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OFPPT/DRIF/CDC ELECTROTECHNIQUE

1



OFPPT


ROYAUME DU MAROC

























MODULE N:19
INITIATION DE BASE EN
ELECTRONIQUE




SECTEUR :FROID

SPECIALITE :FI

NIVEAU :TECHNICIEN












Office de la Formation Professionnelle et de la Promotion du Travail
DIRECTION RECHERCHE ET INGENIERIE DE FORMATION
RESUME THEORIQUE
&
GUIDE DE TRAVAUX PRATIQUES
P0RTAIL BE LA F0RNATI0N PR0FESSI0NNELLE A0 NAR0C

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Rsum de Thorie et Guide de travaux pratique Initiation de base en electroniques
OFPPT/DRIF/CDC ELECTROTECHNIQUE

2


Document labor par :

Nom et prnom EFP DR
LAZAR BOTESCU ISIC DRGC




Rvision linguistique
-
-
-

Validation







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Table de matires
1. Matriaux semi-conducteurs.............................................................................................. 11
1.1. Introduction................................................................................................................. 11
1.2. Jonction P-N................................................................................................................. 12
2. Les aspects des semi-conducteurs ...................................................................................... 12
2.1. Diode............................................................................................................................. 12
2.1.1 Polarisation dune diode ..................................................................................... 13
2.1.2 Aspect physique de la diode: .............................................................................. 13
2.2 Transistor bipolaire..................................................................................................... 15
2.2.1 Structure physique du transistor....................................................................... 15
2.2.2 Symbole de transistor et son modle diodes................................................... 15
2.2.3 Aspect physique du transistor............................................................................ 16
2.3. Transistor effet de champ........................................................................................ 16
2.3.1 Principe de fonctionnement................................................................................ 16
2.3.2 Symbole graphique de JFET.............................................................................. 18
2.3.3 Aspect physique du transistor effet de champ............................................... 18
2.4. Thyristor ou SCR........................................................................................................ 18
2.4.1 Principe de fonctionnement................................................................................ 18
2.4.2 Symbole graphique de thyristor......................................................................... 19
2.4.3 Aspect physique du thyristor ............................................................................. 19
2.5. TRIAC.......................................................................................................................... 20
2.5.1 Principe de fonctionnement................................................................................ 20
2.5.2 Le symbole de Triac ............................................................................................ 20
2.6 DIAC............................................................................................................................. 20
2.7 Circuits intgrs........................................................................................................... 21
2.7.1 Le principe dintgration : ................................................................................. 21
2.7.2 Botiers.................................................................................................................. 21
2.8 Thermistance ............................................................................................................... 22
2.9 Les Optocoupleurs....................................................................................................... 23
3. Caractristiques des semi-conducteurs ............................................................................. 24
3.1 Caractristiquement de la diode ................................................................................ 24
3.2 Caractristiquement du transistor bipolaire ............................................................ 25
3.3 Caractristiquement du transistor effet de champ ............................................... 30
3.4 Caractristiquement du thyristor.............................................................................. 31
3.5 Caractristiquement du triac ..................................................................................... 36
3.6 Caractristiquement du dia........................................................................................ 39
3.7 Caractristiquement de lamplificateur oprationnel ............................................. 42
3.7.1 Symboles et branchements ................................................................................. 42
3.7.2 Caractristiques................................................................................................... 42
3.7.3 Rgime de fonctionnement ................................................................................. 43
3.7.4 Amplification linaire ......................................................................................... 44
4. Redressement....................................................................................................................... 47
4.1 Redresseur simple alternance .................................................................................... 47
4.2 Redressement double alternance a prise mdiane ................................................... 48
4.3 Redressement double alternance en pont.................................................................. 49
4.4 Comparaison entre les diffrentes tensions des redresseurs ................................... 50
4.5 Filtrage ......................................................................................................................... 52
4.6 Principe de fonctionnement dun rgulateur de tension monolithique.................. 52
5 Les instruments ncessaires pour les travaux pratiques ................................................. 57
TP1. Identification dune diode....................................................................................... 59
TP2. Redressement et filtrage ......................................................................................... 59
1. Redressement demi onde simple (sans capacit) .......................................... 60
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2. Redressement demi onde simple (avec capacit)........................................... 60
3. Redressement pleine onde.................................................................................... 61
TP3. Utilisation des rgulateurs monolithiques............................................................ 62
TP4. Amplificateur Oprationnel ................................................................................. 63
1. Montage non inverseur........................................................................................... 63
2. Montage inverseur ................................................................................................... 65
3. Montage mlangeur (ou additionneur) ............................................................... 65
TP5. Transistors bipolaires NPN et PNP ....................................................................... 66
1. Vrification dun transistor bipolaire .................................................................. 66
2. Montage dun transistor bipolaire........................................................................ 67
TP6. Thyristor triac - diac.......................................................................................... 69
1. Vrification dun SCR lOhmmtre ................................................................... 69
2. Application du SCR pour la commande tout ou rien. ............................................. 71
3. Application du SCR pour la commande progressive. .............................................. 71































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MODULE 20 : INITIATION DE BASE EN ELECTRONIQUES

Code : Dure : 75 h
Thorie 42 h
Pratique 28 h
OBJECTIF OPRATIONNEL DE PREMIER NIVEAU
DE COMPORTEMENT


COMPORTEMENT ATTENDU

Pour dmontrer sa comptence, le stagiaire doit
appliquer des notions dlectronique
selon les conditions, les critres et les prcisions qui suivent.


CONDITIONS DEVALUATION

! partir :
- de directives;
- du schma dun circuit.
! laide :
- de fiches techniques des composants;
- dinstruments de mesure;
- de lquipement de protection individuelle.


CRITRES GNRAUX DE PERFORMANCE

! Respect des rgles de sant et de scurit au travail.
! Utilisation approprie des instruments de mesure.
! Exactitude de la terminologie.













( suivre)

OBJECTIF OPRATIONNEL DE PREMIER NIVEAU
DE COMPORTEMENT (suite)
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PRCISIONS SUR LE
COMPORTEMENT ATTENDU

A. Lire des schmas de circuits.






B. Expliquer la fonction des composants des
circuits.


C. Expliquer sommairement le
fonctionnement des circuits.


D. Mesurer les valeurs des circuits.


E. Comparer les valeurs mesures aux
donnes dorigine.


F. Expliquer les carts.


























CRITRES PARTICULIERS
DE PERFORMANCE

- Reconnaissance prcise de la signification des
symboles.
- Localisation exacte :
! des points de branchements;
! des sections des circuits.


- Exactitude des explications.



- Exactitude des explications.



- Prcision des mesures.


- Justesse des rsultats.



- Justesse des explications.



OBJECTIFS OPRATIONNELS DE SECOND NIVEAU
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LE STAGIAIRE DOIT MATRISER LES SAVOIRS, SAVOIR-FAIRE, SAVOIR-PERCEVOIR OU SAVOIR-TRE JUGS PRALABLES
AUX APPRENTISSAGES DIRECTEMENT REQUIS POUR LATTEINTE DE LOBJECTIF DE PREMIER NIVEAU, TELS QUE :



Avant dapprendre lire des schmas de circuits (A) :

1. Reconnatre les semi-conducteurs les plus couramment utiliss.
2. Distinguer les principaux types de thyristors et leurs symboles.

Avant dapprendre expliquer la fonction des composants des circuits (B) :

3. Reconnatre la structure des semi-conducteurs.
4. Reconnatre les principales caractristiques des semi-conducteurs.

Avant dapprendre expliquer sommairement le fonctionnement des circuits (C) :

5. Dcrire le fonctionnement de circuits redresseurs.
6. Expliquer le principe de fonctionnement dun circuit rgulateur simple.
7. Dcrire sommairement les procds damorage et de blocage des thyristors.
8. Reconnatre les principaux circuits de contrle utilisant des thyristors.

Avant dapprendre mesurer les valeurs des circuits (D) :
9. Reconnatre les mesures de scurit relatives lutilisation des semi-conducteurs.
10. tablir un lien entre les symboles dun schma et les composants constituant un circuit.
11. Localiser les points de vrification dun circuit.






















Prsentation du Module
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Module : INITIATION DE BASE EN
ELECTRONIQUE

RESUME THEORIQUE

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1. Matriaux semi-conducteurs

1.1. Introduction

Avant de citer les semi-conducteurs les plus rpandus on tient rappeler que les
composants semi-conducteurs sont constitus des matriaux dits semi-conducteurs, ceux l ne
font partie ni de catgorie des conducteurs comme le cuivre ou laluminium ni de catgorie des
isolants comme le caoutchouc ou la porcelaine. Les semi-conducteurs sont des matriaux qui
appartiennent une catgorie intermdiaire: ils peuvent tre considrs, soit comme des
conducteurs, soit comme des isolants selon les conditions dutilisation.
Les matriaux semi-conducteurs les plus importants sont des lments comme le silicium(Si), le
germanium(Ge) ainsi que larsniure de gallium(GaAs). Leur utilisation dans la fabrication des
diodes, transistors et circuits intgrs a rvolutionn llectronique moderne.
Le silicium ltat pur, se comporte comme un non-conducteur et il nest gure utile. On modifie
la rsistance des semi-conducteurs en introduisant des impurets appropries dans leur structure
cristalline. On dit alors que le semi-conducteur est dop. Le dopage est ralis en introduisant des
atomes ayant des lectrons en plus, ou en moins, sur leur dernire couche par rapport au
semiconducteur doper ayant 4 lectrons. Ainsi larsenic, le phosphore et lantimoine en ont
cinq, donc un de trop. Le bore, le gallium et lindium en ont trois, il en marque un. Les trois
premiers sont appels pentavalents et les trois derniers - trivalents.

