El Transistor BJT 1/ 11

1. Introduccin

Un transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la seal en uno
de los terminales controla la seal en los otros dos. Se construyen principalmente de
Silicio o Germanio.

Se utilizan en la amplificacin de seales, fuentes de poder reguladas y como switches
o interruptores.

Se tienen varios tipos de transistores, los cuales se pueden ubicar en dos grupos:

BJT: Transistor Bipolar de Unin
FET: Transistor de Efecto de Campo

Este tema abarca bsicamente el uso del transistor BJT como amplificador de seales.

2. Transistor BJT

El transistor bipolar de unin (BJT, por sus siglas en ingles: Bipolar Junction Transistor)
es tambin conocido como transistor de unin. Como su nombre lo indica, es un
dispositivo de tres terminales, dos uniones y doble polaridad.

Est formado por la unin de material tipo P y tipo N a manera de capas, dando as la
clasificacin del BJT en NPN y PNP, tal como muestra la figura 1.


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N P N
E C
B
BJT NPN
P N P
C E

B


BJT PNP

Figura 1

A cada capa se le asocia un terminal, y reciben los nombres de:

E Emisor
B Base
C Colector

Las capas de los extremos (de mayor espesor) corresponden a los terminales E y C. La
capa central, de menor espesor, corresponde al terminal B.

La capa asociada al terminal Emisor posee el mayor nivel de impurezas, lo que indica
alta conductividad debida a los portadores mayoritarios. La capa asociada al terminal
Colector est menos dopada que la capa Emisor, por lo cual es un poco menos
conductiva que esta ltima. La capa asociada al terminal Base posee un ligero nivel de
El Transistor BJT 2/ 11
impurezas, lo que indica que esta capa tiene una alta resistencia para los portadores
mayoritarios, es decir, es una capa de baja conductividad.

3. Operacin del BJT
a operacin del transistor se logra con la polarizacin de cada unin PN o NP del
Tabla 1
Polarizacin

L
dispositivo. Dependiendo del tipo de polarizacin (directa o inversa) de cada unin, se
tendr al transistor operando en una zona de trabajo especfica de acuerdo a la tabla 1.

Unin B-C
de
Operacin
Caractersticas
Zona
E-B Unin
Directa Inversa Activa Vsal > 0 , Isal > 0
Inversa Directa Invertida Vsal < 0 , Isal < 0
Directa Directa Saturacin Vsal 0
Inversa Inversa Corte Isal 0
V
EE
V
CC
V
EE
y V
CC
fuentes para
polarizacin de las uniones
BJT PNP
P N P
E C
B

a ubicacin del transistor en la zona activa, permite el uso del dispositivo como
Operacin del BJTen laZonaActiva
1. BJTPNP en laZonaActiva
a polarizacin de las uniones en un transistor BJT PNP se muestra en la figura 2.

Figura 2

a unin E-B est polarizada directamente y la barrera de potencial en la unin es
L
amplificador de seales, por tal razn se har nfasis en esta zona de operacin.

4.

4.

L








L
estrecha, lo que permite la conductividad debida a los portadores mayoritarios del
material tipo P al material tipo N, tal como muestra la figura 3.





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El Transistor BJT 3/ 11

BJT PNP
V
EE
P N P
I
PORMAY
E C
B
V
CC








Figura 3
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BJT PNP
V
EE
P N P
I
PORMAY
E C
B
V
CC
I
pormin

a unin B-C est polarizada inversamente y no hay conduccin debido al flujo de
Figura 4

n vista de que la capa asociada al terminal Base tiene muy baja conductividad, muy
e puede resumir entonces que en un BJT PNP la conductividad (corriente) se presenta
L
portadores mayoritarios, pero si se presenta un flujo de portadores minoritarios del
material tipo N al material tipo P, tal como indica la figura 4.











