabe recalcar que en un conductor, la banda de valencia y la banda de conducci on se solapan, provocando que exista una gran disponibilidad de electrones libres, entonces, los electrones de valencia que provienen de la regi on P no requieren de mucha energ a para que estos pasen a ser electrones libres, ademas en la estructura de un conductor no existen huecos, a diferencia de un semiconductor, que si los tiene. Esta disponiblidad de huecos, es lo que permite que exista un paso continuo de corriente de electrones, cuando estos pasan a trav es de la uni on PN, a la regi on P. Consecuencia de la polarizaci on directa sobre la regi on de empobrecimiento Con el ujo de m as electrones libres hacia la reg on de empobrecimiento, se produce un decreci on en la cantidad iones en esta zona, esto provoca que exista una reducci on de la regi on de empobrecimiento como se muestra en la gura 11. Al ser aplicada la polarizaci on directa, los electrones libres de la regi on N, reciben la energ a necesaria para superar el potencial de barrera, siendoles posibles pasar la regi on de empobrecimiento, la eneg a que estos electrones reciben de la fuente de polarizaci on es igual al potencial de barrera. Esto quiere decir que los electrones pierden una cantidad de energ a igual al potencial de barrera, al atravesar la regi on de empobrecimiento, lo que produce una ca ada de voltaje en la uni on NP, igual al potencial de barrera. Tambi en existe una ca da de voltaje en las regiones N y P,

(b) La reg on de empobrecimiento disminuye y existe un voltaje en esta regi on igual al potencial de barrera Figura 11. Polarizaci on directa

respectivamente, debido a la resistencia interna que posee el material. Para un semiconductor que ha sido dopado a esta resistencia se la denomina resistencia din amica, cuyo valor es muy peque no y por lo general es despreciada. X. INVERSA POLARIZACI ON La condici on que impide que exista circulaci on de corriente el ectrica, en un diodo semiconductor, se conoce como polarizaci on inversa. La gura 12 indica como se produce una fuente de voltaje produce una polarizaci on inversa sobre un diodo.

Polarizaci on Inversa. Por la ausencia de corriente el Rlimitador no es exactamente necesario.

Figura 12.

De la misma forma que en la polarizaci on directa, el voltaje entregado por la fuente se denomina Vpolarizaci on, en la gura 12 se puede apreciar como la parte negativa de la fuente esta conectada a la regi on P del diodo, y la parte positiva de la fuente conectada a la regi on N del diodo. Ademas se puede ver como la reg on de empobrecimiento ha aumentado. Lo que ocurre dentro de un diodo en polarizaci on directa,

como se puede apreciar en la gura 13, es que, dado a que cargas de distinto signo son atra das, el lado positivo de la fuente de polarizac on atrae a los electrones libres que se encuentran en la regi on N. Esto provoca que a medida que los electrones son atra dos hacia la parte positiva de la fuente, se creen mas iones positivos, y esto se traduce en un crecimiento de la regi on de empobrecimiento. Mientras en la regi on P los electrones de valencia se mueven a trav es de los huecos presentes en esta reg on, creando mas iones negativos, que provoca un as mismo un crecimiento de la regi on de empobrecimiento.

Figura 14. Corriente inversa en polarizaci on inversa

con los huecos de la regi on N y formar una corriente de huecos. Ruptura inversa Si el voltaje de polarizaci on de la fuente aumenta hasta un valor llamado voltaje de ruptura, la corriente inversa su valor se vera dr asticamente aumentado. Lo que ocurre, es que al tener un voltaje de polarizaci on alto, los portadores minoritarios que se encuentran en la regi on P, adquieren una gran cantidad de energ a, esto provoca que adquieran una gran velocidad y tomos presentes en esta reg choquen contra los a on, al ocurrir estos choques, con la suciente energ a, se consiguen liberar a los electrones de valencia hasta la banda de conducci on. De igual forma estos electrones que acabaron de ser creados, poseen mucha energ a y el proceso anterior vuelve a ocurrir. tomo Si se considera que un electr on al chocar contra un a libera a otros dos electrones, el numero de electrones liberados se multiplican con gran velocidad. Dado que estos electrones poseen una gran cantidad de eneg a la barrera de potencial no presenta un obst aculo para ellos, y se combinan f acilmente con los huecos de la regi on N. Al efecto de multiplicar los electrones de conducci on se le conoce como efecto avalancha. La corriente inversa bajo estas circunstancias puede aumentar dr asticamente, lo que se traduce en un incremento de la temperatura, lo mismo que puede resultar una amenaza para el diodo si no se toman medidas para evitar este efecto. R EFERENCIAS
[1] Albert Paul, Principios de Electr onica, 5ta Edici on, 1996, Editorial Mc Graw Hill, p aginas: 25-33. [2] Thomas L. Floyd, Dispositivos Electr onicos, 8va Edici on, 2008, Editorial Pearson Pretience Hall, p aginas: 6-21. [3] Electr onica F acil Sitio-Web:http://www.electronicafacil.net/tutoriales/ Diodos-Semiconductores.php [4] TECNOPIRN: DEPARTAMENTO DE TECNOLOGA, SitioWeb:http://tecnopiron.webcindario.com/ejemplosipelectricidad/ FundamentossicosdelaInformatica-Semiconductores-ElDiodo.pdf [5] Electr onica Unicrom, Sitio-Web:http://www.unicrom.com/Tut diodo.asp

Figura 13. El desplazamiento de los electrones de valencia, se puede considerar como huecos que son jalados al lado positivo de la fuente

Existe un peque no ujo de portadores de carga y solo existe en un periodo de tiempo muy peque no luego de que el voltaje de polarizaci on es aplicado de forma inversa. A meidad que la reg on de empobrecimiento va creciendo, lo disponibilidad de portadores mayoritarios en ambas regiones va decreciendo. Dado que esto provoca un aumento en la cantidad de iones positivos y negativos, el n umero de dipolos va aumentando, lo que se convierte en un incremento del campo el ectrico en la regi on de empobrecimiento hasta que el potencial es igual al voltaje de polarizaci on, hasta este instante la corriente de transici on para, con la excepci on de un peque na corriente inversa, cuyo valor es pr acticamente despreciable. Corriente Inversa En la polarizaci on directa, existe una corriente inversa luego que la corriente de transici on desaparece, esta es provocada por los portadores minoritarios en las regiones p y n. Una peque na cantidad de electrones libres de la regi on P son repelidos por la parte negativa de la fuente, hacia la uni on PN, al llegar aqu estos electrones traspasan la regi on de empobrecimiento y se combinan con los portadores minoritarios, es decir huecos de la regi on N, estos se mueven a trav es de esta regi on como electrones de valencia hacia la parte positiva de la fuente, creando as una peque na corriente de huecos. La gura 14 ilustra como se produce la corriente inversa dentro de un diodo polarizado inversamente. La banda de conducci on P tiene un nivel de energ a mas alto que el de la regi on N, por lo que los electrones que provienen de la regi on P no requiren de mucha energ a para combinarse