Laddition dun lment pentavalent cre un surplus dlectron. Les liens tant tous complts,
les lectrons en trop peuvent se promener dun atome lautre. Ce type de dopage produit un
matriau semi-conducteur de type N (comme Ngatif)..

Laddition dun lment trivalent cre un manque dlectrons quon appelle trou. Un lectron
manquant dans la structure cristalline laisse une place libre o un lectron peut venir se placer en
provenant du lien voisin, laissant son tour un trou l o il tait. Le courant lectrique est appel
un courant de trous, les trous semblant se dplacer. Ce type de dopage produit un matriel de
type P (comme Positif).
Les lectrons libres dans un matriau de type N et les trous dans un matriau de type P sont
appels les porteurs majoritaires du courant lectrique.






Figure 1.1-1 matriau semi-conducteur type N

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Figure 1.1-2 matriau semi-conducteur type P

1.2. Jonction P-N

Lors de la runion de deux types de matriaux semi-conducteurs (type P et type N) on obtient ce
quon appelle une jonction P-N. A la frontire de cette jonction les lectrons libres (-) du cot N
sont attirs vers les trous (+) du cot P. De mme, les trous provoquent un effet dattraction sur
les lectrons libres. Il stablit alors une zone dappauvrissement (ou rgion de dpltion) en
porteurs de charge qui constitue une sorte de barrire sur le chemin du courant.



Figure 1.2-1 Zone dappauvrissement (ou de dpltion)autour de la jonction PN



2. Les aspects des semi-conducteurs

2.1. Diode

Une diode est un semi-conducteur form par la juxtaposition de matriaux semi-conducteurs de
types N et P auxquels on a raccord des broches.
Une diode possde deux lectrodes : la premire appel anode La deuxime cathode et ne laisse
passer le courant que dans un seul sens :sens anode cathode.


A
K


Figure 2.1-1 Diode semi conductrice et le sens de courant

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2.1.1 Polarisation dune diode

a) Polarisation directe

On dit que la diode est polarise en directe lorsque on applique une tension positive au matriau
P (anode A) pendant quune tension ngative est applique simultanment au matriau N
(cathode K).
Ceci a pour effet de rduire la zone dappauvrissement permettant ainsi la circulation du courant
de Avers K. La diode est dans ltat passant, elle se comporte alors comme un conducteur.



Figure 2.1-2 Polarisation directe

En pratique, on arrondit la chute de la tension aux bornes de la diode :
V
f
= 0.7 V pour le silicium
V
f
= 0.3 V pour le germanium

b) Polarisation inverse

Une diode soumise une polarisation inverse se comporte comme un isolant. Elle est ltat
bloqu.
On conclut que le courant dans une diode a un sens unique celui de lanode vers la cathode.


Figure 2.1-3 Polarisation inverse


2.1.2 Aspect physique de la diode:



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Figure 2.1-4 Diode de redressement -diode de puissance



Figure 2.1-5 Diode lectroluminessante



























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2.2 Transistor bipolaire

2.2.1 Structure physique du transistor

Le terme bipolaire explique que dans ce type de transistor on fait appel la fois des porteurs
de charge ngatifs (lectrons) et positifs (trous) pour assurer son fonctionnement.

Le transistor bipolaire est un dispositif trois couches qui forment en consquence deux
jonctions P-N. La figure 2.2-1 reprsente schmatiquement les deux types de transistors
bipolaires .Dans le cas du transistor NPN, la rgion commune de type P est prise en sandwich
entre deux couches de type N. En ce qui a trait au transistor PNP, une rgion N est commune
deux couches de type P. Les trois lments qui correspondent chacune des bornes dun
transistor bipolaire jonctions sappellent lmetteur, la base et le collecteur.




Figure 2.2-1 Rsultat de la juxtaposition des trois blocs.


2.2.2 Symbole de transistor et son modle diodes

Un transistor bipolaire peut tre, comme on a dj vu soit de type NPN (positif), soit de type PNP
(ngatif). La figure 2.2-2 prsente leurs symboles respectifs et leurs structures schmatises
laide des diodes.
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B
B
C
B
E
N
P
N
=
C
B
E
P
N
P
=
C
B
E
=
E
B
C
=
C
E
C
E

Figure 2.2-2 Deux types de transistors.


2.2.3 Aspect physique du transistor

Les transistors On reconnat le transistor par la figure suivante :


Figure 2.2-3 Diffrents botiers de transistors



2.3. Transistor effet de champ

2.3.1 Principe de fonctionnement

La principale diffrence fonctionnelle entre un transistor bipolaire et un transistor effet de
champ, est que le premier est contrl par un courant et que le deuxime est contrl par une
tension.

Comme le montre la figure 2.3-1, la structure physique du transistor effet de champ jonction
- JFET (ang. :Jonction Field Effect Transistor) comporte trois bornes. La borne centrale (Borne
2) est connecte deux rgions qui entoure le canal du JFET (borne 1 et borne 3).

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Figure 2.3-1 Structure dun transistor effet de champ jonction

Il existe deux types de JFET, celui canal N et celui de canal P. La figure 2 prsente la structure
avec lidentification des bornes respectives : La source, la grille et le drain



Figure 2.3-2 Structure dun transistor effet de champ jonction

La source et le drain constituent le circuit de sortie du transistor analogiquement lmetteur et
le collecteur du transistor bipolaire. La grille est llectrode de contrle de ltat du transistor
voil pourquoi on la considre comme le cot dentre.
Un transistor effet de champ ne demande toute fin pratique aucun courant de grille pour se
contrler. Ceci a comme qualit de produire une impdance dentre dune valeur extrmement
leve. Au courant dentre presque nul la puissance quil faut fournir pour commander ce type
de transistor est pratiquement nulle.






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2.3.2 Symbole graphique de JFET

D
S
G

JFET canal N

G
D
S

JFET canal P

Figure 2.3-3 Symbole dun transistor effet de champ jonction

2.3.3 Aspect physique du transistor effet de champ


Figure 2.3-4 Exemples des transistors effet de champ jonction



2.4. Thyristor ou SCR

2.4.1 Principe de fonctionnement

Le thyristor est compos de quatre couches semi-conductrices PNPN .La juxtaposition de ce
quatre couches met en vidence trois jonctions, J
1
, J2 et J3, qui sont essentiellement des diodes
en srie. Labrviation SCR provient de lappellation anglaise Silicone Controlled Rectifier
Le thyristor ou SCR comporte 3 lectrodes qui sont lanode, la cathode, et la gchette. La
gchette est llectrode diffrenciant le SCR dune diode simple.


A
G
K
N
P
N
P
A
K
G
P
N
P P
N
N
A
K
G


Figure 2.4-1 Structure semi-conductrice dun thyristor et son schma quivalent transistors.
Le thyristor est un composant qui devient totalement conducteur, en courant continu, la suite
d'une impulsion lectrique sur son lectrode appele "gchette" ou "G". Non seulement cette
conduction est franche et brutale mais elle est permanente mme aprs cessation de ce courant de
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gchette. Donc il na rien voir avec un transistor dont la conduction reste proportionnelle au
courant de base .Il peut permettre l'allumage d'une lampe (jusqu' 1200V ; 35A) depuis un circuit
lectrique sans passer par un relais par exemple.

2.4.2 Symbole graphique de thyristor



A K
G





Figure 2.4-2 Symbole dun thyristor


Les bornes A et K sont comme en cas de diode : anode et cathode. Llectrode de contrle est
toujours celle gchette.


2.4.3 Aspect physique du thyristor

Comme le thyristor est un composant de puissance, son botier est fabriqu de sorte pouvoir
supporter et dissiper une puissance importante tout en assurant les meilleurs conditions de
refroidissement.



Figure 2.4-3 Diffrents botiers dun thyristor










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2.5. TRIAC

2.5.1 Principe de fonctionnement

C 'est en 1964 qu' est apparu sur le march un dispositif assurant la mise en conduction et le
blocage des deux alternances d'un tension alternative par une seul lectrode ( la gchette ) .Ce
composant trois lectrodes a t appel TRIAC ( Triode Alternating Current ).