E
pocos portadores mayoritarios irn hacia ese terminal. La mayor parte de los portadores
mayoritarios que vienen de la unin E-B, al llegar al material tipo N de la unin B-C se
convierten en portadores minoritarios que provocan la conductividad en esta unin
polarizada inversamente.

S
desde el terminal Emisor hacia el terminal Colector con una muy baja corriente hacia el
terminal Base. La figura 5 ilustra las corrientes en el BJT PNP.


BJT PNP








Figura 5
V
EE
P N P
I
PORMAY
E C
B
V
CC
I
pormin
I
B
I
E
I
C
El Transistor BJT 4/ 11
B
E
C
BJT PNP
B
C
E
BJT NPN

odo esto permite establecer una ecuacin para las corrientes en un BJT PNP:
I
E
= I
B
+ I
C

2. BJTNPN en laZonaActiva
n el BJT NPN el sentido de las corrientes a travs del dispositivo lleva el sentido


a corriente en un BJT NPN se presenta de Colector a Emisor con muy poca corriente a
I
E
= I
B
+ I
C

SmboloCircuital del BJT
l smbolo circuital para el BJT NPN y el BJT PNP es similar, diferencindose entre

Figura 7

T

4.

E
contrario al del BJT PNP. La figura 6 muestra la polarizacin de las uniones, el efecto
sobre la barrera de potencial de cada unin, el flujo de portadores, as como tambin el
sentido de las corrientes en el dispositivo.


BJT NPN
I

V
EE
N P N
PORMAY
E C
B
V
CC
I
pormin
I
B
I
E
I
C






Figura 6
L
travs del terminal Base, pero observando la figura 6, se puede concluir que en un BJT
NPN se sigue cumpliendo la ecuacin de corrientes del BJT PNP, por lo cual la
ecuacin se conoce en general como: Ecuacin de corrientes del BJT.

5.

E
ellos por el sentido de la corriente en cada dispositivo. La figura 7 muestra los smbolos
del BJT.









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El Transistor BJT 5/ 11
6.
A
Vi
Vo
Vo
t
Vi
t
Relacin entrelas Corrientes en el BJT
a ecuacin de corrientes en el BJT es: I
E
= I
B
+ I
C
, La corriente I
B
es muy pequea,
I
E
>> I
B
e I
C
>> I
B

La relacin entre las corrientes en el BJT indican que el mismo es un dispositivo
Configuracin del BJTcomoAmplificador deSeales
n amplificador es un dispositivo que eleva o aumenta la magnitud de una seal de
Figura 8

n el amplificador las seales son medidas con respecto a un punto comn y en vista
ependiendo del terminal que se tome comn a los otros dos, se tendr una

L
debido a la baja conductividad de la capa Base, lo que hace que I
E
I
C
con I
E
> I
C
, por
los niveles de impurificacin de las capas Emisor y Colector. Entonces:


controlado por corriente, ya que una corriente muy pequea (I
B
) controla una corriente
mayor (I
E
, I
C
), lo que permite expresar al dispositivo como un amplificador de seales.

7.

U
entrada sin modificar su forma de onda. (Ver figura 8)








E
de que el transistor es un dispositivo de tres terminales, su uso en los amplificadores
requiere que uno de sus terminales sea comn a los otros dos.

D
configuracin especfica del transistor para su uso como amplificador. Estas
configuraciones son:

Configuracin Base Comn
Configuracin Emisor Comn
Configuracin Colector Comn
1. Configuracin BaseComn
ara la configuracin de base comn con transistores pnp y npn, la terminologa de la
a figura 9 muestra un transistor BJT NPN en configuracin base comn.

7.

P
base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a la
salida de la configuracin. A su vez, por lo regular la base es la terminal ms cercana a,
o que se encuentra en, el potencial de tierra.

L
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El Transistor BJT 6/ 11

B
E C
V
BE
V
CB
Entrada Salida
I
C
I
E
I
B
Configuracin Base Comn BJT NPN
Figura 9

Existe una relacin de proporcionalidad entre la corriente de salida (I
C
) y la corriente de
l valor de se evala en c.c., es decir para voltaje de salida constante como:










entrada (I
E
) en la configuracin base comn: I
E
I
C
. La relacin de proporcionalidad
entre estas dos corrientes viene dada por el factor de amplificacin de corriente de base
comn ().

