UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

TRABAJO COLABORATIVO 2

JAVIER ANDRES ACOSTA IZARIZA

CODIGO 1.056.928.697
BETTY SULAY PEA SANTAMARIA
COD. 52162775

GRUPO: 100414_17

FISICA ELECTRONICA

Trabajo Presentado a:
Ingeniero: FREDY TELLEZ

U.N.A.D.
UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA
INGENIERIA DE SISTEMAS
2011

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INTRODUCCIN
El siguiente trabajo de investigacin que se presenta es sobre Conductores,
Semiconductores y Aislantes, en el cual se maneja lo que es Teora de Bandas de cada uno
de los tres materiales, una lista de conductores del de mayor calidad al de menor, los tres
tipos de semiconductores existentes que son muy tiles en nuestros tiempos y las diferentes
clases de aislantes que como se vera mas adelante una de ellos nos ahorra grandes
cantidades de dinero y muchos recursos.
Con la realizacin del presente trabajo podemos afirmar con prctica en el simulador que
dependiendo de la facilidad con que permiten la circulacin de corriente en un circuito, los
materiales se pueden dividir en conductores, aislantes o semiconductores, tambin
exponemos los materiales conductores que tienen uno o dos electrones de valencia, pero
entre estos los mejores conductores son los que tienen un electrn de valencia, como el oro,
la plata y el cobre. De estos tres, el ms empleado en circuitos elctricos es el cobre.
Enunciamos las principales caractersticas y diferencias existentes entre un material aislante,
un conductor y un semiconductor; en donde para un mejor anlisis y comprensin damos
ejemplos claros y en algunos casos conocidos por todos nosotros. Como lo es el caso de los
Conductores cuyos ejemplos son Cobre, plata, hierro, aluminio, agua salada, hablamos y
profundizamos temas como los Semiconductores de Tipo N un Semiconductor tipo N se
obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al
semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso
negativas o electrones), y semiconductores de tipo Un obtenindose cuando se llevando a
cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder
aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Se
realizaron importantes y claras consultas sobre los tipos de diodos LED, el zner y el
fotodiodo, observando que gracias al descubrimiento de los materiales semiconductores, la
electrnica pudo desarrollarse a tal punto de llegar a la invencin de la nanotecnologa

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OBJETIVOS
General:
Analizar cada uno de Semiconductores junto con su estructura Atmica, que mediante
consulta se expongan sus principales caractersticas y diferencias permitiendo as ampliar los
conocimientos adquiridos a travs de este curso.
Especficos:
D eterminar como se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P, llegando as a
determinar con total apropiacin del tema sus cualidades y caractersticas adquiridas con
respecto al semiconductor puro.
Analizar la expresin Las nuevas tecnologas dependen de un componente principal al
que se le denomina procesador, este es la unin de miles de millones de transistores, dentro
de un contexto fsico y llevado a diario para solucin de problemticas o inconvenientes,
cumpliendo de esta forma con el enriquecimiento personal y profesional.

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FASE 1
1.

MATERIA
L

Enuncie las principales caractersticas y diferencias existentes entre un material aislante,

un conductor y un semiconductor. De algunos ejemplos de cada grupo.
CARACTERISTICAS

DIFERENCIAS

EJEMPLOS

AISLANTE

No existe aislante absoluto.

Su resistencia al paso de corriente elctrica
hasta 2,5 1024 veces mayor que la de los
buenos conductores

ms de 4 electrones en la capa de valencia

La magnitud de la banda prohibida es muy
grande ( 6 eV), de forma que todos los
electrones del cristal se encuentran en la
banda de valencia incluso a altas
temperaturas por lo que, al no existir
portadores de carga libres, la conductividad
elctrica del cristal es nula.

mica, fibras de vidrio con un

aglutinador plstico, vidrio,
porcelana

CONDUCTOR

Son los metales su esestado slido a

temperatura normal, excepto el mercurio que
es lquido opacidad, excepto en capas muy
finas buenos conductores elctricos y
trmicos
No existe banda prohibida, estando
solapadas las bandas de valencia y
conduccin. Esto hace que siempre haya
electrones en la banda de conduccin, por lo
que su conductividad es muy elevada. Esta
conductividad disminuye lentamente al
aumentar la temperatura, por efecto de las
vibraciones de los tomos de la red cristalina.