Un Triac est un composant semiconducteur quivalent deux thyristors monts en parallle
inverse. Une telle configuration permet une utilisation de triac de faon similaire au thyristor
dans des circuits o la conduction du courant doit tre du type bipolaire ou alternatif. La
commande dun triac est cependant plus simple car on a grer quune seule gchette. En plus la
gchette pour amorcer un triac accepte aussi bien le courant Ig positif que ngatif.

A K
G
A
K
G

Figure 2.5-1 Equivalence de triac - deux thyristors monts en parallle inverse


2.5.2 Le symbole de Triac

Un triac possde deux bornes principales qui ne sont plus appeles anode et cathode. Elle sont
appeles MT2 et MT1 (ou parfois tout simplement B2 et B1) . MT1 est la borne de rfrence .
MT2
G
MT1
I
G
I
+
-
V

Figure 2.5-2 Symbole de triac


2.6 DIAC

Le dclenchement du Triac est command par un composant appel diac qui est un semi-
conducteur conduction bidirectionnelle quivalent en quelque sort deux diodes Zner montes
en opposition.


Figure 2.6-1 Symbole de triac
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Figure 2.6-2 Exemples de diac




2.7 Circuits intgrs

Un circuit intgr est compos dun botier et de plusieurs bornes en fonction de type du circuit.
Parmi les bornes on trouve des bornes dalimentation et des bornes dentres ou des sorties. Les
circuits intgrs sont regroups en deux familles : circuits numriques et circuits analogiques.

2.7.1 Le principe dintgration :

Lintgration des circuits consiste entasser jusqu plusieurs centaines de milliers de
transistor sur une puce de silicium ne mesurant pas plus de 1 centimtre carr. Cest un vrai tour
de force. Plus le niveau dintgration augmente plus le facteur dchelle diminue. Il existe
plusieurs modles de botiers. Ce pendant, les botiers standard de circuit intgrs, spcialement
conus pour tre monts sur des plaquettes de circuits imprims, sont appels DIP (dual in line
package). Ils possdent deux ranges de connexions, pouvant compter de six jusqu 56
broches.

2.7.2 Botiers


Figure 2.7-1 Exemples de botiers de circuits intgrs


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Figure 2.7-2 Brochage DIL 14

A lintrieur du circuit intgr LM 741 par exemple, se trouve une puce de silicium contenant
des transistors, des rsistances et un condensateur. Son botier est montr la figure 2.7-2. Le
point dans le coin suprieur gauche ou encore la coche en demi-lune, identifient lextrmit
partir de laquelle il faut compter le numro des broches. Comme pour la plupart des circuits
intgrs, on compte en allant dans le sens contraire des aiguilles dune montre.


Figure 2.7-3 Botier type MiniDIP


2.8 Thermistance

Un Thermistor est une rsistance variable en fonction de la temprature. La figure 2.8-1 montre
que cette variation est non proportionnelle :sa rsistance diminue quand la temprature augmente.





Figure 2.8-1 Caractristique dun thermistor
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2.9 Les Optocoupleurs
Description
Les optocoupleur s' utilisent pour crer une isolation galvanique entre le circuit de commande en
basse tension et le circuit de puissance ( charge ) de tension suprieur ( par ex : 220 V~ ) .
Symboles

Figure 2.9-1 Optotriac
Les optocoupleurs sortie triacs :
La broche 1 : Anode de la led de commande
la broche 2 : Cathode de la led de commande
les formules sont celles des leds , il faut limiter le courant dans la led avec une rsistance .
la broche 4: A1 du triac
la broche 5 : ne pas connect , correspond au substrat du composants dans certain cas .
la broche 6 : A2 du triac
De mme que pour les triacs il ne faut pas dpasser l' intensit max
Les autres paramtres d ' un optocoupleur sont :
sa tension de sortie ( pour les plus courant 400 V~)
sa tension d' isolation ( la plupart 7500 V )
Rfrences
Les optocoupleur sortie triac :

Figure 2.9-2 Botier doptotriac MOC 3041

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3. Caractristiques des semi-conducteurs

3.1 Caractristiquement de la diode

La figure 3.1-1 pressente la caractristique courant tension de diffrentes diodes. Le quadrant
nr. 1 dcrit le comportement de diodes au cas de la tension et du courant positifs. Cest donc le
cas de la polarisation directe. Le quadrant nr. 3 dcrit le comportement de diodes si la tension
anode cathode est ngative ce quon appelle la polarisation inverse ou en sens bloqu.



Figure 3.1-1 Caractristique courant de la diode


Sur la fiche technique on trouve les informations suivantes :
! La tension inverse de crte rptitive V
RRM
que peut supporter la diode ltat bloqu
sans limitation de dure;
! Tension inverse crte non rptitive V
RSM
que peut supporter la diode ltat bloqu
pendant un temps trs court et infrieur un cycle;
! Le courant direct moyen I0 qui peut traverser la diode en permanence sans limitation de
dure;
! Le courant direct maximal rptitif I
FRM
pouvant traverser la diode en fonctionnement
normal;
! Le courant direct de surcharge non rptitif I
FSM
qui est un courant accidentel de trs
courte dure, admissible pendant un cycle seulement;
! La temprature maximale de la jonction T
JMAX
de fonctionnement sans risque dtre
dtriore.
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Figure 3.1-2 Fiche technique



3.2 Caractristiquement du transistor bipolaire


Le transistor est une source de courant contrle. On peut le considrer comme un quadriple
(quatre bornes) avec deux bornes dentre et deux bornes de sortie. Comme le transistor na que
trois bornes (metteur, Base, Collecteur) pour agir comme un quadriple il faut que lune des
bornes appartienne la fois lentre et la sortie. Cette borne commune dfinira la
configuration dans la quelle le transistor sera utilis :
- Circuit metteur commun E.C
- Circuit base commune B.C
- Circuit collecteur commun C.C

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Figure 3.2-1 Distribution des courants du transistor

La principale qualit du transistor consiste a raliser le contrle du courant du circuit collecteur
metteur en moyennant du courant de base. Ainsi on peut parler du cot dentre et du cot de
sortie. La comparaison relative des courants entre ces deux cots porte nom du gain en courant.

Le gain en courant se dfinit par la relation suivante :
Ib
I c
# $
a)metteur commun

La plupart des circuit transistor bipolaire utilisent le montage metteur commun cest--dire
lmetteur est commun la base et au collecteur et par le fait mme un circuit dentr et un
circuit de sortie.
Pour mieux comprendre le fonctionnement des transistors, disons quil existe, pour chacun de
montage (EC, BC, CC), deux courbes caractristiques (fig.) :
Lune pour le circuit dentre : I
B
en fonction de V
be
(pour le montage en E.C)
Lautre le circuit de sortie : Ic courant collecteur en fonction de la tension collecteur V
CE



Figure 3.2-2 Caractristiques courant tension du transistor bipolaire en metteur commun

A la figure 3.2-2 on voit bien quil ne peut y avoir de courant circulant dans le collecteur du
transistor sil ny a pas de courant de base. La rsistance se trouvant en srie avec le collecteur et
la source U
CC
ne chute alors aucune tension. On retrouve ainsi toute la tension de la source U
CC

aux bornes du transistor (UCE), celui-ci tant un circuit ouvert. Si on regarde cependant sur le
graphique I
C
vs U
CE
(figure 3.2-3), lorsque I
B
vaut 0A, un trs faible courant de collecteur est
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prsent. La raison de ce phnomne est quun courant de coulage est prsent entre le collecteur et
la base du transistor crant ainsi un courant de base non dsir par lintrieur du transistor.





Figure 3.2-3 Caractristiques courant tension du transistor bipolaire en base commune

b) !. En fonction de I
C
et de la temprature
Le gain en courant dun transistor (!..) varie normment. La figure3.2-4 montre une variation
typique du !.

A une temprature donne le !. passe par une valeur maximale mesure que le courant de
collecteur augmente. Les variations du !. Peuvent tre dans lordre de 3 pour 1 lintrieur des
limites dutilisation utiles du transistor ; cela dpend videmment aussi du type de transistor. Un
changement dans la temprature ambiante a aussi un effet sur le !.


Figure 3.2-4 Variation du ! en fonction de I
C
et de la temprature
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Dans le pire des cas, o la temprature et le courant IC vont varier de beaucoup, le ! peut varier
jusque dans des proportions de 9 pour 1.Rapelez vous que la conception dun circuit exigeant une
valeur prcise du ! est condamn lchec ds le dpart. Une bonne conception signifie darriver
des circuits qui ne dpendent pas de la valeur !.

c) Les fiches techniques

VCBO : Tension maximale collecteur -base
C est la tension applicable la jonction, la borne de lmetteur est un circuit ouvert.
ICEO : Courant de collecteur rsiduel mme sil ny a pas de IB. Ceci est caus par la
multiplication de Is par le ! du transistor.
On notera aussi leffet de Vbc de la jonction base- collecteur. A mesure que UCE augmente, un
courant est apport la base par cette rsistance de coulage et sera aussi multipli par le B. Son
effet sera de donner une lgre pente aux courbes IC vs UCE.

