Respuesta A.C.

del FET 1/ 14
1. Introduccin

Una vez que se ubica al transistor dentro de la zona saturada o de corriente de salida
constante, se puede utilizar como amplificador de seales.

En base a un FET canal N en configuracin surtidor comn con circuito de
autopolarizacin, se realizar el anlisis de la respuesta del dispositivo ante la
aplicacin de una seal de c.a

2. Amplificador Surtidor Comn con CS

El circuito bsico amplificador surtidor comn con C
S
se muestra la figura 1.
+ V
DD


Figura 1

V
i
Seal que se desea amplificar
V
L
Seal de salida amplificada
R
L
Representa la impedancia de entrada de la carga a alimentar
R
G
, R
D
, R
S
Resistencias del circuito de polarizacin
V
DD
Fuente del circuito de polarizacin
C
1
y C
2
Condensadores de acoplo
C
S
Condensador de desacoplo

3. Anlisis del Amplificador Surtidor Comn con CS

Tomando en cuenta que el circuito de polarizacin ubica al transistor en una zona lineal
se aplican las propiedades de la linealidad, especficamente el principio de
superposicin para analizar el amplificador. As el anlisis se hace por separado para
cada tipo de seal:

Anlisis C.C.
Anlisis C.A.

3.1. Anlisis C.C.

Para este anlisis V
i
=0 y C
1
, C
2
y C
S
actan como circuito abierto.
v
L
v
i
v
i
(t)
t
v
L
(t)
t
R
D
C
2
R
S
R
G
C
1
R
L
C
S
Electrnica Prof. Julima Anato
Respuesta A.C. del FET 2/ 14

El circuito de polarizacin (figura 2) no es ms que el circuito de autopolarizacin.

I
G
R
S
G
D
S
R
D
+V
DD






R



Figura 2

Las ecuaciones que describen a este circuito son:

Ecuacin de Autopolarizacin
S D GS
R I V =

Ecuacin de Recta de Carga D.C. ) (
D S D DS DD
R R I V V + + =

3.2. Anlisis C.A.

En este caso de anlisis VDD=0 y C
1
, C
2
y C
S
actan como corto circuito.

El circuito equivalente del amplificador en c.a. se muestra en la figura 3.

v
L
v
i
R
D
i
L
i
d
v
ds
v
gs
R
G


R
L




Figura 3

ds L
v v =

) // (
L D d ds
R R i v =

Esta ltima ecuacin corresponde a la ecuacin de salida de c.a.

Por superposicin, el voltaje total entre drenador y surtidor, V
DS
, est dado por:
y la corriente total que existe a travs del drenador, I
ds DSQ DS
v V V + =
D
, es:
d DQ D
i I I + = ,
donde los valores de V
DSQ
e I
DQ
son los valores obtenidos durante el anlisis c.c.

Electrnica Prof. Julima Anato
Respuesta A.C. del FET 3/ 14
Con las expresiones de V
DS
e I
D
total se obtiene la ecuacin de recta de carga c.a.
como:
ds DSQ DS
v V V + =
DSQ DS ds
V V v =

d DQ D
i I I + =
DQ D d
I I i =

Sustituyendo los valores de v
ds
e i
d
en la ecuacin de salida de c.a. se tiene:

) // )( (
L D DQ D DSQ DS
R R I I V V =

) // )( (
L D DQ D DSQ DS
R R I I V V =

Esta ltima ecuacin es la ecuacin de recta de carga c.a.

3.3. Anlisis Grficocon las Rectas deCargaD.C. y A.C.

La interseccin de las rectas de carga d.c. y a.c. sobre el eje i
D
vs. v
ds
correspondiente a
las curvas de salida del FET, da la ubicacin exacta del punto Q. (Figura 4).