SEMICONDUC
TOR

Material slido o lquido capaz de conducir la

electricidad mejor que un aislante, pero peor
que un metal.
incremento de la conductividad provocado por
los cambios de temperatura, la luz o las
impurezas
A temperaturas muy bajas, los
semiconductores puros se comportan como
aislantes

menos de 4 electrones en la capa de valencia

, todo tomo de metal tiene nicamente un
nmero limitado de electrones de valencia con
los que unirse a los tomos vecinos
posee 4 electrones en la capa de valencia La
magnitud de la banda prohibida es pequea (
1 eV ), de forma que a bajas temperaturas son
aislantes, pero conforme aumenta la
temperatura algunos electrones van
alcanzando niveles de energa dentro de la
banda de conduccin, aumentando la
conductividad. Otra forma de aumentar la
conductividad es aadiendo impurezas que
habiliten niveles de energa dentro de la
banda prohibida.

El agua, con sales como

cloruros, sulfuros y carbonatos
que actan como agentes
reductores (donantes de
electrones), conduce la
electricidad. cromo, cobalto,
cobre, oro, iridio, hierro, plomo
en general todos los metales

silicio, el germanio, el selenio,

el arseniuro de galio, el
seleniuro de cinc y el telururo
de plomo

Cmo se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P ? Qu cualidades o

caractersticas adquiere este material con respecto al semiconductor puro ?
TIPO N:
Cuatro de los cinco electrones del tomo de arsnico se unirn a los correspondientes
electrones de los cuatro tomos de silicio vecinos, y el quinto quedar inicialmente libre, sin
una posible unin, y por tanto se convertir en un portador de corriente. A este tipo de
impurezas que entregan electrones portadores (negativos) se los denomina donadores o del
tipo n.
En un semiconductor con impurezas del tipo n, no slo aumenta el nmero de electrones sino
que tambin la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tena el semiconductor
puro.
2.

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TIPO P
Si al semiconductor puro de silicio se le aade algn tipo de impureza que tenga tres
electrones externos, solo podr formar tres uniones completas con los tomos de silicio, y la
unin
incompleta
dar
lugar
a
un
hueco.
Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos, ya que crean huecos
que pueden aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores,
o impurezas del tipo p
Al contrario de lo que suceda antes en el tipo n en un semiconductor con impurezas de tipo p
los portadores que disminuyen son los electrones en comparacin, con los que tena el
semiconductor
puro.
A los semiconductores que contengan ya sea impurezas donadoras o aceptadoras se les
llama respectivamente de tipo n o p. En un semiconductor del tipo n, los electrones se
denominan portadores mayoritarios y los huecos portadores minoritarios.
Consulte sobre otros tipos de diodos, diferentes al rectificador, el LED, el zner y el
fotodiodo.
Diodo Varactor (Varicap): Este diodo, tambin llamado diodo de capacidad variable, es, en
esencia, un diodo semiconductor cuya caracterstica principal es la de obtener una
capacidad que depende de la tensin inversa a l aplicada.
Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisin y los de receptores de
radio en FM.
Representacin en Circuito

Smbolo
Grfica del Diodo

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Diodo Tnel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto
rpidamente al observar su curva caracterstica, la cual se ve en el grfico. En lo que
respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero en
el sentido de paso ofrece unas variantes segn la tensin que se le somete. La intensidad de
la corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensin hasta llegar a la
cresta (C) desde donde, al recibir mayor tensin, se produce una prdida de intensidad hasta
D que vuelve a elevarse cuando se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensin.

Smbolo

Representacin en circuito

Diodo Shockley: es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o
de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera
Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es
un tipo de tiristor.
La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia
(OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la
tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia del diodo
desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y
disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver
al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo
aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin
en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I

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Representacin en Grafica
Smbolo
Representacin en Circuito

4. Cuales son las principales caractersticas y diferencias existentes entre un transistor NPN
y uno PNP.
TRANSISTOR

CARACTERISTICAS

DIFERENCIAS

NPN

llamados transistores bipolares de union Es un

componente semiconductor que tiene tres
terminales. Encienden con 1 lgico
Es decir que los NPN encienden con un voltaje
mayor a 0,7V y se apagan con un voltaje menor
a 0,7V
BASE (b), EMISOR (e), COLECTOR