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Figure 3.2-5 Fiche technique de transistors

Remarque : comment peut-on identifier les broches pattes dun transistor bipolaire ?
La mthode de vrification comporte trois tapes :
Identifier la borne de la base;
Dterminer le type du transistor;
Diffrencier lmetteur du collecteur.
En plus les multimtres numriques possdent une gamme de vrification du gain ! (hfe).





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30
3.3 Caractristiquement du transistor effet de champ


Tout comme dans le cas des transistors bipolaires, il est ncessaire de polariser un JFET. Il faut
donc dterminer la tension UGS qui produira le courant de (ID) dsir.

Figure 3.3-1 Polarisation de JFET


Courbe id(uds) et id(ugs)

La Figure 13 montre la relation entre le courant de drain ID et la tension UDS pour une valeur
de UGS donnes. Remarquez la similitude entre ces courbes et celles dun transistor bipolaire
IC(UCE). Les diffrences sont la tension de saturation qui est leve et qui change selon de
UGS et le fait que les courbes ne sont pas espaces rgulirement

Figure 3.3-2 Caractristique courant tension dun JFET

Les valeurs inscrites la Figure 3.3-2 sont titre dexemple. Voici ce quelles signifie :
IDSS est le courant de drain lorsque UGS=0V
UGSoff est la tension entre grille et source ncessaire pour bloqu le JFET.
UP (tension de pincement) est la tension de saturation du transistor IDSS.
BUgds (break down voltage) est la tension de rupture du JFET.


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Figure 3.3-3
Remarque : comment peut- on identifier les broches pattes dun transistor effet de champ ?
La mthode de vrification comporte trois tapes :
-identifier la borne de la grille;
-dterminer le type du transistor;
-diffrencier la source du drain.


3.4 Caractristiquement du thyristor
On reprsente dans ce tableau les principales symboles des thyristors :

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Figure 3.4-1 Symboles et caractristiques des SCR

Comment l'utiliser










Figure 3.4-2 Schma de la commande du SCR par un interrupteur K1

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Aprs avoir examin ce schma vous comprendrez le fonctionnement du thyristor.
Un bref courant de gchette par K1 laisse le thyristor conducteur. Seule une coupure par K2 le
laissera isolant.
Voyons d'autres particularits intressantes :
1) La tension (anode-cathode)A/K maximale peut atteindre des valeurs leves, de 100 1200V
selon les modles. C'est donc un contacteur haute tension.

2) Le courant de gchette "Ig" minimal pour dclencher la conduction A/K est de l'ordre de
10mA, parfois 1mA pour les modles sensibles. Ce courant entre par "G" et sort par "K" vers la
masse. Sa dure n'a aucune importance.
3) Le temps de rponse est trs court(quelques nanosecondes).
4) L'intensit de conduction Iak est galement leve, de 0.3 35A selon les modles
5) Le thyristor ne peut revenir l'tat bloqu (isolant) que si l'intensit passante Iak tombe au
dessous d'une valeur minimale. Ce seuil dit "courant d'arrt" est de l'ordre de 2% de l'intensit
maximale du modle.


Reprages et encombrement des botiers
Il existe une trs grande varit de botiers contenant les thyristors ; on peut les classer en deux
groupes :
-botiers plastique (en gnral jusqu' 50 A maxi) ;
-botiers mtalliques (depuis 20 A).
A titre indicatif, la figure ci-dessous montre diffrentes prsentations de ces botiers et le
reprage des bornes.

Figure 3.4-3 Rfrences des botiers des SCR

Protection des thyristors

a). Contre les surintensits: La protection peut tre assure soit par un fusible rapide, soit par un
systme limiteur lectronique.
b). Contre les amorages trop rapides di/dt : Une inductance monte en srie avec le thyristor
limite le di/dt.
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34
Protection contre les blocages trop rapides dv/dt.
On emploie soit un condensateur, soit un ensemble condensateur avec une rsistance pour
limiter le courant.

Figure 3.4-4 Protection des SCR contre lamorage inattendu


Protection contre les surtensions.
On peut mettre en parallle avec le thyristor soit un demi conducteur (GEMOV) (Mtal oxyde
varistor), soit un ensemble de deux diodes tte-bche ou slnium (thyrector).

Figure 3.4-5 Protection des SCR contre les surtensions

Thyristors G. T .O. (gate turn off)

Ce sont des thyristors appels aussi thyristor blocage. Une impulsion ngative sur la gchette
assure le blocage des thyristors. Il existe des thyristors GTO jusqu' 400 A sous 2500 V.


Les circuits d'amorages des thyristors


Le circuit d'amorage a pour but d'appliquer sur la gchette du thyristor une tension positive; en
redressement command, cette tension devra tre synchronise pour que l'amorage s'effectue
des instants prcis, en gnral, sous forme d'impulsions.
Synchronisation avec le rseau :
-Par redressement et obtention de signal carr par diode zenner. l'isolement est obtenu au moyen
d'un transformateur.

Figure 3.4-6 Circuit de synchronisation damorage du SCR
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35

-Par systme optocoupleur, le transformateur n'est pas ncessaire mais recommand.




Figure 3.4-7

Production des impulsions damorage

-Par multivibrateur : deux portes" NAND sont utilise en inverseur; le changement d'tat
s'effectue avec une constante de temps RC; on obtient, en sortie, des impulsions de frquence
variable selon la constante RC ;

-Par circuits avec amplificateurs oprationnels ;

- par systme micro- processeurs.


Figure 3.4-8 Multivibrateur astable et son signal de sortie

Application des impulsions aux gchettes

Il est prfrable d'isoler le circuit de commande des gchettes du circuit principal; pour cela, on a
recours des transformateurs d'impulsions. Quel que soit le mode d'obtention des impulsions, on
est pratiquement toujours conduit employer un transistor de sortie.

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36

Figure 3.4-9
Remarque: Ce qui importe pour l'amorage d'un thyristor n'est pas la largeur d'impulsion, mais
plutt les charges injectes en dbut de commande; on a intrt envoyer des trains dimpulsions


3.5 Caractristiquement du triac
Composition
C 'est un lment semi conducteur qui comprend deux structures de thyristor NPNP en sens
inverse .On remarque sur le schma les deux thyristors N4P1N1P2 et P1N1P2N2 . C'est un
composant constitu comme deux thyristors monts tte-bche . mais il ne comporte qu'une
seule gchette; il est essentiellement utilis dans les gradateurs

Figure 3.5-1 Coupe simplifie d' un triac
Caractristiques lectriques

Figure 3.5-2 Caractristique courant tension dun triac
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Elles correspondent aux caractristiques de 2 thyristors dans deux quadrants opposs. Suivant
que l' anode A1 ou l' anode A2 est positive par rapport l' autre, le triac s' amorcera dans le
premier ou le troisime quadrant .

Amorage

Le dclenchement des triacs peut s' effectuer dans les quatre modes suivants :
Figure 3.5-3 Modes damorage de triac
Lorsque l' ont alimente un Triac en alternatif il y a 4 possibilits de dclenchement :
Le mode 1 et 2 : la tension alternative change la polarit des Anodes A1,A2 et le signal de
dclenchement est toujours positif .( systme peu recommand ).
Le mode 1 et 3 : la tension alternative sur A1,A2 et le signal de dclenchement est identique au
courant principale ( dclenchement conomique ).
Le mode 4 et 2 : la tension alternative sur A1,A2 et le signal de dclenchement est oppos au
courant principal ( sans intrt , dconseill ).
Le mode 4 et 3 : la tension alternative sur A1,A2 et le signal de dclenchement ngatif par
rapport A1
( dclenchement industriel performant ).
le tableau ci-dessous rsume l'amorage qui peut tre utilis avec un courant de gchette positif
ou ngatif, que la tension U21 soit positive ou ngative; il y a donc quatre combinaisons
possibles :



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38
Tension U21 positif U21 ngatif
Courant de gchette Ig >0 Ig <0 Ig >0 Ig <0
commutation Trs bonne Moyenne Mauvaise Bonne


Tension U21 =VA1-VA2
On choisira de prfrence un courant de gchette positif. Dans le cas o on travaille suivant
toutes les consignes, il faut que la commande fonctionne dans le cas le plus dfavorable (tension
U21 ngatif, courant de gchette ngatif) .
Le circuit d'amorage peut tre effectu :
a) par diac : voir l'tude sur les diacs (paragraphe suivant) ;
b) par transformateur d'impulsions. comme pour les thyristors ;
c) par circuits intgrs spcialiss: ces circuits permettent la dtection de passage 0 de la
tension contrler et une gnration de train d'ondes pour la commande de gchette.
Le blocage est obtenu aprs suppression du courant de gchette et application d'une tension
inverse celle qui maintenait la conduction.
Rfrences
Brochage TO220
Figure 3.5-4 Exemple dun botier de triac
Ex : BTA 08-700S
BTA indique la srie ( isol ) , 08 = 8 Ampres , 700 Volts .Pour un botier TO220 il existe des
Triacs isols ou non isols , en fait c' est le support de fixation qui est isol ou non par rapport
aux Anodes .De prfrence on utilise des triacs isols bien qu' ils soit lgrement plus chre .
Caractristiques constructeurs
Le courant de gchette est indiqu en fonction des quatre quadrants, un suffixe permet de reprer
sa valeur .