Recta de carga d.c.:
D S D DS DD
I R R V V ) ( + + =

El corte de la recta de carga d.c. con los ejes i
D
vs. v
ds
de las curvas de salida es:

Para 0 =
D
I
DD DS
V V =

Para 0 =
DS
V
S D
DD
D
R R
V
I
+
=

Recta de carga a.c.:
) // )( (
L D DQ D DSQ DS
R R I I V V =
Corte con los ejes:

Para 0 =
D
I ( )
L D DQ DSQ DS
R R I V V // + = max
DS
V

Para 0 =
DS
V
DQ
l D
DSQ
D
I
R R
V
I + =
//
max
D
I

Los cortes de la recta a.c. con los ejes i
D
vs. v
ds
son valores mximos en el amplificador
puesto que su magnitud depende del valor del punto Q ya determinado en el anlisis
c.c. (circuito de polarizacin).

Electrnica Prof. Julima Anato
Respuesta A.C. del FET 4/ 14

i
D


V
DSQ
I
DQ
V
D
v
ds
Punto Q
Recta D.C


Recta A.C

V
DD
R
D
+R
S






V
DS
max V
PO

Figura 4 Figura 4

4. MximoDesplazamientoSimtrico(MDS) 4. MximoDesplazamientoSimtrico(MDS)

La ubicacin del punto Q con respecto a los valores V y determina la
magnitud pico de la seal de salida V
max
DS PO
V
L
,
La ubicacin del punto Q con respecto a los valores V y determina la
magnitud pico de la seal de salida V p v p v
ds L
max
DS PO
V
p v p v
ds L
L
, = .

Si el punto Q est mas cerca del que del , entonces: .
Ver figura 5.
max
DS
V
PO
V ( )
L D DQ ds
R R I p v // =
I
D

Figura 5

Si el punto Q est mas cerca del que del , entonces: . Ver
figura 6.
PO
V max
DS
V
PO DSQ ds
V V p v =
V
DSQ
V
DD
v
ds
V
DS
max
V
PO
v
ds
v
ds
p = V
DS
max V
DSQ
v
ds
p
v
ds
p = I
DQ
(R
D
//R
L
)
t
Electrnica Prof. Julima Anato
Respuesta A.C. del FET 5/ 14
i
D
i
D
V
DSQ V
DD
v
ds V
DS
max
V
PO
V
DSQ
V
PO
V
DSQ
= V
PO
+ I
DQ
(R
D
//R
L
)
v
ds
I
DQ
( R
D
//R
L
)
v
ds
p = V
DSQ
V
PO
= I
DQ
(R
D
//R
L
)
t


Figura 6

Lo ideal sera tener mxima seal de salida , lo cual se logra cuando el punto
Q est equidistante del y el , tal como muestra la figura 7. Cuando esto
sucede se dice que existe Mximo Desplazamiento Simtrico (MDS) de la seal de
salida del transistor .
max p v
ds
PO
V max
DS
V
ds
v



















Figura 7

En MDS, pero tambin
PO DSQ ds
V V p v = ( )
L D DQ ds
R R I p v // = , igualando estas
ecuaciones se tiene la ecuacin para MDS que permite ubicar el punto Q de tal manera
que la salida del transistor sea mxima.
V
DSQ
V
DD
v
ds
V
DS
max
V
PO
v
ds
v
ds
p
v
ds
p = V
DSQ
V
PO
t
Electrnica Prof. Julima Anato
Respuesta A.C. del FET 6/ 14

( )
L D DQ PO DSQ
R R I V V // + =

5. Amplificador Surtidor Comn sin CS

La ausencia del condensador C
S
, provoca una disminucin en la seal de salida del
amplificador, V
L
, puesto que ahora durante el anlisis en c.a. la resistencia R
S

permanece en el circuito. La figura 8 muestra el circuito amplificador emisor comn sin
C
S
.
+ V
DD
v
L
v
i
R
D
i
L
i
d
v
ds
v
gs
R
G
R
L
R
S


Figura 8

El anlisis de este circuito se realiza por separado para cada tipo de seal aplicada, al
igual que para el amplificador emisor comn con C
S
.