E

E
C
I
=
I

omo I
E
> Ic , 1 y < 1.
sta configuracin no produce ganancia de corriente, pero si de tensin. En la
2. Configuracin Emisor Comn
La configuracin de transistor que se encuentra ms a menudo aparece en la figura 10

C

E
configuracin base comn, los valores de corriente de salida, amplificacin, o mejor
dicho es reduccin siempre son menores a 1 (No quiere decir que tendremos
corrientes de 1 A, sino que la corriente de colector base ser menor a la corriente de
emisor base ejemplo I
E
= 7 puede originar una corriente I
C
= 6.9, siendo la entrada de
seal en el emisor y el colector la salida, V
CB
, la cual est en fase con respecto a la
entrada V
EB
.

7.

para los transistores pnp y npn. Se le denomina configuracin de emisor comn debido
a que el emisor es comn o hace referencia a las terminales tanto de entrada como de
salida (en este caso, es comn tanto a la terminal de base como a la de colector).





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B
E
C
V
BE
V
CE
Entrada
Salida
I
C
I
E
I
B
Configuracin Emisor Comn BJT NPN











Figura 10

a relacin de proporcionalidad entre la corriente de salida (I
C
) y la corriente de entrada
l valor de se mide en c.c. para un punto de operacin esttico del transistor (salida
L
(I
B
) en la configuracin emisor comn viene expresada por el factor de amplificacin de
corriente de emisor comn ().

E
fija) como:

B
C
I
=
I

l valor de puede relacionarse con el valor de a partir de la ecuacin de corrientes
I I I
E
del BJT.

B C E
+ =

C
E
I =
I
y

C
B
I =
I

Sustituyendo los valores de I
E
e I
C
en la ecuacin de corrientes se tiene:


C
C
C
I + =

I I

1+ =

1 1
Con lo que:
1 +
=

=
1


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El Transistor BJT 8/ 11
Adems con el valor de y la ecuacin de corrientes del BJT se puede determinar el
valor de I
E
como:

B C E
I I I + =

B C
I I =

B E
I I ) 1 ( + =

La configuracin emisor comn puede utilizarse para amplificacin de voltaje, corriente
o potencia, adems de poder actuar como interruptores.

No se puede decir que una configuracin es mejor que la otra, depende del uso que se
le quiera dar, aprovechando sus particulares caractersticas, en esta configuracin por
una corriente pequea de entrada se obtiene una corriente enorme de salida ejemplo
para 10uA de entrada se obtiene 1 mA de salida, pero no se tiene la estabilidad de la
configuracin base comn donde las corrientes son muy similares.

Por otro lado, esta configuracin tiene una salida desfasada con respecto a la entrada.

7.3. Configuracin Colector Comn

En la configuracin de colector la amplificacin de corrientes es similar a la que realiza
la configuracin emisor comn con la diferencia de que en la configuracin colector
comn la salida est en fase con la entrada. La ganancia de voltaje es ligeramente
menor que la unidad. Se caracteriza por tener una elevada impedancia de entrada y
una baja impedancia de salida, lo que permite el uso de esta configuracin como
convertidor de impedancias y como aislador. La figura 11 muestra una configuracin del
BJT NPN en colector comn. Obsrvese que el colector se encuentra conectado a la
tierra aunque el transistor est conectado de manera similar a la configuracin del
emisor comn.


Configuracin Colector Comn BJT NPN


E

B
C
V
BC
V
EC
Entrada
Salida
I
C
I
E
I
B







Figura 11


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El Transistor BJT 9/ 11
8. Curvas Caractersticas del BJT

El comportamiento del BJT se representa grficamente a travs de dos curvas: Curva
de entrada y Curvas de Salida. Estas curvas caractersticas del BJT son propias de
cada configuracin.