QUADRANTS
suffixe I ++ II + - III - - IV -+
T 5 5 5 5
D 5 5 5 10
S 10 10 10 10
A 10 10 10 25
Les autres valeurs sont identiques celles donnes pour les thyristors

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39
Utilisations

Figure 3.5-5 Contrle du courant dans la charge
Les triacs permettent de remplacer les deux thyristors dans les gradateurs. Ils peuvent contrler
des courants de 1 60 A avec des tensions inverses de 700 1 000 v. Leurs principales
applications sont :
- les gradateurs de lumire ;
- les alimentations de radiateurs de chauffage lectrique ;
- la commande de petits moteurs universels aliments en courant alternatif .


3.6 Caractristiquement du dia

Caractristiques lectriques
Le diac peut tre considr aussi comme un triac mais sans lectrode de commande. Il s'amorce
automatiquement ds que sa tension atteint environ 35 V (de 32 42 V selon les modles) . Ds
qu'il est amorc la tension ses bornes baisse considrablement !
Au dpart il se comporte comme deux diodes zeners montes en sries tte-bche, mais il se
dsamorce comme un thyristor .Il ne devient conducteur qu partir dune certaine tension
positive ou ngative : quelques volts. Si cette tension redescend, il reste conducteur, sauf si
lintensit devient trop faible, ce qui le bloque.

Figure 3.6-1 Caractristique courant tension dun diac
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40
Rfrences

La valeur d' un diac n' est pas indiqu dessus .

Le botier dun diac ressemble celui dune diode mais le trait repre est situ au milieu. Plus
rarement, cest un botier plastique genre transistor mais avec deux pattes seulement, ne pas tenir
compte de lorientation du mplat de ce botier puisquun diac na pas de polarit.
Sous la forme de CMS :

Fonctionnement

Le diac est surtout employ pour fournir des impulsions tantt positives, tantt ngatives.
Etant donn le montage ci-dessous, l'ensemble courant alternatif, diac est aliment par une
tension alternative
V> 50 V.


Figure 3.6-2 Impulsions du courant produites par un diac
Lorsque la tension Uc est infrieure la tension VBR {tension d'avalanche), le diac prsente une
rsistance infinie. Ds que Uc = VBR; cette rsistance devient trs faible ; (quivalente celle
d'un interrupteur ferm), ce qui a deux consquences :
-le courant ne passe plus par le condensateur, mais par le diac ;
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41
-le condensateur se dcharge travers le diac ; on obtient ainsi une impulsion du courant
chaque alternance.
Commande de triac
Le circuit de puissance comportant la source alternative, la charge et le triac, est command par
les impulsions sur la gchette qui proviennent du circuit R C avec le diac.

Figure 3.6-3 Circuit damorage du triac par le diac

La charge a une trs faible impdance par rapport celle prsente par le circuit R C.
Exemple: rsistance A= 100 k", C = 0, 1 .F rsistance de la charge: 1 00 ",
La tension d'alimentation du montage sera la tension du secteur, soit 220 V ;50Hz.
Utilisations

Figure 3.6-4 Gradateur de lumire
Le fait dintercaler un diac dans un circuit gchette de triac (ou de thyristor) rend le seuil de
dclenchement plus franc et plus fidle, surtout en fonction de la temprature du triac. Revenons
au variateur de puissance de la figure 3.6-3 : partir dune certaine tension le condensateur se
dcharge brutalement par le diac dans G et A1 mais il subsiste un courant faible venant de R ; le
diac reste conducteur mais le condensateur ne peut se charger qu une tension trs faible. La
tension de secteur passe par zro volt, lintensit venant de P1 devient nulle et le diac se bloque.
Puis, la tension secteur quitte zro, le condensateur peut donc se charger par R car le diac est
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42
bloqu, et ainsi de suite.

Figure 3.6-5


3.7 Caractristiquement de lamplificateur oprationnel

C'est un amplificateur circuit intgr linaire comportant deux entres et une sortie, il doit tre
aliment sous une tension continue symtrique, en gnral + 15 V, -15 v.

3.7.1 Symboles et branchements











Figure 3.7-1

L'amplificateur oprationnel est un circuit intgr linaire qui amplifie la diffrence des tensions
% &
1 1
etV V appliques entre ses entres et la masse.

3.7.2 Caractristiques

Amplification :
Ad: facteur d'amplification diffrentiel


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43
max
18V
max
-18V
Vs
V1+
V1-
Vd
+Vcc
-Vcc


Figure 3.7-2

V s = ) (
1 1
% &
%V V Ad
Le facteur Ad est trs grand, de l'ordre de
5
10 . Etant donn que la tension de sortie ne peut
dpasser la tension d'alimentation continue, une diffrence entre 1 V l'entre de
% &
1 1
etV V ne
peut donner ) (
1 1
% &
%V V Ad = 1 10
5
' = 100000 V. On n'aura alors que 10 ou 30 V par exemple;
on dit dans ce cas que l'amplificateur est satur.


3.7.3 Rgime de fonctionnement

Rgime linaire: la tension de sortie V s est proportionnelle la tension d'entre.












Figure 3.5-3


Figure 3.7-3


Les valeurs de la tension de sortie V s sont limites aux valeurs de la tension d'alimentation.
Rgime satur: la tension de sortie est maximale et ne dpend que du signe de la tension d'entre.
Rgles relatives l'emploi des amplis OP :
Les courants d'entre sont ngligeables
La tension aux bornes des entres e + et e- est voisine de 0.


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44
3.7.4 Amplification linaire


3.7.4.1 Amplificateur inverseur

C'est un montage de base le plus utilis, on l'appelle aussi amplificateur proportionnel.
Au point A (Fig. 3.7-4), le courant 0 #
%
i , ce qui entrane: 0
2 1
# & i i . Si on pose sur i
1
et i
2
on a
0
2
2
1
1
# &
R
V
R
V


Do la tension de sortie est :
1
1
2
2 V
R
R
V % #

V2
V1
R1 R2
i1 i2
i-
0V
A
0V


Figure 3.7-4
L'amplification est ngative; par exemple, une tension sinusodale en entre, donnera une tension
sinusodale en sortie, mais en opposition de phase.
On peut obtenir un amplificateur non inverseur en inversant les bornes d'entre, avec le mme
montage.


3.7.4.2 Amplificateur non inverseur

Cest un second montage largement utilis dans des diffrentes applications. Un pont diviseur
install la sortie fournie une part de cette tension lentre inverseuse. La valeur de cette
tension dentre est :

2 1 V
R R
Rin
V
in f &
#
do on a :

1 2 1 V
R
R
V
in
f
(
)
*
+
,
-
& #
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45
V1 V2
0V
Rf
Rin
Vin
0V




3.7.4.3 Suiveur

Ce montage fonctionne en linaire, son gain en tension est gal 1, c'est--dire V
2
= V
1
. Cest un
cas particulier de lamplificateur non inverseur o Rf = 0 et Rin = #

V1
V2
0V


Figure 3.7-5



Amplification en tension Av = 1
Trs grande rsistance d'entre : Re =10
5
M.
Trs faible rsistance de sortie : Rs = 1m.
Il est utilis comme adaptateur d'impdance, comme un circuit sparateur dtages ou encore
comme amplificateur en courant.


3.7.4.4 Additionneur inverseur

La tension de sortie est proportionnelle la somme des tensions d'entre; la tension de sortie est
inverse.
Schma:

On peut crire :
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46
) (
'
1
'
1
1
1
2
R
V
R
V
R V
s
& #
V
2
V
1
R
1
R2
i
1
i
2
i-
0V
A
0V
R
1
'
V
1
'
i
1
'


Figure 3.7-6
L' additionneur inverseur permet l'addition des signaux de tensions des diffrentes natures (par
exemple alternatives de mme frquence mais dphases).

3.7.4.5 Soustracteur

Ce montage est quivalent au prcdent mais il effectue la diffrence entre les tensions V,
Une tension est applique chaque entre :
si Rl = R3 et R2 = R4 on a:
L'amplification en boucle ferme est alors:
1
2
R
R
Av #

Les deux premiers montages sont les plus employs dans les systmes d'lectronique de
puissance.
On prfre, pour les oprations de somme ou de soustraction, utiliser des systmes numriques.

V
2
V
1
R
1
R2
i
1
i
2
i-
0V
A
0V R
3
V
1
'
i
3
R
4


Figure 3.7-7



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47
4. Redressement

Mme si les piles jouent toujours un rle important dans certains systmes lectroniques de
faible puissance, il faut dans la plus part du temps convertir la tension alternative du secteur
ncessaire au fonctionnement des circuits courant continu. Les circuits de redressement
favorisent lutilisation des diodes semi-conductrice appeles diodes de redressement.

