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( )
be ie b
v h i =
i
c
=( h
fe
)i
b
por lo que:
0
CEQ
be
ie
V
b
v
ce
v
h
i
=
=
0
CEQ
ce
c
fe
V
b
v
i
h
i
=
=
h
ie
= Impedancia de entrada con la salida en corto.
i = input.
e = emisor comn.
h
fe
= Ganancia de corriente en sentido directo con la salida en corto.
f = forward - directo
e =emisor comn
B).- Circuito abierto en la entrada (
0 =
b
i
)
( )
be re ce
v h v =
( )
c oe ce
i h v =
por lo que:
re
h
= Ganancia de voltaje en sentido inverso con la entrada abierta.
r = reverse
e = emisor comn
h
oe
= Admitancia de salida con la salida abierta.
o = output
e = emisor comn.
0
BQ
b
be
re
I
ce
i
v
h
v
=
=
0
BQ
b
c
oe
I
ce
i
i
h
v
=
=
Determinacin de los parmetros h
De las curvas de entrada pueden ser determinados grficamente los parmetros h
ie
y h
re
Puede observarse que h
ie
corresponde a la resistencia dinmica del diodo B-E
Puede observarse que h
re
corresponde un valor muy pequeo, su valor se encuentra en el rango de
1x10
-4
a 3x10
-4
, y para efectos prcticos puede considerarse cero
b
i
B
i A
BE
V A
V V
CE
20 =
V V
CE
1 =
V V
CE
19 = A
0
BE
CEQ
be BE BE
ie
V
b b B
V
v v v
h
i i i A=
A c
== =
A c
T T T
ie fe
CQ
CQ CQ
fe
V V V
h h
I
I I
h
= = =
b
i
b
i
BE
v
BE
v
CE
V A
BQ
I
BE
V A
0
BE
CQ
be BE BE
re
V
ce CE CE
I
v v v
h
v v v A=
A c
== =
A c
Los parmetros hfe y hoe se obtiene a partir de las curvas de salida y como se indican en las mismas
0
c
CEQ
c c C
fe
i
b B B
V
i i i
h
i i i A
A c
== =
A c
0
C
CQ
c C C
oe
i
ce CE CE
I
i i i
h
v v v A
A c
== =
A c
Se observa que el valor de oe
h
es muy pequeo, un valor tpico es de aproximadamente de 100 m
siemens y para fines prcticos puede considerarse como Admitancia 0 = resistencia infinita.
Modelo del Amplificador en Emisor Comn incluyendo el modelo de seal pequea del transistor
Las impedancias de entrada y de salida pueden obtenerse fcilmente mediante observacin del circuito:
ie B i
h R Z || =
y c o
R Z =
La ganancia de voltaje puede obtenerse a partir de la multiplicacin de los siguientes factores
L L ce be
V
s ce be s
v vvv
A
v vvv
= =
1
L
CE
v
v
=
ce feb c L
v hi RR ( = (
be ie b
v h i =
C L ce
fe
be ie
RR v
h
v h
=
B ie be
s B ie
Rh v
v Rh rs
=
+
A
v
=
V
L
V
S
= h
fe
R
C
R
L
h
ie
.
B ie
B ie
R h
R h rs +
A
i
=
i
L
i
S
=
i
L
i
b
.
i
b
i
s
i
L
i
S
=
R
C
R
C
+R
L
h
fe
i
b
i
S
=
R
B
R
B
+rs
A
i
=
i
L
i
S
=
R
C
R
C
+R
L
h
fe
R
B
R
B
+rs
A
i
=
i
L
i
S
=
V
L
R
L
V
S
rs+z
i
=
V
L
V
S
.
rs+z
i
R
L
A
i
= A
v
z
i
+rs
R
L
PROBLEMA.- El transistor 2N3904 tiene un
h
fe
de 125 cuando su punto de operacin es
I
CQ
= 1mA
y
V
CEQ
= 6V
. Se pretende polarizar este transistor mediante la tcnica de divisin de
tensin.
a).- Calcular el valor adecuado de cada uno de los resistores para cumplir con esa condicin de
polarizacin y bajo los siguientes datos adicionales; Vcc=12V,
R
B
=
1
10
R
E
y
V
E
=
1
10
V
CC
.
Una vez polarizado el transistor, el circuito se utilizar como amplificador. La seal a amplificar
proviene de una fuente de voltaje con resistencia interna de 50
4. Se recomienda seleccionar voltajes de alimentacin que sean estndar. (Mltiplos de 1.5 V) por
ejemplo 12V.
5. Se recomienda elegir corrientes de colector
0.5 I
CQ
4mA
EJEMPLO DE DISEO DE UN AMPLIFICADOR DE SEAL PEQUEA EN
CONFIGURACIN DE EMISOR COMUN.
PROPUESTA DE DISEO: Disear un amplificador en E.C. como el que se muestra en la figura de
tal manera que se obtenga una ganancia de voltaje de
V
ce
V
be
igual a 200.
SOLUCION:
Paso 1
La figura nos sugiere una polarizacin por divisor de tensin
Sabemos que la ganancia de voltaje:
V
ce
V
be
= hfe
R
C
hie
R
C
hib
R
C
V
T
I
CQ
Por lo que
R
C
= 200(
V
T
I
CQ
)
Seleccionando
I
CQ
= 1mA
y que
V
T
= 25 mV
a
25
O
C
Entonces
R
C
= 5K
Siendo su valor comercial ms cercano de
R
C
= 5. 1K
Paso 2
Proponiendo que el punto de operacin se encuentre a la mitad de la recta de carga, entonces
V
CEQ
=
1
2
V
CC
Eligiendo
V
CC
= 12V
entonces
V
CEQ
= 6V
El anlisis en D.C. para la trayectoria de salida del amplificador tenemos que:
V
CC
= V
RC
+V
CEQ
+V
RE
Por lo que
V
RE
= V
CC
V
RC
V
CEQ
V
RE
= V
CC
V
CEQ
R
E
I
EQ
Como
I
CQ
I
EQ
Entonces
V
RE
12V 6V 5K(1mA)
V
RE
1V
Ahora por la ley de Ohm.
R
E
=
V
RE
I
EQ
V
RE
I
CQ
=
1V
1mA
= 1K
Ahora s; ya tenemos las condiciones de recta de carga en D.C. para que el punto de operacin sea
fijado por la malla de la base, es decir, solo nos falta seleccionar los voltajes de
R
1
y
R
2
para tal
propsito.
Para establecer estos valores, primeramente agregaremos un grado de estabilidad que deber tener el
punto de operacin con respecto a los cambios de
Si se elige un transistor 2N3904, este tiene una
+R
E
)
Siendo su valor comercial mas cercano:
R
1
= 18K
R
2
=
V
CC
V
BB
R
B
=
12
1. 8
15K
R
2
= 100 K
En resumen, si queremos obtener una ganancia de voltaje de 200 para el circuito mostrado en la figura
los elementos debern ser
V
CC
= 12V
R
1
= 18K
R
2
= 100 K
R
E
= 1K
R
C
= 5. 1K
Transistor 2N3904
PREGUNTAS :
Qu sucede con el amplificador en E.C. diseado si la seal a amplificar proviene de una fuente de
voltaje con resistencia interna rs y que pasa adems si se conecta una resistencia
R
L
de carga acoplada
en A.C.?
Qu sucede con la ganancia =-200?
Cmo deben ser los valores de
r
S
y
R
L
para que la ganancia de 200no se afecte
significativamente?