PNP

llamados transistores bipolares de union Es un

componente semiconductor que tiene tres
terminales. Encienden con un 0 logico
encienden con un voltaje menor que VCC-0,7V
y se apagan con un voltaje mayor a VCC-0,7V
BASE (b), EMISOR (e), COLECTOR

su base es positiva solo le puede aplicar tension

positva Internamente est formado por un cristal
que contiene una regin P entre dos N (transistor
NPN) Los transistores NPN como el 2n2222
permiten el paso de corriente desde colector hacia
emisor, cuando reciben un voltaje (mayor a 0,7V)
en su base.
pnp su base es negativa osea solo puedes
aplicarle a su base tension negativa O una regin
N entre dos regiones P, (transistor PNP ) Los
transistores PNP como el 2n3906, permiten el
paso de corriente desde emisor hacia colector
(que es en el sentido contrario de los NPN),
cuando reciben un voltaje (menor a VCC-0,7) en su
base.

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5. Cual es la importancia de los elementos semiconductores en el actual desarrollo

tecnolgico ?
Hoy da parecera imposible la vida sin la cantidad de chips y circuitos que nos rodean, ya
que la evolucin de la humanidad y de la electrnica ha presentado muchos avances en la
fabricacin de los chips hechos a base de elementos semiconductores.
Antiguamente no se poda concebir la idea de tener a nuestra disposicin los servicios de
computacin, estos eran netamente gubernamentales, la electrnica se asociaba a radio y
televisin y poco tena que ver con nosotros, l tcnica utilizada para compilacin de cdigos
era que el desarrollador escribia el cdigo lo enviaba a un sitio de compilacin y si
presentaba algn error se deba hacer nuevamente el proceso.
El afn de tener a disposicin de las masa el serivicio de radio y televisin hizo que el campo
de la fabricacin de circuitos a bajos costes fuera uno de los principales campos de la
investigacin.
Es as como en septiembre del 58 Jack Kilby presenta el primer circuito integrado Este tena
el tamao aproximado de la mitad de un clip e integraba en el mismo material semiconductor
distintos elementos electrnicos, todava debieron pasar 10 aos hasta que las compaas se
convencieron de que esta nueva tecnologa iba a revolucionar el mundo, desde entonces no
deja de crecer el nmero de inventos que est compuestos por ellos y no se espera que esta
tecnologa sea reemplazada muy pronto.

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FASE 2
Simulacin de Circuitos Electrnicos: realice la simulacin de los siguientes circuitos y
analice los resultados obtenidos.
1. Polarizacin del Diodo Comn. Construya los siguientes circuitos y realice su simulacin
por medio del software Workbench. Explique lo sucedido.
indicador: sonda roja

En la simulacin de la parte izquierda el indicador enciende debido a que el diodo se polariza

en directa lo que permite que la corriente circule a travs del circuito y encienda el indicador
color rojo. En la simulacin de la parte derecha el indicador no enciende debido a que el
diodo esta polarizado en inversa con respecto a la fuente de voltaje lo que impide el paso de
la corriente a travs del circuito.

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2. Aplicacin del Diodo como Rectificador. Construya los siguientes circuitos y realice su
simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las grficas obtenidas en el
osciloscopio. Compare la seal de entrada con la seal de salida. Explique lo sucedido.
a) Rectificador de Media Onda

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El rectificador de media onda que consta de un solo diodo da una seal
de salida que es la seal de entrada a 12 voltios de 60 hertz sin el lbulo negativo del ciclo de
la onda; debido a que en el semiciclo negativo el diodo se polariza en inversa la corriente no
circula a travs del circuito lo que genera que idealmente en la seal de salida haya un 0 de
voltaje que en la realidad se traduce a -0.7 voltios debido al potencial generado en la juntura
del diodo.
b) Rectificador de Onda Completa con Puente de Greatz

El puente rectificador cumple la funcin de invertir el lbulo perteneciente al semiciclo

negativo de la onda, esto lo hace gracias al arreglo de los diodos que permiten que el voltaje
se invierta cuando es negativo en la salida generando una onda de salida en corriente directa
es decir eliminando la parte alternante de esta onda volvindola puros semiciclos positivos en
la salida.
3. Aplicacin del Transistor como Amplificador. Construya el siguiente circuito y realice su
simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las grficas obtenidas en el
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osciloscopio. Compare la seal de entrada con la seal de salida.
Explique lo sucedido.
Nota: Tenga en cuenta que la seal del Generador de Funciones es una onda
seno, de 2 mV de amplitud y 60 Hz ( ver figura anterior )
instrumentos: osciloscopio