4.1 Redresseur simple alternance

Le redresseur demi onde est compos dune source de tension alternative et dune diode de
redressement plac en srie dans un circuit de change.


Tension de sortie positive



Figure 4.1-1 Allure de la tension aux bornes de la charge


Tension de sortie ngative

La tension de sortie est celle prise aux bornes de la charge RL. La polarit de la tension de sortie
dpend du sens de la diode dans le circuit. Daprs la figure, lorsque la tension alternative
dentre est positive, la tension lanode de la diode est positive par rapport la cathode. La
diode considre comme idale laisse donc circuler le courant dans la charge pour toute la dure
de lalternance positive. Par contre, lorsque le potentiel dentre est ngatif, la diode se trouve
polarise en sens inverse et se comporte comme un interrupteur ouvert, Puisque aucun courant
ne peut parcourir le circuit pendant que la diode est ltat bloqu, la tension aux bornes de la
charge demeure nulle pour toute lalternance ngative.
Il faut remarquer que le signal de sortie ne consiste pas en un niveau continu constant. Un
circuit redresseur transforme une tension alternative en une tension courant continu (CC)
pulse. Il dispose nanmoins dune valeur moyenne positive.
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48

4.2 Redressement double alternance a prise mdiane

Les circuits qui utilisent deux diodes et un transformateur prise mdiane sappellent
redresseurs double alternance prise mdiane.


Figure 4.2-1


Fonctionnement durant lalternance positive

Pendant toute la dure de lalternance positive du signal dentre, la borne A du secondaire du
transformateur est positive par rapport N, la diode D1 est polaris en sens direct. Pendant ce
temps, la diode D2 se trouve en polarisation inverse et bloque le passage du courant. Durant
toute lalternance positive, un courant circule travers la charge par lentremise de la diode D1.


Figure 4.2-2 Allure de la tension de charge pendant lalternance positive

Fonctionnement durant lalternance ngative

Au contraire, pendant toute la dure de lalternance ngative du signal dentre, la borne B du
secondaire du transformateur devient positive par rapport N et polarise la diode D2 en sens
direct. Pendant ce temps, cest la diode D1 qui se trouve en polarisation inverse bloque le
passage du courant. Durant toute lalternance ngative, un courant circule travers la charge par
lentremise de la diode D2.

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49

Figure 4.2-3 Allure de la tension de charge pendant lalternance ngative


4.3 Redressement double alternance en pont


Figure 4.3-1 Allure de la tension de charge R
L



Fonctionnement durant lalternance positive

Pendant toute la dure de lalternance positive du signal dentre, la borne du secondaire du
transformateur est positive par rapport la borne B et polarise les diodes D2 et D3 en sens
direct. Pendant ce temps les diodes D1 et D4 se trouvent en polarisation inverse et bloquent le
passage du courant. Durant toute lalternance positive, un courant circule travers la charge par
lentremise des diodes D2 et D3.


Figure 4.3-2 Allure de la tension de charge pendant lalternance positive
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50


Fonctionnement durant lalternance ngative

Au contraire, pendant toute la dure de lalternance ngative du signal dentre, la borne B du
secondaire du transformateur devient positive par rapport la borne A et polarise les diodes D1
et D4 en sens direct. Pendant ce temps ce sont les diodes D2 et D3 qui se trouvent en
polarisation inverse et bloquent le passage du courant. Durant toute lalternance ngative, un
courant circule travers la charge par lentremise des diodes D1 et D4 .





Figure 4.3-3 Allure de la tension de charge pendant lalternance ngative


4.4 Comparaison entre les diffrentes tensions des redresseurs

Le tableau ci dessous compare entre la valeur maximale et moyenne dans une charge R
L
donne.

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51


Figure 4.4-1 Tableau comparatif des circuits redresseurs

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Figure 4.4-2 Divers aspect des ponts redresseurs


4.5 Filtrage




Figure 4.5-1 Circuit de pont redresseur avec un filtre RC


4.6 Principe de fonctionnement dun rgulateur de tension monolithique

Une meilleur conception des alimentations consiste utiliser assez de condensateurs pour
ramener londulation du bloc de redressement un niveau assez bas (environs 10% de la
tension) et utiliser ensuite un circuit actif contre raction pour liminer londulation
rsiduelle. Un tel composante est un circuit intgr qui surveille la tension de sortie et agit
de faon maintenir constante la tension de sortie. Ce circuit actif est appel rgulation de
tension et possde trois broches. Il en existe tension positive et dautres tension ngative.
Afin damliorer la stabilit du rgulateur, le fabricant mentionne dajouter des condensateurs
de dcouplage lentre et la sortie du dispositif. Un rgulateur il peut tre fixe ou rglable
(vis de rglage 25 tours) et tre positif ou ngatif par rapport la masse (ex: 7805 positif avec
en sortie +5V et 7905 ngatif avec en sortie -5V).
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Figure 4.6-1 Botiers de rgulateurs de tensions
Le montage dun rgulateur est trs simple, la patte 1 est lentre, la patte 2 se branche la masse
et la patte 3 est la sortie.
Il faut viter dalimenter lentre avec une tension trop forte par rapport la sortie pour viter
que le rgulateur ne chauffe pour rien, de prfrence 2 4 volts en plus (voir figure4-10).

Rfrences et valeurs
La valeur indique gnralement la tension de sortie, 7805 pour 5 Volts ; 7812 pour 12 Volts
La srie 78xx indique une sortie positive par rapport la masse et la srie 79xx indique une sortie
ngative.
Le " L " est utilis pour les botiers TO 92, I max 100mA
Le " T " est utilis pour les botiers TO220, I max 1,5A
Le " K" ou " CK " pour des botiers TO3, I max 3 A.
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OFPPT/DRIF/CDC ELECTROTECHNIQUE

54
Us Is C1 D1 TR1 Utr1 Fu1
Type
Tension
de sortie
Intensit
de sortie
MAX
Condensateur
de filtrage MINI
Pont ou
Diodes
Puissance
transfo
Tension
transfo
Fusible
secteur
7805 + 5 V 1 A 2200 F - 16 V 1,5A 100V 16 VA 9 V 100 ma
78L05 + 5 V 0,1 A 220 F - 16 V 0,5A 100V 1 VA 9 V 100 ma
78T05 + 5 V 3 A 4700 F - 16 V 4 A 100V 30 VA 9 V 200 ma
7806 + 6 V 1 A 2200 F - 16 V 1,5A 100V 16 VA 9 V 100 ma
7808 + 8 V 1 A 2200 F - 25 V 1,5A 100V 16 VA 12 V 100 ma
7809 + 9 V 1 A 2200 F - 25 V 1,5A 100V 16 VA 12 V 100 ma
7812 + 12 V 1 A 2200 F - 35 V 1,5A 100V 16 VA 15 V 100 ma
78L12 + 12 V 0,1 A 220 F - 35 V 0,5A 100V 3 VA 15 V 100 ma
78T12 + 12 V 3 A 4700 F - 35 V 4 A 100V 48 VA 15 V 400 ma
7815 + 15 V 1 A 2200 F - 35 V 1,5A 100V 26 VA 18 V 200 ma
7818 + 18 V 1 A 2200 F - 40 V 1,5A 100V 26 VA 24 V 200 ma
7824 + 24 V 1 A 2200 F - 40 V 1,5A 100V 26 VA 24 V 200 ma

Schma dapplication
Figure 4.6-2



Exercices dapplication :

Exercice 1 :
Exprimer par les expressions faible ou grande la valeur qui devrai tre lue par lohmmtre,
si les transistors sont en bon tat
Rsum de Thorie et Guide de travaux pratique Initiation de base en electroniques
OFPPT/DRIF/CDC ELECTROTECHNIQUE

55

Figure 4.6-3

Exercice 2 :

Selon la lecture de lohmmtre, dterminer le type de canal (canal P ou canal N) de chacun des
transistors effet de champ.


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OFPPT/DRIF/CDC ELECTROTECHNIQUE

56

Figure 4.6-4
OFPPT/DRIF/CDC ELECTROTECHNIQUE



57
5 Les instruments ncessaires pour les travaux pratiques


Le voltmtre :pour la mesure des tensions alternatifs et continus(ac ,cc)
On peut choisir un voltmtre aiguille ou digitale(numrique) selon le matriel disponible latelier.
Le voltmtre se branche toujours en parallle avec la branche ou on veut mesurer la tension.

L ampremtre : pour la mesure des courants alternatifs ou continus.
Branchement est toujours en srie avec la branche ou on veut mesurer le courant.
Loscilloscope pour relever les formes de signaux.
On peut se disposer dun appareil universel qui peut regrouper plusieurs fonctions telle que :

voltmtre, amprmtre, ohmmtre, capcitimtre, testeur de diode et transistors



Figure 5-1









Figure 5-2
Rsum de Thorie et Guide de travaux pratique Initiation de base en electroniques
OFPPT/DRIF/CDC ELECTROTECHNIQUE

58


Plaquette :pour essai des divers montages avant implantation de ces composants sur circuit imprim .