5.1. Anlisis C.C.

Haciendo Vi= 0 y tomando a C
1
y C
2
como circuito abierto se tiene el mismo circuito
equivalente obtenido para el caso del amplificador surtidor comn con C
S
(Figura 2), por
tanto el anlisis de este circuito ya es conocido.

5.2. Anlisis C.A.

Tomando V
DD
= 0 y C
1
y C
2
como corto circuito se tiene el circuito equivalente de la
figura 9.








Figura 9


v
L
v
i
v
i
(t)
t
v
L
(t)
t
R
D
C
2
R
S
R
G
C
1
R
L
Electrnica Prof. Julima Anato
Respuesta A.C. del FET 7/ 14
S DS S D DS L
v v R i v V + = + =

( )
L D D L
R R i V // =

Igualando estas dos ecuaciones se tiene:

( )
L D D D S DS
R R i i R v // = +

( ) [ ]
S L D D DS
R R R i v + = //

Esta ltima ecuacin corresponde a la ecuacin de salida de c.a. para el amplificador
surtidor comn sin C
S
, se observa entonces la presencia de la resistencia R
S
.

El resultado de la superposicin indica que:
DSQ DS DS
V V v = e
DQ D D
I I i = , la
sustitucin de estos valores sobre la ecuacin de salida de c.a. permite obtener la
ecuacin de recta de carga d.c. para el amplificador surtidor comn sin C
E
.

( ) ( ) [ ]
S L D DQ D DSQ DS
R R R I I V V + = //

( ) ( ) [ ]
S L D DQ D DSQ DS
R R R I I V V + = //

5.3. MDSen el Amplificador Emisor Comn sin CE

La ecuacin para MDS se obtiene a partir de la ecuacin de recta de carga a.c. Para un
amplificador surtidor comn con C
S
, la ecuacin para MDS es:

( )
L D DQ DS DSQ
R R I V V // + =

Esta ecuacin se obtuvo a partir de: ( )( )
L D DQ D DSQ DS
R R I I V V // =

Al quitar el C
S
, la ecuacin de recta de carga a.c. se ve afectada por R
S
:

( ) ( ) [ ]
S L D DQ D DSQ DS
R R R I I V V + = //

Como esta ecuacin determina la ecuacin para MDS, la ecuacin para MDS en un
amplificador surtidor comn sin C
S
, queda como:

( ) [ ]
S L D DQ PO DSQ
R R R I V V + + = //

Donde: y en vista de que ( ) [
S L D DQ ds
R R R I p v + = // ]
S DS L
v v V + = se tiene para MDS:

( )
L D DQ L
R R I v // = y
S DQ S
R I v =
Electrnica Prof. Julima Anato
Respuesta A.C. del FET 8/ 14

6. Anlisis del Amplificador Surtidor Comn con CS, con ModeloHbrido

La figura 10 muestra el circuito amplificador surtidor comn con C
S
.

+ V
DD

Electrnica Prof. Julima Anato
v
L
v
i
R
D
R
S
R
G
C
1
C
S
C
2


R
L





Figura 10

El modelo hbrido o equivalente hbrido del transistor es un modelo circuital que
combina impedancias y admitancias para describir al dispositivo, de all el nombre de
hbrido.

El anlisis con parmetros hbridos se realiza a partir del equivalente en c.a. del circuito
amplificador el cual es mostrado en la figura 11.

v
L
v
i
R
D
i
L
i
d
v
ds
v
gs
R
G


R
L




Figura 11

La sustitucin del smbolo del FET por su modelo hbrido durante el anlisis en c.a.
permite la obtencin de ciertos valores de inters como son: la ganancia de voltaje (Av),
ganancia de corriente (Ai), impedancia de entrada (Zi) y la impedancia de salida (Zo).
Estos valores dependen de la frecuencia y el smbolo circuital por si solo no considera
este aspecto, de all la utilidad del modelo hbrido quien si lo considera.