El arreglo que se realiz en la simulacin se llama emisor comn y gracias al arreglo de los
resistores el transistor PN2222A esta en la zona del trabajo de amplificacin realizando una
multiplicacin de una constante beta (ganancia) por la seal de entrada. Esta accin
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consigue que la seal de entrada con dos milivoltios de pico se transforme
en una seal de salida con aproximadamente 300 milivoltios a la misma frecuencia de la
seal de entrada, lo que indica que la ganancia es aproximadamente 150.
En el circuito amplificador, la polarizacin del transistor se consigue mediante el dividir la
tensin formada por la resistencia R1 y R2. Con el circuito en reposo (sin V e), podemos
saber si el circuito funciona midiendo las tensiones de polarizacin y las intensidades de
base, de emisor y de colector (Hay que recordar que I e=I b+I c).
Veamos ahora como se produce la amplificacin en este circuito. Al amplificar una seal
alterna en la entrada, estamos modificando la tensin de base-emisor del circuito, por
consiguiente, la I b, depende de la conduccin de transistor.
Supongamos que en la entrada aparece el semiciclo positivo de una seal alterna. A travs
del condensador de acople C1, se elevar la tensin de base, y por tanto, la de base-emisor.
Esto hace que aumente I b y se reduzca la barrera entre base y colector. El resultado es que
el transistor conduzca ms, (aumenta la I c), aumenta la VR c y decrece entre colector y
emisor ( por tanto tambin decrece entre colector y masa). La tensin de colector que antes
era constante, ha disminuido y el condensador de desacoplo C 2 transmitiendo a la salida el
descenso de V e como el semiciclo negativo, igual que en el de entrada pero amplificado y
desfasado 150. Pasemos ahora al semiciclo negativo en la entrada. A travs de C 1 la
tensin de base disminuir, por tanto, la tensin V b-e , con lo que tambin lo har la I b. De
esta forma crece la barrera entre base y colector y el transistor conducir menos (baja la I c).
As, aumenta la V e y al haber menos corriente, baja la tensin en R L. El efecto es que la
tensin de colector sube u el condensador C2 transmite esta variacin a la salida con el
desfase de 180 indefinidamente.
El condensador de emisin se utiliza para estabilizar la tensin de emisor V e. Con las
variaciones de corriente de colector se producen variaciones de tensin en R e, en colector
emisor y en R e (Resistencia de emisor). Esta ultima no interesa mantenerla estable para que
esta polarizacin contine como si estuviera en estado de reposo, en el que la polarizacin
del transistor es estable. El condensador C e mantiene la polarizacin de emisor constante y
evita la distorsin producida por la misma tensin alterna de entrada.

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CONCLUSIONES
Con la elaboracin de este trabajo se pudo ampliar nuestros conocimientos adquiridos con
el apoyo del Modulo, al consultar un tema tan amplio y claro como lo es Semiconductores
describiendo algunas de sus principales caractersticas y diferencias.
Se puede a ciencia cierta y con toda la seguridad determinar como se obtiene un
semiconductor tipo N y uno tipo P, coherentemente afirmando que el propsito del dopaje
tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material y el propsito del
dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo
tetravalente
Gracias a trabajos tan prcticos como este nos concientizamos de los avances que se ha
podido alcanzar con el desarrollo de semiconductores y conductores junto con sus
propiedades y elementos, tan as que conlleva al uso tecnolgico con el que contamos hoy
en da en nuestros hogares, nuestros trabajos y en nuestra sociedad, podemos concluir que
de ideas esta hecho el mundo, ideas llevadas a cabo y materializadas en un objeto u
herramienta diminuta.

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BIBLIOGRAFIA

MODULO CURSO ESTRUCTURA DE DATOS

Hermes Mosquera Angulo, UNAD 2.009

CIBERGRAFIA

http://www.monografias.com/trabajos65/tipos-diodos/tipos-diodos.shtml
http://roboticaenlasergio.wordpress.com/category/examenes-y-notas/
http://www.forosdeelectronica.com/f27/introduccion-transistores-46961/
http://www.noticias3d.com/articulo.asp?idarticulo=148

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