Figure 5-3


Figure 5-4
OFPPT/DRIF/CDC ELECTROTECHNIQUE



59



Module : Notions dlectroniques.

GUIDE DES TRAVAUX PRATIQUES



TP1. Identification dune diode

Utiliser un ohmmtre ou un appareil universel en positions test diode pour identifier lanode
et la cathode de la diode.
On observe lintensit de la lumire pour le cas comme (a) et on la compare avec celle de
lampoule aliment directement par la pile. Quelle est la conclusion ?



Figure 6-1

TP2. Redressement et filtrage
Dure du travail pratique:
La dure du travail pratique est de 4 heures.
Matriel ncessaire pour les TP de redressement :
Transformateur 2 x 6V ou 2x 12V
4 diodes 1N4004
1 condensateur de 100F , 2 x 470F, 1 x 10F
1 rsistance de 2k., 0,5W
2 rsistances de 390., 0,25W
1 rsistance de 1k. , 0,25W
2 sondes pour oscilloscope
Multimtre et sondes
oscilloscope
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60
1. Redressement demi onde simple (sans capacit)

es: 12V
+
-
D1
C1
+
URc
+
-
220V
50Hz
1N4004
100F
2k

Figure 6-2
Ralisez le circuit de la 2 sans placer le condensateur C1 et prenez les mesures ncessaires de
sorte complter le Tableau 6-1
Tableau 6-1
Mesures Rsultats Appareil utilis
es crte
PIV de D1
U max aux bornes de Rc
URc moyen

A quoi sert le commutateur AC GND DC de loscilloscope?
_____________________________________________________________________
Retirez Rc du circuit. Est-ce que les rsultats du Tableau ci-dessus changent ?
_____________________________________________________________________
Changez Rc pour une 1k. Est-ce que les rsultats du tableau changent?.
_____________________________________________________________________
NB :TIC=PIV(tension inverse de crte =pic invers voltage :en anglais)


2. Redressement demi onde simple (avec capacit)

Mettez le condensateur C1 dans le circuit et prenez les mesures ncessaires de sorte
complter le Tableau 6-12
Tableau 6-2
Mesures Rsultats Appareil utilis
es crte
PIV de D1
U max aux bornes de Rc
URc moyen
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61
3. Redressement pleine onde
Dure du travail pratique:
La dure du travail pratique est de 4 heures
Matriel ncessaire:
4 diodes 1N4004 ou quivalent
1 diode 1N4733, (Diode zener de 5,1V)
Transformateur 2 x 6V
2 rsistances de 1k. / 0,25 watt
2 sondes d'oscilloscope
Cordon d'alimentation 220V
5 connecteurs isols
Multimtre et sondes
oscilloscope
Fils #22 pour faire les connections sur la plaquette de montage



220V
+
C1
50 Hz
4 x 1N4004
12V
es
Rc
2k
100F
D1
D2 D3
D4

Figure 6-3
Ralisez le circuit de la Figure 6-3 et prenez les mesures ncessaires de sorte complter le
Tableau 6-3.
Tableau 6-3
Mesures Rsultats Appareil utilis
es crte
PIV de D1
U max aux bornes de Rc
URc moyen

Est-ce que ce circuit de la Figure 6-3 donne des rsultats meilleurs que ceux de la Figure 6-2?
Expliquez.
_____________________________________________________________________
_____________________________________________________________________
Que se passe-t-il lorsquon remplace C1 par une valeur de 470F?
_____________________________________________________________________
_____________________________________________________________________
Que se passe-t-il lorsquon remplace C1 par une valeur de 10F?
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62
_____________________________________________________________________
_____________________________________________________________________
Que se passe-t-il lorsque D1 est retire du circuit?
_____________________________________________________________________
_____________________________________________________________________


TP3. Utilisation des rgulateurs monolithiques

Dure du travail pratique :
La dure du travail pratique est de 4 heures
Matriel ncessaire :

1 rsistance 100., 2W
2 condensateurs 470F, radial, 63V
1 condensateur 100F, radial, 63V
1 condensateur 47F, radial, 63V
1 radiateur thermique Thermaloy 6099B ou quivalent (12C/W)
1 Vis et 1 crou 4/40
1 rgulateur 7812 (TO 220)
4 diodes 1N4004
1 transformateur 2 x 12V
1 cordon dalimentation 220V et 5 connecteurs isols
Multimtre et sondes
oscilloscope

Quel est le brochage dun rgulateur de type 78XX?

78xx
i = U entre
c = rfrence (Commun)
o = U sortie


Figure 6-4

Ralisez le circuit de la Figure 6-5 et prenez les mesures ncessaires afin de complter le
Tableau 6-4. Dans ce dernier, on remarque deux colonnes de rsultats de mesures. Une est
indique par tel quel ; cest la prise de mesures dans le circuit comme dessin et fonctionnel.
Lautre colonne identifie par C1 = 47F, est la simulation dun dfaut au niveau du filtrage.
On vous demande donc dobserver ce dysfonctionnement.
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63

220V
+
C1
50 Hz
4 x 1N4004
12V
es
470F
D1
D2 D3
D4
7812
100.
Rc
i
c
o

Figure 6-5

Tableau 6-4
Mesures Tel quel C1 = 47F
URc
er aux bornes de Rc
er aux bornes de C1
U min aux bornes de C1

Prenez les formes donde aux broches i et o dans les deux conditions indiques dans le
Tableau 6-4. Dans le cas C1 = 47F, observez les signaux loscilloscope et valuez la
valeur de la tension dentre minimale applicable un 7812 pour un fonctionnement correct.
U entre min. pratique (7812) = ______________
Est-ce que la tension diffrentielle du rgulateur de la
Figure 6-5 est dans la rgion idale?
_____________________________________________________________________
_____________________________________________________________________

Quelle est la tension minimum requise lentre dun 7812 de sorte que son fonctionnement
soit normal (caractristiques)?
_____________________________________________________________________
_____________________________________________________________________


TP4. Amplificateur Oprationnel

1. Montage non inverseur
Dure du travail pratique :
La dure du travail pratique est de 6 heures
Matriel ncessaire :
1' amplificateur oprationnel 741
1' 200k., 2W
1' rsistance 10k., 2W
1' rsistance 20 k., 2W
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64
1 ' rsistance 1 k., 2W
2 'condensateurs 470F, radial, 63V
deux alimentations :+18V et-18Vou 15Vet-15V
Multimtre et sondes
oscilloscope
un gnrateur B.F.

+15V
-15V
U sortie
U entre
R1
R2
R3
A741
20k
1k
10k


Figure 6-6

Ralisez le montage de la Figure 6-6. Prenez les mesures ncessaires afin de complter le
Tableau 6-5 et prenez les formes dondes U entre et U sortie prsentes lors du test #1.
Transformez ensuite le circuit afin dobtenir un gain de 4 en modifiant R3.
R3 = ___________
Quelle est limpdance dentre du montage de la Figure 6-6 ?__________________.

Tableau 6-5
Test U entre U sortie Uf Av
#1 2V c--c (sinus),
1kHz

#2 1V C.C.
#3 -1V C.C.
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65
2. Montage inverseur
U sortie
U entre
20k 200k
A741
R1 R2
0V
A
0V
+15V
-15V

Figure 6-7

Prenez les mesures ncessaires afin de complter le Tableau 6-6 et prenez les formes dondes
U entre et U sortie prsentes lors du test #1. Transformez ensuite le circuit afin dobtenir un
gain de -5 en modifiant R2.
R2 = ___________
Quelle est limpdance dentre du montage de la Figure 6-7?__________________.

Tableau 6-6
Test U entre U sortie Uf Av
#1 2V c--c (sinus),
1kHz

#2 1V C.C.
#3 -1V C.C.

3. Montage mlangeur (ou additionneur)
+15V
-15V
U sortie
U entre2
U entre1
R2
R1
R3 10k
10k
10k
A741


Figure 6-8
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66
Prenez les mesures ncessaires afin de complter le Tableau 6-7 et prenez les formes dondes
U entres et U sortie prsentes lors du test #1. Transformez ensuite le circuit afin dobtenir un
gain de -5 en modifiant R3.
R3 = ___________
Quelle est limpdance dentre du montage de la Figure 6-8?__________________.