El modelo hbrido del FET en configuracin surtidor comn se muestra en la figura 12.

G
S
r
gs
g
m
v
gs
r
ds v
gs
v
ds
D

i
d i
g




Figura 12

Respuesta A.C. del FET 9/ 14
Donde:

r
gs
Resistencia entre compuerta y surtidor

=
Q
d
gs
gs
i
v
r

g
m
Transconductancia
Q
gs
d
m
v
i
g

=

r
ds
Resistencia de salida entre drenador y surtidor
Q
d
ds
ds
i
v
r

=

La relacin se conoce como factor de amplificacin de voltaje del FET :
ds m
r g

gs
ds
ds m
v
v
r g = =

Como , el modelo hbrido de la figura 12 se reduce, generando el modelo
hbrido simplificado del FET (Figura 13).

gs
r

G
Electrnica Prof. Julima Anato
g
m
v
gs
r
ds v
gs
v
ds
D
i
d i
g
S
v
gs



Figura 13

El circuito equivalente amplificador surtidor comn con C
S
, con modelo hbrido se
obtiene al sustituir el smbolo del FET en el circuito de la figura 11 por el modelo hbrido
simplificado, tal como se muestra en la figura 14.

R
G
R
D
G
S
v
gs
g
m
v
gs
r
ds
i
i
i
d
v
i
Zi
R
L
D
V
L
i
L






Zo

Figura 14

Respuesta A.C. del FET 10/ 14
Clculo de Zi:

La impedancia de entrada Zi se mide como la relacin entre el voltaje de entrada y la
corriente de entrada del amplificador,
i i
i v Zi = , en el circuito se observa como aquella
impedancia vista por la fuente v
i
a partir de la lnea punteada.

i
i
i
v
Zi =
G
R Zi =
Clculo de Zo:

La impedancia de salida Zo se mide como la relacin entre el voltaje de salida y la
corriente de salida del amplificador,
o o
i v Zo = . Para el clculo de Zo en el circuito de la
figura 14 se requiere el uso de una fuente de prueba v
o
y la eliminacin de la fuente de
entrada independiente v
i
, lo que anula el voltaje v
gs
y por tanto la fuente g
m
v
gs
, tal como
muestra la figura 15.

G
R
G
R
D
S
v
gs
=0
r
ds
i
d
D
Zo
i
o

v
o v
i
=0





Figura 15

0 =
= =
i
v
D
DS
o
o
i
v
i
v
Zo

Del circuito de la figura 15 se tiene que
D ds
R r Zo // = , la cual es la impedancia vista
desde los terminales de salida del circuito.

Clculo de Av:

La ganancia de voltaje del amplificador es la relacin entre el voltaje de salida v
o
y el
voltaje de entrada v
i
,
i L
v v Av = .

i
L
v
v
Av =

( )
L D ds gs m L
R R r v g v // // =

Electrnica Prof. Julima Anato
Respuesta A.C. del FET 11/ 14
gs i
v v =

( )
gs
L D ds gs m
v
R R r v g
Av
// //
=

) // // (
L D ds gs m
R R r v g Av =

El valor de Av negativo es indicativo del desfasaje entre la seal de salida y la seal de
entrada del amplificador surtidor comn.

Clculo de Ai:

La ganancia de corriente del amplificador es la relacin entre la corriente de salida i
L
y
la corriente de entrada i
i
,
i L
i i Ai = .

L
L
L
R
v
i = ,
Zi
v
i
i
i
=

L i
L
i
L L
i
L
R
Zi
v
v
Zi v
R v
i
i
Ai = = =

Av
v
v
i
L
=
L
R
Zi
Av Ai =

La ganancia de corriente ser tambin un valor negativo, puesto que Av es negativo.