La curva de entrada relaciona la corriente de entrada con el voltaje de entrada para
mostrar grficamente el voltaje de salida. La figura 12 muestra una curva de entrada
general.

i
entrada
i
salida
v
salida
i
entrada1
0
i
entrada2
i
entrada3
i
entrada n
i
entrada n-1


v
salida









v
entrada
(V) v
entrada
Q


Figura 12

Las curvas de salida, relaciona la corriente de salida con el voltaje de salida para los
diferentes valores de corriente de entrada constante. Cada curva de salida corresponde
a una curva de corriente de entrada constante. La figura 13 muestra un juego de curvas
de salida general.
















Figura 13

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9. Lmites deOperacin del BJT

En las curvas de salida del transistor BJT se pueden identificar las zonas de operacin
del transistor: corte, saturacin, activa e invertida; tal como indica la figura 14, donde se
muestra el juego de curvas de salida para un BJT en configuracin Emisor Comn.

i
C
Vce
Pdmax
Pd1
S
A
T
U
R
A
C
I
O
N
Icmax
I
CBO
V
CE
sat V
CEO
CORTE



ACTIVA








INVERTIDA


Figura 14

Zona deCorte: Esta zona se caracteriza por tener una corriente de salida en el transistor
aproximadamente cero, por lo que en esta zona el dispositivo acta como circuito
abierto (til en interruptores). Est limitada por el valor de I
CBO
, que indica el tope de la
zona de corte.

Zona de Saturacin: En esta zona el transistor presenta un voltaje de salida
aproximadamente cero, por lo que puede representarse como un corto circuito para
esta condicin (til en interruptores). La zona de saturacin se limita para valores de
salida del transistor por debajo del voltaje de saturacin, en este caso V
CE
sat, el cual es
un valor suministrado por el fabricante en las hojas de datos del dispositivo.

Zona Activa: Se define tambin como la zona lineal de la caracterstica, y por ello el
transistor se ubica aqu para su uso como amplificador de seales aprovechando las
propiedades de la linealidad en el anlisis circuital. La salida del transistor tanto en
corriente como el voltaje son valores positivos los cuales se mantienen constantes
sobre una curva de entrada seleccionada. La zona activa est limitada en cuanto a
voltaje para valores de voltaje de salida del transistor, en este caso V
CE
, para:
V
CE
sat<V
CE
<V
CEO
, donde V
CEO
es suministrado en las hojas de datos e indica el mximo
voltaje de salida que puede obtenerse del transistor sin salir de la zona lineal. En cuanto
a corriente el valor de I
CB
max dado por el fabricante indica el tope de la zona activa.

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Zona Invertida: La zona invertida permite tener salidas negativas en el transistor tanto en
corriente como en voltaje. La ubicacin del transistor en esta zona no tiene gran utilidad
en la amplificacin de seales.

La figura 14 muestra otro juego de curvas tipo hiprbola, estas curvas limitan la
operacin del transistor con respecto a los niveles de potencia disipada por el
dispositivo (Pd).

10. Especificaciones del Fabricante

Al igual que para el diodo, para el transistor se especifica una hoja de datos con varios
parmetros caractersticos del dispositivo. Entre estos parmetros los ms utilizados
son:

V
CEO
: Mximo voltaje de colector a emisor en la zona lineal.
V
BEO
: Mximo voltaje de base a emisor.
I
CBO
: Mxima corriente en la zona de corte.
I
CB
max: Mxima corriente de colector a base en la zona lineal.
Pdmax: Potencia mxima disipada por el dispositivo.
Tjmax: Temperatura mxima permitida en cada unin del BJT.
T
CO
: Mxima temperatura en la carcaza del transistor, por debajo de la cual se tiene
Pdmax.
o hfe: Factor de amplificacin de corriente en emisor comn.
: Factor de amplificacin de corriente en base comn.
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