Tableau 6-7
Test U entre 1 U entre 2 U sortie Uf Av
#1 2V c--c
(sinus), 1kHz
1V C.C.
#2 1V C.C. 0,5V C.C.
#3 -1V C.C. 2V c--c
(sinus), 1kHz




TP5. Transistors bipolaires NPN et PNP

Dure du travail pratique :
La dure du travail pratique est de 6 heures
Matriel ncessaire :
Semi-conducteurs
1 x 2N4401
1 x 2N4403

Rsistances:
47k
82k,
2 x 4k7
Multimtre et sondes
Oscilloscope
Un gnrateur B F

1. Vrification dun transistor bipolaire

C C
E E
B B
C C
E E
B B
NPN PNP

Figure 6-9
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67
Afin de vrifier quun transistor est en tat de fonctionner, la procdure habituelle consiste
vrifier ltat des jonctions base-metteur et base collecteur. Il sagit ainsi de vrifier si les
jonctions bloquent dans un sens et conduisent dans lautre.
Le multimtre, tant en position diode, fait passer un courant dans la jonction sous test. En
direct, on retrouve laffichage du multimtre la tension de la jonction. Elle devrait se situer
entre 0,4V et 0,7V. La borne rouge du multimtre indique alors le ct P et la borne noire
indique le ct N.



Figure 6-10
En utilisant votre multimtre, vrifiez vos transistors et dcouvrez de quel ils sont (NPN ou
PNP).
Tableau 6-8
Transistors Type
2N4401
2N4403

2. Montage dun transistor bipolaire


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68
15V
4,7k
4,7k
RC
T1
2N4401
RE
R1
82k
R2
47k
C1
10F
Entre


Figure 6-11
a) Ralisez le montage de lamplificateur de la Figure 6-11 et prenez les mesures
ncessaire afin de complter le Tableau 6-9 e

Tableau 6-9
Calculs
U
B

U
E

I
C

U
C

U
CE


Utilisez le gnrateur de signaux comme source dune tension sinusodale lentre de
lamplificateur de la Figure 6-11. Ajustez lamplitude du signal 0,5V crt crt et la
frquence 1 kHz environ.

b) Observez et relevez les formes des tensions, au collecteur lmetteur et la base du
transistor. Remplissez le tableau 6-10 (cases du ct droit).

Tableau 6-10
Mesures

Amplitude
[V]
Composante
continue [V]
Phase par rapport Uen

U
C



U
E



U
B



U
CE



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69
c) Remplacez la rsistance Rc de 4,7k par une autre de 8,2k et recommencez le travail
comme en point b), en inscrivant les nouvelles valeurs dans les colonnes droit du tableau 6-
10.

d) Comparez les rsultats et justifier les.




TP6. Thyristor triac - diac

Dure du travail pratique :
La dure du travail pratique est de 6 heures
Matriel :
Semi-conducteurs
! 1 x MOC3021
! 1 x Led
! 1 x Triac Q4006
! 1 x TIP41
! 1 x transistor NPN

Rsistances:
! 1 x 4,7. / 2W
! 560., 56.;180.;2.7k.
! 2 x 4k7.
! multimtre

1. Vrification dun SCR lOhmmtre

Il est possible de tester lohmmtre les SCRs de faible puissance. Ceux-ci ncessitent, pour
lamorage, le courant de gchette I
GT
de lordre de quelques centaines de microampres au
maximum. La Figure 6-12a) montre que la rsistance anode-cathode dun SCR bloqu est
trs leve. Par contre, la Figure 6-12b), on court-circuite momentanment la gchette et
lanode du SCR. Si lohmmtre est capable de fournir un I
G
/ I
GT
et un U
G
/ U
GT
, alors le
SCR amorce et la rsistance anode-cathode devient trs faible. En dbranchant la gchette, le
SCR restera amorc si le courant I
A
fourni par lappareil est suprieur au courant de
maintient I
H
. Sinon, le SCR reprendra son tat bloqu. On a donc intrt travailler avec les
basses chelles.
Comme on peut le constater, ce test nest pas toujours concluant si le SCR namorce pas. Il
est donc recommand dans ce cas dessayer le SCR dans un circuit dapplication simple
avant de conclure quil nest pas bon.
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70
SCR
K G A
OHMMTRE
-
+
SCR
K G A
OHMMTRE
-
+
ON/
OFF
a)
b)


Figure 6-12 Vrification dun SCR lohmmtre



Figure 6-13
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71
2. Application du SCR pour la commande tout ou rien.

Raliser le montage de la Figure 6-14
JP1
Fiche male 220V
1
2 D5
LED
R5
2, 7 k
SW1
On/ Off
1 2
JP2
Prise 220V
1
2
R2
56 Ohm
R3
180 Ohm
F1
F - 5A
R1
560 Ohm
C1
100 nF
R6
R
+5 V
Q3
SC146d
220V ac
U1
MOC3020
1
2
6
4
Charge
Q2
2N2222A
3
2
1


Figure 6-14


Mettez comme charge un moteur courant alternatif ou universel ou une lampe.
Explique comment se fait lamorage du triac ?
Relever le signal de la gchette du triac.


3. Application du SCR pour la commande progressive.


C2
100 nF
Q4
SC146 3
2
1
220V/15W
LAMP
1
2
R4
6, 8 k
R9
220 k
1
3
2
C3
100 nF
Fiche male
220Vac
1
2
R7
1 k
D6
HT-32
1 2



Figure 6-15 Gradateur de lumire

Raliser le montage de la Figure 6-15. Observez la variation de la lumire de lampoule en
fonction de la position du potentiomtre R2.
Explique comment se fait lamorage du triac ?
Relever le signal de la gchette du triac
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72
Evaluation de fin de module

preuve dvaluation du module
Cahier du stagiaire

Nom :
Prnom :
Spcialit :
Groupe :
Dure de lpreuve : 4 h

SUJET
Partie1
On considre le circuit suivant :


220V
+
C1
50 Hz
Pont de diodes
12V
es
Rc
2k
100F
D1
D2 D3
D4


question n1 :

que signifient les valeurs suivantes:
220 V :.
50 Hz :.
100 F:.

question n2

que reprsentent les lments suivants :
D1 :
C1:
Rc:



question n 3

que signifie :
la borne 1 :..
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73
la borne 2..

1 2

question n 4

cocher les bonnes rponses
! le courant primaire est plus grand que le courant secondaire
! le courant primaire est plus petit que le courant secondaire
! la section de lenroulement primaire est petite par rapport celle du secondaire
! la section de lenroulement primaire est grande par rapport celle du secondaire

question n 5

quel est le rle des composants suivants :
D1 :
C1 :

question n 6

Expliquer sommairement le fonctionnement du circuits ?




Partie 2
Raliser le circuit ci dessus :
1) Effectuer les mesures et remplir le tableau suivant :

Tensions
mesurer
Appareil utilis calibre Valeurs
mesures
Valeur
thorique
Ecarts
obtenus
Tension secondaire Es
La tension au borne de
Rc


2) justifier les carts obtenus

Barme de notation
Partie 1 :
Question 1./10
Question 2./5
Question 3./5
Question 4./5
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74
Question 5./10
Question 6./10
Partie 2
1)./35
2)./10
OFPPT/DRIF/CDC ELECTROTECHNIQUE



75
preuve dvaluation du module EM11
Cahier de lexaminateur
Dure :4
Spcialit :lectromcanique
Liste de matriel :

transformateur 220/ 12V
pont de diodes
condensateur de 100F ,
rsistance de 2k", 0,5W
multimtre



Notation sur la fiche dvaluation
On fait correspondre chaque lment critre un certain nombre de questions selon le tableau
suivant :

Elments critres Questions correspondantes
1.1 A repr linformation pertinente Partie n1/Question n1
2.1 A dcod correctement les symboles Partie n1/Question n2
3.1 A localis les points de branchement Partie n1/Question n3
3.2 A localis les sections des circuits Partie n1/Question n4
4.1 A expliqu sommairement la fonction des
composants des circuits
Partie n1/Question n5
5.1 A expliqu sommairement le
fonctionnement des circuits
Partie n1/Question n6
6.1 A slectionn avec exactitude lchelle de
mesure approprie
6.2 A branch linstrument de mesure
7.1 A obtenu des mesures exactes
8.1 A effectu les comparaisons exactes des
valeurs mesures aux valeurs dorigines
Partie n2 / N1

Partie n2 / N1
Partie n2 / N1
Partie n2 / N1
9.1 A expliqu avec exactitude les carts Partie n2 / N2
















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76






FICHE DEVALUATION
MODULE
NOTIONS DELECTRONIQUE

Date :
Spcialit :
Nom de Formateur de la spcialit :
Nom et prnom du stagiaire :
Dure de lvaluation :



Elments critres NOTATION
1.1 A repr linformation pertinente /10
2.1 A dcod correctement les symboles /5
3.1 A localis les points de branchement /5
3.2 A localis les sections des circuits /5
4.1 A expliqu sommairement la fonction des
composants des circuits
/10
5.1 A expliqu sommairement le fonctionnement des
circuits
/10
6.1 A slectionn avec exactitude lchelle de mesure
approprie
/10
6.2 A branch linstrument de mesure /10
7.1 A obtenu des mesures exactes /15
8.1 A effectu les comparaisons exactes des valeurs
mesures aux valeurs dorigines
/10
9.1 A expliqu avec exactitude les carts /10
TOTAL /100




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77

Liste des rfrences bibliographiques.

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