7. Anlisis del Amplificador Surtidor Comn sin CS, con ModeloHbrido

El circuito amplificador surtidor comn sin C
S
se muestra en la figura 16.


+ V
DD

v
L
v
i
R
D
R
S
R
G
C
1
C
2

R
L






Figura 16

Electrnica Prof. Julima Anato
Respuesta A.C. del FET 12/ 14
El anlisis con parmetros hbridos se realiza a partir del equivalente en c.a. del circuito
el cual es mostrado en la figura 17.

v
L
v
i
R
D
i
L
i
d
v
ds
v
gs
R
G


R
L

R
S



Figura 17

La sustitucin del smbolo del FET en el circuito de la figura 17 por el modelo hbrido
simplificado resulta en el circuito de la figura 18.


D
R
S
R
G
R
D
G
S
v
gs
g
m
v
gs
r
ds
i
i
i
d
v
i
Zi
R
L
v
L






Zo
Figura 18

Convirtiendo la fuente de corriente en una fuente de tensin, el circuito se transforma en
el circuito de la figura 19.

R
S
R
G
R
D
G
S
v
gs
g
m
v
gs
r
ds
r
ds
i
i
i
d
v
i
Zi
R
L
v
L
D








Zo

Figura 19

=
ds m
r g y
s g gs
v v v =

Estas ltimas ecuaciones permiten redibujar el circuito como: (Figura 20)

Electrnica Prof. Julima Anato
Respuesta A.C. del FET 13/ 14

R
S
R
G
R
D
G S
v
g
r
ds
i
i
i
d
v
i
Zi
R
L
v
L


D
v
s






Zo

Figura 20

d s s
i R v = , lo que indica que la cada dada por la fuente v
S
puede representarse por una
resistencia de valor R
S
a travs de la cual circule id, con lo que el circuito anterior se
transforma en el circuito de la figura 21.

(+1)R
S
R
G
R
D
G
v
g
r
ds
i
i
i
d
v
i
Zi
R
L
D

v
L






Zo
Figura 21

Clculo de Zi:

La impedancia de entrada Zi se mide como la relacin entre el voltaje de entrada y la
corriente de entrada del amplificador,
i i
i v Zi = , en el circuito se observa como aquella
impedancia vista por la fuente v
i
a partir de la lnea punteada.

i
i
i
v
Zi =
G
R Zi =

Clculo de Zo:

La impedancia de salida Zo se mide como la relacin entre el voltaje de salida y la
corriente de salida del amplificador,
o o
i v Zo = . Para el clculo de Zo en el circuito de la
figura 21 se requiere el uso de una fuente de prueba v
o
y la eliminacin de la fuente de
entrada independiente v
i
, con lo que v
g
=0 y se obtiene el circuito de la figura 22:


Electrnica Prof. Julima Anato
Respuesta A.C. del FET 14/ 14

(+1)R
S
R
D
r
ds
i
d
R
L

v
L







Zo

Figura 22

[ ]
S ds D
R r R Zo ) 1 ( // + + =
Clculo de Av:

La ganancia de voltaje del amplificador es la relacin entre el voltaje de salida v
o
y el
voltaje de entrada v
i
,
i L
v v Av = .

Por un divisor de tensin el circuito de salida de la figura 21 se tiene:

S ds D
D g
L
R r R
R v
v
) 1 ( + + +

=

g i
v v =


S ds D
D
R r R
R
Av
) 1 ( + + +

=

Clculo de Ai:

La ganancia de corriente del amplificador es la relacin entre la corriente de salida i
L
y
la corriente de entrada i
i
,
i L
i i Ai = .

L
L
L
R
v
i = ,
Zi
v
i
i
i
=

L i
L
i
L L
i
L
R
Zi
v
v
Zi v
R v
i
i
Ai = = =

Av
v
v
i
L
=
L
R
Zi
Av Ai =

La ganancia de corriente ser tambin un valor negativo, puesto que Av es negativo.
Electrnica Prof. Julima Anato