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2.
Qu es tensin umbral?
Es el valor de la tensin a partir del cual el diodo conduce mucho. A partir de la Tensin Umbral Barrera de Potencial la intensidad aumenta mucho variando muy poco el valor de la tensin.
3.
La caracterstica del diodo ideal puede representarse como sigue: si un voltaje negativo (relativo a la direccin de referencia indicada en la figura del diodo)
se aplica al diodo, no fluir corriente y el diodo se comportar como un circuito abierto. Los diodos operados en este modo se dice que estn en polarizacin inversa este diodo tiene corriente cero cuando se opera en la direccin inversa. Por otro lado si una corriente positiva (relativa a la direccin de referencia indicada en la figura del diodo) se aplica al diodo ideal, aparecer una cada de voltaje cero en el diodo. En otras palabras, el diodo ideal se comporta como un cortocircuito en sentido directo, deja pasar cualquier corriente con cada de voltaje cero. La Terminal positiva del diodo se le denomina nodo y la Terminal negativa se denomina ctodo.
4.
EFECTO AVALANCHA. Al mismo tiempo que la tensin a travs del diodo se incrementa en la regin de polarizacin inversa, la velocidad de los portadores minoritarios (responsables de IS) tambin se incrementa. A la larga, sus velocidades y sus energas cinticas sern suficientes para liberar portadores adicionales mediante colisiones con estructuras atmicas de otro modo estables. Esto es, resultar un proceso de ionizacin por medio del que los e- de valencia absorbern energa suficiente para abandonar el tomo padre. Estos portadores adicionales pueden as ayudar al proceso de ionizacin, hasta el punto en que se establezca una elevada corriente de avalancha y se determina la regin de ruptura de avalancha. EFECTO ZENER. Cuando un diodo est muy dopado la zona de deplexin es muy estrecha. A causa de ello, el campo elctrico en esta zona es muy intenso. Cuando el los e- de sus rbitas de valencia. La creacin de e- libres de esta manera recibe el nombre de efecto zener (tambin conocido como emisin de campo intenso).
Este efecto es diferente del efecto avalancha que requiere que los portadores minoritarios con grandes velocidades desliguen e- de valencia mediante choques. El efecto zener depende solamente de la intensidad del campo elctrico. El efecto zener ocurre para valores de tensin inferiores a 4 V, mientras que el efecto avalancha requiere tensiones superiores a 6 V. Para valores de tensin comprendidos entre los 4 y los 6 V pueden coexistir ambos efectos sin prevalecer uno sobre otro. A la mayora de los diodos no se les permite llegar a la ruptura (usualmente > 50 V). Sin embargo, en otros casos, se busca trabajar en la zona inversa (diodos zener. Se vern en el apartado 7 de este captulo)
En la zona de polarizacin inversa RD es del orden de los M. En la zona entre 0 y V RDes del orden de las centenas de . En la zona de conduccin (VD > V .) RD es del orden de las decenas o unidades de .
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Tensin de ruptura (Vr ). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha
6.
1.- La regin de polarizacin directa, determinada por v>0 2.- La regin de polarizacin inversa, determinada por v < 0 3.- La regin de disrupcin, determinada por v< -Vzk Polarizacin directa Se alcanza cuando el voltaje en las terminales v es positivo. A una corriente constante dada del diodo la cada de voltaje entre este diodo decrece aproximadamente en 2 mV por cada incremento de 1C en temperatura, debido a la dependencia tanto de Is como de Vt en la temperatura. Este cambio en el voltaje del diodo con la temperatura se emplea para el diseo de los termmetros electrnicos.
Polarizacin inversa
Se entra en la regin de polarizacin inversa cuando el voltaje v del diodo se hace negativo. La siguiente ecuacin predice que si v es negativo y unas cuantas veces mayor que Vt(25 mV) en magnitud, el trmino exponencial llega a ser despreciable en comparacin con la unidad y la corriente del diodo viene a ser: i= Is (ev/nVt-1) Vt = KT/q Donde K=constante de Boltzmann T=temperatura absoluta en grados Kelvin q= magnitud de la carga electronica por lo que: i -Is
Esto es, la corriente en la direccin inversa es constante e igual a Is. Esta es la razn del trmino corriente de saturacin. Los diodos reales presentan corrientes inversas que aunque bastante pequeas son mucho ms grandes que Is. Por ejemplo, un diodo de pequea seal o de 1 mA cuya Is es del orden de 10-4 a 10-15 puede mostrar una corriente inversa del orden de 1 nA. La corriente inversa tiene tambin cierto incremento cuando aumenta en magnitud el voltaje inverso. Una buena parte de la corriente inversa se debe a efectos de fuga. Las corrientes de fuga son proporcionales al rea de unin, al igual que Is. Cabe mencionar que la corriente inversa es una funcin que depende mucho de temperatura, la regla prctica de que cada 10C en el incremento de temperatura se duplica.
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C. GRAFIQUE LO SIGUIENTE:
1.
Los esquemas equivalentes para el diodo ideal, segunda y tercera aproximacin y mencione sus
aproximacin diferencias. 2.
Primera aproximacin del diodo Representa el diodo en el caso ideal. La primera aproximacin ignora la corriente de fugas, la barrera de potencial y la resistencia interna. Cuando un diodo ideal se polariza en directa, el modelo es un interruptor cerrado. Cuando un diodo ideal se polariza en inversa, el modelo es un interruptor abierto. Primera aproximacin (ideal)
Segunda aproximacin del diodo Este modelo supone que no fluye ninguna corriente por el diodo hasta que la polarizacin directa en el mismo alcanza los 0,7 voltios. Este modelo ignora la forma exacta del codo.
Tercera aproximacin del diodo Este modelo supone que no fluye corriente por el diodo hasta que la polarizacin directa del diodo alcanza los 0,7 voltios. Este modelo ignora la forma exacta del codo. Este modelo s tiene en cuenta la resistencia interna del diodo. Sin embargo, como la resistencia interna es menor que 1 W puede ignorarse. Tercera aproximacin
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